專利名稱：真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及真空濺鍍技術(shù)，特別涉及真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
真空濺鍍是由電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜，而最終達(dá)到對(duì)基片表面鍍膜的目的。然而，在上述真空濺鍍的過程中，濺射出的靶材原子或大尺寸的顆粒，會(huì)最終飛向?yàn)R鍍機(jī)的內(nèi)壁表面，影響其清潔。為此，在濺鍍機(jī)的結(jié)構(gòu)中加入了防著板。請(qǐng)參閱圖1，圖1繪示為現(xiàn)有技術(shù)的濺鍍機(jī)的剖面示意圖。該濺鍍機(jī)主要包括靶材10，該靶材10采用上述真空濺鍍?cè)恚a(chǎn)生靶材原子，而這些靶材原子最終沉積在基片 15上完成濺鍍；防著板11，該防著板11設(shè)于導(dǎo)軌12兩側(cè)，該防著板11防止原子沉積于置物板14以外的機(jī)臺(tái)其他位置；導(dǎo)軌12，該導(dǎo)軌12設(shè)于輸送帶13的兩側(cè)，以導(dǎo)引置物板14 移動(dòng)方向；輸送帶13，該輸送帶13輸送置物板14經(jīng)過靶材10 ；置物板14，提供給基片15 放置。通過上述組成，基片15置于置物板14，再將置物板14置于輸送帶13，經(jīng)導(dǎo)軌12導(dǎo)引，而經(jīng)過濺鍍?cè)?0完成濺鍍。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2，圖2為圖1中防著板的正面視圖。由圖可以看出，防著板11的防著面16光滑。采用上述濺鍍機(jī)在濺鍍過程中，由于其防著板11的防著面16光滑，因此其沉淀能力不強(qiáng)，一方面濺射出的靶材原子或大尺寸的顆粒仍然會(huì)飛向?yàn)R鍍機(jī)的內(nèi)壁表面，影響其清潔；另一方面由于大尺寸顆粒飛向基片15會(huì)造成成膜率低的缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型解決的問題是提供一種真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)防著板的沉淀能力，提高濺鍍機(jī)內(nèi)壁清潔度，同時(shí)提高濺鍍的成膜率。為解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，所述防著板設(shè)于濺鍍機(jī)內(nèi)，所述防著板表面具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)。較佳地，所述凹凸不平的結(jié)構(gòu)包括所述防著板表面的多個(gè)凸臺(tái)，各所述凸臺(tái)間存在間隙。較佳地，所述凸臺(tái)呈網(wǎng)格狀排列于所述防著板表面。 較佳地，相鄰的所述凸臺(tái)間以溝槽連接。較佳地，所述溝槽底面為弧面。較佳地，所述溝槽為長方體溝槽。較佳地，所述凸臺(tái)頂面為平面。較佳地，所述凸臺(tái)頂面為矩形平面，優(yōu)選為正方形平面。[0016]較佳地，所述溝槽的深度為Imm 2mm，優(yōu)選為2mm。較佳地，所述凸臺(tái)間的距離為小于或等于5mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)1、由于在所述防著板表面具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)，使得防著板更加容易吸附靶材原子或大尺寸的顆粒，從而增加了防著板的沉淀能力，提高濺鍍機(jī)內(nèi)壁清潔度；2、由于減少了大尺寸顆粒飛向基片，也提高了濺鍍的成膜率；3、在本實(shí)用新型的實(shí)施例中采用規(guī)則的凸臺(tái)與溝槽形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，便于加工， 表面均勻、穩(wěn)定，吸附能力穩(wěn)定；4、在本實(shí)用新型的實(shí)施例中溝槽的深度為Imm 2mm，優(yōu)選為2mm，凸臺(tái)間的距離為小于或等于5mm，從而方便加工且使得該結(jié)構(gòu)有較好的吸附力，同時(shí)，采用所述溝槽的深度及凸臺(tái)間距，可以增加防著板被清洗后的表面的穩(wěn)定性，從而延長使用壽命。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的濺鍍機(jī)的剖面示意圖。圖2是圖1中防著板的正面視圖。圖3是本實(shí)用新型的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)較佳實(shí)施例的防著面局部示意圖。圖4是圖3沿A-A方向的剖視圖。圖5是制作本實(shí)用新型真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)所述，由于其防著板的表面光滑，其沉淀能力不強(qiáng)，一方面濺射出的靶材原子或大尺寸的顆粒仍然會(huì)飛向?yàn)R鍍機(jī)的內(nèi)壁表面，影響其清潔；另一方面由于大尺寸顆粒飛向基片會(huì)造成成膜率低的缺陷。本實(shí)用新型提供了一種真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，所述防著板設(shè)于濺鍍機(jī)內(nèi)，所述防著板表面具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖3，圖3是本實(shí)用新型的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)較佳實(shí)施例的防著面局部示意圖。在本實(shí)施例里，所述凹凸不平的結(jié)構(gòu)為所述防著板1防著面2設(shè)有多個(gè)凸臺(tái)3， 各所述凸臺(tái)3間存在間隙。所述防著面2是所述防著板1在濺鍍過程中面向?yàn)R射出的大尺寸顆粒的面。由于采用在凸臺(tái)3間設(shè)置間隙，從而可以使得大尺寸顆粒更容易被沉淀吸附于防著板1防著面2。當(dāng)然，如圖3所示。所述防著板1的側(cè)面也可以設(shè)置為凹凸不平的結(jié)構(gòu)，也可以如上述的凸臺(tái)3間存在間隙的結(jié)構(gòu)。所述側(cè)面為濺鍍過程中大尺寸顆粒該結(jié)構(gòu)易于濺射到的側(cè)面，從而增加了吸附沉淀大尺寸顆粒的幾率。圖4是圖3沿A-A方向的剖視圖。這里，所述凸臺(tái)3呈網(wǎng)格狀排列于所述防著板 1防著面2，相鄰的所述凸臺(tái)3間以溝槽4連接。具體地，所述網(wǎng)格狀排列的凸臺(tái)3為外形及尺寸皆相同，所述溝槽4也為外形尺寸相同。采用外形尺寸皆相同的凸臺(tái)3以及外形尺寸皆相同的溝槽4 一方面便于加工，另一方面，由于外形尺寸相同，因此，由所述凸臺(tái)3及所述溝槽4形成的凹凸均勻，從而便于對(duì)各個(gè)角度濺射出來的大尺寸顆粒都可以達(dá)到穩(wěn)定地被吸附沉淀。當(dāng)然，所述凸臺(tái)3也可以為尺寸外形不相同的結(jié)構(gòu)，所述溝槽亦可以為尺寸外形部相同的結(jié)構(gòu)。承上所述，于本實(shí)施例，所述溝槽4底面為弧面，所述弧面的截面為半圓，從而使得所述溝槽4形成一個(gè)半圓柱形孔。從而便于加工且可達(dá)到較好的吸附效果，且便于清洗。 當(dāng)然，所述溝槽4并不限于為半圓柱孔結(jié)構(gòu)。承上所述，所述凸臺(tái)3頂面為平面，具體而言，所述凸臺(tái)3頂面為矩形平面，優(yōu)選為正方形平面。從而可以方便加工，同時(shí)凸臺(tái)3的頂面采用平面結(jié)構(gòu)，也便于清洗。當(dāng)然，所述凸臺(tái)的頂面也不限于為平面，也可以為曲面，甚至所述頂面可以收縮為一點(diǎn)，而使得所述凸臺(tái)形成一個(gè)錐體，所述錐體間存在間隙。當(dāng)然，所述溝槽4亦可以為長方體，長方體也是一種相對(duì)較容易加工的的結(jié)構(gòu)，在這里可以為較佳的實(shí)施方式。承上所述，所述溝槽4的深度較佳為Imm 2mm，優(yōu)選為2mm。所述溝槽4采用超過2mm的深度會(huì)造成對(duì)所述防著板1的防著面2清洗的時(shí)候較不易清洗，且清洗后防著面2易變形，重復(fù)使用次數(shù)低，從而降低了防著板1的使用壽命。所述溝槽4采用小于Imm 的深度，在機(jī)械加工時(shí)，由于尺寸較小，不易加工，同時(shí)，深度太低，會(huì)降低對(duì)濺鍍過程中產(chǎn)生的大尺寸顆粒吸附沉淀作用。通過驗(yàn)證，2mm的深度會(huì)在上述問題間產(chǎn)生一個(gè)平衡，達(dá)到一個(gè)較佳效果。承上所述，所述凸臺(tái)3間的距離為小于或等于5mm。所述凸臺(tái)3間的距離過大(大于5mm)，會(huì)較大地影響對(duì)濺鍍過程中產(chǎn)生的大尺寸顆粒吸附沉淀作用。由以上實(shí)施例可見，利用本實(shí)用新型的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，在使用時(shí)，將該防著板結(jié)構(gòu)設(shè)于真空濺鍍機(jī)中，由于在所述防著板表面具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)，使得防著板更加容易吸附濺鍍過程中濺射出的靶材原子或大尺寸的顆粒。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D5，圖5是制作本實(shí)用新型真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。于本實(shí)施例，所加工的防著板例如為防著面2面積較大(例如為1300mmX226. 5mm)，而厚度較薄 (例如為13mm)的結(jié)構(gòu)，加工中較易變形，影響加工出的凹凸結(jié)構(gòu)的均勻性。我們采用如下步驟進(jìn)行加工制作，首先，執(zhí)行步驟100，對(duì)防著板進(jìn)行毛坯下料作業(yè)；然后，執(zhí)行步驟101，對(duì)防著板進(jìn)行油壓校正，所述油壓校正較佳采用100噸油壓校正； 之后，執(zhí)行步驟102，對(duì)防著板的防著面進(jìn)行粗銑；之后，執(zhí)行步驟103，對(duì)防著板的防著面進(jìn)行精銑；之后，執(zhí)行步驟104，對(duì)防著板的防著面進(jìn)行凹凸結(jié)構(gòu)的加工；最后，執(zhí)行步驟 105，再對(duì)平面進(jìn)行校正。在加工過程中對(duì)平面進(jìn)行校正，可以減少防著板厚度較薄而對(duì)加工出的凹凸結(jié)構(gòu)均勻性的影響。當(dāng)然，如上所述，防著板的側(cè)面也可以設(shè)置為凹凸不平的結(jié)構(gòu)，而在制作的過程中增加對(duì)相應(yīng)面的精銑及凹凸結(jié)構(gòu)的制作。綜上所述，采用本實(shí)用新型的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，可以達(dá)成以下優(yōu)點(diǎn)由于在所述防著板1表面具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)，使得防著板1更加容易吸附濺鍍過程中濺射出的靶材原子或大尺寸的顆粒，從而增加了防著板1的沉淀能力，提高濺鍍機(jī)內(nèi)壁清潔度；由于減少了大尺寸顆粒飛向基片，也提高了濺鍍的成膜率；[0044]本實(shí)用新型采用如較佳實(shí)施例中規(guī)則的凸臺(tái)3與溝槽4形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，便于加工，表面均勻、穩(wěn)定，吸附能力穩(wěn)定；本實(shí)用新型采用如實(shí)施例中溝槽4的深度為Imm 2mm，優(yōu)選為2mm，凸臺(tái)間的距離為小于或等于5mm，從而方便加工且使得該結(jié)構(gòu)有較好的吸附力，同時(shí)，采用所述溝槽 4的深度及凸臺(tái)3間距，可以增加防著板1被清洗后的表面的穩(wěn)定性，從而延長使用壽命。本實(shí)用新型雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，所述防著板設(shè)于濺鍍機(jī)內(nèi)，其特征在于，所述防著板表面具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹凸不平的結(jié)構(gòu)包括所述防著板表面的多個(gè)凸臺(tái)，各所述凸臺(tái)間存在間隙。
3.如權(quán)利要求2所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸臺(tái)呈網(wǎng)格狀排列于所述防著板表面。
4.如權(quán)利要求2或3所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的所述凸臺(tái)間以溝槽連接。
5.如權(quán)利要求4所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽底面為弧面。
6.如權(quán)利要求4所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽為長方體溝槽。
7.如權(quán)利要求4所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽的深度介于 Imm 2mm0
8.如權(quán)利要求7所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽的深度為2mm。
9.如權(quán)利要求4所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸臺(tái)間的距離為小于或等于5mm。
10.如權(quán)利要求2或3所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸臺(tái)頂面為平
11.如權(quán)利要求10所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸臺(tái)頂面為矩形平面。
12.如權(quán)利要求11所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸臺(tái)頂面為正方形平面。
13.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹凸不平的結(jié)構(gòu)包括所述防著板表面的多個(gè)錐體，各所述錐體間存在間隙。
14.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述表面包括防著面和側(cè)面。
專利摘要一種真空濺鍍的防著板結(jié)構(gòu)，所述防著板設(shè)于濺鍍機(jī)內(nèi)，所述防著板表面具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)。較佳地，所述凹凸不平的結(jié)構(gòu)包括所述防著板表面的多個(gè)凸臺(tái)，各所述凸臺(tái)間存在間隙；所述凸臺(tái)呈網(wǎng)格狀排列于所述防著板表面。由于在所述防著板表面具有凹凸不平的結(jié)構(gòu)，使得防著板更加容易吸附靶材原子或大尺寸的顆粒，從而一方面增加了防著板的沉淀能力，提高濺鍍機(jī)內(nèi)壁清潔度；另一方面由于減少了大尺寸顆粒飛向基片，也提高了濺鍍的成膜率。
文檔編號(hào)C23C14/34GK201962346SQ20102059804
公開日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者姚力軍, 潘杰, 王學(xué)澤, 陳玉蓉 申請(qǐng)人:寧波江豐電子材料有限公司