專利名稱：在常壓下連續(xù)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備和方法及其用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在常壓下在基材上連續(xù)氣相沉積的設(shè)備和方法。所述設(shè) 備基于反應(yīng)室，沿所述反應(yīng)室的開(kāi)口側(cè)引導(dǎo)基材，因此可以在基材面向 室內(nèi)部的側(cè)面上進(jìn)行相應(yīng)的涂覆。
背景技術(shù)：
可以用多種技術(shù)方案由氣態(tài)原材料(所謂的前體)制備薄層。對(duì)于 所有方法共同的是將氣態(tài)前體或成為氣相的前體導(dǎo)入反應(yīng)室，在該反應(yīng) 室中該前體通過(guò)結(jié)合能量而分解，所述氣體的組分沉積在待涂覆的部件上。這些方法中的一種是常壓化學(xué)氣相沉積(稱為APCVD，根據(jù)英文 atmospheric pressure chemical vapor deposition )。其特征在于，所述前 體和處理室均幾乎在常壓下。APCVD的一個(gè)實(shí)例是由氯硅烷制成的硅 層的APCVD外延。在這種情況下，通常與氫混合的氯硅烷在溫度為約 1000至12001C的反應(yīng)室中分解，硅以相同的晶體取向沉積在晶體硅基 材上。這個(gè)方法用于包括薄的晶體Si層的太陽(yáng)能電池等。對(duì)于這種用 途尤其需要硅沉積反應(yīng)器，這種反應(yīng)器可以非常廉價(jià)(低于30歐元/m2) 并且高生產(chǎn)能力(>20m2/h)地沉積約10至20pm厚的Si層。因?yàn)楝F(xiàn) 有技術(shù)的反應(yīng)器a)生產(chǎn)能力太低(例如ASM Epsilon 3000: 1 m2/h )和 b)只是非常不完整地(百分之幾)利用前體中包含的硅，所以現(xiàn)有技 術(shù)中的反應(yīng)器不能滿足這些要求。 一項(xiàng)新的發(fā)展涉及用于硅的化學(xué)氣相 沉積/夕卜延的高生產(chǎn)能力反應(yīng)器的制造(Hurrle, S. Reber, N. Schillinger, J. Haase, J. G. Reichart, "High Throughput Continuous CVD Reactor for silicon Deposition", In Proc. 19th European Conference on Photovoltaic Energy Conversion, (WIP-Munich， ETA畫Florence 2004, p. 459)。除了沉積硅之外，原則上在該反應(yīng)器中可生產(chǎn)在常壓下可沉積的 所有其它的層。所述反應(yīng)器體現(xiàn)下列原理(見(jiàn)圖1):通過(guò)氣封將兩行平行的基材l、 1，移動(dòng)到管2中。管內(nèi)部存在左右開(kāi)口的室3。所述室的開(kāi)口在下面也稱為"沉積區(qū)"。
一行基材在所述室的一個(gè)開(kāi)口側(cè)上移動(dòng)通過(guò)，封閉所述開(kāi)口并從而密封相對(duì)于管體積的室體積。通過(guò)氣體入口 4從前端(即 入口氣封的側(cè))將前體引入室內(nèi)，并且在所述室的后部區(qū)域通過(guò)氣體出 口 5抽出前體。沉積室的特殊特征是，相對(duì)于位于室外的體積保持小的 低壓。這防止大量的處理氣體從室中逸出。在上述溫度下，前體(在此 SiHCl3/H2)分解，硅主要沉積在連續(xù)向后移動(dòng)的基材行的內(nèi)側(cè)。優(yōu)選 選擇處理氣體混合物，使得氣體在室后端全部消耗，不再發(fā)生另外的沉 積。結(jié)果，自然形成的沉積分布(即不同沉積厚度的分布)，然而通過(guò) 基材的移動(dòng)完全得到彌補(bǔ)?；脑诠艿暮蠖嗽俅瓮ㄟ^(guò)氣封離開(kāi)設(shè)備。反 應(yīng)器的另一個(gè)特性是，基材可以在均勻的推進(jìn)速率下連續(xù)涂布，即不需 要控制復(fù)雜的循環(huán)操作。在由石墨制成的室的部分6以及也在其它表面上產(chǎn)生不期望的"寄 生"沉積。為了保持所有的橫截面并因此不形成干擾薄片，必須定期除 去這種沉積。除了室表面之外，寄生沉積還影響例如進(jìn)氣噴嘴或出氣開(kāi)C2 。對(duì)于適用于生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的設(shè)備必須將上述原則在生產(chǎn)能力上 按比例放大，并且還必須盡可能地最佳化所述設(shè)備的操作時(shí)間，即盡可 能保證沒(méi)有間斷的持續(xù)操作。本發(fā)明考慮了這些需求。發(fā)明內(nèi)容由此出發(fā)，本發(fā)明的目的是提供用于化學(xué)氣相沉積的沉積設(shè)備，相 對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法，利用所述沉積設(shè)備可以明顯提高生產(chǎn)能 力。通過(guò)具有權(quán)利要求1的特征的一類設(shè)備、具有權(quán)利要求12的特征 的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器和具有權(quán)利要求14的特征的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)該目的。 其它的從屬權(quán)利要求表明了有利的發(fā)展。根據(jù)本發(fā)明，提供在常壓下在基材上連續(xù)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備，所 述i更備具有在兩個(gè)相對(duì)i殳置的側(cè)面上開(kāi)口的反應(yīng)室。沿著所述開(kāi)口側(cè)可 以傳送待涂覆的基材，結(jié)果密封了反應(yīng)室。由此構(gòu)建所述反應(yīng)室，使得 其分別具有相對(duì)于基材傳送方向的前側(cè)壁和后側(cè)壁或其它密封裝置，它們通過(guò)兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的側(cè)壁連接?，F(xiàn)在對(duì)于本發(fā)明必要的是，本發(fā)明設(shè) 備的側(cè)壁分別具有至少兩個(gè)處理氣體的入口和出口 ，所述入口和出口在 基材的傳送方向上至少局部交替布置。由于氣體入口和氣體出口的交替 布置，所以氣流以逆流方式穿過(guò)所述設(shè)備。結(jié)果，可以最小化或完全避 免所述設(shè)備中寄生涂層的形成(即在不意欲涂覆的位置)。與現(xiàn)有技術(shù) 相反，為此目的不需要中斷連續(xù)操作，結(jié)果可實(shí)現(xiàn)明顯更高的生產(chǎn)能力。本發(fā)明中的原理基于以下的方案(Ansaetzen): 可以增加平行傳送通過(guò)所述設(shè)備的基材的行的數(shù)目。
增加沉積區(qū)的長(zhǎng)度。-在進(jìn)行的沉積操作中可以防止寄生涂層的形成，或者可以在連續(xù)操作 期間清潔寄生涂覆的表面。通過(guò)下列方法可以實(shí)現(xiàn)這些方案 通過(guò)靈活布置氣體入口和氣體出口以及相關(guān)的氣流。 通過(guò)靈活調(diào)節(jié)在反應(yīng)混合物中存在的反應(yīng)平衡。 氣體入口和氣體出口優(yōu)選以噴嘴形式布置在側(cè)壁上。在這個(gè)變化方案中，將氣體入口布置在第一側(cè)壁上，而氣體出口布 置在相對(duì)設(shè)置的側(cè)壁上。因此，結(jié)果是形成了基本上垂直于傳送方向移 動(dòng)的氣流。如果現(xiàn)在交替布置，則因?yàn)檫B續(xù)的氣體入口或氣體出口的氣 流在相對(duì)方向上移動(dòng)所以結(jié)果是利用逆流原理。所述設(shè)備優(yōu)選具有至少一個(gè)氣體入口 ，用來(lái)引入用于在基材上沉積 的前體。在本發(fā)明設(shè)備的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述設(shè)備同樣具有至 少一個(gè)氣體入口，用來(lái)引入用于清除寄生沉積的蝕刻氣體。本發(fā)明設(shè)備的第二變化方案基于以下事實(shí)，以與傳送方向垂直延伸 的并具有沿著管分布的多個(gè)噴嘴的管的形式配置氣體入口和氣體出口 。 因此，本發(fā)明使用具有至少一個(gè)進(jìn)氣管和一個(gè)排氣管的系統(tǒng)。從而優(yōu)選 以區(qū)塊形式布置單個(gè)的管。從而優(yōu)選的變化方案提供包括設(shè)置在其間的 兩個(gè)進(jìn)氣管和排氣管的一個(gè)區(qū)塊。從而所述設(shè)備可以總共具有大量的這類在傳送方向上連續(xù)布置的區(qū)塊。同樣可能的是，在區(qū)塊中還另外布置 用于蝕刻氣體的進(jìn)氣管。優(yōu)選使用硅、陶瓷、玻璃和/或其復(fù)合物或?qū)芋w系作為待涂覆的基材。根據(jù)本發(fā)明還提供了化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其包含加熱爐，其中布 置了至少兩個(gè)互相平行的根據(jù)前述權(quán)利要求之一的設(shè)備。另 一個(gè)化學(xué)氣 相沉積反應(yīng)器同樣包括加熱爐，然而其中連續(xù)地布置本發(fā)明的^殳備。根據(jù)本發(fā)明同樣提供了在常壓下在基材上連續(xù)化學(xué)氣相沉積的方 法，其中使用本發(fā)明的設(shè)備。在所述方法中控制氣體供應(yīng)，使得在基材 上沉積期間，同時(shí)防止和/或除去寄生沉積。優(yōu)選通過(guò)至少一個(gè)氣體入口供應(yīng)至少一種前體，其隨后在涂覆工藝 期間沉積在基材上。從而通過(guò)至少一個(gè)氣體出口從該設(shè)備抽出氣體?？?優(yōu)選通過(guò)泵進(jìn)行所述抽出。本發(fā)明方法的一個(gè)優(yōu)選變化方案提供通過(guò)周期性改變至少一種供 應(yīng)的氣體的組成，可以在沉積工藝期間防止和/或除去i殳備中的寄生沉 積。如果要除去寄生沉積，那么優(yōu)選供應(yīng)至少一種蝕刻氣體來(lái)除去這些 寄生沉積。通過(guò)用于至少一種蝕刻氣體的氣體入口來(lái)進(jìn)行所述至少一種 蝕刻氣體的供應(yīng)。本發(fā)明中，既能夠通過(guò)單獨(dú)的氣體入口供應(yīng)蝕刻氣體， 也能夠通過(guò)相同的氣體入口供應(yīng)蝕刻氣體和前體，其在時(shí)間上循環(huán)進(jìn) 行。在本發(fā)明的方法中，尤其優(yōu)選通過(guò)不同的氣體入口周期性交替地將 至少一種前體和至少一種蝕刻氣體供應(yīng)到設(shè)備中。另外，優(yōu)選至少一種 蝕刻氣體和至少 一種前體化學(xué)上彼此相容。優(yōu)選氣體入口應(yīng)該設(shè)置側(cè)壁中的氣體入口或氣體入口中的噴嘴，使 得它們指向基材，以便可以在基材方向上產(chǎn)生氣流。與此相反，用于至 少一種蝕刻氣體的氣體入口或進(jìn)氣管中的噴嘴應(yīng)該指向具有寄生沉積 的設(shè)備表面，以便可以蝕刻掉設(shè)備的這些部件上的寄生沉積。另夕卜，優(yōu)選在前述區(qū)塊式構(gòu)造中，將不同的處理氣體供應(yīng)到設(shè)備內(nèi)， 使得可以在基材傳送期間在基材上沉積不同的層或?qū)咏M成?？梢愿鶕?jù)兩個(gè)不同的變化方案實(shí)施本發(fā)明的方法。第一變化方案 中，在處理室的邊界和基材之間存在間隙，該間隙的尺寸基本上不隨時(shí) 間變化。因此，使得能夠通過(guò)所述設(shè)備來(lái)連續(xù)傳送基材(即基材在任何 時(shí)間都不處于靜止?fàn)顟B(tài))和循環(huán)傳送基材(包括傳送循環(huán)和靜止循環(huán))。 通過(guò)適當(dāng)?shù)拇等霘怏w控制來(lái)防止處理氣體排出。作為另外的選擇，還可 以使用滑動(dòng)密封，以實(shí)現(xiàn)基材和處理室之間的密封。然而，在高溫和高 純度要求下，這類密封可能出現(xiàn)問(wèn)題。第二優(yōu)選方案提供在工藝期間所述間隙的寬度周期性改變，基材 以脈沖方式傳送穿過(guò)所述設(shè)備。在沉積循環(huán)期間，基材停留在處理室的 邊界上，并且以足夠氣密的方式密封處理室。在短的傳送循環(huán)期間，基 材從該室升起，繼續(xù)傳送并再次放下。通過(guò)適當(dāng)?shù)拇等霘怏w控制來(lái)防止 氣體在傳送循環(huán)期間產(chǎn)生的間隙中逸出。由于室中的壓力相對(duì)于環(huán)境壓 力降低，直到可能形成足夠的吹入氣流，或者至少防止了向外的流動(dòng)， 所以這與上述變化方案同樣有效。該第二變化方案的優(yōu)點(diǎn)在于， 一方面 對(duì)壓力波動(dòng)或流動(dòng)波動(dòng)具有較高的耐受性，另一方面是較低污染物的沉 積量，例如關(guān)于吹入氣體和其中夾帶的污染物。


參考下列實(shí)施例更詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的主題，不希望將本發(fā)明限制在 所述的具體實(shí)施方案中。圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中已知的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器。圖2示出本發(fā)明設(shè)備的優(yōu)選實(shí)施方案，所述設(shè)備包括在傳送方向交 替布置的氣體入口和氣體出口。圖3示出本發(fā)明設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方案，其中使用布置在區(qū)塊中的進(jìn) 氣管和排氣管。圖4示出圖3所表示實(shí)施方案的平面圖。圖5示出本發(fā)明設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施方案，所述設(shè)備具有區(qū)塊式布置 的進(jìn)氣管和排氣管以及額外的回蝕管(Rueckaetzrohren )。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的布置，其中互相平行地布置了多個(gè)根據(jù)圖5的本發(fā)明的設(shè)備。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1在第一優(yōu)選實(shí)施方案中，前體通過(guò)位于沉積室縱向側(cè)的入口噴嘴輸送到沉積室1，所述沉積室不是由基材形成的(見(jiàn)圖2)。 一個(gè)氣體入口 2和一個(gè)氣體出口 3大致相互相對(duì)地布置，兩個(gè)連續(xù)的對(duì)(例如圖2的 對(duì)1和對(duì)2)以鏡l象的方式布置。那么連續(xù)對(duì)的氣流以逆流方式運(yùn)動(dòng)。 根據(jù)本發(fā)明，如此操作所述系統(tǒng)，使得以理論上可能的高百分比的值來(lái) 利用從一個(gè)對(duì)的氣體入口到氣體出口的前體，也就是說(shuō)，形成圖案，其 中由于氣體的消耗在一些點(diǎn)上幾乎不再發(fā)生沉積。通過(guò)在一個(gè)或多個(gè)入 口對(duì)中使用化學(xué)相容的蝕刻氣體，而其它的對(duì)仍處于沉積操作中，進(jìn)行 寄生層的回蝕?；蛘撸梢酝ㄟ^(guò)改變前體的氣體組成來(lái)實(shí)現(xiàn)回蝕(例如 提高氯硅烷中的Cl/H比)。在回蝕期間改變氣流，使得優(yōu)先侵蝕寄生涂 覆的表面，并且盡可能保留待隨后使用的層。必須有效回蝕至少歸屬于 一對(duì)噴嘴的寄生涂覆的表面?；匚g完成之后，該對(duì)噴嘴再次供應(yīng)用于沉 積的前體，并對(duì)其它對(duì)噴嘴重新開(kāi)始回蝕。周期性繼續(xù)進(jìn)行該工藝。如果對(duì)所述工藝有利，可以周期性交換氣體入口和氣體出口的作用。每m個(gè)對(duì)形成一個(gè)沉積室。 實(shí)施例2本發(fā)明第二種形式的特征如下代替在沉積室側(cè)面的進(jìn)氣噴嘴/排氣 噴嘴，具有多個(gè)分布在管長(zhǎng)度上的進(jìn)氣噴嘴/排氣噴嘴的進(jìn)氣管垂直于 移動(dòng)方向橫穿沉積室。進(jìn)氣管分別布置在一個(gè)排氣管之前或之后(見(jiàn)圖 3和4)。氣體優(yōu)選在基材方向從進(jìn)氣管吹出。下面將這種布置稱為"區(qū) 塊"。在沉積操作期間，將前體引入兩個(gè)進(jìn)氣管，通過(guò)兩個(gè)進(jìn)氣管之間 的排氣管抽出用過(guò)的氣體。在沉積室中，連續(xù)布置任意數(shù)目的這些區(qū)塊。 為了回蝕，用蝕刻氣體操作一個(gè)或多個(gè)區(qū)塊，選擇蝕刻氣體的流動(dòng)，使 得氣體優(yōu)選供應(yīng)到寄生涂覆的表面，并因此回蝕。如下擴(kuò)展形式2:代 替每個(gè)回蝕管分別2個(gè)進(jìn)氣管，在排氣管之前或之后給區(qū)塊補(bǔ)充額外的進(jìn)氣管("擴(kuò)展區(qū)塊")。每m個(gè)區(qū)塊(擴(kuò)展區(qū)塊)形成一個(gè)沉積室。 實(shí)施例3在第三形式中，用前置的分離的回蝕管補(bǔ)充形式2的區(qū)塊(見(jiàn)圖5)。 該回蝕管可以供應(yīng)有蝕刻氣體，并且分別回蝕相鄰的進(jìn)氣管和排氣管。選 擇蝕刻氣流的方向，4吏得優(yōu)先蝕刻寄生沉積的位置。所述回蝕既可以與形 式1和2 —樣循環(huán)進(jìn)行(即在回蝕期間中斷前體向相鄰進(jìn)氣管的供應(yīng))，也可以在所有進(jìn)氣管的進(jìn)行的沉積^Mt中進(jìn)行。這種操作的基本特征是，通 過(guò)所述蝕刻氣體改變進(jìn)氣管和排氣管位置處的氣體組成，使得反應(yīng)平衡從 沉積移向蝕刻。通過(guò)蝕刻氣體的方向和量，最大程度地防止蝕刻發(fā)生在基 材自身上。與形式2—樣，也可以通過(guò)額外的進(jìn)氣管來(lái)擴(kuò)展形式3的區(qū)塊。 對(duì)于一個(gè)沉積室，串聯(lián)地連續(xù)布置每m個(gè)區(qū)塊，第m個(gè)區(qū)塊之后的回蝕 管密封沉積室。
權(quán)利要求
1.一種用于在基材上在常壓下連續(xù)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備，所述設(shè)備包括具有在兩個(gè)相對(duì)的側(cè)的開(kāi)口的反應(yīng)室，沿著所述開(kāi)口側(cè)可以在密封所述反應(yīng)室的同時(shí)傳送待涂覆的基材，所述反應(yīng)室分別具有相對(duì)于所述基材傳送方向的前側(cè)壁和后側(cè)壁，所述前側(cè)壁和后側(cè)壁通過(guò)兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的側(cè)壁連接，其特征在于，所述側(cè)壁至少分別具有兩個(gè)處理氣體入口和兩個(gè)處理氣體出口，所述處理氣體入口和處理氣體出口至少局部交替地布置在所述傳送方向上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，其特征在于，所述氣體入口和氣體出 口以噴嘴形式布置在所述側(cè)壁上。
3. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的設(shè)備，其特征在于，在側(cè)壁上的氣 體入口對(duì)應(yīng)于在相對(duì)側(cè)壁上的氣體出口 ，形成基本垂直于傳送方向移動(dòng) 的氣流。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備具有 用于引入前體以沉積在基材上的至少 一個(gè)氣體入口 。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備具有 用于引入蝕刻氣體以清除寄生沉積的至少一個(gè)氣體入口。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，其特征在于，所述氣體入口和氣體出 口配置為管的形式，所述管垂至于所述傳送方向延伸并具有多個(gè)分散在 管的長(zhǎng)度上的噴嘴。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的設(shè)備，其特征在于，以區(qū)塊形式布置所述多 個(gè)管。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的設(shè)備，其特征在于， 一個(gè)區(qū)塊包括兩個(gè)進(jìn)氣 管和位于所述進(jìn)氣管之間的排氣管。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8之一的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備具有在 所述傳送方向上連續(xù)布置的大量的區(qū)塊。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7~9任一項(xiàng)的設(shè)備，其特征在于，所述區(qū)塊具有 用于蝕刻氣體的額外的進(jìn)氣管。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的設(shè)備，其特征在于，所述基材由硅、 陶瓷、玻璃和/或其復(fù)合物或?qū)芋w系組成。
12. —種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，包括加熱爐，在所述加熱爐中布置 了互相平行的根據(jù)前述權(quán)利要求之一的至少兩個(gè)設(shè)備。
13. —種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，包括加熱爐，在所述加熱爐中設(shè)置 了至少兩個(gè)連續(xù)布置的根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 11任一項(xiàng)的設(shè)備。
14. 一種利用權(quán)利要求1 ~ 11任一項(xiàng)的設(shè)備在常壓下在基材上連續(xù) 化學(xué)氣相沉積的方法，在所述方法中控制氣體供應(yīng)，使得在所述基材上 的沉積期間，同時(shí)防止和/或除去所述設(shè)備中的寄生沉積。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其特征在于，通過(guò)至少一個(gè)氣體入口 供應(yīng)至少一種前體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14或15的方法，其特征在于，通過(guò)至少一個(gè)氣 體出口從所述設(shè)備中抽出氣體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其特征在于，通過(guò)泵進(jìn)行所述抽出。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14~17任一項(xiàng)的方法，其特征在于，通過(guò)周期性 改變至少一種供應(yīng)氣體的組成，防止和/或除去所述設(shè)備上的寄生沉積。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14~18任一項(xiàng)的方法，其特征在于，通過(guò)供應(yīng)至 少一種蝕刻氣體除去所述設(shè)備中的寄生沉積。
20. 才艮據(jù)權(quán)利要求14~19任一項(xiàng)的方法，其特征在于，通過(guò)至少一 個(gè)氣體入口供應(yīng)用于除去寄生沉積的至少一種蝕刻氣體。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其特征在于，通過(guò)至少一個(gè)氣體入口 供應(yīng)所述至少一種蝕刻氣體。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19~21任一項(xiàng)的方法，其特征在于，通過(guò)相同的 氣體入口供應(yīng)所述至少 一種前體和所述至少 一種蝕刻氣體。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19 22任一項(xiàng)的方法，其特征在于，通過(guò)不同的 氣體入口將所述至少 一種前體和所述至少 一種蝕刻氣體周期性交替地 供應(yīng)給所述設(shè)備。
24. 根據(jù)權(quán)利要求19~23任一項(xiàng)的方法，其特征在于，所述至少一 種前體和所述至少一種蝕刻氣體化學(xué)上互相相容。
25. 根據(jù)權(quán)利要求14~24任一項(xiàng)的方法，其特征在于，第一氣流和 第二氣流以逆流原理流動(dòng)，所述第一氣流從所述第一側(cè)壁中的氣體入口 導(dǎo)向位于所述第二側(cè)壁中的氣體出口 ，第二氣流與所述第一氣流平行地 從位于所述第二側(cè)壁中的氣體入口導(dǎo)向在所述第一側(cè)壁中的氣體出口。
26. 根據(jù)權(quán)利要求14~25任一項(xiàng)的方法，其特征在于，所述至少一 種前體的進(jìn)氣管的噴嘴指向基材，從而在所述基材的方向上產(chǎn)生氣流。
27. 根據(jù)權(quán)利要求14~26任一項(xiàng)的方法，其特征在于，所述至少一 種蝕刻氣體的進(jìn)氣管的噴嘴指向具有寄生沉積的設(shè)備表面，從而回蝕所 述寄生沉積。
28. 根據(jù)權(quán)利要求14~27任一項(xiàng)的方法，其特征在于，在每個(gè)區(qū)塊 中供應(yīng)不同的處理氣體，從而沉積不同的層或?qū)咏M成。
29. 根據(jù)權(quán)利要求14 28任一項(xiàng)的方法，其特征在于，在所述處理 室的邊界和所述基材之間存在間隙，其中在所述處理室邊界和所述基材 之間的間隙的尺寸基本上不隨時(shí)間變化。
30. 根據(jù)權(quán)利要求14~28任一項(xiàng)的方法，其特征在于，在所述處理 室的邊界和所述基材之間存在間隙，其中所述處理室的邊界和所述基材 之間的間隙的尺寸周期性變化。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于在常壓下在基材上連續(xù)化學(xué)沉積的設(shè)備和方法。所述設(shè)備基于反應(yīng)室，沿所述反應(yīng)室的開(kāi)口側(cè)引導(dǎo)基材，因此可以在基材面向室內(nèi)部的側(cè)面進(jìn)行相應(yīng)的涂覆。
文檔編號(hào)C23C16/455GK101268213SQ200680034544
公開(kāi)日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2006年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月23日
發(fā)明者斯特凡·雷伯, 諾貝特·席林格, 阿爾貝特·胡爾勒 申請(qǐng)人:弗蘭霍菲爾運(yùn)輸應(yīng)用研究公司