專利名稱：結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨法(Chemical MechanicalPolishing；CMP)，特別涉及一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法。
化學(xué)機(jī)械研磨法是在制造極大規(guī)模集成電路(Ultra Large ScaleIntegration；ULSI)組件時(shí)最常使用的工藝之一。在制造集成電路組件過程的一個(gè)或多個(gè)階段中，常常需要從組件的表面上移除一些材料，并且在進(jìn)行后續(xù)步驟之前，對(duì)各個(gè)材料層進(jìn)行平坦化處理。以化學(xué)機(jī)械研磨作為移除及平坦化材料的方法，已經(jīng)越來越頻繁。此方法是將被研磨的晶圓表面與研磨墊接觸(晶圓不一定被固定不動(dòng)，可能是被“限制懸浮的”)，研漿(Slurry)順著旋轉(zhuǎn)的研磨墊加到研磨表面。接著，以一控制好的壓力進(jìn)行所謂的化學(xué)機(jī)械研磨法。研漿通常具有一化學(xué)活性成分(例如酸或堿)和研磨顆粒成分(例如細(xì)致的二氧化硅顆粒)在機(jī)械切削力的催化下提升其化學(xué)活性；配合化學(xué)反應(yīng)與機(jī)械切削來達(dá)成平坦化。雖然正確的反應(yīng)機(jī)構(gòu)尚不完全清楚，但是化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨則促成了研磨及平坦化的過程?；瘜W(xué)機(jī)械研磨法已經(jīng)可以應(yīng)用在金屬層和介電層的平坦化處理。
傳統(tǒng)制造極大規(guī)模集成電路組件的化學(xué)機(jī)械研磨法，系直接對(duì)組件上面的犧牲層(Sacrificial Layer)進(jìn)行研磨。典型的犧牲層為二氧化硅(Silicon Dioxide)或氮化硅(Silicon Nitride)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨法通?？捎迷跍\溝道隔離法(Shallow Trench Isolation；STI)中犧牲層的研磨，兩導(dǎo)電層間的介電層、內(nèi)金屬介電層(Intermetal Dielectrics)和其它絕緣層的平坦化；或是用在導(dǎo)電層(例如多晶硅層)、化學(xué)氣相沉積鎢金屬層(CVD tungsten)的研磨。
然而，由于在研磨此犧牲層下的組件表面高低起伏，所以犧牲層的厚度要很厚，如此在研磨之后才能得到平坦化的表面。因此，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨法成本較高，且犧牲層的厚度要很厚。因?yàn)榛瘜W(xué)機(jī)械研磨法會(huì)在晶圓的表面上引進(jìn)部分的厚度不平整性(Non-uniformity)，故在化學(xué)機(jī)械研磨法之后，其最后的厚度偏差(Thickness Deviation)要比研磨之前來的大。因此，減少犧牲層厚度與研磨時(shí)間，乃是改進(jìn)工藝消耗和不平整性的最佳方法。
以下用現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨法，應(yīng)用在形成淺溝道隔離來說明現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)。


圖1A至圖1C是傳統(tǒng)式化學(xué)機(jī)械研磨法的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，在半導(dǎo)體基底10上形成一阻絕層(Stop Layer)，此步驟例如是以化學(xué)氣相沉積法，沉積一氮化硅層。其次，進(jìn)行淺溝道隔離法，即先經(jīng)微影、蝕刻步驟定義出組件區(qū)與隔離區(qū)，并且在凹入的隔離區(qū)上與組件區(qū)的終止層(Stopper)12上，以化學(xué)氣相沉積法沉積一厚的二氧化硅層14，以做為犧牲層。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B，將晶圓轉(zhuǎn)移至化學(xué)機(jī)械研磨的研磨墊上，并且與一研漿接觸而進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(如圖中的20)。當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行到接近終止層12的表面前，由于凹入?yún)^(qū)上的二氧化硅層14a與組件區(qū)在研磨中同時(shí)受到化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力(只有凹入?yún)^(qū)所受的機(jī)械應(yīng)力較組件區(qū)小)，故當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨持續(xù)進(jìn)行至終止層12時(shí)，凹入?yún)^(qū)上的二氧化硅層14a的表面會(huì)呈現(xiàn)非平坦?fàn)?。在此階段中，即二氧化硅層14a的表面接近終止層12時(shí)，如果因二氧化硅層14a過厚而使化學(xué)機(jī)械研磨對(duì)于晶圓表面的研磨時(shí)間過久時(shí)，則凹入?yún)^(qū)上的二氧化硅層14a的表面所呈現(xiàn)的下凹狀愈形嚴(yán)重，故平坦化的效果不佳。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1C，繼續(xù)對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(如圖中的20)，以確保二氧化硅不會(huì)殘留在組件區(qū)之上，故最后化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行過度研磨(Over Polishing)至出現(xiàn)終止層12為止。然而由于先前二氧化硅層14a的不平坦表面，造成過度研磨后溝槽區(qū)的碟陷效應(yīng)(dish effect)更加明顯，溝槽區(qū)表面形成明顯的凹狀，會(huì)使平坦化效果變差，進(jìn)而影響產(chǎn)品的品質(zhì)。
為了改進(jìn)上述的缺點(diǎn)，公知技術(shù)通常是在犧牲層上再形成一層硬度較大的材料層，而使其移除速率變慢，且特別是在凹入?yún)^(qū)的部分。通常的發(fā)明重點(diǎn)主要擺在尋找慢移除速率(Slow Remove Rate)材料層。然而，公知的慢移除速率材料層大多使用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或物理氣相沉積法(PVD)，通常其所沉積的慢移除速率材料層，其階梯覆蓋能力不佳且不具有可流動(dòng)效應(yīng)(Flowable Effect)。已知的以沉積法形成的材料層，例如氮化硅、氮化硼、碳硅化合物、硅、碳等等，雖然這些材料可增加凹入?yún)^(qū)表面的硬度，使其移除速率變慢，但其效果有限。況且凹入?yún)^(qū)與組件區(qū)上面均受覆蓋，故其相對(duì)效果不如預(yù)期。此外，在某些情況下，會(huì)對(duì)晶圓的二氧化硅層造成不必要的污染。且通常以沉積法所沉積的慢移除速率材料層，其較以旋轉(zhuǎn)涂布(Spin Coating)形成的慢移除速率材料層的流動(dòng)性差，不具備自我平坦化功能。
因此，本發(fā)明的主要目的就是提供一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，利用此方法可以改進(jìn)整個(gè)化學(xué)機(jī)械研磨法的效果。
而本發(fā)明以旋轉(zhuǎn)涂布方式形成的旋涂式硅玻璃(聚合物)作為慢移除速率材料層時(shí)，對(duì)凹入?yún)^(qū)和突出部分(比如組件區(qū)或金屬導(dǎo)線)的研磨層之間將提供不均勻的保護(hù)效應(yīng)(Protecting Effect)。由于受旋涂式硅玻璃(聚合物)本身的可流動(dòng)效應(yīng)的影響，所以研磨層突出部分所受到的保護(hù)比凹入?yún)^(qū)小，因此可以達(dá)到形成較平坦的研磨后表面和較薄的研磨犧牲層厚度的效果。
根據(jù)本發(fā)明的主要目的，提出一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，包括一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，包括提供一半導(dǎo)體基底，此基底具有一不平坦的表面。其次，在此基底上形成一介電層，此介電層通常做為犧牲層。接著，以旋轉(zhuǎn)涂布法在介電層上形成一旋涂材料層，此旋涂材料層包括硅玻璃層或/與聚合物層。最后，以化學(xué)機(jī)械研磨法進(jìn)行一平坦化處理。
除此之外，如上面所述，亦可以在犧牲層上形成兩層或兩層以上不同移除速率材料層。例如當(dāng)考慮某些加工目的而不須將犧牲層全部移除時(shí)，則可以旋轉(zhuǎn)涂布方式形成兩層或兩層以上不同移除速率材料層。
本發(fā)明所進(jìn)行的革新為在減少犧牲層厚度與研磨時(shí)間之余，同時(shí)兼顧傳統(tǒng)式化學(xué)機(jī)械研磨法的平坦性與厚度均勻性。改進(jìn)化學(xué)機(jī)械研磨工藝表現(xiàn)的關(guān)鍵在于在原來的犧牲層上形成一層或一層以上的旋涂式硅玻璃(聚合物)，使化學(xué)機(jī)械研磨法對(duì)于旋涂式硅玻璃(聚合物)的移除速率，比二氧化硅或氮化硅來的慢；以及在進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布時(shí)，因旋涂式硅玻璃(聚合物)的可流動(dòng)特性所造成的平坦化效果，而減少研磨時(shí)間及犧牲層厚度。因旋涂式硅玻璃(聚合物)的移除速率慢，故又稱為慢移除速率聚合物，其將填滿集成電路芯片上的凹入?yún)^(qū)，并且在突出的組件區(qū)(或金屬導(dǎo)線)的表面上仍只維持較薄的硅玻璃(聚合物)。在研磨開始之初，晶圓表面覆蓋較薄的硅玻璃(聚合物)的組件區(qū)(或金屬導(dǎo)線)將面對(duì)較高的機(jī)械應(yīng)力，進(jìn)而造成較快的移除速率與較高的平坦化效應(yīng)(Planarizing Effect)。面對(duì)較低的機(jī)械應(yīng)力的凹入?yún)^(qū)，則仍然受慢移除速率聚合物的保護(hù)。因此，在本發(fā)明中，借助于合適的過度研磨而移除覆蓋于晶圓上的旋涂式硅玻璃(聚合物)，也就是一層可流動(dòng)的頂端保護(hù)覆蓋層(Top Passive CoatingLayer)，進(jìn)而達(dá)到平坦化的目的。
為使本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，特舉一些較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下圖1A至圖1C是傳統(tǒng)式化學(xué)機(jī)械研磨法的剖面示意圖；圖2A至圖2C是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法的剖面示意圖；圖3A至圖3C是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例，一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法的剖面示意圖；圖4A至圖4C是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例，一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法的剖面示意圖；圖5A至圖5B是根據(jù)本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例，一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法的剖面示意圖。
其中，部件與附圖標(biāo)記分別為10、100、200、300、400半導(dǎo)體基底12、112終止層14、14a二氧化硅層114、114a、114b、214、214a、314、314a、414、414a二氧化硅層(犧牲層)
20、120、220、320、420化學(xué)機(jī)械研磨116、116a、216、216a、316、316a、318、416、416a、418旋涂材料層213、313、413導(dǎo)電層以形成淺溝道隔離區(qū)為例，請(qǐng)參照?qǐng)D2A，在半導(dǎo)體基底100上形成一阻絕層，此步驟例如是以化學(xué)氣相沉積法，沉積一氮化硅層。其次進(jìn)行淺溝道隔離法，即先經(jīng)微影、蝕刻步驟定義出組件區(qū)與隔離區(qū)，并且在凹入的隔離區(qū)上與組件區(qū)上的終止層112上，以化學(xué)氣相沉積法沉積一二氧化硅層114。接著在整個(gè)半導(dǎo)體基底100上，以旋轉(zhuǎn)涂布方式形成一旋涂材料層116并經(jīng)固化(Curing)之后，使組件區(qū)和凹入?yún)^(qū)的高度差異不會(huì)太大。旋轉(zhuǎn)涂布較佳是以摻入聚合物(Polymer)的硅玻璃(Glass)或硅玻璃或聚合物為材料，所形成的旋涂材料層的厚度約為2000?！?000埃。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B，將晶圓轉(zhuǎn)移至化學(xué)機(jī)械研磨的研磨墊上，并且與一研漿接觸而進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(如圖中的120)。由于旋涂材料層116提供較佳平坦度的表面，所以在研磨初期僅有少部分突出部分，更因?yàn)橥怀霾糠譃樾坎牧蠈?16較薄的部分，且承受較大的研磨壓力，很快即可被磨除而達(dá)到平坦化；而其它部分旋涂材料層116的厚度較厚，且承受的研磨壓力較小，可保護(hù)凹入?yún)^(qū)的二氧化硅層114a。因?yàn)檠心ミ^程中，短時(shí)間即可獲得平坦表面，當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行至接近終止層112的表面前，由于組件區(qū)上的二氧化硅層114a，與受旋涂材料層116a保護(hù)的凹入?yún)^(qū)上的二氧化硅層114a和旋涂材料層116a，所受到化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力幾乎相等，故此時(shí)晶圓的表面仍呈現(xiàn)平坦?fàn)?，且因研磨時(shí)間較短，故厚度均勻性可保持良好。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，繼續(xù)對(duì)晶圓進(jìn)行輕微過度研磨(如圖中的120)，以移除晶圓表面上殘留的二氧化硅層和旋涂材料層，且化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行至出現(xiàn)終止層112為止。最后，由于組件區(qū)上的二氧化硅層114b，與受旋涂材料層116a保護(hù)的凹入?yún)^(qū)上的二氧化硅層114b，所受到化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力仍然近乎相等，故可以得到平坦化的表面。
以形成導(dǎo)電層之間的介電層為例，請(qǐng)參照?qǐng)D3A，在欲進(jìn)行平坦化的半導(dǎo)體基底200上與導(dǎo)電層213上，以化學(xué)氣相沉積法沉積一二氧化硅層214。接著在整個(gè)半導(dǎo)體基底200上，以旋轉(zhuǎn)涂布方式形成一旋涂材料層216并經(jīng)固化之后，使導(dǎo)電層213與導(dǎo)電層213間的高度差異不會(huì)太大。旋轉(zhuǎn)涂布較佳是以摻入聚合物的硅玻璃或硅玻璃或聚合物為材料，所形成的旋涂材料層的厚度約為2000?！?000埃。
請(qǐng)參照?qǐng)D3B，將晶圓轉(zhuǎn)移至化學(xué)機(jī)械研磨的研磨墊上，并且與一研漿接觸而進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(如圖中的220)。由于旋涂材料層216提供較佳平坦度的表面，所以在研磨初期僅有少部分突出部分，更因?yàn)橥怀霾糠譃樾坎牧蠈?16較薄的部分，且承受較大的研磨壓力，很快即可被磨除而達(dá)到平坦化；而其它部分旋涂材料層216的厚度較厚，且承受的研磨壓力較小，可保護(hù)導(dǎo)電層213間的二氧化硅層214a。因?yàn)檠心ミ^程中短時(shí)間即可獲得平坦表面，當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行至接近導(dǎo)電層213的表面前，由于導(dǎo)電層213上的二氧化硅層214a，與受旋涂材料層216a保護(hù)的導(dǎo)電層213間的二氧化硅層214a和旋涂材料層216a，所受到化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力幾乎相等，故此時(shí)晶圓的表面仍呈現(xiàn)平坦?fàn)?，且因研磨時(shí)間較短，故厚度均勻性可保持良好。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，繼續(xù)對(duì)晶圓進(jìn)行輕微過度研磨(如圖中的220)，以移除晶圓表面上殘留的二氧化硅層和旋涂材料層，且化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行至出現(xiàn)導(dǎo)電層213為止。最后，由于導(dǎo)電層213上的二氧化硅層214a，與受旋涂材料層216a保護(hù)的導(dǎo)電層213間的二氧化硅層214a和旋涂材料層216a，所受到化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力仍然近乎相等，故可以得到平坦化的表面。
以形成導(dǎo)電層之間的介電層為例，請(qǐng)參照?qǐng)D4A，在欲進(jìn)行平坦化的半導(dǎo)體基底300上與導(dǎo)電層313上，以化學(xué)氣相沉積法沉積一二氧化硅層314。接著在整個(gè)半導(dǎo)體基底300上，以旋轉(zhuǎn)涂布方式形成一第一旋涂材料層316并經(jīng)固化之后，再以旋轉(zhuǎn)涂布方式形成一第二旋涂材料層318并經(jīng)固化之后，使導(dǎo)電層313和導(dǎo)電層313間的高度差異不會(huì)太大。而旋轉(zhuǎn)涂布較佳是以摻入聚合物的硅玻璃或硅玻璃或聚合物為材料，所形成的旋涂材料層的厚度約為2000埃～7000埃。
請(qǐng)參照?qǐng)D4B，將晶圓轉(zhuǎn)移至化學(xué)機(jī)械研磨的研磨墊上，并且與一研漿接觸而進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(如圖中的320)。由于旋涂材料層316、318提供較佳平坦度的表面，所以在研磨初期僅有少部分突出部分，更因?yàn)橥怀霾糠譃樾坎牧蠈?16、318較薄的部分，且承受較大的研磨壓力，很快即可被磨除而達(dá)到平坦化；而其它部分旋涂材料層316、318的厚度較厚，且承受的研磨壓力較小，可保護(hù)導(dǎo)電層313間的二氧化硅層314a。因?yàn)檠心ミ^程中短時(shí)間即可獲得平坦表面，當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行至接近導(dǎo)電層313的表面前，由于導(dǎo)電層313上的二氧化硅層314a，與受旋涂材料層316a保護(hù)的導(dǎo)電層313間的二氧化硅層314a和旋涂材料層316a，所受到化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力幾乎相等，故此時(shí)晶圓的表面仍保持呈現(xiàn)平坦?fàn)睢?br> 然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，繼續(xù)對(duì)晶圓進(jìn)行輕微過度研磨(如圖中的320)，以移除晶圓表面上殘留的二氧化硅層和旋涂材料層，且化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行至出現(xiàn)導(dǎo)電層313為止。最后，由于導(dǎo)電層313上的二氧化硅層314a，與受旋涂材料層316a保護(hù)的導(dǎo)電層313間的二氧化硅層314a和旋涂材料層316a，所受到化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力仍然近乎相等，故可以得到平坦化的表面。
如上所述，第一旋涂材料層316及第二旋涂材料層318的形成包括先形成移除速率較高的旋涂式材料一(如圖3A中的316)，再形成移除速率較低的旋涂式材料二(如圖3A中的318)；或是先形成移除速率較低的旋涂式材料一(如圖3A中的316)，再形成移除速率較高的另一種旋涂式材料二(如圖3A中的318)。其中移除速率較低的旋涂材料層，是做為保護(hù)凹入?yún)^(qū)之用的，使凹入?yún)^(qū)的移除速率降低；而其中移除速率較高者，則是使突出部分能快速移除，以加速平坦化及增加其平坦化的效果。
以形成導(dǎo)電層之間的介電層為例，請(qǐng)參照?qǐng)D5A，在欲進(jìn)行平坦化的半導(dǎo)體基底400上與導(dǎo)電層413上，以化學(xué)氣相沉積法沉積一二氧化硅層414。接著在整個(gè)半導(dǎo)體基底400上，以旋轉(zhuǎn)涂布方式形成一第一旋涂材料層416并經(jīng)固化之后，再以旋轉(zhuǎn)涂布方式形成一第二旋涂材料層418并經(jīng)固化之后，使導(dǎo)電層413和導(dǎo)電層413間的高度差異不會(huì)太大。而旋轉(zhuǎn)涂布較佳是以摻入聚合物的硅玻璃或硅玻璃或聚合物為材料，所形成的旋涂材料層的厚度約為2000?！?000埃。
請(qǐng)參照?qǐng)D5B，將晶圓轉(zhuǎn)移至化學(xué)機(jī)械研磨的研磨墊上，并且與一研漿接觸而進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(如圖中的420)。由于旋涂材料層416、418提供較佳平坦度的表面，所以在研磨初期僅有少部分突出部分，更因?yàn)橥怀霾糠譃樾坎牧蠈?16、418較薄的部分，且承受較大的研磨壓力，很快即可被磨除而達(dá)到平坦化；而其它部分旋涂材料層416、418的厚度較厚，且承受的研磨壓力較小，可保護(hù)導(dǎo)電層413間的二氧化硅層414a。因?yàn)檠心ミ^程中短時(shí)間即可獲得平坦表面，當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行至接近導(dǎo)電層413的表面前，由于導(dǎo)電層413上的二氧化硅層414a，與受旋涂材料層416a保護(hù)的導(dǎo)電層413間的二氧化硅層414a和旋涂材料層416a，所受到化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力幾乎相等，故此時(shí)晶圓的表面可保持呈現(xiàn)平坦?fàn)?。此處的旋涂材料?16a可采用不須全部移除的絕緣材料，例如旋涂式硅玻璃；如此可更快達(dá)到平坦化，且可使用更薄研磨犧牲層。
如上所述，第一旋涂材料層416及第二旋涂材料層418的形成包括先形成移除速率較高的旋涂式材料一(如圖4A中的416)，再形成移除速率較低的旋涂式材料二(如圖4A中的418)；或是先形成移除速率較低的旋涂式材料一(如圖4A中的416)，再形成移除速率較高的另一種旋涂式材料二(如圖4A中的418)。其中移除速率較低的旋涂材料層，是做為保護(hù)凹入?yún)^(qū)之用的，使凹入?yún)^(qū)的移除速率降低；而其中移除速率較高者，則是使突出部分能快速移除，以加速平坦化及增加其平坦化的效果。
雖然本發(fā)明已以一些較佳實(shí)施例說明如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種改進(jìn)與更新，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求書限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于包括下列步驟提供一基底，該基底上設(shè)有一表面高低起伏的組件；在該組件上設(shè)一犧牲層；在該犧牲層上設(shè)一旋涂材料層，該旋涂材料層的材質(zhì)包括氧化硅與聚合物，且該旋涂材料層的研磨速率低于該犧牲層；對(duì)該旋涂材料層與該犧牲層進(jìn)行研磨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該犧牲層包括氧化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該氧化層的材質(zhì)包括氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該氧化硅層形成的方法包括化學(xué)氣相沉積法。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該旋涂材料層的厚度約為2000?！?000埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于研磨該旋涂材料層與該犧牲層的方法包括化學(xué)機(jī)械研磨法。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該基底上的該表面高低起伏的組件包括一柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該基底上的該表面高低起伏的組件包括一金屬導(dǎo)線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該基底上的該表面高低起伏的組件包括一淺溝道。
10.一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于包括下列步驟在一基底上形成一不平坦表面組件；在該不平坦表面的組件上，形成一犧牲層；在該犧牲層上形成一第一旋涂材料層；在該第一旋涂材料層上形成一第二旋涂材料層；對(duì)該第一旋涂材料層、該第二旋涂材料層與該犧牲層進(jìn)行研磨。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該第一旋涂材料層的研磨速率較該第二旋涂材料層的研磨速率低。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該第一旋涂材料層包括研磨速率較低的硅玻璃層，且該第二旋涂材料層包括研磨速率較高的硅玻璃層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該第一旋涂材料層的研磨速率較該第二旋涂材料層的研磨速率高。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該第一旋涂材料層的材質(zhì)包括硅玻璃，且該第二旋涂材料層的材質(zhì)包括氧化硅與聚合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該基底上的該表面高低起伏的組件包括一柵極。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該基底上的該表面高低起伏的組件包括一金屬導(dǎo)線。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法，其特征在于該基底上的該表面高低起伏的組件包括一淺溝道。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂布的化學(xué)機(jī)械研磨法,包括提供一半導(dǎo)體基底,此基底具有一不平坦的表面。其次,在此基底上形成一介電層,此介電層通常做為犧牲層或阻絕層。接著,以旋轉(zhuǎn)涂布法在介電層上形成一旋涂材料層,此旋涂材料層包括硅玻璃層或/與聚合物層。最后,以化學(xué)機(jī)械研磨法進(jìn)行一平坦化處理。
文檔編號(hào)B24B37/00GK1379446SQ0110952
公開日2002年11月13日 申請(qǐng)日期2001年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月30日
發(fā)明者林啟發(fā) 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司