一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于金屬鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發(fā)裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統(tǒng)，所述蒸發(fā)裝置包括蒸發(fā)源和膜材，本發(fā)明解決了附著力較小、不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)、工藝重復(fù)性差的問題，具有提高裝置的實用性、蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料、提高了薄膜的純度和質(zhì)量、熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射損失小、適用于真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)領(lǐng)域的有益技術(shù)效果。
【專利說明】
一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于金屬鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]—種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)，在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項技術(shù)最先用于生產(chǎn)光學(xué)鏡片，如航海望遠(yuǎn)鏡鏡片等。后延伸到其他功能薄膜，唱片鍍鋁、裝飾鍍膜和材料表面改性等，如手表外殼鍍仿金色，機(jī)械刀具鍍膜，改變加工紅硬性，現(xiàn)有技術(shù)存在附著力較小、不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)、工藝重復(fù)性差的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，以解決上述【背景技術(shù)】中提出附著力較小、不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)、工藝重復(fù)性差的問題。
[0004]本發(fā)明所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發(fā)裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統(tǒng)，所述蒸發(fā)裝置包括蒸發(fā)源和膜材，所述蒸發(fā)源包括膜材容器和設(shè)置于膜材容器內(nèi)的膜材加熱器，所述真空裝置內(nèi)頂端設(shè)置的鍍膜裝置經(jīng)真空裝置連接于其底端設(shè)置蒸發(fā)裝置，設(shè)置于鐘罩內(nèi)的真空腔的自頂端向下依次設(shè)置基板加熱器、基板、薄膜，其底端設(shè)置膜材容器，所述基板加熱器經(jīng)基板連接于薄膜，所述鐘罩經(jīng)真空腔貫通于排氣系統(tǒng)，所述膜材加熱器經(jīng)膜材容器連接于膜材，設(shè)置于膜材容器內(nèi)的膜材經(jīng)膜材加熱器加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發(fā)于基板下的薄膜。
[0005]進(jìn)一步，所述膜材容器為水冷坩禍。
[0006]進(jìn)一步，所述膜材加熱器包括電子槍加熱器。
[0007]進(jìn)一步，所述電子槍加熱器包括電磁線圈，所述電磁線圈正極連接于電子發(fā)射極，其負(fù)極分別連接于正離子收集極和散射電子接收極。
[0008]進(jìn)一步，所述電子發(fā)射極和正離子收集極之間設(shè)置屏蔽板。
[0009]進(jìn)一步，所述電子發(fā)射極發(fā)射電子于水冷坩禍內(nèi)的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內(nèi)的膜材的正離子。
[0010]進(jìn)一步，所述水冷坩禍上方設(shè)置等離子體。
[0011]本發(fā)明的有益效果為:
1、本專利采用包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發(fā)裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統(tǒng)，所述蒸發(fā)裝置包括蒸發(fā)源和膜材，所述蒸發(fā)源包括膜材容器和設(shè)置于膜材容器內(nèi)的膜材加熱器，所述真空裝置內(nèi)頂端設(shè)置的鍍膜裝置經(jīng)真空裝置連接于其底端設(shè)置蒸發(fā)裝置，設(shè)置于鐘罩內(nèi)的真空腔的自頂端向下依次設(shè)置基板加熱器、基板、薄膜，其底端設(shè)置膜材容器，所述基板加熱器經(jīng)基板連接于薄膜，所述鐘罩經(jīng)真空腔貫通于排氣系統(tǒng)，所述膜材加熱器經(jīng)膜材容器連接于膜材，設(shè)置于膜材容器內(nèi)的膜材經(jīng)膜材加熱器加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發(fā)于基板下的薄膜的技術(shù)手段，由于真空蒸發(fā)鍍膜在真空室中，加熱蒸發(fā)器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子從表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固態(tài)薄膜，解決了附著力較小、不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)、工藝重復(fù)性差的問題，提高裝置的實用性。
[0012]2、本專利采用所述電子槍加熱器包括電磁線圈，所述電磁線圈正極連接于電子發(fā)射極，其負(fù)極分別連接于正離子收集極和散射電子接收極，所述電子發(fā)射極和正離子收集極之間設(shè)置屏蔽板，所述電子發(fā)射極發(fā)射電子于水冷坩禍內(nèi)的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內(nèi)的膜材的正離子，所述水冷坩禍上方設(shè)置等離子體的技術(shù)手段，由于本發(fā)明采用電子槍加熱器，其電子束的束流密度高，能獲得比電阻加熱源更大的能量密度，因此能蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料。
[0013]3、本專利采用所述電子發(fā)射極發(fā)射電子于水冷坩禍內(nèi)的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內(nèi)的膜材的正離子，由于被蒸發(fā)材料置于水冷坩禍內(nèi)，避免了容器材料的揮發(fā)，以及容器材料與蒸發(fā)材料的反應(yīng)，提高了薄膜的純度和質(zhì)量。
[0014]4、本專利由于采用電子束加熱方式，熱量直接加到蒸鍍材料表面，具有熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射損失小的有益技術(shù)效果。
[0015]5、本專利應(yīng)用范圍廣泛，適用于真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置的電子槍加熱器結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0017]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步描述:
圖中:1-鍍膜裝置，2-真空裝置，3-蒸發(fā)裝置，4-基板加熱器，5-基板，6-薄膜，7-鐘罩，8-真空腔，9-排氣系統(tǒng)。10-蒸發(fā)源，11-膜材，12-膜材容器，13-膜材加熱器，14-水冷坩禍，15-電子槍加熱器，16-電磁線圈，17-電子發(fā)射極，18-正離子收集極，19-散射電子接收極，20-屏蔽板，21-等離子體；
實施例:
本實施例:如圖1所示，一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，包括鍍膜裝置1、真空裝置2、蒸發(fā)裝置3，所述鍍膜裝置I包括基板加熱器4、基板5、薄膜6，所述真空裝置2包括鐘罩7、真空腔8、排氣系統(tǒng)9，所述蒸發(fā)裝置3包括蒸發(fā)源10和膜材11，所述蒸發(fā)源10包括膜材容器12和設(shè)置于膜材容器12內(nèi)的膜材加熱器13，所述真空裝置2內(nèi)頂端設(shè)置的鍍膜裝置I經(jīng)真空裝置2連接于其底端設(shè)置蒸發(fā)裝置3，設(shè)置于鐘罩7內(nèi)的真空腔8的自頂端向下依次設(shè)置基板加熱器4、基板5、薄膜6，其底端設(shè)置膜材容器12，所述基板加熱器4經(jīng)基板5連接于薄膜6，所述鐘罩7經(jīng)真空腔8貫通于排氣系統(tǒng)9，所述膜材加熱器13經(jīng)膜材容器12連接于膜材11，設(shè)置于膜材容器12內(nèi)的膜材經(jīng)膜材加熱器13加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發(fā)于基板5下的薄膜6。
[0018]所述膜材容器12為水冷坩禍14。
[0019]由于采用包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發(fā)裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統(tǒng)，所述蒸發(fā)裝置包括蒸發(fā)源和膜材，所述蒸發(fā)源包括膜材容器和設(shè)置于膜材容器內(nèi)的膜材加熱器，所述真空裝置內(nèi)頂端設(shè)置的鍍膜裝置經(jīng)真空裝置連接于其底端設(shè)置蒸發(fā)裝置，設(shè)置于鐘罩內(nèi)的真空腔的自頂端向下依次設(shè)置基板加熱器、基板、薄膜，其底端設(shè)置膜材容器，所述基板加熱器經(jīng)基板連接于薄膜，所述鐘罩經(jīng)真空腔貫通于排氣系統(tǒng)，所述膜材加熱器經(jīng)膜材容器連接于膜材，設(shè)置于膜材容器內(nèi)的膜材經(jīng)膜材加熱器加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發(fā)于基板下的薄膜的技術(shù)手段，由于真空蒸發(fā)鍍膜在真空室中，加熱蒸發(fā)器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子從表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固態(tài)薄膜，解決了附著力較小、不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)、工藝重復(fù)性差的問題，提高裝置的實用性。
[0020 ] 所述膜材加熱器13包括電子槍加熱器15。
[0021 ]由于采用電子束加熱方式，熱量直接加到蒸鍍材料表面，具有熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射損失小的有益技術(shù)效果。
[0022]所述電子槍加熱器15包括電磁線圈16，所述電磁線圈16正極連接于電子發(fā)射極17，其負(fù)極分別連接于正離子收集極18和散射電子接收極19。
[0023]由于采用所述電子槍加熱器包括電磁線圈，所述電磁線圈正極連接于電子發(fā)射極，其負(fù)極分別連接于正離子收集極和散射電子接收極，所述電子發(fā)射極和正離子收集極之間設(shè)置屏蔽板，所述電子發(fā)射極發(fā)射電子于水冷坩禍內(nèi)的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內(nèi)的膜材的正離子，所述水冷坩禍上方設(shè)置等離子體的技術(shù)手段，由于本發(fā)明采用電子槍加熱器，其電子束的束流密度高，能獲得比電阻加熱源更大的能量密度，因此能蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料。
[0024]所述電子發(fā)射極17和正尚子收集極18之間設(shè)置屏蔽板20。
[0025]所述電子發(fā)射極17發(fā)射電子于水冷坩禍14內(nèi)的膜材11，所述散射電子接收極19接收散射電子，所述正離子收集極18接收水冷坩禍14內(nèi)的膜材11的正離子。
[0026]由于采用所述電子發(fā)射極發(fā)射電子于水冷坩禍內(nèi)的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內(nèi)的膜材的正離子，由于被蒸發(fā)材料置于水冷坩禍內(nèi)，避免了容器材料的揮發(fā)，以及容器材料與蒸發(fā)材料的反應(yīng)，提高了薄膜的純度和質(zhì)量。
[0027]所述水冷坩禍14上方設(shè)置等離子體21。
[0028]工作原理:真空蒸發(fā)鍍膜在真空室中，加熱蒸發(fā)器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子從表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固態(tài)薄膜，電子發(fā)射極發(fā)射電子于水冷坩禍內(nèi)的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內(nèi)的膜材的正離子，實現(xiàn)了膜材內(nèi)分子的熱運(yùn)動，本發(fā)明解決了附著力較小、不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)、工藝重復(fù)性差的問題，具有提高裝置的實用性、蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料、提高了薄膜的純度和質(zhì)量、熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射損失小、適用于真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)領(lǐng)域的有益技術(shù)效果。
[0029]利用本發(fā)明的技術(shù)方案，或本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明技術(shù)方案的啟發(fā)下，設(shè)計出類似的技術(shù)方案，而達(dá)到上述技術(shù)效果的，均是落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發(fā)裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統(tǒng)，所述蒸發(fā)裝置包括蒸發(fā)源和膜材，所述蒸發(fā)源包括膜材容器和設(shè)置于膜材容器內(nèi)的膜材加熱器，所述真空裝置內(nèi)頂端設(shè)置的鍍膜裝置經(jīng)真空裝置連接于其底端設(shè)置蒸發(fā)裝置，設(shè)置于鐘罩內(nèi)的真空腔的自頂端向下依次設(shè)置基板加熱器、基板、薄膜，其底端設(shè)置膜材容器，所述基板加熱器經(jīng)基板連接于薄膜，所述鐘罩經(jīng)真空腔貫通于排氣系統(tǒng)，所述膜材加熱器經(jīng)膜材容器連接于膜材，設(shè)置于膜材容器內(nèi)的膜材經(jīng)膜材加熱器加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發(fā)于基板下的薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述膜材容器為水冷坩禍。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述膜材加熱器包括電子槍加熱器。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述電子槍加熱器包括電磁線圈，所述電磁線圈正極連接于電子發(fā)射極，其負(fù)極分別連接于正離子收集極和散射電子接收極。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射極和正離子收集極之間設(shè)置屏蔽板。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射極發(fā)射電子于水冷坩禍內(nèi)的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內(nèi)的膜材的正離子。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種真空蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，所述水冷坩禍上方設(shè)置等離子體。
【文檔編號】C23C14/30GK106032567SQ201610189702
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2016年3月30日
【發(fā)明人】同建輝, 李衛(wèi)東, 孫婧
【申請人】天津眾偉科技有限公司