金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置及其方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤清潔裝置及其方法，清潔毛刷安裝板4安裝到旋轉(zhuǎn)電機5的旋轉(zhuǎn)軸上，清潔毛刷8固定安裝于清潔毛刷安裝板4上，清潔毛刷安裝板4安裝于清掃廢物收集盤3內(nèi)，抽氣管路6一端與清掃廢物收集盤3連接，另一端與抽氣裝置7連接。清潔裝置與噴淋盤外形相似、大小相同，在清潔噴淋盤時，不需要打開MOCVD設(shè)備的手套箱，能夠?qū)娏鼙P進(jìn)行整體式的清潔，清洗廢物落入清潔裝置的廢物收集盤中，由抽氣裝置吸走排出，清潔噴淋盤的這一操作過程可以成為薄膜生長工藝過程的一個標(biāo)準(zhǔn)步驟，從而保證了每一次生長的可重復(fù)性。
【專利說明】金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置及其方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種用于金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置及清潔方法。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition,簡稱 MOCVD)包含了流體力學(xué)、傳熱學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、精密機械、真空電子、半導(dǎo)體材料、計算機等多學(xué)科。MOCVD設(shè)備是一種綜合運用各個學(xué)科技術(shù)的高科技設(shè)備，是化合物半導(dǎo)體材料外延生長的理想方法，具有質(zhì)量高、穩(wěn)定性好、重復(fù)性好、能規(guī)?；慨a(chǎn)的特點，它已成為生產(chǎn)半導(dǎo)體光電器件的關(guān)鍵核心設(shè)備，具有廣闊的應(yīng)用前景和產(chǎn)業(yè)化價值?，F(xiàn)有的MOCVD設(shè)備相當(dāng)部分在反應(yīng)腔體中采用噴淋盤，MOCVD設(shè)備中的噴淋盤是影響MOCVD外延生長薄膜質(zhì)量的重要因素。噴淋盤毛細(xì)孔是否堵塞直接影響著外延薄膜的均勻性，因為其直接影響氣源流的分布，從而影響了薄膜在沉積過程中的均勻性。在外延薄膜生長過程中噴淋盤的出氣口會逐漸累積一些雜質(zhì)，影響出流氣體的流動形態(tài)，導(dǎo)致薄膜生長過程中難以實現(xiàn)很好的重復(fù)性。
[0003]目前，清洗MOCVD設(shè)備噴淋盤的主要方式是通過手動操作帶吸氣功能的管式清潔刷，管式清潔刷靠近噴淋盤，經(jīng)氣體的吸力將附著在噴淋盤上的微細(xì)顆粒清除。這種清潔噴淋盤的方式操作繁瑣，一次操作只能對噴淋盤的局部區(qū)域清洗，清洗不均勻，清掃過程中雜物也有可能掉入反應(yīng)腔，另外由于操作比較繁瑣，只能做階段性的清理操作，不能把整個清潔過程，內(nèi)嵌在外延工藝程序中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是針對已有技術(shù)中存在的缺陷，為了克服現(xiàn)有MOCVD設(shè)備噴淋盤清潔裝置操作繁瑣、引入雜質(zhì)、可重復(fù)性差的不足，本發(fā)明提供一種金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置。本發(fā)明的清潔裝置主要包括密封圈2，清掃廢物收集盤3，清潔毛刷安裝板4，旋轉(zhuǎn)電機5，抽氣管路6，抽氣裝置7，清潔毛刷8，其特征是:清潔毛刷安裝板4安裝到旋轉(zhuǎn)電機5的旋轉(zhuǎn)軸上，清潔毛刷8固定安裝于清潔毛刷安裝板4上，清潔毛刷安裝板4安裝于清掃廢物收集盤3內(nèi)，抽氣管路6 —端與清掃廢物收集盤3連接，另一端與抽氣裝置7連接。
[0005]所述清掃廢物收集盤3與噴淋盤I外形相似、大小基本相同，與整個噴淋盤I通過密封圈2進(jìn)行密封。
[0006]本發(fā)明還提供了用上述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置的清潔噴淋盤的方法，在清潔噴淋盤I時，由機械臂將清潔裝置移動到噴淋盤I附近，將清潔裝置清掃廢物收集盤3與噴淋盤I對準(zhǔn)、壓緊，與整個噴淋盤I通過密封圈2進(jìn)行密封，裝有清潔毛刷8清潔毛刷安裝板4跟隨旋轉(zhuǎn)電機5旋轉(zhuǎn)同時清潔毛刷8對整個噴淋盤I進(jìn)行清掃，使噴淋盤I上的附著物，落入清掃廢物收集盤3中，再經(jīng)由抽氣裝置7將清掃廢物收集盤3中的清掃物通過抽氣管路6抽到腔體之外，噴淋盤清洗達(dá)到要求后，清洗裝置與噴淋盤脫離，由機械臂將清潔裝置轉(zhuǎn)移回到原來的中轉(zhuǎn)裝置處，清洗過程完成。
[0007]清掃噴淋盤作為外延生長的一個標(biāo)準(zhǔn)工藝步驟，在每一次外延生長完成后自動對噴淋盤I進(jìn)行一次清掃。
[0008]本發(fā)明的優(yōu)點是能夠?qū)崿F(xiàn)清潔過程完全程序控制，在清潔噴淋盤時，不需要打開MOCVD設(shè)備的手 套箱，就可以對噴淋盤進(jìn)行整體式的清潔，清洗掉落物落入清潔裝置的盛物盤中由抽氣裝置吸走排出，而且清潔噴淋盤的這一過程可以成為薄膜生長工藝過程的一個標(biāo)準(zhǔn)步驟，從而保證了每一次生長的可重復(fù)性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置的結(jié)構(gòu)意圖。
[0010]圖1中，I是噴淋盤，2是密封圈，3是清掃廢物收集盤，4是清潔毛刷安
[0011]裝板，5是旋轉(zhuǎn)電機，6是抽氣管路，7抽氣裝置，8清潔毛刷。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明的實施例:
[0013]實施例一
[0014]參見圖1，本發(fā)明的的清潔裝置主要包括密封圈2，清掃廢物收集盤3，清潔毛刷安裝板4，旋轉(zhuǎn)電機5，抽氣管路6，抽氣裝置7，清潔毛刷8，清潔毛刷安裝板4安裝到旋轉(zhuǎn)電機5的旋轉(zhuǎn)軸上，清潔毛刷8固定安裝于清潔毛刷安裝板4上，清潔毛刷安裝板4安裝于清掃廢物收集盤3內(nèi)，清潔毛刷安裝板4跟隨旋轉(zhuǎn)電機5旋轉(zhuǎn)，清潔毛刷8跟隨旋轉(zhuǎn)同時將噴淋盤I上的附著物清掃掉，落入清掃廢物收集盤3中。清掃廢物收集盤3與噴淋盤I外形相似、大小基本相同，與整個噴淋盤I通過密封圈2進(jìn)行密封。抽氣管路6 —端與清掃廢物收集盤3連接，另一端與抽氣裝置7連接，作用是對清掃廢物收集盤3進(jìn)行抽氣，將清掃廢物收集盤3中的清掃物通過抽氣管路6抽到腔體之外。
[0015]在MOCVD設(shè)備進(jìn)行薄膜外延生長的工藝過程執(zhí)行到噴淋盤I清潔這一步驟時，噴淋盤I由動力裝置驅(qū)動上升至合適的高度，然后由機械臂將安放在手套箱中的清潔裝置搬運到噴淋盤I附近，將清潔裝置的清掃廢物收集盤3與噴淋盤I對準(zhǔn)、接觸、壓緊，清廢物收集盤3和噴淋盤I通過密封圈2進(jìn)行密封，防止清掃廢物漏出。啟動抽氣裝置7，然后啟動旋轉(zhuǎn)電機5，固定在旋轉(zhuǎn)電機5上的清潔毛刷安裝板4和清潔毛刷8旋轉(zhuǎn)，清潔毛刷8的刷毛接觸、清掃噴淋盤,使噴淋盤I上的附著物——清掃廢棄物落入清掃廢物收集盤3中，再經(jīng)由抽氣裝置7將清掃廢物收集盤3中的清掃廢物從抽氣管道6中抽走、排出腔體之外。噴淋盤清洗達(dá)到要求后，完成一次噴淋盤清潔任務(wù)，清洗裝置與噴淋盤脫離，再由機械臂將清潔裝置搬運到原來的位置，清洗過程完成。
[0016]清掃噴淋盤作為外延生長的一個標(biāo)準(zhǔn)工藝步驟，在每一次外延生長完成后自動對噴淋盤I進(jìn)行一次清掃。
【權(quán)利要求】
1.一種金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置，主要包括密封圈(2)，清掃廢物收集盤(3)，清潔毛刷安裝板(4)，旋轉(zhuǎn)電機(5)，抽氣管路(6)，抽氣裝置(7)，清潔毛刷(8)，其特征是:清潔毛刷安裝板(4)安裝到旋轉(zhuǎn)電機(5)的旋轉(zhuǎn)軸上，清潔毛刷(8)固定安裝于清潔毛刷安裝板(4)上，清潔毛刷安裝板(4)安裝于清掃廢物收集盤(3)內(nèi)，抽氣管路(6)一端與清掃廢物收集盤(3)連接，另一端與抽氣裝置(7)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置，其特征在于所述清掃廢物收集盤(3)與噴淋盤(I)外形相似、大小基本相同，與整個噴淋盤(I)通過密封圈(2)進(jìn)行密封。
3.用權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備噴淋盤的清潔裝置的清潔噴淋盤的方法，在清潔噴淋盤(I)時，由機械臂將清潔裝置移動到噴淋盤(I)附近，將清潔裝置的清掃廢物收集盤(3)與噴淋盤(I)對準(zhǔn)、壓緊，與整個噴淋盤(I)通過密封圈(2)進(jìn)行密封，裝有清潔毛刷(8)清潔毛刷安裝板(4)跟隨旋轉(zhuǎn)電機(5)旋轉(zhuǎn)同時清潔毛刷(8)對整個噴淋盤(I)進(jìn)行清掃，使噴淋盤(I)上的附著物，落入清掃廢物收集盤(3 )中，再經(jīng)由抽氣裝置(7 )將清掃廢物收集盤(3)中的的清掃物通過抽氣管路(6)抽到腔體之外，噴淋盤清洗達(dá)到要求后，清洗裝置與噴淋盤脫離，由機械臂將清潔裝置轉(zhuǎn)移回到原來的中轉(zhuǎn)裝置處，清洗過程完成，清掃噴淋盤作為外延生長的一個標(biāo)準(zhǔn)工藝步驟，在每一次外延生長完成后自動對噴淋盤(I)進(jìn)行一次清掃。
【文檔編號】C23C16/455GK103668114SQ201210353143
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月19日
【發(fā)明者】甘志銀, 胡少林, 潘建秋, 蔣小敏, 植成楊, 劉玉貴 申請人:甘志銀