一種不可見微孔的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種不可見微孔的制備方法，其包括以下步驟：S1，制作原始通孔：采用物理打孔在不透光基材上制作原始通孔，所述原始通孔為孔徑在100μm以上的微孔；S2，制作最終通孔：對步驟S1所得的不透光基材進(jìn)行微弧氧化處理，以使不透光基材表面的原始通孔的孔徑縮減至小于100μm，形成最終通孔。本發(fā)明不需要特殊的設(shè)備，采用普通的打孔工藝即可實(shí)現(xiàn)，其工藝要求低、成本低。
【專利說明】—種不可見微孔的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及殼體微孔顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種不可見微孔的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，對于電子產(chǎn)品殼體，尤其是不透光殼體，為提高其裝飾效果或指示燈裝飾等，一般在外殼工件上形成通孔，使通孔排列形成圖案(如電腦指示燈、手機(jī)鍵盤顯示等)，然后通過LED燈、導(dǎo)光板或其它電子發(fā)光系統(tǒng)輔助，可以使發(fā)光光源光線穿透通孔為人肉眼所識(shí)別，進(jìn)而識(shí)別殼體表面圖案。該方法主要應(yīng)用在3C電子類產(chǎn)品，通過光線的變化可以帶來優(yōu)異的裝飾效果，可以非常吸引消費(fèi)者，因而大受歡迎。
[0003]現(xiàn)有的不可見微孔透光系統(tǒng)中微孔的制備方法一般為:采用激光或其它方式在不可透光材料上制作出孔徑小于IOOum通孔，這些通孔根據(jù)一定排列順序組成一定圖案。由于這些通孔孔徑小于人的裸眼分辨范圍內(nèi)，因此在通常情況下無法識(shí)別。但是，由于微孔孔徑要達(dá)到小于人的裸眼分辨范圍，其孔徑一般小于lOOum，這對打孔工藝及精度的要求非常高，需要特殊的設(shè)備，如特別的激光器，對設(shè)備和工藝的要求非常高，不易實(shí)現(xiàn)，且生產(chǎn)效率低，成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。
[0005]為此，本發(fā)明提供一種不可見微孔的制備方法，包括以下步驟:
Si，制作原始通孔:采用物理打孔在不透光基材上制作原始通孔，所述原始通孔為孔徑在IOOum以上的微孔；
S2，制作最終通孔:對步驟SI所得的不透光基材進(jìn)行微弧氧化處理，以使不透光基材表面的原始通孔的孔徑縮減至小于lOOum，形成最終通孔。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)中均是通過一次成孔步驟，在不透光基材上直接制作出裸眼不可見的微孔，其對設(shè)備、打孔工藝及精度要求非常高。而本發(fā)明提供的不可見微孔的制備方法，是先在不透光基材上制備出人裸眼可視的原始通孔，即孔徑大小在IOOum以上的微孔，然后通過微弧氧化處理，使不透光基材表面原始通孔的孔徑縮減至裸眼不可視，即孔徑小于lOOum，從而形成最終裸眼不可視的最終通孔。本發(fā)明由于制備的原始通孔孔徑較大，故在制作原始通孔的過程中不需要特殊的設(shè)備，采用普通的打孔工藝即可實(shí)現(xiàn)，其工藝要求低、易實(shí)現(xiàn)、且成本低。
[0007]
【具體實(shí)施方式】
[0008]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。[0009]一種不可見微孔的制備方法，其包括以下步驟:
Si，制作原始通孔:采用物理方法在不透光基材上制作原始通孔，所述原始通孔為孔徑在IOOum以上的微孔，
S2，制作最終通孔:對步驟SI所得的不透光基材進(jìn)行微弧氧化處理，以使不透光基材表面的原始通孔的孔徑縮減至小于lOOum，形成最終通孔。
[0010]裸眼可視范圍一般是指普通的成年人，在正常的光線條件下，在Im的距離能夠看見的物體大小。對于通孔而言，一般裸眼可視的孔徑大小為大于lOOum。
[0011]在本發(fā)明中，對于不透光基材沒有特殊限制，可以為常規(guī)的不透光的能夠進(jìn)行微弧氧化的金屬材料或者含有該金屬鍍層的塑料基材。本發(fā)明優(yōu)選為鋁、鋁合金、鎂、鎂合金、鈦或鈦合金。其作為電子產(chǎn)品殼體具有優(yōu)異的表觀效果。所述不透光基材的厚度優(yōu)選為0.1一 10mm，便于進(jìn)行打孔及后續(xù)的微弧氧化處理。
[0012]在本發(fā)明中，采用物理打孔方法在基材上制作出裸眼可視的原始通孔，原始通孔的大小在IOOum以上，故采用普通的物理打孔方法即可實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明中,物理打孔方法優(yōu)選采用為激光打孔法或CNC打孔法，在不透光基材上制作出孔徑為10(T300um的原始通孔。激光打孔法或CNC打孔法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，本發(fā)明在此不做詳細(xì)贅述。通過激光打孔或者CNC打孔工藝，得到的微孔一般是內(nèi)表面孔徑大、外表面孔徑小的錐形孔，本發(fā)明中“孔徑”是指微孔的平均孔徑。
[0013]在不透光基材表面制作出裸眼可視的原始通孔后，本發(fā)明通過采用微弧氧化處理，使不透光基材表面的原始通孔的孔徑大小縮小至裸眼不可視的范圍，從而形成最終通孔。不透明基材浸入電解液后，進(jìn)行微弧氧化時(shí)，不透明基材上的原始通孔的孔壁發(fā)生氧化并向外部生長出微弧氧化膜層，隨著微弧氧化反應(yīng)的進(jìn)行，微弧氧化膜厚度逐漸增加，原始通孔的孔徑隨之逐漸縮小。優(yōu)選的，最終通孔的孔徑為2(T60um。
[0014]所述微弧氧化處理可以為常規(guī)的微弧氧化處理，本發(fā)明優(yōu)選為:將工件置于含有濃度為50—250g/L的Na2SiO3的電解液中，在工作電壓為400—800V、工作電流為10—35A下進(jìn)行氧化，時(shí)間為10 — 120min。更優(yōu)選的，所述工作電壓為500— 800V，所述工作電流為15—35A.在此工作電壓和電流條件下，微弧氧化膜層生長速度較快，膜層厚度增加速度平穩(wěn)可控。
[0015]優(yōu)選的，在所述電解液中添加KOH以調(diào)節(jié)電解液的pH值，以增加微弧氧化處理中電解液的穩(wěn)定性。所述KOH的濃度優(yōu)選為10 — 50g/L。
[0016]本發(fā)明中由于制備的原始通孔孔徑較大，故在制作原始通孔的過程中不需要特殊的設(shè)備，采用普通的打孔工藝即可實(shí)現(xiàn)，其工藝要求低、易實(shí)現(xiàn)、且成本低。
[0017]下面通過具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0018]實(shí)施例1
采用功率為20w的光纖激光打孔機(jī)在0.5mm厚的鋁合金基材上制作微孔，得到的微孔外表面孔徑100~I IOum,內(nèi)表面孔徑140~150um。
[0019]然后將基材置于100g/L的Na2SiO3電解液中進(jìn)行微弧氧化處理，工作電壓為550V，工作電流為25A，氧化時(shí)間為60min。微弧氧化處理后，取出鋁合金基材并清洗干燥后，用顯微鏡測試鋁合金基材上通孔的內(nèi)、外表面孔徑，其外表面孔徑大小為75~85um，內(nèi)表面孔徑ll(Tl20Um。肉眼觀察鋁合金基材表面無法觀察到通孔存在。[0020]實(shí)施例2
采用四軸CNC數(shù)控加工設(shè)備在0.4mm厚的鋁合金基材上制作微孔，得到的微孔外表面孔徑10(Tll0um，內(nèi)表面孔徑120~130um。
[0021]然后將基材置于60g/L的Na2SiO3電解液中進(jìn)行微弧氧化處理，同時(shí)添加(濃度30g/L)K0H調(diào)節(jié)pH值，工作電壓為530V，工作電流為20A，氧化時(shí)間lOOmin。微弧氧化處理后，取出鋁合金基材并清洗干燥后，用顯微鏡測試鋁合金基材上通孔的內(nèi)、外表面孔徑，其外表面孔徑4(T60um，內(nèi)表面孔徑7(T90um。肉眼觀察鋁合金基材表面無法觀察到通孔存在。
[0022]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，因此，只要運(yùn)用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的任何修改、等同替`換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種不可見微孔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: Si，制作原始通孔:采用物理打孔在不透光基材上制作原始通孔，所述原始通孔為孔徑在IOOum以上的微孔； S2，制作最終通孔:對步驟SI所得的不透光基材進(jìn)行微弧氧化處理，以使不透光基材表面的原始通孔的孔徑縮減至小于lOOum，形成最終通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述原始通孔的孔徑為 100~300um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述物理打孔為激光打孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述物理打孔為CNC鉆孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述最終通孔的孔徑為 20~60um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述微弧氧化處理為:將不透光基材置于含有濃度為50—250g/L的Na2SiO3的電解液中，在工作電壓為400—800V、工作電流為10 — 35A下進(jìn)行氧化，時(shí)間為10 — 120min。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述工作電壓為500— 800V，所述工作電流為15 — 35A。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述電解液中還含有K0H，所述KOH的濃度為10 — 50g/L。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述不透光基材的材質(zhì)為招、招合金、鎂、鎂合金、鈦或鈦合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可見微孔的制備方法，其特征在于，所述不透光基材的的厚度為0.1一10mm。
【文檔編號(hào)】B23B35/00GK103510138SQ201210205636
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月21日
【發(fā)明者】郭強(qiáng) 申請人:比亞迪股份有限公司