本發(fā)明涉及在由第一部件和第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件到達第二部件的激光加工孔的激光加工方法和激光加工裝置，所述第一部件由第一材料形成，所述第二部件由第二材料形成。

背景技術：
在半導體器件制造工序中，在大致圓板形狀的半導體晶片的表面由呈格子狀排列的被稱作間隔道的分割預定線劃分出多個區(qū)域，在所述劃分出的區(qū)域形成IC（IntegratedCircuit：集成電路）、LSI（LargeScaleIntegration：大規(guī)模集成電路）等器件。并且，通過沿間隔道將半導體晶片切斷，從而將形成有器件的區(qū)域分割開來制造出一個個半導體芯片。為了實現(xiàn)裝置的小型化、多功能化，層疊多個器件并將在層疊的器件設置的焊盤連接起來的模塊結構已被實用化。所述模塊結構構成為：在半導體晶片的設有焊盤的部位形成貫穿孔（通孔），并將用于與焊盤連接的鋁等導電性材料埋入所述貫穿孔（通孔）。（例如，參照專利文獻1。）利用鉆形成上述的設于半導體晶片的貫穿孔（通孔）?？墒?，設于半導體晶片的貫穿孔（通孔）的直徑較小，為90～300μm，利用鉆實現(xiàn)的穿孔存在生產(chǎn)率差的問題。為了消除上述問題，提出下述的晶片的穿孔方法：晶片在基板的表面形成有多個器件且在所述器件形成有焊盤，對所述晶片從基板的背面?zhèn)日丈涿}沖激光光線從而高效地形成到達焊盤的通孔。（例如，參照專利文獻2。）而且，提出下述的激光加工裝置：在從基板的背面?zhèn)日丈涿}沖激光光線來形成到達焊盤的通孔時，利用激光光線的照射使物質等離子化，通過檢測所述等離子發(fā)出的物質固有的光譜來判定激光光線到達由金屬構成的焊盤。（例如，參照專利文獻3。）專利文獻1：日本特開2003-163323號公報專利文獻2：日本特開2007-67082號公報專利文獻3：日本特開2009-125756號公報而且，雖然選擇的是波長相對于形成焊盤的金屬吸收率低且相對于形成基板的硅或鉭酸鋰等基板材料吸收率高的脈沖激光光線，但在從基板的背面?zhèn)日丈涿}沖激光光線來形成到達焊盤的通孔時，如果在基板形成的通孔到達焊盤而使得脈沖激光光線照射至焊盤，則存在由金屬構成的焊盤熔融并飛濺，金屬的微粒附著于通孔的內壁而導致器件的質量降低的問題。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術課題在于提供一種激光加工方法和激光加工裝置，在將由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件到達第二部件的激光加工孔時，能夠抑制形成第二部件的第二材料的微粒附著于激光加工孔的內壁。為了解決上述主要的技術課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種激光加工方法，所述激光加工方法是在由第一部件和第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件到達第二部件的激光加工孔的激光加工方法，所述第一部件由第一材料形成，所述第二部件由第二材料形成，所述激光加工方法的特征在于，檢測因對第一部件和第二部件照射激光光線而產(chǎn)生的等離子的波長，在僅檢測到具有第一部件的波長的等離子光時繼續(xù)進行具有第一輸出的脈沖激光光線的照射，在檢測到具有第二部件的波長的等離子光的情況下，在照射預定脈沖數(shù)的具有比所述第一輸出高的第二輸出的脈沖激光光線后停止。形成上述第一部件的第一材料由鉭酸鋰構成，上述第一輸出被設定為每一次脈沖的能量為40μJ，第二輸出被設定為每一次脈沖的能量為80μJ。而且，根據(jù)本發(fā)明，提供一種激光加工裝置，所述激光加工裝置具備：被加工物保持構件，其用于保持被加工物；和激光光線照射構件，其用于對保持于所述被加工物保持構件的被加工物照射激光光線，所述激光光線照射構件具備：激光光線振蕩構件，其用于振蕩發(fā)出激光光線；輸出調整構件，其用于調整由所述激光光線振蕩構件振蕩發(fā)出的激光光線的輸出；以及聚光器，其用于將通過所述輸出調整構件調整了輸出后的激光光線聚光并照射至保持于所述被加工物保持構件的被加工物，所述激光加工裝置的特征在于，所述激光加工裝置具備：等離子檢測構件，其用于檢測通過從所述激光光線照射構件對被加工物照射激光光線而產(chǎn)生的等離子的波長；和控制構件，其基于來自所述等離子檢測構件的檢測信號來控制所述激光光線照射構件，所述等離子檢測構件具備：分光器，其用于將等離子光分支成第一路徑和第二路徑；第一帶通濾波器，其配設于所述第一路徑，僅使第一材料發(fā)出的等離子的波長通過；第一光檢測器，其接收通過所述第一帶通濾波器后的光，并向所述控制構件輸出光強度信號；第二帶通濾波器，其配設于所述第二路徑，僅使第二材料發(fā)出的等離子的波長通過；以及第二光檢測器，其接收通過所述第二帶通濾波器后的光，并向所述控制構件輸出光強度信號，所述控制構件以下述方式控制所述激光光線照射構件：在使所述激光光線照射構件工作以對被加工物照射脈沖激光光線從而實施從被加工物的第一部件到達第二部件的激光加工時，基于從所述第一光檢測器和所述第二光檢測器輸出的光強度信號，在僅從所述第一光檢測器輸出有光強度信號時，以達到第一輸出的方式控制所述輸出調整構件并繼續(xù)進行脈沖激光光線的照射，在從所述第二光檢測器輸出了光強度信號的時候，以達到比所述第一輸出高的第二輸出的方式控制所述輸出調整構件，并在照射預定脈沖數(shù)的脈沖激光光線后停止。本發(fā)明的激光加工方法是在將由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件到達第二部件的激光加工孔的激光加工方法，其中，檢測因對第一部件和第二部件照射激光光線而產(chǎn)生的等離子的波長，在僅檢測出具有第一部件的波長的等離子光時繼續(xù)進行具有第一輸出的脈沖激光光線的照射，在檢測到具有第二部件的波長的等離子光的情況下，在照射預定脈沖數(shù)的具有比所述第一輸出高的第二輸出的脈沖激光光線后停止，因此，即使因具有第一輸出的脈沖激光光線照射至第二部件而使得第二部件熔融并飛濺，第二部件的微粒附著于在第一部件形成的激光加工孔的內壁，但是，由于在脈沖激光光線到達第二部件后使脈沖激光光線的輸出變更為比第一輸出高的第二輸出并進行照射，因此，附著于激光加工孔的內壁的第二部件的微粒被吹飛而排出至外部，從而能夠抑制第二部件的微粒附著于激光加工孔的內壁。而且，在本發(fā)明的激光加工裝置中，所述激光加工裝置具備：等離子檢測構件，其用于檢測通過從激光光線照射構件對被加工物照射激光光線而產(chǎn)生的等離子的波長；和控制構件，其基于來自等離子檢測構件的檢測信號控制所述激光光線照射構件，等離子檢測構件具備：分光器，其用于將等離子光分支成第一路徑和第二路徑；第一帶通濾波器，其配設于第一路徑，僅使第一材料發(fā)出的等離子的波長通過；第一光檢測器，其接收通過第一帶通濾波器后的光，并向控制構件輸出光強度信號；第二帶通濾波器，其配設于第二路徑，僅使第二材料發(fā)出的等離子的波長通過；以及第二光檢測器，其接收通過第二帶通濾波器后的光，并向所述控制構件輸出光強度信號，控制構件以下述方式控制所述激光光線照射構件：在使激光光線照射構件工作以對被加工物照射脈沖激光光線從而實施從被加工物的第一部件到達第二部件的激光加工時，基于從第一光檢測器和第二光檢測器輸出的光強度信號，在僅從第一光檢測器輸出有光強度信號時，以達到第一輸出的方式控制輸出調整構件并繼續(xù)進行脈沖激光光線的照射，在從第二光檢測器輸出了光強度信號的時候，以達到比第一輸出高的第二輸出的方式控制輸出調整構件，并在照射預定脈沖數(shù)的脈沖激光光線后停止，因此，即使因具有第一輸出的脈沖激光光線照射至第二部件而使得第二部件熔融并飛濺，第二部件的微粒附著于在第一部件形成的激光加工孔的內壁，但是，由于在脈沖激光光線到達第二部件后使脈沖激光光線的輸出變更為比第一輸出高的第二輸出并進行照射，因此，附著于激光加工孔的內壁的第二部件的微粒被吹飛而排出至外部，從而能夠抑制第二部件的微粒附著于激光加工孔的內壁。附圖說明圖1是按照本發(fā)明構成的激光加工裝置的立體圖。圖2是在圖1所示的激光加工裝置中裝備的激光光線照射構件的結構框圖。圖3是在圖1所示的激光加工裝置中裝備的等離子檢測構件的結構框圖。圖4是在圖1所示的激光加工裝置中裝備的控制構件的結構框圖。圖5是作為被加工物的半導體晶片的俯視圖。圖6是將圖5所示的半導體晶片的一部分放大示出的俯視圖。圖7是示出將圖5所示的半導體晶片粘貼至在環(huán)狀的框架安裝的保護帶的表面的狀態(tài)的立體圖。圖8是示出將圖5所示的半導體晶片保持于圖1所示的激光加工裝置的卡盤工作臺的預定位置的狀態(tài)下的坐標的關系的說明圖。圖9的（a）和（b）是通過圖1所示的激光加工裝置實施的穿孔工序的說明圖。圖10的（a）和（b）是通過圖1所示的激光加工裝置實施的穿孔工序的說明圖。圖11的（a）和（b）是示出用于檢測對鉭酸鋰基板照射脈沖激光光線時產(chǎn)生的等離子的光強度的第一光檢測器的輸出電壓以及用于檢測對由銅形成的焊盤照射脈沖激光光線時產(chǎn)生的等離子的光強度的第二光檢測器的輸出電壓的圖。標號說明2：靜止基座；3：卡盤工作臺機構；36：卡盤工作臺；37：加工進給構件；374:X軸方向位置檢測構件；38：第一分度進給構件；384：Y軸方向位置檢測構件；4：激光光線照射單元支承機構；42：可動支承基座；43：第二分度進給構件；5：激光光線照射單元；52：激光光線照射構件；6：脈沖激光光線振蕩構件；61：脈沖激光光線振蕩器；62：重復頻率設定構件；7：聲光偏轉構件；71：聲光元件；72：RF振蕩器；73：RF放大器；74：偏轉角度調整構件；75：輸出調整構件；76：激光光線吸收構件；8：聚光器；9：等離子檢測構件；91：等離子接收構件；92：分光器；93：第一帶通濾波器；94：第一光檢測器；95：方向變換鏡；96：第二帶通濾波器；97：第二光檢測器；11：攝像構件；20：控制構件；30：晶片；301：分割預定線；302：器件；303：焊盤；304：激光加工孔。具體實施方式以下，對于本發(fā)明的激光加工方法和激光加工裝置的優(yōu)選實施方式，參照附圖更加詳細地進行說明。在圖1中，示出了按照本發(fā)明構成的激光加工裝置的立體圖。圖1所示的激光加工裝置1具備：靜止基座2；卡盤工作臺機構3，其以能夠沿箭頭X所示的加工進給方向（X軸方向）移動的方式配設于所述靜止基座2并用于保持被加工物；激光光線照射單元支承機構4，其以能夠沿與X軸方向正交的由箭頭Y示出的分度進給方向（Y軸方向）移動的方式配設于靜止基座2；以及激光光線照射單元5，其以能夠沿由箭頭Z示出的聚光點位置調整方向（Z軸方向）移動的方式配設于所述激光光線照射單元支承機構4。上述卡盤工作臺機構3具備：一對導軌31、31，其沿X軸方向平行地配設于靜止基座2上；第一滑塊32，其以能夠沿X軸方向移動的方式配設于所述導軌31、31上；第二滑塊33，其以能夠沿Y軸方向移動的方式配設于所述第一滑塊32上；罩工作臺35，其被圓筒部件34支承于所述第二滑塊33上；以及作為被加工物保持構件的卡盤工作臺36。所述卡盤工作臺36具備由多孔質材料形成的吸附卡盤361，所述卡盤工作臺36通過未圖示的抽吸構件將作為被加工物的例如圓盤狀的半導體晶片保持于吸附卡盤361上。這樣構成的卡盤工作臺36通過在圓筒部件34內配設的未圖示的脈沖馬達而旋轉。另外，在卡盤工作臺36配設有用于固定后述的環(huán)狀的框架的夾緊器362。在上述第一滑塊32的下表面設有用于與上述一對導軌31、31嵌合的一對被引導槽321、321，并且，在上述第一滑塊32的上表面設有沿Y軸方向平行地形成的一對導軌322、322。通過使被引導槽321、321與一對導軌31、31嵌合，從而將這樣構成的第一滑塊32構成為能夠沿一對導軌31、31在X軸方向移動。圖示的實施方式中的卡盤工作臺機構3具備用于使第一滑塊32沿一對導軌31、31在X軸方向移動的X軸方向移動構件（加工進給構件37）。所述加工進給構件37包括在上述一對導軌31及31之間平行地配設的外螺紋桿371和用于驅動所述外螺紋桿371旋轉的脈沖馬達372等驅動源。外螺紋桿371的一端以旋轉自如的方式支承于軸承塊373，所述軸承塊373固定于上述靜止基座2，外螺紋桿371的另一端與上述脈沖馬達372的輸出軸傳動連接。另外，外螺紋桿371與在未圖示的內螺紋塊形成的貫通內螺紋孔螺紋連接，所述未圖示的內螺紋塊突出地設在第一滑塊32的中央部下表面。因此，通過利用脈沖馬達372驅動外螺紋桿371正轉和反轉，由此使得第一滑塊32沿導軌31、31在X軸方向移動。圖示的實施方式中的激光加工裝置具備用于檢測上述卡盤工作臺36的加工進給量即X軸方向位置的X軸方向位置檢測構件374。X軸方向位置檢測構件374由讀取頭374b和沿導軌31配設的直線尺374a構成，所述讀取頭374b配設于第一滑塊32且與第一滑塊32一起沿直線尺374a移動。所述X軸方向位置檢測構件374的讀取頭374b在圖示的實施方式中每隔1μm向后述的控制構件發(fā)送一個脈沖的脈沖信號。并且，后述的控制構件通過對輸入的脈沖信號進行計數(shù)來檢測出卡盤工作臺36的加工進給量即X軸方向的位置。另外，在采用脈沖馬達372作為上述加工進給構件37的驅動源的情況下，通過對向脈沖馬達372輸出驅動信號的后述的控制構件的驅動脈沖進行計數(shù)，也能夠檢測出卡盤工作臺36的加工進給量即X軸方向的位置。此外，在采用伺服馬達作為上述加工進給構件37的驅動源的情況下，將用于檢測伺服馬達的轉速的旋轉編碼器輸出的脈沖信號發(fā)送至后述的控制構件，控制構件對輸入的脈沖信號進行計數(shù)，由此也能夠檢測出卡盤工作臺36的加工進給量即X軸方向的位置。在上述第二滑塊33的下表面設有一對被引導槽331、331，所述一對被引導槽331、331與在上述第一滑塊32的上表面設置的一對導軌322、322嵌合，通過使所述被引導槽331、331與一對導軌322、322嵌合，從而將上述第二滑塊33構成為能夠沿Y軸方向移動。圖示的實施方式中的卡盤工作臺機構3具備第一Y軸方向移動構件（第一分度進給構件38），所述第一Y軸方向移動構件（第一分度進給構件38）用于使第二滑塊33沿在第一滑塊32設置的一對導軌322、322在Y軸方向移動。所述第一分度進給構件38包括在上述一對導軌322及322之間平行地配設的外螺紋桿381和用于驅動所述外螺紋桿381旋轉的脈沖馬達382等驅動源。外螺紋桿381的一端以旋轉自如的方式支承于軸承塊383，所述軸承塊383固定于上述第一滑塊32的上表面，外螺紋桿381的另一端與上述脈沖馬達382的輸出軸傳動連接。另外，外螺紋桿381與在未圖示的內螺紋塊形成的貫通內螺紋孔螺紋連接，所述未圖示的內螺紋塊突出地設在第二滑塊33的中央部下表面。因此，通過利用脈沖馬達382驅動外螺紋桿381正轉和反轉，使得第二滑塊33沿導軌322、322在Y軸方向移動。圖示的實施方式中的激光加工裝置具備Y軸方向位置檢測構件384，所述Y軸方向位置檢測構件384用于檢測上述第二滑塊33的分度加工進給量即Y軸方向位置。所述Y軸方向位置檢測構件384由讀取頭384b和沿導軌322配設的直線尺384a構成，所述讀取頭384b配設于第二滑塊33且與第二滑塊33一起沿直線尺384a移動。所述Y軸方向位置檢測構件384的讀取頭384b在圖示的實施方式中每隔1μm向后述的控制構件發(fā)送一個脈沖的脈沖信號。并且，后述的控制構件對輸入的脈沖信號進行計數(shù)，由此檢測出卡盤工作臺36的分度進給量即Y軸方向的位置。另外，在采用脈沖馬達382作為上述第一分度進給構件38的驅動源的情況下，通過對向脈沖馬達382輸出驅動信號的后述的控制構件的驅動脈沖進行計數(shù)，也能夠檢測出卡盤工作臺36的分度進給量即Y軸方向的位置。此外，在采用伺服馬達作為上述第一分度進給構件38的驅動源的情況下，將用于檢測伺服馬達的轉速的旋轉編碼器輸出的脈沖信號發(fā)送至后述的控制構件，控制構件對輸入的脈沖信號進行計數(shù)，由此也能夠檢測出卡盤工作臺36的分度進給量即Y軸方向的位置。上述激光光線照射單元支承機構4具備：一對導軌41、41，其沿Y軸方向平行地配設于靜止基座2上；和可動支承基座42，其以能夠沿箭頭Y所示的方向移動的方式配設于所述導軌41、41上。所述可動支承基座42由移動支承部421和安裝部422構成，所述移動支承部421以能夠移動的方式配設于導軌41、41上，所述安裝部422安裝于所述移動支承部421。在安裝部422的一個側面平行地設有沿Z軸方向延伸的一對導軌423、423。圖示的實施方式中的激光光線照射單元支承機構4具備第二Y軸方向移動構件（第二分度進給構件43），所述第二Y軸方向移動構件（第二分度進給構件43）用于使可動支承基座42沿一對導軌41、41在Y軸方向移動。所述第二分度進給構件43包括在上述一對導軌41、41之間平行地配設的外螺紋桿431和用于驅動所述外螺紋桿431旋轉的脈沖馬達432等驅動源。外螺紋桿431的一端以旋轉自如的方式支承于未圖示的軸承塊，所述未圖示的軸承塊固定于上述靜止基座2，外螺紋桿431的另一端與上述脈沖馬達432的輸出軸傳動連接。另外，外螺紋桿431與在未圖示的內螺紋塊形成的內螺紋孔螺紋連接，所述未圖示的內螺紋塊突出地設置于構成可動支承基座42的移動支承部421的中央部下表面。因此，通過利用脈沖馬達432驅動外螺紋桿431正轉和反轉，使得可動支承基座42沿導軌41、41在Y軸方向移動。圖示的實施方式中的激光光線照射單元5具備單元保持器51和安裝于所述單元保持器51的激光光線照射構件52。在單元保持器51設有一對被引導槽511、511，所述一對被引導槽511、511以能夠滑動的方式與在上述安裝部422設置的一對導軌423、423嵌合，通過使所述被引導槽511、511與上述導軌423、423嵌合，將單元保持器51支承成能夠沿Z軸方向移動。圖示的實施方式中的激光光線照射單元5具備Z軸方向移動構件（聚光點位置調整構件53），所述Z軸方向移動構件（聚光點位置調整構件53）用于使單元保持器51沿一對導軌423、423在Z軸方向移動。聚光點位置調整構件53包括在一對導軌423、423之間配設的外螺紋桿（未圖示）和用于驅動所述外螺紋桿旋轉的脈沖馬達532等驅動源，通過利用脈沖馬達532驅動未圖示的外螺紋桿正轉和反轉，使得單元保持器51和激光光線照射構件52沿導軌423、423在Z軸方向移動。另外，在圖示的實施方式中，通過驅動脈沖馬達532正轉來使激光光線照射構件52向上方移動，通過驅動脈沖馬達532反轉來使激光光線照射構件52向下方移動。上述激光光線照射構件52具備：圓筒形狀的殼體521，其實質上水平地配置；脈沖激光光線振蕩構件6，其如圖2所示地配設在殼體521內；作為光偏轉構件的聲光偏轉構件7，其用于使脈沖激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的激光光線的光軸向加工進給方向（X軸方向）偏轉；以及聚光器8，其用于使通過所述聲光偏轉構件7后的脈沖激光光線照射至由上述卡盤工作臺36保持的被加工物W。上述脈沖激光光線振蕩構件6由脈沖激光光線振蕩器61和附設于所述脈沖激光光線振蕩器61的重復頻率設定構件62構成，所述脈沖激光光線振蕩器61由YAG激光振蕩器或YVO4激光振蕩器構成。脈沖激光光線振蕩器61振蕩發(fā)出由重復頻率設定構件62設定的預定頻率的脈沖激光光線（LB）。重復頻率設定構件62對脈沖激光光線振蕩器61振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的重復頻率進行設定。所述脈沖激光光線振蕩構件6的脈沖激光光線振蕩器61和重復頻率設定構件62受后述的控制構件控制。上述聲光偏轉構件7具備：聲光元件71，其用于使脈沖激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線（LB）的光軸向加工進給方向（X軸方向）偏轉；RF振蕩器72，其用于生成用于施加至所述聲光元件71的RF（射頻：radiofrequency）；RF放大器73，其用于對由所述RF振蕩器72生成的RF的能量進行增幅并將所述RF施加至聲光元件71；偏轉角度調整構件74，其用于調整由RF振蕩器72生成的RF的頻率；以及輸出調整構件75，其用于調整由RF振蕩器72生成的RF的振幅。上述聲光元件71能夠與施加的RF的頻率對應地調整使激光光線的光軸偏轉的角度，并且能夠與施加的RF的振幅對應地調整激光光線的輸出。另外，作為光偏轉構件，也可以使用采用了電光元件的電光偏轉構件來代替上述聲光偏轉構件7。上述的偏轉角度調整構件74和輸出調整構件75受后述的控制構件控制。而且，圖示的實施方式中的激光光線照射構件52具備激光光線吸收構件76，在對上述聲光元件71施加有預定頻率的RF的情況下，所述激光光線吸收構件76用于如圖2中虛線所示那樣吸收通過聲光元件71偏轉后的激光光線。上述聚光器8安裝于殼體521的末端，上述聚光器8具備：方向變換鏡81，其將由上述聲光偏轉構件7偏轉后的脈沖激光光線變換成朝向下方；和由遠心透鏡構成的聚光透鏡82，其用于使由所述方向變換鏡81變換方向后的激光光線聚光。圖示的實施方式中的激光光線照射構件52如上述那樣構成，下面，參照圖2對其作用進行說明。在由后述的控制構件對聲光偏轉構件7的偏轉角度調整構件74施加例如5V的電壓，對聲光元件71施加與5V對應的頻率的RF的情況下，從脈沖激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的光軸如圖2中單點劃線所示那樣偏轉并聚光于聚光點Pa。而且，在由后述的控制構件對偏轉角度調整構件74施加例如10V的電壓，對聲光元件71施加與10V對應的頻率的RF的情況下，從脈沖激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的光軸如圖2中實線所示那樣偏轉并聚光于聚光點Pb，所述聚光點Pb位于從上述聚光點Pa沿加工進給方向（X軸方向）向圖2中的左側移動預定量的位置。另一方面，在由后述的控制構件對偏轉角度調整構件74施加例如15V的電壓，對聲光元件71施加與15V對應的頻率的RF的情況下，從脈沖激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的光軸如圖2中雙點劃線所示那樣偏轉，并聚光于聚光點Pc，所述聚光點Pc位于從上述聚光點Pb沿加工進給方向（X軸方向）向圖2中的左側移動預定量的位置。而且，在由后述的控制構件對聲光偏轉構件7的偏轉角度調整構件74施加例如0V的電壓，對聲光元件71施加與0V對應的頻率的RF的情況下，從脈沖激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線如圖2中虛線所示那樣被引導至激光光線吸收構件76。這樣，由聲光元件71偏轉后的激光光線與施加于偏轉角度調整構件74的電壓對應地在加工進給方向（X軸方向）偏轉。返回圖1繼續(xù)進行說明，圖示的實施方式中的激光加工裝置具備等離子檢測構件9，所述等離子檢測構件9安裝于構成激光光線照射單元5的激光光線照射構件52的殼體521，用于檢測通過從激光光線照射構件52對被加工物照射激光光線而產(chǎn)生的等離子。所述等離子檢測構件9具備：等離子接收構件91，其接收因如圖3所示那樣將從激光光線照射構件52的聚光器8照射出的激光光線照射至由卡盤工作臺36保持的被加工物W而產(chǎn)生的等離子；分光器92，其將所述等離子接收構件91接收的等離子光分支成第一光路92a和第二光路92b；第一帶通濾波器93，其配設于第一光路92a，僅使波長為第一設定波長（形成后述的被加工物的第一部件的第一材料所發(fā)出的波長）的光通過；第一光檢測器94，其接收通過所述第一帶通濾波器93的光并輸出光強度信號；方向變換鏡95，其配設于第二光路92b；第二帶通濾波器96，其僅使由所述方向變換鏡95變換了方向后的等離子光的波長為第二設定波長（形成后述的被加工物的第二部件的第二材料所發(fā)出的波長）的光通過；以及第二光檢測器97，其接收由通過所述第二帶通濾波器96的光并輸出光強度信號。上述等離子接收構件91由聚光透鏡911和收納所述聚光透鏡911的透鏡外殼912構成，透鏡外殼912如圖1所示那樣安裝于激光光線照射構件52的殼體521。而且，如圖1所示，在透鏡外殼912配設有角度調整用旋鈕913，從而能夠調整聚光透鏡911的設置角度。另外，在圖示的實施方式中，為了僅使鉭酸鋰的等離子光的波長（670nm）通過，上述第一帶通濾波器93使波長在660～680nm的范圍的光通過。而且，在圖示的實施方式中，為了僅使銅的等離子光的波長（515nm）通過，上述第二帶通濾波器96使波長為500～540nm的范圍的光通過。圖示的實施方式中的等離子檢測構件9如上述那樣構成，接收通過第一帶通濾波器93的光的第一光檢測器94和接收通過第二帶通濾波器96的光的第二光檢測器97分別向后述的控制構件輸出與所接收的光的強度相對應的電壓信號。返回圖1繼續(xù)進行說明，圖示的實施方式中的激光加工裝置具備攝像構件11，所述攝像構件11配設在殼體521的前端部，用于對應由上述激光光線照射構件52進行激光加工的加工區(qū)域進行攝像。除了借助于可見光進行拍攝的通常的攝像元件（CCD）之外，所述攝像構件11還由對被加工物照射紅外線的紅外線照明構件、能夠捕捉由所述紅外線照明構件照射的紅外線的光學系統(tǒng)以及輸出與由所述光學系統(tǒng)捕捉到的紅外線對應的電信號的攝像元件（紅外線CCD）等構成，所述攝像構件11將拍攝的圖像信號發(fā)送至后述的控制構件。圖示的實施方式中的激光加工裝置具備圖4所示的控制構件20?？刂茦嫾?0由計算機構成，其具備：中央處理裝置（CPU）201，其用于按照控制程序進行運算處理；只讀存儲器（ROM）202，其用于存儲控制程序等；能夠讀寫的隨機存取存儲器（RAM）203，其用于存儲后述的控制圖、被加工物的設計值的數(shù)據(jù)、運算結果等；計數(shù)器204；輸入接口205；和輸出接口206。來自上述X軸方向位置檢測構件374、Y軸方向位置檢測構件384、等離子檢測構件9的第一光檢測器94和第二光檢測器97以及攝像構件11等的檢測信號被輸入到控制構件20的輸入接口205。并且，從控制構件20的輸出接口206向上述脈沖馬達372、脈沖馬達382、脈沖馬達432、脈沖馬達532以及構成激光光線照射構件52的脈沖激光光線振蕩構件6的脈沖激光光線振蕩器61、重復頻率設定構件62及聲光偏轉構件7的偏轉角度調整構件74、輸出調整構件75等輸出控制信號。另外，上述隨機存取存儲器（RAM）203具備用于存儲形成被加工物的物質與等離子的波長之間的關系的第一存儲區(qū)域203a、用于存儲后述的晶片的設計值的數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域203b、以及其它存儲區(qū)域。圖示的實施方式中的激光加工裝置如上述那樣構成，下面，對其作用進行說明。圖5示出了作為要進行激光加工的被加工物的晶片30的俯視圖。關于圖5所示的晶片30，在圖示的實施方式中，在厚度為300μm的鉭酸鋰基板300（第一部件）的表面300a由呈格子狀排列的多條分割預定線301劃分出多個區(qū)域，在所述劃分出的區(qū)域分別形成有器件302。所述各器件302都形成為相同的結構。在器件302的表面分別如圖6所示那樣形成有多個焊盤303（303a～303j）（第二部件）。所述作為第二部件的焊盤303（303a～303j）在圖示的實施方式中由銅形成。另外，在圖示的實施方式中，303a與303f、303b與303g、303c與303h、303d與303i、303e與303j的X方向位置相同。在所述多個焊盤303（303a～303j）分別形成從背面300b到達焊盤303的加工孔（通孔）。各器件302的焊盤303（303a～303j）的X方向（在圖6中為左右方向）的間隔A、和在各器件302形成的焊盤303中的夾著分割預定線301在X方向（在圖6中為左右方向）相鄰的焊盤即焊盤303e與焊盤303a之間的間隔B在圖示的實施方式中被設定為相同的間隔。而且，各器件302的焊盤303（303a～303j）的Y方向（在圖6中為上下方向）的間隔C、和在各器件302形成的焊盤303中的夾著分割預定線301在Y方向（在圖6中為上下方向）相鄰的焊盤即焊盤303f與焊盤303a以及焊盤303j與焊盤303e之間的間隔D在圖示的實施方式被設定為相同的間隔。關于這樣構成的晶片30，沿圖5所示的各行E1…En和各列F1…Fn配設的器件302的個數(shù)和上述各間隔A、B、C、D及X、Y坐標值的設計值的數(shù)據(jù)存儲于上述隨機存取存儲器（RAM）203的第二存儲區(qū)域203b。對利用上述的激光加工裝置在形成于晶片30的各器件302的焊盤303（303a～303j）部形成激光加工孔（通孔）的激光加工的實施方式進行說明。如圖7所示那樣將晶片30的表面300a粘貼至由聚烯烴等合成樹脂片構成的保護帶50，所述保護帶50安裝于環(huán)狀的框架40。因此，晶片30的背面300b位于上側。這樣，將隔著保護帶50支承于環(huán)狀的框架40的晶片30的靠保護帶50的一側載置于圖1所示的激光加工裝置的卡盤工作臺36上。并且，通過使未圖示的抽吸構件工作，將晶片30隔著保護帶50抽吸保持于卡盤工作臺36上。因此，使背面300b處于上側地保持晶片30。而且，環(huán)狀的框架40由夾緊器362固定。如上述那樣抽吸保持晶片30的卡盤工作臺36由加工進給構件37定位在攝像構件11的正下方。當卡盤工作臺36被定位在攝像構件11的正下方時，卡盤工作臺36上的晶片30成為被定位在圖8所示的坐標位置的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，實施校準作業(yè)，在所述校準作業(yè)中，判斷在由卡盤工作臺36保持的晶片30形成的格子狀的分割預定線301是否與X軸方向和Y軸方向平行地配設。即，通過攝像構件11對保持于卡盤工作臺36的晶片30進行攝像，執(zhí)行圖案匹配等圖像處理來進行校準作業(yè)。此時，晶片30的形成有分割預定線301的表面300a位于下側，但由于形成晶片30的鉭酸鋰基板300是透明體，因此能夠從晶片30的背面300b透過來對分割預定線301攝像。接下來，移動卡盤工作臺36，將形成于晶片30的器件302中的最上方的行E1的處于圖8中最左端的器件302定位于攝像構件11的正下方。然后，進一步將形成于器件302的電極303（303a～303j）中的處于圖8中左上方的電極303a定位于攝像構件11的正下方。在該狀態(tài)下，攝像構件11在檢測電極303a的同時將其坐標值（a1）作為第一加工進給開始位置坐標值發(fā)送至控制構件20。接著，控制構件20將所述坐標值（a1）作為第一加工進給開始位置坐標值存儲于隨機存取存儲器（RAM）203（加工進給開始位置檢測工序）。此時，由于攝像構件11和激光光線照射構件52的聚光器8沿X軸方向隔開預定的間隔配設，因此，X坐標值存儲的是加上上述攝像構件11與聚光器8之間的間隔后的值。這樣，當檢測出處于圖8中最上方的行E1的器件302的第一加工進給開始位置坐標值（a1）后，使卡盤工作臺36沿Y軸方向分度進給并且沿X軸方向移動，所述分度進給的量為分割預定線301的間隔，從而將從圖8中最上方起第二行E2中的最左端的器件302定位在攝像構件11的正下方。然后，進一步將形成于器件302的電極303（303a～303j）中的處于圖8中左上方的電極303a定位于攝像構件11的正下方。在該狀態(tài)下，攝像構件11在檢測電極303a的同時將其坐標值（a2）作為第二加工進給開始位置坐標值發(fā)送至控制構件20。接著，控制構件20將所述坐標值（a2）作為第二加工進給開始位置坐標值存儲于隨機存取存儲器（RAM）203。此時，由于攝像構件11和激光光線照射構件52的聚光器8如上述那樣沿X軸方向隔開預定的間隔配設，因此，X坐標值存儲的是加上上述攝像構件11與聚光器8之間的間隔后的值。此后，控制構件20重復執(zhí)行上述的分度進給和加工進給開始位置檢測工序直至處于圖8中最下方的行En，檢測在各行形成的器件302的加工進給開始位置坐標值（a3～an），并將其存儲于隨機存取存儲器（RAM）203。另外，在圖示的實施方式中，將形成于晶片30的多個器件302中的處于圖8中最下方的行En的最左端的器件302設定為測量器件，并將所述測量器件的加工進給開始位置坐標值（an）作為測量位置坐標值（an）存儲于隨機存取存儲器（RAM）203。在實施了上述的加工進給開始位置檢測工序后，實施穿孔工序，在所述穿孔工序中，在形成于晶片30的各器件302的各電極303（303a～303j）的背面穿孔形成激光加工孔（通孔）。在穿孔工序中，首先使加工進給構件37工作來移動卡盤工作臺36，將存儲于上述隨機存取存儲器（RAM）203的第一加工進給開始位置坐標值（a1）定位在激光光線照射構件52的聚光器8的正下方。這樣將第一加工進給開始位置坐標值（a1）定位在聚光器8的正下方的狀態(tài)是圖9的（a）所示的狀態(tài)。從圖9的（a）所示的狀態(tài)開始，控制構件20控制上述加工進給構件37以使卡盤工作臺36沿圖9的（a）中箭頭X1所示的方向以預定的移動速度進行加工進給，同時，控制構件20使激光光線照射構件52工作以從聚光器8照射脈沖激光光線。另外，使從聚光器8照射的激光光線的聚光點P對準晶片30的上表面附近。此時，控制構件20根據(jù)來自X軸方向位置檢測構件374的讀取頭374b的檢測信號輸出用于對聲光偏轉構件7的偏轉角度調整構件74和輸出調整構件75進行控制的控制信號。另一方面，RF振蕩器72輸出與來自偏轉角度調整構件74和輸出調整構件75的控制信號相對應的RF。從RF振蕩器72輸出的RF的能量被RF放大器73進行增幅并被施加至聲光元件71。其結果是，聲光元件71使從脈沖激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的光軸從圖2中的單點劃線所示的位置至雙點劃線所示的位置的范圍內偏轉并與移動速度同步。其結果是，能夠將預定輸出的脈沖激光光線照射至第一加工進給開始位置坐標值（a1）。在實施上述的穿孔工序時，控制構件20通過計數(shù)器204對激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的脈沖數(shù)進行計數(shù)，并從等離子檢測構件9的第一光檢測器94輸入光強度信號。在此，對從第一光檢測器94輸出的光強度信號進行說明。當對構成晶片30的鉭酸鋰基板300照射脈沖激光光線時，產(chǎn)生波長為67Onm的等離子。所述波長為67Onm的等離子如圖3所示那樣由構成等離子檢測構件9的等離子接收構件91的聚光透鏡911聚光，并通過第一帶通濾波器93到達第一光檢測器94。圖11的（a）示出了用于檢測在對鉭酸鋰基板300照射上述的脈沖激光光線時產(chǎn)生的等離子的光強度的第一光檢測器94的輸出電壓。在圖11的（a）中，橫軸表示脈沖激光光線的脈沖數(shù)，縱軸表示電壓值（V）。在圖11的（a）所示的實施方式中，在脈沖激光光線的脈沖數(shù)到大約80～85個脈沖為止，電壓值為2.5V左右，當脈沖激光光線的脈沖數(shù)超過85個脈沖而達到穿孔工序接近結束時，電壓值急劇降低。另外，在圖11的（b）中，示出了用于檢測在對由銅構成的焊盤303照射脈沖激光光線時產(chǎn)生的等離子的光強度的第二光檢測器97的輸出電壓。在圖11的（b）中，橫軸表示脈沖激光光線的脈沖數(shù)，縱軸表示電壓值（V）。在圖11的（b）所示的實施方式中，電壓值從脈沖激光光線的脈沖數(shù)為80～85個脈沖起開始上升。所述第二光檢測器97的輸出電壓開始上升意味著，在鉭酸鋰基板300形成貫穿孔，脈沖激光光線開始照射焊盤303。如上所述，基于來自第一光檢測器94和第二光檢測器97的輸出電壓，控制構件20以下述方式控制脈沖激光光線的輸出。即，以下述方式控制上述激光光線照射構件52：在僅從第一光檢測器94輸入有輸出電壓時，繼續(xù)進行具有第一輸出的脈沖激光光線的照射，在從第二光檢測器97輸入有輸出電壓的時候，在照射預定脈沖數(shù)的具有比第一輸出高的第二輸出的脈沖激光光線后停止。具體來說，以下述方式控制上述激光光線照射構件52：在僅從第一光檢測器94輸入有輸出電壓時，以達到第一輸出（平均輸出為2W，脈沖能量為40μJ）的方式控制上述輸出調整構件75并繼續(xù)進行脈沖激光光線的照射，在從第二光檢測器97輸入有輸出電壓的情況下，以達到比第一輸出高的第二輸出（平均輸出為4W，脈沖能量為80μJ）的方式控制上述輸出調整構件75，并在照射預定脈沖數(shù)（10次脈沖）的脈沖激光光線后停止。另外，在將脈沖激光光線的輸出控制成比第一輸出高的第二輸出（平均輸出為4W，脈沖能量為80μJ）的時機，例如可以是當來自第二光檢測器97的輸出電壓達到0.5V的時刻（脈沖激光光線的脈沖數(shù)為100次脈沖的時刻），從所述時刻開始照射10個脈沖。這樣，即使因脈沖激光光線到達焊盤303而對由銅構成的焊盤303照射脈沖激光光線，從而使得由銅構成的焊盤303熔融并飛濺，銅的微粒附著于在鉭酸鋰基板300形成的激光加工孔的內壁，但是，由于在脈沖激光光線到達焊盤303后使脈沖激光光線的輸出變?yōu)楸鹊谝惠敵龈叩牡诙敵觯ㄆ骄敵鰹?W，脈沖能量為80μJ）進行照射，因此，附著于激光加工孔的內壁的銅的微粒被吹飛而排出至外部，從而能夠抑制銅的微粒附著于激光加工孔的內壁。另外，上述穿孔工序中的加工條件如下述地設定。光源：LD激勵Q開關Nd：YVO4波長：532nm平均輸出：第一平均輸出為2W第二平均輸出為4W脈沖能量：第一脈沖能量為40μJ第二脈沖能量為80μJ重復頻率：50kHz脈沖寬度：10ps聚光光斑直徑：另一方面，控制構件20輸入來自X軸方向位置檢測構件374的讀取頭374b的檢測信號，并通過計數(shù)器204對所述檢測信號進行計數(shù)。并且，當計數(shù)器204的計數(shù)值達到下一焊盤303的坐標值后，控制構件20控制激光光線照射構件52實施上述穿孔工序。此后，每當計數(shù)器204的計數(shù)值達到焊盤303的坐標值時，控制構件20都使激光光線照射構件52工作來實施上述穿孔工序。然后，如圖9的（b）所示，在對形成于半導體晶片30的El行的最右端的器件302的焊盤303中的、在圖9的（b）中處于最右端的電極303e的位置實施上述穿孔工序后，使上述加工進給構件37停止工作，并使卡盤工作臺36停止移動。其結果是，在半導體晶片30的鉭酸鋰基板300如圖9的（b）所示那樣形成到達焊盤303的加工孔304。接下來，控制構件20控制上述第一分度進給構件38，以使激光光線照射構件52的聚光器8沿著圖9的（b）中與紙面垂直的方向進行分度進給。另一方面，控制構件20輸入來自Y軸方向位置檢測構件384的讀取頭384b的檢測信號，并通過計數(shù)器204對所述檢測信號進行計數(shù)。并且，當計數(shù)器204的計數(shù)值達到與焊盤303在圖6中Y軸方向的間隔C相當?shù)闹岛?，使第一分度進給構件38停止工作，并使激光光線照射構件52的聚光器8的分度進給停止。其結果是，聚光器8被定位在與上述焊盤303e對置的焊盤303j（參照圖6）的正上方。該狀態(tài)是圖10的（a）所示的狀態(tài)。在圖10的（a）所示的狀態(tài)下，控制構件20控制上述加工進給構件37以使卡盤工作臺36沿圖10的（a）中箭頭X2所示的方向以預定的移動速度進行加工進給，同時，使激光光線照射構件52工作來實施上述穿孔工序。并且，控制構件20如上述那樣通過計數(shù)器204對來自X軸方向位置檢測構件374的讀取頭374b的檢測信號進行計數(shù)，每當所述計數(shù)值達到焊盤303時，控制構件20都使激光光線照射構件52工作來實施上述穿孔工序。然后，如圖10的（b）所示，在對形成于半導體晶片30的El行的最左端的器件302的焊盤303f的位置實施上述穿孔工序后，使上述加工進給構件37停止工作，并使卡盤工作臺36停止移動。其結果是，在半導體晶片30的鉭酸鋰基板300如圖10的（b）所示那樣在焊盤303的背面?zhèn)刃纬杉す饧庸た?04。如以上那樣，在形成于半導體晶片30的E1行的器件302的焊盤303的背面?zhèn)刃纬杉す饧庸た?04后，控制構件20使加工進給構件37和第一分度進給構件38工作，并將形成于半導體晶片30的E2行的器件302的焊盤303的、存儲于上述隨機存取存儲器（RAM）203的第二加工進給開始位置坐標值（a2）定位在激光光線照射構件52的聚光器8的正下方。然后，控制裝置20控制激光光線照射構件52和加工進給構件37及第一分度進給構件38，在形成于半導體晶片30的E2行的器件302的焊盤303的背面?zhèn)葘嵤┥鲜龅拇┛坠ば颉４撕?，對形成于半導體晶片30的E3～En行的器件302的焊盤303的背面?zhèn)纫矊嵤┥鲜龅拇┛坠ば?。其結果是，在半導體晶片30的鉭酸鋰基板300，在形成于各器件302的焊盤303的背面?zhèn)刃纬杉す饧庸た?04。另外，在上述穿孔工序中，在圖6中的X軸方向的間隔A區(qū)域和間隔B區(qū)域及圖6中的Y軸方向的間隔C區(qū)域和間隔D區(qū)域，不對半導體晶片30照射脈沖激光光線。這樣，為了不對半導體晶片30照射脈沖激光光線，上述控制構件20對聲光偏轉構件7的偏轉角度調整構件74施加0V的電壓。其結果是對聲光元件71施加與0V對應的頻率的RF，從脈沖激光光線振蕩構件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線（LB）如圖2中虛線所示那樣被引導至激光光線吸收構件76，因此不會照射至半導體晶片30。以上，基于圖示的實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明并不僅僅限于實施方式，能夠在本發(fā)明的主旨的范圍內進行各種變形。例如，在上述的實施方式中，對下述例子進行了說明：晶片在形成于基板（第一部件）的表面的多個器件分別配設有焊盤（第二部件），在所述晶片形成從基板（第一部件）的背面?zhèn)鹊竭_焊盤（第二部件）的激光加工孔，但是，能夠廣泛應用于在將由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件接合而成的被加工物形成從第一部件到達第二部件的激光加工孔的情況。