專利名稱：易插型石墨舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及真空鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種易插型石墨舟。
技術(shù)背景 PECVD是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)的簡稱，其原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣 品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。石墨舟是其中的重要部件，直接影響到電場的分布、等離子的產(chǎn)生、氣流的走向、膜的品質(zhì)等?，F(xiàn)有的石墨舟由于舟片緊湊，作業(yè)員在插、取硅片時會產(chǎn)生碎片的現(xiàn)象，影響了硅片鍍膜生產(chǎn)效率。

實用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有的石墨舟插、取硅片時易發(fā)生碎片現(xiàn)象，影響硅片鍍膜生產(chǎn)效率的不足，本實用新型提供了一種易插型石墨舟。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種易插型石墨舟，包括舟體、舟片、支腳、上電極和下電極，舟片設(shè)置在舟體內(nèi)，支腳安裝在舟體底部，上電極和下電極分別位于舟體的上部和下部，舟片上設(shè)有切口。根據(jù)本實用新型的另一個實施例，進(jìn)一步包括切口為楔形，外口較內(nèi)口寬。根據(jù)本實用新型的另一個實施例，進(jìn)一步包括切口間隔分布在舟片兩端。本實用新型的有益效果是，在舟片的兩端間隔設(shè)置楔形切口，為插、取硅片提供了方便，避免了破損，從而大大提高了硅片鍍膜生產(chǎn)效率。
以下結(jié)合附圖
和實施例對本實用新型進(jìn)一步說明。圖I是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中I.舟體，2.舟片，3.支腳，4.上電極，5.下電極，6.切口。
具體實施方式
如圖I是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，一種易插型石墨舟，包括舟體I、舟片2、支腳
3、上電極4和下電極5，舟片2設(shè)置在舟體I內(nèi)，支腳3安裝在舟體I底部，上電極4和下電極5分別位于舟體I的上部和下部，舟片2上設(shè)有切口 6。切口 6為楔形，外口較內(nèi)口寬。切口 6間隔分布在舟片2兩端。在舟片2的兩端間隔設(shè)置楔形切口 6，使用時，先將硅片的一角由切口 6處插入，再沿著舟片2之間的插槽全部插入，為插、取硅片提供了方便，避免了破損，從而大大提高了硅片鍍膜生產(chǎn)效率。
權(quán)利要求1.一種易插型石墨舟，包括舟體(I)、舟片(2)、支腳(3)、上電極(4)和下電極(5)，舟片(2)設(shè)置在舟體(I)內(nèi)，支腳(3)安裝在舟體(I)底部，上電極(4)和下電極(5)分別位于舟體(I)的上部和下部，其特征是，各舟片(2 )之間設(shè)有切口( 6 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的易插型石墨舟，其特征是，切口(6)為楔形，外口較內(nèi)口寬。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的易插型石墨舟，其特征是，切口(6)間隔分布在舟片(2)兩端。
專利摘要本實用新型涉及真空鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種易插型石墨舟。其包括舟體、舟片、支腳、上電極和下電極，舟片設(shè)置在舟體內(nèi)，支腳安裝在舟體底部，上電極和下電極分別位于舟體的上部和下部，舟片上設(shè)有切口。在舟片的兩端間隔設(shè)置楔形切口，為插、取硅片提供了方便，避免了破損，從而大大提高了硅片鍍膜生產(chǎn)效率。
文檔編號C23C16/458GK202688442SQ201220306929
公開日2013年1月23日 申請日期2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月28日
發(fā)明者沈文偉 申請人:沈文偉