專利名稱：表面處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在大氣壓附近下對被處理物進行表面處理的裝置，尤其涉及適合于連續(xù)地搬運被處理物并進行大氣壓等離子處理等表面處理的表面處理裝置。
背景技術(shù)：
通常，在大氣壓等離子處理等表面處理中，為了防止處理氣體成分的泄漏等，而利用處理槽將處理區(qū)域包圍(參照專利文獻1等)。在該處理槽連接有排氣吹風(fēng)機或排氣泵等排氣源，將處理槽內(nèi)的包括處理氣體在內(nèi)的氣體吸引排出。在處理槽的端壁設(shè)有對被處理物進行搬入搬出的開口。在被處理物為單片狀或進行批處理時等，若在上述開口設(shè)置門，且每當(dāng)對各個被處理物進行搬入、搬出時對門進行開閉，則能夠防止處理氣體的泄漏。然而，在被處理物為連續(xù)片狀、或者將被處理物沿著處理線搬運并同時進行連續(xù)處理時等，門的開閉困難甚至無法開閉。因此，在專利文獻I中，將搬入側(cè)及搬出側(cè)的壁分別形成為雙重結(jié)構(gòu)而設(shè)置小室。在各壁形成有常開的開口。在先技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1日本特開2001-102198號公報(0054，圖8)根據(jù)上述專利文獻I的搬入側(cè)及搬出側(cè)的雙重壁，從處理槽流出的流出氣體暫時積存在上述雙重壁內(nèi)的小室中。可是，之后，氣體仍然可能擴散而向外部泄漏。尤其是在搬出側(cè)，與被處理物相接的氣體由被處理物引領(lǐng)而容易向外部泄漏。為了防止這種情況，需要增大排氣吹風(fēng)機或排氣泵等排氣源的容量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況而作出，其主要目的是在對被處理物進行例如連續(xù)搬運并同時在處理槽內(nèi)進行表面處理的裝置中，不使處理槽的排氣源成為大型化而能夠充分地抑制處理氣體成分從處理槽向外部的漏出。為了解決上述課題，本發(fā)明涉及一種表面處理裝置，對被處理物在大氣壓附近的處理區(qū)域進行表面處理，其特征在于，具備(a)搬運機構(gòu)，其對所述被處理物以通過所述處理區(qū)域的方式沿著搬運方向搬運；(b)處理槽，其具有包括所述處理區(qū)域的主室、設(shè)置在所述主室的所述搬運方向的搬入側(cè)及搬出側(cè)中的至少搬出側(cè)并通過分隔壁而與所述主室分隔開的副室，在搬入側(cè)的外壁及搬出側(cè)的外壁以及所述分隔壁上形成有能夠搬入搬出所述被處理物的常開的開口；(C)排氣機構(gòu)，其與所述主室連接，吸引所述主室內(nèi)的氣體而使所述主室的內(nèi)壓比所述處理槽的外部的壓力低；(d)副室供氣機構(gòu)，其與所述副室連接，向所述副室內(nèi)供給空氣或非活性氣體而使所述副室的內(nèi)壓比所述處理槽的外部的壓力高。
從副室供氣機構(gòu)向副室供給的空氣或非活性氣體在上述壓力差的作用下從分隔壁的開口流入到主室內(nèi)。通過該流動，能夠可靠地防止主室內(nèi)的包含處理氣體成分在內(nèi)的氣體向外部漏出的情況。尤其是在主室內(nèi)的搬出側(cè)的部分，與被處理物相接的氣體由被處理物帶領(lǐng)而朝向搬出側(cè)的副室及槽外移動。相對于此，來自搬出側(cè)的副室的氣體向主室流入。來自該搬出側(cè)副室的氣體流入方向是上述被處理物的移動方向以及被處理物上的氣體的流動方向的大致反方向。通過該反方向的流入氣體，能夠?qū)⒈惶幚砦锷系臍怏w壓回。由此，能夠可靠地防止包含處理氣體成分的氣體與被處理物一起向外部漏出的情況。主室的內(nèi)壓只要比大氣壓稍低即可，無需增大主室排氣機構(gòu)的排氣源的排氣容量，能夠?qū)崿F(xiàn)排氣源的小型化。另外，從副室供氣機構(gòu)向副室供給的空氣或非活性氣體的一部分從外壁的開口向外部流出。通過該流動，能夠防止外部的氣氛氣體進入到處理槽內(nèi)。在所述被處理物為連續(xù)片狀時，所述搬運機構(gòu)優(yōu)選包括卷掛所述被處理物的多個引導(dǎo)輥。例如，在搬入側(cè)的槽外設(shè)置抽出輥，在搬出側(cè)的槽外設(shè)置卷繞輥，在所述抽出輥與所述卷繞輥之間排列有所述多個引導(dǎo)輥。這些多個引導(dǎo)輥的一部分或全部配置在處理槽的內(nèi)部。所述連續(xù)片狀的被處理物從抽出輥抽出，由所述引導(dǎo)輥的列引導(dǎo)而通過處理槽的包 括處理區(qū)域的主室及副室，由卷繞輥卷繞。所述引導(dǎo)輥中的第一引導(dǎo)輥優(yōu)選收容在所述副室內(nèi)。通過在所述第一引導(dǎo)輥上卷掛連續(xù)片狀的被處理物，能夠?qū)Ω笔覂?nèi)的連續(xù)片狀被處理物進行定位而防止變動。因此，可以幾乎不考慮連續(xù)片狀被處理物的變動而將外壁及分隔壁的各開口的開口度設(shè)定得較小。進而，能夠可靠地防止從主室的氣體泄漏或外部氣氛的侵入。優(yōu)選的是，所述第一引導(dǎo)輥的直徑大于劃分出所述副室的外壁與分隔壁之間的距離，所述第一引導(dǎo)輥的外周部進入到所述外壁的開口及所述分隔壁的開口內(nèi)。由此，通過所述第一引導(dǎo)輥能夠塞住所述開口的大部分。而且，能夠使所述第一引導(dǎo)輥的周面上的所述連續(xù)片狀的被處理物的進入接點及送出接點正好位于所述開口的內(nèi)部或所述開口的附近。如此，所述連續(xù)片狀的被處理物的配置在所述副室內(nèi)的部分的大致整體卷掛于所述第一引導(dǎo)輥。因此，能夠可靠地防止所述副室內(nèi)的所述連續(xù)片狀的被處理物的變動。由此，能夠充分縮小所述開口的開口度(即，形成在所述開口的緣部與所述第一引導(dǎo)輥的周面之間的間隙的大小)，從而能夠可靠地防止從主室的氣體泄漏或外部氣氛的侵入。在副室內(nèi)只要僅設(shè)置一個第一引導(dǎo)輥即可，從而能夠減少部件件數(shù)。優(yōu)選的是，在所述第一引導(dǎo)輥的周面的周向上的一側(cè)部卷繞所述被處理物，所述副室供氣機構(gòu)包括供氣口，該供氣口朝向所述副室的面向所述一側(cè)部的室部分開口。由此，能夠可靠地使所述室部分為高壓。因此，能夠可靠地防止主室內(nèi)的包括處理氣體成分在內(nèi)的氣體由被處理物帶領(lǐng)而進入到副室內(nèi)、或外部的氣氛氣體進入到副室內(nèi)的情況。進而，能夠更可靠地防止包含處理氣體成分在內(nèi)的氣體向外部流出、或外部的氣氛氣體流入到主室內(nèi)的情況。優(yōu)選的是，所述多個引導(dǎo)輥中的與所述第一引導(dǎo)輥相鄰的第二引導(dǎo)輥配置在所述處理槽的所述搬運方向的外側(cè)或所述主室內(nèi)，通過所述第一引導(dǎo)輥和所述第二引導(dǎo)輥來設(shè)定所述被處理物通過所述開口的位置。由此，能夠充分減小所述開口的開口度，能夠可靠地防止從主室的氣體泄漏或外部氣氛的侵入。所述第二引導(dǎo)輥夾設(shè)在所述抽出輥與搬入側(cè)的副室內(nèi)的引導(dǎo)輥之間、或搬出側(cè)的副室內(nèi)的引導(dǎo)輥與所述卷繞輥之間。即使抽出輥或卷繞輥上的被處理物的卷繞直徑伴隨著抽出及卷繞的進展而變化，上述位置也不變。因此，能夠充分減小外壁的開口的開口度。進而，能夠可靠地防止從主室的氣體泄漏或外部氣氛的侵入。尤其是將所述第一引導(dǎo)輥設(shè)置搬出側(cè)的副室，將所述第二引導(dǎo)輥配置在所述搬出側(cè)的外壁與所述卷繞輥之間，從而，即使所述卷繞輥上的被處理物的卷繞直徑伴隨著卷繞的進展而增大，也能夠避免被處理物從第一引導(dǎo)輥向第二引導(dǎo)輥送出的角度發(fā)生變化，且能夠避免被處理物通過所述搬出側(cè)的外壁的開口的位置發(fā)生變化。因此，能夠?qū)⑿纬稍谒霭岢鰝?cè)的外壁的開口的緣部與被處理物之間的間隙的大小維持成恒定。由此，能夠?qū)⑺霭岢鰝?cè)的外壁的開口的開口度設(shè)定得充分小。其結(jié)果是，能夠可靠地防止來自主室的氣體從所述搬出側(cè)的外壁的開口向外部流出、或外部的氣氛氣體從所述搬出側(cè)的外壁的開口流入到處理槽內(nèi)的情況。所述主室的內(nèi)壓優(yōu)選比所述處理槽的外部的壓力低IOPa 50Pa。由此，能夠減小主室排氣源的排氣容量。
所述副室的內(nèi)壓優(yōu)選比所述處理槽的外部的壓力高5Pa 20Pa。由此，能夠可靠地防止處理氣體成分的泄漏。在此，大氣壓附近是指I. 013 X IO4 50. 663 X IO4Pa的范圍，考慮到壓力調(diào)整的容易化或裝置結(jié)構(gòu)的簡便化時，優(yōu)選為I. 333X 104 10. 664X IO4Pa,更優(yōu)選為9. 331X 104
10.397 X IO4Pa0發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠充分抑制處理氣體成分從處理槽向外部漏出的情況。無需使排氣源大型化。


圖I是表示本發(fā)明的第一實施方式的表面處理裝置的簡要結(jié)構(gòu)的說明主視圖。圖2是將被處理膜省略而示出上述表面處理裝置的處理槽的搬入側(cè)的部分及搬出側(cè)的部分的沿著圖I的II-II線的俯視剖視圖。圖3是將上述處理槽的搬出側(cè)的部分放大示出的主視剖視圖。圖4是沿著圖3的IV-IV線的、上述處理槽的搬出側(cè)的部分的側(cè)視圖。
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實施方式。圖I是表示本發(fā)明的一實施方式的圖。本實施方式的被處理物9由連續(xù)片狀的膜構(gòu)成。被處理膜例如是偏振光板等光學(xué)裝置用的光學(xué)樹脂膜。在此，作為被處理膜9，適用成為偏振光板的保護膜的光學(xué)樹脂膜。作為被處理膜9的主成分，列舉有例如三乙酸纖維素(TAC)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、環(huán)烯聚合物(COP)、環(huán)烯共聚物(COC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亞胺(PI)等，但并未限定于此。膜的厚度例如為100 μ m左右。本實施方式的表面處理裝置I對于被處理膜9實施用于提高與偏振光膜粘接的粘接工序中的粘接性的表面處理。作為處理氣體，適用聚合性單體與載流氣體的混合氣體等。作為聚合性單體，例如使用丙烯酸(CH2 = CHCOOH)。丙烯酸具有醋酸那樣的臭氣，具有爆發(fā)性等，因此需要適當(dāng)?shù)墓芾?。作為聚合性單體，并未限定為丙烯酸，也可以是甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、2-甲基丙烯酰丙酸、甲基丙烯酸羥乙酯、烯丙醇、甲基丙烯酸羥乙酯、醋酸乙烯酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸2-乙基乙酯、丙烯醛、巴豆醛等。作為載流氣體，使用非活性氣體。作為非活性氣體，列舉有氮氣(N2),但并未限定于此，也可以是Ar、He等稀有氣體。表面處理裝置I具備處理部10、搬運機構(gòu)20、處理槽30。處理部10由利用大氣壓附近等離子對被處理物9進行表面處理的大氣壓等離子處理部構(gòu)成。大氣壓等離子處理部10具有至少兩個電極11。所述電極11呈圓筒形狀(輥狀)。兩個輥電極11以軸線朝向與圖I的紙面正交的水平方向的方式平行配置。輥電極 11、11彼此之間的最窄的部位及其附近的空間成為處理區(qū)域19。雖然未圖示，但兩個輥電極11的一方與電源連接。另一方的輥電極11電接地。通過來自電源的電力供給，在輥電極11、11間，在大氣壓附近的壓力下產(chǎn)生等離子放電。在處理區(qū)域19的上方及下方分別配置噴嘴12。各噴嘴12的吹出口面向處理區(qū)域19。來自未圖示的處理氣體源的處理氣體向噴嘴12供給，從噴嘴12向處理區(qū)域19吹出。由此，處理氣體在處理區(qū)域19內(nèi)被等離子化(包括激勵、活性化、游離化、離子化等)而進行被處理膜9的表面處理。具體而言，處理氣體中的丙烯酸(聚合性單體)在被處理膜9上發(fā)生聚合反應(yīng)，從而在被處理膜9的表面形成粘接性促進層。既可以從上下的噴嘴12、12同時吹出處理氣體，也可以僅從上下任一個噴嘴12吹出處理氣體而使用另一方的噴嘴12作為處理區(qū)域19的閉塞構(gòu)件?？梢詫⒑斜┧岬鹊木酆闲詥误w的氣體向被處理膜9吹動而使其附著在被處理膜9的搬運方向的上游側(cè)的輥電極11的周面上，接著向處理區(qū)域19供給氮等惰性氣體而進行等離子化，使聚合性單體發(fā)生聚合反應(yīng)。搬運機構(gòu)20將被處理膜9沿著搬運方向(圖I中的大致右方)搬運。搬運機構(gòu)20具備抽出輥21、卷繞輥22、引導(dǎo)輥23。所述輥21、22、23均成為軸線朝向與圖I的紙面正交的方向的圓筒形狀。抽出輥21配置在比處理槽30靠搬運方向的上游側(cè)即搬入側(cè)(圖I中的左側(cè))。從抽出輥21抽出被處理膜9。卷繞輥22配置在比處理槽30靠搬運方向的下游側(cè)即搬出側(cè)(圖I中的右側(cè))。處理完的被處理膜9卷繞在卷繞輥22上。在抽出輥21與卷繞輥22之間排列有多個引導(dǎo)輥23(231 236)。被處理膜9的中間部分卷掛在這些引導(dǎo)輥23上。在引導(dǎo)輥23的列的中間配置有輥電極11、11。被處理膜9在輥電極11、11的上側(cè)部分卷掛半周左右。兩個輥電極11的中間的被處理膜9與處理區(qū)域19相通。各輥電極11能夠繞著軸線旋轉(zhuǎn)。輥21、22及輥電極11、11彼此同步進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動，搬運被處理膜9。輥電極11構(gòu)成搬運機構(gòu)20的一要素。引導(dǎo)輥23(231 236)對應(yīng)于被處理膜9的搬運而進行從動旋轉(zhuǎn)。通過引導(dǎo)輥23來設(shè)定被處理膜9的搬運路徑，并對被處理膜9施加張力。處理槽30具有主室31、搬入側(cè)的副室32、搬出側(cè)的副室33。主室31占據(jù)處理槽30的內(nèi)容積的大半部分。在主室31的內(nèi)部配置有處理部10及處理區(qū)域19。
處理槽30的搬入側(cè)的壁成為搬入側(cè)外壁34與搬入側(cè)分隔壁35的雙重結(jié)構(gòu)。外壁34將處理槽30的搬入側(cè)的外部與處理槽30的內(nèi)部分隔。通過分隔壁35將主室31與搬入側(cè)副室32分隔。在外壁34與分隔壁35之間形成有搬入側(cè)副室32。搬入側(cè)副室32成為沿著與輥23的軸線相同的方向(與圖I的紙面正交的方向)延伸的筒狀空間。搬入側(cè)副室32的內(nèi)容積遠小于主室31的內(nèi)容積。搬入側(cè)副室32的內(nèi)容積為主室31的內(nèi)容積的例如500分之I 2000分之I。處理槽30的搬出側(cè)的壁成為搬出側(cè)外壁36與搬出側(cè)分隔壁37的雙重結(jié)構(gòu)。夕卜壁36將處理槽30的搬出側(cè)的外部與處理槽30的內(nèi)部分隔。通過分隔壁37將主室31與搬出側(cè)副室33分隔。在外壁36與分隔壁37之間形成有搬出側(cè)副室33。搬出側(cè)副室33成為沿著與輥23的軸線相同的方向(與圖I的紙面正交的方向)延伸的筒狀空間。搬出側(cè)副室33的內(nèi)容積與搬入側(cè)副室32的內(nèi)容積大致相同，遠小于主室3 1的內(nèi)容積。搬出側(cè)副室33的內(nèi)容積為主室31的內(nèi)容積的例如500分之I 2000分之I。搬入側(cè)的副室32的內(nèi)容積與搬出側(cè)的副室33的內(nèi)容積也可以互不相同。對處理槽30的搬入側(cè)部及搬出側(cè)部的結(jié)構(gòu)進行更詳細的敘述。在搬入側(cè)的外壁34形成有搬入側(cè)外開口 34a。經(jīng)由開口 34a而將搬入側(cè)的外部空間與搬入側(cè)副室32連通。在搬入側(cè)分隔壁35形成有搬入側(cè)內(nèi)開口 35a。經(jīng)由開口 35a而將搬入側(cè)副室32與主室31連通。被處理膜9從外部通過外開口 34a而被搬入到搬入側(cè)副室32，然后通過內(nèi)開口 35a而被搬入到主室31。搬入開口 34a、35a為常開，未設(shè)置門。在搬入側(cè)副室32內(nèi)收容有搬入側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥232(第一引導(dǎo)輥)。副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的直徑稍大于副室32的水平寬度方向(圖I的左右方向)的尺寸即壁34、35之間的距離。副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的左右的周側(cè)部稍進入到各搬入開口 34a、35a內(nèi)。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥232將搬入開口 34a、35a的大部分堵塞。各搬入開口 34a、35a的上下的緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面之間的間隙(clearance)非常窄。各搬入開口 34a、35a的上緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面在垂直方向上的分離距離優(yōu)選為O. 5mm 4mm左右，更優(yōu)選為Imm左右。各搬入開口 34a、35a的下緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面在垂直方向上的分離距離比上述上緣側(cè)的分離距離稍大，優(yōu)選為Imm 6mm左右，更優(yōu)選為3mm左右。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥232將搬入側(cè)副室32分隔成比引導(dǎo)輥232靠下側(cè)的室部分32a和比引導(dǎo)輥232靠上側(cè)的室部分 32b。如圖2所示，副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的沿著軸線L2的軸長比搬入側(cè)副室32的沿著軸線L2的長度短，而且比搬入開口 34a、35a的沿著軸線L2的長度稍短。副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的軸線L2方向的端面與搬入開口 34a、35a的軸線L2方向的端緣之間的間隙優(yōu)選為Imm 3mm左右。在副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的軸向的兩側(cè)的各端面與搬入側(cè)副室32的同側(cè)的內(nèi)端面之間形成有足夠?qū)挼倪B通空間32e。副室32的下側(cè)的室部分32a和上側(cè)的室部分32b經(jīng)由連通空間32e而連通。如圖I所示，被處理膜9部分地卷繞在副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面的下側(cè)部(周向的一側(cè)部)。被處理膜9的向引導(dǎo)輥232卷繞的卷繞部分9a擴及到被處理膜9的配置在搬入側(cè)副室32內(nèi)的部分的大致整體。卷繞部分9a面向搬入側(cè)副室32的下側(cè)的室部分32a。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥232來決定被處理膜9的在搬入側(cè)副室32內(nèi)的位置及姿勢。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥232和與其前段相鄰的槽外引導(dǎo)輥231 (第二引導(dǎo)輥)來決定被處理膜9從槽外向副室內(nèi)引導(dǎo)輥232進入的角度及與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面相接的位置(進入接點a)、以及被處理膜9通過外開口 34a的位置。上述進入接點a正好位于外開口 34a或其附近。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥232和與其后段相鄰的主室內(nèi)引導(dǎo)輥233 (第二引導(dǎo)輥)來決定被處理膜9從副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面送出的位置(送出接點b)及角度、以及被處理膜9通過內(nèi)開口 35a的位置。上述送出接點b正好位于內(nèi)開口 35a的內(nèi)部或其附近。上述槽外引導(dǎo)輥231接近外開口 34a而配置在處理槽30的搬入側(cè)的外部。槽外引導(dǎo)輥231夾設(shè)在抽出輥21與搬入側(cè)的外壁34之間。上述主室內(nèi)引導(dǎo)輥233接近內(nèi)開口 35a而配置在主室31的內(nèi)部。同樣地，在處理槽30的搬出側(cè)的分隔壁37形 成有搬出側(cè)內(nèi)開口 37a。經(jīng)由開口37a而將主室31與搬出側(cè)副室33連通。在搬出側(cè)外壁36形成有搬出側(cè)外開口 36a。經(jīng)由開口 36a而將搬出側(cè)副室33和搬出側(cè)的外部空間連通。利用處理部10處理完的被處理膜9從主室31通過內(nèi)開口 37a搬出到搬出側(cè)副室33，然后通過外開口 36a搬出到外部。搬出開口 36a、37a為常開，未設(shè)置門。如圖3及圖4所示，在搬出側(cè)副室33內(nèi)收容有搬出側(cè)副室內(nèi)弓丨導(dǎo)輥235 (第一引導(dǎo)輥)。副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的直徑比副室33的水平寬度方向(圖I的左右方向)的尺寸即壁36、37之間的距離稍大。副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的左右的周側(cè)部稍進入到各搬出開口 36a、37a內(nèi)。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥235將搬出開口 36a、37a的大部分堵塞。各搬出開口 36a、37a的上下的緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面之間的間隙(clearance)非常窄。各搬出開口 36a、37a的上緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面在垂直方向上的分離距離優(yōu)選為O. 5mm 4mm左右，更優(yōu)選為Imm左右。各搬出開口 36a、37a的下緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面在垂直方向上的分離距離比上述上緣側(cè)的分離距離稍大，優(yōu)選為Imm 6mm左右，更優(yōu)選為3mm左右。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥235將搬出側(cè)副室33分隔為比引導(dǎo)輥235靠下側(cè)的室部分33a和比引導(dǎo)輥235靠上側(cè)的室部分33b。如圖2及圖4所示，副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的沿著軸線L3的軸長比搬出側(cè)副室33的沿著軸線L3的長度短，而且比搬出開口 36a、37a的沿著軸線L3的長度稍短。副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的軸線L3方向的端面與搬出開口 36a、37a的軸線L3方向的端緣之間的間隙優(yōu)選為Imm 3mm左右。在副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的軸向上的兩側(cè)的端面與搬出側(cè)副室33的同側(cè)的內(nèi)端面之間形成有足夠?qū)挼倪B通空間33e。副室33的下側(cè)的室部分33a和上側(cè)的室部分33b經(jīng)由連通空間33e連通。如圖I所示，被處理膜9部分地卷繞在副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面的下側(cè)部(周向的一側(cè)部)。被處理膜9的向引導(dǎo)輥235卷繞的卷繞部分9b擴及到被處理膜9的配置在搬出側(cè)副室33內(nèi)的部分的大致整體。卷繞部分9b面向搬出側(cè)副室33的下側(cè)的室部分33a。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥235來決定被處理膜9在搬出側(cè)副室33內(nèi)的位置及姿勢。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥235和與其前段相鄰的主室內(nèi)引導(dǎo)輥234 (第二引導(dǎo)輥)，來決定被處理膜9從主室31向副室內(nèi)引導(dǎo)輥235進入的角度及與副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面相接的位置(進入接點C)、以及被處理膜9通過內(nèi)開口 35a的位置。上述進入接點c正好位于內(nèi)開口 35a或其附近。通過副室內(nèi)引導(dǎo)輥235和與其后段相鄰的槽外引導(dǎo)輥236 (第二引導(dǎo)輥)，來決定被處理膜9從副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面送出的位置(送出接點d)及角度、以及被處理膜9通過外開口 36a的位置。上述送出接點d正好位于外開口 36a的內(nèi)部或其附近。
上述主室內(nèi)引導(dǎo)輥234配置在主室31內(nèi)，且接近分隔壁37及其開口 37a而配置。上述槽外引導(dǎo)輥236接近外開口 36a而配置在處理槽30的搬出側(cè)的外部。槽外引導(dǎo)輥236夾設(shè)在搬出側(cè)的外壁36與卷繞輥22之間。在處理槽30的主室31連接有主室排氣機構(gòu)40。排氣機構(gòu)40包括排氣口 41和排氣源43。在主室31的底部設(shè)有排氣口 41。排氣路42從口 41延伸。該排氣路42與排氣源43相連。排氣源43由吹風(fēng)機構(gòu)成，但也可以由排氣泵構(gòu)成。通過排氣源·43的驅(qū)動，將主室31內(nèi)的氣體從排氣口 41吸入，經(jīng)由排氣路42而排出。如圖I所示，在搬入側(cè)副室32連接有搬入側(cè)副室供氣機構(gòu)51。副室供氣機構(gòu)51包括多個供氣口 51p和供氣源51x。如圖2所示，供氣口 51p沿著軸線LJS開間隔而設(shè)置在搬入側(cè)副室32的底部。如圖I所示，各供氣口 51p向搬入側(cè)副室32的下側(cè)的室部分32a開口。副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的下側(cè)部(卷繞有被處理膜9的部分)與供氣口 51p上下對置。供氣源51x由吹風(fēng)機構(gòu)成,但也可以由供氣泵構(gòu)成。來自供氣源51x的供氣路51a分支為多條(在圖中為5條)，并與各供氣口 51p相連。通過供氣源51x的驅(qū)動，空氣經(jīng)由供氣路51a，從各供氣口 51p供給到搬入側(cè)副室32內(nèi)。如圖I所示，在搬出側(cè)副室33連接有搬出側(cè)副室供氣機構(gòu)52。副室供氣機構(gòu)52包括多個供氣口 52p和供氣源52x。如圖2及圖4所示，供氣口 52p沿著軸線L3隔開間隔而設(shè)置在搬出側(cè)副室33的底部。如圖3及圖4所示，各供氣口 52p向搬出側(cè)副室33的下側(cè)的室部分33a開口。副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的下側(cè)部(卷繞有被處理膜9的部分)與供氣口52p上下對置。供氣源52x由吹風(fēng)機構(gòu)成，但也可以由供氣泵構(gòu)成。I個供氣源可以被共用作為搬入側(cè)副室供氣源51x及搬出側(cè)副室供氣源52x。來自供氣源52x的供氣路52a分支為多條(在圖中為5條)，并與各供氣口 52p相連。通過供氣源52x的驅(qū)動，空氣經(jīng)由供氣路52a從各供氣口 52p供給到搬出側(cè)副室33內(nèi)。以處理槽30內(nèi)的壓力控制為中心來說明上述結(jié)構(gòu)的表面處理裝置I的動作。將被處理膜9從抽出輥21連續(xù)抽出，沿著引導(dǎo)輥23及輥電極11的列連續(xù)搬運，在中途的處理區(qū)域19進行表面處理，由卷繞輥22連續(xù)卷繞。與上述被處理膜9的搬運及表面處理并行地，通過主室排氣機構(gòu)40吸引并排出主室31內(nèi)的氣體。由此，主室31的內(nèi)壓在大氣壓附近的壓力范圍內(nèi)比處理槽30的外部的壓力(大氣壓)低。優(yōu)選的是，主室31的內(nèi)壓比大氣壓低IOPa 50Pa左右，更優(yōu)選低20Pa左右。此外，通過副室供氣機構(gòu)51、52向副室32、33供給空氣。該空氣從供氣口 5Ip、52p，首先向副室32、33的下側(cè)的室部分32a、33a填充，然后通過連通空間32e、33e，填充到上側(cè)的室部分32b、33b內(nèi)。由此，副室32、33的內(nèi)壓在大氣壓附近的壓力范圍內(nèi)比處理槽30的外部的壓力(大氣壓)高。優(yōu)選副室32、33的內(nèi)壓比大氣壓高5Pa 20Pa左右。因此，以下的關(guān)系成立。(主室31的內(nèi)壓)<(大氣壓) < (副室32、33的內(nèi)壓)(式I)因此，從副室供氣機構(gòu)51、52供給到副室32、33內(nèi)的空氣從外開口 34a、36a向外部流出，并從內(nèi)開口 35a、37a流入到主室31內(nèi)。通過從外開口 34a、36a向外部流出的流動，能夠防止外部的氣氛氣體進入到處理槽30內(nèi)。通過從內(nèi)開口 35a、37a流入到主室31內(nèi)的流動，能夠防止主室31內(nèi)的包含處理氣體成分在內(nèi)的氣體向外部泄漏的情況。而且，來自供氣口 51p、52p的空氣直接向下側(cè)的室部分32a、33a供給，從此處向上側(cè)的室部分32b、33b擴散，因此以下的關(guān)系成立。(下側(cè)的室部分32a、33a的內(nèi)壓)>(上側(cè)的室部分32b、33b的內(nèi)壓)…(式2)因此，能夠可靠地使下側(cè)的室部分32a、33a、即被處理膜9的卷繞部分9a、9b面向的室部分32a、33a的內(nèi)壓為高壓。由此，能夠更可靠地防止主室31內(nèi)的包含處理氣體成分在內(nèi)的氣體經(jīng)由室部分32a、33a向外部流出、或外部的氣氛氣體經(jīng)由室部分32a、33a向主室32內(nèi)流入的情況。尤其是如圖3所示，在主室31的搬出側(cè)的部分，與被處理膜9相接的氣體gl由被處理膜9帶領(lǐng)而朝向搬出側(cè)副室33及處理槽30的搬出側(cè)的外部移動。相對 于此，膜卷繞側(cè)的室部分33a內(nèi)的空氣通過搬出側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥235與搬出側(cè)內(nèi)開口 37a的下緣之間而流入到主室31內(nèi)。該流入氣體g3的流動方向是被處理膜9的搬運方向及被處理膜9上的氣體gl的流動的反方向。通過該反方向的流入氣體g3,能夠使被處理膜9上的氣體gl從被處理膜9分離而將其向主室31的內(nèi)側(cè)壓回。由此，能夠可靠地防止氣體gl與被處理膜9一起向槽外流出的情況。因此，能夠可靠地防止處理氣體成分向外部的漏出。由此，能夠減輕環(huán)境負載。在處理氣體含有丙烯酸的情況下，能夠可靠地防止丙烯酸特有的醋酸那樣的臭氣漂浮在外部氣氛中的情況，能夠確保良好的作業(yè)環(huán)境。主室31的內(nèi)壓只要比大氣壓稍低即可，無需增大主室排氣源43的排氣容量，從而能夠?qū)崿F(xiàn)主室排氣源43的小型化。搬出側(cè)副室33內(nèi)的被處理膜9通過卷掛在搬出側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥235上而被定位。因此，能夠防止被處理膜9在搬出側(cè)副室33內(nèi)變動的情況。而且，由于被處理膜9的搬出側(cè)副室33內(nèi)的部分的大致整體卷掛在副室內(nèi)引導(dǎo)輥235上，因此能夠可靠地防止搬出側(cè)副室33內(nèi)的變動。而且，通過搬出側(cè)主室內(nèi)引導(dǎo)輥234及搬出側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥235，能夠確定被處理膜9向搬出側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的進入接點C、及被處理膜9橫穿搬出側(cè)分隔壁37的位置及角度。因此，能夠充分減小搬出側(cè)內(nèi)開口 37a的下緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面的間隙。由此，被處理膜9上的氣體gl難以通過開口 37a，能夠可靠地防止氣體gl向槽外的流出。即使來自副室33的氣體g3的流入的勢頭增加，也能防止氣體gl向槽外的流出。通過搬出側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥235及搬出側(cè)槽外引導(dǎo)輥236能夠確定被處理膜9從搬出側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的送出接點d、以及被處理膜9橫穿搬出側(cè)外壁36的位置及角度。通過在搬出側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥235與卷繞輥22之間夾設(shè)槽外引導(dǎo)輥236，即使卷繞輥22上的被處理膜9的卷繞直徑伴隨著卷繞的進展而變化，上述副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面上的送出接點d以及被處理膜9橫穿外壁36的位置及角度也不變。(如圖3的雙點劃線所示，槽外引導(dǎo)輥236與卷繞輥22之間的被處理膜9的角度伴隨著卷繞的進展而變化。)因此，能夠充分減小搬出側(cè)外開口 36a的下緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面的間隙。而且，在副室內(nèi)引導(dǎo)輥235與各搬出開口 36a、37a的上緣未相接的范圍內(nèi)，能夠盡可能地減小各搬出開口36a、37a的上緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥235的周面之間的間隙。其結(jié)果是，能夠更可靠地防止主室31內(nèi)的包含處理氣體成分在內(nèi)的氣體經(jīng)由搬出側(cè)副室33向外部漏出的情況。而且，能夠可靠地防止外部的氣氛氣體經(jīng)由搬出側(cè)副室33流入到主室31內(nèi)。
搬入側(cè)副室32內(nèi)的被處理膜9通過卷掛在搬入側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥232上而被定位。因此，能夠防止被處理膜9在搬入側(cè)副室32內(nèi)變動的情況。而且，由于被處理膜9的搬入側(cè)副室32內(nèi)的部分的大致整體卷掛在副室內(nèi)引導(dǎo)輥232上，因此能夠可靠地防止搬入側(cè)副室32內(nèi)的變動。而且，通過搬入側(cè)槽外引導(dǎo)輥231及搬入側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥232，能夠確定被處理膜9向搬入側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的進入接點a、以及被處理膜9橫穿搬入側(cè)外壁34的位置及角度。通過在抽出輥21與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232之間夾設(shè)槽外引導(dǎo)輥231，即使抽出輥21上的被處理膜9的卷繞直徑伴隨著抽出的進展而變化，上述副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面上的進入接點a以及被處理膜9橫穿外壁34的位置及角度也不變化。因此，能夠充分減小搬入側(cè)外開口 34a的下緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面的間隙。通過搬入側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥232及搬入側(cè)主室內(nèi)引導(dǎo)輥233，能夠確定被處理膜9從搬入側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的送出接點b、以及被處理膜9橫穿搬入側(cè)分隔壁35的位置及角度。因此，能夠充分減小搬入側(cè)內(nèi)開口35a的下緣與搬入側(cè)副室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面的間隙。而且，在副室內(nèi)引導(dǎo)輥232與各搬入開口 34a、35a的上緣不相接的范圍內(nèi)，能夠盡可能地減小各搬入開口 34a、35a的上緣與副 室內(nèi)引導(dǎo)輥232的周面之間的間隙。其結(jié)果是，能夠可靠地防止主室31內(nèi)的包含處理氣體成分在內(nèi)的氣體經(jīng)由搬入側(cè)副室32向外部漏出的情況，且能夠可靠地防止外部的氣氛氣體經(jīng)由搬入側(cè)副室32而流入到主室31內(nèi)的情況。因此，能夠簡單地將表面處理裝置I裝入到例如偏振光板的制造線等中，能夠容易地實現(xiàn)內(nèi)嵌化。本發(fā)明并未限定為上述實施方式，在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)能夠進行各種改變。例如，從副室供氣機構(gòu)51、52向副室32、33供給的氣體并不局限于空氣，也可以是氮等惰性氣體。在處理槽30只要設(shè)置搬入側(cè)副室32及搬出側(cè)副室33中的至少搬出側(cè)副室33即可。尤其是，從防止處理槽30內(nèi)的包含處理氣體成分在內(nèi)的氣體與被處理膜9 一起向外部漏出的觀點出發(fā)，可以僅設(shè)置搬入側(cè)副室32及搬出側(cè)副室33中的搬出側(cè)副室33而省略搬入側(cè)副室32。需要說明的是，從防止槽外的氣體與被處理膜9 一起進入到處理槽30內(nèi)的觀點出發(fā)，可以僅設(shè)置搬入側(cè)副室32及搬出側(cè)副室33中的搬入副室32?？梢詫⒏笔夜鈾C構(gòu)51、52與副室32、33的上側(cè)的室部分51b、52b連接，并從副室供氣機構(gòu)51、52將氣體直接向上述上側(cè)的室部分51b、52b供給。也可以從副室供氣機構(gòu)51、52將氣體向副室32、33的上側(cè)的室部分51b、52b和下側(cè)的室部分51a、52a分別直接供
5口 O副室內(nèi)引導(dǎo)輥232、235的直徑可以與副室32、33的水平寬度方向(圖I的左右)的內(nèi)尺寸相等，也可以比上述內(nèi)尺寸小。這種情況下，副室32、33的開口 34a、35a、36a、37a的上下方向的寬度優(yōu)選為I IOmm左右。在搬出側(cè)副室33內(nèi)可以配置兩個以上的引導(dǎo)輥235。這種情況下，優(yōu)選將一個引導(dǎo)輥235配置在內(nèi)開口 37a的附近，并將另一個引導(dǎo)輥235配置在外開口 36a的附近。在搬入側(cè)副室32內(nèi)可以配置兩個以上的引導(dǎo)輥232。這種情況下，優(yōu)選將一個引導(dǎo)輥232配置在外開口 34a的附近，并將另一個引導(dǎo)輥232配置在內(nèi)開口 35a的附近?？梢栽诟笔?3的內(nèi)部或分隔壁37的附近設(shè)置氣刀噴嘴，沿著被處理膜9的表面吹出氣刀，將被處理膜9上的氣體gl從被處理膜9分離，或?qū)⑵湎蛑魇?1的內(nèi)側(cè)壓回。處理部10的電極結(jié)構(gòu)并不局限于一對輥電極11，既可以是輥電極與平板電極的組合，也可以是輥電極與具有沿著該輥電極的周面的凹曲面的凹板電極的組合，還可以是平行平板電極。處理部10并不局限于向一對電極間導(dǎo)入被處理物而直接照射等離子的所謂直接式的等離子處理部，也可以將一對電極間生成的等離子氣體吹出，將其吹到從電極間空間分離配置的被處理物上的所 謂遠程式的等離子處理部。被處理膜9并不局限于連續(xù)膜，也可以是玻璃基板或半導(dǎo)體晶片。搬運機構(gòu)20并不局限于輥21、22、23的列，可以是移動臺，也可以是滾子傳送設(shè)備，還可以是機械手。處理內(nèi)容并不局限于用于提高樹脂膜的粘接性的等離子處理。而且，處理內(nèi)容并不局限于等離子處理。本發(fā)明可以適用于清洗、表面改質(zhì)、蝕刻、成膜等各種表面處理。處理氣體的成分根據(jù)處理內(nèi)容而適當(dāng)選擇。例如，在疏水化處理或含硅膜的蝕刻處理中，使用CF4、C2F6, C3F6, C3F8, CHF3> CH2F2, CH3F, SF6, NF3> XeF2等的含氟化合物作為處理氣體成分。在親水化處理中，使用02、N2等作為處理氣體成分。實施例I對實施例進行說明，但本發(fā)明并未限定為以下的實施例。使用與圖I及圖2實質(zhì)上相同結(jié)構(gòu)的裝置I。使用TAC膜作為被處理膜9。膜9的寬度(與圖I的紙面正交的方向的尺寸)為1540mm。引導(dǎo)輥232、235的軸長為1586mm。引導(dǎo)輥232、235的直徑為Φ 100mm。副室32、33的上述軸長方向的長度為1095mm。副室32的水平寬度方向的尺寸為128mm0開口 34a、35a、36a、37a的下緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232、235的周面之間的間隙在垂直方向上為3mm。開口 34a、35a、36a、37a的上緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232、235的周面之間的間隙在垂直方向上為1mm。開口 34a、35a、36a、37a的軸線L2、L3方向的端緣與副室內(nèi)引導(dǎo)輥232、235的端面之間的間隙為2mm。主室排氣吹風(fēng)機43的排氣流量設(shè)定為10m3/min。將搬入側(cè)副室供氣吹風(fēng)機51x及搬出側(cè)副室供氣吹風(fēng)機52x的供氣流量分別設(shè)定為 O. 5m3/min0膜9的搬運速度在5m/min 40m/min的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。處理部10中的等離子條件如以下所述。供給電力1200W施加電壓Vpp= 17kV輥電極11、11間的間隔Imm在上述輥電極11、11之間引起空氣放電，產(chǎn)生了臭氧。未進行來自噴嘴12的氣體供給。在利用差壓傳感器來測定主室31的內(nèi)壓時，在膜9的搬運速度為5m/min 15m/min的范圍內(nèi)，能夠?qū)⒅魇?1的內(nèi)壓維持成比大氣壓低20Pa的負壓。即使搬運速度為40m/min，也能夠?qū)⒅魇?1的內(nèi)壓維持成比大氣壓低17Pa的負壓。因此，即使增大搬運速度，也能夠抑制來自搬入開口 34a的氣體流入量，從而確認到無需增大主室排氣機構(gòu)的排氣流量的情況。而且，在各外壁開口 34a、36a的外側(cè)設(shè)置臭氧檢測器(理研計器株式會社制，型號GD-K77D)而進行了臭氧檢測時，在哪個開口 34a、36a側(cè)，無論搬運速度如何，都未檢測到臭氧。因此，確認到了能夠充分地防止主室31內(nèi)的氣體從開口 34a、36a向外部泄漏的情況。需要說明的是，上述臭氧檢測器的檢測極限臭氧濃度為O. 02ppm。實施例2在實施例2中，使用與實施例I相同的裝置1，在2. 5mVmin 30mVmin的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)主室排氣吹風(fēng)機43的排氣流量。膜9的搬運速度為15m/min (恒定)。除此以外的條件及檢測方法與實施例I相同。在主室排氣吹風(fēng)機43的排氣流量為2. 5mVrnin 5. OmVmin時，在兩開口 34a、36a側(cè)檢測到了臭氧。排氣流量5. OmVmin時的主室31的內(nèi)壓是比大氣壓低4. 5Pa的負壓。主室排氣吹風(fēng)機43的排氣流量為7. 5m3/min時，時而檢測到臭氧，時而未檢測到。在主室排氣吹風(fēng)機43的排氣流量為10. OmVmin 30. OmVmin時，在所有的開口34a、36a側(cè)均未檢測到臭氧。排氣流量10. OmVmin時的主室31的內(nèi)壓是比大氣壓低16. 5Pa的負壓。排氣流量15. OmVmin時的主室31的內(nèi)壓是比大氣壓低34. 5Pa的負壓。排氣流量20. OmVmin時的主室31的內(nèi)壓是比大氣壓低48Pa的負壓。因此，若使主室31的內(nèi)壓比大氣壓低IOPa左右，則確認到能夠防止泄漏的情況。若主室31的內(nèi)壓比大氣壓低15Pa左右以上，則確認到能夠充分防止泄漏的情況。由此，無需增大主室排氣機構(gòu)的排氣容量。工業(yè)實用性本發(fā)明能夠適用于例如偏振光板等光學(xué)裝置的制造。符號說明I 表面處理裝置9 被處理物10處理部11輥電極12 噴嘴19處理區(qū)域20搬運機構(gòu)21抽出輥22卷繞輥23引導(dǎo)輥231搬入側(cè)的槽外引導(dǎo)輥(第二引導(dǎo)輥)232搬入側(cè)的副室內(nèi)引導(dǎo)輥(第一引導(dǎo)輥)233搬入側(cè)的主室內(nèi)引導(dǎo)輥(第二引導(dǎo)輥)234搬出側(cè)的主室內(nèi)引導(dǎo)輥(第二引導(dǎo)輥)
235搬出側(cè)的副室內(nèi)引導(dǎo)輥(第一引導(dǎo)輥)236搬入側(cè)的槽外引導(dǎo)輥(第二引導(dǎo)輥)30處理槽31主室32搬入側(cè)的副室32a搬入側(cè)副室的下側(cè)(被處理膜的卷繞側(cè))的室部分 32b搬入側(cè)副室的上側(cè)(非卷繞側(cè))的室部分32e搬入側(cè)的連通空間33搬出側(cè)的副室33a搬出側(cè)副室的下側(cè)(被處理膜的卷繞側(cè))的室部分33b搬出側(cè)副室的上側(cè)(非卷繞側(cè))的室部分33e搬入側(cè)的連通空間34搬入側(cè)的外壁34a搬入側(cè)外開口(外壁的開口)35搬入側(cè)的分隔壁35a搬入側(cè)的內(nèi)開口(分隔壁的開口 )36搬出側(cè)的外壁36a搬出側(cè)的外開口(外壁的開口)37搬出側(cè)的分隔壁37a搬出側(cè)的內(nèi)開口(分隔壁的開口)40主室排氣機構(gòu)41排氣口42排氣路43排氣源51搬入側(cè)的副室供氣機構(gòu)52搬出側(cè)的副室供氣機構(gòu)5la、52a 供氣路51p、52p 供氣口51x、52x 供氣源a、c進入接點b、d送出接點
權(quán)利要求
1.一種表面處理裝置，對被處理物在大氣壓附近的處理區(qū)域進行表面處理，其特征在于，具備 (a)搬運機構(gòu)，其對所述被處理物以通過所述處理區(qū)域的方式沿著搬運方向搬運； (b)處理槽，其具有包括所述處理區(qū)域的主室、設(shè)置在所述主室的所述搬運方向的搬入側(cè)及搬出側(cè)中的至少搬出側(cè)并通過分隔壁而與所述主室分隔開的副室，在搬入側(cè)的外壁及搬出側(cè)的外壁以及所述分隔壁上形成有能夠搬入搬出所述被處理物的常開的開口； (C)排氣機構(gòu)，其與所述主室連接，吸引所述主室內(nèi)的氣體而使所述主室的內(nèi)壓比所述處理槽的外部的壓力低； (d)副室供氣機構(gòu)，其與所述副室連接，向所述副室內(nèi)供給空氣或非活性氣體而使所述畐Ij室的內(nèi)壓比所述處理槽的外部的壓力高。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的表面處理裝置，其特征在于， 所述被處理物為連續(xù)片狀， 所述搬運機構(gòu)包括卷掛所述被處理物的多個引導(dǎo)輥，所述引導(dǎo)輥中的第一引導(dǎo)輥收容在所述副室內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面處理裝置，其特征在于， 所述第一引導(dǎo)輥的直徑大于劃分出所述副室的外壁與分隔壁之間的距離，所述第一引導(dǎo)輥的外周部進入到所述外壁的開口及所述分隔壁的開口內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的表面處理裝置，其特征在于， 在所述第一引導(dǎo)輥的周面的周向上的一側(cè)部卷繞所述被處理物，所述副室供氣機構(gòu)包括供氣口，該供氣口朝向所述副室的面向所述一側(cè)部的室部分開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求2 4中任一項所述的表面處理裝置，其特征在于， 所述多個引導(dǎo)輥中的與所述第一引導(dǎo)輥相鄰的第二引導(dǎo)輥配置在所述處理槽的所述搬運方向的外側(cè)或所述主室內(nèi)，通過所述第一引導(dǎo)輥和所述第二引導(dǎo)輥來設(shè)定所述被處理物通過所述開口的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面處理裝置，其特征在于， 所述搬運機構(gòu)還包括配置在比所述處理槽靠所述搬出側(cè)的外側(cè)且卷繞所述被處理物的卷繞輥，所述第二引導(dǎo)輥配置在所述搬出側(cè)的外壁與所述卷繞輥之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求I 6中任一項所述的表面處理裝置，其特征在于， 所述主室的內(nèi)壓比所述處理槽的外部的壓力低IOPa 50Pa，所述副室的內(nèi)壓比所述處理槽的外部的壓力高5Pa 20Pa。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不使處理槽的排氣機構(gòu)成為大型化而能夠充分地抑制處理氣體成分從處理槽向外部漏出的表面處理裝置。利用搬運機構(gòu)(20)對被處理物(9)以通過處理槽(30)的主室(31)內(nèi)的處理區(qū)域(19)的方式沿著搬運方向搬運。在處理槽(30)且在主室(31)的至少搬出側(cè)設(shè)置副室(33)。在對所述室進行分隔的分隔壁(37)及外壁(36)形成能夠搬入搬出被處理物(9)的常開的開(37a、36a)。將主室排氣機構(gòu)(40)與主室(31)連接，使主室(31)的內(nèi)壓比槽外的壓力低。將副室供氣機構(gòu)(52)與副室(33)連接進行供氣，使副室(33)的內(nèi)壓比槽外的壓力高。
文檔編號C23C14/56GK102792783SQ201180012770
公開日2012年11月21日 申請日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月8日
發(fā)明者中野良憲, 佐藤崇, 屋良卓也, 川崎真一, 野上光秀 申請人:積水化學(xué)工業(yè)株式會社