專利名稱：鍍膜裝置與其蒸發(fā)源裝置,及其蒸發(fā)源容器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及鍍膜裝置和蒸發(fā)源裝置，尤其是關于適合制造有機EL器件等的鍍膜 裝置、蒸發(fā)源裝置，及其蒸發(fā)源容器。
背景技術：
作為制造有機EL器件用的主要的方法有真空蒸鍍法。利用這種真空蒸鍍法制造 有機EL器件時，尤其是、在玻璃板等被蒸鍍基板的表面形成以電極夾持的發(fā)光材料層(EL 層)的鍍膜裝置中，廣泛使用了在真空室內，將配置在與該被蒸鍍基板相對的位置，使其位 置互相移動并進行加熱而氣化了的氣體狀(或蒸汽狀)的EL材料蒸鍍于基板表面的鍍膜
直ο例如，下面的專利文獻1，公開了通過簡單的結構可以供應穩(wěn)定的氣體狀EL材料 的坩堝的結構，并記載了利用節(jié)流孔控制壓力，可供應穩(wěn)定的蒸汽。另外，下面的專利文獻2，公開了用于向被蒸鍍基板的表面供應不同材料的蒸鍍裝 置，并記載了蒸鍍裝置具有多個(兩個)蒸發(fā)用容器，由配置成同心狀的不同的噴嘴將保存 在各容器內的蒸發(fā)材料蒸鍍在玻璃基板上。再者，下面的專利文獻3公開了，減輕作為蒸發(fā)源的坩堝對蒸鍍掩膜的輻射熱的 壞影響，即通過具有抑制蒸鍍掩膜熱膨脹的結構的同時，在向長邊方向延伸的坩堝的上表 面設置多個孔，從而在被蒸鍍基板的下側表面蒸鍍蒸鍍材料的蒸鍍裝置。而且，下面的專利文獻4提出了如下的蒸鍍源的方案，與上述專利文獻3同樣地將 在向長邊方向延伸的坩堝即蒸鍍源容器平行地排列多個，能以更高的速率蒸鍍蒸鍍材料的 蒸鍍源。又，下面的專利文獻5公開了，在真空蒸鍍裝置中，在蒸發(fā)源容器上設有用于隔開 并容納升華性蒸鍍材料的隔壁，從而在采用電阻加熱蒸鍍法利用蒸發(fā)源加熱升華性蒸鍍材 料時，不會因加熱而破壞固態(tài)的升華性蒸鍍材料。又，下面的專利文獻6，提出了為均勻地形成大面積的薄膜，利用以覆蓋蒸鍍源的 溝槽的方式安裝并具有多個的孔的掩模的薄膜成形裝置的方案。專利文獻1 日本特開2007-186787號公報專利文獻2 日本特開2005-336527號公報專利文獻3 日本特開2004-214185號公報專利文獻4 日本特開2007-46100號公報專利文獻5 日本特開2004-68081號公報專利文獻6 日本特開2003-160855號公報但是，在作為蒸發(fā)源容器的坩堝內加熱在有機EL器件的制造中所必須的薄膜物 質，即EL材料，以供應氣化的氣體(或蒸汽)時，由于是非常昂貴又容易發(fā)生熱老化的材 料，因此希望在容器內不殘留該EL材料，氣化其全部進行供應，并且，尤其是近年來對大型 基板蒸鍍EL材料時，需要將蒸鍍材料的熱損壞限制在最小限度而以高速率進行氣化，因此，需要一種蒸鍍材料的氣化裝置，用以向填充到蒸發(fā)源容器內的所有蒸鍍材料有效地進 行傳熱，以低溫加熱而可以得到高速率。與之相比，在上述現(xiàn)有技術中，例如上述專利文獻4雖然與上述專利文獻3同樣地 記載了平行地排列多個向長邊方向延伸的坩堝，以高速率蒸發(fā)蒸鍍材料，但都沒有提出有 關用于實現(xiàn)有效地對坩堝中的蒸鍍材料進行傳熱，并以高速率蒸發(fā)蒸鍍材料的結構。

發(fā)明內容
因此，鑒于上述現(xiàn)有技術中還存在的問題，由于其價格昂貴而且材料容易加熱老 化，因此本發(fā)明的目的在于提供一種鍍膜裝置和蒸發(fā)源裝置，以及相應的新型的蒸發(fā)源容 器的結構，即使以較低的溫度加熱殘留在容器內的材料量也少，即，可以有效地氣化、蒸發(fā) 蒸鍍材料，并且這時也不會使加熱溫度過度地上升，可以長時間地進行高純度且高速率的 鍍膜處理。為達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明，首先，提供一種鍍膜裝置，其用于在真空內向被蒸 鍍基板表面包覆蒸鍍材料，其具有真空室；在所述真空室內，加熱所述蒸鍍材料而產生該 蒸鍍材料的氣體的裝置；將來自產生所述氣體的裝置的蒸鍍材料的氣體供應到所述被蒸 鍍基板表面的蒸發(fā)源裝置，所述蒸發(fā)源裝置將多個蒸發(fā)源容器在垂直方向層疊一層以上構 成。另外，根據(jù)本發(fā)明，還是為達到上述目的，提供一種蒸發(fā)源裝置，這是鍍膜裝置的 蒸發(fā)源裝置，其具有在內部形成空間，并且在其外部安裝了發(fā)熱裝置的加熱箱；以及在所 述加熱箱的空間內，在垂直方向層疊并容納的一個以上的蒸發(fā)源容器；所述蒸發(fā)源容器分 別在其中央部具有用于引導在該容器內產生的蒸鍍材料的氣體的貫通孔，并且，所述加熱 箱具有導向部，該導向部形成于加熱箱上部，用于收集從所述蒸發(fā)源容器通過所述貫通孔 匯集的蒸鍍材料的氣體并向規(guī)定方向供應，并且在該導向部的一部分具有用于向規(guī)定方向 供應該蒸鍍材料的氣體的開口部。而且，按照本發(fā)明，在上述蒸發(fā)源裝置中，優(yōu)選上述開口 部形成于上述導向部的側壁上，或者，優(yōu)選在上述加熱箱的空間內，在垂直方向層疊并容納 的一個以上的蒸發(fā)源容器在水平方向也并列配置多個。再有，根據(jù)本發(fā)明，還是為達到上述目的，提供一種蒸發(fā)源容器，其構成蒸發(fā)源裝 置的坩堝，蒸發(fā)源容器具有由高導熱材料構成的容器，其斷面形成為大致“U”字形，并且 在容器的大致中央部形成用于放出氣體的垂直方向的貫通孔，并以圍繞著該貫通孔的方式 形成；覆蓋所述容器的上面開口，并由高導熱材料構成的蓋體；以及至少形成于所述坩堝 及所述蓋體之一上，用于將在所述容器內產生的蒸鍍材料的氣體引導到所述貫通孔的間隙 部。而且，按照本發(fā)明，在上述蒸發(fā)源容器中，優(yōu)選上述蓋體落入到上述容器的上面開口部 中，或者，上述容器兼用于層疊的下部容器的蓋體，或者，由上述斷面形成為大致“U”字形的 上述容器圍繞而形成的垂直方向的上述貫通孔向水平方向延伸地形成，或者，上述斷面形 成為大致“U”字形的容器，設有用于將其內部分割成多個開間的隔壁，。本發(fā)明的效果如下，S卩，根據(jù)上述的本發(fā)明的鍍膜裝置、蒸發(fā)源裝置以及相應的蒸 發(fā)源容器，可以通過比較簡單的結構，以少量的殘留并有效地將高價的EL材料加熱、氣化， 并且不使加熱溫度上升，能以高品質且高速率地進行供應，通過利用這些，從而發(fā)揮能以高 的效率、廉價而大量地制造性能優(yōu)良的有機EL器件這種優(yōu)良的效果。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的鍍膜裝置的大概結構的剖視圖。圖2是表示上述鍍膜裝置的板的移動機構的一個例子的局部立體圖。圖3是表示上述鍍膜裝置的蒸發(fā)源裝置的移動機構的一個例子的剖視圖及俯視 圖。圖4是表示本發(fā)明的蒸發(fā)源裝置的整體結構的包含部分斷面的立體圖。圖5是表示構成上述蒸發(fā)源裝置的本發(fā)明的蒸發(fā)源容器的整體結構的分開立體 圖。圖6是為說明上述蒸發(fā)源容器的使用方法，上述蒸發(fā)源容器收放于上述蒸發(fā)源裝 置的加熱箱內的狀態(tài)的剖視圖。圖7是表示上述蒸發(fā)源容器的變形例的剖視圖。圖8是表示上述蒸發(fā)源容器的其他變形例的剖視圖。圖9是表示上述蒸發(fā)源容器的又一變形例的剖視圖。圖中10...真空室，11...鍍膜室，100...基板，20...蒸發(fā)源裝置，71H...加熱器，
210...加熱箱，211...空洞(空間)部，212...導向部，213...噴出孔，220...蒸發(fā)源容器，
221...容器(坩堝)，222...貫通孔，223...隔壁，224...支腳部，225...蓋體，226...開□。
具體實施例方式下面，參照附圖，詳細說明本發(fā)明的實施方式。首先，附圖1是表示有機EL器件的制造裝置的，尤其是在玻璃板等被蒸鍍基板的 表面形成以電極夾持的發(fā)光材料層(EL層)用的裝置，即所謂鍍膜裝置的大概結構的剖視 圖。圖中，標記10表示真空室，該真空室10的內部形成為保持10_3 10_5Pa左右的真空度 的鍍膜室11。并且，例如，在其他工序中在其表面上形成電極后，被蒸鍍基板100通過設于 真空室10的一部分(在本例中為圖的左下部)的閘閥12，送入該鍍膜室11內，也如圖所 示，裝載在板13上的同時，利用保持機構14保持在板13上。而且，在與該板12的裝載有 基板12的面相反一側的面上裝載有磁體·冷卻板15，在該磁體·冷卻板15中有例如水等 冷媒流過，可以冷卻裝載在相反一側的面上的基板100。之后，在鍍膜室11內，如圖中箭頭所示，基板100在保持在板13上的狀態(tài)下，通過 如下圖示的移動機構移動到規(guī)定位置(在本例中，基板100與板13共同立起，成直立狀態(tài) 的位置)。而且，圖中的標記16表示配置在上述真空室10的一部分(上下)，并用于確認 基板100的排列狀態(tài)的定位照相機。并且，如圖中所表明的，在上述狀態(tài)下，下面說明其詳細結構的蒸發(fā)源裝置20位 于與上述基板100相對的位置，并通過下面圖示的移動裝置上下移動，向該基板100的表面 供應用于形成有機EL器件的發(fā)光材料層(EL層)的被氣化了(氣體狀)的EL材料，因此 在被蒸鍍基板100的表面形成所需的EL層。另外，附圖標記17表示，含有在蒸鍍EL材料 時配置在基板100表面的框體和片材的掩膜，及由該掩膜的冷卻板構成的構件(下面簡稱
5為“掩膜冷卻板17”)。還有，利用本裝置制造的有機EL發(fā)光元件，可以將形成于陽極與陰極之間的發(fā)光 有機層大致分為三種基本結構。即，(1)由陽極-空穴輸送層-發(fā)光層-陰極構成的單異 質結構，⑵由陽極_空穴輸送層-發(fā)光層-電子輸送層-陰極構成的雙異質結構，(3)由 陽極_空穴注入層_空穴輸送層_發(fā)光層_電子輸送層_電子注入層_陰極構成的PIN結 構。下面，說明在前面的工序中形成了透明的陽極的被稱為底部發(fā)射的元件的制作。事先在基板上形成陽極。作為陽極可以使用功函數(shù)大的材料，較佳的是 IPO(銦·錫氧化物)或IZO(銦·鋅氧化物)等薄膜狀的透明的膜材料。在最簡單的單異質結構的情況下，在形成于基板上的作為陽極的透明電極上按 照空穴輸送層和發(fā)光層的順序分別通過真空蒸鍍層疊薄膜，最后通過蒸鍍或濺射層疊 陰極。這時構成空穴輸送層的材料使用有機材料，可列舉例如，α-ΝΡΒ、聚乙烯基咔唑 PVK-(poly(N-viny1 carbazole))、 STB、PDA、·胃f同(CuPc-(Phthalocya(nine Copper))、 三苯胺衍生物(TPAC- (1，I-Bis [4-[N, N_di (p-tolyl) amino]phenyl] cyclohexane))、二 (元)胺衍生物(TPD-(N，N，-diphenyl-N，N，-(3-methylphenyl))等。構成發(fā)光層的材料 也是有機材料，可列舉例如，二(苯并喹啉)鈹絡合物Bebq2、鋁絡合物Alq3(三(8_羥基喹 啉)鋁)等，為調整發(fā)光色，可以與其他輔助材料一起蒸鍍。陰極可以使用例如鋁、銀、鎂、鋰、鈣、銫等金屬材料，以單獨蒸鍍或共蒸鍍形成陰 極膜。這些金屬材料也可以通過濺射進行鍍膜。雙異質結構，在單異質結構的發(fā)光層和陰極之間增加了電子輸送層。該電子輸送 層的材料可列舉例如 ΤΡ0Β、Alq3、噁二唑衍生物 PBD (2_(4-biphenylyl) _5_(4_tert_butyl ohenyl) _1，3，4-oxadiazole) ,1,2,3-三唑衍生物 TAZ、0XD、BND (2，5-Bis (1-naphthyl) -1， 3,4,-oxadiazole)、Bath、(亞鉛七 >、f 千 r、/一 A )絡合物 Zn(BTZ)、噻咯(* α - A )衍 生物等有機材料。PIN結構時，在陽極與空穴輸送層之間增加空穴注入層、在陰極與電子輸送層之間 增加電子注入層。這些也是有機材料，通過真空蒸鍍形成。作為構成空穴注入層的材料，可以列舉例如，m-MTDATA (4，4，，4” -tris (3-methylphenylamino) triphenylamine)、I-TNATA ((4，4，，4，，-tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine))、2-TNATA ((4，4，，4” -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine))等。作為構成電子注入層的材料，可以列舉例如，LiF, CsBr (溴化銫)、BCP (2， 9-乜11^讓71-4，7-肚？1^1^1-1，10-平1^皿11讓1~01丨1^)等。還可以通過鋁和鋰的共同蒸鍍來 形成電子注入層。附圖2表示了上述板12的移動機構(具體而言是轉動裝機構)的一例。圖中，該 轉動機構具有固定于上述磁體 冷卻板15的側面的臂部42和固定于該臂部的一端的旋轉 軸41，該旋轉軸通過真空密封部93S延伸到真空室10的外部(大氣側)，而且，可以借助于 設在大氣側的旋轉用電動機93M和齒輪93H1，93H2向圖中箭頭A的方向旋轉。在該圖中， 標記43，44是用于向上述磁體·冷卻板15引入冷卻水的冷卻水管，標記60是用于控制旋 轉用電動機93M的控制裝置。
另外，附圖3表示在鍍膜室11內，用于上下移動上述蒸發(fā)源裝置20的移動機構的 一例。圖3 (A)是包含基板100、蒸發(fā)源裝置20的移動機構的剖視圖，圖3 (B)是從該圖3 (A) 中箭頭B的方向觀察移動機構的俯視圖。從這些圖可知，蒸發(fā)源裝置20可滑動地保持在用于在上下方向導向的一對導軌 76，76上，并且通過由用連接部73連接的一對聯(lián)桿51，52構成的上下驅動機構72在上下 方向驅動。即，上下驅動機構72具有設在大氣側的驅動電動機72M ；利用該電動機72M旋 轉驅動，并利用密封部72S真空密封的旋轉部72C ；固定于該旋轉部并同步旋轉的滾珠絲杠 72P ；以及固定于蒸發(fā)源裝置20，借助于滾珠絲杠72P的旋轉而使蒸發(fā)源裝置上下移動的 導向裝置72G等。尤其是，圖3 (A)表示真空密封的一例，即表示聯(lián)桿51和聯(lián)桿52的連接部53的真 空密封結構，對于該圖中的連接部53，雖然在此沒有表示，但一側的聯(lián)桿51利用例如橫向 滾子軸承可相對旋轉地保持在另一側聯(lián)桿52上，并且，通過填料及墊圈(0形環(huán))被真空密 封，從而在其內部形成中空的旋轉部。利用這種結構，真空側和大氣側完全被隔離，并且，可 以通過該中空部在真空室10內敷設配線54。S卩，蒸發(fā)源裝置20處于真空環(huán)境中，并具有下面要敘述的多個蒸發(fā)源容器，以及 加熱蒸鍍材料用的加熱器71H，檢測蒸發(fā)溫度的溫度傳感器71S。；另一方面，配置于大氣環(huán) 境中的控制裝置60，通過上述配線54輸入來自溫度傳感器71S的溫度檢測信號，以此控制 供應給加熱器71H的電力(加熱溫度)，從而可以按需要的蒸發(fā)速度，穩(wěn)定地得到從蒸發(fā)源 裝置20氣化了的(氣體狀的)EL材料。圖4表示的是為表示上述蒸發(fā)源裝置20的整體結構的包含部分斷面的立體圖。如 該圖所表明的，蒸發(fā)源裝置20的寬度W’與被蒸鍍基板100的寬度W(參見圖2)大體相同， 或比其稍大(W’ > W)，蒸發(fā)源裝置20在其周圍由安裝有該圖中未示的加熱器71H(參見圖 3、圖6)的加熱箱210和收放于該加熱箱內部的多個蒸發(fā)源容器220，220...構成。該加熱箱210是由例如銅、不銹鋼、鋁等導熱性好的金屬材料形成，其內部具有重 疊收放上述多個蒸發(fā)源容器220，220...的空洞(空間)部211，同時，在其上部形成有用于 收集在容器內產生的氣體狀的EL材料，并將其向所需要的方向引導(本例中，向水平方向 延伸)的導向部212。并且，在該導向部212的側面(即，與被蒸鍍基板100的表面相對的 面)以例如等間距地形成有多個圓形的噴出孔213,213...。即，該蒸發(fā)源裝置20在收放 于加熱箱210內部的多個蒸發(fā)源容器220，220...的各內部中預先容納有作為EL材料的蒸 發(fā)(蒸鍍)材料，利用加熱器71H從周圍對其加熱而氣化了的氣體狀的EL材料，如圖中箭 頭所示，被引導到加熱箱210上部的導向部212，之后，從多個噴出孔213,213...向被蒸鍍 基板100的表面供應(放出)。圖5以分開的立體圖表示收放于上述加熱箱210內部的各蒸發(fā)源容器220。該蒸發(fā) 源容器(坩堝)220利用例如以石墨、鉬、鎢等為代表的所謂高導熱材料形成斷面為大致“U” 字形，以此形成用于在其內部收放蒸發(fā)材料的容器(坩堝)221。再有，該斷面為“U”字形的 容器(坩堝)221以在其中央部形成用于放出氣體的橫向延伸的貫通孔222的方式形成，即 圍繞該貫通孔連接形成為環(huán)狀。又，本例中，在上述連接形成為環(huán)狀的容器(坩堝)221的 內部設有隔壁223,223...，借此，可以分割成多個開間(本例中是四個開間)。而且，如圖中所表明的，在上述容器(坩堝)221的外部的底面，沿著容器(坩堝)221延伸的方向，形成有兩條支腳部224，224，其作用在后面進行敘述。上述容器221的 上面，設有覆蓋其開口部的蓋體225。該蓋體225也與上述容器(坩堝)221相同由高導熱 材料形成，其外形形成板狀的同時，在其中部形成對應上述貫通孔222的開口 226，更具體 地說，形成比該貫通孔大的橫向較長的開口 226。下面，參照圖6對上文已說明其結構的由容器(坩堝)221和蓋體225構成的蒸發(fā) 源容器220的使用方法進行說明。首先，在各容器(坩堝)221的內部放入粉末狀的蒸發(fā) (蒸鍍)材料PM后，在其上面蓋上蓋體225，以作為蒸發(fā)源容器220。將該蒸發(fā)源容器220 置于上述加熱箱210的內部，在垂直方向層疊多個，以構成上述蒸發(fā)源裝置20并插入作為 有機EL器件制造裝置的上述鍍膜裝置的真空室10內(參見上述圖1)。該圖6是用于表示 將上述多個蒸發(fā)源容器220，220...容納于加熱箱210內部的狀態(tài)的局部放大的剖視圖。如該圖6所表明的，若在上述狀態(tài)下對加熱箱210的加熱器71H供電，則由該加熱 器71H產生的熱，通過導熱性好的加熱箱210均勻地傳遞到構成各蒸發(fā)源容器220的容器 (坩堝)221和蓋體225。其結果，利用從容器的內面(底面及側面)進行的熱傳遞，進而從 蓋體的內面產生的輻射熱，將容納于各容器(坩堝)221內部的蒸發(fā)(蒸鍍)材料加熱(約 300 400°C左右)而使其氣化，成為氣體狀的EL材料。然后，該氣化的氣體狀的EL材料 如圖中箭頭所示，通過安裝在容器(坩堝)221上的蓋體225的開口而向外部放出。并且， 從各蒸發(fā)源容器220放出的氣化了的(氣體狀的)EL材料，通過形成于該容器的中央部的 排氣用的橫向較長的貫通孔222，引導到設于加熱箱210上部的導向部212(參見上述圖 4)。這時，容納于各蒸發(fā)源容器220內的粉末狀的EL材料的高度h最好是相比于該容器的 高度H(例如，25 30mm左右)，約為1/2 1/5的高度(例如，5 15mm左右)。如以上所表明的，若采用上述的本發(fā)明的實施例的蒸發(fā)源容器220，則作為容納于 其內部的有機材料的EL材料，可以利用由各容器(坩堝)221內表面?zhèn)鬟f的熱及由蓋體225 內面輻射的熱進行加熱，從而從所有的面加熱而氣化。因此，不像以前那樣，高價的EL材料 部分未被氣化而殘留在容器內(殘留量少)，因此，也不必提高容器(坩堝)的溫度，即，能 以材料不易老化的較低的溫度且高的速率產生氣體狀的EL材料，能高效地供應優(yōu)質的氣 體狀的EL材料。另外，上述蒸發(fā)源容器220，通過以層疊多個的狀態(tài)配置在加熱箱210的內 部，可以將從這些多個蒸發(fā)源容器220產生的氣體狀的El材料集中到導向部212 (參見上 述圖4)，因而可以很容易地以高速率得到氣化了的(氣體狀的)EL材料。此外，在以上的實施例中，如上述圖6所表明的，在各容器(坩堝)221的內部被加 熱·氣化了的氣體狀的EL材料，通過安裝在容器(坩堝)221上的蓋體225的開口 226，還 通過由在層疊于蓋體225上面的容器(坩堝)221的底面上形成的支腳部224與蓋體225 之間形成的間隙(空間)引導到貫通孔222而向外部放出。但是，并非必須形成這種支腳 部224，例如圖7所示，也可以做成不在容器的底面形成支腳部，而在容器(坩堝)221的內 側壁設置間隙227，通過該間隙227將氣體狀的EL材料引導到貫通孔222而向外部放。此外，雖然在容器(坩堝)221的底面形成如上所述的支腳部224，但也可以如圖8 所示，與圖7—樣，通過在容器(坩堝)221的內側壁設置間隙227，從而通過該間隙227將 氣體狀的EL材料引導到貫通孔222后，向外部(上方)放出。或者如圖9所示，也可以做 成使上述蓋體225’的外輪廓小于容器(坩堝)221的開口部，做成所謂小于容器口徑(陷 入)的蓋，并在該蓋體225’的內端與容器(坩堝)221的內側壁之間設置間隙S，通過該間
8隙26將氣體狀的EL材料引導到貫通孔222而向外部放出。再者，圖中的附圖標記228表 示用于將上述蓋體225’支撐于容器(坩堝)221內的規(guī)定位置而形成于外壁的內面的突起 部。 另外，在上述實施例的說明中，尤其是在圖4所示的例中，雖然表示了在構成上述 蒸發(fā)源裝置20的加熱箱210的空洞(空間)部211，在垂直方向上層疊多個蒸發(fā)源容器 220,220...的同時，在水平(寬度)方向上也并列并容納了兩個的結構，但本發(fā)明并不限 定于此，例如，也可以做成延長各蒸發(fā)源容器220的寬度，在垂直方向只層疊一個蒸發(fā)源容 器220的結構，或者在寬度方向配置三個或三個以上的蒸發(fā)源容器220，并且在垂直方向層 疊的結構。而且，在后者的情況，將各蒸發(fā)源容器220的寬度預先設定為規(guī)定的寬度，通過 將它們適當?shù)剡M行組合使用，可以很容易地適應具有不同寬度W的多種類型的被蒸鍍基板 100，可以做成優(yōu)良的蒸發(fā)源裝置20。
權利要求
一種鍍膜裝置，用于在真空內向被蒸鍍基板表面包覆蒸鍍材料，其特征在于，具有真空室；在所述真空室內，加熱所述蒸鍍材料而產生該蒸鍍材料的氣體的裝置；將來自所述產生氣體的裝置的蒸鍍材料的氣體供應到所述被蒸鍍基板表面的蒸發(fā)源裝置，所述蒸發(fā)源裝置做成將多個蒸發(fā)源容器在垂直方向層疊的結構。
2.一種蒸發(fā)源裝置，是鍍膜裝置的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，具有在內部形成空間，并且在其外部安裝了發(fā)熱裝置的加熱箱；以及 在所述加熱箱的空間內，在垂直方向層疊并容納的一個以上的蒸發(fā)源容器； 所述蒸發(fā)源容器分別在其中央部具有用于引導在該容器內產生的蒸鍍材料的氣體的 貫通孔，并且，所述加熱箱具有導向部，該導向部形成于加熱箱上部，用于收集從所述蒸發(fā)源容器通 過所述貫通孔匯集的蒸鍍材料的氣體并向規(guī)定方向供應，并且在該導向部的一部分具有用 于向規(guī)定方向供應該蒸鍍材料的氣體的開口部。
3.根據(jù)權利要求2所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于， 所述開口部形成于所述導向部的側壁上。
4.根據(jù)權利要求2所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，在所述加熱箱的空間內，在垂直方向層疊并容納的一個以上的蒸發(fā)源容器在水平方向 也并列配置多個。
5.一種蒸發(fā)源容器，其構成蒸發(fā)源裝置的坩堝，其特征在于，蒸發(fā)源容器具有由高導熱材料構成的容器，其斷面形成為大致“U”字形，并且在容器 的大致中央部形成用于放出氣體的垂直方向的貫通孔，并以圍繞著該貫通孔的方式形成； 覆蓋所述容器的上面開口，并由高導熱材料構成的蓋體；以及 至少形成于所述坩堝及所述蓋體之一上，用于將在所述容器內產生的蒸鍍材料的氣 體弓丨導到所述貫通孔的間隙部。
6.根據(jù)權利要求5所述的蒸發(fā)源容器，其特征在于， 所述蓋體落入到所述容器的上面開口部中。
7.根據(jù)權利要求5所述的蒸發(fā)源容器，其特征在于， 所述容器兼用于層疊的下部容器的蓋體。
8.根據(jù)權利要求5所述的蒸發(fā)源容器，其特征在于，由所述斷面形成為大致“U”字形的所述容器圍繞而形成的垂直方向的所述貫通孔向水 平方向延伸地形成。
9.根據(jù)權利要求5所述的蒸發(fā)源容器，其特征在于，所述斷面形成為大致“U”字形的容器，設有用于將其內部分割成多個開間的隔壁。
全文摘要
本發(fā)明涉及鍍膜裝置、蒸發(fā)源裝置，及其蒸發(fā)源容器。在真空內向被蒸鍍基板表面包覆蒸鍍材料的鍍膜裝置中使用的蒸發(fā)源裝置具有加熱箱(210)，該加熱箱在其外部具有加熱器(71H)，在其內部形成空間，在垂直方向層疊并容納多個蒸發(fā)源容器(220)；各蒸發(fā)源容器具有由高導熱材料構成的容器(221)，其斷面形成為大致“U”字形，并且在大致中央部形成用于放出氣體的貫通孔(222)，并以圍繞該貫通孔的方式形成；覆蓋容器的上面開口，由高導熱材料構成的蓋體(225)；將在容器內產生的蒸鍍材料的氣體通過間隙引導到貫通孔，集中到設于上述加熱箱上部的導向部(212)，通過噴出孔(213)供應到被蒸鍍基板(100)的表面。
文檔編號C23C14/24GK101949002SQ20101022508
公開日2011年1月19日 申請日期2010年7月5日 優(yōu)先權日2009年7月10日
發(fā)明者加藤升, 土井秀明, 松浦宏育, 韭澤信廣 申請人:株式會社日立高新技術