專利名稱：：具有多層金屬氧化物涂層的工具和制備所述涂層工具的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有基體以及施加在其上的多層涂層的切削工具，其中多層涂層的至少兩個層含有相同金屬或不同金屬的金屬氧化物，或由相同金屬或不同金屬的金屬氧化物構(gòu)成，所述多層涂層的至少兩個層被設(shè)置成一層覆蓋在另一層上。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)切削工具包括由例如硬質(zhì)金屬、陶瓷、鋼或高速鋼制成的基體。為了增加耐久性，或者也為了改進(jìn)切削性質(zhì)，通常在基體上施加單層或多層涂層。該單層或多層涂層可以包括例如硬質(zhì)金屬材料層、氧化物層等。通過CVD工藝方法(化學(xué)氣相沉積法)和/或通過PVD工藝方法(物理氣相沉積法)進(jìn)行涂層的施加。涂層內(nèi)的多個層可以僅通過CVD工藝方法、僅通過PVD工藝方法，或通過兩種工藝方法的組合來施加。PVD工藝方法存在多種變體，例如i)磁控濺射，ii)電弧氣相沉積(Arc-PVD)，iii)離子鍍，iv)電子束氣相沉積和v)激光沉積。磁控濺射和電弧氣相沉積是最常用的用于涂層工具的PVD工藝方法。在每種單獨(dú)的PVD工藝方法變體中，又存在各種不同的修改，例如脈沖或非脈沖磁控濺射，或脈沖或非脈沖電弧氣相沉積等。PVD工藝方法中的耙可以是純的金屬，或者兩種或多種金屬的組合。如果耙含有幾種金屬，那么在PVD工藝過程中所有這些金屬都在同時摻入到構(gòu)造的涂層的層中。在構(gòu)造的層中金屬部分彼此之間的比率取決于靶中金屬部分的比率，但是也取決于PVD工藝中的條件，因?yàn)樵谀承l件下，某種金屬與其它金屬相比，從靶中釋放的量更大，和/或沉積在基材上的量也更大。為了產(chǎn)生某些金屬化合物，在PVD工藝過程中將反應(yīng)性氣體通入反應(yīng)室，例如通入氮?dú)猱a(chǎn)生氮化物，通入氧氣產(chǎn)生氧化物，通入含碳化合物產(chǎn)生碳化物、碳氮化物、氧碳化物(oxicarbides)等，或通入這些氣體的混合物產(chǎn)生相應(yīng)的混合的化合物。EP-A-0668369公開了PVD涂層工藝，其中使用不平衡磁控，生產(chǎn)由金屬Ti、Zr、Hf或合金TiAl、ZrAl、HfAl、TiZr、TiZrAl的氮化物或碳氮化物組成的堅硬材料層，其中在涂層工藝的特定時間段中，使用陰極電弧放電氣相沉積工藝將其它涂層材料沉積在待被涂層的基材上。DE-A-102004044240公開了在PVD工藝中將一個或多個金屬氧化物層施加在切削工具上，特別是使用磁控濺射。DE-A-19937284描述了在金屬基材上構(gòu)建導(dǎo)電性多層，其包括由金屬材料、特別是鉻組成的第一層，其表面通過自然形成的氧化物鈍化，還包括另一層金或金合金材料，它通過PVD工藝方法施加。該第二層能夠至少部分取消第一層自然形成的氧化物薄膜的電絕緣效應(yīng)。這種類型的涂覆結(jié)構(gòu)被用作例如電子部件的屏蔽殼體的載體部分。DE-A19651592描述了帶涂層的切削工具，它具有包含至少一個氧化鋁層和硬質(zhì)金屬材料層的多層涂層。硬質(zhì)金屬材料層是例如通過PVD工藝施加的TiAIN層。直接施加在其上的氧化鋁層也通過PVD工藝沉積。
發(fā)明內(nèi)容MM形成了本發(fā)明任務(wù)的基礎(chǔ)的問題是提供比現(xiàn)有技術(shù)提供的更好的切削工具。按照本發(fā)明，該問題通過在引言中提到的那種類型的切削工具得到了解決，該切削工具的特征在于通過選自下列的不同PVD工藝方法，連續(xù)產(chǎn)生了至少兩個金屬氧化物層，將一層設(shè)置在另一層上，所述PVD工藝方法選自i)反應(yīng)性磁控濺射，ii)電弧氣相沉積(Arc-PVD)，iii)離子鍍，iv)電子束氣相沉積和v)激光沉積，其中對各自的工藝i)到v)的修改不構(gòu)成不同的PVD工藝。在本發(fā)明的意義上，i)磁控濺射，ii)電弧氣相沉積(Arc-PVD)，iii)離子鍍，iv)電子束氣相沉積和v)激光沉積是"不同的PVD工藝"。在每種這些PVD工藝i)到v)中都存在著變體，并且在本發(fā)明的意義上，PVD工藝的變體不認(rèn)為是"不同的PVD工藝"。"磁控濺射"PVD工藝的變體例如有"雙重磁控濺射"、"RF磁控濺射"、"雙極磁控濺射"、"單極磁控濺射"、"DC二極管磁控濺射"、"DC三極管磁控濺射"、"脈沖磁控濺射"、"非脈沖磁控濺射"，以及上述工藝的混合。同樣地，對于"電弧氣相沉積"(Arc-PVD)、"離子鍍"、"電子束氣相沉積"和"激光沉積，VD工藝，也存在著各種不同的變體和變體的混合形式。PVD工藝i)到v)的變體，對于本
技術(shù)領(lǐng)域：
技術(shù)人員來說是非常熟知的，因此不需要在本文中更詳細(xì)地討論。以耐磨涂層的形式在切削工具上施加多層涂層以及含有多個金屬氧化物層的涂層，長久以來就已經(jīng)知道。但是，使用不同的PVD工藝方法在同樣的基體上施加金屬氧化物層是新的，并且產(chǎn)生了具有新的性質(zhì)的全新涂層。根據(jù)本發(fā)明的這種新的涂層為改進(jìn)和/或調(diào)節(jié)切削工具的耐磨性、耐久性和/或切削性質(zhì)開拓了廣泛的可能性。切削工具上的涂層的耐磨性、耐久性和切削性質(zhì)，取決于多種不同的因素，例如切削工具基體的材料，涂層中存在的層的順序、類型和組成，各種不同層的厚度，以及最后但不是最不重要的使用切削工具進(jìn)行的切削操作的類型。對于同一個切削工具來說，根據(jù)機(jī)械加工的工件的類型、相應(yīng)的機(jī)械加工工藝、以及機(jī)械加工過程中的其它條件例如高溫的形成或腐蝕性冷卻劑的使用，可以導(dǎo)致不同的耐磨性。此外，依賴于工具所進(jìn)行的機(jī)械加工操作，對不同類型的磨損之間進(jìn)行區(qū)分，這些磨損對工具的使用壽命、即耐久性具有不同程度的影響。因此，切削工具的開發(fā)和改進(jìn)必須總是要根據(jù)待改進(jìn)的工具性質(zhì)進(jìn)行考慮，并應(yīng)該在可以與現(xiàn)有技術(shù)相比較的條件下進(jìn)行評估。令人吃驚的是，已經(jīng)看到，為了將至少兩個金屬氧化物層以一層覆蓋在另一層上排列的方式施加到基體上的目的，通過組合不同的PVD工藝方法，可以有目的地影響整個涂層的性質(zhì)，并可以產(chǎn)生具有改進(jìn)的耐磨性、改進(jìn)的切削能力和較好的耐久性的切削工具。通過使用不同的PVD工藝施加金屬氧化物層，產(chǎn)生了例如具有不同內(nèi)應(yīng)力性質(zhì)(內(nèi)壓縮應(yīng)力和內(nèi)拉伸應(yīng)力)的金屬氧化物層，所述金屬氧化物層具有相對大的層厚度(例如大約5至lOym或以上)。例如，當(dāng)晶格結(jié)構(gòu)相同時，通過略微調(diào)整各種不同的晶格參數(shù)(例如在A1A和(AlCr)A中)，可以產(chǎn)生晶格的顯著拉伸，因此導(dǎo)致硬度的增加。在本發(fā)明的涂層中，可以有目的地影響其它性質(zhì)，例如紅硬性、熱力學(xué)穩(wěn)定性、低裂紋擴(kuò)展性和熱膨脹系數(shù)。在本發(fā)明的一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，以一層覆蓋在另一層上設(shè)置的兩個金屬氧化物層是彼此直接排列的，沒有一個或多個中間層。在這種情況下，依賴于沉積層，可以有利地獲得層之間的特別良好的粘附。在本發(fā)明的可選實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，在一層覆蓋在另一層上排列的兩個金屬氧化物層之間，排列有至少一個非氧化物中間層，優(yōu)選為至少一個金屬氮化物層。例如，ZrN層可以提供在兩個Zr(^層之間。通過將金屬氮化物層作為中間層沉積，穩(wěn)定了金屬氧化物層的沉積過程，并且可以獲得靶的"凈化作用"。依賴于材料，已經(jīng)觀察到了在氧化物層的粘合方面的改進(jìn)。此外，依賴于材料，也已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了硬度的增加。按照本發(fā)明的另一個實(shí)施方案，在切削工具的涂層中，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的一層是通過磁控濺射產(chǎn)生的，并且一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的另一個層通過電弧氣相沉積(arc-PVD)產(chǎn)生，所述另一個層是排列在其上或其下的層。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，通過不同的PVD工藝在同樣的PVD裝置中相繼產(chǎn)生一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層，不需要在施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層之間將切削工具體移出PVD裝置，和/或不需要在施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層之間降低PVD工藝過程中存在于PVD裝置中的真空。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層含有來自周期表系統(tǒng)的IVa到VIIa族的元素和/或鋁和/或硅的氧化物。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的至少一層僅具有一種金屬的金屬氧化物。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的至少一層還具有至少一種第二成分，所述成分來自于周期表系統(tǒng)的IVa到Vila族的元素和/或鋁和/或硅的碳化物、氮化物、氧化物、碳氮化物、氧氮化物、氧碳化物、氧碳氮化物、硼化物、硼氮化物、硼碳化物、硼碳氮化物、硼氧氮化物、硼氧碳化物(borooxocarbides)、硼氧碳氮化物、氧硼氮化物，以及上述化合物的混合金屬相和相的混合物。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，涂層還含有硬質(zhì)材料層，所述硬質(zhì)材料層由周期表系統(tǒng)的IVa到Vila族的元素和/或鋁和/或硅的碳化物、氮化物、氧化物、碳氮化物、氧氮化物、氧碳化物、氧碳氮化物、硼化物、硼氮化物、硼碳化物、硼碳氮化物、硼氧氮化物、硼氧碳化物、硼氧碳氮化物、氧硼氮化物，以及上述化合物的混合金屬相和相的混合物組成。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，涂層的層的層厚度為10nm至50iim，優(yōu)選為20nm至20ym，特別優(yōu)選為0.2ym至4ym。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，涂層的Vickers硬度(Hv)在大約500至4000之間，優(yōu)選在700至3500之間，特別優(yōu)選在1500至3000之間。6在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，基體由硬質(zhì)金屬、陶瓷、鋼或高速鋼(HSS)制成。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層的金屬氧化物具有相同的晶體結(jié)構(gòu)。這意味著依賴于沉積的材料，可以獲得層彼此之間改進(jìn)的粘附。具有同樣的晶體結(jié)構(gòu)的金屬氧化物的例子是a-Al203/Cr203。在本發(fā)明的可選實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層的金屬氧化物具有不同的晶體結(jié)構(gòu)。依賴于沉積的材料，這可能特別有利于抑制晶體的柱生長，并避免可能導(dǎo)致脆性增加的晶體柱。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層在XRD、XPS和/或TEM光譜中具有最高強(qiáng)度的相(主相)具有相同的晶體結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明上下文中，主相是涂層的層中明顯超出相同層中的其它相的相。在本發(fā)明的另一個實(shí)施方案中，在切削工具的涂層中，一層覆蓋在另一層上直接排列的至少兩個金屬氧化物層的、在XRD、XPS和/或TEM光譜中具有最高強(qiáng)度的相(主相)具有不同的晶體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還包括用于生產(chǎn)具有基體和施加在其上的多層涂層的切削工具的方法，其中通過不同的PVD工藝方法，在一層覆蓋在另一層上排列的多層涂層的至少兩個層中，相繼施加了相同金屬或不同金屬的金屬氧化物，其中PVD工藝方法選自i)反應(yīng)性磁控濺射，ii)電弧氣相沉積(Arc-PVD)，iii)離子鍍，iv)電子束氣相沉積和v)激光沉積，其中相應(yīng)工藝i)到v)的變體不構(gòu)成不同的PVD工藝。在本發(fā)明的方法的另一個實(shí)施方案中，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的一個層通過反應(yīng)性磁控濺射施加，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的另一個層通過電弧氣相沉積(arc-PVD)施加，所述另一個層排列在前述層其上或其下。在本發(fā)明的方法的另一個實(shí)施方案中，通過不同的PVD工藝在同樣的PVD裝置中相繼施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層，不需要在施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層之間將切削工具體移出PVD裝置，和/或不需要在施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層之間降低PVD工藝過程中存在于PVD裝置中的真空。顯然，所有單個的特征，例如本文描述的針對本發(fā)明的具體實(shí)施方案的特征，可以與描述的本發(fā)明的實(shí)施方案的所有其它特征組合，只要這在技術(shù)上合理和可能就行，這樣的組合被視為在本說明書公開的范圍之內(nèi)。僅為了更好的可讀性，我們在這里將不一一列出每種可能的組合。將借助下面的實(shí)施例對本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、特征和實(shí)施方案進(jìn)行描述。具體實(shí)施方式實(shí)施例在PVD涂層裝置(Flexicoat;HauzerTechnoCoating)中，向由HM-粗粒+10.5%wtCo(HM-粗粒二WC-硬質(zhì)金屬，平均顆粒尺寸為3-5ym)構(gòu)成的硬質(zhì)金屬基材提供多層PVD涂層?；膸缀瓮庑螢镾EHW120408或ADMT160608-F56(按照DIN-ISO1832)。在層被沉積之前，將裝置抽空至1X10—5mbar，并使用170V的偏壓通過離子蝕刻清理硬質(zhì)金屬表面。層的沉積TiAIN(電弧氣相沉積AVD)國革巴:Ti/Al(33/67At.-%)圓形源(直徑63mm)，■80安培，495。C，3PaN2壓力，40伏特基材偏壓，Y-AUU電弧氣相沉積AVD)B靶Al-圓形源(直徑63mm)，■80安培，495。C，0.7Pa02壓力，70伏特基材偏壓，Y-AUU反應(yīng)件磁控濺射RMS)B革巴A1■10kW濺射輸出，495°C，0.5PaAr壓力，150伏特基材偏壓(單極，脈沖)Zr(U電弧氣相沉積AVD)B靶Zr-圓形源(直徑63mm)，■80安培，495。C，0.7Pa02壓力，70伏特基材偏壓，ZiU(反應(yīng)性磁控濺射RMS)B革巴Zr■10kW濺射輸出，495°C，0.5PaAr壓力，150伏特基材偏壓(單極，脈沖)使用不同的PVD工藝將下列涂層施加在基體上實(shí)施例l(發(fā)明)<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>比較例la:<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>比較例lb:<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>在對由42CrMoV4_鋼(強(qiáng)度850MPa)構(gòu)成的工件上進(jìn)行的碾磨實(shí)驗(yàn)中，對來自實(shí)施例l和來自比較例la和lb的工具進(jìn)行了比較。碾磨以恒定的速度進(jìn)行，不使用冷卻潤滑劑，切削速度ve=236m/min，正向每齒進(jìn)給速度fz=0.2mm。在工具邊緣上測量磨損，作為在碾磨路徑4800mm后，以mm計的切削邊緣WCE(主切削邊緣)的平均磨損。發(fā)現(xiàn)了下面的切削邊緣WCE的磨損值<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>比較例la和lb顯示出磨損近似線性增加。結(jié)果顯示，與比較例la和lb的工具相比，實(shí)施例1中的本發(fā)明的工具的磨損情況明顯較好。實(shí)施例2(發(fā)明)<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>在與對于實(shí)施例1和比較例la和lb的工具所描述的相同的碾磨實(shí)驗(yàn)中，對實(shí)施例2和比較例2的工具進(jìn)行了比較。發(fā)現(xiàn)了下面的切削邊緣WCE的磨損值<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>結(jié)果顯示，本發(fā)明實(shí)施例2的工具的磨損情況，與比較例2的工具相比，明顯較好。權(quán)利要求具有基體和施加在其上的多層涂層的切削工具，其中所述多層涂層的一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個層含有相同金屬或不同金屬的金屬氧化物，或由相同金屬或不同金屬的金屬氧化物構(gòu)成，其特征在于通過不同的PVD工藝方法相繼產(chǎn)生一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層，其中PVD工藝方法選自i)RMS，ii)電弧氣相沉積(arc-PVD)，iii)離子鍍，iv)電子束氣相沉積和v)激光沉積，其中相應(yīng)工藝i)到v)的變體不構(gòu)成不同的PVD工藝。2.權(quán)利要求l的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的兩個金屬氧化物層是彼此直接排列的，沒有一個或多個中間層。3.權(quán)利要求l的切削工具，其特征在于在一層覆蓋在另一層上排列的兩個金屬氧化物層之間，排列有至少一個非氧化物中間層，優(yōu)選為至少一個金屬氮化物層。4.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的一層通過RMS產(chǎn)生，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的另一個層通過電弧氣相沉積(arc-PVD)產(chǎn)生，所述另一個層排列在前述層其上或其下。5.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層通過不同的PVD工藝在同樣的PVD裝置中相繼產(chǎn)生，不需要在施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層之間將所述切削工具體移出所述PVD裝置，和/或不需要在施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層之間降低所述PVD工藝過程中在所述PVD裝置中經(jīng)常存在的真空。6前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層含有來自周期表系統(tǒng)的IVa到Vila族的元素和/或鋁和/或硅的氧化物。7.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的至少一層具有僅僅一種金屬的金屬氧化物。8.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的至少一層還具有至少一種第二成分，所述第二成分來自于周期表系統(tǒng)的IVa到Vila族的元素和/或鋁和/或硅的碳化物、氮化物、氧化物、碳氮化物、氧氮化物、氧碳化物、氧碳氮化物、硼化物、硼氮化物、硼碳化物、硼碳氮化物、硼氧氮化物、硼氧碳化物、硼氧碳氮化物、氧硼氮化物，以及上述化合物的混合金屬相和相的混合物。9.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于所述涂層還含有硬質(zhì)材料層，所述硬質(zhì)材料層由周期表系統(tǒng)的IVa到Vila族的元素和/或鋁和/或硅的碳化物、氮化物、氧化物、碳氮化物、氧氮化物、氧碳化物、氧碳氮化物、硼化物、硼氮化物、硼碳化物、硼碳氮化物、硼氧氮化物、硼氧碳化物、硼氧碳氮化物、氧硼氮化物，以及上述化合物的混合金屬相和相的混合物組成。10.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于涂層的層的層厚度為10nm至50iim，優(yōu)選為20nm至20ym，特別優(yōu)選為0.2ym至4ym。11.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于涂層的Vickers硬度(Hv)在500至4000之間，優(yōu)選在700至3500之間，特別優(yōu)選在1500至3000之間。12.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于由硬質(zhì)金屬、陶瓷、鋼或高速鋼(HSS)生產(chǎn)基體。13.前述權(quán)利要求任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層的金屬氧化物具有相同的晶體結(jié)構(gòu)。14.權(quán)利要求1到12任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層的金屬氧化物具有不同的晶體結(jié)構(gòu)。15.權(quán)利要求1到12任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層的、在XRD、XPS和/或TEM光譜中具有最高強(qiáng)度的相(主相)具有相同的晶體結(jié)構(gòu)。16.權(quán)利要求1到12任何一項(xiàng)的切削工具，其特征在于一層直接覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層的、在XRD、XPS和/或TEM光譜中具有最高強(qiáng)度的相(主相)具有不同的晶體結(jié)構(gòu)。17.用于生產(chǎn)具有基體和施加在其上的多層涂層的切削工具的方法，其中通過不同的PVD工藝方法，在一層覆蓋在另一層上排列的多層涂層的至少兩個層中相繼施加了相同金屬或不同金屬的金屬氧化物，其中PVD工藝方法選自i)RMS，ii)電弧氣相沉積(arc-PVD)，iii)離子鍍，iv)電子束氣相沉積和v)激光沉積，其中相應(yīng)工藝i)到v)的變體不構(gòu)成不同的PVD工藝。18.權(quán)利要求17的方法，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的一個層通過RMS施加，一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層中的另一個層通過電弧氣相沉積(arc-PVD)施加，所述另一個層排列在前述層其上或其下。19.權(quán)利要求17或18任何一項(xiàng)的方法，其特征在于一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層通過不同的PVD工藝在同樣的PVD裝置中相繼施加，不需要在施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層之間將所述切削工具體移出所述PVD裝置，和/或不需要在施加一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層之間降低所述PVD工藝過程中在所述PVD裝置中經(jīng)常存在的真空。全文摘要本發(fā)明涉及具有基體和施加在其上的多層涂層的切削工具，其中多層涂層的至少兩個層被安排成一層覆蓋在另一層上，所述層含有相同金屬或不同金屬的金屬氧化物，或由相同金屬或不同金屬的金屬氧化物構(gòu)成。為了產(chǎn)生比現(xiàn)有技術(shù)中更好的切削工具，按照本發(fā)明，提出了通過不同的PVD工藝方法相繼產(chǎn)生一層覆蓋在另一層上排列的至少兩個金屬氧化物層，其中PVD工藝方法選自i)反應(yīng)性磁控濺射(RMS)，ii)電弧氣相沉積(arc-PVD)，iii)離子鍍，iv)電子束氣相沉積和v)激光沉積，其中相應(yīng)工藝i)到v)的變體不構(gòu)成不同的PVD工藝。文檔編號C23C14/00GK101720362SQ200880022916公開日2010年6月2日申請日期2008年5月16日優(yōu)先權(quán)日2007年7月2日發(fā)明者法伊特·席爾申請人:瓦爾特公開股份有限公司