專利名稱：一種光學元件鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
一種光學元件鍍膜裝置技術領域[0001]本實用新型涉及一種光學元件鍍膜裝置，具體涉及一種大面積均勻阻性層鍍膜的實現(xiàn)裝置。
背景技術：
[0002]光子技術成像不僅可以探測到單電子信息，滿足對微弱光檢測的要求，而且具有同時獲得電子的時間和位置信息的優(yōu)點，因此在光譜測量、生物發(fā)光、放射探測、高能物理、 空間探測等領域有著特殊的作用，采用位置靈敏陽極的光子技術系統(tǒng)，其成像電荷讀出方式有二種一種是電荷直接采集方式；另一種是電荷感應讀出方式。當采用電荷感應讀出方式時，電荷感應層Ge膜的電阻不同，電荷在膜層的擴散速度不同，從而導致成像電荷保持分布狀態(tài)的時間常數(shù)不同，因此Ge膜的電阻值影響了電子技術系統(tǒng)的性能，是系統(tǒng)性能的重要參數(shù)。[0003]二維位置探測器需要使用較大面積的阻性層以擴展電荷信號，從而可以使用較大尺寸的金屬電極通過感應信號獲取位置信息。傳統(tǒng)濺射工藝鍍制的Ge膜的電阻值只能保證在Φ5(πι的有效面積內達到一致性5%以內，該結果限制了光子技術成像的較大面積應用。實用新型內容[0004]針對上述現(xiàn)有技術存在的不足，本實用新型的目的在于提供一種新型光學元件鍍膜裝置，該裝置可以實現(xiàn)大面積、均勻阻性層鍍膜的實現(xiàn)。[0005]為了達到上述目的，本實用新型一種光學元件鍍膜裝置，該裝置設置有真空鍍膜室，所述鍍膜室內設置有蒸發(fā)鍍膜原材料的蒸發(fā)源，還設置有電離蒸氣粒子的離子源，鍍膜室頂部設置有膜厚控制儀，膜厚控制儀帶有可在水平方向旋轉的工件盤，待鍍膜基片固定在所述工件盤上被帶動旋轉，適配于基片的旋轉路徑設置有擋板，基片旋轉至擋板上方時擋板可遮擋部分鍍膜區(qū)域。進一步，所述蒸發(fā)源包括盛放鍍膜原材料的坩堝，坩堝下部設置有電子槍。[0007]進一步，所述擋板形狀依據(jù)待鍍膜基片形狀確定。[0008]本實用新型一種光學元件鍍膜裝置，采用離子束輔助蒸發(fā)的方法沉積Ge膜，在鍍膜設備中安裝有均勻性擋板，可以為光學元件鍍制大面積均勻的Ge膜，解決了傳統(tǒng)工藝中面積均勻性不夠大的問題，并可實現(xiàn)工藝要求的不同電阻值。能夠實現(xiàn)1.電阻在 100ΜΩ —16Ω間可調；2.有效面積達到Φ IOcm或10*10cm2; 3.通過膜層厚度的均勻性保證電阻的一致性，一致性在5%以內。


[0009]圖I為本實用新型的側視圖；[0010]圖2為本實用新型的主視圖；[0011]圖中1.電子槍、2.離子源、3.坩堝、4.擋板、5.基片、6.晶振控制儀、6_1.工件盤、7.鍍膜室。
具體實施方式
[0012]為更進一步闡述本實用新型為達到預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，
以下結合附圖和較佳實施例，對本實用新型的結構、特征以及功效詳細說明如后。[0013]如圖I、圖2所示，該裝置設置有真空鍍膜室7，鍍膜室7內設置有蒸發(fā)鍍膜原材料的蒸發(fā)源，蒸發(fā)源包括盛放鍍膜原材料的坩堝3，坩堝3下部設置有作為熱源的電子槍I。[0014]如圖I、圖2所示，為了提高蒸發(fā)后原材料粒子與基片的吸附強度，鍍膜室7內還設置有電離蒸氣粒子的離子源2。[0015]如圖I、圖2所示，鍍膜室7頂部設置有晶振控制儀6，晶振控制儀6帶有可在水平方向旋轉的工件盤6-1，待鍍膜基片5固定在工件盤6-1上，晶振控制儀6可以控制膜層在基片5上鍍制的厚度，實現(xiàn)沉積不同厚度的Ge膜，實現(xiàn)了電阻在100ΜΩ — IGQ之間可調。[0016]如圖I、圖2所示，基片5在工件盤6-1的帶動下做水平方向旋轉，適配于基片5的旋轉路徑設置有擋板4，基片5旋轉至擋板4上方時擋板4可遮擋部分鍍膜區(qū)域。[0017]對基片5實施部分區(qū)域遮擋的原因是因為大尺寸基片上的各點位置與蒸發(fā)源距離不一樣，鍍膜過程中膜厚會隨著基片表面位置變化而變化，因此需要設置擋板減小部分膜層厚度，以達到膜層厚度均勻性一致性的目的。[0018]擋板4 一般采用不易變形的金屬材料制作，其形狀依據(jù)待鍍膜基片5的形狀確定。 擋板4安裝在基片5與蒸發(fā) 源之間，一般位于鍍膜室7的后側，距離鍍膜室7底部40-100cm， 距離蒸發(fā)源lO-lOOcm，距離基片5-40cm，設置擋板4可實現(xiàn)Ge膜層Φ IOcm或10*10cm2的有效面積內電阻值一致性5%以內的效果。[0019]上面所述只是為了說明本實用新型，應該理解為本實用新型并不局限于以上實施例，符合本實用新型思想的各種變通形式均在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種光學元件鍍膜裝置，該裝置設置有真空鍍膜室，其特征在于，所述鍍膜室內設置有蒸發(fā)鍍膜原材料的蒸發(fā)源，還設置有電離蒸氣粒子的離子源，鍍膜室頂部設置有膜厚控制儀，膜厚控制儀帶有可在水平方向旋轉的工件盤，待鍍膜基片固定在所述工件盤上被帶動旋轉，適配于基片的旋轉路徑設置有擋板，基片旋轉至擋板上方時擋板可遮擋部分鍍膜區(qū)域。
2.如權利要求I所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)源包括盛放鍍膜原材料的坩堝，坩堝下部設置有電子槍。
3.如權利要求I所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述擋板形狀依據(jù)待鍍膜基片形狀確定。
專利摘要本實用新型公開了一種光學元件鍍膜裝置，該裝置設置有真空鍍膜室，所述鍍膜室內設置有蒸發(fā)鍍膜原材料的蒸發(fā)源，還設置有電離蒸氣粒子的離子源，鍍膜室頂部設置有膜厚控制儀，膜厚控制儀帶有可在水平方向旋轉的工件盤，待鍍膜基片固定在所述工件盤上被帶動旋轉，適配于基片的旋轉路徑設置有擋板，基片旋轉至擋板上方時擋板可遮擋部分鍍膜區(qū)域。本實用新型能夠鍍制的Ge膜層參數(shù)如下1.電阻在100MΩ—1GΩ間可調；2.有效面積達到Φ10cm或10*10cm2；3.通過膜層厚度的均勻性保證電阻的一致性，一致性在5%以內。
文檔編號C23C14/32GK202786405SQ20122042353
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月24日 優(yōu)先權日2012年8月24日
發(fā)明者劉景峰 申請人:北京奇峰藍達光學科技發(fā)展有限公司