專(zhuān)利名稱：：用于處理基板的外周部的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于去除涂覆在諸如半導(dǎo)體晶片、液晶顯示器基板等的基板的外周部上的諸如有機(jī)膜的不需要的物質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
：作為用于將諸如絕緣膜、有機(jī)保護(hù)層、聚酰亞胺的薄膜涂覆或沉積在諸如例如半導(dǎo)體晶片、液晶顯示器玻璃基板等的基板上的手段，已知多種方法/處理，如旋涂處理、利用CVD和PVD的薄膜沉積的方法等。然而，在旋涂技術(shù)中，涂覆物質(zhì)在基板的外周部上比在中央部分上涂覆得更厚，從而，外周部腫脹。而且，在等離子CVD例如被用作CVD的情況下，電場(chǎng)被集中在基板的外周(或外周)的邊緣部分上。由于這會(huì)導(dǎo)致膜的異常增長(zhǎng)，膜在外周部上的厚度比在中央部分上的增加得更大。在使用03、TE0S等的熱CVD的情況下，由于在基板的外周部和中央部分之間反應(yīng)性氣體的電導(dǎo)不同，基板的外周部上的膜的性質(zhì)變得與中央部分上的不同。這意味著膜在基板的外周上的厚度也比在中央部分上增加更多。在半導(dǎo)體晶片的制造過(guò)程中，在各向異性蝕刻期間沉積的碳氟化合物也從外端面環(huán)流動(dòng)到晶片的背面，并沉積在那里。因此，不需要的有機(jī)物質(zhì)附于晶片的背面(后表面)的外周部。在由運(yùn)輸輸送機(jī)運(yùn)輸基板期間或在那種條件下運(yùn)輸容納在運(yùn)輸盒中的基板期間，這種在基板的外周部上的薄膜容易破裂。這容易產(chǎn)生灰塵，從而將粒子粘附在晶片上，并降低了生產(chǎn)量。傳統(tǒng)地，例如通過(guò)干灰化處理，通過(guò)將02等離子從正面環(huán)送到晶片的背面附近，各向異性蝕刻期間由環(huán)流到晶片的背面附近的碳氟化合物形成的膜被去除。然而，在低介電常數(shù)(low-k)膜的情況下，它在經(jīng)受干灰化處理時(shí)會(huì)被損壞。為了避免損壞，進(jìn)行了一些利用低輸出功率處理膜的嘗試。然而，很難完全去除沉積在晶片背面上的氟碳化合物，并且在基板運(yùn)輸或在其它類(lèi)似的條件下會(huì)產(chǎn)生微粒。這成為生產(chǎn)量低的主要原因。作為教導(dǎo)用于處理半導(dǎo)體晶片的外周部的技術(shù)的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)，例如，以下是己知的。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.H05-82478公開(kāi)了半導(dǎo)體晶片的中央部分涂覆有一對(duì)上和下保持器，并且使得晶片的外周部突出，以便等離子能夠噴射到晶片的突出部分。然而，由于這種技術(shù)主張將保持器的0型環(huán)物理接觸晶片，存在產(chǎn)生微粒的可能性。專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.H08-279494公開(kāi)了基板的中央部分被放置在臺(tái)上，并且等離子被從上方噴射到外周部上。專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公開(kāi)No.H10-189515公開(kāi)了等離子被從下方噴射到基板的外周部。專(zhuān)利文獻(xiàn)4:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.2003-264168公開(kāi)了晶片被放置在臺(tái)上，并被吸附卡持住以旋轉(zhuǎn)；并且然后，通過(guò)氣體供給噴嘴，由臭氧和氫氟酸組成的反應(yīng)性氣體(或活性氣體)被垂直噴射在晶片的外周部的正面上，同時(shí)利用嵌入臺(tái)的外周中的加熱器從其相反側(cè)以接觸的方式加熱晶片的外周。專(zhuān)利文獻(xiàn)5:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.2004-96086公開(kāi)了晶片的外周部被插入C型部件的內(nèi)部，并且氧化物基(oxideradical)從C型部件內(nèi)部的頂部被噴射在晶片的外周部上，同時(shí)利用紅外線燈輻照地加熱晶片的外周部，并且晶片的外周部通過(guò)在C型部件內(nèi)部的最內(nèi)側(cè)上形成的抽吸端口被吸引。通常，為了指示相對(duì)于臺(tái)的結(jié)晶定向和定位的目的，諸如定向平面的切割部分、凹口等形成在晶片的外周部。為了去除附于切割部分的邊緣的不需要的膜，需要匹配切割部分的輪廓的動(dòng)作。在專(zhuān)利文獻(xiàn)6:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公開(kāi)No.H05-144725公開(kāi)的技術(shù)中，用于定向平面的噴嘴與用于處理晶片的圓形部分的主噴嘴分離地設(shè)置，向平面部分。專(zhuān)利文獻(xiàn)7:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.2003-188234公開(kāi)了為了執(zhí)行晶片的對(duì)準(zhǔn)，多個(gè)管腳從兩個(gè)不同角度鄰接晶片的外周。在專(zhuān)利文獻(xiàn)8:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.2003-152051和專(zhuān)利文獻(xiàn)9:日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公幵No.2004-47654中，使用光學(xué)傳感器，以不接觸的方式探測(cè)晶片的偏心率，并基于這種探測(cè)結(jié)果，由機(jī)械手進(jìn)行糾正，然后，晶片被設(shè)置在處理臺(tái)上。[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.H05-82478[專(zhuān)利文獻(xiàn)2]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公開(kāi)No.H08-279494[專(zhuān)利文獻(xiàn)3]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.H10-189515[專(zhuān)利文獻(xiàn)4]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公開(kāi)No.2003-264168[專(zhuān)利文獻(xiàn)5]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審査公開(kāi)No.2004-96086[專(zhuān)利文獻(xiàn)6]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公開(kāi)No.H05-144725[專(zhuān)利文獻(xiàn)7]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公開(kāi)No.2003-188234[專(zhuān)利文獻(xiàn)8]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公開(kāi)No.2003-152051[專(zhuān)利文獻(xiàn)9]日本專(zhuān)利申請(qǐng)未審查公開(kāi)No.2004—47654
發(fā)明內(nèi)容[本發(fā)明將解決的問(wèn)題]為了有效地去除使用諸如臭氧的反應(yīng)性氣體(或活性氣體)在常壓下蝕刻期間沉積的諸如光致抗蝕劑和低介電常數(shù)(low-k)膜的有機(jī)膜，和諸如碳氟化合物的有機(jī)物質(zhì)，需要進(jìn)行加熱。例如，如圖108所示，在光致抗蝕劑作為不需要的有機(jī)膜被去除的情況下，反應(yīng)很難發(fā)生，直到溫度到達(dá)約100攝氏度的水平，并且蝕刻速度在約150攝氏度的水平處上升。在超過(guò)200攝氏度的水平處，蝕刻速度幾乎相對(duì)于溫度線性增加。然而，如果整個(gè)晶片暴露于高溫大氣，布線、絕緣膜等的質(zhì)量會(huì)變化(例如，出現(xiàn)銅氧化和低介電常數(shù)的特性變化)。這會(huì)負(fù)面地影響設(shè)備特征，并趨于損壞可靠性。在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)中，加熱器鄰靠膜將被從其去除的外周部。然而，存在熱量從基板的外周部被傳導(dǎo)到中央部分并且中央部分也被加熱到高溫的擔(dān)心。而且，在加熱器是紅外線燈等的情況下，存在紅外線也被照射到基板的中央部分，從而直接將中央部分加熱到高溫的擔(dān)心。如果諸如臭氧的反應(yīng)性氣體流入基板的高溫中央部分，存在不期望的中央部分的膜被蝕刻的可能性。而且，存在基板的中央部分上的膜質(zhì)量改變的擔(dān)心。[解決問(wèn)題的手段]為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于去除涂覆在諸如半導(dǎo)體晶片的基板的外周部上的不需要的物質(zhì)(或多余物質(zhì)，無(wú)用物質(zhì))的設(shè)備，該設(shè)備包括(a)臺(tái)，所述臺(tái)包括支撐表面，所述支撐表面用于接觸所述基板并且將所述基板支撐在其上；(b)加熱器，所述加熱器用于對(duì)目標(biāo)位置施加熱量，所述目標(biāo)位置應(yīng)該存在于由所述臺(tái)支撐的所述基板的外周部上；(c)反應(yīng)性氣體(或活性氣體)供給器，所述反應(yīng)性氣體供給器用于將去除不需要的物質(zhì)所述反應(yīng)性氣體供給到所述目標(biāo)位置；和(d)吸熱器，所述吸熱器設(shè)置在所述臺(tái)上并構(gòu)造為從所述支撐表面吸熱。(參見(jiàn)圖1到13等)。而且，提出一種用于去除涂覆在基板的外周部上的不需要的物質(zhì)的方法，該方法包括使基板與臺(tái)的支撐表面接觸，以便基板被支撐在支撐表面上；加熱基板的外周部；將用于去除不需要的物質(zhì)的反應(yīng)性氣體供給到被加熱的外周部；以及利用設(shè)置在臺(tái)上的吸熱器對(duì)位于外周部?jī)?nèi)部的一部分進(jìn)行吸熱(參見(jiàn)圖l到13等)。更優(yōu)選地，所述方法包括使基板與臺(tái)的支撐表面接觸，以便基板被支撐在支撐表面上；利用熱光輻射地局部加熱基板的外周部；將反應(yīng)性氣體供給到局部區(qū)域；以及利用設(shè)置在臺(tái)上的吸熱器對(duì)位于外周部?jī)?nèi)部的一部分進(jìn)行吸熱。由于上述布置，能夠有效去除涂覆在基板的外周部上的不需要的膜。另一方面，即使在熱量從外周部被傳導(dǎo)到基板外周部?jī)?nèi)部的區(qū)域(中央部分)或加熱器的熱量被直接施加到基板外周部?jī)?nèi)部的區(qū)域(中央部分)的情況下，熱量也能夠被吸熱器吸收。這使得可以防止在基板內(nèi)部的區(qū)域處的膜和布線的質(zhì)量改變。而且，即使反應(yīng)性氣體從外周側(cè)流入基板的外周部?jī)?nèi)部，也能夠抑制反應(yīng)。這使得可以防止基板的周邊部分(或周部)內(nèi)部的區(qū)域被損壞。優(yōu)選地，臺(tái)的支撐表面比基板略微??；并且應(yīng)該存在于基板外周部上的目標(biāo)位置位于從支撐表面徑向向外延伸的表面上。例如，吸熱器是用于冷卻臺(tái)的冷卻器。作為其特定實(shí)例，作為吸熱器的冷卻介質(zhì)室(或制冷劑室，冷卻劑室)形成在臺(tái)內(nèi)，并且冷卻介質(zhì)室與冷卻介質(zhì)供給通路和冷卻介質(zhì)排出通路連接(參見(jiàn)圖1，6，7和10，等)。通過(guò)將冷卻介質(zhì)(或制冷劑，冷卻劑)送入該冷卻介質(zhì)室以便冷卻介質(zhì)在其中被填充、流動(dòng)或循環(huán)，能夠從基板吸熱。通過(guò)增加冷卻介質(zhì)室的內(nèi)部體積，熱容量或吸熱性能能夠顯著增加。作為冷卻介質(zhì)，例如使用水、空氣、氦等。通過(guò)被壓縮或一些其它適合的手段，冷卻介質(zhì)可被有力地供給入冷卻介質(zhì)室。這使得冷卻介質(zhì)可以均勻地流入冷卻介質(zhì)室的每個(gè)角落，從而提高吸熱率。應(yīng)該注意冷卻介質(zhì)可被緩和地供給，或者因?yàn)橥ㄟ^(guò)發(fā)生在冷卻介質(zhì)室內(nèi)的自然對(duì)流能夠獲得吸熱特性，一次供給入冷卻介質(zhì)室的冷卻介質(zhì)可保持原樣，不用被另外供給/排放。連接到冷卻介質(zhì)室的冷卻介質(zhì)供給通路和冷卻介質(zhì)排出通路可由共用通路組成。也可以接受的是包括管等的冷卻介質(zhì)通路被設(shè)置在背側(cè)(支撐表面另一側(cè)的表面)內(nèi)或背側(cè)處作為所述吸熱器，并且冷卻介質(zhì)經(jīng)過(guò)該冷卻介質(zhì)通路(參見(jiàn)圖8和9等)。冷卻介質(zhì)通路可以這樣的方式被形成，即從臺(tái)內(nèi)的支撐表面?zhèn)炔糠盅由斓街伪砻媪硪粋?cè)的部分(參見(jiàn)圖6和7等)。由于這個(gè)布置，吸熱率能夠得到更大的提高。也可以接受的是所述室形成在臺(tái)內(nèi)部，所述室被分隔成在支撐表面?zhèn)鹊牡谝皇也糠趾驮诘谝皇也糠值牧硪粋?cè)的第二室部分，第一室部分與第二室部分彼此連通，第一室部分構(gòu)成冷卻介質(zhì)通路的上游側(cè)的通路部分；并且第二室部分構(gòu)成冷卻介質(zhì)通路的下游側(cè)的通路部分(參見(jiàn)圖6和7等)。所述冷卻介質(zhì)通路可以這樣的方式被形成，即從臺(tái)的外周部延伸到中央部分(參見(jiàn)圖8和9等)。由于這種布置，接近基板外周部的接近側(cè)能夠被完全冷卻，從基板的外周部傳導(dǎo)的熱量能夠可靠地被吸收，并且能夠可靠地保護(hù)涂覆在中央部分上的膜。冷卻介質(zhì)通路例如是螺旋形式(參見(jiàn)圖8等)。在可選實(shí)施例中，冷卻介質(zhì)通路包括多個(gè)同心環(huán)形通路和用于相互連接環(huán)形通路的連通通路(參見(jiàn)圖9等)。所述吸熱器可包括珀?duì)柼?peltier)元件，珀?duì)柼哂形鼰醾?cè)并被設(shè)置在臺(tái)內(nèi)，所述吸熱側(cè)面對(duì)所述支撐表面(參見(jiàn)圖11等)。所述珀?duì)柼?yōu)選地設(shè)置在支撐表面附近。而且，所述珀?duì)柼诒硞?cè)(熱量輻射側(cè))可以設(shè)有風(fēng)扇、散熱片等，用于提高熱輻射。所述吸熱器可被設(shè)置在臺(tái)的整個(gè)區(qū)域內(nèi)(參見(jiàn)圖1到11等)。由于這種布置，能夠從大體整個(gè)支撐表面吸熱。所述吸熱器可至少被設(shè)置在臺(tái)的外周部處并且不設(shè)置在中央部分(參見(jiàn)圖13，21和23等)。所述吸熱器可僅設(shè)置在臺(tái)的外周部，且不設(shè)置在中央側(cè)部分(參見(jiàn)圖13，21和23等)處。由于上述布置，熱量能夠僅從支撐表面的外周側(cè)被吸收，并且熱量能夠從位于支撐表面的外周側(cè)的基板的外周側(cè)部分被可靠地吸收和去除。另一方面，可以防止中央側(cè)部分也被吸熱和冷卻，從而節(jié)省了吸熱源。作為固定基板的裝置，所述臺(tái)優(yōu)選地裝有用于吸附基板的靜電或真空卡持(或卡盤(pán)，吸盤(pán))機(jī)構(gòu)(參見(jiàn)圖18到23等)。由于這種布置，基板能夠緊固地與支撐表面接觸，并能夠可靠地獲得吸附性能。還可以接受使用落入(dr叩-in)方法的機(jī)械卡盤(pán)(或卡持)機(jī)構(gòu)。然而，在使用機(jī)械卡盤(pán)(或卡持)機(jī)構(gòu)的情況下，涂覆在基板的外周部的一部分上的膜與機(jī)械卡盤(pán)物理接觸。因此，優(yōu)選地，盡可能地使用靜電卡盤(pán)(或卡持)機(jī)構(gòu)或真空卡盤(pán)(或卡持)機(jī)構(gòu)。真空卡持機(jī)構(gòu)的吸附孔或吸附槽優(yōu)選地被制成為盡可能地小。由于這種布置，基板和臺(tái)的接觸面積能夠增加并且能夠提高吸熱效率。所述卡持機(jī)構(gòu)優(yōu)選地僅設(shè)置在臺(tái)的外周部，且不設(shè)置在中央側(cè)部分(參見(jiàn)圖22和23等)。更優(yōu)選地，在中央側(cè)支撐部分處，臺(tái)設(shè)有相對(duì)于外周側(cè)部分下陷的凹部(參見(jiàn)圖22和23等)。由于上述布置，基板和臺(tái)的接觸面積能夠被減小，并且還能夠減小由于吸附產(chǎn)生的粒子(或微粒)。在吸熱器僅被設(shè)置在臺(tái)的外周側(cè)部分處的情況下，趨于從外周部傳導(dǎo)到晶片的內(nèi)側(cè)部分的熱量能夠被可靠地吸收，并且因?yàn)榕_(tái)的外周部與晶片接觸，能夠可靠地防止晶片的中央部分加熱。所述卡持機(jī)構(gòu)可設(shè)置在臺(tái)的支撐表面的大體整個(gè)區(qū)域上(參見(jiàn)圖18至U21等)。氣體成份根據(jù)將被去除的不需要的物質(zhì)選擇。在將被去除的不需要的物質(zhì)是諸如碳氟化合物的有機(jī)膜的情況下，優(yōu)選地使用包括氧的氣體，更優(yōu)選地使用包括諸如臭氧和02等離子的高反應(yīng)性氣體的氣體。按它們的原來(lái)狀態(tài)使用純氣體和包括未被臭氧化和基化(radicalized)的正常氧的空氣也可以接受。臭氧(0。被分解成氧粒子和氧原子(02+0)，并產(chǎn)生(03)和(02+0)的熱平衡狀態(tài)。臭氧的壽命取決于溫度。在25攝氏度的范圍內(nèi)，臭氧具有很長(zhǎng)的壽命，但在50攝氏度的附近，臭氧的壽命被減小一半。在將被去除的不需要的物質(zhì)是無(wú)機(jī)膜的情況下，0:i可添加parfluorocarbon(PFC)，以被等離子化。而且，反應(yīng)性氣體可以是含諸如氫氟酸蒸汽的酸的氣體。作為反應(yīng)性氣體供給器的反應(yīng)性氣體供給源(反應(yīng)性氣體發(fā)生反應(yīng)器)，例如可以使用常壓等離子處理裝置(參見(jiàn)圖1和24到27等)。在反應(yīng)性氣體是臭氧的情況下，可以使用臭氧發(fā)生器(參見(jiàn)圖29到31，圖34到37，圖41和47到52等)。在反應(yīng)性氣體是氫氟酸蒸汽的情況下，可以使用氫氟酸汽化器或氫氟酸噴射器。所述常壓等離子處理裝置用于在通常常壓(大氣壓附近的壓力)下在電極間形成輝光放電，并將處理氣體等離子化(包括基化和離子化)以獲得反應(yīng)性氣體。本發(fā)明使用的〃通常常壓〃指從1.013X104到50.633X104Pa的壓力范圍。當(dāng)考慮裝置的壓力調(diào)節(jié)的便利性和結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化時(shí)，壓力范圍優(yōu)選地從1.333X104到10.664X104Pa，并且更優(yōu)選地從9.331Xl(^到10.397X104Pa。所述反應(yīng)性氣體供給器優(yōu)選地包括用于形成噴射通路的噴射通路形成部件，用于將來(lái)自反應(yīng)性氣體供給源的反應(yīng)性氣體導(dǎo)引到目標(biāo)位置(參見(jiàn)圖29等)。所述反應(yīng)性氣體供給源可設(shè)置在目標(biāo)位置附近。同樣是有益的選擇，反應(yīng)性氣體供給源遠(yuǎn)離目標(biāo)位置設(shè)置，并且反應(yīng)性氣體通過(guò)噴射通路形成部件被導(dǎo)引到目標(biāo)位置附近。利用噴射通路溫度調(diào)節(jié)裝置，所述噴射通路形成部件的溫度可被調(diào)節(jié)(參見(jiàn)圖34，25和37等)。由于這種布置，經(jīng)過(guò)噴射通路的反應(yīng)性氣體的溫度能夠被調(diào)節(jié)，并且溫度可保持在合適的水平。因此，能夠保持反應(yīng)性氣體的活性程度。在臭氧被用作反應(yīng)性氣體的情況下，例如，氣體被冷卻到并保持在約25攝氏度的水平。通過(guò)如此做，能夠延長(zhǎng)氧基的壽命。因此，反應(yīng)性氣體能夠可靠地與不需要的物質(zhì)反應(yīng)，并因此能夠提高去除效率。例如，用于調(diào)節(jié)噴射通路的溫度的裝置可由用于使溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)穿過(guò)其中的溫度調(diào)節(jié)通路或風(fēng)扇構(gòu)成。也可以接受的是例如，噴射通路形成部件是雙管狀結(jié)構(gòu)，其中反應(yīng)性氣體流經(jīng)作為噴射通路的其內(nèi)部通路；并且溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)流經(jīng)作為溫度調(diào)節(jié)通路的其外部環(huán)形通路。作為溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)，可以使用水、空氣、氦、含氯氟烴等。也可以接受的是所述噴射通路形成部件由沿臺(tái)的吸熱器冷卻(參見(jiàn)圖36等)。由于這種布置，能夠消除使用專(zhuān)用于噴射通路的冷卻裝置的需要，能夠簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，并能夠?qū)崿F(xiàn)成本的下降。這種布置在例如反應(yīng)性氣體需要得到冷卻或臭氧用作反應(yīng)性氣體的情況下特別地有益。所述反應(yīng)性氣體供給器優(yōu)選地包括噴射端口形成部件(噴射噴嘴)，用于形成噴射出反應(yīng)性氣體的噴射端口(參見(jiàn)圖29到45，和47到52等)。所述噴射端口優(yōu)選地朝向并接近目標(biāo)位置設(shè)置(參見(jiàn)圖1，24到29和17到50等)。也可以接受的是多個(gè)噴射通路從單個(gè)反應(yīng)性氣體供給源分支并被連接到多個(gè)噴射端口。所述噴射端口可具有點(diǎn)狀(斑點(diǎn)狀)結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)圖47到50等)；沿臺(tái)的周向延伸的線狀結(jié)構(gòu)；或在臺(tái)的周向上沿整個(gè)周邊延伸的環(huán)形結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)圖30和31等)。也可以接受的是相對(duì)于點(diǎn)狀光源，設(shè)置點(diǎn)狀噴射端口；相對(duì)于線狀，設(shè)置線狀噴射端口；并相對(duì)于環(huán)形光源，設(shè)置環(huán)形噴射端口。多個(gè)點(diǎn)狀噴射端口和多個(gè)線狀噴射端口可沿臺(tái)的周向布置。所述噴射端口形成部件可設(shè)置有轉(zhuǎn)動(dòng)流形成部件，用于沿噴射端口的周向旋轉(zhuǎn)反應(yīng)性氣體(參見(jiàn)圖10等)。由于這種布置，反應(yīng)性氣體能夠被均勻地噴到基板的目標(biāo)位置。所述轉(zhuǎn)動(dòng)流形成部件包括多個(gè)旋轉(zhuǎn)導(dǎo)引孔，所述旋轉(zhuǎn)導(dǎo)引孔通常沿噴射端口的切線方向延伸，并被連接到噴射端口的內(nèi)周表面，并沿噴射端口的周向彼此間隔地布置。所述旋轉(zhuǎn)孔優(yōu)選地組成噴射端口的上游側(cè)的通路部分(參見(jiàn)圖10等)。作為不需要的物質(zhì)，有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜有時(shí)被層疊在基板的外周部上(參見(jiàn)圖78)?？傊c有機(jī)膜反應(yīng)的氣體的種類(lèi)不同于與無(wú)機(jī)膜反應(yīng)的氣體的種類(lèi)，并且它們的反應(yīng)方式也不同，包括需要/無(wú)需加熱。例如，諸如光致抗蝕劑的有機(jī)膜需要加熱以導(dǎo)致氧化反應(yīng)和如前提及的灰化。相反，諸如Si0:,的無(wú)機(jī)膜可以在常溫下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)被蝕刻。因此，優(yōu)選地，與有機(jī)膜反應(yīng)的諸如氧基反應(yīng)性氣體的第一反應(yīng)性氣體被用作反應(yīng)性氣體，并且反應(yīng)性氣體供給器(第一反應(yīng)性氣體供給器)被用于去除有機(jī)膜。優(yōu)選地，所述設(shè)備還包括第二反應(yīng)性氣體供給器，用于將與無(wú)機(jī)膜反應(yīng)的第二反應(yīng)性氣體(例如，氟基反應(yīng)性氣體)供給到放置在臺(tái)上的基板的外周部(參見(jiàn)圖79和80等)。由于這種布置，不再需要專(zhuān)用于去除無(wú)機(jī)膜的室和臺(tái)；所述設(shè)備的結(jié)構(gòu)能夠得以簡(jiǎn)化；不再需要從有機(jī)膜處理位置到無(wú)機(jī)膜處理位置或從無(wú)機(jī)膜處理位置到有機(jī)膜處理位置的輸送；并且因此能夠更有效地防止由輸送導(dǎo)致的粒子(或微粒)，并且能夠提高產(chǎn)量。而且，通過(guò)根據(jù)氣體的類(lèi)型使用不同的頭，能夠避免交叉污染的問(wèn)題。例如，所述膜由諸如光致抗蝕劑和聚合物的(其中m，n和1是整數(shù))表示的有機(jī)物質(zhì)組成。具有與有機(jī)膜反應(yīng)的反應(yīng)性(或活性)的第一反應(yīng)性氣體優(yōu)選是包括氧的氣體，并且更優(yōu)選地，是諸如氧基(或氧自由基)和臭氧的具有高反應(yīng)性的含氧氣體。包含常態(tài)氣體的純氣體和空氣可以照實(shí)際的樣子使用。使用等離子放電裝置或臭氧發(fā)生器并將氧氣(02)作為源氣體，能夠生產(chǎn)所述含氧反應(yīng)性氣體。通過(guò)施加熱量，所述有機(jī)膜與第一有機(jī)氣體的反應(yīng)性得到增加。應(yīng)該注意含氧反應(yīng)性氣體不適合用于去除無(wú)機(jī)膜。所述無(wú)機(jī)膜例如包括Si02，SiN，p-Si，低介電常數(shù)膜等。與無(wú)機(jī)膜反應(yīng)的第二反應(yīng)性氣體優(yōu)選是諸如氟基(F"的含氟反應(yīng)性氣體。使用等離子放電裝置并將諸如PFC(例如，CF4和C2FB)和HFC(例如，CHF3)的含氟氣體用作源氣體，能夠產(chǎn)生含氟反應(yīng)性氣體。所述含氟的反應(yīng)性氣體幾乎不與有機(jī)膜反應(yīng)。通常，如上提及，無(wú)機(jī)膜能夠在常溫下被蝕刻。然而，存在一些需要加熱的無(wú)機(jī)物質(zhì)。一種實(shí)例是SiC。當(dāng)將去除需要加熱的作為不需要的物質(zhì)的無(wú)機(jī)膜時(shí)，用于處理基板的外周的設(shè)備能夠類(lèi)似地應(yīng)用。對(duì)應(yīng)于SiC的反應(yīng)性氣體例如是CF4。具有上述結(jié)構(gòu)(a)到(d)的用于處理基板的外周部的設(shè)備在如下情況下也有效在高溫下能夠被蝕刻的第一無(wú)機(jī)膜(例如SiC)和在高溫下其蝕刻速度比第一無(wú)機(jī)膜低的第二無(wú)機(jī)膜(例如Si02)被層疊在基板上，并且第一和第二無(wú)機(jī)膜中僅第一無(wú)機(jī)膜將被蝕刻。所述加熱器優(yōu)選地是輻射加熱器，包括熱光的光源；和照射器，所述照射器用于以匯聚方式將來(lái)自光源的熱光照射到目標(biāo)位置(參見(jiàn)圖1等)。由于這個(gè)布置，基板能夠以非接觸方式加熱。所述加熱器并不局限于輻射加熱器，還可以是電加熱器等。在輻射加熱器用作加熱器的情況下，激光、燈等可用作光源。所述光源可以是點(diǎn)狀光源、沿臺(tái)的周向延伸的線狀光源、或在臺(tái)的周向上沿整個(gè)表面延伸的環(huán)形光源。在點(diǎn)狀光源的情況下，基板的外周部上的一個(gè)位置能夠以點(diǎn)狀方式被局部加熱。通常，激光源是點(diǎn)狀光源，并且光收集性能很好。它適合于匯聚照射，并且能夠以高密度將能量施加到目標(biāo)位置中的不需要的物質(zhì)。因此，目標(biāo)位置中的不需要的物質(zhì)能夠瞬時(shí)被加熱到高溫。處理寬度還能夠容易地受控。激光的類(lèi)型可以是LD(半導(dǎo)體)激光、YAG激光、(受激)準(zhǔn)分子激光或任何其它類(lèi)型的激光。LD激光的波長(zhǎng)是808nm到940nm;YAG激光的波長(zhǎng)是1064nm;并且(受激)準(zhǔn)分子激光的波長(zhǎng)是157mn到351nm。輸出密度優(yōu)選地約10W/mn^或更多。振蕩形式可以是CW(連續(xù)波)或脈沖波。優(yōu)選地，振蕩形式是能夠通過(guò)切換高頻連續(xù)處理的類(lèi)型。也可以接受的是根據(jù)不需要的物質(zhì)的吸收波長(zhǎng)形成光源的輸出波長(zhǎng)。通過(guò)如此做，能量能夠被有效地施加到不需要的物質(zhì)，并能夠提高加熱效率。所述光源的光發(fā)射波長(zhǎng)可以與不需要的物質(zhì)的吸收波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)，或由諸如帶通濾波器等的波長(zhǎng)提取裝置僅提取吸收波長(zhǎng)。順便提及，光致抗蝕劑的吸收波長(zhǎng)是1500nm到2000腦。也可以接受的是利用凸透鏡、柱面透鏡等，將來(lái)自點(diǎn)狀光源的點(diǎn)狀光轉(zhuǎn)換成沿基板的外周部傳輸?shù)木€狀光，并且然后被照射。在光源是線狀光的情況下，基板的外周部的周邊延伸范圍能夠被局部和線性加熱。在光源是環(huán)形光的情況下，基板的整個(gè)外周部能夠被局部和環(huán)形加熱。多個(gè)點(diǎn)狀光源和多個(gè)線狀光源可沿臺(tái)的周向布置。作為燈光源，例如可以列舉諸如鹵素?zé)舻慕t外線燈，和遠(yuǎn)紅外線燈。燈光源的光發(fā)射形式是連續(xù)光發(fā)射。例如，紅外線燈的光發(fā)射波長(zhǎng)是760nm到10000nm;并且760nm到2000nm的波長(zhǎng)屬于近紅外線波段。利用諸如帶通濾波器的波長(zhǎng)提取裝置，與不需要的物質(zhì)的吸收波長(zhǎng)匹配的波長(zhǎng)優(yōu)選地從前述波長(zhǎng)區(qū)域提取，并且然后被照射。優(yōu)選地，通過(guò)諸如冷卻器和風(fēng)扇的輻射加熱器/冷卻裝置冷卻輻射加熱器(尤其是燈光源類(lèi)型的)(參見(jiàn)圖30等)。所述輻射加熱器可包括諸如從光源延伸到目標(biāo)位置的諸如波導(dǎo)的光傳輸系統(tǒng)(參見(jiàn)圖1等)。由于這種布置，來(lái)自光源的熱光能夠被可靠地發(fā)送到基板的外周部的附近。作為波導(dǎo)，優(yōu)選地使用光纖。通過(guò)使用光纖，能夠容易地分配。優(yōu)選地多條光纖被捆扎。也可以接受的是所述波導(dǎo)包括多條光纖；并且那些光纖被分支并從光源延伸，以便尖部沿臺(tái)的周向間隔地布置(參見(jiàn)圖39等)。由于這種布置，熱光能夠沿基板的外周部的周向同時(shí)照射到多個(gè)地方。優(yōu)選地，諸如光纖的波導(dǎo)的尖部與包括匯聚光學(xué)部件的照射器光學(xué)連接(參見(jiàn)圖l等)。優(yōu)選地，輻射加熱器的照射器包括匯聚光學(xué)系統(tǒng)(凝聚部件)，所述匯聚光學(xué)系統(tǒng)包括拋物面反射器；凸透鏡；柱面透鏡等，并適于將來(lái)自光源的熱光匯聚向目標(biāo)位置。所述匯聚光學(xué)系統(tǒng)可以是拋物面反射器、凸透鏡、柱面透鏡等中的任意一個(gè)，或它們的組合。所述照射器優(yōu)選地裝有焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。所述焦點(diǎn)可以與目標(biāo)位置確切地一致，或輕微偏離目標(biāo)位置。由于這種布置，將被施加到基板的外周部的照射能量的密度和照射區(qū)域(凝聚直徑，斑點(diǎn)直徑)的尺寸能夠被合適地調(diào)節(jié)。所述焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)能夠以如下方式使用。例如，當(dāng)在基板的外周中形成的諸如凹口或定向平面的切割部分將被處理時(shí)，與僅不包括除切割部分的基板的所有外周將被處理時(shí)相比，輻射加熱器的焦點(diǎn)偏向光軸的方向。由于這種布置，與僅不包括凹口或定向平面的所有外周將被處理時(shí)相比，能夠增加基板上的照射寬度(光學(xué)直徑)；熱光也能夠擊中凹口或定向平面的邊緣；并且因此，能夠去除涂覆在凹口或定向平面的邊緣上的膜(參見(jiàn)圖14等)。利用焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，通過(guò)朝向光軸的方向調(diào)節(jié)輻射加熱器的焦點(diǎn)，基板的外周上的照射寬度能夠被調(diào)節(jié)，并且從而也能夠去除處理寬度(將被去除的不需要的膜的寬度)(參見(jiàn)圖16等)。通過(guò)沿基板的照射方向精細(xì)地調(diào)節(jié)輻射加熱器，也能夠調(diào)節(jié)處理寬度(參見(jiàn)圖17等)。在那種情況下，優(yōu)選地，不管基板何時(shí)進(jìn)行一個(gè)旋轉(zhuǎn)，輻射加熱器沿基板的徑向方向精細(xì)地滑動(dòng)通常等于輻射加熱器在基板上的照射寬度的一個(gè)部分。優(yōu)選地，照射在基板的外周的、將被處理的范圍的內(nèi)周側(cè)處首先進(jìn)行，并且然后，逐漸地沿徑向向外精細(xì)地滑動(dòng)。也可以接受的是用于將來(lái)自光源的熱光全反射到目標(biāo)位置的反射部件被設(shè)置在目標(biāo)位置的后側(cè)和附近(參見(jiàn)圖28等)。由于這種布置，光源能夠被布置在支撐表面的延伸表面的附近，或設(shè)置在從那里向前移的位置。用于處理基板的外周部的設(shè)備可包括(a)臺(tái)，所述臺(tái)包括支撐表面，所述支撐表面支撐基板，以便基板的外周部向外突出，(b)輻射加熱器，所述輻射加熱器包括光源，所述光源遠(yuǎn)離目標(biāo)位置設(shè)置，所述目標(biāo)位置應(yīng)該存在于被支撐在臺(tái)上的基板的背面的外周部上；和光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)用于以熱光不被分散的方式將來(lái)自光源的熱光照射到目標(biāo)位置；和(c)包括噴射端口的反應(yīng)性氣體供給器，所述噴射端口被連接到用于供給反應(yīng)性氣體并用于噴射出用于去除不需要的物質(zhì)的反應(yīng)性氣體的反應(yīng)性氣體供給源，所述噴射端口被設(shè)置在支撐表面或其延伸表面的背側(cè)，或設(shè)置為接近通常在延伸表面上的目標(biāo)位置(參見(jiàn)圖1，24到30、34至U39禾卩41至lj44等)。也可以接受的是基板被支撐在臺(tái)上，從而基板的外周部向外突出，來(lái)自輻射加熱器的熱光被照射，以便聚焦在基板的背面的外周部上，或外周部的附近，以便基板被局部加熱，反應(yīng)性氣體供給器的噴射端口被放置在被局部加熱部分的附近，以便噴射端口指向該部分，并且通過(guò)經(jīng)噴射端口噴射出用于去除不需要的物質(zhì)的反應(yīng)性氣體，涂覆在基板的背面的外周部上的不需要的物質(zhì)能夠被去除。由于上述布置，通過(guò)將熱光局部地施加到基板背面的外周部，基板能夠被局部加熱，并且反應(yīng)性氣體能夠從其附近被噴到被局部加熱的部分。這使得可以有效地去除涂覆在特定部分上的不需要的物質(zhì)。優(yōu)選地，臺(tái)的支撐表面比基板稍微小，并且應(yīng)該存在于基板的外周部上的目標(biāo)位置位于從支撐表面徑向向外延伸的延伸表面上。也可以接受的是照射器被設(shè)置在延伸表面的背側(cè)(或背面)處，并且噴射端口被設(shè)置在延伸表面的背側(cè)，或者通常設(shè)置在延伸表面上(參見(jiàn)圖l等)。由于上述布置，通過(guò)將熱光局部地施加到基板背面的外周部，基板能夠被局部加熱，并且反應(yīng)性氣體能夠從其附近被噴到這個(gè)被局部加熱的部分。通過(guò)如此做，能夠有效地去除涂覆在這個(gè)特定部分上的不需要的膜。所述噴射端口優(yōu)選地被設(shè)置為與距照射器相比更接近目標(biāo)位置。由于這種布置，反應(yīng)性氣體能夠在非分散、高密度和高活性的條件下可靠地供給到目標(biāo)位置；并且能夠有效地可靠地提高不需要的物質(zhì)的去除率。優(yōu)選地，照射器被布置為比噴射端口更遠(yuǎn)離目標(biāo)位置。這使得可以容易地布置照射器和噴射端口形成部件。優(yōu)選地，相對(duì)于目標(biāo)位置，輻射加熱器的照射器和噴射端口沿彼此不同的方向被布置(參見(jiàn)圖1等)。這使得可以更容易地布置輻射加熱器和噴射端口形成部件。優(yōu)選地，輻射加熱器的照射器和噴射端口中的一個(gè)通常被布置在經(jīng)過(guò)目標(biāo)位置并垂直于延伸表面的直線上(參見(jiàn)圖1等)。通過(guò)將輻射加熱器的照射器通常布置在垂線上，加熱效率能夠得以提高；并且通過(guò)將噴射端口通常布置在垂線上，反應(yīng)效率能夠得以提高。優(yōu)選地，形成反應(yīng)性氣體供給器的噴射端口的噴射端口形成部件(噴射噴嘴)由透光材料組成。由于這種布置，即使輻射加熱器的光路與噴射端口形成部件干擾，在傳送經(jīng)過(guò)噴射端口形成部件后，光能夠可靠地被照射到基板的目標(biāo)位置，并且這個(gè)特定部分能夠得到可靠地加熱。因此，噴射端口形成部件能夠被可靠地布置在非常接近目標(biāo)部分的位置，且不會(huì)受到輻射加熱器的光路限制，并且反應(yīng)性氣體能夠從所述非常接近的位置被可靠地噴到特定部分上。作為透光材料，例如優(yōu)選地使用諸如石英、丙烯醛基、透明特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))和透明氯乙烯的透明樹(shù)脂。倘若，具有低熱阻的透明樹(shù)脂被用作透光材料，優(yōu)選地調(diào)節(jié)輻射熱等的輸出，以便透明樹(shù)脂將不會(huì)變形或熔解。也可以接受的是使用用于封閉(或包圍)目標(biāo)位置的外殼部，并且用于反應(yīng)性氣體的噴射端口被布置在外殼部?jī)?nèi)部。而且，也可以接受的是輻射加熱器的照射器被布置在外殼部外部，并且面對(duì)照射器側(cè)的至少一部分外殼部由透光材料組成(參見(jiàn)圖38和61到77等)。由于這種布置，能夠可靠地防止處理過(guò)的反應(yīng)性氣體泄漏到外部，并且來(lái)自輻射加熱器的熱光能夠經(jīng)外殼部傳送，從而實(shí)現(xiàn)可靠地輻射加熱基板的目標(biāo)部分。照射器和噴射端口優(yōu)選地被相對(duì)移動(dòng)。優(yōu)選地，臺(tái)是圓形臺(tái)，并且這個(gè)圓形臺(tái)相對(duì)于光源和噴射端口繞中心軸相對(duì)地旋轉(zhuǎn)。由于這種布置，即使在光點(diǎn)是點(diǎn)狀光源的情況下，也能夠沿基板背面的外周部的周向執(zhí)行不需要的物質(zhì)的去除處理。即使在光源是環(huán)狀光源的情況下，通過(guò)執(zhí)行上述相對(duì)旋轉(zhuǎn)，能夠提高處理的均勻性。根據(jù)基板背面的外周部被加熱處的溫度，相對(duì)旋轉(zhuǎn)數(shù)目(相對(duì)移動(dòng)速度)被合適地設(shè)置。期望地使用框架，用于沿周向包圍臺(tái)，從而包圍目標(biāo)位置，并在臺(tái)和框架之間形成環(huán)形空間(參見(jiàn)圖1和2等)。由于這種布置，處理過(guò)的反應(yīng)性氣體能夠被暫時(shí)保留在目標(biāo)位置附近，從而氣體不會(huì)擴(kuò)散到外部，并能夠獲得充分的反應(yīng)時(shí)間。優(yōu)選地，光源和噴射端口被容納在環(huán)形空間中或面對(duì)該環(huán)形空間，并且位置固定到框架。所述設(shè)備優(yōu)選地還包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于相對(duì)于框架繞中心軸相對(duì)地旋轉(zhuǎn)臺(tái)?？梢越邮艿氖撬隹蚣苁枪潭ǖ?，同時(shí)臺(tái)被旋轉(zhuǎn)，或臺(tái)被固定，同時(shí)框架被旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，所述設(shè)備還包括迷宮密封件，用于密封臺(tái)的支撐表面?zhèn)?前側(cè))的相反側(cè)上的背面部分之間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)臺(tái)的相對(duì)旋轉(zhuǎn)(參見(jiàn)圖1等)。由于這種布置，臺(tái)或框架能夠無(wú)任何干擾地旋轉(zhuǎn)，并且處理過(guò)的氣體能夠被防止從臺(tái)的后側(cè)和框架之間泄漏到外部。優(yōu)選地，所述框架在其前側(cè)上的部分設(shè)置有蓋部件，所述蓋部件朝向臺(tái)延伸，并重疊目標(biāo)位置的前側(cè)，從而蓋部件單獨(dú)或與放置在臺(tái)上的基板的外周部協(xié)作覆蓋環(huán)形空間(參見(jiàn)圖24到30等)。由于這種布置，處理過(guò)的氣體能夠被防止從環(huán)形空間泄漏到前側(cè)。所述蓋部件優(yōu)選地從它涂覆環(huán)形空間的位置可撤回(參見(jiàn)圖29等)。由于這種布置，當(dāng)基板將被放置在臺(tái)上和從臺(tái)上移去時(shí)，通過(guò)撤回蓋部件，蓋部件將不會(huì)干擾將基板放置在臺(tái)上和將基板從臺(tái)上移去的操作。所述環(huán)形空間優(yōu)選地與用于抽吸環(huán)形空間的環(huán)形空間抽吸裝置連接(參見(jiàn)圖1和24到27等)。由于這種布置，處理過(guò)的反應(yīng)性氣體能夠被從環(huán)形空間抽吸并排出。所述設(shè)備還優(yōu)選地包括用于抽吸噴射端口附近的抽吸裝置(參見(jiàn)圖3)。由于這種布置，處理過(guò)的氣體能夠被從目標(biāo)部分的周?chē)槲⑴懦觥?yōu)選地，所述臺(tái)在其支撐表面的外周部處設(shè)置有與基板的外周部協(xié)作并形成氣體存儲(chǔ)器的臺(tái)階部(參見(jiàn)圖37等)。由于這種布置，從噴射端口噴射出的反應(yīng)性氣體能夠被暫時(shí)保存在氣體存儲(chǔ)器中，以便能夠增加反應(yīng)性氣體接觸基板的外周部的時(shí)間。因此，能夠獲得足夠的反應(yīng)時(shí)間并能夠提高反應(yīng)效率。優(yōu)選地，用于噴射出惰性氣體的惰性氣體噴射部件被設(shè)置在支撐表面的中央部分的正前方(參見(jiàn)圖34到37等)。由于這種布置，能夠防止反應(yīng)性氣體不流動(dòng)到基板的正面，并且能夠可靠地防止前側(cè)上的膜受損。所述惰性氣體噴射部件可以是噴嘴或風(fēng)扇過(guò)濾器單元。當(dāng)然，這種惰性氣體噴射部件被設(shè)置為從支撐表面向上離開(kāi)至少等于或大于基板厚度的部分。在執(zhí)行用于放置/移去基板的操作時(shí)，惰性氣體噴射部件被撤回，以便不會(huì)干擾操作。作為惰性氣體，可以使用純氮?dú)狻⑶鍧嵏尚钥諝?CDA)等。如前提及，在諸如碳氟化合物的有機(jī)膜被諸如臭氧的氧基反應(yīng)性氣體蝕刻的情況下，隨著執(zhí)行蝕刻的溫度變高，蝕刻速度能夠被增加。作為加熱裝置，因?yàn)槟軌蚋行У胤乐钩霈F(xiàn)粒子，由激光導(dǎo)致的輻射熱比伴以物理接觸的加熱器等更優(yōu)選。另一方面，在諸如激光的輻射光從正上方或正下方照射到晶片的外周部上的情況下，使光以傾斜或平行方式入射到晶片的端部邊緣處的傾斜表面部分或垂直部分。因此，很難獲得充分的加熱率，并且蝕刻速度趨于被減小。也可以接受的是基板被支撐在臺(tái)上，并且在從基板徑向向外下傾的方向朝著基板的外周部照射熱光的同時(shí)，通過(guò)使外周部與反應(yīng)性氣體接觸，涂覆在基板的外周部上的不需要的物質(zhì)被去除(參見(jiàn)圖30，53，56和57等)。由于上述布置，相對(duì)于基板的外周部的傾斜表面和垂直外端面，能夠使熱光的照射方向接近垂直，通過(guò)充分增加輻射能量的密度能夠充分地增加加熱效率，并且因此，能夠增加用于去除形成在基板的外周上的膜的蝕刻速度。所述下傾方向不僅包括相對(duì)于基板的傾斜方向(參見(jiàn)圖30，53和57等)，而且包括正側(cè)向方向(與基板平行)(參見(jiàn)圖56等)。也可以接受的是基板由臺(tái)支撐；反應(yīng)性氣體向基板的外周部供給，同時(shí)照射熱光；并通過(guò)繞基板的外周部在垂直于基板(其主表面)的平面中移動(dòng)熱光的照射方向，涂覆在基板的外周部上的不需要的物質(zhì)與反應(yīng)性氣體接觸并被去除(參見(jiàn)圖59和60等)。由于上述布置，熱光能夠被通常垂直地照射到諸如基板的前側(cè)、外端面和后側(cè)的各個(gè)部分，并且從而每個(gè)部分能夠被有效地處理。優(yōu)選地，熱光移動(dòng)通過(guò)的平面是穿過(guò)基板的單個(gè)半徑的平面。用于處理基板的外周部的設(shè)備進(jìn)一步包括(a)用于支撐基板的臺(tái)，(b)反應(yīng)性氣體供給器，所述反應(yīng)性氣體供給器適于將反應(yīng)性氣體供給到目標(biāo)位置，所述目標(biāo)位置應(yīng)該存在于放置在臺(tái)上的基板的外周部上；禾口(c)照射器，所述照射器用于將熱光從支撐表面的徑向向外下傾的方向照射向目標(biāo)位置(參見(jiàn)圖30，53，56和57等)。由于上述布置，相對(duì)于基板的外周部的傾斜表面和外端面，通過(guò)使熱光的輻射角度接近垂直，能夠使入射角接近零度；通過(guò)充分增加輻射能量的密度，能夠充分地增加加熱效率；并且因此，能夠增加用于去除涂覆在基板的外周上的膜的蝕刻速度。用于處理基板的外周部的設(shè)備可包括(a)臺(tái)，所述臺(tái)包括用于支撐基板的支撐表面；(b)反應(yīng)性氣體供給器，所述反應(yīng)性氣體供給器適于將反應(yīng)性氣體供給到目標(biāo)位置，所述目標(biāo)位置應(yīng)該存在于放置在臺(tái)上的基板的外周部上；(c)照射器，用于將熱光照向目標(biāo)位置，和(d)移動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于在垂直于支撐表面(由此垂直于支撐表面上的基板)的平面中移動(dòng)照射器，同時(shí)將照射器指向目標(biāo)位置(參見(jiàn)圖59和60等)。由于上述布置，熱光能夠被通常垂直地照射到諸如基板的外周部的前側(cè)、外端面和后側(cè)的各個(gè)部分，并且從而每個(gè)部分能夠被有效地處理。垂直于支撐表面的平面優(yōu)選地是穿過(guò)支撐表面中心的平面。可以接受的是反應(yīng)性氣體供給器的供給噴嘴和排出噴嘴是可移動(dòng)的，或與照射器一起可進(jìn)行角度調(diào)節(jié)。也可以接受的是不管照射器的移動(dòng)如何，供給噴嘴和排出噴嘴的位置固定。優(yōu)選地，照射方向通常沿在基板外周部的將照射的點(diǎn)(將照射的部分的中心)處的法線(參見(jiàn)圖54等)。由于上述布置，入射角能夠在上述點(diǎn)處通常為零，能夠可靠地增加照射能量的密度，并能夠可靠地提高加熱效率。在用于處理基板的外周部的設(shè)備的反應(yīng)性氣體供給器的噴射噴嘴為從其基端到其遠(yuǎn)端具有統(tǒng)一直徑的細(xì)長(zhǎng)麥桿狀結(jié)構(gòu)的情況下，可以預(yù)期反應(yīng)性氣體容易擊中基板并被分散。然后，活性種的反應(yīng)時(shí)間減小，活性種的使用率和反應(yīng)效率減小，并且所需的反應(yīng)性氣體量增加?？紤]到上述情況，也可以接受的是用于處理基板的外周部的設(shè)備的反應(yīng)性氣體供給器包括導(dǎo)引部，用于將去除不需要的物質(zhì)的反應(yīng)性氣體導(dǎo)引到目標(biāo)位置附近；禾口連接到導(dǎo)引部并覆蓋在目標(biāo)位置上的筒部，筒部的內(nèi)部比導(dǎo)引部更寬地?cái)U(kuò)展，并限定用于暫時(shí)在其中保存反應(yīng)性氣體的暫時(shí)(或臨時(shí))存儲(chǔ)空間(參見(jiàn)圖60到66和70到77等)。由于上述布置，能夠提高反應(yīng)性氣體的使用效率和反應(yīng)效率，并能夠減小所需的氣量。優(yōu)選地，被連接到暫時(shí)存儲(chǔ)空間的釋放端口形成在筒部本身中，或形成在筒部與目標(biāo)位置上的基板的外邊緣之間；并且反應(yīng)性氣體被鼓勵(lì)通過(guò)釋放端口流出暫時(shí)存儲(chǔ)空間。由于上述布置，反應(yīng)性減小的處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品能夠停留在暫時(shí)存儲(chǔ)空間較長(zhǎng)，新的反應(yīng)性氣體能夠不時(shí)地供給到暫時(shí)存儲(chǔ)空間，并且反應(yīng)效率能夠得到可靠地提高。例如，筒部的尖部面對(duì)目標(biāo)位置開(kāi)口(參見(jiàn)圖66和71等)。在那種情況下，用作釋放端口的切割部分優(yōu)選地形成在在筒部的遠(yuǎn)端邊緣中徑向地定位在基板外部的對(duì)應(yīng)位置(參見(jiàn)圖70和71等)。由于上述布置，處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品能夠經(jīng)切割部分快速流出暫時(shí)存儲(chǔ)空間，新的反應(yīng)性氣體能夠不時(shí)地供給到暫時(shí)存儲(chǔ)空間，并且反應(yīng)效率能夠得到可靠地提高。也可以接受的是筒部被設(shè)置為穿過(guò)目標(biāo)位置；用于使基板的周邊部分插入其中的切割部分形成在對(duì)應(yīng)于基板的目標(biāo)位置的周邊部分中；并且導(dǎo)引部被連接到位于切割部分的基端側(cè)的筒部(參見(jiàn)圖74到77等)。在上述布置中，切割部分的基端側(cè)的筒部的內(nèi)部構(gòu)成暫時(shí)存儲(chǔ)空間，通過(guò)與目標(biāo)位置中的晶片的外邊緣協(xié)作，對(duì)應(yīng)于筒部的目標(biāo)位置的、未切割留下的部分的內(nèi)周表面構(gòu)成釋放端口。切割部分的遠(yuǎn)端側(cè)的筒部?jī)?yōu)選地與排出通路直接連接(參見(jiàn)圖74和75等)。由于上述布置，處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品能夠被可靠地導(dǎo)引到排出通路；如果有的話，粒子能夠被可靠地強(qiáng)制排出；并且能夠容易地控制反應(yīng)。優(yōu)選地，筒部的基端部設(shè)有用于封閉基端部的透光封閉部；并且熱光照射器被設(shè)置在外殼部的外部，以便指向目標(biāo)位置(參見(jiàn)圖70和77等)。由于上述布置，在不需要的膜和反應(yīng)性氣體執(zhí)行吸熱反應(yīng)的情況下，能夠可靠地增強(qiáng)反應(yīng)。如上所述，由于吸熱器剛好位于諸如晶片的基板的外周部?jī)?nèi)是有效的，臺(tái)的直徑制造得比諸如基板的直徑稍微小，以便僅基板的外周部徑向突出到臺(tái)外部。另一方面，在將基板放置在臺(tái)上和使從臺(tái)移去基板時(shí)，基板的正面優(yōu)選地不被接觸。為此目的，優(yōu)選地使用叉狀臂，并且使所述臂緊靠基板的下表面(背面)并被升起。然而，在僅基板的外周部的小部分從臺(tái)突出的情況下，幾乎不會(huì)有叉緊靠著基板的下表面的空間。因此，臺(tái)在其中央部?jī)?yōu)選地設(shè)有直徑減小的中央墊，從而中央墊可上下移動(dòng)(參見(jiàn)圖86到87等)。利用從臺(tái)突起的中央墊，基板由叉狀的機(jī)器人臂(機(jī)械手)放置在中央墊上，并且叉狀的機(jī)器人臂撤回。當(dāng)在那種情況下，中央墊與其平齊或從其降低，基板能夠被放置在臺(tái)上。在處理結(jié)束后，中央墊被上升，并且叉狀的機(jī)器人臂被插入基板和臺(tái)之間。然后，晶片由叉狀的機(jī)器人臂上升，并運(yùn)送出來(lái)。在具有中央墊的臺(tái)中，用于中央墊的上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)被布置在中心軸線上。中央墊優(yōu)選地設(shè)有用于吸附基板的功能。在那種情況下，從中央墊引出的抽吸流動(dòng)通路被布置在中心軸線上。在處理中不需要冷卻的情況下，存在方便地將中央墊直接用作臺(tái)的例子。在那種例子中，中央墊的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)也可被連接到中心軸線。在使用上述布置的情況下，使臺(tái)吸附基板的抽吸流動(dòng)通路和引向冷卻室的冷卻流動(dòng)通路很難被設(shè)置在中心軸線上，并且它們被迫以從中心軸偏心的方式設(shè)置。另一方面，由于臺(tái)繞中心軸旋轉(zhuǎn)，如何使臺(tái)與偏心流動(dòng)通路相互連接成為問(wèn)題。因此，可以接受的是所述設(shè)備包括臺(tái)，所述臺(tái)包括用于在諸如晶片的基板上實(shí)現(xiàn)所需的操作(溫度調(diào)節(jié)(包括冷卻)，吸附等)并可繞中心軸臺(tái)旋轉(zhuǎn)的流動(dòng)通路，所述臺(tái)包括臺(tái)主體，所述臺(tái)主體上設(shè)有基板被放置在其上的安裝表面；和流動(dòng)通路的終端(用于執(zhí)行諸如溫度調(diào)節(jié)和吸收的所需動(dòng)作的部分)；設(shè)有用于流動(dòng)通路的端口的固定筒；可旋轉(zhuǎn)地穿過(guò)固定筒并同軸地連接到臺(tái)主體的旋轉(zhuǎn)筒；和適于旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)筒的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器，連接到端口的環(huán)形通路形成在固定筒的內(nèi)周表面或旋轉(zhuǎn)筒的外周?chē)砻嬷?；沿軸向方向延伸的軸向通路形成在旋轉(zhuǎn)筒中；和所述軸向通路的一個(gè)端部被連接到環(huán)形通路；并且另一端部被連接到所述終端(參見(jiàn)圖87等)。由于上述布置，臺(tái)能夠被旋轉(zhuǎn)，同時(shí)使流體流動(dòng)，用于在偏離臺(tái)中心的位置對(duì)諸如晶片的基板執(zhí)行諸如溫度調(diào)節(jié)和吸附的所需操作；并且用于布置諸如中央墊的前進(jìn)/撤回機(jī)構(gòu)的其它組成部件的空間能夠在中心軸線上獲得。例如，所述終端是用于冷卻基板的室或通路。作為終端的室或通路形成在臺(tái)主體內(nèi)部。用于冷卻基板的冷卻流體穿過(guò)流動(dòng)通路。由于上述布置，基板能夠得到冷卻作為所需動(dòng)作。在那種情況下，臺(tái)包括臺(tái)主體，所述臺(tái)主體具有形成在其中作為吸熱器的冷卻介質(zhì)室或冷卻介質(zhì)通路，設(shè)有用于冷卻介質(zhì)的端口的固定筒；可旋轉(zhuǎn)地穿過(guò)固定筒并同軸地連接到臺(tái)主體的旋轉(zhuǎn)筒；和適于旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)筒的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器，環(huán)形通路，所述環(huán)形通路被連接到形成在固定筒的內(nèi)周表面或旋轉(zhuǎn)筒的外周?chē)砻嬷械亩丝?；沿軸向方向延伸且形成在旋轉(zhuǎn)筒中的軸向通路，所述軸向通路的一端部被連接到環(huán)形通路，另一端部被連接到冷卻介質(zhì)室或冷卻介質(zhì)通路(參見(jiàn)圖87等)。在冷卻流動(dòng)通路結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選地，兩個(gè)環(huán)形密封槽形成在固定筒的內(nèi)周表面中或旋轉(zhuǎn)筒的外周?chē)砻嬷校员忝芊獠畚挥诃h(huán)形通路的兩側(cè)；禾口每個(gè)密封槽在其中容納朝向環(huán)形通路開(kāi)口并且截面具有n形結(jié)構(gòu)的墊圈(參見(jiàn)圖88等)。在冷卻流體通過(guò)固定筒的內(nèi)周表面和旋轉(zhuǎn)筒的外周?chē)砻嬷g的間隙進(jìn)入環(huán)形密封槽的情況下，沿墊圈的開(kāi)口的擴(kuò)散方向，流體壓力(正壓力)作用于具有n形截面的墊圈，并且墊圈能夠被推靠在環(huán)形密封槽的內(nèi)周表面上。因此，能夠可靠地獲得密封壓力，并且能夠可靠地防止冷卻流體泄露。可以接受的是所述終端是形成在安裝表面中的吸附槽，并且所述端口被真空吸附(參見(jiàn)圖87等)。由于這種布置，基板的吸附能夠得到執(zhí)行作為所需動(dòng)作。在上述吸附流動(dòng)通路結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選地，兩個(gè)環(huán)形密封槽形成在固定筒的內(nèi)周表面中或旋轉(zhuǎn)筒的外周?chē)砻嬷校员忝芊獠畚挥诃h(huán)形通路的兩偵lj;禾口每個(gè)密封槽在其中容納相對(duì)于環(huán)形通路朝向相對(duì)側(cè)開(kāi)口并且截面具有n形結(jié)構(gòu)的墊圈(參見(jiàn)圖88等)。由于上述布置，在通過(guò)固定筒的內(nèi)周表面和旋轉(zhuǎn)筒的外周?chē)砻嬷g的間隙，在環(huán)形密封槽上實(shí)現(xiàn)吸附流動(dòng)通路的負(fù)壓力的情況下，這種負(fù)壓力作用于截面為n形的墊圈的后部并試圖擴(kuò)展墊圈，并且因此，墊圈被推靠在環(huán)形密封槽的內(nèi)周表面上，以便能夠可靠地防止出現(xiàn)泄漏。優(yōu)選地，被連接到中央墊的墊軸被容納在旋轉(zhuǎn)筒內(nèi)。所述中央墊優(yōu)選地通過(guò)墊軸沿軸向方向前進(jìn)/后退。也可以接受的是中央墊通過(guò)墊軸旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，墊軸與前進(jìn)/后退中央墊的墊往復(fù)移動(dòng)機(jī)構(gòu)和用于旋轉(zhuǎn)中央墊的墊旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的一部分或整體成一體。用于吸附基板的吸附槽也形成在中央墊中，并且墊軸設(shè)有連接到中央墊的吸附槽的抽吸通路。也可以接受的是從用于去除不需要的物質(zhì)的反應(yīng)性氣體的噴射噴嘴到諸如晶片的基板的外周部的噴射方向通常沿基板的周向(在目標(biāo)位置處的切線方向)定向(參見(jiàn)圖41到45等)。也可以接受的是在基板的外周部將被定位的環(huán)形表面附近，用于處理晶片的外周部的設(shè)備的反應(yīng)性氣體供給器的噴射噴嘴的噴射方向通常沿環(huán)形表面的周向(目標(biāo)位置處的切線方向)定向(參見(jiàn)圖41等)。由于上述布置，反應(yīng)性氣體能夠沿基板的外周流動(dòng)，反應(yīng)性氣體接觸基板的外周的時(shí)間能夠得到增加，并且能夠提高反應(yīng)效率。在涂覆在晶片的背面上的不需要的物質(zhì)被主要去除的情況下，噴射噴嘴優(yōu)選地被布置在環(huán)形表面的后側(cè)(因此，被布置在晶片的后側(cè))(參見(jiàn)圖42等)。還優(yōu)選地，噴射噴嘴的遠(yuǎn)端部(噴射軸)向環(huán)形表面內(nèi)徑向傾斜(參見(jiàn)圖45(b)等)。由于這種布置，能夠防止反應(yīng)性氣體轉(zhuǎn)到基板的正面，并且能夠防止前側(cè)受損。優(yōu)選地，噴射噴嘴的遠(yuǎn)端部(噴射軸)從環(huán)形表面的前側(cè)或后側(cè)向環(huán)形表面傾斜(參見(jiàn)圖42和44等)。由于這種布置，反應(yīng)性氣體能夠可靠地?fù)糁谢濉．?dāng)然，也可以接受的是噴射噴嘴的遠(yuǎn)端部件(噴射軸)剛好沿基板的周向(切線方向)定向。優(yōu)選地，除了噴射噴嘴，所述設(shè)備包括用于抽吸處理過(guò)的氣體的抽吸噴嘴(排出噴嘴)(參見(jiàn)圖41等)。所述抽吸噴嘴與諸如真空泵的抽吸排放裝置連接。所述抽吸噴嘴優(yōu)選地布置為與噴射噴嘴相對(duì)，且目標(biāo)位置被夾在它們之間(參見(jiàn)圖41等)。所述抽吸噴嘴優(yōu)選地通常沿環(huán)形表面的周向被布置為與噴射噴嘴相對(duì)(參見(jiàn)圖41等)。由于上述布置，反應(yīng)性氣體的流動(dòng)方向能夠可靠地被控制以沿基板的周向，并且無(wú)需處理的部分能夠可靠地被防止受到反應(yīng)性氣體的負(fù)面影響。然后，反應(yīng)性氣體從噴射噴嘴通常沿切線方向噴射出并反應(yīng)。反應(yīng)后，直接使處理過(guò)的氣體(包含諸如粒子的反應(yīng)副產(chǎn)品)沿基板的切線方向通常直線地流動(dòng)。然后，所述處理過(guò)的氣體能夠被抽吸噴嘴抽吸以便被排出。因此，能夠防止粒子堆在基板上。在噴射噴嘴被設(shè)置在環(huán)形表面的后側(cè)的情況下，抽吸噴嘴也被布置在后側(cè)。在那種情況下，抽吸噴嘴的遠(yuǎn)端部(抽吸軸)優(yōu)選地向環(huán)形表面傾斜(參見(jiàn)圖42等)。由于這種布置，能夠可靠地抽吸沿基板流動(dòng)的反應(yīng)性氣體。也可以接受的是抽吸噴嘴的遠(yuǎn)端部件(抽吸軸)沿周向(切線方向)直線定向，以便它與噴射噴嘴的遠(yuǎn)端部(噴射軸)對(duì)準(zhǔn)。也可以接受的是抽吸噴嘴的遠(yuǎn)端部的抽吸軸通常從基板的外周將被布置在其上的環(huán)形表面的外部徑向向內(nèi)定向，以便抽吸軸通常與噴射噴嘴的遠(yuǎn)端部的噴射軸垂直(參見(jiàn)圖49等)。由于上述布置，反應(yīng)性氣體通過(guò)噴射噴嘴噴出并反應(yīng)。反應(yīng)后，能夠使處理過(guò)的氣體(包含諸如粒子的反應(yīng)副產(chǎn)品)快速?gòu)较蛳蛲?，以被抽?排放。因此，能夠防止粒子堆在基板上。也可以接受的是抽吸噴嘴的遠(yuǎn)端部的抽吸軸被布置為指向基板的外周將被布置在其上的環(huán)形表面，并且抽吸軸被布置在位于布置噴射噴嘴的遠(yuǎn)端部的一側(cè)的相反側(cè)，并且環(huán)形表面被夾在抽吸軸和噴射噴嘴的遠(yuǎn)端部之間(參見(jiàn)圖50等)。由于上述布置，通過(guò)噴射噴嘴噴射出的氣體能夠經(jīng)外端面，從布置噴射噴嘴的一側(cè)的基板的外周的表面流動(dòng)到位于布置抽吸噴嘴的一側(cè)的表面。因此，能夠可靠地去除涂覆在基板的外端面上的不需要的膜(參見(jiàn)圖51等)。然后，所述處理氣體(包含諸如粒子的反應(yīng)副產(chǎn)品)能夠被吸入下部抽吸噴嘴以被排出。因此，能夠防止粒子堆在基板上。所述抽吸噴嘴的孔直徑優(yōu)選地比噴射噴嘴的孔直徑更大。所述抽吸噴嘴的孔直徑優(yōu)選地是噴射噴嘴的孔直徑的2—5倍。例如，噴射噴嘴的孔直徑優(yōu)選地約l一3mm。另一方面，抽吸噴嘴的孔直徑優(yōu)選地約2—15ram。由于上述布置，能夠防止處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品擴(kuò)散，并且然后處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品能夠被可靠地吸入抽吸端口以被排出。優(yōu)選地使用用于相對(duì)于噴射噴嘴沿周向相對(duì)地旋轉(zhuǎn)基板的旋轉(zhuǎn)裝置。優(yōu)選地，噴射端口沿基板的旋轉(zhuǎn)方向的法線方向布置在上游側(cè)，并且抽吸端口被布置在下游側(cè)(參見(jiàn)圖41等)。優(yōu)選地，輻射加熱器將輻射熱局部地照射到環(huán)形表面中的噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間。由于上述布置，當(dāng)局部加熱位于噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的基板的外周部時(shí)，反應(yīng)性氣體能夠與其接觸。在將去除其蝕刻速度隨著溫度的增加而增加的膜(諸如光致抗蝕劑)時(shí)，這是有效的。由于進(jìn)行局部加熱，能夠防止或抑制無(wú)需處理的部分被加熱。而且，由于能夠以非接觸的方式進(jìn)行加熱，能夠可靠地防止出現(xiàn)粒子。這種輻射加熱器優(yōu)選地是激光加熱器。如前提及，在諸如光致抗蝕劑的有機(jī)膜將被去除的情況下，反應(yīng)性氣體優(yōu)選地是臭氧。為了產(chǎn)生這種臭氧氣體，可以使用臭氧發(fā)生器或氧等離子體。在使用臭氧的情況下，優(yōu)選地噴射噴嘴設(shè)有冷卻裝置。由于這種布置，臭氧能夠保持低溫，以便臭氧的壽命能夠被延長(zhǎng)，并且提高反應(yīng)效率。作為用于噴射噴嘴的冷卻裝置，例如，冷卻通路形成在用于保持噴射噴嘴的噴嘴保持部件中，并且諸如冷卻水的冷卻介質(zhì)穿過(guò)所述冷卻通路。冷卻介質(zhì)的溫度可以約為室溫。優(yōu)選地，噴嘴保持部件由極佳的熱導(dǎo)材料組成。輻射加熱器的局部照射位置優(yōu)選地偏離向噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的噴射噴嘴側(cè)(參見(jiàn)圖45(b)等)。由于上述布置，在來(lái)自噴嘴的反應(yīng)性氣體擊中它們不久之后，基板的外周部的各個(gè)處理點(diǎn)能夠被照射地加熱。此后，在反應(yīng)性氣體保持擊中期間的較大部分，利用殘余熱量可以保持高溫，并且能夠更可靠地提高處理效率?；坎牧系男D(zhuǎn)方向可以是與上述方向相反的反向。在那種情況下，輻射加熱器的局部輻射位置優(yōu)選地偏移向噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的抽吸噴嘴側(cè)。優(yōu)選地，考慮到諸如旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)速度和輻射加熱器的加熱性能的因素，合適地建立噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的距離。也可以接受的是在用于去除不需要的物質(zhì)的反應(yīng)性氣體被導(dǎo)引到基板的外周部后，氣體被導(dǎo)引以便通過(guò)沿基板的外周延伸的導(dǎo)引通路在周向上流動(dòng)，從而去除涂覆在諸如晶片的基板的外周部上的不需要的物質(zhì)。也可以接受的是用于處理晶片的外周部的設(shè)備的反應(yīng)性氣體供給器包括氣體導(dǎo)引部件，所述氣體導(dǎo)引部件包括導(dǎo)引通路，所述導(dǎo)引通路沿基板的周向延伸以包圍基板的外周部；和所述反應(yīng)性氣體沿導(dǎo)引通路的延伸方向穿過(guò)(參見(jiàn)圖81到83和91至lj94等)。由于上述布置，能夠增加活性種接觸基板的外周的時(shí)間，并且能夠提高反應(yīng)效率。而且，能夠減小所需的處理氣體量。所述氣體導(dǎo)引部件能夠應(yīng)用作為第二反應(yīng)性氣體供給器的氣體供給器，并適于去除諸如Sin和Si02的無(wú)機(jī)膜。優(yōu)選地，氣體導(dǎo)引部件包括用于使基板的外周部可去除地插入其中插入端口；并且插入端口的最內(nèi)端的寬度被擴(kuò)展，從而形成導(dǎo)引通路。所述插入端口的厚度優(yōu)選地略大于基板的厚度。當(dāng)基板被插入插入端口中時(shí)，插入端口與基板之間的空間優(yōu)選地盡可能小。優(yōu)選地，在導(dǎo)引通路的延伸方向上的一端與用于反應(yīng)性氣體的導(dǎo)引端口連接，并且另一端與排出端口連接(參見(jiàn)圖82等)。由于這種布置，反應(yīng)性氣體能夠從導(dǎo)引通路的一端流到另一端。用于沿基板的周向相對(duì)地旋轉(zhuǎn)氣體導(dǎo)引部件的旋轉(zhuǎn)裝置優(yōu)選地設(shè)置為旋轉(zhuǎn)速度能夠被調(diào)節(jié)。由于上述布置，不需要的物質(zhì)能夠從基板的外周部的整個(gè)周邊均勻地去除，并且通過(guò)調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)速度，能夠調(diào)節(jié)不需要的物質(zhì)的處理寬度。旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選地在1rpm到1000rpm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在10rpm到300rpm的范圍內(nèi)。如果旋轉(zhuǎn)速度超過(guò)1000rpra，反應(yīng)性氣體接觸目標(biāo)部分的時(shí)間過(guò)度減小并且從而不是優(yōu)選的。優(yōu)選地，導(dǎo)引通路中的氣體的流動(dòng)方向與基板的旋轉(zhuǎn)方向?qū)?zhǔn)。也可以接受的是輻射加熱器的照射器被設(shè)置在導(dǎo)引通路內(nèi)或附近。所述照射器可附加地連接到氣體導(dǎo)引部件。優(yōu)選地，用于使照射器的熱光透射通過(guò)它的透光部件嵌入氣體導(dǎo)引部件，以便面對(duì)導(dǎo)引通路(參見(jiàn)圖96等)。由于上述布置，使用氣體導(dǎo)引部件，能夠去除需要加熱蝕刻的諸如光致抗蝕劑和聚合物的無(wú)機(jī)膜(例如SiC)。當(dāng)層疊在基板上的、在高溫下能夠蝕刻的第一無(wú)機(jī)膜(例如SiC)和在高溫下蝕刻速度比第一無(wú)機(jī)膜低的第二無(wú)機(jī)膜(例如Si02)中的僅一個(gè)將被去除時(shí)，具有照射器的氣體導(dǎo)引部件也有效。優(yōu)選地，所述加熱器加熱(特別地，在導(dǎo)引通路的上游側(cè)(導(dǎo)引端口側(cè)))導(dǎo)引通路內(nèi)的基板的外周部。同樣優(yōu)選地，所述加熱器加熱沿導(dǎo)引通路的旋轉(zhuǎn)方向位于上游側(cè)的基板的外周部(如圖95等)。優(yōu)選地，導(dǎo)引通路中的氣體的流動(dòng)方向與基板的旋轉(zhuǎn)方向?qū)?zhǔn)，并且照射器以匯聚方式將熱光照射在導(dǎo)引通路的上游端附近(參見(jiàn)圖95等)。由于這種布置，在接近導(dǎo)引通路的上游端的位置處，基板的外周部能夠被輻射加熱；涂覆在基板的外周上的膜能夠與新鮮的反應(yīng)性氣體充分反應(yīng)；并且此后，由于基板在朝向?qū)б返南掠蝹?cè)旋轉(zhuǎn)時(shí)短時(shí)間保持高溫，不僅在導(dǎo)引通路的上游側(cè)的部分而且在中間部分和下游側(cè)部分，能夠產(chǎn)生滿意的反應(yīng)。由于這個(gè)布置，處理效率能夠得到可靠地提咼。在膜包括諸如容易產(chǎn)生殘余物，換言之，在常溫下趨于產(chǎn)生固態(tài)副產(chǎn)品，的成份的情況下，沿導(dǎo)引通路的旋轉(zhuǎn)方向在下游側(cè)的基板的外周可被上述加熱器局部加熱。由于這種布置，殘余物能夠被蒸發(fā)，并被從基板的外周去除。例如，當(dāng)SiN被蝕刻時(shí)，產(chǎn)生諸如(NH4)2SiF6，NH4F.HF的每個(gè)都是固態(tài)的副產(chǎn)品。這種殘余物能夠被加熱器蒸發(fā)和去除。也可以接受的是除氣體導(dǎo)引部件，所述設(shè)備包括作為上述第一反應(yīng)性氣體供給器的有機(jī)膜去除頭；并且所述有機(jī)膜去除頭包括用于將輻射熱局部施加到基板的外周部的照射器；和氣體供給部件，用于將與有機(jī)膜反應(yīng)的諸如含氧反應(yīng)性氣體的第一反應(yīng)性氣體供給到基板的外周部(參見(jiàn)圖79以及其它)。所述有機(jī)膜去除處理頭和氣體導(dǎo)引部件優(yōu)選地沿臺(tái)的周向離開(kāi)地布置。在使用氣體導(dǎo)引部件的過(guò)程期間產(chǎn)生的固態(tài)副產(chǎn)品優(yōu)選地通過(guò)有機(jī)膜去除處理頭的照射器加熱，以便被蒸發(fā)和去除。如上提及，總之，諸如定向平面和凹口的切割部分形成在圓形晶片外周部的一部分中。也可以接受的是所述晶片被設(shè)置在臺(tái)上；然后，所述臺(tái)圍繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；所述處理流體(反應(yīng)性氣體)從供給噴嘴供給，同時(shí)供給噴嘴被定向到其中晶片的外周部移動(dòng)穿過(guò)垂直于旋轉(zhuǎn)軸線的第一軸的點(diǎn)，且如果由臺(tái)的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致變化，根據(jù)點(diǎn)的連續(xù)或暫時(shí)改變沿第一軸滑動(dòng)供給噴嘴，(參見(jiàn)圖99等)。優(yōu)選地，所述晶片被同心地設(shè)置在臺(tái)上；所述臺(tái)繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；處理流體(反應(yīng)性氣體)被從供給噴嘴供給，同時(shí)當(dāng)晶片的外周部的圓形部分移動(dòng)穿過(guò)第一軸時(shí)通過(guò)保持供給噴嘴指向設(shè)置在第一軸上并且離開(kāi)旋轉(zhuǎn)軸線大體等于晶片的半徑的距離，并當(dāng)晶片的外周部的切割部分移動(dòng)穿過(guò)第一軸時(shí)通過(guò)根據(jù)穿過(guò)點(diǎn)(或橫斷點(diǎn))沿第一軸的變化沿第一軸滑動(dòng)供給噴嘴，供給噴嘴一直指向其中晶片的外周部移動(dòng)穿過(guò)垂直于旋轉(zhuǎn)軸線的第一軸的穿過(guò)點(diǎn)。用于處理晶片的外周部的設(shè)備可包括臺(tái)，晶片布置在所述臺(tái)上并所述臺(tái)繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；處理流體(反應(yīng)性氣體)供給噴嘴，所述供給噴嘴沿垂直于旋轉(zhuǎn)軸線的第一軸可滑動(dòng)地設(shè)置；和噴嘴位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述噴嘴位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)用于通過(guò)根據(jù)穿過(guò)點(diǎn)的連續(xù)或暫時(shí)變化沿第一軸調(diào)整供給噴嘴的位置，將供給噴嘴常指向穿過(guò)點(diǎn)，其中在所述穿過(guò)點(diǎn)，晶片的外周部移動(dòng)穿過(guò)第一軸(參見(jiàn)圖99等)。用于處理晶片的外周部的設(shè)備可包括繞旋轉(zhuǎn)軸線(中心軸線)旋轉(zhuǎn)的臺(tái)；對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，用于對(duì)準(zhǔn)地(同心地)將具有圓形外周部的晶片布置在處理臺(tái)上，其中諸如定向平面和凹口的切割部分部分地形成在所述圓形外周部上；可滑動(dòng)地沿垂直于旋轉(zhuǎn)軸線的第一軸設(shè)置的處理流體(反應(yīng)性氣體)供給噴嘴；和噴嘴位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，用于保持供給噴嘴靜止，同時(shí)當(dāng)晶片的圓形外周部移動(dòng)穿過(guò)第一軸時(shí)將供給噴嘴定向到所述穿過(guò)點(diǎn)，即在第一軸上的從旋轉(zhuǎn)軸線離開(kāi)大體等于晶片半徑的距離的位置；并且用于當(dāng)晶片的切割部分移動(dòng)穿過(guò)第一軸時(shí)根據(jù)穿過(guò)點(diǎn)的變化沿第一軸滑動(dòng)供給噴嘴，從而將供給噴嘴常指向穿過(guò)點(diǎn)(參見(jiàn)圖97到99等)。也可以接受的是所述反應(yīng)性氣體供給器包括沿垂直于臺(tái)的中心軸線的第一軸可滑動(dòng)的反應(yīng)性氣體供給噴嘴，所述晶片被同心地布置在臺(tái)上，并且臺(tái)繞中心軸線旋轉(zhuǎn)，當(dāng)晶片的圓形外周部移動(dòng)穿過(guò)第一軸時(shí)，供給噴嘴的遠(yuǎn)端部保持靜止，同時(shí)被指向第一軸上的從中心軸離開(kāi)等于晶片半徑的距離的位置；和當(dāng)晶片的切割部分移動(dòng)穿過(guò)第一軸時(shí)，供給噴嘴沿第一軸與臺(tái)的旋轉(zhuǎn)同步地滑動(dòng)，以便供給噴嘴的遠(yuǎn)端部常指向穿過(guò)點(diǎn)(參見(jiàn)圖97到99等)。優(yōu)選地，對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)包括用于探測(cè)晶片的切割部分的切割部探測(cè)部分，并且切割部分與同心操作并行地指向預(yù)定方向。所述噴嘴位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)優(yōu)選地與臺(tái)的旋轉(zhuǎn)同步地調(diào)節(jié)供給噴嘴的位置。即，當(dāng)臺(tái)在對(duì)應(yīng)于圓形外周部移動(dòng)穿過(guò)第一軸所需的時(shí)間段的旋轉(zhuǎn)角度的范圍內(nèi)時(shí)，供給噴嘴被固定到第一軸上的從旋轉(zhuǎn)軸離開(kāi)大體等于晶片半徑的距離的位置；并當(dāng)臺(tái)在對(duì)應(yīng)于切割部分移動(dòng)穿過(guò)第一軸所需的時(shí)間段的旋轉(zhuǎn)角度的范圍中時(shí)，使供給噴嘴具有對(duì)應(yīng)于臺(tái)的旋轉(zhuǎn)角度和旋轉(zhuǎn)速度的速度和方向(沿第一軸朝向旋轉(zhuǎn)軸線或離開(kāi)旋轉(zhuǎn)軸線的方向)。作為這種同步控制的結(jié)果，供給噴嘴優(yōu)選地常指向供給噴嘴移動(dòng)穿過(guò)第一軸的點(diǎn)。另一方面，在由對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的情況下，需要對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的設(shè)備成本；而且，需要將晶片從進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的位置傳送到旋轉(zhuǎn)臺(tái)所需的時(shí)間。而且，對(duì)準(zhǔn)精度取決于機(jī)器人臂的操作精度。也可以接受的是所述晶片被設(shè)置在臺(tái)上；然后，這個(gè)臺(tái)繞旋轉(zhuǎn)軸線(中央軸線)旋轉(zhuǎn)；處理流體(反應(yīng)性氣體)的供給噴嘴指向其中晶片的外周部移動(dòng)穿過(guò)垂直于旋轉(zhuǎn)軸線的第一軸處的點(diǎn)；并且當(dāng)穿過(guò)點(diǎn)根據(jù)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)改變時(shí)，供給處理流體，同時(shí)根據(jù)所述變化沿第一軸滑動(dòng)供給噴嘴(參見(jiàn)圖105等)。優(yōu)選地，所述晶片被設(shè)置在臺(tái)上；然后，這個(gè)臺(tái)圍繞旋轉(zhuǎn)軸線(中央軸線)旋轉(zhuǎn)；計(jì)算晶片的外周部移動(dòng)穿過(guò)的瞬時(shí)點(diǎn)；供給處理流體(反應(yīng)性氣體)，同時(shí)基于計(jì)算的結(jié)果，通過(guò)沿第一軸調(diào)節(jié)供給噴嘴的位置，將供給噴嘴常指向穿過(guò)點(diǎn)(參見(jiàn)圖105等)。由于上述布置，能夠取消偏心糾正對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，并且所述設(shè)備的結(jié)構(gòu)能夠得以簡(jiǎn)化。而且，由于能夠取消對(duì)準(zhǔn)操作，能夠縮短整個(gè)處理時(shí)間。在與不時(shí)地進(jìn)行瞬時(shí)穿過(guò)點(diǎn)的計(jì)算并行地，也可以接受的是調(diào)節(jié)供給噴嘴的位置并供給處理流體。在那種情況下，優(yōu)選地，沿臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向，在供給噴嘴的上游側(cè)，測(cè)量晶片的外周部的位置，并基于這種測(cè)量結(jié)果進(jìn)行上述計(jì)算。也可以接受的是在對(duì)晶片的外周部的整個(gè)周邊執(zhí)行穿過(guò)點(diǎn)的計(jì)算后，調(diào)節(jié)供給噴嘴的位置并供給處理流體。用于處理晶片的外周部的設(shè)備可包括其上布置晶片并繞旋轉(zhuǎn)軸線(中心軸線)旋轉(zhuǎn)的臺(tái)；沿垂直于旋轉(zhuǎn)軸線的第一軸可滑動(dòng)地設(shè)置的處理流體(反應(yīng)性氣體)供給噴嘴；計(jì)算器，用于計(jì)算晶片的外周部移動(dòng)穿過(guò)第一軸的瞬時(shí)點(diǎn)，和噴嘴位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，用于基于計(jì)算的結(jié)果，通過(guò)沿第一軸調(diào)節(jié)供給噴嘴的位置，將流體供給噴嘴常指向穿過(guò)點(diǎn)(參見(jiàn)圖103到105等)。也可以接受的是所述反應(yīng)性氣體供給器包括沿垂直于臺(tái)的中心軸線的第一軸可滑動(dòng)的反應(yīng)性氣體供給噴嘴，所述臺(tái)繞中心軸線旋轉(zhuǎn)同時(shí)保持晶片；所述設(shè)備還包括計(jì)算器，用于計(jì)算晶片的外周部移動(dòng)穿過(guò)垂直于中心軸線的第一軸的瞬時(shí)點(diǎn)，和供給處理流體，同時(shí)基于計(jì)算的結(jié)果，通過(guò)沿第一軸調(diào)節(jié)供給噴嘴的位置，將供給噴嘴常指向穿過(guò)點(diǎn)(參見(jiàn)圖103到105等)。所述計(jì)算器優(yōu)選地包括用于測(cè)量晶片的外周的測(cè)量器。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)對(duì)晶片的外周部加熱并將反應(yīng)性氣體噴射到加熱的外周部上，可有效地去除不需要的物質(zhì)。由于吸熱器設(shè)置在臺(tái)上，即使在熱量從外部被傳導(dǎo)到位于基板的外周部?jī)?nèi)部的部分，或加熱器的熱量被施加其上的情況下，利用這種吸熱器能夠吸收其熱量。因此，能夠防止位于基板的外周內(nèi)的部分處的膜和布線質(zhì)量的改變。而且，即使在反應(yīng)性氣體從基板的外周側(cè)流入內(nèi)部的情況下，反應(yīng)能夠被抑制。這使得可以防止從基板的外周起在內(nèi)部部分上出現(xiàn)損壞。圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的沿圖2中的線I-1的橫截面正視圖2是上述設(shè)備的俯視圖。圖3是上述設(shè)備的膜去除部的放大尺寸的橫截面正視圖；圖4(a)是示出其中由圖1所示相同裝置測(cè)量的晶片溫度對(duì)比從將在晶片的外端邊緣處被加熱的部分附近沿徑向向內(nèi)方向的距離的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的曲線。圖4(b)是示出其中比圖4(a)中的比較位置更接近被加熱部分的位置(緊接被加熱部分的附近)用作水平軸的起點(diǎn)的測(cè)量溫度的曲線。圖5是示出其中利用圖1所示相同裝置測(cè)量的晶片溫度對(duì)比從將在晶片的外端周邊處被加熱的部分附近沿徑向向內(nèi)方向的距離的另一實(shí)驗(yàn)結(jié)果的曲線。圖6是根據(jù)吸熱器的改進(jìn)的臺(tái)的說(shuō)明正視圖。圖7是根據(jù)吸熱器的改進(jìn)的臺(tái)的說(shuō)明正視圖。圖8是根據(jù)吸熱器的改進(jìn)的臺(tái)的說(shuō)明性俯視圖。圖9是臺(tái)吸熱器的改進(jìn)的說(shuō)明俯視圖。圖10是根據(jù)吸熱器的改進(jìn)的臺(tái)的說(shuō)明性俯視圖。圖10(b)是圖10(a)的臺(tái)的說(shuō)明正視圖。圖11是根據(jù)其中珀?duì)柼?Peltier)元件被用作吸熱器的改進(jìn)的臺(tái)的說(shuō)明正視圖。圖12是其中吸熱器僅被放置在外周區(qū)域處的臺(tái)的俯視圖。圖13是圖12所示的臺(tái)等的說(shuō)明側(cè)視圖。圖14是示出形成在晶片的外周中的凹口的周?chē)鷧^(qū)域的放大尺寸的俯視圖；圖14(a)顯示了其中保持激光照射單元的輻照點(diǎn)直徑恒定時(shí)，凹口的周?chē)鷧^(qū)域被處理的狀態(tài)；圖14(b)是示出其中輔照點(diǎn)直徑在凹口位置處增加的另一狀態(tài)；和圖14(c)顯示了圖14(b)的處理被執(zhí)行后的狀態(tài)。圖15是示出其中在將輻照點(diǎn)直徑設(shè)置為1mm時(shí)，激光照射單元聚焦在晶片的外周上的狀態(tài)的說(shuō)明正視圖。圖16是示出其中通過(guò)調(diào)節(jié)焦距以便輻照點(diǎn)直徑在激光照射單元的晶片的外周上為3mm，凹口的周?chē)鷧^(qū)域被處理的狀態(tài)的說(shuō)明正視圖。圖17是用于說(shuō)明其中激光照射單元沿晶片的徑向方向精細(xì)滑動(dòng)，以便處理寬度變得比輻照點(diǎn)直徑更大的處理狀態(tài)的正視圖。圖18(a)是其中裝入真空卡持(或吸盤(pán))機(jī)構(gòu)的臺(tái)的俯視圖。圖18(b)是圖18(a)的臺(tái)的說(shuō)明正視截面圖。圖19(a)是根據(jù)真空卡持機(jī)構(gòu)的改進(jìn)的臺(tái)的俯視圖。圖19(b)是圖19(a)的臺(tái)的說(shuō)明截面正視圖。圖20是根據(jù)真空卡持機(jī)構(gòu)的修改的臺(tái)的俯視圖。圖21是圖20的臺(tái)的截面正視圖。圖22是根據(jù)其中卡持機(jī)構(gòu)僅被放置在外周區(qū)域處的臺(tái)的俯視圖。圖23是圖22的臺(tái)的截面正視圖。圖24是示出根據(jù)反應(yīng)性氣體供給器等的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖25是示出根據(jù)反應(yīng)性氣體供給器等的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖26是示出根據(jù)反應(yīng)性氣體供給器等的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖27是示出根據(jù)輻射加熱器與反應(yīng)性氣體供給器之間的布置關(guān)系等的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖28是示出圖27所示設(shè)備的膜去除部的放大尺寸的橫截面正視圖。圖29是示出根據(jù)反應(yīng)性氣體供給器的反應(yīng)性氣體供給源等的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖30是示出根據(jù)輻射加熱器、反應(yīng)性氣體供給器等的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖31是沿圖30中的直線XXXI-XXXI的上述設(shè)備的俯視截面視圖。圖32是示出其中利用圖30所示相同裝置測(cè)量的在晶片的外端邊緣處的晶片溫度對(duì)比從將被加熱的部分附近沿徑向向內(nèi)方向的距離的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的曲線。圖33是示出臭氧分解半衰期對(duì)比溫度的曲線。圖34是示出根據(jù)其中噴嘴冷卻部、惰性反應(yīng)性氣體供給器等被附加使用的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖35是示出根據(jù)圖34的輻射加熱器的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖36是示出根據(jù)噴嘴冷卻部的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖37是示出根據(jù)其中附加使用氣體存儲(chǔ)器的改進(jìn)實(shí)施例的用于處理基板的外周部的設(shè)備的截面正視圖。圖38是示出其中附加使用透光外殼部的實(shí)施例的說(shuō)明正視圖。圖39是示出其中多條光纖被用作輻射加熱器的光學(xué)系統(tǒng)的實(shí)施例的說(shuō)明正視圖。圖40(a)是包括轉(zhuǎn)動(dòng)流形成部件的噴射端口形成部分的截面正視圖。圖40(b)是包括轉(zhuǎn)動(dòng)流形成部分的噴射端口形成部件的截面?zhèn)纫晥D。圖41是示出包括包含噴射噴嘴和排出噴嘴的處理頭部分的用于處理基板的外周部的設(shè)備的俯視截面視圖。圖42是圖41的用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖43是示出包含噴射噴嘴和排出噴嘴的用于處理基板的外周部的設(shè)備的改進(jìn)的說(shuō)明俯視圖。圖44是圖43所示用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖45(a)是示出圖43所示設(shè)備的噴嘴部分的放大尺寸的正視圖；和圖45(b)是其仰視圖。圖46(a)是示出在利用激光局部輻照旋轉(zhuǎn)晶片的背面的外周部時(shí)，晶片的正面上溫度分布的測(cè)量結(jié)果的說(shuō)明俯視圖。圖46(b)是示出沿圖46(a)所示晶片的背面的周向的溫度對(duì)比位置的測(cè)量結(jié)果的曲線。圖47是示出包括包含噴射噴嘴和排出噴嘴的處理頭的用于處理基板的外周部的設(shè)備的另一修改的說(shuō)明俯視圖。圖48是圖47所示用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖49是示出根據(jù)其中抽吸噴嘴被設(shè)置在晶片的半徑外部的修改的用于處理晶片的外周部的設(shè)備的示意結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖50是示出根據(jù)其中抽吸噴嘴相對(duì)于晶片被設(shè)置在噴射噴嘴的相對(duì)側(cè)處的修改的用于處理晶片的外周部的設(shè)備的示意結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖51是沿圖50的直線L1-L1的晶片外周部的周?chē)鷧^(qū)域的放大截面視圖。圖52是其中輻照方向從晶片的上側(cè)和半徑外部?jī)A斜向下指向晶片的外周部的用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明俯視圖。圖53是圖52所示用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖54是放大尺寸地顯示圖53所示照射單元和晶片的外周部的橫截面正視圖。圖55是不需要的膜被去除后的晶片的外周部的截面視圖。圖56是其中輻照方向正從晶片的側(cè)面指向晶片的照射單元的正視截面說(shuō)明視圖。圖57是其中輻照方向從晶片的下側(cè)和半徑外部?jī)A斜向上指向晶片的外周部的照射單元的說(shuō)明正視圖。圖58是包括傾斜照射單元和垂直照射單元的用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖59是包括用于在晶片上方精確移動(dòng)照射單元的機(jī)構(gòu)的用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖60是包括用于在晶片下方精確移動(dòng)照射單元的機(jī)構(gòu)的用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖61是示出包括柄杓型噴嘴的用于處理基板的外周部的設(shè)備的沿圖62的直線LXI-LXI的垂直截面視圖；圖62是沿圖61中的直線LXII-LXII的處理頭的垂直截面視圖。圖63是沿圖61的直線LXIII-LXIII的用于處理基板的外周部的設(shè)備的俯視截面視圖。圖64是沿圖61的直線LXIV-LXIV的用于處理基板的外周部的設(shè)備的俯視截面視圖。圖65是柄杓型噴嘴的透視圖。圖66是示出不需要的膜由圖61所示設(shè)備去除后的晶片的外周部的放大尺寸的說(shuō)明截面圖。圖67是圖61的用于處理基板的外周部的設(shè)備的俯視圖。圖68(a)到(c)是示出柄杓型噴嘴的短筒部和晶片外周之間的布置關(guān)系的設(shè)置實(shí)例的說(shuō)明俯視圖。圖69是用于測(cè)量柄杓型噴嘴的透光特性的實(shí)驗(yàn)中使用的實(shí)驗(yàn)設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖70是示出柄杓型噴嘴的改進(jìn)的透視圖。圖71是示出晶片外周的狀態(tài)的放大尺寸說(shuō)明截面視圖，從所述狀態(tài)利用其中使用圖70的柄杓型噴嘴的用于處理基部材料的外周部的設(shè)備去除不需要的膜。圖72是示出設(shè)有柄杓型噴嘴的用于處理基板的外周部的設(shè)備的排出系統(tǒng)的修改實(shí)施例的沿圖73的直線LXXII-LXXII的垂直截面視圖。圖73是沿圖72的直線LXXIII-LXXIII的上述設(shè)備的垂直截面視圖。圖74是沿圖75的直線LXXIV-LXXIV的垂直截面視圖，顯示了代替柄構(gòu)型噴嘴配置長(zhǎng)圓筒噴嘴的用于處理基板的外周部的設(shè)備。圖75是沿圖74的直線LXXIII-LXXIII的上述設(shè)備的處理頭的垂直截面視圖。圖76是上述長(zhǎng)圓筒噴嘴的俯視圖。圖77是放大尺寸地顯示利用圖74所示設(shè)備不需要的膜被去除后的設(shè)備的外周的說(shuō)明截面圖。圖78是其上層疊有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜的晶片的外周部的放大截面視圖；(a)顯示了有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜被去除前的狀態(tài)；(b)顯示了其中有機(jī)膜被去除但無(wú)機(jī)膜未被去除的狀態(tài)；并且(c)顯示了有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜被去除后的狀態(tài)。圖79是示出適于用于圖78所示兩種膜層疊晶片的用于處理基板的外周部的設(shè)備的示意結(jié)構(gòu)的說(shuō)明俯視圖。圖80是適于用于兩種膜層疊晶片的用于處理基板的外周部的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖81是適合用于兩種膜層疊晶片的用于處理基板的外周部的設(shè)備的第二處理頭(氣體導(dǎo)引部件)的俯視圖。圖82是其中沿圖81的直線LXXXII-LXXXII在周向(縱向方向)上顯露的第二處理頭的截面視圖。圖83是沿圖81中的直線LXXXIII-LXXXIII的第二處理頭(氣體導(dǎo)引部件)的截面視圖。圖84是示出使用與圖81所示相同的第二處理頭的實(shí)驗(yàn)結(jié)果并且顯示不需要的膜被去除后的膜厚度對(duì)比從晶片的外端部徑向向內(nèi)的距離的曲線。圖85是示出適于用于兩種膜層疊晶片的用于處理基板的外周部的設(shè)備的改進(jìn)的示意結(jié)構(gòu)視圖。圖86(a)是示出適于用于上述兩種膜層疊晶片的并且有機(jī)膜去除處理正在進(jìn)行的用于處理基板的外周部的設(shè)備的另一改進(jìn)的示意結(jié)構(gòu)的說(shuō)明正視圖。圖86(b)是示出無(wú)機(jī)膜去除處理正在進(jìn)行的圖86(a)的設(shè)備的說(shuō)明正視圖。圖87是示出包括中央墊的臺(tái)結(jié)構(gòu)的改進(jìn)的垂直截面視圖。圖88是示出圖87的臺(tái)結(jié)構(gòu)的固定筒和旋轉(zhuǎn)筒之間的周?chē)鷧^(qū)域的放大尺寸垂直截面圖。圖89(a)是沿圖88的直線LXXXIXA-LXXXIXA的臺(tái)的軸組件的水平截面視圖。圖89(b)是沿圖88的直線LXXXIXB-LXXXIXB的臺(tái)的軸組件的水平截面視圖。—圖89(c)是沿圖88的直線LXXXIXC-LXXXIXC的臺(tái)的軸組件的水平截面視圖。圖90是示意性地顯示第二處理頭的改進(jìn)的截面正視圖。圖91是第二處理頭(氣體導(dǎo)引部件)的俯視圖；圖92是示出其周?chē)L(zhǎng)度增加的氣體導(dǎo)引部件的俯視圖。圖93是示出其周?chē)L(zhǎng)度減小的氣體導(dǎo)引部件的俯視圖。圖94(a)到94(e)是示出氣體導(dǎo)引部件的截面結(jié)構(gòu)的幾個(gè)修改實(shí)施例的截面視圖。圖95是示出能夠處理需要加熱的膜的氣體導(dǎo)引部件的實(shí)施例的俯視圖。圖96是沿圖95中的直線XCVI-XCVI的放大截面視圖；圖97是示出能夠處理形成在晶片的外周的定向平面或凹口的用于處理基板的外周部的設(shè)備的目標(biāo)部分的截面?zhèn)纫晥D。圖98是圖97的俯視圖，(a)顯示了其中晶片從盒拾取的狀態(tài)；(b)顯示了其中晶片被對(duì)準(zhǔn)的另一狀態(tài)；和(c)顯示了其中晶片被設(shè)置到所述部分的另一狀態(tài)。圖99(a)到99(i)是示出隨著時(shí)間的流逝，在圖97的目標(biāo)部分處，不需要的膜如何從晶片的外周部被去除的俯視圖。圖100是其中存儲(chǔ)在噴嘴調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的控制部件中的供給噴嘴位置的設(shè)置信息以曲線的形式顯示的視圖。圖101是以放大方式顯示晶片的定向平面的俯視圖。圖102是采用曲線的形式顯示圖100的設(shè)置信息的修改實(shí)例的視圖。圖103是示出無(wú)需對(duì)準(zhǔn)能夠處理晶片的外周部的設(shè)備的目標(biāo)部分的截面?zhèn)纫晥D。圖104是圖103的俯視圖，(a)顯示了其中晶片從盒拾取的狀態(tài)；和(c)顯示了其中晶片被設(shè)置到目標(biāo)部分的另一狀態(tài)。圖105(a)到105(e)是順序顯示每1/4循環(huán)用于去除涂覆在圖103和104所示設(shè)備的處理部分中的晶片的外周部上的不需要的膜的步驟的俯視圖。圖106是示出圖103和104的設(shè)備的操作的流程圖。圖107是示出圖103和104的設(shè)備的操作的修改實(shí)施例的流程圖。圖108是示出利用臭氧有機(jī)膜的蝕刻速度和溫度的關(guān)系的曲線。標(biāo)號(hào)的描述10……臺(tái)10a……支撐表面13.....吸附孔(或吸孔，抽吸孔)14……抽吸通路(或吸引通路)15.....吸附槽(或吸槽，抽吸槽)16.....環(huán)形槽17……連通槽20.....激光加熱器(輻射加熱器)21……激光源22……照射單元(照射器，或輻照器)23....光纖電纜(光傳輸系統(tǒng))30.....等離子噴嘴頭(反應(yīng)性氣體源)36.....噴射噴嘴36a.....噴射端口41.....冷卻介質(zhì)室(吸熱器)41C.....環(huán)形冷卻室"U，41L……冷卻介質(zhì)室(吸熱器)46.....冷卻介質(zhì)通路(吸熱器)47.....環(huán)形通路46.....連通通路Pe.....珀?duì)柼?Peltier)元件(吸熱器)70.....臭氧發(fā)生器(反應(yīng)性氣體源)75.....噴射噴嘴76.....抽吸噴嘴(或吸嘴)90晶片(基板)90a....晶片的外周部(或晶片的外周邊部分).92.....有機(jī)膜93.....諸如凹口、定向平面等的切割部分。94.....無(wú)機(jī)膜92c，94c.....晶片的外周部上的膜(不需要的物質(zhì))(或多余的物質(zhì)，無(wú)用的物質(zhì))100..第一處理頭110.....臺(tái)主體111....中央頭120.....紅外線加熱器(輻射加熱器)121.....紅外線燈(光源)122.....會(huì)聚光學(xué)系統(tǒng)(照射器，或輻照器)140.....旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)(旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置)150……旋轉(zhuǎn)筒160……柄杓型噴嘴162.....引入部161.....筒部161a.....蓋部180.....固定筒Gl，G2.....墊圈200....第二處理頭(氣體導(dǎo)引部件)201.....插入開(kāi)口202....導(dǎo)引通路204.....透光部件346.....噴嘴位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)350.....控制器375.....供給噴嘴(噴射噴嘴)P.....目標(biāo)位置C.....環(huán)形表面具體實(shí)施方式以下將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖1到3顯示了本發(fā)明的第一實(shí)施例。首先，將描述作為處理目標(biāo)的基板。如圖1和2的虛線所示，基板例如是半導(dǎo)體晶片90，并具有圓形薄板狀的結(jié)構(gòu)。如圖3所示，例如由光致抗蝕劑組成的膜92涂覆在晶片90的上表面或正面上。光致抗蝕劑的吸收波長(zhǎng)從1500nm到2000nm。所述膜92不僅覆蓋晶片90的整個(gè)上表面，而且還通過(guò)外端面到達(dá)背面的外周部(或外周邊部分)。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例提供了一種的設(shè)備，用于去除作為不需要(或不要的，不必要的，無(wú)用的)的物質(zhì)、涂覆在晶片90背面的外周表面上的膜92c。應(yīng)該注意本發(fā)明不局限于用于去除諸如晶片90的基板的背面的外周部上的膜的類(lèi)型的設(shè)備，而且還能夠應(yīng)用于用于去除外周部和正面的外端面上的膜的其它類(lèi)型的設(shè)備。如圖1和圖2所示，用于處理基板的外周部的設(shè)備包括框架50;作為用于支撐晶片90的支撐器的臺(tái)10;作為輻射加熱器的激光加熱器20;和作為用于供給反應(yīng)性氣體的供給器的等離子噴嘴頭30。所述框架50包括穿孔的圓盤(pán)狀底板51;和從所述底板51的外周向上突起的圓筒形周壁52。所述框架50具有截面成L型的環(huán)形結(jié)構(gòu)，并被固定到未示出的支撐基座。所述臺(tái)10以由框架50包圍的方式設(shè)置在框架50內(nèi)部。在俯視圖中，所述臺(tái)10具有與周壁52同心的圓形結(jié)構(gòu)，但具有比周壁52更小的直徑。所述臺(tái)10的周邊側(cè)表面以向下直徑減小的方式逐漸變細(xì)。所述臺(tái)10與未示出的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，并利用旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)繞中心軸11旋轉(zhuǎn)。也可以接受的是臺(tái)10是固定的，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)被連接到框架50并且所述框架50被旋轉(zhuǎn)。處理晶片90被水平放置在臺(tái)10的上表面10a(支撐表面，正面)上，其中心與臺(tái)10的中心一致。雖然并未示出，真空或靜電卡持(卡盤(pán)，或吸盤(pán)))機(jī)構(gòu)被裝入臺(tái)10中。利用這種吸附卡持機(jī)構(gòu)，所述晶片90被吸附并被固定在臺(tái)10的支撐表面10a上。所述臺(tái)10的上表面的直徑略小于圓形的晶片90的直徑。相應(yīng)地，對(duì)于放置在臺(tái)10上的晶片90，晶片90的外周部的整個(gè)周邊略微徑向向外突出。即，所述晶片90的外周部被定位在虛擬包圍臺(tái)10的上表面的外周的虛環(huán)形表面C處。所述晶片90的外周部的突出量(虛環(huán)形表面C的寬度)例如是3到5mm。由于這種布置，所述晶片90的背面在整個(gè)外周的狹窄部分處被暴露(敞開(kāi))。另一方面，位于狹窄部分內(nèi)的部分，即晶片90的整個(gè)背面的大部分，與臺(tái)10的上表面鄰接并被覆蓋。晶片90背面的外周被放置在臺(tái)10上的位置是將被處理的目標(biāo)位置P。這個(gè)目標(biāo)位置P被定位在虛環(huán)形表面C上。作為形成臺(tái)10的材料，例如使用導(dǎo)熱性好并且?guī)缀醪粫?huì)導(dǎo)致出現(xiàn)金屬污染的鋁。也可以接受的是為了獲得對(duì)反應(yīng)性氣體的抗腐蝕性，通過(guò)陽(yáng)極氧化在外部表面上形成氧化鋁層，并且諸如PTTE的氟樹(shù)脂浸透在其中。用于從上表面10a吸熱的吸熱器被設(shè)置在處理裝置的臺(tái)10上。具體地，臺(tái)10的內(nèi)部是中空的，并且所述中空的內(nèi)部被限定為冷卻介質(zhì)(或制冷劑。冷卻劑)室41(吸熱器)。所述冷卻介質(zhì)室41具有充足的內(nèi)部容積。所述冷卻介質(zhì)室41延伸遍及臺(tái)10的整個(gè)面積(沿周向的整個(gè)外周和沿徑向方向的整體)。所述冷卻介質(zhì)室41與冷卻介質(zhì)供給通路42和冷卻介質(zhì)排出通路43連通。冷卻介質(zhì)供給通路42和冷卻介質(zhì)排出通路43連通從臺(tái)10延伸通過(guò)中心軸11的內(nèi)部。所述冷卻介質(zhì)供給通路42的上游端被連接到未示出的冷卻介質(zhì)供給源。通過(guò)冷卻介質(zhì)供給通路42，所述冷卻介質(zhì)供給源將例如作為冷卻介質(zhì)的水供給到冷卻介質(zhì)室41。由此，冷卻介質(zhì)室41充滿水。水溫可以是常溫的。通過(guò)冷卻介質(zhì)排出通路43，作為冷卻介質(zhì)的水被適當(dāng)?shù)嘏懦?，并通過(guò)冷卻介質(zhì)供給通路42被重新供給。所述排出的冷卻介質(zhì)可被返回到冷卻介質(zhì)供給源，以便它能夠再次被冷卻用于再循環(huán)。代替水，可以使用空氣、氦等作為冷卻介質(zhì)。也可以接受的是冷卻介質(zhì)可采用壓縮流體的形式，并且壓縮流體被有力地送入冷卻介質(zhì)室41，以便它在冷卻介質(zhì)室41內(nèi)流動(dòng)。所述吸熱器可至少被布置在臺(tái)10的外周部(緊接晶片90外周的突出部分的內(nèi)部部分)處，且不布置在中央部分處。所述臺(tái)10位于臂50的底板51的上方，并位于周壁52的頂部和底部之間的大體中間高度處。所述臺(tái)10的直徑比底板51的內(nèi)周邊更大。由于這種布置，底板51的內(nèi)端邊緣徑向進(jìn)入臺(tái)10的下側(cè)(背側(cè))的內(nèi)部。迷宮式密封件60被設(shè)置在臺(tái)10的下表面和底板51的內(nèi)周邊緣之間。所述迷宮式密封件60包括一對(duì)上部和下部迷宮環(huán)61，62。所述上部迷宮環(huán)61包括與臺(tái)10同心的多個(gè)多環(huán)形吊掛件61a,并被固定到臺(tái)10的下表面。所述下部迷宮環(huán)62包括多個(gè)與框架50同心從而與臺(tái)10同心的多環(huán)狀突出件62a，并被固定到框架50的底板51的上表面。所述上部迷宮環(huán)61的吊掛件61a和下部迷宮環(huán)62的突出件62a以"之字型"方式彼此結(jié)合。所述框架50、臺(tái)10和迷宮密封60限定了環(huán)形空間50a。從迷宮環(huán)62的每個(gè)凹谷部延伸的抽吸通路51c形成在框架50的底板51中。通過(guò)管道系統(tǒng)，所述抽吸通路51c被連接到包括真空泵、排出處理系統(tǒng)等的吸入(或抽吸)/排出裝置(未示出)。所述抽吸通路51c、管道系統(tǒng)和吸入/排出處理系統(tǒng)構(gòu)成"環(huán)形空間抽吸裝置"。所述激光加熱器20的照射單元22(照射器)連接到框架50的迷宮環(huán)62的徑向外部，以便向下離開(kāi)臺(tái)10的外周邊緣。所述激光加熱器20包括作為點(diǎn)光源的激光源21;和照射單元22，所述照射單元22通過(guò)諸如光纜的光傳輸系統(tǒng)23被光學(xué)連接到激光源21。例如，LD(半導(dǎo)體)激光源被用作激光源21。所述激光源21發(fā)射出發(fā)射波長(zhǎng)為808nm到940rim的激光束(熱束)。所述發(fā)射波長(zhǎng)可被設(shè)置在對(duì)應(yīng)于涂覆在晶片90上的光致抗蝕劑膜92的吸收波長(zhǎng)的范圍中。所述激光源21并不局限于LD，可以從諸如YAG、受激準(zhǔn)分子等的多種其它類(lèi)型的光源選擇。由激光源21輸出的激光波長(zhǎng)優(yōu)選地比可見(jiàn)光的波長(zhǎng)更長(zhǎng)，以便容易被膜92吸收。更優(yōu)選地，激光源21輸出的波長(zhǎng)與膜92的吸收波長(zhǎng)匹配。也可以接受的是光源21被容納在單元22中，并且省去諸如光纖的光傳輸系統(tǒng)23。所述激光照射單元22比等離子噴嘴頭30更遠(yuǎn)離目標(biāo)位置P。如圖2所示，多個(gè)(圖2中3個(gè))激光照射單元22沿框架50的周向，從而沿臺(tái)10的周向，被等距離地設(shè)置。如圖1所示，激光照射單元22被布置在經(jīng)過(guò)目標(biāo)位置P并與延伸表面垂直的直線Ll上。所述激光照射單元22的激光輻照方向被定向在剛好直線L2上方并與臺(tái)10上的晶片90的外周部垂直(交叉)。諸如凸透鏡、柱面透鏡等的多個(gè)光學(xué)部件被容納在激光照射單元22中。如圖3所示，利用激光照射單元22，從光源21發(fā)射的激光L被朝向目標(biāo)位置P，即放置在臺(tái)10上的晶片90的背面的外周部會(huì)聚。焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)被裝入激光照射單元22中。通過(guò)使用這種焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述激光束能夠被正確地聚焦在目標(biāo)位置P上，并且，另外，激光束的焦點(diǎn)能夠相對(duì)于目標(biāo)位置P略微上下偏置。由于上述布置，晶片90的外周部上的聚光直徑和由此被加熱部分的區(qū)域，以及輻照能量的密度和由此被加熱部分的加熱溫度能夠得到調(diào)節(jié)。所述焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括滑動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于例如沿光軸方向滑動(dòng)布置在激光照射單元22內(nèi)的聚焦透鏡。所述焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可以是其中整個(gè)激光照射單元沿光軸方向滑動(dòng)的類(lèi)型。所述光傳輸系統(tǒng)23和照射單元22構(gòu)成"光學(xué)系統(tǒng)"，用于以不擴(kuò)散的方式，在熱光源被傳送到目標(biāo)位置附近后，將從光源21發(fā)射的熱光源會(huì)聚和輻照向目標(biāo)位置。如圖1所示，等離子噴嘴頭30連接到框架50的周壁52。所述等離子噴嘴頭30被徑向設(shè)置在目標(biāo)位置P夕卜，并相對(duì)于目標(biāo)位置P，以與激光照射單元22彼此不同的方向布置。如圖2所示，作為激光照射單元22的相同數(shù)目(在圖2中3個(gè))的等離子噴嘴頭30沿臺(tái)10的周向(周邊方向)以相同間隔布置。而且，每個(gè)等離子噴嘴頭30沿與相應(yīng)激光照射單元22相同的周向布置，或設(shè)置在沿晶片90的旋轉(zhuǎn)方向在相應(yīng)的激光照射單元22的略微下游側(cè)的位置處，以便與對(duì)應(yīng)的激光照射單元22形成一對(duì)。所述等離子噴嘴頭30具有逐漸變細(xì)的臺(tái)階狀圓柱形結(jié)構(gòu)。所述等離子噴嘴頭30布置為沿臺(tái)10的徑向方向水平定向其軸線。如圖1所示，等離子噴嘴頭30在其中容納一對(duì)電極31，32。所述電極31，32具有雙管狀結(jié)構(gòu)，并且環(huán)形常壓空間30a被形成在電極31，32之間。固態(tài)電介質(zhì)被涂覆在電極31，32中的至少一個(gè)的相對(duì)表面上。內(nèi)電極31與未示出的電源(電場(chǎng)發(fā)生裝置)連接，并且外電極32接地。電源向電極31例如輸出脈沖狀的電壓。期望的是所述脈沖的上升時(shí)間和/或下降時(shí)間為10微秒或更小，電極間空間中的電場(chǎng)強(qiáng)度是10到1000k/cm，并且頻率是0.5kHz。代替脈沖電壓，可以輸出諸如正弦波等的連續(xù)波狀的電壓等。面對(duì)電極間空間30a的臺(tái)10側(cè)的相對(duì)側(cè)的基端部(上游端)與未示出的處理氣體供給源連接。所述處理氣體供給源例如在其中儲(chǔ)存著氧氣等作為處理氣體，并每次將合適量的氣體供給到電極間空間30a。如圖3很好地顯示，等離子噴嘴頭30被設(shè)置在面對(duì)臺(tái)10側(cè)的遠(yuǎn)端部，且具有圓盤(pán)狀的樹(shù)脂制成的噴射端口形成部件33。噴射端口30b形成在所述噴射端口形成部件33的中央部分中。所述噴射端口30b被連接到面對(duì)電極間空間30a的臺(tái)10側(cè)的下游端。所述噴射端口30b位于臺(tái)10的上表面10a的延伸表面上或略低于它，以便噴射端口30b的軸線沿臺(tái)10的徑向方向水平定向，并向等離子噴嘴頭30的遠(yuǎn)端開(kāi)口。所述等離子噴嘴頭30的遠(yuǎn)端且由此噴射端口30b被布置在目標(biāo)位置P附近，這樣當(dāng)晶片90被放置在臺(tái)10上時(shí)，等離子噴嘴頭30的遠(yuǎn)端等極靠近晶片90的外端邊緣。處理氣體被等離子化變成的反應(yīng)性氣體G沿噴射端口30b的軸線被噴射出。所述噴射方向與激光加熱器20的激光束L的輻照方向垂直(具有角度)。噴射方向與輻照方向之間的交叉部分通常位于放置在臺(tái)10上的晶片90的外周部的背面(或反面)。抽吸端口(或吸附端口，吸入端口)30c在遠(yuǎn)端表面形成部件34和噴射端口形成部件33之間形成在等離子噴嘴頭30的遠(yuǎn)端表面中。所述抽吸端口30c具有設(shè)置在噴射端口30b附近以圍繞噴射端口30b的環(huán)形結(jié)構(gòu)。如圖1所示，通過(guò)形成在等離子噴嘴頭30中的抽吸通路30d，抽吸端口30c被連接到未示出的吸入(或抽吸)/排出裝置。所述抽吸端口30c、抽吸通路30d和吸入/排出裝置構(gòu)成了"噴射端口附近抽吸(或吸附，吸入)裝置"或"環(huán)形空間抽吸(或吸附，吸入)裝置"。所述等離子噴嘴頭30、電源、處理氣體供給源、吸入/排出裝置等構(gòu)成了常壓等離子處理裝置。現(xiàn)在將描述使用用于去除如此結(jié)構(gòu)的晶片的外周部的設(shè)備，用于去除涂覆在晶片90的背面的外周部(或外周邊部分)上的膜92c的方法。利用傳送機(jī)器人等，將被處理的晶片90被同心地放置在臺(tái)10的上表面上并被吸住。在整個(gè)外周，所述晶片90的外周部徑向突出到臺(tái)10夕卜。激光束L被從激光加熱器20的激光照射單元22發(fā)射，以便通常聚焦在晶片90的突出的外周部的背面，或目標(biāo)位置P。通過(guò)如此做，涂覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c能夠以點(diǎn)樣狀態(tài)(局部)被輻照加熱。由于激光束L是點(diǎn)聚集光，激光能量能夠高密度地被施加到被加熱部分(在激光的波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于膜92c的吸收波長(zhǎng)的情況下，吸收效率能夠進(jìn)一步提高)。由此，膜92c的被加熱的點(diǎn)狀部分能夠被瞬時(shí)加熱到數(shù)百度(例如，攝氏600度)。由于這是輻照加熱，晶片90的被加熱部分無(wú)需與加熱源接觸并且也不會(huì)產(chǎn)生粒子(或微粒)。與前述操作同時(shí)，處理氣體(氧氣等)從處理氣體供給源被供給到等離子噴嘴頭30的電極間空間30a。而且，脈沖電壓從脈沖源被供給到電極31，并且脈沖電壓被引至電極間空間30a。通過(guò)這樣做，常壓輝光放電等離子體形成在電極間空間30a內(nèi)，并且諸如臭氧和氧基的反應(yīng)性氣體由諸如氧氣的處理氣體形成。這種反應(yīng)性(或活性)氣體通過(guò)噴射端口30b被噴出，并剛好噴射在晶片90的背面處的被局部加熱部分上，從而發(fā)生反應(yīng)。這使得可以利用蝕刻去除涂覆在所述部分上的膜92c。由于所述部分被局部充分加熱到高溫，蝕刻速度能夠得以滿意地提高。而且，利用抽吸裝置，停留在被執(zhí)行蝕刻的部分周?chē)臍怏w能夠被吸入抽吸端口30c，并通過(guò)抽吸通路30d排出。因此，通過(guò)快速去除處理過(guò)的反應(yīng)性氣體和在被執(zhí)行蝕刻的部分的周邊區(qū)域由蝕刻導(dǎo)致的副產(chǎn)品，能夠提高蝕刻速度。而且，還能夠防止氣體流到晶片90的正面。而且，利用抽吸裝置，處理過(guò)的反應(yīng)性氣體等能夠從晶片90的外周部的周邊區(qū)域沿迷宮密封件60的方向被導(dǎo)引，并通過(guò)迷宮密封件60形成的間隙被抽吸和排出。還能夠可靠地防止所述反應(yīng)性氣體從迷宮密封件60沿徑向向內(nèi)流動(dòng)。與上述操作并行地，臺(tái)10被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)。通過(guò)如此做，涂覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c的去除范圍能夠沿周向發(fā)展，從而能夠從整個(gè)周邊去除涂覆在背面的外周部上的膜92c。通過(guò)使用臺(tái)10和框架50之間的迷宮密封件60，臺(tái)10能夠不與框架50有任何摩擦地平穩(wěn)旋轉(zhuǎn)。利用加熱操作處理，晶片90的被加熱部分的熱量有時(shí)被傳導(dǎo)到沿徑向位于晶片90內(nèi)側(cè)的部分。通過(guò)晶片90與臺(tái)10之間的接觸表面，所述熱量被傳送到臺(tái)10，并被充入冷卻介質(zhì)室41中的水吸收。這使得可以抑制位于晶片90的被加熱部分內(nèi)側(cè)的部分的溫度增加。因此，能夠抑制涂覆在晶片90的內(nèi)部部分的膜92由熱量導(dǎo)致的質(zhì)量改變。而且，即使在反應(yīng)性氣體流到晶片90的上表面的中央側(cè)的情況下，也能夠抑制其與膜92的反應(yīng)。這使得可以防止膜92上出現(xiàn)損壞，并且膜92能夠可靠地保持良好質(zhì)量。由于水量充分大并且由此冷卻介質(zhì)室41中儲(chǔ)存的熱容量非常大，因此能夠滿意地獲得吸熱能力。通過(guò)經(jīng)供給通路41和排出通路42更換冷卻介質(zhì)室41中的水，吸熱能力能夠得以更充分地保持。這使得可以可靠地抑制位于晶片90的外周部?jī)?nèi)的部分處溫度的增加，膜92能夠可靠地被防止損壞。在晶片的外端邊緣從臺(tái)10突出3mm并且冷卻介質(zhì)室41中的水溫是50攝氏度、23.5攝氏度和5.2攝氏度的條件下，使用與圖1中相同的裝置，本發(fā)明人測(cè)量了晶片的表面溫度與從晶片的外端邊緣的被加熱部分附近在徑向向內(nèi)方向上的距離的關(guān)系。所述激光加熱器20的輸出條件如下激光發(fā)射光波長(zhǎng)808nm輸出30W被局部加熱的部分的直徑0.6mm輸出密度100w/mm2振蕩形式連續(xù)波結(jié)果如圖4所示。圖4(a)是將晶片的外端邊緣的被加熱部分的周邊部(略離開(kāi)非常接近部分的位置)用作水平軸的原點(diǎn)的曲線；圖4(b)是將晶片的外端邊緣的被加熱部分的非常接近的部分用作水平軸的原點(diǎn)的曲線。在水溫是作為常溫的23.5攝氏度的情況下，在接近晶片的外端邊緣的被加熱部分的部分中，利用從被加熱部分傳導(dǎo)的熱量，溫度被上升到約110攝氏度(圖4(a)),并且在被加熱部分的非常接近的部分中，溫度被升高到約300攝氏度(在被加熱部分中，溫度上升到600攝氏度或更高攝氏度(圖4(b))。然而，在從那里徑向向內(nèi)離開(kāi)僅3mm的中央部分中，溫度被保持在50或更低攝氏度。由于上述特性，可以確認(rèn)即使在作為反應(yīng)性氣體的臭氧流到晶片的正面的中央部的情況下，也很難出現(xiàn)反應(yīng)，并且能夠抑制膜92被損壞。而且，在晶片的外端邊緣從臺(tái)10突出3mm，并且激光輸出是80W和100W的情況下，通過(guò)溫度記錄法并使用與圖1中相同的裝置，本發(fā)明人還測(cè)量了晶片的表面溫度與從晶片的外端邊緣的被加熱部分附近在徑向向內(nèi)方向上的距離的關(guān)系。所有其它條件如下晶片直徑300mra被局部加熱的部分的直徑1mm臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度3rpm臺(tái)的冷卻介質(zhì)室中的水溫23.5攝氏度。因此，如圖5所示，在晶片外端邊緣的被加熱部分的非常接近部分處的表面溫度大約為300攝氏度(在被加熱部分處約700到800攝氏度)，但晶片溫度從那里徑向向內(nèi)突然降低，并在從那里徑向向內(nèi)僅3mm遠(yuǎn)的部分處甚至低于100攝氏度。由于這種特性，可以確認(rèn)抑制了涂覆在晶片的中央部上的膜的損壞。接下來(lái)，將描述本發(fā)明的其它實(shí)施例。在下文描述的實(shí)施例中，合適時(shí)，對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施例中的部件由圖中相同的標(biāo)號(hào)指示，并且適當(dāng)時(shí)，它們的描述將被省略。在圖6中所示的臺(tái)10中，利用水平隔板45，冷卻介質(zhì)室被分成上部(支撐表面?zhèn)?第一室部分41U和下部(與支撐表面相反的相反側(cè))第二室部分41L。所述隔板45的直徑小于臺(tái)10的周壁的內(nèi)徑；并且因此，上部第一室部41U和下部第二室部41L在隔板45外的空間彼此連接。構(gòu)成冷卻介質(zhì)供給通路42的管的一個(gè)端部被連接到隔板45的中央部分，并且冷卻介質(zhì)供給通路42被連接到上部第一室部41U。類(lèi)似地，構(gòu)成冷卻介質(zhì)排出通路43的管的一個(gè)端部被連接到臺(tái)10的底板的中央部分，并且冷卻介質(zhì)排出通路43被連接到下部第二室部41L。上部第一室部41U和下部第二室部41L構(gòu)成作為吸熱器的冷卻介質(zhì)通路。通過(guò)冷卻介質(zhì)供給通路42，冷卻介質(zhì)被導(dǎo)引入上部(支撐表面?zhèn)?第一室部分41U的中央部分，并以徑向向外擴(kuò)散的方式流動(dòng)。然后，冷卻介質(zhì)圍繞隔板45的外端邊緣移動(dòng)，進(jìn)入下部(與支撐表面相反的相反側(cè))第二室部分41L內(nèi)，其中在第二室部分41L內(nèi)冷卻介質(zhì)徑向向內(nèi)流動(dòng)，并且然后，通過(guò)中央冷卻介質(zhì)排出通路43排放。由于上述布置，整個(gè)臺(tái)10能夠可靠地得到冷卻，并且因此，晶片90能夠均勻可靠地得到冷卻。因此，涂覆在上表面上的膜92能夠可靠地得以保護(hù)。由于冷卻介質(zhì)被首先導(dǎo)引入接近支撐表面10a從而接近晶片90的一側(cè)的第一室部分41U，吸熱效率能夠得到更好地提高。在圖6的實(shí)施例中，冷卻介質(zhì)供給通路42和冷卻介質(zhì)排出通路43被平行布置。如圖7所示，也可以接受的是冷卻介質(zhì)供給通路42穿過(guò)冷卻介質(zhì)排出通路43，以便形成雙層管狀結(jié)構(gòu)。在圖8的實(shí)施例中，冷卻介質(zhì)通路46被提供作為臺(tái)10內(nèi)的吸熱裝置。冷卻介質(zhì)通路46是螺旋結(jié)構(gòu)的。冷卻介質(zhì)供給通路42被連接到螺旋冷卻介質(zhì)通路46的外周側(cè)的端部，并且冷卻介質(zhì)排出通路43被連接到中央側(cè)的端部。由于這種布置，冷卻介質(zhì)螺旋地從外周側(cè)(或外周側(cè))流動(dòng)到冷卻介質(zhì)通路46的內(nèi)周側(cè)(或內(nèi)周邊側(cè))。因此，接近晶片90外周部的一側(cè)能夠得到充分冷卻。因此，從外周部傳導(dǎo)的熱量能夠被可靠地吸收，并且涂覆在上表面上的膜92能夠被可靠地保護(hù)。雖然未詳細(xì)顯示，不僅中央側(cè)的冷卻介質(zhì)排出通路43而且外周側(cè)的冷卻介質(zhì)供給通路42都穿過(guò)臺(tái)10的中心軸11。冷卻介質(zhì)供給通路42例如在臺(tái)10的底板和冷卻介質(zhì)通路46之間從中心軸11側(cè)徑向向外延伸，并且被連接到冷卻介質(zhì)通路46的外周側(cè)的端部。在臺(tái)10被固定且框架50旋轉(zhuǎn)的情況下，冷卻介質(zhì)供給通路42不需要穿過(guò)中心軸11。其中冷卻介質(zhì)從外周側(cè)流向臺(tái)10的中心的布置并不局限于圖8的螺旋結(jié)構(gòu)。例如，圖9中所示的臺(tái)10內(nèi)的冷卻介質(zhì)通路包括多個(gè)同心環(huán)形通路47;和用于相互連通所述多個(gè)環(huán)形通路47的連通通路48。多個(gè)連通通路48沿周向在相鄰環(huán)形通路47之間等間距地設(shè)置。單個(gè)環(huán)形通路47設(shè)置在它們之間的徑向外側(cè)的連通通路48和徑向內(nèi)側(cè)的連通通路48被布置為沿周向相互移位。在沿周向彼此等間距間隔開(kāi)的多個(gè)位置處，冷卻介質(zhì)供給通路42被分支，并被連接到最外的環(huán)形通路47。冷卻介質(zhì)排出通路43的基端部被連接到中央環(huán)形通路47。由于上述布置，如圖9的箭頭所示，在沿外部環(huán)形通路47在周向上分支和流動(dòng)后，冷卻介質(zhì)被會(huì)聚在連通通路48，并流入下一個(gè)內(nèi)側(cè)環(huán)形通路47，在下一個(gè)內(nèi)側(cè)環(huán)形通路47，冷卻介質(zhì)再次沿周向被分支和流動(dòng)。在重復(fù)這個(gè)過(guò)程的同時(shí)，冷卻介質(zhì)從臺(tái)10的外周側(cè)流向中心。如在圖1等的情況下，圖10(a)禾卩10(b)中所示的臺(tái)10具有被限定為冷卻介質(zhì)室41的中空內(nèi)部。冷卻介質(zhì)供給通路42被分支和連接到沿冷卻介質(zhì)室41的外周部的周向彼此等間隔隔開(kāi)的位置。冷卻介質(zhì)排出通路從冷卻介質(zhì)室41的中央部分延伸。由于這種布置，冷卻介質(zhì)被導(dǎo)引到冷卻介質(zhì)室41的外周部，并流向中央。冷卻介質(zhì)室41構(gòu)成了同心冷卻介質(zhì)通路。在圖6到10中，冷卻介質(zhì)供給通路42和冷卻介質(zhì)排出通路43的布置可顛倒。通過(guò)這樣做，上部冷卻介質(zhì)室41U中的冷卻介質(zhì)流被從外周側(cè)導(dǎo)引到中心。在如圖11所示的實(shí)施例中，代替冷卻介質(zhì)系統(tǒng)，吸熱元件被用作吸熱裝置。即，作為吸熱裝置的珀?duì)柼?Peltier)元件被裝入臺(tái)10中。珀?duì)柼e被布置為接近臺(tái)10的上表面10a，以便其吸熱側(cè)指向上(臺(tái)10的上表面10a側(cè))。由于這種布置，晶片90的熱量能夠通過(guò)臺(tái)10的上板吸收。所述臺(tái)10可在珀?duì)柼e下配置風(fēng)扇、散熱片等，以增強(qiáng)從珀?duì)柼e的熱量擴(kuò)散側(cè)的散熱。至此描述的實(shí)施例的吸熱裝置被設(shè)置在臺(tái)10的通常整個(gè)區(qū)域上，并且熱量被從基板的整個(gè)支撐表面吸收。然而，同樣可以接受的是如圖12和13所示，吸熱裝置僅被設(shè)置在臺(tái)10的外周部。環(huán)形分隔壁12被同心地放置在臺(tái)10內(nèi)。所述臺(tái)10被環(huán)形分隔壁12分成外周區(qū)域10Ra和中央?yún)^(qū)域10Rb。冷卻介質(zhì)供給通路42和冷卻介質(zhì)排出通路43被連接到位于環(huán)形分隔壁12外部的外周區(qū)域10Ra。由于這種布置，外周區(qū)域10Ra的內(nèi)部用作冷卻介質(zhì)室41(吸熱裝置)。另一方面，位于環(huán)形分隔壁12內(nèi)部的內(nèi)周區(qū)域10Rb不用作冷卻介質(zhì)室，但它用作吸熱裝置的非布置部分。所述晶片90的外周部徑向突出到臺(tái)10的外周區(qū)域10Ra外部。剛好位于突出部分內(nèi)的環(huán)形部分鄰接臺(tái)10的外周區(qū)域10Ra并由臺(tái)10的外周區(qū)域10Ra支撐，并且位于環(huán)形部分內(nèi)的中央?yún)^(qū)域鄰接臺(tái)10的中央?yún)^(qū)域10Rb并由臺(tái)10的中央?yún)^(qū)域10Rb支撐。由于上述布置，來(lái)自晶片90的外周部的被加熱部分的熱量被傳導(dǎo)到正好位于被加熱部分內(nèi)的部分，并在那里由臺(tái)10的外周區(qū)域10Ra吸收。另一方面，與晶片90的中心的熱量傳導(dǎo)無(wú)關(guān)的其余部分不會(huì)通過(guò)熱量被吸收而得到冷卻。這使得可以節(jié)省吸熱源。圖6到11中所示的實(shí)施例可以用作僅設(shè)置在臺(tái)10的外周區(qū)域10Ra處的吸熱裝置。如圖13中的實(shí)線指示，激光加熱器的照射單元22被設(shè)置在晶片90上方。由于這種布置，晶片90的外周部的正面被局部加熱，并且反應(yīng)性氣體被從反應(yīng)性氣體供給器的供給噴嘴30N供給到那里。通過(guò)如此做，能夠去除晶片90的外周部的正面上的不需要的膜。由圖13的虛線所示，在不需要的膜涂覆在晶片的外周部的背面的情況下，激光照射單元22優(yōu)選地設(shè)置在晶片90下方。如己在第一實(shí)施例中描述的，激光照射單元22設(shè)有焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。使用這種焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)能夠執(zhí)行如下的處理操作。如圖14所示，通常，例如，諸如凹口的切割部分93沿晶片90的外周部的周向設(shè)置在一個(gè)位置處。如圖14(a)所示，當(dāng)通過(guò)設(shè)定照射單元22在晶片90上的輻照點(diǎn)Ls的尺寸(輻照范圍)恒定而執(zhí)行處理操作時(shí)，存在凹口93的邊緣未被處理的可能(圖14(a)的陰影部分指示被處理部分)。因此，如圖14(b)所示，當(dāng)凹口93被送到目標(biāo)位置時(shí)，利用焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，激光照射單元22的焦點(diǎn)偏離光軸的方向。由于這種布置，輻照點(diǎn)Ls能夠變大，并且激光能夠恰好擊中凹口93的邊緣。因此，如圖14(c)所示，涂覆在凹口93的邊緣上的膜也能夠可靠地被去除。由于在輻照點(diǎn)Ls變大時(shí)能量強(qiáng)度降低，優(yōu)選地通過(guò)增加激光的輸出并減小晶片的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，以便每單位面積的能量將與輻照點(diǎn)Ls變大前的相同。在輻照點(diǎn)Ls經(jīng)過(guò)凹口93后，輻照點(diǎn)Ls的尺寸返回到其最初的尺寸。圖14顯示了真中凹口93被提供作為晶片90的外周的切割部分的實(shí)例。然而，即使在提供定向平面代替凹口93的情況下，通過(guò)執(zhí)行如上提及的相同操作(包括每單位面積的能量調(diào)節(jié)操作)，可以去除涂覆在定向平面的邊緣的膜。如圖15和16所示，使用激光照射單元22的焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，還能夠執(zhí)行處理寬度的調(diào)節(jié)。如圖15所示，利用焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，來(lái)自激光照射單元22的激光L通常聚焦在晶片90的外周上；并且在晶片90上的輻照范圍內(nèi)的點(diǎn)直徑例如約1咖的情況下，涂覆在晶片90的外周部上的膜92c能夠以約1mm的寬度被去除。另一方面，如圖16所示，在使用相同的激光照射單元22將獲得比上述處理寬度更大的處理寬度的情況下，通過(guò)焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)22F，激光L的焦點(diǎn)比晶片90偏離更遠(yuǎn)。通過(guò)如此做，晶片90上的輻照點(diǎn)直徑能夠增加，并能夠增加處理寬度。例如，在將獲得約3mm的處理寬度的情況下，焦點(diǎn)被調(diào)節(jié)，從而晶片90上的輻照點(diǎn)直徑約為3mm。在圖16中，進(jìn)行調(diào)節(jié)，以便激光L的焦點(diǎn)比晶片90偏離更遠(yuǎn)。還可以接受的是激光L在比晶片90更接近的位置形成焦點(diǎn)，然后，激光L向晶片90擴(kuò)展。如圖17所示，除激光照射單元22的焦點(diǎn)調(diào)節(jié)外，通過(guò)沿徑向方向滑動(dòng)激光照射單元22，也能夠調(diào)節(jié)處理寬度。利用徑向滑動(dòng)機(jī)構(gòu)22S，激光照射單元22能夠沿臺(tái)10的徑向方向從而沿晶片90的徑向方向，精細(xì)地滑動(dòng)。如圖13所示，在激光照射單元22中，激光通常聚焦在晶片90的外周上，并且在晶片90上的輻照點(diǎn)半徑例如被設(shè)定為約1,0為獲得例如約3腿的處理寬度，同時(shí)保持上述輻照點(diǎn)半徑，首先，如圖17的實(shí)線所示，激光照射單元22沿晶片90的徑向方向被定位，以便輻照點(diǎn)將到達(dá)離開(kāi)晶片90的外邊緣約3mm的位置。所述處理通過(guò)旋轉(zhuǎn)晶片90同時(shí)保持上述徑向方向執(zhí)行。當(dāng)如圖17的虛線所示，晶片90進(jìn)行一個(gè)完整的旋轉(zhuǎn)，利用滑動(dòng)機(jī)構(gòu)22S，照射單元22被徑向向外移位通常等于輻照點(diǎn)半徑的尺寸(約1腦)。在所述位置，在晶片90進(jìn)行另一完整旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，進(jìn)行處理。然后，在如圖17的雙點(diǎn)劃線所示，在晶片90的一個(gè)完整的旋轉(zhuǎn)后，利用滑動(dòng)機(jī)構(gòu)22S,照射單元22被進(jìn)一步徑向向外移位通常等于輻照點(diǎn)半徑的尺寸(約1mm)。在所述位置，在進(jìn)行晶片90的另一完整旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，進(jìn)行處理。通過(guò)如此做，處理寬度能夠?yàn)?mm。圖18(a)和18(b)顯示了其中裝有作為基板固定裝置的真空卡持(或吸盤(pán)，卡盤(pán))機(jī)構(gòu)的臺(tái)10。大量的吸附孔13以擴(kuò)散的狀態(tài)形成在由合適導(dǎo)熱金屬制成的臺(tái)10的上板中。通過(guò)抽吸通路14，所述吸附孔13被連接到未示出的諸如真空泵的抽吸裝置。所述吸附孔13的直徑盡可能地小。由于這種布置，可以獲得臺(tái)10和晶片90之間足夠的接觸面積。因此，能夠獲得晶片90的足夠的吸熱效率。圖19(a)和19(b)顯示了真空卡持機(jī)構(gòu)的修改實(shí)施例。代替點(diǎn)狀的吸附孔，吸附槽15形成在臺(tái)10的上表面中。吸附槽15包括多個(gè)同心環(huán)形槽16;和用于相互連通環(huán)形槽16的連通槽17。在每相鄰的環(huán)形槽16之間，連通槽17沿周向以等間隔布置。單個(gè)環(huán)形槽16設(shè)置在它們之間的相對(duì)徑向向外的連通槽17和相對(duì)徑向向內(nèi)的連通槽17沿周向彼此偏移。環(huán)形槽16和連通槽17的寬度盡可能地小。由于這種布置，能夠完全獲得臺(tái)10與晶片90之間的接觸面積，從而能夠完全獲得晶片90的吸熱效率。圖20和21顯示了吸附槽15的修改實(shí)施例。這種吸附槽15的連通槽17沿臺(tái)10的徑向方向直線延伸，從最里面的環(huán)形槽16直到最外面的環(huán)形槽16，以便橫穿過(guò)位于中間位置的環(huán)形槽16。沿臺(tái)10的周向，連通槽17以90度間隔布置。如圖21所示，環(huán)形冷卻室41C作為吸熱裝置形成在臺(tái)10內(nèi)。環(huán)形冷卻室41C被布置在接近臺(tái)10的外周的部分處，以便環(huán)形冷卻室41C與臺(tái)10同心。雖然未顯示，冷卻介質(zhì)供給通路42沿環(huán)形冷卻室41C的周向被連接到一個(gè)位置，并且冷卻介質(zhì)排放部分43被連接到180度的相對(duì)側(cè)。在圖18到21中，卡持機(jī)構(gòu)被設(shè)置在臺(tái)10的上表面的通常整個(gè)區(qū)域上。在圖22和23中所示的實(shí)施例中，卡持機(jī)構(gòu)僅被設(shè)置在臺(tái)10的上表面的外周區(qū)域處。環(huán)形突起10b形成在臺(tái)10的外周側(cè)的上表面上。對(duì)應(yīng)于此，俯視圖中具有環(huán)形結(jié)構(gòu)的淺凹部10c形成在臺(tái)10的中央部分。多個(gè)(例如，3個(gè))環(huán)形槽16被同心地形成在臺(tái)10的環(huán)形突起10b的平坦上表面中。如在上述圖19的情況下，環(huán)形冷卻室41C被限定在臺(tái)10內(nèi)。根據(jù)這種臺(tái)10，僅外周側(cè)的環(huán)形突起10b的上表面接觸晶片90的背面并吸附晶片90。由于臺(tái)10的中央部分設(shè)有凹部10c，中央部分不接觸晶片90。由于這種布置，臺(tái)10與晶片90之間的接觸區(qū)域能夠被減小到所需的最小值，并且減小接觸導(dǎo)致的粒子(微粒)。環(huán)形突起10b能夠被環(huán)形冷卻室41C冷卻。另一方面，晶片90與環(huán)形突起10b的接觸部分是剛好位于晶片90外周的突起部分的被輻照的部分內(nèi)側(cè)的部分。因此，當(dāng)由激光輻照產(chǎn)生的熱量趨于從晶片90外周的突起部分的被輻照的部分傳輸?shù)絻?nèi)側(cè)時(shí)，熱量通過(guò)環(huán)形突起10b被立即吸收，并不會(huì)在晶片90的中央部分上傳播。這使得可以獲得作為臺(tái)10的吸熱裝置的充分功能。本發(fā)明人已檢驗(yàn)了晶片與臺(tái)之間的接觸面積和產(chǎn)生粒子之間的關(guān)系。使用了具有300ram直徑的晶片。在晶片被吸附到具有與圖20和21中相同結(jié)構(gòu)的臺(tái)(678.2cm2的接觸面積)后，計(jì)算具有0.2微米或更大直徑的粒子數(shù)目。計(jì)算的數(shù)目為約22000粒。另一方面，在晶片被吸附到具有與圖22和23中相同結(jié)構(gòu)的臺(tái)(392.7cm2的接觸面積)后，計(jì)算具有0.2微米或更大直徑的粒子數(shù)目。計(jì)算的數(shù)目為約5400粒。由此很明顯通過(guò)減小接觸面積，能夠大大減小產(chǎn)生的粒子的數(shù)目。在圖24中所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，等離子噴嘴頭30被固定到框架50的底板51，以便等離子噴嘴頭30被定位離開(kāi)目標(biāo)部分并與激光加熱器20的激光照射單元22平行。等離子噴嘴頭30的遠(yuǎn)端面垂直指向上。從等離子噴嘴頭30的遠(yuǎn)端開(kāi)口30b'延伸的反應(yīng)性氣體通路52b形成在框架50的周壁52中。反應(yīng)性氣體通路52b的遠(yuǎn)端到達(dá)周壁52的內(nèi)周表面，并在那里與小圓筒形的噴射噴嘴36連接。噴射噴嘴36構(gòu)成了噴射端口形成部件，并且噴射端口形成部件的內(nèi)部構(gòu)成噴射端口36a。噴射噴嘴36例如由諸如聚四氟乙烯(PFA))的透明的透光材料制成。噴射噴嘴36傾斜向上延伸，以便從周壁52的內(nèi)周邊突出，并且其遠(yuǎn)端部極接近放置在目標(biāo)位置P上的晶片90的突出的外周部的背側(cè)，即放置在臺(tái)10上的晶片90的突出的外周部的背側(cè)。由于這種布置，吹出噴嘴36的吹出方向與在被保護(hù)的外周部的背面上垂直指向上的激光加熱器20的輻照方向以銳角相交(在支撐表面10a的延伸表面的背面?zhèn)?，輻射加熱器和噴射端口相?duì)于目標(biāo)位置P以彼此不同的方向(銳角方向)布置)。與等離子噴嘴頭30—起，包括反應(yīng)性氣體通路52b和噴射噴嘴36的框架50是"反應(yīng)性氣體供給器"的組成元件。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于噴射噴嘴36被布置在極接近晶片90的目標(biāo)位置的位置，通過(guò)噴射噴嘴36噴射出的諸如臭氧的反應(yīng)性氣體能夠可靠地到達(dá)目標(biāo)位置，同時(shí)氣體仍處于其活性狀態(tài)，并仍處于高密度，且不會(huì)被擴(kuò)散。因此，與膜92c的反應(yīng)效率能夠得以提高，并且能夠增加蝕刻速度。而且，由于反應(yīng)性氣體的噴氣方向不與晶片90的背面平行，而是成角度，與膜92c的反應(yīng)效率能夠得以進(jìn)一步提高，并進(jìn)一步增加蝕刻速度。另一方面，實(shí)際上，吹出噴嘴36被布置為它沿來(lái)自激光加熱器20的激光L的光路前進(jìn)。然而，由于噴射噴嘴36具有透光特性，激光L不會(huì)被阻擋。因此，目標(biāo)位置能夠被可靠地加熱，并且能夠獲得高的蝕刻速度。也可以接受的是噴射噴嘴36被布置為偏離激光L的光路。在那種情況下，無(wú)需由透光材料形成噴射噴嘴36。代替地，噴射噴嘴36例如可以由不銹鋼形成。然而，考慮到因激光的反射溫度容易增加和臭氧的濃度由于熱反應(yīng)降低的事實(shí)，噴射噴嘴36優(yōu)選地由具有較小輻照熱吸收特性和高臭氧抵抗特性的特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))等形成。在圖24中，臺(tái)階部形成在底板的周壁52的上表面上。截面為倒L形的環(huán)形上部周壁53覆蓋在所述臺(tái)階部上。上部周壁53的內(nèi)端邊緣被布置在噴射噴嘴36附近，并且從而被布置在放置在臺(tái)10上的晶片90的外端邊緣附近。沿上部周壁53的周向在整個(gè)周邊上延伸的環(huán)形槽53c(抽吸端口)形成在上部周壁53的內(nèi)端邊緣，從而環(huán)形槽53c以朝向內(nèi)端邊緣擴(kuò)展的方式開(kāi)口。抽吸通路53d延伸到上部周壁53的外周，并在環(huán)形槽53c中從位于與噴射噴嘴36相同的周邊位置的槽底部連接到抽吸連接器57。而且，抽吸通路53d被連接到未示出的吸入(或抽吸)/排出裝置。由于這種布置，處理過(guò)的反應(yīng)性氣體能夠被吸入，并從晶片90的外周部的周?chē)懦?。?3c、抽吸通路53d和吸入/排出裝置構(gòu)成"吹出端口附近抽吸裝置"或"環(huán)形空間抽吸裝置"。在圖25所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，等離子噴嘴頭的結(jié)構(gòu)不同于前述的等離子噴嘴頭的結(jié)構(gòu)。即，圖25的等離子噴嘴頭30X具有對(duì)應(yīng)于臺(tái)10或框架50尺寸的環(huán)形結(jié)構(gòu)，并同心地布置在臺(tái)10和框架50的上側(cè)。等離子噴嘴頭30X能夠在大量遠(yuǎn)離臺(tái)10和框架50的上部分的撤回位置(這種狀態(tài)未示出)和其中等離子噴嘴頭30X被未示出的升降機(jī)構(gòu)放置在框架50的周壁52上的設(shè)定位置(圖25顯示了這種狀態(tài))之間被升起和下降。當(dāng)?shù)入x子噴嘴頭30X被升起到撤回位置時(shí)，晶片90被放置在臺(tái)10上。此后，等離子噴嘴頭30X被下降到執(zhí)行處理的設(shè)定位置。在整個(gè)周邊上具有雙管狀結(jié)構(gòu)的電極31X，32X容納在等離子噴嘴頭30X內(nèi)部。內(nèi)部電極31X與未示出的脈沖源連接，并且外部電極32X被接地。利用電極31X，32X的面對(duì)的表面，環(huán)形窄空間30ax形成在等離子噴嘴頭30X的整個(gè)周邊上。來(lái)自未示出的處理氣體供給源的諸如氧氣的處理氣體被均勻地導(dǎo)入上端部(上游端)的整個(gè)周邊上的電極間空間30ax，并在電極間空間30ax內(nèi)由常壓輝光放電等離化，以便產(chǎn)生諸如臭氧的反應(yīng)性氣體。如在利用上述等離子噴嘴頭30的情況，固態(tài)電介質(zhì)層被涂覆在電極31X，32X的面對(duì)的表面中的至少一個(gè)上。反應(yīng)性氣體通路30bx'形成在等離子噴嘴頭30X的底部上。這種反應(yīng)性氣體通路30bx'自電極間空間30ax的底端部(下游端)傾斜延伸。另一方面，垂直延伸的反應(yīng)性氣體通路52b也形成在框架50的周壁52中，以便當(dāng)?shù)入x子噴嘴頭30X被設(shè)置在設(shè)定位置中時(shí)，反應(yīng)性氣體通路30xb'，52b被連接到等離子噴嘴頭30X。由透光材料(光透射材料)組成的噴嘴36的基端部被連接到框架50的反應(yīng)性氣體通路52b的下端部(下游端)。噴射噴嘴36沿框架50的徑向方向以其水平姿態(tài)嵌入周壁52中，并且遠(yuǎn)端部被允許從周壁52的內(nèi)端表面突出。由于這種布置，噴射噴嘴36位于極接近安裝在目標(biāo)位置P或臺(tái)10上的晶片90的外周部的背面?zhèn)鹊奈恢弥小Ｅc激光照射單元22數(shù)目相同的噴射噴嘴36沿周向被間隔布置，并以一對(duì)一的關(guān)系位于與激光加熱器20的激光照射單元22相同的周邊位置中。由于這種布置，在內(nèi)部電極空間30ax中提供反應(yīng)性的處理氣體穿過(guò)反應(yīng)通路30bx'，32b，并通過(guò)噴射噴嘴36噴射出。如此噴射出的反應(yīng)性氣體擊打由激光加熱器20局部加熱的膜92c，并通過(guò)蝕刻去除膜。即使在激光L的光路和噴射噴嘴36彼此干擾的情況下，由于噴射噴嘴36具有透光特性，如在圖24的實(shí)施例的情況下，激光L也不會(huì)被阻擋。蓋環(huán)37被布置在等離子噴嘴頭30X的底部的徑向向內(nèi)部部分處。當(dāng)?shù)入x子噴嘴頭30X位于設(shè)定位置時(shí)，抽吸端口30cx形成在蓋環(huán)37的錐形外端面與框架50的周壁52的內(nèi)周表面的上部分之間。抽吸端口30cx剛好位于放置在臺(tái)10上的晶片90的外端邊緣上方。通過(guò)被連接到吸入/排出裝置的最內(nèi)端的抽吸通路30dx，抽吸端口30cx被連接到未示出的吸入/排出裝置。由于這種布置，處理過(guò)的氣體能夠被從晶片90的外周部的周?chē)槲团懦?。抽吸端?0cx、抽吸通路30dx和吸入/排出裝置構(gòu)成"噴射端口附近抽吸裝置"或"環(huán)形空間抽吸裝置"。蓋環(huán)37構(gòu)成抽吸端口形成部件。圖26中所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備包括圖24所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備的整體和環(huán)形等離子噴嘴頭30X的組合。因此，在圖26的裝置中，兩類(lèi)等離子噴嘴頭30，30X被分別設(shè)置在下側(cè)和上側(cè)。如在前述實(shí)施例的情況下，下部等離子噴嘴頭30被用于去除涂覆在晶片90背面的外周部上的膜92c。與此相反，上部等離子噴嘴頭30X被用于去除涂覆在晶片90正面的外端面上的膜92(參見(jiàn)圖3)。為了這種目的，噴射端口30bx形成在圖26所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備的等離子噴嘴頭30X的底部中。與圖25所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備不同，噴射端口30bx從電極間空間30ax向下直線延伸，并通向底部表面。噴射端口30bx具有沿等離子噴嘴頭30X的周向在整個(gè)周邊上延伸的環(huán)形結(jié)構(gòu)。當(dāng)?shù)入x子噴嘴頭30X被設(shè)置到設(shè)定位置時(shí)，噴射端口30bx剛好位于放置在臺(tái)10上的基板的外周端口上方。來(lái)自電極間空間30ax的反應(yīng)性氣體通過(guò)噴射端口30bx垂直向下噴射出，并噴射在晶片90正面的外周部。一部分反應(yīng)性氣體環(huán)流到晶片90的外端面。這使得可以利用蝕刻去除涂覆在晶片90正面的外周部和外端面上的膜92。由于噴射端口30bx具有在晶片90的外周的整個(gè)周邊上方延伸的環(huán)形結(jié)構(gòu)，反應(yīng)性氣體能夠一次噴射在晶片90外周的整個(gè)周邊(或周?chē)?。也可以接受的是用于上部和下部等離子噴嘴頭30X，30的處理氣體的成份能夠根據(jù)涂覆在晶片90的正面和背面上的膜的種類(lèi)而不同。噴射端口30bx沿抽吸端口30cx的寬度方向被布置在中央。抽吸端口30cx被分成內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)，噴射端口30bx被設(shè)置在內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)之間。抽吸通路30dx分別從內(nèi)周側(cè)抽吸端口部和外周側(cè)抽吸端口部延伸，并被連接到未示出的吸入/排出裝置。在圖27所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，等離子頭30和激光照射單元22與圖1中所示的裝置的布置關(guān)系不同。g卩，在圖27所示的裝置中，等離子噴嘴頭30被固定到框架50的底板51，遠(yuǎn)端表面剛好指向上從而噴射端口30b剛好指向上。噴射端口30b被布置為接近放置在臺(tái)10上的晶片90的外周緣的下側(cè)，并沿與晶片90的背面的外周部垂直的方向噴射出反應(yīng)性氣體(在穿過(guò)目標(biāo)位置P并垂直于支撐表面10a的延伸表面的線上)。如放大圖28所示，平板狀的全反射部件25被放置在等離子噴嘴頭30的遠(yuǎn)端表面的噴射端口30b的、臺(tái)10側(cè)的一部分處。在全反射部件25的、與臺(tái)10側(cè)相對(duì)的相對(duì)側(cè)的表面朝向臺(tái)10側(cè)向上傾斜。這種傾斜表面用作用于完全反射諸如激光的光的全反射表面25a。另一方面，激光單元22被固定到框架50的周壁52，以便激光照射單元22徑向向外離開(kāi)等離子噴嘴頭30，并且單元22的軸線被水平放置，以便激光輻照方向被徑向向內(nèi)定向。從激光照射單元22輻照的激光L擊中反射表面25a，其中激光L被向上反射以擊中晶片90背面的外周部。由于這種布置，所述晶片90背面的外周部能夠被局部加熱。等離子噴嘴頭30的上端部的部件34等可由透光材料組成，以便允許激光L透過(guò)。在來(lái)自激光照射單元22的激光不是線性的而是向反射表面25a匯聚的錐形的情況下，也可以接受的是等離子噴嘴頭30被下降以離開(kāi)晶片90，并且全反射鏡25的厚度增加等于降低的距離的部分，以便激光不會(huì)干擾等離子噴嘴頭30。如圖27所示，框架50在周壁52的上端部處沿內(nèi)周邊的整個(gè)周?chē)O(shè)置有環(huán)狀的蓋部件80。蓋部件80包括具有水平盤(pán)狀的結(jié)構(gòu)且從周壁52徑向向內(nèi)延伸的水平部分81;和從水平部分81的內(nèi)端邊緣的整個(gè)周?chē)蛳麓箳斓耐矤钕麓共糠?2。蓋部件80的截面具有L形結(jié)構(gòu)。利用未示出的升降機(jī)構(gòu)，蓋部件80能夠在大大地間隔開(kāi)周壁52的上部分的撤回位置(這種狀態(tài)未示出)和其中水平部分81的外周表面緊靠周壁52的內(nèi)周表面的設(shè)定位置(這種狀態(tài)在圖27中所示)之間上升和下降。當(dāng)晶片90被放置在臺(tái)10上和從開(kāi)臺(tái)IO移去時(shí)，蓋部件80被送到撤回位置，并當(dāng)晶片90正被處理時(shí)，蓋部件80被送到設(shè)定位置。在設(shè)定位置中，蓋部件80的水平部分81和下垂部分82的內(nèi)端邊緣位于目標(biāo)位置P或晶片90的外周部上方，并且通過(guò)與晶片90的外周部協(xié)作，蓋部件80覆蓋環(huán)形空間50a的上部。與環(huán)形空間50a一體連接的空間50b形成在蓋部件80和周壁52之間。下垂部分82的下端部的位置略高于晶片90，以便下垂部分82和晶片90之間形成的間隙82a(圖28)被很大地減小。由于這種布置，在擊中晶片90的外周部后，處理過(guò)的反應(yīng)性氣體能夠可靠地被限制在空間50a，50b中，并被防止流到晶片90的上表面的中央部側(cè)。因此，能夠防止涂覆在上表面上的膜的損壞。通過(guò)蓋部件80的抽吸連接器55等，在蓋部件80和周壁52之間形成的空間50b被連接到未示出的吸入/排出裝置。由于這種布置，空間50a，50b內(nèi)的處理過(guò)的氣體能夠被抽吸和排出。抽吸連接器55和吸入/排出裝置構(gòu)成"環(huán)形空間抽吸裝置"。在圖29中所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，代替前述實(shí)施例中的常壓輝光放電類(lèi)型的等離子噴嘴頭30，30X，臭氧發(fā)生器70被用作反應(yīng)性氣體供給器的反應(yīng)性氣體供給源。臭氧發(fā)生器中使用的用于生成臭氧的系統(tǒng)可以是諸如無(wú)聲放電、表面放電等的任何類(lèi)型。臭氧發(fā)生器70以與框架50間隔開(kāi)的方式安裝。臭氧供給管71自臭氧發(fā)生器70延伸。通過(guò)設(shè)置在底板51處的供給連接器72，所述底板51位于框架50的激光照射單元22的徑向外部，臭氧供給管71被連接到框架50的周壁52的反應(yīng)性氣體供給通路52b。與激光照射單元22的數(shù)目相同(例如，5)的供給連接器72沿周向被等間隔地布置，并以一對(duì)一的關(guān)系位于與激光加熱器22相同的周邊位置中。臭氧供給管71被分支并被連接到各個(gè)供給連接器72。反應(yīng)性氣體通路52b從每個(gè)供給連接器72延伸。反應(yīng)性氣體通路52b到達(dá)周壁52的內(nèi)周表面，透光噴射噴嘴36從內(nèi)周表面傾斜突出；并且如在圖24所示裝置的情況下，噴射噴嘴36的遠(yuǎn)端部位于極接近放置在臺(tái)10上的晶片90的突出的外周部的背面?zhèn)鹊奈恢弥?。臭氧發(fā)生器70、臭氧供給管71、供給連接器72、包括反應(yīng)性氣體供給通路52b的框架50、和噴射噴嘴36用作"反應(yīng)性氣體供給器"的組成元件。由臭氧發(fā)生器70產(chǎn)生的作為反應(yīng)性氣體的臭氧順序經(jīng)過(guò)臭氧供給管71、供給連接器72和反應(yīng)性氣體通路52b，并通過(guò)噴射噴嘴36噴出。由于噴射噴嘴36被布置在極接近晶片90的背面的外周部的位置中，臭氧能夠可靠地?fù)糁芯?0的背面的外周部，以便在臭氧被擴(kuò)散和失去活性前有效地去除膜92c;并且在噴射噴嘴36與從激光加熱器20發(fā)出的激光L的光路干擾的情況，如在圖6所示裝置的情況下，激光L能夠透過(guò)噴射噴嘴36，并且晶片90的目標(biāo)部分能夠可靠地被加熱。類(lèi)似地，如對(duì)于圖1到24所示的情況下，處理過(guò)的氣體經(jīng)過(guò)諸如抽吸裝置的排放路徑，即位于噴射噴嘴36附近的抽吸通路和抽吸連接器57，或者諸如空間50a的另一排放路徑和迷宮密封件60的間隙，并被未示出的吸入/排出裝置吸入和排放。蓋部件80被布置在上部周壁53上方。如在利用圖27所示裝置的情況下，蓋部件80能夠由未示出的升降機(jī)構(gòu)在向上的撤回位置(由圖29中的虛線指示)和設(shè)定位置(由圖29的實(shí)線指示)之間升起和下降。位于設(shè)定位置中的蓋部件80鄰接上部周壁53的上表面，并徑向向內(nèi)延伸。蓋部件80的內(nèi)端部的下垂部分82位于臺(tái)10的外周緣上方。由于這種布置，蓋部件80僅覆蓋環(huán)形空間50a。如在利用27所示裝置的情況下，這使得可以防止處理過(guò)的臭氧流向晶片90的上表面的中心側(cè)。在圖30所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，代替前述實(shí)施例的激光加熱器20，使用了紅外線加熱器120。如圖30和圖31所示，紅外線加熱器120包括包括諸如鹵素?zé)舻募t外線燈121的光源；和作為照射器、用于以匯聚方式輻照光束的光學(xué)系統(tǒng)122。紅外線加熱器120具有沿框架50的周向在整個(gè)周邊延伸的環(huán)形結(jié)構(gòu)。即，紅外線燈121是沿框架50的周向在整個(gè)周?chē)涎由斓沫h(huán)形光源，并且光學(xué)系統(tǒng)122也沿框架50的周向布置在整個(gè)周邊。其中，光學(xué)系統(tǒng)122包括諸如拋物線反射器、凸透鏡和柱面透鏡的匯聚系統(tǒng)；諸如帶通濾光器的波長(zhǎng)抽取部件。而且，焦點(diǎn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)被裝入光學(xué)系統(tǒng)122中。光學(xué)系統(tǒng)122被設(shè)計(jì)為來(lái)自紅外線燈121的紅外線光穿過(guò)帶通濾光器，由拋物線反射器和透鏡凝聚，并匯聚到晶片90的背面的外周的整個(gè)周?chē)?。由于這種布置，涂覆在背面的外周部的膜92c能夠一次性在整個(gè)周?chē)媳痪植考訜?。這里使用的紅外線燈121可以是遠(yuǎn)紅外線燈或近紅外線燈。發(fā)射波長(zhǎng)例如從760rim到10000nm。其中，與膜92c的吸收波長(zhǎng)匹配的適合的光被帶通濾光器選擇提取。通過(guò)這樣做，膜92c的加熱效率能夠被進(jìn)一步提高。燈冷卻通路125在整個(gè)周?chē)纬稍诩t外線加熱器120內(nèi)。通過(guò)冷卻介質(zhì)前向通路126和冷卻介質(zhì)后向通路127，燈冷卻通路125與未示出的冷卻介質(zhì)供給源連接。由于這種布置，能夠冷卻紅外線加熱器120。冷卻介質(zhì)(或冷卻劑，制冷劑)的實(shí)例可包括水、空氣、氦氣等。在空氣和水被用作冷卻介質(zhì)的情況下，它們可以被排放，不用將它們從后向通路127返回到冷卻介質(zhì)供給源。這種用于冷卻加熱器的冷卻介質(zhì)供給源可共同地用作用于吸收基板的熱量的冷卻介質(zhì)供給源。用于冷卻加熱器的燈冷卻通路125、前向通路126、后向通路和冷卻介質(zhì)供給源構(gòu)成"輻射加熱器冷卻裝置"。作為反應(yīng)性氣體供給器的反應(yīng)性氣體供給源，臭氧發(fā)生器70被用于圖29所示的裝置中。通過(guò)臭氧供給管71，臭氧發(fā)生器70被連接到框架50的多個(gè)供給連接器72。供給連接器的數(shù)目比較大，例如為8個(gè)。這些供給連接器72沿周壁52的外周表面的上部分在周向上等間隔地布置。周壁52的上部分被設(shè)置作為噴射通路和噴射端口形成部件。即，連接到那些供給連接器72的反應(yīng)性氣體通路73以水平姿態(tài)徑向向內(nèi)并沿周向以環(huán)形方式在整個(gè)周?chē)闲纬稍谥鼙?2的上部分中。反應(yīng)性氣體通路73通向周壁52的內(nèi)周邊的整個(gè)周?chē)⑶曳磻?yīng)性氣體通路73的開(kāi)口部分用作環(huán)形噴射端口74。噴射端口74的高度略低于臺(tái)10的上表面，從而低于將被放置在臺(tái)10的上表面上的晶片90的背面。噴射端口74被布置在晶片90的外周緣附近，以便包圍整個(gè)周邊。來(lái)自臭氧發(fā)生器70的臭氧被導(dǎo)引到反應(yīng)性氣體通路73的各個(gè)位置，各個(gè)供給連接器72在所述各個(gè)位置被連接到反應(yīng)性氣體通路73，并且然后被從噴射端口74的整個(gè)周?chē)鷱较蛳騼?nèi)噴射出，同時(shí)沿反應(yīng)性氣體通路73的周向在整個(gè)周?chē)蠑U(kuò)展。由于這種布置，臭氧能夠一次噴射在晶片90的背面的外周部的整個(gè)周邊，并且涂覆在整個(gè)周邊上的膜92c能夠被從那里有效地去除。在圖30所示的裝置中，如上所述由于晶片90的整個(gè)周邊能夠一次性處理，臺(tái)10不需要旋轉(zhuǎn)，但臺(tái)10優(yōu)選地旋轉(zhuǎn)，以便執(zhí)行沿周向的均勻處理。在圖30所示的裝置中，當(dāng)蓋部件80被設(shè)置在設(shè)定位置時(shí)，抽吸通路53d形成在周壁52的上表面和蓋部件80之間的整個(gè)周邊上。通過(guò)設(shè)置在蓋部80上的抽吸連接器57，抽吸通路53d被連接到未示出的吸入/排出裝置。由于這種布置，處理過(guò)的氣體能夠被抽吸，并從晶片90的外周部的周邊排出。在晶片的外端邊緣從臺(tái)10突出3ram，并且冷卻介質(zhì)室41內(nèi)的水溫為5攝氏度、20攝氏度和一5攝氏度的情況下，使用與圖30所示相同的裝置，本本發(fā)明人測(cè)量了晶片的表面溫度對(duì)比從晶片的外端邊緣的被加熱部分的附近在徑向向內(nèi)方向上的距離。紅外線加熱器120的輸出條件如下。光源環(huán)形鹵素?zé)魰?huì)聚光學(xué)系統(tǒng)拋物線反射器發(fā)射光波長(zhǎng)800到2000腦輸出200W被局部加熱部分的寬度2mm結(jié)果如圖32所示。已確認(rèn)在常壓下水溫為20攝氏度的情況下，由于熱傳導(dǎo)，晶片的外端邊緣的被加熱部分的附近的溫度變成約80攝氏度(被加熱部分中為400攝氏度或更高)，但從那里徑向向內(nèi)9mm或更多的部分處，水溫被保持在50攝氏度或更低的低溫，從而能夠抑制膜的損壞。如圖33所示，通過(guò)分解臭氧獲得的氧原子基的壽命取決于溫度。壽命在25攝氏度的附近足夠長(zhǎng)，但在50攝氏度的附近被減小一半。另一方面，由于為了獲得與膜92c的反應(yīng)執(zhí)行了加熱，存在臭氧噴射通路的溫度被增加的擔(dān)心?？紤]到上述，在圖34所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備設(shè)有噴射通路冷卻(溫度調(diào)節(jié))裝置。g卩，反應(yīng)性氣體冷卻通路130形成在作為噴射通路形成部件的框架50的周壁52內(nèi)，并且通過(guò)冷卻介質(zhì)前向通路131和冷卻介質(zhì)后向通路132，未示出的冷卻介質(zhì)供給源被連接到反應(yīng)性氣體冷卻通路130，以便能夠循環(huán)冷卻介質(zhì)。作為冷卻介質(zhì)，使用例如水、空氣、氦氣等。在空氣和水被用作冷卻介質(zhì)的情況下，冷卻介質(zhì)可以被排放，不用將它們從后向通路132返回到冷卻介質(zhì)供給源。噴射通路冷卻冷卻介質(zhì)供給源可與用于吸收基板的熱量的冷卻介質(zhì)供給源共用。通過(guò)如此做，穿過(guò)反應(yīng)性氣體通路52b的臭氧能夠得到冷卻，并能夠抑制臭氧原子基的量的減小，從而保持活性。這樣，用于去除膜92c的效率能夠被提高。在圖34所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，與圖29所示相同的臭氧發(fā)生器被用作反應(yīng)性氣體供給源。也可以接受的是使用圖24所示的等離子噴嘴頭的裝置設(shè)有反應(yīng)性氣體冷卻通路130，以便反應(yīng)性氣體通路52b能夠得到冷卻。作為惰性氣體噴射部件，惰性氣體噴嘴N被設(shè)置在臺(tái)10的中心上方，并且從而被設(shè)置在放置在臺(tái)10上的晶片的中心上方，以便噴射端口方向正好指向下。惰性氣體噴嘴N的上游端被連接到未示出的惰性氣體供給源。例如，來(lái)自惰性氣體供給源的、作為惰性氣體的氮?dú)獗粚?dǎo)引到惰性氣體噴嘴N，然后通過(guò)噴射端口噴射出。沿晶片90的上表面，如此噴射出的氮?dú)鈴闹行囊詮较蚍绞奖粡较蛳蛲鈹U(kuò)散。不久以后，氮?dú)獾竭_(dá)晶片90的上表面的外周部的附近和蓋部件80之間的間隙82a，并且通過(guò)間隙82a，部分氣體趨于環(huán)流到晶片90的背側(cè)。利用這種氮?dú)饬鳎瑖@晶片90的外圍部分的背側(cè)的處理過(guò)的反應(yīng)性氣體能夠被防止環(huán)流到基板的前側(cè)，并且從而，被可靠地防止通過(guò)間隙82a泄漏出。當(dāng)晶片90被放置在臺(tái)10上和從臺(tái)10移去時(shí)，惰性氣體噴嘴N被撤回以便不干擾晶片90。在圖34所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，激光加熱器20被用作輻射加熱器。也可以接受的是如圖35所示，代替激光加熱器20，也可以使用紅外線加熱器120。如在圖30所示的裝置的情況下，紅外線加熱器120以環(huán)形方式延伸遍及框架50的整個(gè)周邊。在圖36所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，自臭氧發(fā)生器70的供給連接器72被布置在底板51的激光照射單元22和迷宮密封件60之間。作為噴射通路形成部件的管狀噴射噴嘴75被連接到供給連接器72。噴射噴嘴75從供給連接器72直線向上延伸。噴射噴嘴75鄰接臺(tái)10的周?chē)砻娴牡撞糠指浇澢?。然后，噴射噴?5沿臺(tái)10的錐形周邊側(cè)表面傾斜向上延伸。噴射噴嘴75的遠(yuǎn)端開(kāi)口用作噴射端口，并位于臺(tái)10的周邊側(cè)表面的上部邊緣的附近。噴射端口面對(duì)放置在臺(tái)10上的晶片90的背面的外周部，以便臭氧能夠通過(guò)噴射端口向膜92c噴出。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)將冷卻介質(zhì)傳送入限定在臺(tái)10內(nèi)的冷卻介質(zhì)室41，不僅晶片90能夠被吸熱和冷卻，而且噴射噴嘴75也能夠得到冷卻。這使得基板吸熱器也可以用作噴嘴通路冷卻(溫度調(diào)節(jié))裝置。因此，由于無(wú)需如圖34中形成反應(yīng)性氣體冷卻通路130等，能夠?qū)崿F(xiàn)成本的降低。優(yōu)選地，諸如油脂的摩擦減小材料被應(yīng)用到臺(tái)10的周邊側(cè)表面或噴射噴嘴75的外周表面，以便減小由臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)引起的摩擦。在圖37所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，臺(tái)階部12形成在臺(tái)10的上表面的外周部的整個(gè)周邊上。由于這種布置，當(dāng)晶片90被放置在臺(tái)10上，凹部(氣體貯存器)12a形成在臺(tái)階部12和晶片90之間。凹部12a延伸遍及臺(tái)10的整個(gè)周邊并徑向向外敞開(kāi)。沿凹部12a的徑向方向的深度例如約3到5mm。通過(guò)噴射噴嘴36噴射出的臭氧流入凹部，即氣體貯存器12a，并暫時(shí)保存在這里。由于這種布置，能夠獲得臭氧和涂覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c之間的足夠的反應(yīng)時(shí)間，并且能夠提高處理效率。在圖38所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，外殼En被徑向設(shè)置在臺(tái)10的外周部的外部?；宀迦肟?0a形成在外殼En的面向臺(tái)10的內(nèi)周側(cè)壁中。通過(guò)基板插入孔10a，放置在臺(tái)10上的晶片90的突出的外周部被插入外殼En。等離子噴嘴頭30的遠(yuǎn)端部穿過(guò)外殼En的外周側(cè)壁，從而反應(yīng)性氣體噴射端口被布置在外殼En內(nèi)。另一方面，例如，激光加熱器20的激光照射單元22作為輻射加熱器被間隔開(kāi)地布置在外殼En下面，即外殼En的外部。外殼En例如由諸如石英、硼硅酸鹽玻璃和透明樹(shù)脂的透光材料組成。由于這種布置，來(lái)自激光照射單元22的激光L穿過(guò)外殼En的底板，并被局部地輻照到晶片90的背面的外周部。由此，所述晶片90的背面的外周部能夠被局部輻照加熱。另一方面，由等離子噴嘴頭30產(chǎn)生的諸如氧基和臭氧的反應(yīng)性氣體被噴射入外殼Em并擊中被局部加熱的部分，以便涂覆在被局部加熱部分上的膜92c能夠被可靠地去除。由于外殼En的設(shè)置，處理過(guò)的反應(yīng)性氣體能夠被防止泄露到外部。然后，處理過(guò)的反應(yīng)性氣體被吸入等離子噴嘴頭30的抽吸端口且通過(guò)等離子噴嘴頭30的抽吸端口被排出?？梢越邮艿氖侵辽倜鎸?duì)照射單元22的外殼En的底板由透光材料組成。圖39顯示了輻射加熱器的光學(xué)系統(tǒng)的另一實(shí)施例。作為用于將輸出光直線傳輸?shù)骄?0的外周部的光學(xué)系統(tǒng)，光纖電纜23(波導(dǎo))被可選地連接到激光加熱器20的光源21。光纖電纜23由大量光纖的束組成。光纖的束從激光源21延伸，并沿多個(gè)方向分支以形成多個(gè)分支電纜23a。每個(gè)分支電纜23a可由單條光纖組成，或由多條光纖的束組成。那些分支電纜23a的遠(yuǎn)端部延伸到臺(tái)10的外周部，并沿臺(tái)10的周向等間隔地布置。每條分支電纜23a的遠(yuǎn)端部以向上指向的方式布置，以便它垂直于并且面對(duì)處于正好在目標(biāo)位置P或放置在臺(tái)10上的晶片90的背面的外周部的附近下面的晶片90。等離子噴嘴頭30被水平放置，以便它以一對(duì)一的關(guān)系對(duì)應(yīng)于各個(gè)分支電纜23a的遠(yuǎn)端部。雖然未示出，每條分支電纜23a的遠(yuǎn)端部?jī)?yōu)選地設(shè)有激光照射單元22。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)光纖電纜23，來(lái)自激光源21的激光被無(wú)擴(kuò)散地朝向晶片90的背面的外周部傳輸。而且，激光通過(guò)分支電纜23a以分布的方式被傳輸?shù)街車(chē)煌奈恢?。然后，激光從每個(gè)分支電纜23a的遠(yuǎn)端表面向上輸出。這使得可以從其附近將激光輻照到晶片90的背面的外周部。來(lái)自單個(gè)點(diǎn)狀光源21的點(diǎn)狀激光能夠沿晶片90的周向被輻照到多個(gè)點(diǎn)。這使得可以通過(guò)加熱這些點(diǎn)同時(shí)去除膜。而且，能夠自由建立布置光源21的位置。能夠容易地進(jìn)行光纖的分布。也可以接受的是諸如柱狀透鏡的匯聚光學(xué)部件被布置在分支電纜23a的遠(yuǎn)端處，以便輸出的光被匯聚。也可以接受的是多個(gè)光源21被提供，并且從每個(gè)光源21引出的每條光纖電纜23可延伸向預(yù)定的周邊位置。在光纖的遠(yuǎn)端部和噴射端口之間可存在多種布置關(guān)系。一個(gè)實(shí)例是光纖的遠(yuǎn)端部相對(duì)于晶片90被傾斜放置，并且等離子噴嘴頭30的噴射端口在晶片90正下方。當(dāng)然，代替等離子噴嘴頭30，可以使用臭氧發(fā)生器70，并且代替激光源21，可以使用紅外線燈。圖40顯示了諸如圖24等中所示的裝置的噴射噴嘴36的噴射端口形成部件的修改實(shí)施例。如圖40(a)所示，作為轉(zhuǎn)動(dòng)流(轉(zhuǎn)向流)形成部分，多個(gè)(例如4個(gè))孔狀轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)引孔36b沿周向等間距地形成在噴射噴嘴36x的周壁中。轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)引孔36b沿噴嘴36X的內(nèi)周的大體切線方向，即噴射端口36a的內(nèi)周表面，延伸，并被允許從外周表面穿過(guò)噴嘴36X的周壁到內(nèi)周表面。而且，如圖40(b)所示，當(dāng)從噴嘴36X的周壁的外周表面到內(nèi)周表面(即，徑向向內(nèi))時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)引孔36b沿噴嘴36X的遠(yuǎn)端方向傾斜。每個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)引孔36b的外周側(cè)端部被連接到噴射通路52b，并且內(nèi)周側(cè)端部被連接到噴射端口36a。因此，轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)引孔36b構(gòu)成噴射通路52b和噴射端口36a或噴射端口的上游側(cè)通路部分之間的連通通路?！鶕?jù)這種噴射噴嘴36X，通過(guò)傾斜噴射出來(lái)自噴嘴通路52b的反應(yīng)性氣體進(jìn)入噴射端口36a，可以形成沿噴射噴嘴36a的內(nèi)周表面的轉(zhuǎn)動(dòng)流(轉(zhuǎn)向流)。由于這種布置，反應(yīng)性氣體能夠被均勻地供給。而且，由于在經(jīng)過(guò)孔狀轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)引孔36之后，反應(yīng)性氣體通過(guò)比較大的噴射端口36a噴射出，壓力損失能夠使反應(yīng)性氣體更均勻。如此均勻的反應(yīng)性氣體的轉(zhuǎn)動(dòng)流通過(guò)噴嘴36X有力地噴射出，并擊中晶片90的背面的外周部，從而以適合的方式執(zhí)行膜去除操作。在圖41和42所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，處理頭100被設(shè)置在臺(tái)10的側(cè)部。這個(gè)裝置主要設(shè)計(jì)用于去除涂覆在晶片90的外周部的背面的膜。處理頭100被布置為低于臺(tái)10的上表面。在涂覆在晶片90的外周部的前側(cè)上的膜將主要被去除的情況下，處理頭100可被簡(jiǎn)單地上下倒置，并在那種情況下布置為高于臺(tái)10。處理頭100設(shè)有噴射噴嘴75和吸入/排出噴嘴76。臭氧供給管71從作為反應(yīng)性氣體供給源的臭氧發(fā)生器70延伸，并且這個(gè)臭氧供給管71通過(guò)處理頭100的連接器72被連接到噴射噴嘴75的底端部。噴射噴嘴75被布置為低于目標(biāo)位置(放置在臺(tái)10上的晶片90的外周部)。噴射噴嘴75的遠(yuǎn)端部的噴射桿L75通常沿晶片90的外周的周向(切線方向)延伸，并朝向臺(tái)10輕微傾斜，即在俯視圖中徑向向晶片90內(nèi)傾斜。在正視圖(圖42)中，噴射桿L75朝向晶片90向上傾斜。噴射噴嘴75的遠(yuǎn)端的噴射端口面對(duì)目標(biāo)位置P的附近(晶片90的外周部的背面)。優(yōu)選地，至少噴射噴嘴75的遠(yuǎn)端部由諸如例如透光特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))、pylex(注冊(cè)商標(biāo))玻璃、石英玻璃等的透光材料組成。連接到吸入/排出噴嘴76的連接器被設(shè)置在與處理頭的噴射側(cè)的連接器72相對(duì)的側(cè)部。排出管78從連接器77延伸，并且排出管78被連接到包括排出泵等的排出裝置79。吸入/排出噴嘴76被布置為低于目標(biāo)位置P(放置在臺(tái)10上的晶片90的外周部)。在俯視圖(圖41)中，吸入/排出噴嘴76的遠(yuǎn)端部的抽吸桿(或吸桿)L76大體直地朝向晶片90的外周的切線方向。在正視圖(圖42)，抽吸桿L76朝向晶片90向上傾斜。排出噴嘴76的遠(yuǎn)端的抽吸端口位于與噴射噴嘴75的噴射端口幾乎相同的高度(在晶片90的背面正下面)。如圖41所示，在俯視圖中，噴射噴嘴75的遠(yuǎn)端部和排出噴嘴76的遠(yuǎn)端部被布置為沿晶片90的外周(徑向設(shè)置在臺(tái)10的上表面外的假想環(huán)形表面C)的周向(切線方向)彼此相對(duì)，并且目標(biāo)位置P位于它們之間。目標(biāo)位置P被布置在噴射噴嘴75的遠(yuǎn)端的噴射端口和排出噴嘴76的遠(yuǎn)端的抽吸端口之間。噴射噴嘴75沿臺(tái)10由此沿晶片90的旋轉(zhuǎn)方向(例如，在俯視圖中順時(shí)針?lè)较?布置在上游側(cè)。類(lèi)似地，吸入/排出噴嘴76被設(shè)置在下游側(cè)?？紤]到將去除的膜92c的反應(yīng)溫度、臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)速度，激光加熱器20的加熱量等，噴射噴嘴75的噴射端口和吸入/排出噴嘴76的抽吸端口之間的距離合適地建立在例如幾毫米到幾十毫米的范圍內(nèi)。在光致抗蝕劑將被去除的情況下，噴射噴嘴75的噴射端口和吸入/排出噴嘴76的抽吸端口之間的間隔建立在其中晶片的處理溫度為150攝氏度或更多的范圍內(nèi)，優(yōu)選地例如在5mm到40mm的范圍內(nèi)。排出噴嘴76的抽吸端口的直徑比噴射噴嘴75的噴射端口的直徑更大，例如約2—5倍。例如，噴射端口的直徑約為1到3mm，同時(shí)抽吸端口的直徑約為2到15mm。如圖42所示，作為輻射加熱器，激光加熱器20的激光照射單元22被設(shè)置在處理頭100的下側(cè)部分處。激光照射單元22被設(shè)置為比噴嘴75，76低，并如圖41所示，在俯視圖中，被布置在噴射噴嘴上75的遠(yuǎn)端部和排出噴嘴76的遠(yuǎn)端部之間。目標(biāo)位置P被定位在激光照射單元22正上方。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)光纖電纜23，來(lái)自激光源21的激光從激光照射單元55以匯聚方式正向上地輻照。由于這種布置，所述晶片90的外周部的背面被局部加熱。這種被局部加熱的部分根據(jù)臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)沿旋轉(zhuǎn)方向向下游側(cè)移動(dòng)，同時(shí)短時(shí)間保持高的溫度。因此，晶片90的外周部的溫度不僅在激光照射單元22正上方的被輻照部分(目標(biāo)位置P)處高而且在從那里沿旋轉(zhuǎn)方向位于下游側(cè)的部分處溫度高。當(dāng)然，位于激光照射單元22正上方的目標(biāo)照射部分P溫度最高，并且溫度從那里沿旋轉(zhuǎn)方向朝向下游側(cè)降低。由雙點(diǎn)劃線指示的曲線T顯示了晶片90的溫度分布。高溫區(qū)域分布圍繞目標(biāo)照射部分P沿旋轉(zhuǎn)方向偏向下游側(cè)(這種輻照加熱操作也將參照?qǐng)D43和46的實(shí)施例進(jìn)行描述)。與激光加熱和臺(tái)旋轉(zhuǎn)并行地，臭氧發(fā)生器70的臭氧氣體順序流經(jīng)供給管71、連接器72和噴射噴嘴75，然后沿噴射桿L75通過(guò)噴射噴嘴75噴射出。這種臭氧被噴射到晶片90的外周表面的背面的目標(biāo)照射部分(目標(biāo)位置P)附近的周邊上。由于噴射桿L75具有向上的角度，臭氧氣體能夠可靠地?fù)糁芯?0。類(lèi)似地，由于噴射桿L75被給定徑向向內(nèi)的角度，臭氧氣體被稍微向晶片90內(nèi)噴射。由于這種布置，能夠可靠地防止臭氧從晶片90的外端面流到前側(cè)四周。在擊中晶片90的背面后，臭氧氣體幾乎沿晶片90的外周的目標(biāo)照射部分中的切線短時(shí)間流向排出噴嘴76，且不會(huì)離開(kāi)晶片90的背面。由于這種布置，能夠獲得臭氧和涂覆在晶片90的背面的膜92c之間的足夠的反應(yīng)時(shí)間。臭氧氣體流沿溫度分布的偏離方向移動(dòng)。因此，在噴射后不久，不僅在目標(biāo)照射部分P處，而且在位于目標(biāo)照射部分P下游側(cè)的排出噴嘴76上的部分處，臭氧氣體能夠與膜92c產(chǎn)生反應(yīng)。因此，能夠提高處理效率。同時(shí)，抽吸裝置79被致動(dòng)。通過(guò)這樣做，處理過(guò)的臭氧和反應(yīng)副產(chǎn)品能夠被引入排出噴嘴76的抽吸端口，以便從那里被抽吸和排出，并不會(huì)被擴(kuò)散。由于抽吸端口比噴射端口更大，處理過(guò)的臭氧氣體等能夠確實(shí)地被捕獲和吸入，并且處理過(guò)的臭氧氣體等能夠被確實(shí)地防止擴(kuò)散。因此，臭氧氣體等能夠可靠地被防止環(huán)流到晶片90的前側(cè)(正側(cè))，并且前側(cè)膜92能夠可靠地被防止例如特性改變或類(lèi)似形式的損壞。而且，反應(yīng)的副產(chǎn)品能夠被快速地從晶片90的目標(biāo)點(diǎn)的周?chē)宄?。如由箭頭曲線所示，臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)方向沿從噴射端口75到抽吸噴嘴76的正常方向(沿臭氧氣體流的方向)定向。圖43和圖44顯示了圖41和42的實(shí)施例的修改實(shí)施例。用于處理基板的外周部的設(shè)備的處理頭100設(shè)有用于保持噴射噴嘴75的噴嘴保持部件75H。噴嘴保持部件75H由具有優(yōu)良導(dǎo)熱特性的諸如鋁的材料制成。冷卻通路130形成在噴嘴保持部件75H內(nèi)，并且諸如水的冷卻介質(zhì)被允許穿過(guò)冷卻通路130。由于這種布置，保持部件75H能夠得到冷卻從而噴射噴嘴75能夠得到冷卻。在俯視圖中，激光照射單元22的位置被設(shè)置在噴射噴嘴75的遠(yuǎn)端部和抽吸噴嘴76的遠(yuǎn)端部之間的中間部分處。而且，它們被設(shè)置在朝向噴射噴嘴75的一側(cè)。噴射噴嘴75和吸入/排出噴嘴76均可拆開(kāi)地連接到處理頭100。由于這種布置，結(jié)構(gòu)能夠根據(jù)需要被改變?yōu)樽钸m合的結(jié)構(gòu)。在供給臭氧時(shí)，冷卻介質(zhì)穿過(guò)噴嘴保持部件75H的冷卻通路130。通過(guò)如此做，噴射噴嘴75能夠通過(guò)噴嘴保持部件75H被冷卻，從而，通過(guò)噴射噴嘴75的臭氧氣體能夠被冷卻。由于這種布置，氧原子基的數(shù)量能夠被防止減小，并且活性能夠保持很高。因此，通過(guò)可靠地使臭氧氣體與膜92c反應(yīng)能夠執(zhí)行蝕刻。與供給臭氧并行地，激光加熱器20被打開(kāi)，以便激光L從照射單元22向正上方發(fā)射。如圖45(b)的仰視圖所示，這個(gè)激光以點(diǎn)狀的方式被輻照到晶片90背面的極小的區(qū)域Rs。這個(gè)區(qū)域Rs位于噴射噴嘴75的噴射端口和抽吸噴嘴76的抽吸端口之間，并與臭氧氣體經(jīng)過(guò)通路一致。這個(gè)區(qū)域Rs被局部輻照加熱且瞬時(shí)到達(dá)到諸如幾百攝氏度的高溫。通過(guò)使臭氧與具有高溫的區(qū)域Rs接觸，反應(yīng)能夠被改進(jìn)并且能夠提高處理效率。根據(jù)臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)從而根據(jù)晶片90的旋轉(zhuǎn)，局部輻照加熱區(qū)域Rs被順序移位。即，晶片90外周的背面的每個(gè)點(diǎn)僅瞬時(shí)定位在輻照加熱區(qū)域Rs，并迅速經(jīng)過(guò)該區(qū)域。因此，輻照加熱時(shí)間段是瞬間的。例如，假設(shè)晶片90的直徑是200畫(huà)，旋轉(zhuǎn)速度是1rpm，并且輻照區(qū)域Rs的直徑是3ram，輻照加熱時(shí)間段僅約0.3秒。另一方面，當(dāng)晶片90外周的背面的每個(gè)點(diǎn)一旦被加熱，熱量在那里保持很短時(shí)間，即使在每個(gè)點(diǎn)經(jīng)過(guò)該區(qū)域后。因此，每個(gè)點(diǎn)的溫度仍很高(參見(jiàn)圖46的表面溫度分布圖表)。在這種高溫時(shí)期期間，每個(gè)點(diǎn)仍位于噴射噴嘴75和抽吸噴嘴76之間的臭氧氣體的經(jīng)過(guò)通路中，并且臭氧仍保持與其接觸。由于這個(gè)特性，處理效率能夠得到更大的提咼°而且，由于輻照區(qū)域Rs被偏離向噴射噴嘴75偵IJ，當(dāng)每個(gè)點(diǎn)與臭氧接觸時(shí)，晶片90外周的背面的每個(gè)點(diǎn)迅速被加熱。此后，這個(gè)點(diǎn)短時(shí)間保持高溫，即使在它從輻照加熱區(qū)域Rs移動(dòng)離開(kāi)后。在每個(gè)點(diǎn)保持高溫的時(shí)間期間，點(diǎn)被保持與臭氧接觸。由于這個(gè)特性，處理效率能夠得到更大的提高。另一方面，位于晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分不直接接受來(lái)自激光加熱器20的輻照熱量。而且，這種特定部分被熱吸收，并由臺(tái)10內(nèi)的冷卻介質(zhì)冷卻。因此，即使輻照加熱區(qū)域Rs的熱量應(yīng)被傳送到特定部分，能夠抑制溫度增加，因此，能夠可靠地保持低溫狀態(tài)。這使得可以可靠地防止不應(yīng)被去除的膜92上出現(xiàn)損壞，并且能夠保持極佳的膜質(zhì)量。圖46(a)顯示了在旋轉(zhuǎn)晶片的背面的外周部被激光局部輻照加熱時(shí)的特定時(shí)刻，晶片正面的溫度分布；并且圖46(b)顯示了溫度的單個(gè)測(cè)量結(jié)果對(duì)比背面的周邊位置。激光輸出是100W，并且旋轉(zhuǎn)速度是1rpm。輻照區(qū)域Rs的直徑約為3mm。位于圖46(a)的晶片90的外周上的位置0對(duì)應(yīng)于圖46(b)的橫軸的原點(diǎn)。圖46(b)的橫軸顯示了有關(guān)從位置0的距離，晶片的背面的外周部的各個(gè)點(diǎn)。在圖46(a)和46(b)中，輻照區(qū)域Rs和包括區(qū)域Rs的區(qū)域Ro具有對(duì)應(yīng)的關(guān)系。區(qū)域Ro對(duì)應(yīng)于噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的長(zhǎng)度D(參見(jiàn)圖45(b))部分。如從圖46(b)很明顯，即使在進(jìn)入輻照區(qū)域Rs前的區(qū)域中，由于這種區(qū)域很小，由于來(lái)自輻照區(qū)域Rs的熱傳導(dǎo)，溫度變成150攝氏度或更高。在輻照區(qū)域Rs中，溫度馬上上升，并顯示350攝氏度到790攝氏度的溫度分布。在緊接著輻照區(qū)域Rs的區(qū)域中，溫度下降，但短期仍保持在150攝氏度或更高的水平。即，保持足以去除有機(jī)物質(zhì)的高溫。從前述很明顯旋轉(zhuǎn)與輻照加熱的結(jié)合對(duì)于去除有機(jī)物質(zhì)很有效。緊接著輻照區(qū)域Rs的保持高溫的區(qū)域范圍取決于激光輸出和臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度。噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間的距離D(區(qū)域Ro的寬度)可根據(jù)這個(gè)建立。為了降低輻照區(qū)域Rs的溫度，激光輸出被減小，并且臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度被增加。作為對(duì)比，為了提高溫度，激光輸出被增加并且臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度被減小。在圖47和48所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備的處理頭100被布置為高于放置在臺(tái)10上的晶片90。噴射噴嘴75和吸入/排出噴嘴76也被設(shè)置為高于晶片90。如在圖41到44的情況下，在俯視圖中，那些噴嘴75，76通常沿晶片90的周向(目標(biāo)位置P附近的切線方向)被彼此相對(duì)地布置，目標(biāo)位置P設(shè)置在噴嘴75，76之間。激光加熱器20的照射單元22被布置在目標(biāo)位置P正上方，姿態(tài)為方向指向下。通過(guò)目標(biāo)位置P,輻射單元22的激光軸線沿與晶片90垂直的法線延伸，并且焦點(diǎn)被固定到目標(biāo)位置P。來(lái)自照射單元22的激光被輻照到晶片90的外周部的正面的目標(biāo)位置P，并且涂覆在目標(biāo)位置P的前側(cè)(正側(cè))的膜被輻照加熱。與此同時(shí)，來(lái)自臭氧發(fā)生器70的臭氧被噴射出來(lái)，并且然后，通過(guò)噴射噴嘴75噴射到晶片90的外周的正面上。然后，臭氧在目標(biāo)位置P附近幾乎沿晶片90的切線方向流動(dòng)。由于這種布置，涂覆在晶片90的外周的前側(cè)上的不需要的膜能夠被去除。晶片90上的氣體流沿晶片90的旋轉(zhuǎn)方向，并且還沿由殘余熱量導(dǎo)致的高溫區(qū)域形成方向(圖46(a))。由于這個(gè)布置，處理效率能夠得到提高。由于抽吸噴嘴76的吸附和晶片90的旋轉(zhuǎn)，處理過(guò)的氣體(包含諸如粒子的反應(yīng)副產(chǎn)品)被保持為沿其被噴出時(shí)刻的流動(dòng)方向，并在那種情況下被吸入抽吸噴嘴76，然后被排出。由于這種布置，能夠防止粒子沉積在晶片90的外周上。由于抽吸噴嘴76具有比噴射噴嘴75更大的孔，處理過(guò)的氣體的泄漏能夠得到抑制。圖49顯示了抽吸噴嘴的布置的修改實(shí)施例。在俯視圖，抽吸噴嘴76從臺(tái)10的半徑外部，從而從晶片90的半徑外部朝向半徑內(nèi)部布置，以便與噴射噴嘴75垂直。抽吸噴嘴76的遠(yuǎn)端的抽吸端口的位置被布置為沿晶片90的放置方向的法線方向略微離開(kāi)噴射噴嘴75的噴射端口。在抽吸噴嘴76的遠(yuǎn)端的上下方向上的位置被布置在與臺(tái)10的上表面從而與晶片90的上表面幾乎相同的高度處。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)噴射噴嘴75噴射出、起反應(yīng)和處理過(guò)的氣體(包含諸如粒子的反應(yīng)副產(chǎn)品)能夠從晶片90的頂部快速送到半徑外部，然后，被吸入抽吸噴嘴76并被排出。這樣，能夠防止粒子沉積在晶片90上。在圖50中所示的抽吸噴嘴的結(jié)構(gòu)中，抽吸噴嘴76被布置為低于放置在臺(tái)10上并處于向上定向姿態(tài)的晶片90的外周部的極接近部分。抽吸噴嘴76的遠(yuǎn)端的抽吸端口的位置被布置為沿晶片90的旋轉(zhuǎn)方向的法線方向略微離開(kāi)噴射噴嘴75的遠(yuǎn)端的噴射端口。由于這種結(jié)構(gòu)，如圖51所示的箭頭指示，通過(guò)噴射端口76噴射出的氣體沿晶片90的外周部的上表面的外端面流向下表面。在這種過(guò)程期間，氣體與涂覆在晶片90的外端面上的不需要的膜92c反應(yīng)，并且涂覆在外端面上的膜92c能夠被可靠地去除。處理過(guò)的氣體(包含諸如粒子的反應(yīng)副產(chǎn)品)被吸入下部抽吸噴嘴76并被排出。在圖52和53所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，照射單元22被布置為比晶片90更高，并處于從半徑外部朝向晶片90的外周部(目標(biāo)位置P)的傾斜姿態(tài)。照射單元22的傾斜角度例如約45度。如圖54所示，來(lái)自照射單元22的輻照光軸線L20(激光光束的中心軸線)與晶片90的外周部的向上部?jī)A斜部分交叉，并與剛好在穿過(guò)點(diǎn)(或橫斷點(diǎn))處的膜的正面的法線對(duì)準(zhǔn)?；蛘吖廨S線L20通常與剛好在穿過(guò)點(diǎn)處與寬度方向?qū)?zhǔn)。照射單元22設(shè)有會(huì)聚光學(xué)系統(tǒng)，會(huì)聚光學(xué)系統(tǒng)包括凸透鏡；柱面透鏡等，并且被構(gòu)造為通過(guò)光纖23將來(lái)自光源21的激光L以匯聚方式照向與晶片90的外周部的上部?jī)A斜部分的光軸線20的穿過(guò)點(diǎn)(被輻照的點(diǎn))。如圖54所示，根據(jù)上述構(gòu)造，來(lái)自照射單元22的激光以約45度的角度從晶片的外周部的上方和半徑外部向下傾斜地照向晶片90的外周部并逐漸被匯聚。然后，激光被輻照到晶片90的外周部的向上部?jī)A斜部分。激光軸線L20通常垂直于將被輻照的點(diǎn)，并形成約0度的入射角。由于這種布置，加熱效率能夠得到提高，并且在被輻照的點(diǎn)的周?chē)木?0的外周部能夠被局部和可靠地加熱到高溫。來(lái)自噴射噴嘴75的臭氧與這種被局部加熱部分接觸。通過(guò)如此做，如圖55所示，膜92c能夠以高蝕刻速度被有效去除。如圖54所示，本發(fā)明人進(jìn)行了用于以匯聚方式以45度的角度從傾斜上部將激光局部輻照到晶片的外周部的實(shí)驗(yàn)。所述晶片的旋轉(zhuǎn)速度是50rpm，并且激光輸出是130W。所述晶片的垂直外端面的表面溫度利用溫度記錄法測(cè)量。在將被輻照的點(diǎn)正下方的位置中，測(cè)量結(jié)果是235.06攝氏度。類(lèi)似地，通過(guò)使激光輻照角度相對(duì)于垂直方向成30度，并使所有其它條件與上述45度的情況相同，執(zhí)行另一實(shí)驗(yàn)。在將被輻照的點(diǎn)正下方的位置，測(cè)量結(jié)果是209.23攝氏度。從上述結(jié)果，很明顯能夠獲得充分大的蝕刻速度。本發(fā)明人還執(zhí)行了比較實(shí)驗(yàn)。激光從晶片的外周部正上面輻照。諸如晶片的旋轉(zhuǎn)速度和激光輸出的所有其它條件與上述實(shí)驗(yàn)的相同。所述晶片的垂直外端面溫度是114.34攝氏度。這個(gè)溫度低于蝕刻的上升溫度。這樣的原因能夠考慮從正上方(從相對(duì)于晶片的90度的方向)的激光照射不會(huì)直接擊中晶片的垂直外端面。而且，也很明顯如果如圖54所示輻照方向?qū)莾A斜為45度，能夠使加熱溫度幾乎是90度的兩倍?？梢越邮艿氖羌す廨椪蛰S線L20從朝向晶片90半徑的外部下傾的角度被指向晶片90的外周部。這個(gè)激光輻照軸線L20的下傾角度可被下傾在對(duì)角的范圍內(nèi)，而且可傾斜直到它變成水平。在激光輻照軸線L20下傾直到它變成水平的情況下，從晶片90的正側(cè)面，來(lái)自照射單元22的激光垂直擊中晶片90的外端面。這種入射角幾乎為零。由于這種布置，在晶片90的外端面上涂覆的膜92c能夠更可靠地被加熱，并能夠進(jìn)一步提高蝕刻速度。本發(fā)明人執(zhí)行了加熱實(shí)驗(yàn)，其中如圖56所示，照射單元22水平倒下，激光以匯聚的方式從正旁邊輻照到晶片的外周部，并且所有其它條件與圖54的實(shí)驗(yàn)相同(晶片的旋轉(zhuǎn)速度50rpm，激光輸出130W)。然后，測(cè)量晶片的垂直外端面的表面溫度。測(cè)量結(jié)果是攝氏256.36度。由此很明顯通過(guò)從晶片的正側(cè)面，將激光輻照到晶片的垂直外端面，溫度能夠更大地增加，并且能夠以更快的速度執(zhí)行處理。如圖57所示，諸如碳氟化合物的有機(jī)膜92也容易以環(huán)流(向四周流動(dòng))到晶片的外周部的背側(cè)的方式形成在晶片的外周部的背側(cè)(下側(cè))。在將去除涂覆在晶片90的外周部的所有膜的背面上涂覆的膜的情況下，照射單元22可被布置在比晶片90低并在半徑外部的位置，以便激光能夠從那個(gè)位置被輻照向晶片90的外周部。由于上述布置，來(lái)自照射單元22的激光以匯聚方式從晶片90下面的位置和半徑外部?jī)A斜向上照向晶片90的外周部。這種激光軸線L20的角度例如約45度。這種激光使得以接近0度的角度入射到晶片90的外周部的下部?jī)A斜部分。由于這種布置，特別地，涂覆在晶片90的所有外周部的背面上的膜92c能夠被加熱到高溫，并且涂覆在背側(cè)上的膜92c能夠被可靠地蝕刻并以高速去除。在這種背面處理中，噴射噴嘴75和排出噴嘴76也優(yōu)選地布置在晶片90的外周部下面的位置中。如圖58所示，垂直于晶片90的照射單元22X可以與以下傾姿態(tài)布置的照射單元22分離地使用。通過(guò)光纖電纜23X，垂直照射單元22X被連接到激光源21X，激光源21X與下傾照射單元22被連接到的一個(gè)單元分離。也可以接受的是兩個(gè)分支光纜被從相同的激光源引出，以便分支光纜的一個(gè)被連接到垂直照射單元22X而另一個(gè)被連接到下傾照射單元22。根據(jù)包括照射單元22，22X的裝置結(jié)構(gòu)，通過(guò)主要使用下傾照射單元22加熱到高溫，涂覆在晶片90的外周的傾斜部分和外端面上的膜92c能夠被有效地去除；并且主要使用垂直照射單元22X，涂覆在晶片90的外周的平坦表面部分上的膜22c能夠被有效去除。由于這種布置，能夠可靠地去除涂覆在晶片90的外周部上的整個(gè)不需要的膜92c。照射單元22的角度不局限于固定的角度。代替地，如圖59所示，可以使用可變角度。圖59中所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備設(shè)有照射單元22用的移動(dòng)機(jī)構(gòu)30。移動(dòng)機(jī)構(gòu)30設(shè)有滑動(dòng)導(dǎo)引器31?；瑒?dòng)導(dǎo)引器31具有從約12點(diǎn)鐘的位置到約3點(diǎn)鐘的位置延伸約90度的、約1/4的圓周的弧形結(jié)構(gòu)。所述晶片90的外周部(目標(biāo)位置P)被布置在對(duì)應(yīng)于滑動(dòng)導(dǎo)引器31的弧形結(jié)構(gòu)的中心的位置。照射單元22被安裝在滑動(dòng)導(dǎo)引器31上，從而照射單元22可沿滑動(dòng)導(dǎo)引器31的周向滑動(dòng)。由于這種布置，照射單元22和激光軸線L20—直指向晶片90的外周部，并且可在正位于晶片90的外周部上面的垂直姿態(tài)位置(其中照射單元22和激光軸線L20采取由圖59的雙點(diǎn)劃線指示的垂直姿態(tài))和在晶片90正旁邊的水平姿態(tài)位置(其中照射單元22和激光軸L20采取由圖59的虛線指示的水平姿態(tài))之間在90度的角度范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。照射單元22和激光軸線L20的移動(dòng)軌跡被布置在垂直于包括10和晶片90的單個(gè)半徑的臺(tái)10和晶片90的上表面的垂直平面上。雖然未示出，移動(dòng)機(jī)構(gòu)30設(shè)有用于沿滑動(dòng)導(dǎo)引器31在垂直姿態(tài)位置和水平姿態(tài)位置之間移動(dòng)照射單元22的驅(qū)動(dòng)裝置。如圖59的實(shí)線所示，根據(jù)配置這種移動(dòng)機(jī)構(gòu)30的用于處理基板的外周部的設(shè)備，當(dāng)晶片90的外周部的上部?jī)A斜部分主要被處理時(shí)，照射單元22和激光軸線L20朝向晶片90的上側(cè)被傾斜例如約45度的角度。通過(guò)如此做，幾乎在其中心和其外圍，晶片90的外周部能夠被可靠地加熱到高溫，并且涂覆在上部?jī)A斜部分的外圍上的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度可靠地去除。如圖59的虛線所示，當(dāng)晶片90的垂直外端面主要被處理時(shí)，照射單元22和激光軸線L20下降到晶片90正旁邊，并進(jìn)入水平姿態(tài)。通過(guò)如此做，晶片90的外端面及其周邊能夠主要被加熱到高溫，并且涂覆在外端面的周邊的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度被可靠地去除。如圖59的雙點(diǎn)劃線所示，當(dāng)晶片90的外周的上部平坦表面部分將主要被處理時(shí)，照射單元22和激光軸線L20被定位在晶片90正上方，從而它們釆取垂直姿態(tài)。通過(guò)如此做，晶片90的外周的上部平坦表面部分及其周邊能夠可靠地主要加熱到高溫，并且涂覆在上部平坦表面的周邊上的不需要的膜92c能夠以高的蝕刻速度被可靠地去除。采用如上提及的方法，晶片90的外周部的各個(gè)部分能夠得到有效地處理。如圖60所示，當(dāng)主要處理涂覆在晶片90的外周部的背面?zhèn)鹊哪r(shí)，移動(dòng)機(jī)構(gòu)30的滑動(dòng)導(dǎo)引器31可具有從約3點(diǎn)鐘的位置到約6點(diǎn)鐘的位置延伸約90度的、1/4圓周的弧形結(jié)構(gòu)。照射單元22和激光軸線L20總指向晶片90的外周部(目標(biāo)位置P)，并可在其中照射單元22和激光軸線L20在晶片90正旁邊采用水平姿態(tài)的水平姿態(tài)位置(由圖60的虛線所示)和其中照射單元22和激光軸線L20在晶片90的外周部正下面采取垂直姿態(tài)的垂直姿態(tài)位置(由圖60的雙點(diǎn)劃線所示)之間在90度的角度范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。由于上述布置，如圖60的實(shí)線所示，當(dāng)晶片90的下部?jī)A斜部分將主要被處理時(shí)，照射單元22和激光軸線L20被傾斜，例如晶片90向下約45度。由于這種布置，晶片90的外周部的上部?jī)A斜部分及其周邊能夠可靠地加熱到高溫，并且涂覆在上部?jī)A斜部分的周邊上的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度被可靠地去除。如圖60的虛線所示，當(dāng)晶片90的垂直外端面主要被處理時(shí)，照射單元22和激光軸線L20落在晶片90正旁邊，并采取水平姿態(tài)。由于這種布置，晶片90的外端面及其周邊能夠可靠地被加熱到高溫，并且涂覆在外端面的周邊上的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度可靠地去除。如圖60的雙點(diǎn)劃線所示，當(dāng)晶片90的外周的背側(cè)的平坦表面部分將被處理時(shí)，照射單元22和激光軸線L20定位在晶片90正下方，從而它們采取垂直姿態(tài)。由于這種布置，晶片90的外周的背側(cè)的平坦表面及其周邊能夠可靠地被加熱到高溫，并且涂覆在背側(cè)的平坦表面部分的周邊上的不需要的膜92c能夠以高蝕刻速度地被可靠地去除。釆用如上提及的方法，晶片90的外周部的各個(gè)部分能夠得到有效地處理。在圖59和60中，滑動(dòng)導(dǎo)引器31具有1/4圓周的弧形結(jié)構(gòu)，并且照射單元22和激光軸線L2的角度調(diào)節(jié)范圍約為90度。也可以接受的是導(dǎo)引器31具有從約12點(diǎn)鐘的位置到約6點(diǎn)鐘的位置延伸約180度的、約1/2的圓周結(jié)構(gòu)；并且照射單元22和激光軸線L20可從晶片90的外周部的正上方到正下面的、180度的角度范圍進(jìn)行角度調(diào)節(jié)。在圖61到67所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，處理頭100被設(shè)置在臺(tái)10的一側(cè)部分處。如圖67所示，處理頭100被支撐在裝置框架(未示出)上，從而處理頭100能夠在其中處理頭向臺(tái)10前進(jìn)的處理位置(由圖67的實(shí)線指示)和其中處理頭100離開(kāi)臺(tái)10的撤回位置(由圖67的虛線所示)之間前進(jìn)和撤回。處理頭100的數(shù)目并不局限于一個(gè)。代替地，多個(gè)處理頭100沿臺(tái)10的周向間隔地設(shè)置。如圖61到64所示，處理頭100包括頭主體101和設(shè)置在頭主體101處的柄杓型噴嘴160。頭主體101具有大體長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)。如圖61和62所示，頭主體101的上部設(shè)置有激光加熱器的照射單元22。如圖61到64所示，面對(duì)臺(tái)10的開(kāi)口101形成在頭主體101的下部中。在照射單元22的下端中形成的輻照窗口面對(duì)開(kāi)口102的頂表面。單路的氣體供給通路71和三路的排出通路76X，76Y，76Z形成在頭主體101的下部壁中。如圖62所示，氣體供給通路71的基端(上游端)與臭氧發(fā)生器70連接。如圖62和63所示，氣體供給通路71的遠(yuǎn)端(下游端)延伸向頭主體101的開(kāi)口102的一側(cè)的內(nèi)表面。如圖62和63所示，在頭主體101的開(kāi)口102中，第一排出通路76X的抽吸端通向氣體供給通路71的相對(duì)側(cè)的內(nèi)側(cè)表面。排出通路76X的抽吸端的高度略高于臺(tái)10的上表面。沿晶片90的旋轉(zhuǎn)方向(例如，在俯視圖中順時(shí)針?lè)较?，排出通路76X被布置在氣體供給通路71的下游側(cè)從而布置在柄杓型噴嘴160的下游側(cè)。如圖62所示，排出通路76Y的抽吸端開(kāi)口通向頭主體101的開(kāi)口的底部表面的中央部。如下描述，排出通路76Y的抽吸端被布置在照射單元22和短筒部161的正下方。如圖61和64所示，其余排出通路76Z通向頭主體101的開(kāi)口102的最內(nèi)側(cè)上的內(nèi)表面。排出通路76Z的抽吸端的高度幾乎與臺(tái)10的上表面相同。那些排出通路76X，76Y，76Z的下游端被連接到諸如排出泵的排出裝置(未示出)。柄杓型噴嘴160被設(shè)置在頭主體101的開(kāi)口102的內(nèi)部部分處。如圖65所示，柄杓型噴嘴160包括具有短筒形結(jié)構(gòu)的短筒部161和細(xì)長(zhǎng)管狀的引入部162。短筒部161和引入部162由諸如石英的抗臭氧透明材料組成。如圖62和63所示，引入部162水平延伸。引入部162的基端部嵌入頭主體101并由頭主體101支撐，并被連接到氣體供給通路71的遠(yuǎn)端部。引入部162的內(nèi)部限定了用于導(dǎo)引臭氧(反應(yīng)性氣體)的引入通路162a。例如，引入部162的外徑是1mm到5mm，并且引入通路162a的流動(dòng)通路截面積約為0.79mm2到19.6mm2并且長(zhǎng)度為20mm到35mm。引入部162的遠(yuǎn)端部延伸入頭主體101的開(kāi)口102，并且短筒部161連接到延伸部分。短筒部161還被設(shè)置在頭主體101的開(kāi)口102的中央部處。短筒部161具有下端開(kāi)口的帶蓋筒形結(jié)構(gòu)，并且還具有方向垂直的軸線。短筒部161的直徑比引入部162的充分大。短筒部161的軸線沿頭主體101的中心軸線延伸，并與照射單元22的輻照軸對(duì)準(zhǔn)。例如，短筒部161的外徑是5mm到20mm，高度是10mm到20誦。蓋部163—體設(shè)置到短筒部161的上端(基端)并適合封閉上端。蓋部163被設(shè)置在照射單元22的輻照窗口下面，以便恰好與輻照窗口相對(duì)。如上提及的，包括蓋部163的整個(gè)短筒部161由諸如石英玻璃的透光材料組成。也可以接受的是至少蓋部163具有透光特性。作為透光材料，除了石英玻璃，可以使用諸如鈉玻璃的通用目的玻璃和具有高透明度的樹(shù)脂。蓋部163的厚度優(yōu)選地是0.1咖到3鵬。引入部162被連接到接近短筒部161的周側(cè)壁的上側(cè)的部分；并且形成在引入部162內(nèi)的引入通路162a與短筒部161的內(nèi)部表面161a連通。引入通路162a的下游端用作與短筒部161的內(nèi)部空間161a連通的連通端口160。短筒部161的內(nèi)部空間161a的流動(dòng)通路截面面積比引入通路162a的從而比連通端口160a的截面面積充分大。例如，連通端口160a的流動(dòng)通路截面積約為0.79mm2到19.6誦2，同時(shí)短筒部161的內(nèi)部空間161a的流動(dòng)通路截面積是19.6mm2到314mm2。然后，從連通端口160a，流經(jīng)引入通路162a的臭氧(反應(yīng)性氣體)流入短筒部161的內(nèi)部空間161a，膨脹并暫時(shí)保持在其中。短筒部161的內(nèi)部空間161a用作臭氧(反應(yīng)性氣體)的暫時(shí)存儲(chǔ)空間。如圖61和62所示，短筒部161的下部遠(yuǎn)端開(kāi)口。利用位于處理位置的處理頭100，放置在臺(tái)10上的晶片90的外周部(目標(biāo)位置)被定位在短筒部161的下端邊緣的正下方，并且短筒部161覆蓋在目標(biāo)位置上面。短筒部161的下端邊緣和晶片90的外周部之間形成的間隙很小，例如約0.5mm。通過(guò)該極小的間隙，在短筒部161內(nèi)形成的暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a面對(duì)晶片90的外周部(目標(biāo)位置)。如圖63所示，處理位置中的短筒部161從晶片90的外部邊緣略微徑向向外擴(kuò)展到晶片90的外部。由于這種布置，通過(guò)短筒部161的擴(kuò)展部分的下端邊緣與晶片90的外周緣之間，在短筒部161內(nèi)形成的暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a與外部連通。在短筒部161的擴(kuò)展部分的下端邊緣與晶片90的外周部之間形成的空間用作釋放端口164，用于釋放存儲(chǔ)在暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a中的氣體?，F(xiàn)在將描述利用采用如上所述方式構(gòu)造的用于處理晶片的外周部的設(shè)備，去除涂覆在晶片90的背面的外周部上的膜92c的方法。利用傳送機(jī)器人等，將待處理的晶片90被放置在臺(tái)10的上表面上，以便晶片90的軸線與臺(tái)10的軸線對(duì)準(zhǔn)并被卡住(或吸附)。然后，處理頭100從撤回位置前進(jìn)并被設(shè)置到處理位置。由于這種布置，如圖66所示，晶片90的外周部被插入形成在頭主體101中的開(kāi)口102內(nèi)，并被布置在短筒部161正下方的位置中。然后，激光源21被開(kāi)啟，并且激光L以匯聚的方式從照射單元22輻照向位于照射單元22正下方的晶片90的外周部。通過(guò)如此做，以點(diǎn)狀(局部)的方式，涂覆在晶片90的外周部上的膜92c能夠被輻照地加熱。雖然在光路中中間設(shè)置著短筒部161的蓋部163，由于蓋部163具有透光特性，光量幾乎不會(huì)被減小。因此，能夠保持加熱效率。與上述加熱操作并行地，臭氧從臭氧發(fā)生器70被發(fā)送到氣體供給通路71。所述臭氧被導(dǎo)引到柄杓型噴嘴160的引入部162的引入通路162a，并從連通端口160a被導(dǎo)引到短筒部161內(nèi)的暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a。由于暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a比引入通路162a和連通端口160a更寬廣地?cái)U(kuò)展，臭氧在暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a中被擴(kuò)散，并暫時(shí)存儲(chǔ)在其中。這使得可以增加臭氧接觸晶片90的外周部的局部被加熱位置的時(shí)間，并且從而，能夠獲得充分的反應(yīng)時(shí)間。通過(guò)蝕刻，這再次使得可以可靠地去除涂覆在被加熱位置上的膜92c，并且從而能夠提高處理速率。而且，臭氧的使用率能夠完全增加，能夠消除浪費(fèi)，并能夠減小所需的氣體量。短筒部161從晶片90的外周緣稍微凸出。凸出部分與晶片90的外周緣之間形成的空間用作用于從短筒部161的內(nèi)部161a釋放氣體的釋放端口164。因此，在短筒部161的內(nèi)部61a存儲(chǔ)的氣體是暫時(shí)的，并且具有退化活性的處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品(粒子等)能夠從釋放端口被快速釋放。因此，通過(guò)一直向暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a供給新鮮臭氧，能夠保護(hù)高的反應(yīng)效率。通過(guò)調(diào)節(jié)三個(gè)排出通路76X，76Y，76Z中的氣體的抽吸和排出量，能夠?qū)νㄟ^(guò)釋放端口164釋放的氣體進(jìn)行泄漏控制，并能夠?qū)υ陂_(kāi)口102內(nèi)泄漏后的氣體進(jìn)行氣體流控制。由于提供了三個(gè)排出通路76X，76Y，76Z，如果有的話，擴(kuò)散的粒子能夠可靠地被吸入和排出。由于臺(tái)10與上述程序同時(shí)地旋轉(zhuǎn)，涂覆在晶片90的外周部上的膜92c能夠從整個(gè)周邊被去除。而且，通過(guò)利用安裝在臺(tái)10內(nèi)的冷卻/吸熱裝置冷卻晶片90的外周部的內(nèi)部部分，能夠防止接受激光輻照的晶片90的內(nèi)部部分的溫度增加。因此，能夠防止涂覆在晶片90的內(nèi)部部分上的膜92被損壞。在去除操作結(jié)束后，處理頭100撤回，臺(tái)10被解除卡持，并且晶片90被從臺(tái)10拾取。如圖68(a)到68(c)所示，沿臺(tái)10的徑向方向調(diào)節(jié)在處理位置的短筒部161的位置，并且短筒部161從晶片90的外周緣的凸出量被調(diào)節(jié)。通過(guò)如此做，能夠調(diào)節(jié)將被去除的膜62c的處理寬度(圖68(a)到68(c)的陰影部分)。本發(fā)明人使用圖69的實(shí)驗(yàn)設(shè)備執(zhí)行蓋部163的透光實(shí)驗(yàn)。石英玻璃板G被用作蓋部163，并且并且激光照射單元22的激光L被輻照到石英玻璃板G。激光能量測(cè)量?jī)x器D被放置在石英玻璃板G的背側(cè)，傳送的激光能量被測(cè)量并且計(jì)算衰減系數(shù)。激光照射單元22的輸出在兒級(jí)中被切換，并且測(cè)量每級(jí)中的激光能量。準(zhǔn)備具有不同厚度的兩個(gè)石英玻璃板G，并對(duì)每個(gè)玻璃板G執(zhí)行相同的測(cè)量。結(jié)果如下。表1玻璃板厚度0.12ram<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>玻璃板厚度0.7腿照射單元輸出傳輸?shù)募す饽芰克p系數(shù)(<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>如上述表1所示，不考慮照射單元22的輸出和玻璃板的厚度，衰減因數(shù)小于4%。因此，很明顯即使柄杓型噴嘴160的蓋部163被中間地設(shè)置在從照射單元22延伸的光路中，96%或更多的激光L能夠通過(guò)蓋部163傳輸，并且在晶片90的周邊部分處的熱效率幾乎不會(huì)減小。另一方面，即使激光能量的衰減部分會(huì)完全被吸收在蓋部163中，這種吸收會(huì)小于4%，并且因此，蓋部163幾乎不會(huì)被加熱。而且，蓋部163能夠被通過(guò)柄杓型噴嘴160的臭氧充分冷卻。因此，蓋部163和柄構(gòu)型噴嘴160幾乎不會(huì)被加熱到高溫，并且?guī)缀醪恍枰哂袩嶙杼匦?。圖70顯示了柄杓型噴嘴160的修改實(shí)施例。在這個(gè)修改實(shí)施例中，作為釋放端口的凹口161b形成在柄杓型噴嘴160的短筒部161的下端邊緣中。如圖71所示，沿短筒部161的周向，凹口161b被布置在與面對(duì)臺(tái)10的側(cè)面相對(duì)的側(cè)面上(對(duì)應(yīng)于晶片90的半徑外側(cè)的位置)。凹口161b具有半圓形結(jié)構(gòu)，具有約2mm的半徑。凹口161b的結(jié)構(gòu)和尺寸并不局限于上述，它們能夠根據(jù)需要合適地改變。根據(jù)這種修改的實(shí)施例，被暫時(shí)保存在暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a中的處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品能夠通過(guò)凹口161b被可靠地釋放，新鮮臭氧能夠被可靠地供給到暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a，并且能夠獲得高反應(yīng)系數(shù)。由于柄杓型噴嘴160的短筒部161本身設(shè)有釋放端口161b，通過(guò)使短筒部161從晶片90的外周凸出，不再需要在短筒部161和晶片90的外周之間形成釋放端口164。如圖68(c)所示，在短筒部161和晶片90在外邊緣彼此對(duì)準(zhǔn)的情況下，處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品能夠可靠地流出暫時(shí)存儲(chǔ)空間161a，并且能夠使將被去除的膜92c的處理寬度的可建立范圍變寬。圖72，73顯示了排出系統(tǒng)的修改實(shí)施例。排出噴嘴76XA，76YA，76ZA可被設(shè)置在處理頭100的開(kāi)口102內(nèi)。如圖73的虛線所指示，幾乎沿放置在臺(tái)10上的晶片90的切線方向，排出噴嘴76XA從頭主體101的側(cè)部上的排出通路76X向開(kāi)口102的中央部分延伸。沿晶片90的旋轉(zhuǎn)方向(例如，俯視圖中的順時(shí)針?lè)较?，排出噴嘴76XA的遠(yuǎn)端開(kāi)口朝向短筒部161的下游側(cè)略微離開(kāi)地布置，以便面對(duì)短筒部161的側(cè)面部分。排出噴嘴76XA略微高于晶片90并略微向下傾斜地布置。排出噴嘴76XA的遠(yuǎn)端開(kāi)口傾斜向下定向。根據(jù)晶片90的旋轉(zhuǎn)，位于短筒部161正下方的晶片90上產(chǎn)生的諸如粒子的反應(yīng)副產(chǎn)品流向排出噴嘴76XA。通過(guò)經(jīng)排出噴嘴76XA吸入和排放那些反應(yīng)副產(chǎn)品，能夠可靠地防止粒子沉積在晶片90上。由圖72和73的虛線指示，排出噴嘴76YA從位于頭主體101的底部處的排出通路76Y垂直向上延伸。排出噴嘴76YA的遠(yuǎn)端(上端)開(kāi)口布置在短筒部161的下端開(kāi)口的正下方，以便略微遠(yuǎn)離短筒部161的下端開(kāi)口并面對(duì)短筒部161的下端開(kāi)口。晶片90的外周部被插入短筒部161和排出噴嘴76YA之間。由于上述布置，在位于短筒部161正下方的晶片90上產(chǎn)生的諸如粒子的反應(yīng)副產(chǎn)品能夠在排出噴嘴76YA下面的位置被吸附和排出，并且能夠可靠地防止粒子沉積在晶片90上。同時(shí)地，來(lái)自短筒部161的諸如臭氧的反應(yīng)性氣體能夠被控制以從晶片90的外周部的上部邊緣向下部邊緣流動(dòng)。采用這種方式，反應(yīng)性氣體能夠不僅與晶片90的上部邊緣而且與外端和下部邊緣接觸。由于這種布置，能夠有效去除涂覆在晶片90的外周部上的整個(gè)不需要的膜92c。如圖72的虛線所示，排出噴嘴76ZA從在頭主體101的開(kāi)口102的最內(nèi)側(cè)表面處的排出通路76Z向開(kāi)口102的中央部分徑向向晶片90內(nèi)延伸。排出噴嘴76ZA的遠(yuǎn)端開(kāi)口被布置在短筒部161略微內(nèi)側(cè)(晶片90的半徑外部)并指向短筒部161。排出噴嘴76ZA的上部和下部位置被設(shè)置為與短筒部161和晶片90的下端部幾乎同樣高。由于上述布置，在位于短筒部161正下方的晶片90上產(chǎn)生的粒子能夠被快速地從晶片90的頂部送到半徑外部，并被吸入和通過(guò)排出噴嘴76ZA排出，并且粒子能夠被可靠地防止沉積在晶片90上。而且，如果有的話，擴(kuò)散的粒子能夠可靠地被吸入和排出。三個(gè)排出噴嘴76XA,76YA，76ZA中，可以可選擇地僅使用第一個(gè)，可選擇地使用其中兩個(gè)，或可使用全部三個(gè)。也可以接受的是其中兩個(gè)或三個(gè)被預(yù)先安裝，并且僅有其中一個(gè)被選擇地使用用于抽吸和排出處理過(guò)的氣體。兩個(gè)或三個(gè)被同時(shí)用于抽吸和排出操作也是值得關(guān)注的選擇。在圖74到77所示的用于處理基板的外周部的設(shè)備中，代替上述柄杓型噴嘴160，使用了長(zhǎng)筒噴嘴170(筒部)。而且，代替與柄杓型噴嘴160成一體的、由石英制成的引入部162，使用了由抗臭氧樹(shù)脂(例如，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)組成的引入部179。長(zhǎng)筒噴嘴170和引入部179分離地形成。如圖76所示，如在柄杓型噴嘴160的情況下，長(zhǎng)筒噴嘴170由抗臭氧透明材料組成。長(zhǎng)筒噴嘴170具有帶蓋的筒形結(jié)構(gòu)，所述帶蓋的筒形結(jié)構(gòu)具有敞開(kāi)的下表面并比短筒部161更長(zhǎng)。例如，長(zhǎng)筒噴嘴170長(zhǎng)40mm到80mm，外徑5ram到20mm，并且內(nèi)部空間的流動(dòng)通路截面積為19.6mm2到314mm2。長(zhǎng)筒噴嘴170被一體地設(shè)置在上端(基端)，且具有用于關(guān)閉上端的透明蓋部173。如圖74和75所示，蓋部173被布置在照射單元22的輻照窗口下面，以便恰當(dāng)?shù)嘏c輻照窗口相對(duì)。照射單元22被構(gòu)造以以匯聚方式通過(guò)蓋部173將激光輻照到放置在臺(tái)10上的晶片90的外周部(目標(biāo)位置)。蓋部173的厚度優(yōu)選地是0.1mm到3mm。長(zhǎng)筒噴嘴170被布置在頭主體101的開(kāi)口102的中央部分處，以便軸線垂直定向。長(zhǎng)筒噴嘴170被布置為穿過(guò)放置在臺(tái)10上的晶片90的外周部(目標(biāo)位置)，并在中間部分與晶片90的外周部相交。凹口174形成在長(zhǎng)筒噴嘴170和晶片90的外周部之間的相交部分(對(duì)應(yīng)于目標(biāo)位置的部分)的周側(cè)部分。凹口174沿長(zhǎng)筒噴嘴170的周向延伸，且通常超過(guò)半圓周。凹口174具有比晶片90的厚度略微大的垂直厚度，以便晶片90的外周部能夠插入其中。例如，凹口174在長(zhǎng)筒噴嘴170中位于離開(kāi)長(zhǎng)筒噴嘴170的上端部約IO咖到30咖的位置處。凹口174的厚度(垂直尺寸)約為2腿到5咖。凹口174的圓心角度優(yōu)選地為240度到330度。引入部179被連接到長(zhǎng)筒噴嘴170的凹口174的(基端側(cè))上部171。形成在引入部179中的引入通路179a的下游端與上部噴嘴部分171的內(nèi)部連通，并用作連通端口170a。長(zhǎng)筒噴嘴170的上部噴嘴部分171的內(nèi)部構(gòu)成暫時(shí)存儲(chǔ)空間171a。當(dāng)晶片90被插入凹口174時(shí)，來(lái)自上部噴嘴部分171內(nèi)的暫時(shí)存儲(chǔ)空間171a的釋放端口175a形成在晶片90的外邊緣與當(dāng)凹口174形成時(shí)留下的長(zhǎng)筒噴嘴170的剩余部分175之間。長(zhǎng)筒噴嘴170的、位置比凹口174低的一部分的內(nèi)部用作連接到釋放端口75a的釋放通路。如圖75所示，排出通路76Y被直接連接到長(zhǎng)筒噴嘴170的下端。根據(jù)此第二實(shí)施例，當(dāng)將被處理的晶片90被放置在臺(tái)10的上表面上并且處理頭100前進(jìn)到處理位置時(shí)，晶片90的外周部被插入長(zhǎng)筒噴嘴170的凹口174中。由于這種布置，長(zhǎng)筒噴嘴170的內(nèi)部由介于其間的晶片90垂直分隔。上部和下部噴嘴部分171，172的內(nèi)部空間通過(guò)釋放端口175a彼此連通。然后，激光以匯聚的方式從照射單元22被輻照到晶片90的外周部，以便晶片90的外周部被局部加熱，并且來(lái)自臭氧發(fā)生器70的臭氧通過(guò)連通端口170a被送入上部噴嘴部分171內(nèi)的暫時(shí)存儲(chǔ)空間171a。通過(guò)如此做，如在第一實(shí)施例的情況下，涂覆在晶片90的外周部上的膜92c能夠有效地被去除。凹口174的邊緣和晶片90之間形成的間隙很小。而且，下部噴嘴部分172被排出裝置吸附。相應(yīng)的，能夠可靠地防止氣體通過(guò)凹口174和晶片90之間的極小間隙泄漏。而且，能夠有效地控制反應(yīng)。而且，處理過(guò)的氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品通過(guò)釋放端口175a被強(qiáng)制流到下部噴嘴部分172，以便它們能夠通過(guò)排出通路76Y被強(qiáng)制排出。如果有的話，產(chǎn)生的粒子能夠經(jīng)排出通路76Y被強(qiáng)制排出。在一些實(shí)例中，兩種或多種不同類(lèi)型的膜被層疊在晶片90上。例如，如圖7.8(a)所示，由諸如Si02的無(wú)機(jī)物質(zhì)組成的膜94被涂覆在晶片90上，并且由諸如光致抗蝕劑的有機(jī)物質(zhì)組成的膜92被涂覆在膜94上。在那種情況下，除了用于去除涂覆在基板的外周上的有機(jī)膜92的反應(yīng)性氣體供給器外，可設(shè)置另一反應(yīng)性氣體供給器，以去除涂覆在基板的外周上的無(wú)機(jī)膜94。艮P，如圖79和80所示，用于處理使用雙膜層疊晶片的基板的外周部的設(shè)備設(shè)有單個(gè)空氣壓力室2;單個(gè)臺(tái)10;用于去除有機(jī)膜的反應(yīng)性氣體供給源的第一處理頭100;和用于去除無(wú)機(jī)膜的反應(yīng)性氣體供給源的第二處理頭200(氣體導(dǎo)引部件件)。利用前進(jìn)/撤回機(jī)構(gòu)，第一處理頭100能夠在沿臺(tái)10且從而沿晶片90的外周表面延伸的處理位置(由圖79和80的虛線所示)和徑向向外離開(kāi)處理位置的撤回位置(由圖79和80的實(shí)線指示)之間前進(jìn)和撤回。第一處理頭100的結(jié)構(gòu)本身與圖47和48所示的處理頭100相同。如圖80中的雙點(diǎn)劃線指示，有機(jī)膜處理頭100被布置在比晶片90將被布置在其中的水平平面更高的位置。也可以接受的是有機(jī)膜處理頭100可布置在比由圖80的虛線指示的晶片90將被布置在其中的水平面更低的位置。這種有機(jī)膜處理頭100具有與圖41到44等所示的處理頭100相同的結(jié)構(gòu)。一對(duì)有機(jī)膜處理頭100可與設(shè)置在其間的上述水平面成垂直關(guān)系布置。用于無(wú)機(jī)膜的第二處理頭200沿臺(tái)10的周向從有機(jī)膜處理頭100離開(kāi)180度設(shè)置。利用前進(jìn)/撤回機(jī)構(gòu)，第二處理頭200能夠在沿晶片90延伸的處理位置(由圖80的虛線所示)和徑向向外離開(kāi)晶片90的撤回位置(由圖80的實(shí)線指示)之間前進(jìn)和撤回。如圖81所示，第二處理頭200具有沿晶片90的外周延伸的大體弓形結(jié)構(gòu)。如圖83所示，插入端口201以切入方式朝向第二處理頭200的內(nèi)部形成在第二處理頭200的直徑減小側(cè)的周側(cè)表面中。如圖81和82所示，插入端口201沿第二處理頭200的周向延伸在整個(gè)長(zhǎng)度上。插入端口201的垂直厚度略微大于晶片90的厚度。根據(jù)第二處理頭200的前進(jìn)和撤回操作，所述晶片90的外周部被插入插入端口201和從插入端口201去除。如圖83所示，插入端口201的最內(nèi)端被很大程度地?cái)U(kuò)展，以便用作第二反應(yīng)性氣體導(dǎo)引通路202。如圖81所示，導(dǎo)引通路202沿第二處理頭200的縱向方向(周向)延伸。在俯視圖中，導(dǎo)引通路202具有弓形結(jié)構(gòu)，該弓形結(jié)構(gòu)具有與晶片90的半徑幾乎相同的曲率半徑。當(dāng)晶片90被插入插入端口201中時(shí)，晶片90的外周部被定位在導(dǎo)引通路202內(nèi)。如圖83所示，導(dǎo)引通路202的截面結(jié)構(gòu)是正圓形。然而，應(yīng)該指出導(dǎo)引通路202的截面結(jié)構(gòu)并不局限于此。例如，它可以是半圓形結(jié)構(gòu)或方形結(jié)構(gòu)。而且，導(dǎo)引通路202的流動(dòng)通路截面積可被設(shè)置到適合尺寸的大小。無(wú)機(jī)膜去除反應(yīng)性氣體(第二反應(yīng)性氣體)可與諸如Si02的無(wú)機(jī)物質(zhì)反應(yīng)。作為其初始?xì)怏w，例如可以使用諸如CF4和C2F6的PFC氣體和諸如CHF:i的HFC的含氟氣體。如圖82所示，含氟氣體被導(dǎo)引到作為第二反應(yīng)性氣體生成源的氟等離子放電裝置260的一對(duì)電極261之間的大氣壓放電空間261并被等離子化，以獲得包含諸如氟基的含氟活性種的第二反應(yīng)性氣體。第二反應(yīng)性氣體供給通路262從大氣壓等離子放電空間261a延伸，并在無(wú)機(jī)膜處理頭200的導(dǎo)引通路202的一個(gè)端部處被連接到引入端口202a。排出通路263在導(dǎo)引通路202的另一端部處從排出端口202b延伸。無(wú)機(jī)膜處理頭200由抗氟材料組成。涂覆在晶片90的外周上的由有機(jī)膜92c和無(wú)機(jī)膜92c組成的不需要的膜以如下方式被去除。[有機(jī)膜去除步驟]首先，執(zhí)行去除涂覆在晶片90的外周部上的有機(jī)膜92c的步驟。處理頭100，200被預(yù)先撤回到撤回位置。然后，將被去除的晶片90通過(guò)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)(未示出)同心地設(shè)置在臺(tái)10上。然后，有機(jī)膜處理頭100前進(jìn)到處理位置。通過(guò)如此做，激光照射單元22被定向到晶片90的外周的點(diǎn)P，并且噴射噴嘴75和抽吸噴嘴76沿晶片90的切線方向彼此相對(duì)放置，且位置P介于噴射噴嘴75和抽吸噴嘴76之間(參見(jiàn)圖47和48)。無(wú)機(jī)膜處理頭200被直接預(yù)先定位在撤回位置。接著，激光源21被打開(kāi)，以便激光對(duì)晶片90的外周部的點(diǎn)P進(jìn)行局部加熱，并且在臭氧發(fā)生器70中產(chǎn)生的諸如臭氧的氧基反應(yīng)性氣體通過(guò)有機(jī)膜去除處理頭100的噴射噴嘴75被噴出，并以受限方式被噴射到目標(biāo)點(diǎn)P上(參見(jiàn)圖47和48)。由于這種布置，如圖78(b)所示，涂覆在點(diǎn)P上的有機(jī)膜92c被氧化反應(yīng)和蝕刻(灰化)。通過(guò)利用抽吸噴嘴76抽吸氣體，包含灰化有機(jī)膜的殘余物的處理過(guò)氣體能夠被快速去除。同時(shí)，位于晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分(主要部分)被臺(tái)10吸熱和冷卻。通過(guò)如此做，如前面提及的，能夠防止涂覆在位于晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分上的膜在加熱的影響下質(zhì)量惡化。所述臺(tái)10被旋轉(zhuǎn)一到多次。通過(guò)如此做，涂覆在晶片92的外周部上的有機(jī)膜92c能夠在整個(gè)周邊上被去除，并且無(wú)機(jī)膜94c在整個(gè)周邊上被暴露。[無(wú)機(jī)膜去除步驟]然后，執(zhí)行去除涂覆在晶片90的外周部上的無(wú)機(jī)膜94c的步驟。在那時(shí)，晶片90被保持設(shè)置在臺(tái)10上。然后，無(wú)機(jī)膜處理頭200前進(jìn)，并且晶片90的外周部被插入插入端口201。通過(guò)如此做，晶片90的外周部的具有預(yù)定長(zhǎng)度的部分被導(dǎo)引通路202包圍。通過(guò)調(diào)節(jié)插入量，能夠容易地控制將被去除的膜94c的寬度(處理寬度)。然后，諸如CF4的含氟氣體被供給到氟等離子放電裝置260的電極間空間26la，并且電場(chǎng)出現(xiàn)在電極間空間，以便出現(xiàn)大氣壓輝光放電等離子。通過(guò)如此做，含氟氣體被活性化，并且生成由氟基等組成的含氟反應(yīng)性氣體。通過(guò)供給通路262,含氟反應(yīng)性氣體被導(dǎo)引到無(wú)機(jī)膜處理頭200的導(dǎo)引通路202，然后，沿導(dǎo)引通路202在晶片90的外周部的周向上流動(dòng)。通過(guò)如此做，如圖78(c)所示，涂覆在晶片90的外周部上的無(wú)機(jī)膜94c能夠被蝕刻和去除。同時(shí)地，臺(tái)10旋轉(zhuǎn)。通過(guò)如此做，涂覆在晶片90的外周部上的無(wú)機(jī)膜94c能夠在整個(gè)周邊上被蝕刻和去除。包含由蝕刻導(dǎo)致的副產(chǎn)品的處理過(guò)的氣體經(jīng)排出通路263被排出。由于插入端口201被減小，能夠防止含氟氣體擴(kuò)散到位于晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分。而且，通過(guò)調(diào)節(jié)含氟反應(yīng)性氣體的流量，能夠更可靠地防止氣體擴(kuò)散到位于晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分。在有機(jī)膜去除步驟結(jié)束后或無(wú)機(jī)膜去除步驟開(kāi)始前，有機(jī)膜處理頭100可被撤回到撤回位置，或者有機(jī)膜處理頭100可在無(wú)機(jī)膜去除步驟結(jié)束后撤回。在有機(jī)膜92c能夠通過(guò)臺(tái)10的第一個(gè)旋轉(zhuǎn)去除的情況下，無(wú)機(jī)膜可與有機(jī)膜去除操作平行并且同時(shí)地被去除。在無(wú)機(jī)膜94c開(kāi)始在有機(jī)膜去除步驟期間部分地暴露時(shí)，無(wú)機(jī)膜去除步驟和有機(jī)膜去除步驟可以同時(shí)地進(jìn)行。在無(wú)機(jī)膜成份例如是SiN等的情況下，蝕刻產(chǎn)生在常溫下為固體狀態(tài)的諸如(NH4)2SiFfi和NH4FHF的副產(chǎn)品。因此，可以接受的是有機(jī)膜處理頭100在無(wú)機(jī)膜去除步驟期間位于處理位置，并且由激光加熱器20連續(xù)地進(jìn)行對(duì)晶片90的外周部的激光輻照。通過(guò)如此做，能夠蒸發(fā)常溫下處于固體狀態(tài)的副產(chǎn)品。而且，蒸發(fā)的副產(chǎn)品能夠被抽吸，并通過(guò)抽吸噴嘴76排出。在無(wú)機(jī)膜去除步驟后，頭100，200撤回在撤回位置，并且臺(tái)1停止旋轉(zhuǎn)。然后，消除由臺(tái)10內(nèi)的卡持(或吸附)機(jī)構(gòu)導(dǎo)致的對(duì)晶片90的夾持(或吸附)，并且晶片90被運(yùn)出。根據(jù)這種去除方法，在有機(jī)膜去除步驟和無(wú)機(jī)膜去除步驟的整個(gè)期間，晶片90被持續(xù)設(shè)置在臺(tái)10上。因此，在有機(jī)膜去除步驟轉(zhuǎn)移到無(wú)機(jī)膜去除步驟時(shí)，無(wú)需將晶片90傳送到其它位置，并且因此，能夠消除傳送所需的時(shí)間。而且，不會(huì)產(chǎn)生當(dāng)傳送晶片90時(shí)，晶片90意外地接觸傳送盒時(shí)出現(xiàn)的粒子。而且，不再需要另外的對(duì)準(zhǔn)操作。這使得可以大大地減小整個(gè)處理時(shí)間，提高生產(chǎn)量并實(shí)現(xiàn)高精度的處理。而且，能夠共同使用對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)3和臺(tái)10。因此，裝置的結(jié)構(gòu)能夠簡(jiǎn)化并使尺寸緊湊。通過(guò)將多個(gè)處理頭100，200安裝在單個(gè)共用室2中，裝置能夠處理多種類(lèi)型的膜。而且，也能夠避免交叉污染的問(wèn)題。由于本發(fā)明涉及常壓系統(tǒng)，驅(qū)動(dòng)部分等能夠容易地被安裝在室2內(nèi)部。當(dāng)在晶片90上具有從下面以有機(jī)膜92和無(wú)機(jī)膜94的順序?qū)盈B的有機(jī)膜92和無(wú)機(jī)膜94情況下，首先執(zhí)行無(wú)機(jī)膜去除步驟，并且然后執(zhí)行有機(jī)膜的去除步驟。有機(jī)膜處理頭100和無(wú)機(jī)膜處理頭200之間的分離角并不局限于180度，可以是例如120度或90度。只有當(dāng)它們?cè)诳s回位置和當(dāng)進(jìn)行前進(jìn)/撤回操作時(shí)不彼此干涉，有機(jī)膜處理頭100和無(wú)機(jī)膜處理頭200才滿足要求。也可以接受的是處理位置被重疊。有機(jī)膜處理頭100可一體安裝在含氧反應(yīng)性氣體生成源上，并且無(wú)機(jī)膜處理頭200可被一體安裝含氟的反應(yīng)性氣體生成源上。本發(fā)明人使用如圖81到83所示的相同的第二處理頭(氣體導(dǎo)引部件)執(zhí)行了蝕刻實(shí)驗(yàn)。作為將被處理的對(duì)象，使用了直徑8英寸并且其上覆蓋Si02膜的晶片。CF4用作處理氣體。流量被設(shè)置為100cc/min。這種處理氣體在等離子生成空間261a中被等離子化，并將其用作反應(yīng)性氣體。然后，反應(yīng)性氣體經(jīng)過(guò)氣體導(dǎo)引部件件200的導(dǎo)引通路202。然后，對(duì)晶片的外周部的整個(gè)周邊上的不需要的膜進(jìn)行蝕刻。所需時(shí)間是90秒，且處理氣體量為150cc。(比較實(shí)例1)作為比較實(shí)例，通過(guò)使用其中取消了氣體導(dǎo)引部件件并且來(lái)自噴嘴的反應(yīng)性氣體以點(diǎn)狀的方式直接噴射出的裝置，在與實(shí)施例1相同條件下執(zhí)行蝕刻。所需時(shí)間是20分鐘，并且處理氣體量為2升。因此，很明顯由于提供了根據(jù)本發(fā)明的氣體導(dǎo)引部件件，所需時(shí)間和處理氣體量被極大地減小。(比較實(shí)例2)使用了具有雙環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)并具有對(duì)應(yīng)于晶片外徑的尺寸的處理頭；反應(yīng)性氣體從直徑通常與晶片的外徑相同的環(huán)狀的噴射端口的整個(gè)周邊同時(shí)被噴射出來(lái)；并且在晶片的外周部的整個(gè)周邊上同時(shí)執(zhí)行蝕刻。處理氣體的流量是4升/分鐘。所有其它條件與實(shí)施例1的相同。所需時(shí)間是30秒，并且處理氣體量為2升。因此，根據(jù)本發(fā)明，很明顯所需時(shí)間與其中整個(gè)周邊同時(shí)被處理的裝置幾乎沒(méi)有變化，并且而且，能夠大大減小處理氣體的量。而且，使用與上述情況相同的實(shí)例和裝置并將晶片的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)置為50rpm和300rpm，本發(fā)明人執(zhí)行了各自的處理。然后，測(cè)量了膜厚度對(duì)比在晶片的徑向方向上的徑向位置。結(jié)果如圖84所示。在圖84中，水平軸顯示了從晶片的外端部到徑向向內(nèi)的位置的距離。當(dāng)旋轉(zhuǎn)速度是50rpm時(shí)，處理寬度在從晶片的外端部到約1.6ram的范圍內(nèi)。作為對(duì)比，當(dāng)旋轉(zhuǎn)速度是300rpni時(shí)，處理寬度在從晶片的外端部到約1.0mm的范圍內(nèi)。由前述很明顯旋轉(zhuǎn)速度的增加越大，反應(yīng)性氣體能夠更好被抑制沿徑向向內(nèi)的方向擴(kuò)散，并且處理寬度能夠根據(jù)旋轉(zhuǎn)速度被控制。圖85顯示了用于去除層疊膜的裝置的另一修改實(shí)施例。在這個(gè)修改實(shí)施例中，有機(jī)膜去除含氧反應(yīng)性氣體和無(wú)機(jī)膜去除含氟反應(yīng)性氣體由共用的等離子放電裝置270生成。氧氣(02)被用作有機(jī)膜去除反應(yīng)性氣體的初始?xì)怏w。諸如CF4的含氟氣體被用作無(wú)機(jī)膜去除反應(yīng)性氣體的初始?xì)怏w。從各自初始?xì)怏w源延伸的初始?xì)怏w供給通路273，274被匯聚和延伸到形成在共用等離子放電裝置270的一對(duì)電極271之間的大氣壓放電空間271a。截止閥273V,274V被分別設(shè)置到初始?xì)怏w供給通路273，274。通過(guò)三通閥276，從共用等離子放電裝置270延伸的反應(yīng)性氣體供給通路275被分成兩條通路，即含氧反應(yīng)性氣體供給通路277和含氟反應(yīng)性氣體供給通路278。含氧反應(yīng)性氣體供給通路277被連接到有機(jī)膜處理頭100的噴射噴嘴75。含氟反應(yīng)性氣體供給通路278被連接到無(wú)機(jī)膜處理頭200的導(dǎo)引通路202的上游端。在有機(jī)膜去除步驟中，含氟初始?xì)怏w供給通路274的截止閥274V被關(guān)閉，同時(shí)含氧初始?xì)怏w供給通路273的截止閥273V被打開(kāi)。通過(guò)如此做，諸如02的初始?xì)怏w被導(dǎo)引入等離子放電裝置270的放電空間271a，并被活性化以產(chǎn)生諸如氧基和臭氧的含氧反應(yīng)性氣體。從等離子放電裝置270延伸的共用反應(yīng)性氣體供給通路275經(jīng)三通閥276被連接到含氧反應(yīng)性氣體供給通路277。由于這種布置，諸如臭氧的含氧反應(yīng)性氣體被導(dǎo)引入有機(jī)膜處理頭100的噴射噴嘴75中，以便能夠通過(guò)灰化去除涂覆在晶片90的外周部上的有機(jī)膜92c。在無(wú)機(jī)膜去除步驟中，含氧初始?xì)怏w供給通路273的截止閥273V被關(guān)閉，同時(shí)氧初始?xì)怏w供給通路274的截止閥274V被打開(kāi)。通過(guò)如此做，諸如CF4的含氟初始?xì)怏w被導(dǎo)引到等離子放電裝置270并被等離子化，以便產(chǎn)生諸如F*的含氟反應(yīng)性氣體。從等離子放電裝置270延伸的共用反應(yīng)性氣體供給通路275經(jīng)三通閥276被連接到含氟反應(yīng)性氣體供給通路278。由于這種布置，諸如F*的含氟反應(yīng)性氣體被導(dǎo)引入無(wú)機(jī)膜處理頭200的導(dǎo)引通路202中，并沿晶片的周向流動(dòng)，以便涂覆在晶片90的外周部上的無(wú)機(jī)膜94c能夠通過(guò)蝕刻被去除。圖86顯示了上述層疊膜去除裝置的修改實(shí)例。根據(jù)這個(gè)修改實(shí)例的臺(tái)10包括擴(kuò)大直徑的臺(tái)主體110(第一臺(tái)部分)和減小直徑的中心墊111(第二臺(tái)部分)。所述臺(tái)主體110具有直徑略微比晶片90小的盤(pán)狀結(jié)構(gòu)。所述臺(tái)主體110其中設(shè)有諸如冷卻介質(zhì)室41的吸熱器。容納凹部110a形成在臺(tái)主體110的上表面的中央部分中。中央墊111具有直徑比臺(tái)主體110小得多的盤(pán)狀結(jié)構(gòu)。中央墊111與臺(tái)主體110同軸地布置。雖然未顯示，在它們的上表面處，臺(tái)主體110和中央墊111被分別設(shè)有用于吸附晶片90的吸附槽。與臺(tái)主體110和中央墊111同軸的墊軸112被布置在中央墊111下面。中央墊111被連接到墊軸112的上端部并且由墊軸112的上端部支撐。墊軸112與墊驅(qū)動(dòng)單元113連接。墊驅(qū)動(dòng)單元113設(shè)有用于將墊軸112上下升降的升降驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。墊軸112從而中央墊111，被導(dǎo)致在突出位置和容納位置之間上下移動(dòng)(前進(jìn)和撤回)，其中在突出位置(圖86(b))墊軸112，從而中央墊111，從臺(tái)主體110向上突出，其中在容納位置(圖86(a))，墊軸112，從而中央墊111，被容納在臺(tái)主體110的容納凹部110a中。也可以接受的是中央墊111是固定的，并且臺(tái)主體110被連接到墊驅(qū)動(dòng)單元113，并且中央墊111在那種狀態(tài)下被向上升和向下降，以便中央墊111突出和被容納。位于容納位置的中央墊111的上表面與臺(tái)主體110的上部平齊。然而，位于容納位置的中央墊111的上表面可比臺(tái)主體110的上部低。墊驅(qū)動(dòng)單元113設(shè)有用于旋轉(zhuǎn)墊軸112從而旋轉(zhuǎn)中央墊111的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。雖然未顯示，臺(tái)主體110和中央墊111其中分別設(shè)有用于卡持(吸附)晶片9的卡持(或吸附)機(jī)構(gòu)。冷卻室41等的吸熱裝置僅被設(shè)置在臺(tái)主體110上，并且未設(shè)置在中央墊111上。然而，吸熱裝置還可以設(shè)置在中央墊111上。無(wú)機(jī)膜處理頭200被定位在與位于突出位置的中央墊111的上表面高度相同的位置。在所述高度位置，無(wú)機(jī)膜處理頭200可在接近中央墊111的處理位置(由圖1和2的虛線指示)和離開(kāi)中央墊111的撤回位置(由圖1和2的實(shí)線指示)之間前進(jìn)和撤回。如圖86(a)所示，在有機(jī)膜去除步驟中，中央墊111位于容納位置中時(shí)冷卻裝置被啟動(dòng)，并且處理操作由有機(jī)膜處理頭100執(zhí)行，同時(shí)繞共軸線一體地旋轉(zhuǎn)臺(tái)主體110和中央墊lll。如圖86(b)所示，在有機(jī)膜去除步驟結(jié)束后，有機(jī)膜處理頭100被撤回到撤回位置。然后，中央墊111被墊驅(qū)動(dòng)單元113上升以使中央墊111進(jìn)入突出位置。通過(guò)如此做，晶片90能夠被送到比臺(tái)主體110高的位置。然后，無(wú)機(jī)膜處理頭200從撤回位置(由圖86(b)中的虛線指示)前進(jìn)到處理位置(由圖86(b)中的實(shí)線指示)，并執(zhí)行無(wú)機(jī)膜去除步驟。由于晶片90的位置向上離開(kāi)臺(tái)主體110，能夠防止臺(tái)主體110的外周部與無(wú)機(jī)膜處理頭200的下部分干涉。因此，能夠增加晶片90沿插入端口201在徑向方向上的深度。由于這種布置，能夠更可靠地防止第二反應(yīng)性氣體擴(kuò)散到晶片90的內(nèi)部。另一方面，臺(tái)主體110的直徑能夠得到充分增加，并且晶片90能夠被吸熱裝置可靠地冷卻直到晶片90的外周部附近。因此，能夠更可靠地防止涂覆在晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分上的膜質(zhì)量損壞。在這種無(wú)機(jī)膜去除步驟中，僅有中央墊111可被旋轉(zhuǎn)。通過(guò)如此做，通過(guò)對(duì)整個(gè)周邊的蝕刻，涂覆在晶片90的外周部上的無(wú)機(jī)膜能夠去除。圖87顯示了具有中央墊的臺(tái)結(jié)構(gòu)的修改實(shí)例。環(huán)形冷卻室41C形成在臺(tái)主體110內(nèi)作為吸熱裝置。環(huán)形冷卻室41C構(gòu)成用于對(duì)晶片90施加冷卻的正壓流體終端。代替環(huán)形冷卻室41C，具有同心多環(huán)結(jié)構(gòu)、徑向結(jié)構(gòu)、螺旋結(jié)構(gòu)等的冷卻通路可形成在臺(tái)主體110中。用于吸附晶片90的吸附槽15形成在臺(tái)主體110的上表面中。吸附槽15構(gòu)成向晶片90施加抽吸的負(fù)壓流體終端。雖然未示出，中央墊111在上表面處也設(shè)置具有用于吸附晶片90的吸附槽。從吸附槽延伸的抽吸通路穿過(guò)墊軸112。利用墊驅(qū)動(dòng)單元113的升降驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，中央墊111在圖87的虛線指示的突起位置和圖87所示的容納位置之間前進(jìn)和撤回(上升或下降)。位于容納位置的中央墊111完全容納在形成在臺(tái)主體110中的凹部110a中，并且中央墊111的上表面從臺(tái)主體110的上表面略向下撤回(幾毫米)。墊軸12穿過(guò)與其同軸的旋轉(zhuǎn)筒150，以便墊軸112可上升和下降并可以旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)筒150的重要部分具有在整個(gè)周?chē)哂芯鶆蚝穸炔⒋怪毖由斓耐残谓Y(jié)構(gòu)。旋轉(zhuǎn)筒150的上端部被連接和固定到臺(tái)主體110。旋轉(zhuǎn)筒150的下端部順序通過(guò)齒輪144、正時(shí)皮帶(同步齒型帶)143、齒輪142，和減速齒輪被連接到旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)140(旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器)。旋轉(zhuǎn)筒150由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)140旋轉(zhuǎn)，并且從而臺(tái)主體110被旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)筒150穿過(guò)軸承B并由軸承B支撐在固定筒180的內(nèi)部上。固定軸180具有與旋轉(zhuǎn)筒150和墊軸112同軸的垂直筒形結(jié)構(gòu)。固定軸180被固定到裝置框架F。只要至少內(nèi)周表面的截面具有圓形結(jié)構(gòu)固定軸180便可接受。固定筒180比旋轉(zhuǎn)筒150更低。旋轉(zhuǎn)筒150的上端部從固定筒180突出，并且臺(tái)主體110被設(shè)置在其頂部。旋轉(zhuǎn)筒150和固定筒180設(shè)有將臺(tái)主體110的環(huán)形冷卻室41C用作終端的冷卻流動(dòng)通路，和將吸附槽15用作終端的抽吸流動(dòng)通路。冷卻流動(dòng)通路的前向通路以如下方式構(gòu)成。如圖87，88和89(c)所示，冷卻水端口181a形成在固定筒180的外周表面中。冷卻前向通路管191從未示出的冷卻水供給源延伸，并被連接到端口181a。連通通路181b從端口181a向固定筒180徑向向內(nèi)延伸。如圖89(c)所示，在整個(gè)周邊延伸的環(huán)形通路181c形成在固定筒180的內(nèi)周表面中。連通通路181b被連接到環(huán)形通路181c的周向上的單個(gè)位置。如圖87和88所示，環(huán)形密封槽182d形成在固定筒180的內(nèi)周表面的環(huán)形通路181c的上側(cè)和下側(cè)。如圖88所示，環(huán)形冷卻前向通路墊圈Gl容納在每個(gè)環(huán)形密封槽182d中。墊圈Gl的截面具有U型結(jié)構(gòu)(C型)。墊圈Gl的開(kāi)口指向環(huán)形通路181c側(cè)。潤(rùn)滑處理優(yōu)選地施加到墊圈Gl的外周表面。如圖87和88所示，直地垂直延伸的軸向通路151a形成在旋轉(zhuǎn)筒150中。如圖88和89(c)所示，軸向通路151a的下端部通過(guò)連通通路151b通向旋轉(zhuǎn)筒150的外周表面。連通通路151b位于與環(huán)形通路181c高度相同的位置，并與環(huán)形通路181c連通。雖然連通通路151b根據(jù)旋轉(zhuǎn)筒150的旋轉(zhuǎn)沿周向轉(zhuǎn)移位置，但它在360度的范圍內(nèi)一直保持與環(huán)形通路181c連通的狀態(tài)。如圖87所示，軸向通路151a的上端部通過(guò)旋轉(zhuǎn)筒150的外周表面上的連接器154連接到外部中繼管157。這種中繼管157通過(guò)臺(tái)主體110的下表面上的連接器197連接到環(huán)形冷卻室41C。冷卻流動(dòng)通路的后向通路以如下方式構(gòu)成。如圖87所示，臺(tái)體110的下表面處設(shè)置有連接器198，連接器198布置在前向通路197的180度相對(duì)側(cè)。所述臺(tái)主體110的環(huán)形冷卻室41C通過(guò)連接器198連接到外部中繼管158。中繼管158被連接到布置在旋轉(zhuǎn)筒150的上部的外周上的連接器155。如圖87所示，直地垂直延伸的軸向通路152a形成在旋轉(zhuǎn)筒150上。如圖89(b)所示，軸向通路152a被布置在前向軸通路151a的180度相對(duì)側(cè)。軸向通路152a的上端部連接到連接器155。如圖87和89(b)所示，軸向通路152a的下端部通過(guò)連通通路152b通向旋轉(zhuǎn)筒150的外周表面。連通通路152b被布置在前向軸通路151a的180度相對(duì)側(cè)，和連通通路151b的上側(cè)。連通通路152b根據(jù)旋轉(zhuǎn)筒150的旋轉(zhuǎn)與軸向通路152a—起繞中心軸線旋轉(zhuǎn)。槽狀的環(huán)形通路182c在整個(gè)周邊上形成在旋轉(zhuǎn)筒180的內(nèi)周表面中。環(huán)形通路182c的位置比前向環(huán)形通路181c更高，但高度與連通通路152b相同。環(huán)形通路182c在連通通路152b的周向上連接到一個(gè)點(diǎn)。雖然連通通路152b的位置根據(jù)旋轉(zhuǎn)筒150的旋轉(zhuǎn)沿周向轉(zhuǎn)移，但它在360度的范圍內(nèi)一直保持與環(huán)形通路182c連通的狀態(tài)。如圖87和88所示，冷卻后向通路環(huán)形密封槽182d形成在固定筒180的內(nèi)周表面的環(huán)形通路182c的上側(cè)和下側(cè)。如圖88所示，環(huán)形冷卻后向通路墊圈G2容納在每個(gè)環(huán)形密封槽182d中。墊圈G2的截面具有U形(C形)結(jié)構(gòu)，并且其開(kāi)口指向環(huán)形通路182c側(cè)。潤(rùn)滑處理優(yōu)選地施加到墊圈G2的外周表面。如圖87，88和89(c)所示，從環(huán)形通路182c徑向向外延伸的連通通路182b和連接到連通通路182b的水排出端口182a形成在固定筒180中。端口182a通向固定筒180的外周表面。冷卻后向通路管192從端口182a延伸。連通通路182b和端口182a被布置在與前向連通通路181b和端口181a相同的周邊位置中，但比它們更高。抽吸流動(dòng)通路以如下方式構(gòu)成。如圖87,88和89(a)所示，抽吸端口(吸附端口)183a形成在固定筒180的外周表面中的后向通路端口182a的上側(cè)。抽吸管(或吸附管，吸管)193從包括未示出的真空泵等的抽吸源延伸并被連接到端口183a。連通通路183b從端口183a向固定筒180徑向向內(nèi)延伸。如圖89(a)所示，在整個(gè)周邊，槽狀的抽吸環(huán)形通路183c形成在旋轉(zhuǎn)筒180的內(nèi)周表面中。連通通路183b在環(huán)形通路183c的周向上連接到單個(gè)位置。如圖87和88所示，抽吸環(huán)形密封槽183d形成在固定筒180的內(nèi)周表面的環(huán)形通路183c的上側(cè)和下側(cè)。如圖88所示，環(huán)形抽吸墊圈G3被容納在每個(gè)環(huán)形密封槽183d中。墊圈G3的截面具有與冷卻前向和后向通路墊圈Gl，G2相同的n形(C形)結(jié)構(gòu)，但墊圈G3的定向與墊圈Gl，G2不同。墊圈G3的開(kāi)口指向環(huán)形通路183c的相對(duì)側(cè)。潤(rùn)滑處理優(yōu)選i也施加到墊圈G3的外周表面。如圖87所示，直地垂直延伸的抽吸軸向通路153a形成在旋轉(zhuǎn)筒150中。如圖89(a)所示，軸向通路153a的下端部通過(guò)連通通路153b通向旋轉(zhuǎn)筒150的外周表面。連通通路153b的位置與環(huán)形通路183c高度相同，并與抽吸環(huán)形通路183c連通。雖然連通通路153b的位置根據(jù)旋轉(zhuǎn)筒150的旋轉(zhuǎn)沿周向轉(zhuǎn)移，但它在360度的范圍內(nèi)一直保持與環(huán)形通路183c連通的狀態(tài)。軸向通路153a和連通通路153b被布置在相對(duì)于冷卻前向和后向通路的軸向通路151a，152a沿周向偏移90度的位置中。如圖87所示，軸向通路153a的上端部通過(guò)連接器156被連接到旋轉(zhuǎn)筒150的外周表面上的外部中繼管159。這種中繼管159通過(guò)臺(tái)主體110的下表面上的連接器199被連接到吸附槽15。現(xiàn)在將描述使用圖87到89的裝置用于去除涂覆在晶片90的外周上的不需要的膜94c，92c的操作。將被處理的晶片90由未示出的叉狀機(jī)器人臂(機(jī)械手)從盒拾取并由對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)(同心地布置)。在對(duì)準(zhǔn)后，晶片90被叉狀的機(jī)器人臂水平升起并被放置在預(yù)先定位在突起位置(由圖87的虛線指示)的中央墊111上。由于中央墊111的直徑比晶片90充分小，能夠獲得叉狀的機(jī)器人臂的充分余量。在晶片90被放置在中央墊111上后，叉狀的機(jī)器人臂撤回。用于中央墊111的吸附機(jī)構(gòu)被啟動(dòng)以將晶片90吸附到中央墊lll上。然后，中央墊111通過(guò)墊驅(qū)動(dòng)單元113的升降驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)向下降，直到中央墊111的上表面與臺(tái)10平齊。通過(guò)如此做，晶片90緊靠臺(tái)10的上表面。然后，中央墊111對(duì)晶片90的吸附被釋放，并且中央墊111被進(jìn)一步向下降幾毫米，以便將墊111送到容納位置(由圖87的實(shí)線指示)。接著，諸如真空泵等的抽吸源被啟動(dòng)，以便抽吸壓力順序地通過(guò)抽吸管193、端口183a、連通通路183b、環(huán)形通路183c、連通通路153b、軸向通路153a、連接器156、中繼管159和199導(dǎo)引到吸附槽15。通過(guò)如此做，晶片90能夠被吸附到臺(tái)10上，并被可靠地保持在其上。然后，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)140被驅(qū)動(dòng)以一體地旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)筒150和臺(tái)10，從而旋轉(zhuǎn)晶片90。通過(guò)如此做，雖然形成在旋轉(zhuǎn)筒150內(nèi)的連通通路153b沿固定筒180的環(huán)形通路183c的周向旋轉(zhuǎn)地移動(dòng)，總保持連通通路153b和環(huán)形通路183c之間的連通狀態(tài)。因此，即使在旋轉(zhuǎn)時(shí)，晶片90的吸附狀態(tài)也能夠得到保持。如圖88中的放大尺寸所示，通過(guò)在旋轉(zhuǎn)筒150的外周表面和固定筒180的內(nèi)周表面之間形成間隙，抽吸流動(dòng)通路的抽吸壓力也從連通通路153b和環(huán)形通路183c之間的連通部分作用在密封槽183d和墊圈槽G3之間的空間。這種抽吸壓力沿用于在截面中擴(kuò)展n形墊圈G3的方向作用。因此，抽吸壓力越大，墊圈G3就越強(qiáng)地被擠壓在密封槽183d的內(nèi)周表面上，以便密封壓力得到增加。由于這種布置，能夠可靠地防止出現(xiàn)通過(guò)形成在旋轉(zhuǎn)滾筒150的外部和固定滾筒180的內(nèi)部表面之間形成的間隙的泄漏。幾乎在臺(tái)10開(kāi)始旋轉(zhuǎn)的時(shí)刻，有機(jī)膜處理頭100從撤回位置(由圖1和87的虛線指示)前進(jìn)到處理位置(圖1和87的實(shí)線指示)。然后，來(lái)自激光輻照裝置20的激光以匯聚的方式輻照到晶片90的外周部的單個(gè)位置，以便晶片90的外周部被局部加熱。然后，諸如臭氧的反應(yīng)性氣體通過(guò)噴射噴嘴75被噴射出來(lái)，并與晶片90的外周的局部被加熱位置接觸。通過(guò)如此做，如圖5(b)所示，涂覆在外周上的有機(jī)膜92c能夠通過(guò)蝕刻被有效地去除。處理過(guò)的氣體和副產(chǎn)品被抽吸噴嘴76吸附和排出。在用于去除有機(jī)膜的時(shí)刻，冷卻水被供給到臺(tái)主體110的環(huán)形冷卻室41C。g卩，順序通過(guò)前通路管191、端口181a、連通通路181b、環(huán)形通路181c、連通通路151b、軸向通路151a、連接器154、中繼管157和連接器197,來(lái)自冷卻水供給源的冷卻水被供給到環(huán)形冷卻室41C。通過(guò)如此做，臺(tái)主體110和位于其上的晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分能夠得到冷卻。即使由激光輻照導(dǎo)致的熱量從晶片90的外周部被導(dǎo)引到半徑內(nèi)側(cè)，熱量能夠快速地被吸收。因此，能夠防止位于晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分的溫度增加。由于這種布置，能夠防止涂覆在晶片90的外周部?jī)?nèi)側(cè)的部分上的膜94，92的損壞。在流經(jīng)環(huán)形冷卻室41C后，冷卻水順序經(jīng)過(guò)連接器198、中繼管158、連接器155、軸向通路152a、連通通路152b、環(huán)形通路182c、連通通路152b、環(huán)形通路182c、連通通路182b和端口182a，通過(guò)冷卻后向通路管192被排放。旋轉(zhuǎn)筒150內(nèi)的連通通路151b沿環(huán)形通路181c的周向也通過(guò)臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)，但不管旋轉(zhuǎn)位置如何，連通通路151b總保持與環(huán)形通路181c的連通狀態(tài)。類(lèi)似地，連通通路152b也沿環(huán)形通路182c的周向旋轉(zhuǎn)，但其與環(huán)形通路181c的連通狀態(tài)總被保持。由于這種布置，即使在臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)期間，冷卻水也保持流動(dòng)。如圖88中放大尺寸所示，通過(guò)上部和下部旋轉(zhuǎn)筒150的外周表面和固定筒180的內(nèi)周表面之間形成的間隙，冷卻前向通路中的冷卻水也從連通通路151b和環(huán)形通路181c之間的連通部分流入環(huán)形密封槽112d。冷卻水還流入截面具有U形結(jié)構(gòu)的墊圈Gl的開(kāi)口中。墊圈Gl被冷卻水的壓力擴(kuò)展，并被壓靠在密封槽112d的內(nèi)周表面上。這使得可以可靠地獲得密封壓力并防止冷卻水泄露。相同的操作可在冷卻水后向通路的墊圈G2中獲得。利用臺(tái)的至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)，涂覆在晶片90的外周的整個(gè)周邊上的有機(jī)膜92c能夠被去除。當(dāng)有機(jī)膜92c的去除操作結(jié)束時(shí)，通過(guò)噴射噴嘴75的氣體噴出和通過(guò)抽吸噴嘴76的氣體抽吸停止，并且有機(jī)膜處理頭100撤回到撤回位置。中央墊111通過(guò)墊驅(qū)動(dòng)單元113的升降驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)向上升起，以便中央墊111鄰接晶片90的上表面用于吸附。另一方面，消除了由臺(tái)主體110對(duì)晶片90的吸附。然后，中央墊111被升降驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)上升到突出位置。接著，無(wú)機(jī)膜處理頭200從撤回位置(由圖1和87的實(shí)線指示)前進(jìn)到處理位置(圖1和87的虛線指示)。通過(guò)如此做，晶片90被插入無(wú)機(jī)處理頭200的插入端口201，并且晶片90的外周部被定位在導(dǎo)引通路202內(nèi)。由于晶片90被中央墊111升降，無(wú)機(jī)膜處理頭200能夠向上離開(kāi)臺(tái)主體110，并且從而，頭200能夠被防止與臺(tái)主體110干涉。根據(jù)諸如氮、氧和氟的無(wú)機(jī)膜94的成份的氣體被等離子化，并且等離子化的氣體沿導(dǎo)引通路202的延伸方向被導(dǎo)引到一個(gè)端部。當(dāng)經(jīng)過(guò)導(dǎo)引通路202時(shí)，這種等離子化的氣體與涂覆在晶片90的外周上的無(wú)機(jī)膜94反應(yīng)。通過(guò)如此做，如圖5(c)所示，無(wú)機(jī)膜94c能夠通過(guò)蝕刻去除。處理過(guò)的氣體和副產(chǎn)品經(jīng)未示出的排出通路從導(dǎo)引通路202的另一端排出。并行地，中央墊111由墊驅(qū)動(dòng)單元113的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)旋轉(zhuǎn)。涂覆在晶片90的外周的整個(gè)周邊上的無(wú)機(jī)膜92c能夠利用中央墊111的至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)去除。當(dāng)無(wú)機(jī)膜92c的去除結(jié)束時(shí)，來(lái)自等離子放電裝置的等離子供給停止，并且無(wú)機(jī)膜處理頭200撤回到撤回位置。然后，叉狀的機(jī)器人臂被插入晶片90和臺(tái)10之間。這種叉狀的機(jī)器人臂鄰接位于中央墊111的半徑外的晶片90的下表面，并且取消中央墊111的吸附。這使得可以將晶片90傳送到叉狀的機(jī)器人臂并將晶片90運(yùn)送出去。根據(jù)這種表面處理裝置的臺(tái)結(jié)構(gòu)，由于臺(tái)主體110的冷卻流動(dòng)通路和抽吸流動(dòng)通路能夠被設(shè)置為沿半徑方向離開(kāi)中心軸線Lc，在中央部分能夠獲得充分大的空間，用于布置用于升降和旋轉(zhuǎn)中央墊111的機(jī)構(gòu)和指向中央墊111的抽吸流動(dòng)通路。上述臺(tái)結(jié)構(gòu)還可以應(yīng)用到設(shè)計(jì)用于去除諸如有機(jī)膜的僅一種類(lèi)型的膜。在那種情況下，當(dāng)然不需要無(wú)機(jī)處理頭200。也不需要用于中央墊111的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。代替固定筒180的內(nèi)周表面，槽狀的環(huán)形通路181c，182c，183c可形成在旋轉(zhuǎn)筒150的外部表面中。圖90顯示了第二處理頭200的修改實(shí)例。這種第二處理頭200(氣體導(dǎo)引部件)與用于產(chǎn)生反應(yīng)性氣體的等離子放電裝置260—體連接。等離子放電裝置260包括連接到電源的熱電極261H和接地的地電極261E。在這些電極261H和261E之間形成的空間用作用于產(chǎn)生通常常壓等離子的空間261a。例如，這種等離子氣體產(chǎn)生空間261a允許諸如氮、氧、氟氣、氯化物氣體或它們的混合氣體被導(dǎo)引到其中且在其中被等離子化。氣體匯聚噴嘴263被設(shè)置在比等離子放電裝置260的電極261H，261E低的位置。這種氣體匯聚噴嘴263被固定到第二處理頭200的上表面(氣體導(dǎo)引部件)。氣體匯聚通路263a形成在氣體匯聚噴嘴263中。氣體匯聚通路263a被連接到等離子產(chǎn)生空間261a的下游端，并且直徑從那里向下減小。氣體匯聚通路263a的下端部被連接到導(dǎo)引端口202的上游端的引入端口202a。優(yōu)選地考慮活性種的壽命，氣體導(dǎo)引部件件200的弧長(zhǎng)(沿晶片90的周向延伸的長(zhǎng)度)被適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。例如，圖91中所示的氣體導(dǎo)引部件件200長(zhǎng)度具有約90度的圓心角。圖92中所示的氣體導(dǎo)引部件件200長(zhǎng)度具有約180度的圓心角。氣體導(dǎo)引部件件200的弧長(zhǎng)具有約45度的圓心角。氣體導(dǎo)引部件件200的引入端口202a的位置并不局限于導(dǎo)引通路202的上部。如圖94(a)所示，可以被布置在導(dǎo)引通路202的外周側(cè)。這種布置在涂覆在晶片90的外端面上的膜將被重點(diǎn)去除時(shí)適合。如圖94(b)所示，引入端口202a可被布置在導(dǎo)引通路202的下側(cè)。這種布置在涂覆在晶片90的外端邊緣部分的背面上的膜將被重點(diǎn)去除時(shí)適合。引入端口202a可被設(shè)置到氣體導(dǎo)引部件件200的側(cè)端表面。類(lèi)似地，排出端口202b可被設(shè)置到氣體導(dǎo)引部件件200的側(cè)端表面、上端表面、下端表面或外周表面上。根據(jù)其中將被去除的不需要的物質(zhì)、膜類(lèi)型、將被供給的氣量、處理目的等的處理區(qū)域，氣體導(dǎo)引部件件200的導(dǎo)引通路202的截面結(jié)構(gòu)和尺寸能夠被合適地設(shè)置。例如，如圖94(c)所示，導(dǎo)引通路202的截面可被減小。通過(guò)如此做，處理寬度能夠得到減小。如圖94(d)所示，也可以接受的是導(dǎo)引通路202具有上半形狀的截面結(jié)構(gòu)，以便晶片90的背面接近導(dǎo)引通路202的平坦表面。由于這種布置，所述晶片90的上表面的外周部能夠被重點(diǎn)處理。雖然未示出，也可以接受的是導(dǎo)引通路202具有下部半形截面結(jié)構(gòu)，以便晶片90的上表面接近導(dǎo)引通路202的上部底面。通過(guò)如此做，晶片90的背面能夠被主要地處理。'如圖94(e)所示，導(dǎo)引通路202可具有方形截面結(jié)構(gòu)。氣體導(dǎo)引部件件200并不局限于用于去除不需要加熱的無(wú)機(jī)膜，類(lèi)似地它可應(yīng)用于需要加熱的用于去除有機(jī)膜。在那種情況下，如圖95所示，諸如激光加熱器20的輻照加熱裝置可連接到氣體導(dǎo)引部件件200。照射單元22(照射器)被固定到氣體導(dǎo)引部件件200的上表面，軸線垂直定向。光纖電纜23從激光加熱器20的激光源21延伸，并可選地被連接到照射單元22。激光照射單元22被布置接近在氣體導(dǎo)引部件件200的引入端口202a側(cè)的端部。如圖26所示，具有圓形截面的孔部203形成在處于激光照射單元22的連接位置中的氣體導(dǎo)引部件件200的上部分?？撞?03的上端部通向?qū)б?00的上表面，并且下端部與導(dǎo)引通路202的上端部連通。圓柱形透光部件204被嵌入孔部203中。透光部件204包括具有透光特性的諸如石英玻璃的透明材料。透光部件204優(yōu)選地具有對(duì)諸如臭氧抑制特性的反應(yīng)性氣體的很好的抑制性。作為用于透光部件204的材料，除石英玻璃硼硅玻璃和其它通用目的玻璃外，可以使用具有很好透明性的諸如聚碳酸酯、丙烯的樹(shù)脂。例如，按照?qǐng)D69和表1的實(shí)驗(yàn)，石英玻璃具有很好光透特性的事實(shí)已得到確認(rèn)。透光部件204的上端表面以與氣體導(dǎo)引部件件200的上表面平齊的方式暴露。透光部件204的下端表面面對(duì)導(dǎo)引通路202的上端部。激光照射單元22剛好位于透光材料204上方，并且在激光照射單元22的下端處的流出窗口與透光部件204相對(duì)。激光照射單元22和透光部件204被布置微它們的中心線對(duì)準(zhǔn)。以匯聚方式從激光照射單元22正下方輻照的激光被傳送經(jīng)過(guò)透光部件204，并聚焦在導(dǎo)引通路202的內(nèi)部。作為反應(yīng)性氣體供給源，臭氧發(fā)生器70被連接到氣體導(dǎo)引部件件200的引入端口202a。代替臭氧發(fā)生器70，可使用氧等離子裝置。臺(tái)10的轉(zhuǎn)動(dòng)方向并且從而晶片90的轉(zhuǎn)動(dòng)方向(由圖95的箭頭指示)與導(dǎo)引通路202內(nèi)的氣體流動(dòng)方向一致。根據(jù)裝置結(jié)構(gòu)，通過(guò)光纖電纜23，來(lái)自激光源21的激光以匯聚方式從激光照射單元55正下方輻照。激光通過(guò)透光部件204傳送，并進(jìn)入導(dǎo)引通路202，以便局部地?fù)糁袑?dǎo)引通路202內(nèi)晶片90的外周部的一個(gè)位置。通過(guò)如此做，晶片90的外周部被局部加熱。同時(shí)地，來(lái)自臭氧發(fā)生器70的臭氧從引入端口202a被導(dǎo)引到導(dǎo)引通路202。所述臭氧與局部被加熱位置接觸。通過(guò)如此做，能夠有效去除需要加熱的諸如有機(jī)膜的不需要的膜。'而且，晶片90的外周部在接近導(dǎo)引通路202的上游側(cè)的位置被加熱。由于這種布置，膜能夠與足夠量的新鮮臭氧氣體反應(yīng)。此后，根據(jù)臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)，上述加熱位置被移動(dòng)向?qū)б?02的下游側(cè)，并在向下移動(dòng)期間，被加熱位置保持高溫一會(huì)。因此，不僅在導(dǎo)引通路30的上游側(cè)部分，而且在中央部分處和下游側(cè)部分，能夠進(jìn)行足夠量的反應(yīng)。這使得可以可靠地提高處理效率。在涂覆在背面?zhèn)壬系哪⒈恢攸c(diǎn)(或主要)去除的情況下，激光照射單元22優(yōu)選地設(shè)置到氣體導(dǎo)引部件件200的下側(cè)，以便激光能夠以匯聚的方式從下方輻照到導(dǎo)引通路202。圖97顯示了設(shè)有對(duì)應(yīng)于諸如晶片凹口和定向平面的切割部分的機(jī)構(gòu)的實(shí)施例。如圖101所示，晶片具有盤(pán)狀的結(jié)構(gòu)。晶片90的尺寸(半徑)具有許多標(biāo)準(zhǔn)。晶片90圓形外周部91的一部分被平齊地切去，并且定向平面93形成為切割部分。定向平面93的尺寸由SEMI，JEIDA等標(biāo)準(zhǔn)建立。例如，在晶片具有半徑r二100mm的情況下，其定向平面長(zhǎng)度L93是55mm到60腿。因此，假定沒(méi)有定向平面93的規(guī)定，從定向平面93的中央部分到晶片的虛外周的距離d是d=3.8ram到4.6mm。在晶片90上形成膜時(shí)，膜92有時(shí)形成在定向平面93的邊緣上。如圖98所示，這個(gè)實(shí)施例的晶片處理裝置包括盒310;機(jī)器人臂(或機(jī)械手)320;對(duì)準(zhǔn)部分330;和處理部分340。將被處理的晶片90容納在盒310中。機(jī)器人臂320從盒310拾取(圖98(a))晶片90，通過(guò)對(duì)準(zhǔn)部分(圖98(b))將晶片90傳送到處理部分340(FIG.98(C))，并將未示出的處理過(guò)的晶片90返回到盒310。對(duì)準(zhǔn)部分330設(shè)有對(duì)準(zhǔn)單元331和對(duì)準(zhǔn)臺(tái)332。如圖98(a)所示，對(duì)準(zhǔn)臺(tái)332具有盤(pán)狀的結(jié)構(gòu)并可圍繞中心軸線旋轉(zhuǎn)。如圖98(b)所示，為了對(duì)準(zhǔn)的目的，所述晶片90被暫時(shí)放置在對(duì)準(zhǔn)臺(tái)332上。雖然未詳細(xì)顯示，對(duì)準(zhǔn)單元331設(shè)有光學(xué)類(lèi)型的非接觸傳感器。例如，這種非接觸傳感器包括用于輸出激光的光發(fā)射裝置和用于接收激光的光接收器。光發(fā)射裝置和光接收器被布置為將放置在對(duì)準(zhǔn)臺(tái)332上的晶片90的外周部90a垂直地夾在它們之間。從光發(fā)射器發(fā)射的激光以對(duì)應(yīng)于晶片90的外周部的突出量的比率被阻擋，并且因此，由光接收器接收的光量被改變?；诖?，晶片的偏移量能夠被探測(cè)到。而且，通過(guò)測(cè)量接收的光量被間斷地突然改變處的位置，也能夠探測(cè)到定向平面93(切割部分)。對(duì)準(zhǔn)單元331不僅組成晶片90的偏移探測(cè)部分而且組成用于探測(cè)定向平面93(切割部分)的"切割探測(cè)部分"。"對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)"由對(duì)準(zhǔn)部件330和機(jī)器人臂320組成。如圖97所示，晶片處理裝置設(shè)有處理臺(tái)10和處理頭370。處理臺(tái)10可圍繞垂直軸線(旋轉(zhuǎn)軸線，中心軸線)旋轉(zhuǎn)。編碼器電機(jī)342被用作旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部件。由對(duì)準(zhǔn)部件330對(duì)準(zhǔn)的晶片90準(zhǔn)備被設(shè)置在處理臺(tái)10的上表面上。如圖97和98(c)所示，處理頭370被布置在垂直于z軸的y軸(第一軸)上。當(dāng)然，y軸沿處理臺(tái)10的徑向方向延伸。如圖97所示，像點(diǎn)狀方式開(kāi)口的供給噴嘴375被設(shè)置到處理頭370的下端部處。如圖99所示，供給噴嘴375的點(diǎn)狀開(kāi)口剛好被布置在y軸上。如圖97所示，供給噴嘴375的基端部通過(guò)流體供給管71被連接到臭氧發(fā)生器70(處理流體供給源)。包括一對(duì)電極的等離子處理頭可被用作處理流體供給源。代替如臭氧發(fā)生器和等離子處理裝置的干系統(tǒng)，用于通過(guò)供給噴嘴375噴射出作為處理流體的化學(xué)液體的濕性系統(tǒng)可被使用。雖然未示出，干系統(tǒng)的處理頭370設(shè)有用于吸附供給噴嘴375附近的處理過(guò)的流體(包括副產(chǎn)品等)的抽吸噴嘴。處理頭370被連接到噴嘴位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)346。噴嘴位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括伺服電機(jī)、直流驅(qū)動(dòng)器等。通過(guò)沿y軸滑動(dòng)處理頭370從而滑動(dòng)供給噴嘴376，噴嘴頭調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)被操作以調(diào)節(jié)噴嘴位置(參見(jiàn)圖99(a)和99(c)到99(i))。處理頭370從而供給噴嘴375僅可沿y軸活動(dòng)，而其沿其它方向的移動(dòng)被限制。將被處理的晶片90可以是任何尺寸。與選定尺寸匹配，利用位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)346，處理頭70的位置被沿y軸方向調(diào)節(jié)，并與晶片90的外周部90a相對(duì)設(shè)置。而且，利用控制器350，位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)36與處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)同步地被啟動(dòng)。根據(jù)處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度處理頭370將被定位的點(diǎn)的信息或?qū)⒁苿?dòng)的處理頭370的方向和移動(dòng)速度的信息被存儲(chǔ)在控制器350中。具體地，如圖100所示，當(dāng)處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度在第一旋轉(zhuǎn)角度范圍4)1內(nèi)，處理頭370被固定就位，并且建立固定點(diǎn)。當(dāng)處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度在第二旋轉(zhuǎn)角度范圍42中時(shí)，處理頭370被移動(dòng)并且建立了移動(dòng)的方向和速度。如圖99的三角標(biāo)記所示，處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度按照從y軸到臺(tái)10的參照點(diǎn)10p在俯視圖中以順時(shí)針角度建立。第一旋轉(zhuǎn)角度范圍4)1建立在從零度到剛好對(duì)應(yīng)于圓形外周部91圓心角的值的旋轉(zhuǎn)角度4)91的范圍內(nèi)。這個(gè)旋轉(zhuǎn)角度范圍4)1對(duì)應(yīng)于圓形外周部91移動(dòng)穿過(guò)y軸所需的時(shí)間段。第二旋轉(zhuǎn)角度范圍cl)2建立在從(1)91到360度的范圍內(nèi)。第二旋轉(zhuǎn)角度4>2的寬度(360-4>91)剛好與定向平面93的圓心角4>93的寬度(參見(jiàn)圖101)—致。旋轉(zhuǎn)角度范圍4>2對(duì)應(yīng)于定向平面93移動(dòng)穿過(guò)y軸所需的時(shí)間段。在第一旋轉(zhuǎn)角度范圍4>1中的供給噴嘴375的固定點(diǎn)被建立到通常等于晶片90的半徑r的y軸上的點(diǎn)(從旋轉(zhuǎn)軸線離開(kāi)大體等于晶片90的半徑r的距離的點(diǎn))。這個(gè)固定點(diǎn)與圓形外周部91移動(dòng)穿過(guò)y軸處的點(diǎn)重疊。在第二旋轉(zhuǎn)角度范圍4)2中，處理頭370在第二旋轉(zhuǎn)角度范圍的前半部分中沿y軸移向原點(diǎn)方向(朝向旋轉(zhuǎn)軸z的方向)，反向旋轉(zhuǎn)剛好在第二旋轉(zhuǎn)角度范圍4)2的中點(diǎn)處，并且在后半部分沿正方向(離開(kāi)旋轉(zhuǎn)軸Z的方向)移動(dòng)。假設(shè)處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)速度是"IO，在第一和第二半部分中的移動(dòng)速度V由如下等式建立---—"&…(1)其中d是定向平面93的深度切L93是長(zhǎng)度(參見(jiàn)圖101)。如等式(1)所示，移動(dòng)速度v(圖100中梯度)與處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)速度"Ki成比例。在如其中半徑r=100并且定向平面長(zhǎng)度L93=55mm到60ram的上述實(shí)例的標(biāo)準(zhǔn)的晶片的情況下，如果旋轉(zhuǎn)速度是約1rpm，在旋轉(zhuǎn)角度范圍4>2中的處理頭的速度v能夠由v二約1.5mm/sec.到約1.6ram/s6c表不o如圖98(a)和98(b)所示，在利用設(shè)有對(duì)應(yīng)于定向平面的機(jī)構(gòu)的晶片處理裝置用于去除涂覆在晶片90的外周部上的不需要的膜92c時(shí)，將被處理的晶片90被機(jī)器人臂320從盒310取出，并被放置在對(duì)準(zhǔn)臺(tái)332上。在那時(shí)，晶片90通常偏離對(duì)準(zhǔn)臺(tái)。從臺(tái)332的突出量最大的點(diǎn)"a〃和突出量最小的點(diǎn)"b〃彼此離開(kāi)180度。對(duì)準(zhǔn)臺(tái)332在那種狀態(tài)下進(jìn)行一個(gè)完整的旋轉(zhuǎn)。在此期間，最大突出點(diǎn)"a"和其突出量以及最小突出點(diǎn)"b"和其突出量由對(duì)準(zhǔn)單元331的非接觸傳感器探測(cè)。具體地，通過(guò)將光發(fā)射器和光接收器垂直夾在中間，測(cè)量此時(shí)臺(tái)332的旋轉(zhuǎn)角度和接收光的量的最大值和最小值。并行地，通過(guò)測(cè)量在接收光的量間斷地突然增加時(shí)臺(tái)332的旋轉(zhuǎn)角度，定向平面93的位置也被初步探測(cè)。基于測(cè)量結(jié)果，晶片90由機(jī)器人臂320對(duì)準(zhǔn)。g卩，相對(duì)于臺(tái)332，晶片90從最大突出點(diǎn)"a"向最小突出點(diǎn)"b"移動(dòng)最大突出量和最小突出量的1/2的距離。對(duì)于移動(dòng)，可移動(dòng)晶片90或移動(dòng)臺(tái)332。與此同時(shí)，定向平面93被定向到預(yù)定方向。接下來(lái)，如圖98(c)所示，晶片90被機(jī)器人臂320傳送到處理部件340并被設(shè)置到處理臺(tái)10上。由于晶片90已經(jīng)受對(duì)準(zhǔn)操作，它能夠在中心與處理臺(tái)10正確地對(duì)準(zhǔn)。也可以接受的是晶片90從盒310被直接傳送到處理臺(tái)10，以便晶片90能夠以如上提及的方式在處理臺(tái)10上對(duì)準(zhǔn)。通過(guò)如此做，能夠取消對(duì)準(zhǔn)臺(tái)332。在將晶片90設(shè)置到處理臺(tái)10上時(shí)，晶片90在中心對(duì)準(zhǔn)處理臺(tái)10，并且，定向平面93沿預(yù)定方向定向。如圖98(c)和99(a)所示，在這個(gè)實(shí)施例中，定向平面93的左端部93a被定向到處理臺(tái)10的參考點(diǎn)10p。處理臺(tái)10的參照點(diǎn)10p被設(shè)置在初始臺(tái)中的y軸上。接著，如圖99(a)所示，利用位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)346，處理頭370被沿y軸方向進(jìn)行位置調(diào)節(jié)以與晶片90的尺寸匹配。通過(guò)如此做，供給噴嘴375被布置為與晶片90的外周部90a相對(duì)。在這個(gè)實(shí)施例中，供給噴嘴375被布置為與形成在定向平面93的端部93a和圓形外周部91之間的角相對(duì)。此后，由臭氧發(fā)生器70生成的臭氧通過(guò)管71被供給到處理頭，并通過(guò)供給噴嘴375噴射出。這種臭氧被噴射到晶片90的外周部90a上，并與不需要的膜92c反應(yīng)。通過(guò)如此做，能夠去除不需要的膜92c。與這種臭氧噴射操作并行地，處理臺(tái)10由編碼器電機(jī)342以預(yù)定旋轉(zhuǎn)速度圍繞旋轉(zhuǎn)軸線(z軸)旋轉(zhuǎn)。如圖99(a)的箭頭所示，這種旋轉(zhuǎn)方向在俯視圖中例如是順時(shí)針?lè)较?。由于這種布置，晶片90隨著時(shí)間的流逝按照?qǐng)D99(a)到99(i)所示的方式旋轉(zhuǎn)，并且臭氧被噴射的位置沿周向順序移動(dòng)，以便涂覆在晶片90的外周部92a上的不需要的膜92c能夠沿周向被順序去除。在圖99(b)到99(i)中，晶片90的外周部90a的陰影部分顯示了不需要的膜92c從其己被去除的部分?，F(xiàn)在將詳細(xì)描述用于去除不需要的膜的步驟。基于對(duì)應(yīng)于圖100的數(shù)據(jù)，控制器350被操作以與處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)同步地啟動(dòng)位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)346，并調(diào)節(jié)處理頭370的位置從而調(diào)節(jié)供給噴嘴375的位置。g卩，如圖100所示，在處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度在4>1的范圍中的情況下，供給噴嘴375被固定到在y軸上通常等于晶片90的半徑r的點(diǎn)。通過(guò)如此做，如圖99(a)到99(e)所示，在圓形外周部91被移動(dòng)穿過(guò)y軸的時(shí)間段期間，供給噴嘴91能夠可靠地指向圓形外周部91。因此，臭氧能夠可靠地噴到圓形外周部91上，并且能夠可靠地去除涂覆在圓形外周部91上的不需要的膜92c。然后，根據(jù)旋轉(zhuǎn)，被處理過(guò)的部分沿圓形外周部91的周向延伸，并且不久，如圖99(e)所示，處理操作在圓形外周部91的整個(gè)區(qū)域上完成。定向平面93b的右端部93b到達(dá)供給噴嘴375的位置。在那時(shí)，旋轉(zhuǎn)角度范圍被從4>1切換到4)2。如圖100所示，在旋轉(zhuǎn)角度范圍小2的前半部分中，處理頭370從而供給噴嘴375以上述等式(1)的速度被移向處理臺(tái)10。另一方面，如圖99(e)到99(g)所示，在那時(shí)，定向平面93的右側(cè)部分移動(dòng)穿過(guò)y軸。根據(jù)這種旋轉(zhuǎn)，穿過(guò)點(diǎn)偏向旋轉(zhuǎn)軸線(z軸)偵ij。穿過(guò)點(diǎn)的波動(dòng)通常與供給噴嘴375的移動(dòng)一致。這使得可以保持供給噴嘴375一直沿定向平面93的右側(cè)部分的邊緣，并可靠地去除涂覆在所述特定部分上的不需要的膜92c。在圖100所示，在處理圓形外周部91時(shí)，剛好在旋轉(zhuǎn)角度范圍4)2的中間點(diǎn)的供給噴嘴375已從該位置(通常y軸的r點(diǎn))向處理臺(tái)10移到等于定向平面93的深度的量。在那時(shí)，如圖99(g)所示，定向平面93與y軸垂直，并且定向平面93的剛好中間部分移動(dòng)穿過(guò)y軸上的(r-d)點(diǎn)。因此，供給噴嘴375和定向平面93在中間部分彼此重合，并且能夠可靠地去除涂覆在定向平面93的中間部分上的不需要的膜92c。如圖100所示，供給噴嘴375的移動(dòng)方向在旋轉(zhuǎn)角度范圍cj)2的中間點(diǎn)處顛倒，并在旋轉(zhuǎn)角度范圍c1)2的后半部分中沿離開(kāi)處理臺(tái)10的方向移動(dòng)。該移動(dòng)速度與前半部分的相同(上述等式(1)中的速度)。在那時(shí)，如圖99(g)到99(i)所示，定向平面93的左側(cè)部分移動(dòng)穿過(guò)y軸，并且穿過(guò)點(diǎn)根據(jù)旋轉(zhuǎn)沿y軸的正方向繼續(xù)背離。穿過(guò)點(diǎn)的波動(dòng)和供給噴嘴375的移動(dòng)通常彼此一致。這使得可以保持供給噴嘴375—直沿定向平面93的左側(cè)部分的邊緣，并可靠地去除涂覆在該特定部分上的不需要的膜92c。采用如上討論的方式，不需要的膜92c能夠不僅從晶片90的圓形外周部91而且從包括定向平面93的外周的整個(gè)區(qū)域被可靠地去除。如圖99(i)所示，當(dāng)旋轉(zhuǎn)角度剛好為360度時(shí)，供給噴嘴375被送回到初始位置。在不需要的膜去除操作結(jié)束時(shí)，晶片90離開(kāi)處理臺(tái)10，并由機(jī)器人臂320返回到盒310。根據(jù)這種晶片處理裝置，通過(guò)沿y軸方向滑動(dòng)處理頭370，可以滿足晶片90的多種尺寸。而且，它還能夠應(yīng)付定向平面93的處理。因此，由于僅需要由單個(gè)滑動(dòng)軸(y軸)和單個(gè)旋轉(zhuǎn)軸(z-軸)組成的兩個(gè)軸作為整個(gè)處理部分340的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，因此結(jié)構(gòu)得以簡(jiǎn)化。在對(duì)準(zhǔn)時(shí)，定向平面93沿預(yù)定方向10p定向，并且供給噴嘴375的位置被與處理臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)同步地調(diào)節(jié)。通過(guò)如此做，供給噴嘴375被沿定向平面93保持，并且它不再需要與不需要的膜去除操作同時(shí)地探測(cè)定向平面93和饋送回探測(cè)數(shù)據(jù)。因此，能夠容易地進(jìn)行控制操作。如圖102所示，也可以接受的是在定向平面處理操作的時(shí)間段期間，在旋轉(zhuǎn)角度范圍4>2中，處理頭370的移動(dòng)速度從而供給噴嘴375的移動(dòng)速度在旋轉(zhuǎn)角度范圍4>2的前半部分逐漸減小，并在后半部分中逐漸增加，以便在圖線中繪制圓弧。通過(guò)如此做，處理頭370的移動(dòng)能夠比在定向平面93的第一軸穿過(guò)點(diǎn)處出現(xiàn)的波動(dòng)更精確地一致。因此，供給噴嘴375能夠更可靠地被保持沿定向平面93的邊緣。這種裝置還能夠?qū)Ω对诰耐庵苤行纬傻那懈畈糠质前伎诘那闆r。供給噴嘴可沿第一軸方向滑動(dòng)就足夠了，并且整個(gè)處理頭無(wú)需移動(dòng)。在高溫下提高處理速度的情況下，可以使用在處理時(shí)能夠被局部加熱部分的加熱器。這種加熱器優(yōu)選地是使用激光等的諸如輻射加熱器的非接觸加熱器。另一方面，通過(guò)從晶片的中心部分吸熱能夠冷卻晶片的吸熱裝置可被設(shè)置到處理臺(tái)的內(nèi)部。處理流體并不局限于臭氧氣體，根據(jù)諸如不需要的膜92c的質(zhì)量、濕或干等的處理系統(tǒng)，可以從包含多種成份的氣體或流體中選擇。在圖103和104中所示的裝置中，x-軸是處理頭370被設(shè)置在其上的第一軸。如圖103所示，供給噴嘴375在x軸上的位置由位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)346調(diào)節(jié)。如圖104所示，用于測(cè)量晶片的外周的位置的測(cè)量裝置341被設(shè)置在y軸上。利用未示出的前進(jìn)/撤回機(jī)構(gòu)，在其中測(cè)量裝置向旋轉(zhuǎn)軸z前進(jìn)的測(cè)量位置(圖105(a)中實(shí)線指示)和其中前進(jìn)/撤回機(jī)構(gòu)沿離開(kāi)旋轉(zhuǎn)軸z的方向撤回的撤回位置(由圖105(a)中虛線指示)之間，測(cè)量裝置341能夠在y軸上前進(jìn)或撤回。雖然未詳細(xì)顯示，測(cè)量裝置31包括光學(xué)非接觸傳感器。例如，這種非接觸傳感器包括用于輸出激光的光發(fā)射器和光接收器。光發(fā)射器和光接收器被布置為將放置在臺(tái)10上的晶片90的外周部90a夾在中間。來(lái)自光發(fā)射器的激光以對(duì)應(yīng)于晶片的外周部的突出量的比率被阻擋，并且光接收器中的接收光量改變。由于這種布置，能夠探測(cè)晶片的外周部的位置(以及晶片的偏移量)。在圖104禾卩105中，晶片的外周的凹口和定向平面未顯示。如圖104所示，這個(gè)裝置未配置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)330。控制器350執(zhí)行如下控制操作(參見(jiàn)圖106的流程圖)。如圖104(a)所示，將被處理的晶片90被從盒310取出(步驟101)，并且如圖104(b)所示，被機(jī)器人臂320放置在臺(tái)IO用于卡持(或吸附)(步驟102)。由于未接受對(duì)準(zhǔn)操作，晶片90通常相對(duì)于臺(tái)10有點(diǎn)偏離。然后，臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)開(kāi)始(步驟103)。如圖105(a)的箭頭所示，這種旋轉(zhuǎn)方向在俯視圖中例如是順時(shí)針?lè)较?。相?yīng)地，測(cè)量裝置341被布置在旋轉(zhuǎn)方向上的上游側(cè)，并且處理頭370被布置在下流側(cè)，以便測(cè)量裝置341和處理頭370彼此離開(kāi)90度。而且，如圖105(a)的白箭頭所示，測(cè)量裝置341沿y軸從撤回位置前進(jìn)到測(cè)量位置(步驟104);并且處理頭370沿x軸從撤回位置前進(jìn)到處理執(zhí)行位置(步驟105)。隨后，測(cè)量裝置341測(cè)量到其中晶片90的外周部90a移動(dòng)穿過(guò)y軸的穿過(guò)點(diǎn)(步驟110)。如后面描述的，步驟110的這種操作等同于計(jì)算其中在臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)循環(huán)的1/4循環(huán)前晶片90的外周部90a移動(dòng)穿過(guò)x軸的瞬時(shí)點(diǎn)。然后，經(jīng)步驟111的判斷，處理前進(jìn)到步驟112，并且在步驟112中，利用調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)346，處理頭370的供給噴嘴被送到與在步驟110中在y軸上的穿過(guò)點(diǎn)的測(cè)量值相同的x軸上的點(diǎn)。而且，將供給噴嘴375定位在該點(diǎn)的定時(shí)被布置為設(shè)定在恰好臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)循環(huán)的1/4循環(huán)后。例如，如圖105(a)所示，假設(shè)步驟110中的測(cè)量值在y軸上是i"l[ram]，如圖105(b)所示，1/4循環(huán)后的供給噴嘴375被定位在x軸的點(diǎn)rl[咖]處。通過(guò)如此做，當(dāng)通過(guò)旋轉(zhuǎn)90度，在晶片90的外周部90a內(nèi)在步驟110的時(shí)間移動(dòng)穿過(guò)y軸的點(diǎn)移動(dòng)穿過(guò)x軸時(shí)，供給噴嘴375能夠被定位在x軸的穿過(guò)點(diǎn)上。由于存在等于1/4循環(huán)的充分的時(shí)間，反饋操作能夠被可靠地執(zhí)行。測(cè)量裝置341和控制器350構(gòu)成"用于計(jì)算其中晶片的外周部相對(duì)于第一軸移動(dòng)穿過(guò)的計(jì)算部"。圖105(a)到105(d)顯示了以連續(xù)順序以每1/4循環(huán)能夠出現(xiàn)的各自的狀態(tài)。圖105(a)到105(d)指示的晶片90顯示了在每1/4循環(huán)能夠出現(xiàn)的各自的狀態(tài)。并行地，來(lái)自臭氧發(fā)生器70的臭氧通過(guò)管71被供給到處理頭370，并通過(guò)供給噴嘴375噴射出(步驟113)。通過(guò)如此做，臭氧能夠被噴到晶片90的外周部90a的x軸穿過(guò)點(diǎn)上，并且能夠去除涂覆在該點(diǎn)上的不需要的膜92c。這種在步驟113中用于開(kāi)始臭氧噴射操作的過(guò)程僅在第一流中執(zhí)行，并且此后，連續(xù)執(zhí)行臭氧噴射操作。此后，過(guò)程返回到步驟110，并且測(cè)量晶片90的外周部90a的y軸穿過(guò)點(diǎn)(步驟110)?；跍y(cè)量的結(jié)果，在l/4循環(huán)后的供給噴嘴375的位置調(diào)節(jié)被反復(fù)地執(zhí)行(步驟112)。如以時(shí)間順序方式的圖105(a)到105(e)所示，根據(jù)晶片90的旋轉(zhuǎn)，能夠順序去除涂覆在晶片90的外周部90a上的不需要的膜92c。在圖105(b)到105(e)中，晶片90的外周部90a的陰影部分指示不需要的膜92c從其已被去除的部分。即使晶片90偏離，供給噴嘴375的位置能夠被調(diào)節(jié)以匹配外周部90a的輪廓，并因此，能夠可靠地去除不需要的膜92c。因此，無(wú)需準(zhǔn)備用于糾正偏離的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，并且能夠簡(jiǎn)化裝置的結(jié)構(gòu)。而且，在晶片90被從盒310拾取后，晶片90能夠不通過(guò)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)直接放置在臺(tái)10上，并且能夠立即執(zhí)行不需要的膜92c的去除操作。而且，能夠取消不需要的膜去除操作前的對(duì)準(zhǔn)操作。因此，能夠減小總的處理時(shí)間。而且，與即時(shí)執(zhí)行的x軸穿過(guò)點(diǎn)的計(jì)算并行，執(zhí)行供給噴嘴375的位置調(diào)節(jié)和臭氧的噴出操作。因此，能夠更大地減小處理時(shí)間。不久以后，在步驟113的氣體噴射操作開(kāi)始后，晶片進(jìn)行了一個(gè)完整的旋轉(zhuǎn)，并且在晶片90的外周部90a的周向的整個(gè)區(qū)域上，不需要的膜去除過(guò)程結(jié)束(參見(jiàn)圖105(e))。在那時(shí)，響應(yīng)于讀作"用于晶片的整個(gè)周邊的處理是否結(jié)束"的問(wèn)題，作出"是"的判斷?；谏鲜雠袛?，臭氧氣體停止通過(guò)供給噴嘴375噴射出(步驟120)。然后，如圖105(e)所示，處理頭370撤回到撤回位置(步驟121)，并且測(cè)量裝置341撤回到撤回位置(步驟122)。然后，臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)停止(步驟123)。此后，晶片90在臺(tái)10上的吸附(或保持，卡持)操作取消(步驟124)。然后，晶片90通過(guò)機(jī)器人臂320被運(yùn)送出臺(tái)10(步驟125)，并且返回盒310(步驟126)。雖然測(cè)量裝置341被布置為從供給噴嘴沿臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向向上游側(cè)偏離90度，所述偏離并不局限于90度，它可以比所述角度偏離的量更大或更小。諸如晶片的定向平面和凹口的切割部分由測(cè)量裝置341探測(cè)，并且計(jì)算x軸穿過(guò)點(diǎn)。通過(guò)如此做，切割部分的邊緣也能夠得到處理。在圖106的流程圖中所示的控制操作中，與晶片90的外周部90a的位置的計(jì)算平行，執(zhí)行用于調(diào)節(jié)噴嘴位置和噴射出氣體的過(guò)程。在圖107的流程圖中所示，也可以接受的是在執(zhí)行晶片90的外周部90a的整個(gè)周邊的位置計(jì)算之后，可執(zhí)行用于調(diào)節(jié)噴嘴位置和噴射出氣體的過(guò)程。艮P，在圖107中，在步驟104和步驟105中執(zhí)行測(cè)量裝置341和處理頭370的位置設(shè)定后，測(cè)量裝置341測(cè)量晶片90的外周部90a移動(dòng)穿過(guò)的y軸上的點(diǎn)，同時(shí)臺(tái)10進(jìn)行一個(gè)完整的旋轉(zhuǎn)，并獲得晶片90的外周部90a的位置數(shù)據(jù)(步驟115)。即，獲得對(duì)應(yīng)于臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度的晶片90的外周部90a的y軸穿過(guò)點(diǎn)數(shù)據(jù)。當(dāng)如此獲得的數(shù)據(jù)被偏離90度時(shí)，它們變得與對(duì)應(yīng)于(即刻)臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度的、晶片90的外周部90a的x軸穿過(guò)點(diǎn)的計(jì)算數(shù)據(jù)一致。所述計(jì)算的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在控制器350的存儲(chǔ)器中。也可以接受的是代替整個(gè)周邊的位置數(shù)據(jù)，計(jì)算晶片90相對(duì)于臺(tái)10的偏離方向和偏離量，并且那些偏離數(shù)據(jù)被用作上述計(jì)算的數(shù)據(jù)。即，如圖104(b)所示，由于步驟101中晶片90被放置在臺(tái)10時(shí)出現(xiàn)的誤差導(dǎo)致的偏離，在晶片90的外周部90a上存在兩個(gè)點(diǎn)〃a"和"b"。在點(diǎn)〃a"，外周部90a從臺(tái)10的突出量變得最大，同時(shí)在點(diǎn)〃b〃，突出量變得最小。最大突出位置a以及突出量和最小輸出位置b以及突出量由測(cè)量裝置341探測(cè)。從最小突出點(diǎn)"b"朝向最大突出點(diǎn)〃a"的方向是偏離方向，并且最大突出點(diǎn)"a"的突出量和最小突出點(diǎn)"b"的最小突出量之間的差的一半是偏離量?；诰?0的偏離數(shù)據(jù)和半徑數(shù)據(jù)，能夠計(jì)算對(duì)應(yīng)于(瞬間)臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度的晶片90的外周部90a的x軸穿過(guò)點(diǎn)。此后，過(guò)程前進(jìn)到步驟116，其中基于位置調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)346的計(jì)算數(shù)據(jù)，處理頭370的位置并且因此供給噴嘴375的位置得到調(diào)節(jié)。g卩，根據(jù)臺(tái)10的旋轉(zhuǎn)角度，供給噴嘴375被定位在其中晶片90的外周部90a以該旋轉(zhuǎn)角度移動(dòng)穿過(guò)x軸的計(jì)算點(diǎn)。與該位置調(diào)節(jié)平行，通過(guò)供給噴嘴375噴射出臭氧。通過(guò)如此做，不管晶片90的偏離，臭氧能夠被噴到晶片90的外周部90a的x軸橫越位置上。因此，能夠可靠地去除涂覆在該位置的不需要的膜。在步驟116中用于調(diào)節(jié)噴嘴的位置和噴射出臭氧的過(guò)程得以連續(xù)執(zhí)行。通過(guò)如此做，不需要的膜90c能夠沿晶片90的外周部90a的周向從整個(gè)區(qū)域被去除。因此，響應(yīng)于讀作"晶片的整個(gè)周邊的處理是否結(jié)束"的問(wèn)題，作出"是"的判斷。此后遵循的過(guò)程與圖106中的相同(步驟120到126)?！补I(yè)適用性)在半導(dǎo)體晶片的制造過(guò)程期間和液晶顯示器基板的制造過(guò)程期間，本發(fā)明能夠例如用于去除涂覆在外周上的不需要的膜。權(quán)利要求1、一種用于處理基板的外周的方法，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物質(zhì)通過(guò)使其與反應(yīng)性氣體接觸而被去除，所述方法包括步驟使所述基板與臺(tái)的支撐表面接觸，以便所述基板被支撐在所述支撐表面上；加熱所述基板的外周部；將所述反應(yīng)性氣體供給到被加熱的外周部；和通過(guò)設(shè)置在所述臺(tái)上的吸熱器對(duì)位于所述外周部里面的部分進(jìn)行吸熱。2、一種用于處理基板的外周的方法，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物質(zhì)通過(guò)使其與反應(yīng)性氣體接觸而被去除，所述方法包括步驟使所述基板與臺(tái)的支撐表面接觸，以便所述基板被支撐在所述支撐表面上；利用熱光局部輻射地加熱所述基板的外周部；將所述反應(yīng)性氣體供給到所述局部區(qū)域；和通過(guò)設(shè)置在所述臺(tái)上的吸熱器對(duì)位于外周部里面的部分進(jìn)行吸熱。3、一種用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物質(zhì)通過(guò)使其與反應(yīng)性氣體接觸而被去除，所述設(shè)備包括(a)臺(tái)，所述臺(tái)包括支撐表面，所述支撐表面用于接觸所述基板并且將所述基板支撐在其上；(b)加熱器，所述加熱器用于對(duì)目標(biāo)位置施加熱量，所述目標(biāo)位置應(yīng)該存在于由所述臺(tái)支撐的所述基板的外周部上；(c)反應(yīng)性氣體供給器，所述反應(yīng)性氣體供給器用于將所述反應(yīng)性氣體供給到所述目標(biāo)位置；和(d)吸熱器，所述吸熱器設(shè)置在所述臺(tái)上并用于從所述支撐表面吸4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述吸熱器是用于冷卻所述臺(tái)的冷卻器。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中作為所述吸熱器的冷卻介質(zhì)室形成在所述臺(tái)內(nèi)，且所述冷卻介質(zhì)室與冷卻介質(zhì)供給通路和冷卻介質(zhì)排出通路連接。6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中作為所述吸熱器的冷卻介質(zhì)通路設(shè)置在所述臺(tái)上，且冷卻介質(zhì)穿過(guò)所述冷卻介質(zhì)通路。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述冷卻介質(zhì)通路包括多個(gè)同心環(huán)形通路，和用于將所述環(huán)形通路相互連接的連通通路。8、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述吸熱器包括珀?duì)柼?，所述珀?duì)柼哂形鼰醾?cè)，所述珀?duì)柼辉O(shè)置在所述臺(tái)內(nèi)，且所述吸熱側(cè)面對(duì)所述支撐表面。9、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述吸熱器僅設(shè)置在所述臺(tái)的外周側(cè)部分處且不設(shè)置在中央側(cè)部分處。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述臺(tái)在外周側(cè)部分處設(shè)有用于吸附所述基板的卡持機(jī)構(gòu)且在中央側(cè)部分處設(shè)有凹部，所述凹部相對(duì)于設(shè)置所述卡持機(jī)構(gòu)的區(qū)域下陷。11、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述臺(tái)的支撐表面略微小于所述基板，并且應(yīng)該存在于所述基板的外周部上的目標(biāo)位置位于從支撐表面徑向向外延伸的表面上。12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述加熱器是輻射加熱器，所述輻射加熱器包括熱光的光源，和照射器，所述照射器用于將來(lái)自所述光源的熱光以匯聚方式朝向所述目標(biāo)位置照射。13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述反應(yīng)性氣體供給器包括用于將所述反應(yīng)性氣體噴射出到所述目標(biāo)位置的噴射端口，并且所述噴射端口與距離所述照射器相比更接近所述目標(biāo)位置。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述照射器被設(shè)置在所述延伸表面的背側(cè)，并且所述噴射端口被設(shè)置在所述延伸表面的背側(cè)，或總體上設(shè)置在所述延伸表面上。15、根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述照射器從所述支撐表面的徑向向外下傾的方向?qū)峁獬蛩瞿繕?biāo)位置照射。16、根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，進(jìn)一步包括移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)用于在垂直于所述支撐表面的平面中移動(dòng)所述照射器，同時(shí)將所述照射器指向所述目標(biāo)位置。17、根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述反應(yīng)性氣體供給器包括用于形成所述噴射端口的噴射端口形成部件，且所述噴射端口形成部件由透光材料組成。18、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述反應(yīng)性氣體供給器包括用于將所述反應(yīng)性氣體導(dǎo)引到所述目標(biāo)位置附近的引入部；和連接到所述引入部并覆蓋目標(biāo)位置的筒部，所述筒部的內(nèi)部比所述導(dǎo)引部更寬地?cái)U(kuò)展并且被限定為用于在其中暫時(shí)保存所述反應(yīng)性氣體的暫時(shí)存儲(chǔ)空間。19、根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述筒部的基端部設(shè)有用于封閉所述基端部的透光外殼部，且用作所述加熱器并被構(gòu)造為將熱光以匯聚的方式朝向所述目標(biāo)位置照射的輻射加熱器被布置在所述外殼部外面。20、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述反應(yīng)性氣體供給器包括用于將所述反應(yīng)性氣體噴射出到所述目標(biāo)位置的噴射噴嘴，且所述噴射噴嘴的噴射方向總體上沿著環(huán)形表面的周向，所述環(huán)形表面將位于所述臺(tái)上的所述基板的外周部處。21、根據(jù)權(quán)利要求20所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，進(jìn)一步包括抽吸噴嘴，所述抽吸噴嘴沿所述環(huán)形表面的周向以與所述噴射噴嘴相對(duì)的方式布置，且所述目標(biāo)位置被夾在所述抽吸噴嘴與所述噴射噴嘴中間。22、根據(jù)權(quán)利要求21所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述加熱器是輻射加熱器，用于將輻射熱量局部地照射在所述環(huán)形表面中的所述噴射噴嘴與所述抽吸噴嘴之間。23、根據(jù)權(quán)利要求21所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述臺(tái)從所述噴射噴嘴正常地朝向所述抽吸噴嘴旋轉(zhuǎn)。24、根據(jù)權(quán)利要求21所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中用于所述輻射加熱器的局部照射位置在所述噴射噴嘴和抽吸噴嘴之間朝向所述噴射噴嘴偏移。25、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述臺(tái)包括臺(tái)主體，所述臺(tái)主體具有形成在其中的作為所述吸熱器的冷卻介質(zhì)室或冷卻介質(zhì)通路；和中央墊，所述中央墊以能夠從所述臺(tái)主體突出和容納在所述臺(tái)主體中的方式被設(shè)置在所述臺(tái)主體的中央部分處，所述臺(tái)進(jìn)一步包括設(shè)有用于冷卻介質(zhì)的端口的固定筒；可旋轉(zhuǎn)地穿過(guò)所述固定筒并且同軸地連接到所述臺(tái)主體的旋轉(zhuǎn)筒；和用于旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)筒的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器，連接到所述端口的環(huán)形通路形成在所述固定筒的內(nèi)周表面或所述旋轉(zhuǎn)筒的外周?chē)砻嫣帲辉谳S向方向上延伸的軸向通路形成在所述旋轉(zhuǎn)筒中，所述軸向通路的一個(gè)端部被連接到所述環(huán)形通路，且另一端部被連接到所述冷卻介質(zhì)室或所述冷卻介質(zhì)通路。26、根據(jù)權(quán)利要求25所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中兩個(gè)環(huán)形密封槽形成在所述固定筒的內(nèi)周表面中或者所述旋轉(zhuǎn)筒的外周?chē)砻嬷?，以便所述密封槽位于所述環(huán)形通路的兩側(cè)，其中所述環(huán)形通路被夾在所述密封槽中間；和每個(gè)所述密封槽在其中容納墊圈，所述墊圈截面具有n形結(jié)構(gòu)并且朝向所述環(huán)形通路開(kāi)口。27、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述反應(yīng)性氣體供給器包括氣體導(dǎo)引部件，所述氣體導(dǎo)引部件包括用于允許所述基板可活動(dòng)地插入其中的插入端口；和導(dǎo)引通路，所述導(dǎo)引通路被連接到所述插入端口的最內(nèi)端并且在所述基板的周向上以包圍所述基板的外周部的方式延伸；和所述反應(yīng)性氣體在所述導(dǎo)引通路的所述延伸方向上經(jīng)過(guò)。28、根據(jù)權(quán)利要求27所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，進(jìn)一步包括作為所述加熱器的照射器，所述照射器用于以匯聚方式將熱光朝向所述導(dǎo)引通路的內(nèi)部照射，用于允許所述照射器的所述熱光通過(guò)它的傳輸透光部件以與所述導(dǎo)引通路面對(duì)的方式被嵌入所述氣體導(dǎo)引部件內(nèi)。29、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜被層疊在所述基板的外周部上作為不需要的膜，和所述反應(yīng)性氣體與所述有機(jī)膜反應(yīng)，并且所述反應(yīng)性氣體供給器被設(shè)置用于去除所述有機(jī)膜，'所述設(shè)備進(jìn)一步包括另一反應(yīng)性氣體供給器，用于將可與所述無(wú)機(jī)膜反應(yīng)的另一反應(yīng)性氣體供給到所述基板的外周部。30、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述基板是圓形晶片，所述圓形晶片具有形成在其外周部的一部分中的諸如凹口或定向平面的切割部分，所述反應(yīng)性氣體供給器包括反應(yīng)性氣體供給噴嘴，所述反應(yīng)性氣體供給噴嘴能夠沿垂直于所述臺(tái)的中心軸線的第一軸滑動(dòng)，所述晶片在所述臺(tái)上居中并布置在所述臺(tái)上，所述臺(tái)圍繞所述中心軸線旋轉(zhuǎn)，和所述供給噴嘴被與所述臺(tái)的旋轉(zhuǎn)同步地沿所述第一軸進(jìn)行位置調(diào)節(jié)，從而沿所述第一軸線滑動(dòng)所述供給噴嘴，以便當(dāng)所述晶片的圓形外周部被移動(dòng)穿過(guò)所述第一軸線時(shí)，所述供給噴嘴的尖部被朝向所述第一軸上的位置保持靜止，其中所述第一軸上的位置離開(kāi)所述中心軸線的距離大體等于所述晶片的半徑，且當(dāng)所述晶片的所述切割部分移動(dòng)穿過(guò)所述第一軸時(shí)線，所述供給噴嘴的尖部正常地指向該穿過(guò)點(diǎn)。31、根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周的設(shè)備，其中所述基板是圓形晶片，所述反應(yīng)性氣體供給器包括沿垂直于所述臺(tái)的中心軸線的第一軸線可滑動(dòng)的反應(yīng)性氣體供給噴嘴，所述臺(tái)圍繞所述中心軸線可旋轉(zhuǎn)，同時(shí)可吸附地保持所述晶片，所述設(shè)備進(jìn)一步包括計(jì)算器，所述計(jì)算器用于瞬時(shí)地計(jì)算所述晶片的外周部相對(duì)于所述第一軸線移動(dòng)穿過(guò)的點(diǎn)，和所述處理流體供給噴嘴基于計(jì)算的結(jié)果沿所述第一軸線被調(diào)節(jié)位置，從而供給所述處理流體同時(shí)總是指向所述穿過(guò)點(diǎn)。全文摘要一種用于處理基板的外周的方法和裝置，在用于從基板的外周部去除不需要的膜時(shí)能夠避免對(duì)基板中心部分的損壞。作為吸熱裝置的冷卻介質(zhì)室(4)形成在臺(tái)(10)內(nèi)，且諸如水的冷卻介質(zhì)填充到其中。晶片(90)被支撐在臺(tái)(10)的支撐表面(10a)上。晶片(90)的外周部通過(guò)加熱器(20)被加熱，且用于去除不需要的膜的反應(yīng)性氣體從反應(yīng)性氣體出口(30b)供到晶片的被加熱部分。另一方面，晶片(90)的在所述外周部的內(nèi)側(cè)的部分內(nèi)的熱量通過(guò)吸熱裝置吸收。文檔編號(hào)C23F4/00GK101124663SQ20058002319公開(kāi)日2008年2月13日申請(qǐng)日期2005年7月8日優(yōu)先權(quán)日2004年7月9日發(fā)明者功刀俊介,野上光秀,長(zhǎng)谷川平申請(qǐng)人:積水化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社