專利名稱：形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法和在制造集成電路中形成溝槽隔離的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法，并且涉及在制造集成電路中形成溝槽隔離的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造中一種常用的材料是二氧化硅?？梢詫⑵湟曰旧?00％純的形式利用，或與包括性質(zhì)調(diào)節(jié)摻雜劑的其它材料組合使用。因此，可以將二氧化硅在形成一層或多層中作為與其它材料的混合物利用，并且它可以占或者可以不占給定層的大多數(shù)。示例性材料是硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)和硼硅酸鹽玻璃(BSG)。典型地，這種材料的硼和/或磷原子各自的濃度為1原子％至4原子％的任何濃度，盡管也使用超過(guò)5％的原子％濃度。
由于半導(dǎo)體器件的幾何尺寸持續(xù)縮小，這種趨勢(shì)導(dǎo)致在橫向尺寸上的收縮比縱向尺寸上的收縮更大。在某些情況下，縱向尺寸增大。無(wú)論如何，得到器件增加的縱橫比(高度比寬度)，從而使得開(kāi)發(fā)可以將介電和其它材料填充高縱橫或逐漸增加縱橫比的溝槽、通孔或其它臺(tái)階或結(jié)構(gòu)的方法日益重要。一種典型的介電材料選擇是含摻雜或未摻雜二氧化硅的材料，例如上面所述的那些材料。摻雜劑如硼和磷可以促進(jìn)沉積層在更高溫度下的回流，從而促進(jìn)對(duì)在襯底上的開(kāi)口更完全的填充。在形成二氧化硅層中可以利用各種反應(yīng)物前體，例如，在美國(guó)專利6,300,219中公開(kāi)的硅烷醇。
發(fā)明概述本發(fā)明包括形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法和在制造集成電路中形成溝槽隔離的方法。在一個(gè)實(shí)施中，一種形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法包括在沉積室中定位襯底。在對(duì)于在襯底上沉積含摻雜磷的二氧化硅的層有效的條件下，在多個(gè)沉積循環(huán)中，將第一和第二汽相反應(yīng)物以交替和瞬時(shí)分離脈沖的方式引入至該室中的襯底上。第一和第二汽相反應(yīng)物中的一個(gè)是PO(OR)3，其中R是烴基，并且第一和第二汽相反應(yīng)物中的另一個(gè)是Si(OR)3OH，其中R是烴基。
在一個(gè)實(shí)施中，一種形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法，該方法包括在沉積室中定位襯底。從包含其中R是烴基的PO(OR)3的第一汽相反應(yīng)物中，將第一物種化學(xué)吸附至襯底的表面上，以在該室中向該表面上形成第一物種單層。使化學(xué)吸附的第一物種與包含其中R是烴基的Si(OR)3OH的第二汽相反應(yīng)物接觸，形成含Si和O的單層。在對(duì)于在襯底上沉積含摻雜磷的二氧化硅的層有效的條件下，依次重復(fù)第一物種的化學(xué)吸附和化學(xué)吸附的第一物種與第二反應(yīng)物的接觸。
其它方面和實(shí)施是預(yù)期的。
附圖簡(jiǎn)述以下參考下面的附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。


圖1是在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的方法中半導(dǎo)體晶片片段的剖面示意圖。
圖2是圖1的晶片片段在圖1所示的方法之后的處理步驟下的視圖。
圖3是圖2的晶片片段在圖2所示的步驟之后的處理步驟下的視圖。
圖4是在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的方法中半導(dǎo)體晶片片段的剖面示意圖。
圖5是圖4的晶片片段在圖4所示的方法之后的處理步驟下的視圖。
圖6是圖5的晶片片段在圖5所示的步驟之后的處理步驟下的視圖。
圖7是圖6的晶片片段在圖6所示的步驟之后的處理步驟下的視圖。
優(yōu)選實(shí)施方案詳述在一個(gè)實(shí)施中，一種形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法包括在沉積室中定位其上將要被沉積的襯底。在對(duì)于在襯底上沉積含摻雜磷的二氧化硅的層有效的條件下，在多個(gè)沉積循環(huán)中，將第一和第二汽相反應(yīng)物以交替和瞬時(shí)分離脈沖的方式引入至該室中的襯底上。第一和第二汽相反應(yīng)物中的一個(gè)是PO(OR)3，其中R是烴基。第一和第二汽相反應(yīng)物中的另一個(gè)是Si(OR)3OH，其中R是烴基。這可以通過(guò)原子層沉積(ALD)方法(例如，包括化學(xué)吸附和接觸方法)，通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)方法，和通過(guò)其它方法，以及通過(guò)這些方法與其它方法的組合來(lái)進(jìn)行。此處使用CVD和ALD，參考于2002年4月25日提交的共同未決美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)10/133,947，標(biāo)題為″Atomic Layer Deposition Methods and Chemical Vapor DepositionMethods″，并且將Brian A.Vaartstra列為發(fā)明人。于2002年4月25日提交的該10/133,947申請(qǐng)通過(guò)引用而全文結(jié)合在此，如同將其全部?jī)?nèi)容列出在此一樣。在此提供的優(yōu)選和理解具體采用的實(shí)例被理解為主要通過(guò)原子層沉積。
PO(OR)3的R烴基和Si(OR)3OH的R烴基可以相同或不同，并且無(wú)論如何在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，各自的R烴基僅含有1至5個(gè)碳原子。一個(gè)優(yōu)選并且具體采用的PO(OR)3材料包括磷酸三乙酯。一種優(yōu)選示例且具體采用的Si(OR)3OH材料包括三叔丁基硅烷醇。示例性的優(yōu)選條件包括約50℃至約500℃的溫度，并且更優(yōu)選為約100℃至約300℃。示例性的壓力條件是低于大氣壓的，優(yōu)選為約10-7托至約10托，并且更優(yōu)選為約10-4托至約1托。所述的條件可以包括第一和第二反應(yīng)物中至少一個(gè)的等離子體產(chǎn)生，或者沒(méi)有第一和第二反應(yīng)物的等離子體產(chǎn)生。如果利用等離子體產(chǎn)生，這可以發(fā)生在沉積室的內(nèi)部，和/或其外部。相信最優(yōu)選的條件是沒(méi)有第一和第二反應(yīng)物的等離子體產(chǎn)生。
該條件可以對(duì)于形成具有非常低磷含量的含二氧化硅的層是有效的，所述的磷含量例如不超過(guò)0.5原子％，包括更低的量。備選地，該條件可以對(duì)形成具有至少1.0原子％磷，包括例如5.0或更大的原子％磷的含二氧化硅的層有效。
在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，該方法可以除了第一和第二汽相反應(yīng)物外，不向該室中引入任何汽相反應(yīng)物。備選地，該方法可以包括在第一和第二汽相反應(yīng)物的至少某些所述分離脈沖的中間，引入不同于第一和第二汽相反應(yīng)物的另一種汽相反應(yīng)物。僅作為實(shí)例，示例性的另一種汽相反應(yīng)物是含氧的，例如O2、O3和/或任何汽相含氧化合物。除了PO(OR)3流之外，已經(jīng)確定臭氧脈沖，例如作為O2和O3的混合物，有利于更多的磷結(jié)合，例如，高于5原子％的磷結(jié)合，如果這是所期望的。
另一種示例性汽相反應(yīng)物將是含硼的，于是含摻雜磷的二氧化硅的層也將包含硼，例如在制造BPSG或類BPSG材料中。示例性的含硼材料是B(OR)3。
所述交替和瞬時(shí)分離脈沖可以包括下列之一或組合在分離脈沖中間，對(duì)室的抽氣和/或用隋性氣體(例如N2和/或任何稀有氣體)對(duì)該室的吹掃，以除去未反應(yīng)的前體/反應(yīng)物。
一種用于形成含二氧化硅的層的現(xiàn)有技術(shù)描述于Hausmann等，RapidVapor Deposition of Highly Conformal Silica Nanolaminates，SCIENCEMAGAZINE，Vol.298，pp.402-406(2002)中。這種方法起初利用甲基鋁(methyaluminum)反應(yīng)物前體，例如三乙基鋁或二甲基酰胺鋁，其在襯底上形成初始的含鋁層。然后，烷氧基硅烷醇，例如三(叔丁氧基)硅烷醇流向襯底。顯然，鋁的存在提供了自限制催化反應(yīng)，由此含二氧化硅的層沉積至某個(gè)自限制厚度，該厚度為在100埃至700埃之間的任何厚度。換言之，持續(xù)地曝露于烷氧基硅烷醇沒(méi)有導(dǎo)致含二氧化硅的層的持續(xù)生長(zhǎng)。顯然，與簡(jiǎn)單的類ALD方式相反，二氧化硅層的自限制生長(zhǎng)是以某種催化方式發(fā)生，原因在于通過(guò)硅烷醇曝露/脈沖形成明顯多于幾層單層。無(wú)論如何，鋁被結(jié)合到得到的層中，這可能不是所期望的。
雖然此處公開(kāi)的本發(fā)明不排除它與類似Hausmann等人的方法一起使用，但是最優(yōu)選的是，本發(fā)明的方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，不向該室中引入任何汽相含鋁反應(yīng)物。此外，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的是，在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，襯底沒(méi)有鋁。
在一個(gè)實(shí)施中，形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法至少包括某種ALD處理。僅僅作為實(shí)例，示例性的這種方法參考圖1-3來(lái)描述。參考圖1，將襯底10定位于任何適宜的沉積室(未顯示)中。在一個(gè)示例性的實(shí)施方案中，襯底10是半導(dǎo)體襯底，例如包括某種材料12，所述的材料12優(yōu)選包括至少某種半導(dǎo)體材料，并且當(dāng)然可以包括多種材料和層。在本文件的上下文中，將術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體襯底”或“半導(dǎo)體的襯底”定義為表示任何包括半導(dǎo)體材料的構(gòu)造，包括但不限于大塊半導(dǎo)體材料如半導(dǎo)體晶片(或者單獨(dú)地，或者包括在其上的其它材料的組件)，以及半導(dǎo)體材料層(或者單獨(dú)地，或者包括在其上的其它材料的組件)。術(shù)語(yǔ)“襯底”是指任何支撐結(jié)構(gòu)體，包括但不限于上面所述的半導(dǎo)體襯底。襯底10具有表面14，如所示的，提供被羥基化的表面14(含有懸空的OH基)。同樣預(yù)期其它的表面端接在此處所述的方法中是也有效的。如果羥基化，可以將這種表面在提供在沉積室中之前羥基化，或者在沉積室中羥基化。用于羥基化表面14的示例性的技術(shù)包括將該表面曝露于水蒸汽中。此外，該表面可以通過(guò)簡(jiǎn)單曝露于環(huán)境氣氛中而自然羥基化。
參考圖2，從例如如上所述的包含其中R是烴基的PO(OR)3的第一汽相反應(yīng)物中，化學(xué)吸附第一物種，以在該室中向該羥基化表面上形成第一物種單層16。在圖2中，這被描繪為包括變量“A”，作為構(gòu)成層16的至少部分。優(yōu)選的條件和其它屬性如上對(duì)于首先描述的實(shí)施所述。
參考圖3，化學(xué)吸附的第一物種已經(jīng)與包含Si(OR)3OH的第二汽相反應(yīng)物接觸，其中R為烴基，以形成將包含Si和O的單層18。再次，優(yōu)選條件如上對(duì)于第一實(shí)施所述。圖3描繪的層18包括變量“B”，其中化學(xué)吸附的第一物種單層被描繪為A’，A’示例性地表示在用A化學(xué)吸附B中的A物種的某種變體，其中確切優(yōu)選和典型的物種A和B未被確定。無(wú)論如何，第一物種的化學(xué)吸附和化學(xué)吸附的第一物種與第二反應(yīng)物的接觸是在對(duì)于在襯底上沉積含摻雜磷的二氧化硅的層有效的條件下依次重復(fù)的。典型并且優(yōu)選的是，這樣的化學(xué)吸附和接觸是對(duì)襯底以交替和瞬時(shí)分離脈沖的方式進(jìn)行的，例如如上在首先描述的實(shí)施中所述。
上面所述的實(shí)施是相對(duì)于PO(OR)3的表面化學(xué)吸附，接著包含Si(OR)3OH的第二汽相反應(yīng)物暴露，并且由此，具體采用本發(fā)明的一個(gè)方面，盡管本發(fā)明的多個(gè)方面不必如此限制。
無(wú)論如何，本發(fā)明的方面可以優(yōu)選用于在集成電路的制造中形成溝槽隔離的方法，例如如圖4-7所示并且如參考圖4-7所述。圖4顯示包含大塊單晶硅的半導(dǎo)體襯底26或其它半導(dǎo)體材料襯底28。在半導(dǎo)體襯底28上形成掩模層30。這被描繪為包括襯墊氧化物層32和上覆的含氮化物層34，所述的氮化物如氮化硅。
參考圖5，已經(jīng)將隔離溝槽36和38通過(guò)掩模層30蝕刻至襯底28/26的半導(dǎo)體材料中。現(xiàn)在或其后，例如對(duì)于二氧化硅，可以通過(guò)將襯底26暴露于熱氧化條件而提供熱氧化物層或其它層，例如氮化硅(未顯示)層。
參考圖6，已經(jīng)在半導(dǎo)體材料隔離溝槽36和38中形成了磷摻雜的含二氧化硅的層40。用于這樣做的示例性技術(shù)包括如上所述的在多個(gè)沉積循環(huán)中將第一和第二汽相反應(yīng)物以交替和瞬時(shí)分離脈沖的方式引入至該室中的襯底上，并且例如通過(guò)如上所述的化學(xué)吸附和接觸方法。如所述，該沉積對(duì)于向掩模層30上沉積含磷摻雜的二氧化硅的層40是有效的，并且被描述為對(duì)于在隔離溝槽36和38中選擇性沉積磷摻雜的二氧化硅的層40是無(wú)效的。在本文件的上下文中，“選擇性/選擇地沉積”是一種在襯底上沉積材料時(shí)，襯底的一個(gè)區(qū)域與另一個(gè)區(qū)域的沉積厚度比率至少為2∶1的沉積。
例如如圖6所示，該沉積對(duì)于完全地填充隔離溝槽36和38或不填充這樣的隔離溝槽應(yīng)該是有效的。例如如圖7所示，可以連續(xù)進(jìn)行沉積處理，例如如上任何一種所述，以完全填充這種溝槽。備選地，僅僅作為實(shí)例，可以將圖6的構(gòu)造在從掩模層30上除去所述材料之前或之后用另一種材料填充。
示例性的具體采用的實(shí)例利用磷酸三乙酯和三(叔丁氧基)硅烷醇作為第一和第二相應(yīng)的汽相反應(yīng)物。通過(guò)下面的方法在氮化硅襯里的溝槽之上沉積650埃的PSG保形層(8原子％磷)使用每種反應(yīng)物的各自兩秒反應(yīng)性脈沖，其中一秒氬吹掃，之后在反應(yīng)物脈沖之間沒(méi)有流動(dòng)氬的情況下抽空三秒。在300℃進(jìn)行600個(gè)完全的循環(huán)。沒(méi)有使用臭氧。用于進(jìn)料磷酸三乙酯和三(叔丁氧基)硅烷醇的相應(yīng)鼓泡器/安瓿溫度為50℃和40℃。
還用溫度為60℃的磷酸三乙酯和溫度為70℃的三(叔丁氧基)硅烷醇進(jìn)行這種處理。在300個(gè)完全的循環(huán)后，這種磷酸三乙酯和三(叔丁氧基)硅烷醇的一(1)秒和0.5秒相應(yīng)脈沖得到650埃的膜，從而提供的沉積速率為約2.2埃/循環(huán)。這稍高于首先具體采用的實(shí)例沉積，其沉積速率為1.1埃/循環(huán)。沉積的膜基本上沒(méi)有碳，并且磷含量低于0.5原子％。在這種反應(yīng)物溫度下磷酸三乙酯暴露的時(shí)間越長(zhǎng)，預(yù)期得到生長(zhǎng)速度越高，并且提高在沉積膜中的磷含量。
在另一種具體采用的實(shí)例中，將來(lái)自60℃鼓泡器/安瓿的磷酸三乙酯進(jìn)料至沉積室中的基材，時(shí)間1秒。其后是1秒鐘的30 sccm Ar流，接著在沒(méi)有任何氣體向其流動(dòng)的情況下對(duì)該室進(jìn)行3秒的抽空。然后，向該室中流入25 sccm的O2/O3(5體積％至12體積％的O3)的混合流，時(shí)間2秒。其后是1秒鐘的30 sccm Ar流，接著在沒(méi)有氣體進(jìn)料至該室的同時(shí)，抽空3秒。然后，從60℃鼓泡器/安瓿向該室流入三(叔丁氧基)硅烷醇，時(shí)間2秒。其后是1秒鐘的30 sccm Ar流，再之后，在沒(méi)有氣體進(jìn)料至該室的同時(shí)，抽空3秒。進(jìn)行400個(gè)完全的循環(huán)，其中在所有處理的過(guò)程中的壓力從0.24托改變至10-6托。這得到100埃厚的層，其具有結(jié)合其中的5.7原子％的磷。
權(quán)利要求
1.一種形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法，該方法包括在沉積室中定位襯底；并且在對(duì)于在襯底上沉積含摻雜磷的二氧化硅的層有效的條件下，在多個(gè)沉積循環(huán)中，將第一和第二汽相反應(yīng)物以交替和瞬時(shí)分離脈沖的方式引入至該室中的襯底上，第一和第二汽相反應(yīng)物中的一個(gè)是PO(OR)3，其中R是烴基，并且第一和第二汽相反應(yīng)物中的另一個(gè)是Si(OR)3OH，其中R是烴基。
2.權(quán)利要求1的方法，其中所述的條件包括原子層沉積。
3.權(quán)利要求1的方法，其中所述的條件對(duì)于形成具有不超過(guò)0.5原子％磷的含二氧化硅的層是有效的。
4.權(quán)利要求1的方法，其中所述的條件對(duì)于形成具有至少1.0原子％磷的含二氧化硅的層是有效的。
5.權(quán)利要求1的方法，該方法在所述的含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，除了所述的第一和第二汽相反應(yīng)物外，不向該室中引入任何汽相反應(yīng)物。
6.權(quán)利要求1的方法，該方法包括在第一和第二汽相反應(yīng)物的至少某些所述分離脈沖的中間，引入不同于第一和第二汽相反應(yīng)物的另一種汽相反應(yīng)物。
7.權(quán)利要求6的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物是含氧的。
8.權(quán)利要求7的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物包括O3。
9.權(quán)利要求6的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物是含硼的，所述含摻雜磷的二氧化硅的層包含硼。
10.權(quán)利要求1的方法，其中PO(OR)3的R烴基僅含有1至5個(gè)碳原子。
11.權(quán)利要求1的方法，其中Si(OR)3OH的R烴基僅含有1至5個(gè)碳原子。
12.權(quán)利要求1的方法，其中PO(OR)3包括磷酸三乙酯。
13.權(quán)利要求1的方法，其中Si(OR)3OH包括三(叔丁氧基)硅烷醇。
14.權(quán)利要求1的方法，其中PO(OR)3包括磷酸三乙酯，并且其中Si(OR)3OH包括三(叔丁氧基)硅烷醇。
15.權(quán)利要求1的方法，其中所述的條件包括約50℃至約500℃的溫度。
16.權(quán)利要求15的方法，其中所述的條件包括約100℃至約300℃的溫度。
17.權(quán)利要求1的方法，其中所述的條件包括約10-7托至約10托的壓力。
18.權(quán)利要求1的方法，其中所述的條件包括第一和第二反應(yīng)物中的至少一個(gè)的等離子體產(chǎn)生。
19.權(quán)利要求1的方法，其中所述的條件沒(méi)有第一和第二反應(yīng)物的等離子體產(chǎn)生。
20.權(quán)利要求1的方法，該方法包括在分離脈沖的中間用惰性氣體吹掃該室。
21.權(quán)利要求1的方法，該方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，在襯底上沒(méi)有鋁。
22.權(quán)利要求1的方法，該方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，不向該室中引入任何汽相含鋁反應(yīng)物。
23.一種形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法，該方法包括在沉積室中定位襯底；從包含其中R是烴基的PO(OR)3的第一汽相反應(yīng)物中，將第一物種化學(xué)吸附至襯底的表面上，以在該室中向該表面上形成第一物種單層；使化學(xué)吸附的第一物種與包含其中R是烴基的Si(OR)3OH的第二汽相反應(yīng)物接觸，形成含Si和O的單層；并且在對(duì)于在襯底上沉積含摻雜磷的二氧化硅的層有效的條件下，依次重復(fù)第一物種的化學(xué)吸附和化學(xué)吸附的第一物種與第二反應(yīng)物的接觸。
24.權(quán)利要求23的方法，其中提供的至少首先化學(xué)吸附第一物種的襯底表面為羥基化表面。
25.權(quán)利要求23的方法，其中所述的條件對(duì)于形成具有不超過(guò)0.5原子％磷的含二氧化硅的層是有效的。
26.權(quán)利要求23的方法，其中所述的條件對(duì)于形成具有至少1.0原子％磷的含二氧化硅的層是有效的。
27.權(quán)利要求24的方法，該方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，至少在提供羥基化表面之后，除了所述的第一和第二汽相反應(yīng)物外，不向該室中引入任何汽相反應(yīng)物。
28.權(quán)利要求23的方法，該方法包括在至少某些所述的重復(fù)化學(xué)吸附和接觸的中間，引入不同于第一和第二汽相反應(yīng)物的另一種汽相反應(yīng)物。
29.權(quán)利要求28的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物是含氧的。
30.權(quán)利要求29的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物包括O3。
31.權(quán)利要求28的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物是含硼的，所述含摻雜磷的二氧化硅的層包含硼。
32.權(quán)利要求23的方法，其中PO(OR)3的R烴基僅含有1至5個(gè)碳原子。
33.權(quán)利要求23的方法，其中Si(OR)3OH的R烴基僅含有1至5個(gè)碳原子。
34.權(quán)利要求23的方法，其中PO(OR)3包括磷酸三乙酯。
35.權(quán)利要求23的方法，其中Si(OR)3OH包括三(叔丁氧基)硅烷醇。
36.權(quán)利要求23的方法，其中PO(OR)3包括磷酸三乙酯，并且其中Si(OR)3OH包括三(叔丁氧基)硅烷醇。
37.權(quán)利要求23的方法，該方法包括在所述的重復(fù)化學(xué)吸附和接觸的中間用惰性氣體吹掃該室。
38.權(quán)利要求23的方法，該方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，在襯底上沒(méi)有鋁。
39.權(quán)利要求23的方法，該方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，不向該室中引入任何汽相含鋁反應(yīng)物。
40.權(quán)利要求23的方法，該方法包括在襯底中形成的半導(dǎo)體材料隔離溝槽中沉積含摻雜磷的二氧化硅的層。
41.一種在集成電路的制造中形成溝槽隔離的方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底之上形成掩模層；通過(guò)掩模層蝕刻隔離溝槽至半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體材料中；并且在蝕刻隔離溝槽之后，在對(duì)于在隔離溝槽中沉積含摻雜磷的二氧化硅的層有效的多個(gè)沉積循環(huán)中，將第一和第二汽相反應(yīng)物以交替和瞬時(shí)分離脈沖的方式引入至該室中的襯底上，第一和第二汽相反應(yīng)物中的一個(gè)是PO(OR)3，其中R是烴基，并且第一和第二汽相反應(yīng)物中的另一個(gè)是Si(OR)3OH，其中R是烴基。
42.權(quán)利要求41的方法，其中所述的沉積對(duì)于填充所述的隔離溝槽是有效的。
43.權(quán)利要求41的方法，其中所述的沉積不填充所述的隔離溝槽。
44.權(quán)利要求41的方法，其中所述的沉積循環(huán)對(duì)于在掩模層上沉積含摻雜磷的二氧化硅的層是有效的。
45.權(quán)利要求41的方法，其中所述的沉積循環(huán)對(duì)于在所述的隔離溝槽中選擇性沉積含摻雜磷的二氧化硅的層是無(wú)效的。
46.權(quán)利要求41的方法，其中所述的條件對(duì)于形成具有不超過(guò)0.5原子％磷的含二氧化硅的層是有效的。
47.權(quán)利要求41的方法，其中所述的條件對(duì)于形成具有至少1.0原子％磷的含二氧化硅的層是有效的。
48.權(quán)利要求41的方法，該方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，除了所述第一和第二汽相反應(yīng)物外，不向該室中引入任何汽相反應(yīng)物。
49.權(quán)利要求41的方法，該方法包括在第一和第二汽相反應(yīng)物的至少某些所述分離脈沖的中間，引入不同于第一和第二汽相反應(yīng)物的另一種汽相反應(yīng)物。
50.權(quán)利要求49的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物是含氧的。
51.權(quán)利要求50的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物包括O3。
52.權(quán)利要求49的方法，其中所述的另一種汽相反應(yīng)物是含硼的，所述含摻雜磷的二氧化硅的層包含硼。
53.權(quán)利要求41的方法，其中PO(OR)3包括磷酸三乙酯。
54.權(quán)利要求41的方法，其中Si(OR)3OH包括三(叔丁氧基)硅烷醇。
55.權(quán)利要求41的方法，其中PO(OR)3包括磷酸三乙酯，并且其中Si(OR)3OH包括三(叔丁氧基)硅烷醇。
56.權(quán)利要求41的方法，該方法包括在分離脈沖的中間用惰性氣體吹掃該室。
57.權(quán)利要求41的方法，該方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，在襯底上沒(méi)有鋁。
58.權(quán)利要求41的方法，該方法在所述含摻雜磷的二氧化硅的層的形成中，不向該室中引入任何汽相含鋁反應(yīng)物。
全文摘要
本發(fā)明包括形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法和在制造集成電路中形成溝槽隔離的方法。在一個(gè)實(shí)施中，一種形成含摻雜磷的二氧化硅的層的方法包括在沉積室中定位襯底。在對(duì)于在襯底上沉積含摻雜磷的二氧化硅的層有效的條件下，在多個(gè)沉積循環(huán)中，將第一和第二汽相反應(yīng)物以交替和瞬時(shí)分離脈沖的方式引入至該室中的襯底上。第一和第二汽相反應(yīng)物中的一個(gè)是PO(OR)
文檔編號(hào)C23C16/04GK1860251SQ200480019420
公開(kāi)日2006年11月8日 申請(qǐng)日期2004年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月7日
發(fā)明者B·A·瓦爾特斯卓 申請(qǐng)人:微米技術(shù)有限公司