專利名稱：沉積腔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及一種沉積腔。
背景技術(shù)：
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)技術(shù)是在真空條件下，采用物理方法，將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。自電離等離子體(self ionized plasma)是一種物理氣相沉積方法，圖1所示為采用自電離等離子體技術(shù)的沉積腔的剖視圖，該沉積腔包括加熱器(圖1中未示)、臺座 110和座環(huán)120，所述臺座110設(shè)置在所述加熱器上，所述座環(huán)120與所述臺座110相連。如圖2所示，所述臺座110的邊緣111呈臺階狀，所述臺座110的中央?yún)^(qū)112相對所述臺座110的邊緣111向上凸起，所述臺座110的邊緣111設(shè)有突起113。如圖3所示，所述座環(huán)120設(shè)有內(nèi)環(huán)121和外環(huán)122，所述外環(huán)122環(huán)繞在所述內(nèi)環(huán)121外，且與所述內(nèi)環(huán)121呈臺階狀連接，所述內(nèi)環(huán)121相對所述外環(huán)122向上凸起，所述內(nèi)環(huán)121內(nèi)設(shè)有凹槽123 ；所述凹槽123與所述突起113相匹配，所述座環(huán)120與所述臺座110相連時，所述臺座110的突起113插在所述座環(huán)120的凹槽123內(nèi)，用以防止所述座環(huán)120相對所述臺座110滑動，如圖1所示；所述臺座110除其底端面外，其余表面以及所述臺座110的突起113表面均涂有鋁層，所述座環(huán)120采用陶瓷材料制成。沉積薄膜時，所述臺座110上施加強(qiáng)電壓，晶圓(圖1中未示)支撐在所述內(nèi)環(huán)121 上，由于所述座環(huán)120采用陶瓷材料制成，可防止所述晶圓與所述臺座110電接觸，但是，所述凹槽123的封閉端IM非常薄，而且所述座環(huán)120每隔一段時間就要清洗一次，每清洗一次，就對所述凹槽123的封閉端IM磨損一次，使所述凹槽123的封閉端124越來越薄，這容易導(dǎo)致施加在所述臺座110上的強(qiáng)電壓將所述凹槽123的封閉端IM擊穿，使所述晶圓與所述臺座110電接觸，從而損壞所述晶圓，實(shí)驗(yàn)表明，若所述凹槽123的封閉端IM發(fā)生電擊穿，會造成所述晶圓中90%的芯片報廢。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種沉積腔，座環(huán)與臺座之間采用接觸片來防止兩者相對滑動，可防止座環(huán)被電擊穿，從而防止晶圓與臺座電接觸。為了達(dá)到上述的目的，本實(shí)用新型提供一種沉積腔，包括臺座、與所述臺座相連的座環(huán)，其特征在于，所述臺座設(shè)有至少一個凹口，所述座環(huán)設(shè)有至少一片接觸片，所述座環(huán)與所述臺座相連時，所述接觸片卡在所述凹口內(nèi)。上述沉積腔，其中，所述臺座包括中央?yún)^(qū)和邊緣區(qū)，所述邊緣區(qū)環(huán)繞在所述中央?yún)^(qū)外，且與所述中央?yún)^(qū)呈臺階狀連接，所述凹口設(shè)置在所述邊緣區(qū)的邊沿處。上述沉積腔，其中，所述凹口的數(shù)量為3 6個，多個所述凹口沿同一圓周均勻分布。[0011]上述沉積腔，其中，所述凹口呈拱門狀。上述沉積腔，其中，所述座環(huán)包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)，所述外環(huán)環(huán)繞在所述內(nèi)環(huán)外，且與所述內(nèi)環(huán)呈臺階狀連接，所述接觸片設(shè)置在所述外環(huán)的內(nèi)側(cè)壁上。上述沉積腔，其中，所述接觸片的數(shù)量為3 6片，多片所述接觸片沿同一圓周均勻分布。上述沉積腔，其中，所述接觸片呈拱門狀。本實(shí)用新型的沉積腔在所述臺座上設(shè)凹口，在所述座環(huán)上設(shè)接觸片，當(dāng)所述座環(huán)與所述臺座相連時，所述接觸片卡在所述凹口內(nèi)，所述座環(huán)與所述臺座之間的這種接觸方式不會對所述座環(huán)的厚度產(chǎn)生影響，施加在所述臺座上的強(qiáng)電壓很難擊穿所述座環(huán)，從而能防止晶圓與所述臺座電接觸。

本實(shí)用新型的沉積腔由以下的實(shí)施例及附圖給出。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的沉積腔的剖視圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)中臺座的剖視圖。圖3是現(xiàn)有技術(shù)中座環(huán)的剖視圖。圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的沉積腔的剖視圖。圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例的沉積腔的臺座的俯視圖。圖6是圖5中的A-A剖視圖。圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例的沉積腔的座環(huán)的俯視圖。圖8是圖7中的B-B剖視具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合圖4 圖8對本實(shí)用新型的沉積腔作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖4所示為本實(shí)用新型實(shí)施例的沉積腔的剖視圖；如圖4所示，該沉積腔包括加熱器(圖4中未示)、臺座210和座環(huán)220，所述臺座 210設(shè)置在所述加熱器上，所述座環(huán)220與所述臺座210相連；所述臺座210設(shè)有凹口 215，所述座環(huán)220設(shè)有接觸片224，所述座環(huán)220與所述臺座210相連時，所述接觸片2 卡在所述凹口 215內(nèi)，用以防止所述座環(huán)220相對所述臺座210滑動。本實(shí)用新型的沉積腔在所述臺座210上設(shè)有至少一個凹口 215，在所述座環(huán)220上設(shè)有至少一片接觸片224，當(dāng)所述座環(huán)220與所述臺座210相連時，所述接觸片2M卡在所述凹口 215內(nèi)，所述座環(huán)220與所述臺座210之間的這種接觸方式不會對所述座環(huán)220的厚度產(chǎn)生影響，施加在所述臺座210上的強(qiáng)電壓很難擊穿所述座環(huán)220，從而能防止晶圓與所述臺座210電接觸。圖5所示為本實(shí)用新型實(shí)施例的沉積腔的臺座的俯視圖，圖6所示為圖5中的A-A 剖視圖；參見圖5和圖6，所述臺座210包括中央?yún)^(qū)211和邊緣區(qū)212，所述邊緣區(qū)212環(huán)繞在所述中央?yún)^(qū)211外，且與所述中央?yún)^(qū)211呈臺階狀連接，所述中央?yún)^(qū)211相對所述邊緣區(qū)212向上凸起；所述中央?yún)^(qū)211設(shè)有第一安裝孔213，所述臺座210通過所述第一安裝孔213與所述加熱器連接；一較佳實(shí)施例中，所述中央?yún)^(qū)211設(shè)有4個所述第一安裝孔213，4個所述第一安裝孔213沿同一圓周均勻分布；所述中央?yún)^(qū)211與所述邊緣區(qū)212的交界處設(shè)有第二安裝孔214，所述第二安裝孔 214用于連接隔離陶瓷(圖中未示)，所述隔離陶瓷用于隔離所述加熱器與所述臺座；一較佳實(shí)施例中，所述中央?yún)^(qū)211與所述邊緣區(qū)212的交界處設(shè)有3個所述第二安裝孔214，3個所述第二安裝孔214均勻分布在所述中央?yún)^(qū)211與所述邊緣區(qū)212的交界處，所述第二安裝孔214優(yōu)選為圓形孔；所述凹口 215設(shè)置在所述邊緣區(qū)212的邊沿處；一較佳實(shí)施例中，所述邊緣區(qū)212的邊沿設(shè)有3 6個所述凹口 215，3 6個所述凹口 215沿同一圓周均勻分布，所述凹口 215呈拱門狀；一較佳實(shí)施例中，所述臺座采用不銹鋼材料制成，所述臺座除其底端面外其余表面均涂有鋁層；圖7所示為本實(shí)用新型實(shí)施例的沉積腔的座環(huán)的俯視圖，圖8所示為圖7中的B-B 剖視圖；參見圖7和圖8，所述座環(huán)220包括內(nèi)環(huán)221和外環(huán)222，所述外環(huán)222環(huán)繞在所述內(nèi)環(huán)221外，且與所述內(nèi)環(huán)221呈臺階狀連接，所述內(nèi)環(huán)221相對所述外環(huán)222向上凸起；所述內(nèi)環(huán)221的內(nèi)邊沿設(shè)有缺口 223，所述缺口 223的形狀與所述第二安裝孔214 的外輪廓相匹配；一較佳實(shí)施例中，所述內(nèi)環(huán)221的內(nèi)邊沿設(shè)有3個所述缺口 223，3個所述缺口 223 沿同一圓周均勻分布，所述缺口 223為半圓弧形缺口 ；所述接觸片2M設(shè)置在所述外環(huán)222的內(nèi)側(cè)壁上，所述接觸片2M與所述凹口 215 相匹配，所述座環(huán)220與所述臺座210相連時，所述接觸片2M卡在所述凹口 215內(nèi)，用以防止所述座環(huán)220相對所述臺座210滑動；一較佳實(shí)施例中，所述外環(huán)222的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有3 6片所述接觸片224，3 6 片所述接觸片2M沿同一圓周均勻分布，所述接觸片2M呈拱門狀；所述座環(huán)220采用絕緣材料制成，一較佳實(shí)施例中，所述座環(huán)220采用陶瓷材料制成。沉積薄膜時，所述臺座210上施加強(qiáng)電壓，晶圓(圖中未示)支撐在所述內(nèi)環(huán)221 上，由于所述接觸片2M位于所述內(nèi)環(huán)221的下方，所述接觸片2M與所述內(nèi)環(huán)221的上表面之間的間隔大于等于所述內(nèi)環(huán)221的厚度D，因此，所述內(nèi)環(huán)221很難被施加在所述臺座 210上的強(qiáng)電壓擊穿，能防止所述晶圓與所述臺座210電接觸。
權(quán)利要求1.一種沉積腔，包括臺座、與所述臺座相連的座環(huán)，其特征在于，所述臺座設(shè)有至少一個凹口，所述座環(huán)設(shè)有至少一片接觸片，所述座環(huán)與所述臺座相連時，所述接觸片卡在所述凹口內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積腔，其特征在于，所述臺座包括中央?yún)^(qū)和邊緣區(qū)，所述邊緣區(qū)環(huán)繞在所述中央?yún)^(qū)外，且與所述中央?yún)^(qū)呈臺階狀連接，所述凹口設(shè)置在所述邊緣區(qū)的邊沿處。
3.如權(quán)利要求1或2所述的沉積腔，其特征在于，所述凹口的數(shù)量為3 6個，多個所述凹口沿同一圓周均勻分布。
4.如權(quán)利要求1或2所述的沉積腔，其特征在于，所述凹口呈拱門狀。
5.如權(quán)利要求1所述的沉積腔，其特征在于，所述座環(huán)包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)，所述外環(huán)環(huán)繞在所述內(nèi)環(huán)外，且與所述內(nèi)環(huán)呈臺階狀連接，所述接觸片設(shè)置在所述外環(huán)的內(nèi)側(cè)壁上。
6.如權(quán)利要求1或5所述的沉積腔，其特征在于，所述接觸片的數(shù)量為3 6片，多個所述接觸片沿同一圓周均勻分布。
7.如權(quán)利要求1或5所述的沉積腔，其特征在于，所述接觸片呈拱門狀。
專利摘要本實(shí)用新型的沉積腔包括臺座、與所述臺座相連的座環(huán)，其特征在于，所述臺座設(shè)有至少一個凹口，所述座環(huán)設(shè)有至少一片接觸片，所述座環(huán)與所述臺座相連時，所述接觸片卡在所述凹口內(nèi)。本實(shí)用新型的沉積腔座環(huán)與臺座之間采用接觸片來防止兩者相對滑動，可防止座環(huán)被電擊穿，從而防止晶圓與臺座電接觸。
文檔編號C23C14/32GK202054890SQ20112013023
公開日2011年11月30日 申請日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者唐黎華, 王烜, 黃平 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司