專利名稱：缺陷修復(fù)裝置和缺陷修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在制造顯示裝置的工藝中執(zhí)行的缺陷修復(fù)技術(shù)。具體來(lái)講，本發(fā)明涉 及修復(fù)平板顯示器(FDP)中諸如TFT(薄膜晶體管)基板之類的基板上形成的器件圖案或 布線圖案的缺陷所需的缺陷修復(fù)裝置和缺陷修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
目前，作為顯示裝置，常見的是諸如有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示器和液晶顯示器之類 的所謂平板顯示器。這些顯示裝置均由包括各種導(dǎo)電構(gòu)件(例如包括薄膜晶體管(TFT)和 電容器的元件)以及與元件電連接的多個(gè)布線(例如，信號(hào)布線和供電布線)的布線基板 形成。 例如，在批量生產(chǎn)部分構(gòu)成顯示裝置的布線基板的過(guò)程中，有時(shí)會(huì)由于外來(lái)物質(zhì) 而產(chǎn)生諸如短路和斷路之類的所謂缺陷。短路意味著正常情況下分開的布線和元件彼此電 連接。斷路意味著正常情況下連通的布線和元件彼此分開。在批量生產(chǎn)的過(guò)程中，隨著顯 示裝置的尺寸增大，用作驅(qū)動(dòng)顯示裝置的布線基板的TFT基板中產(chǎn)生的缺陷數(shù)量增多，這 導(dǎo)致了產(chǎn)率降低。為了防止這種現(xiàn)象的發(fā)生，用于修復(fù)缺陷的缺陷修復(fù)工藝是必需的。
使用通過(guò)照射激光使短路部分?jǐn)嚅_的技術(shù)(激光修復(fù))、通過(guò)激光CVD (化學(xué)氣相 沉積)方法使斷開部分連通的技術(shù)等，作為修復(fù)諸如短路和斷路之類缺陷的技術(shù)。
例如，已經(jīng)提出了一種缺陷修復(fù)方法，在該方法中，基于缺陷坐標(biāo)和基板上的 CIM(計(jì)算機(jī)集成制造)信息來(lái)檢查和選擇缺陷修復(fù)技術(shù)，由此自動(dòng)地修復(fù)缺陷(例如，參見 日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No. 2005-221974 (下文中，被稱作專利文件l))。
另外，本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)提出了一種缺陷修復(fù)方法，在該方法中，基板上的單位 像素(布線部分)被分為多個(gè)區(qū)域并且為每個(gè)區(qū)域選擇合適的修復(fù)技術(shù)，由此修復(fù)缺陷 (例如，參見日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No. 2008-159930 (下文中被稱作專利文件2))。

發(fā)明內(nèi)容
然而，如在專利文件1中所公開的，在假設(shè)缺陷圖像(可疑圖像)和參考圖案圖像 (參考圖像)之間的差別圖像被確定為缺陷范圍而簡(jiǎn)單執(zhí)行修復(fù)的情況下，如果沒(méi)有獲知 缺陷的位置和類型以及基板上的缺陷部分的狀況，則修復(fù)會(huì)失敗。這是因?yàn)檫x擇缺陷修復(fù) 技術(shù)和選擇各種參數(shù)取決于操作者的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，選擇結(jié)果根據(jù)操作者的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)而不 同，所述各種參數(shù)例如照射缺陷的激光的脈沖周期、激光功率、激光的光斑形狀及其振動(dòng)周 期。 在顯示用的TFT基板等的情況下，與每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的布線部分除了信號(hào)布線和掃 描布線之外還有多個(gè)供電布線，因此每個(gè)像素的布線密度顯著增大并且像素結(jié)構(gòu)顯著復(fù)雜 化。 例如，為了修復(fù)與相同布線接觸產(chǎn)生的缺陷或者幾乎在布線部分中的相同位置產(chǎn) 生的缺陷，還必須根據(jù)設(shè)在其周圍的部件類型或者部件的存在/不存在來(lái)選擇缺陷修復(fù)技術(shù)。另外，在短路部分嘗試通過(guò)(例如)激光照射而斷開連接的情況下，必須防止由于熱擴(kuò) 散而造成在其周圍的薄膜晶體管(TFT)變形。 具體來(lái)講，存在以下的情況組成布線部分(像素)的布線的類型或位置很復(fù)雜， 像有機(jī)EL顯示屏；布線部分由一端驅(qū)動(dòng)布線和兩端驅(qū)動(dòng)布線組成，該兩端驅(qū)動(dòng)布線例如兩 端連接到電源的供電布線。在這些情況下，缺陷修復(fù)技術(shù)的可選數(shù)量大大增加，這使得難以 選擇合適的修復(fù)技術(shù)。 如上所述，在平板顯示器的面板制造工藝中，缺陷發(fā)生圖案和用于處理這些圖案的 缺陷修復(fù)技術(shù)(修復(fù)工藝)的選擇顯著多樣化。當(dāng)多個(gè)部分不得不被照射激光以修復(fù)一個(gè)缺 陷時(shí)，需要時(shí)間和功夫來(lái)設(shè)置激光照射條件(激光器工藝參數(shù))，這導(dǎo)致操作效率的降低。
因此，在對(duì)面板制造流水線進(jìn)行的缺陷修復(fù)工藝中，熟練的操作者檢查缺陷并且 現(xiàn)場(chǎng)確定缺陷修復(fù)技術(shù)，這樣需要的周期時(shí)間太長(zhǎng)。結(jié)果，出現(xiàn)的問(wèn)題在于，缺陷修復(fù)工藝 中的操作速度難以趕上整個(gè)流水線的批量生產(chǎn)速度。 為了避免這個(gè)問(wèn)題，在大批量面板制造工廠中，裝配了多個(gè)缺陷修復(fù)裝置(修復(fù) 裝置)，并且負(fù)責(zé)操作缺陷修復(fù)裝置的操作者數(shù)量增多。 然而，以上問(wèn)題的對(duì)策造成的嚴(yán)重問(wèn)題是利潤(rùn)顯著降低，這是因?yàn)橛捎谌毕菪迯?fù) 裝置和操作者的數(shù)量顯著增加導(dǎo)致制造成本和工時(shí)成本增加。 根據(jù)以上提及的情況，期望顯著提高缺陷修復(fù)工藝中的操作效率并且提高缺陷修 復(fù)質(zhì)量。 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，檢查其上形成有重復(fù)圖案的基板，并且提取重復(fù)圖案 中的缺陷的位置信息和缺陷的特征信息。隨后，基于基板的層結(jié)構(gòu)，從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取針對(duì)檢 測(cè)出的缺陷的缺陷修復(fù)技術(shù)。然后，利用所讀取的缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)修復(fù)缺陷的缺陷修復(fù)單 元被控制。 具體來(lái)講，控制單元將實(shí)際缺陷的區(qū)域信息(即第一區(qū)域信息)的組成和與重復(fù) 圖案中的缺陷對(duì)應(yīng)的預(yù)先登記的區(qū)域信息(即第二區(qū)域信息)的組成進(jìn)行比較，以基于比 較結(jié)果從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取缺陷修復(fù)技術(shù)。 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，從基板檢測(cè)重復(fù)圖案中的缺陷的位置信息和缺陷的 特征信息，并且基于基板的層結(jié)構(gòu)，從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取與檢測(cè)出的缺陷相對(duì)應(yīng)的缺陷修復(fù)方 法(模板)。另外，基于所讀取的缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)修復(fù)缺陷。結(jié)果，自動(dòng)地選擇基于上面形 成有重復(fù)圖案的基板的層結(jié)構(gòu)的合適的缺陷修復(fù)方法，并且通過(guò)所選擇的缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái) 執(zhí)行缺陷修復(fù)。 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，自動(dòng)地選擇基于上面形成有重復(fù)圖案的基板的 層結(jié)構(gòu)的合適的缺陷修復(fù)方法。結(jié)果，缺陷修復(fù)工藝中的操作效率顯著提高。另外，可以降 低制造成本和工時(shí)成本，這是因?yàn)樽詣?dòng)地選擇基于基板的層結(jié)構(gòu)的合適的缺陷修復(fù)方法并 且自動(dòng)地執(zhí)行缺陷修復(fù)。 根據(jù)在附圖中所示的下面對(duì)本發(fā)明最佳實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的這些和其它 目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚。


圖1是示出作為檢查目標(biāo)的基板結(jié)構(gòu)例子的示意圖
-實(shí)施例的層信息和標(biāo)簽(label)信息的示意
用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的第二模板的區(qū)域信息的示意圖； 圖19是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的缺陷區(qū)域的匹配率和不匹配率的示意 圖； 圖20是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的缺陷區(qū)域判斷水平的示意圖；
圖21是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的模板輸出判斷水平的示意圖；
圖22是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的在模板輸出判斷水平高的情況下有效的模 板例子(1)的示意圖； 圖23是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的在模板輸出判斷水平高的情況下有效的模 板例子(2)的示意圖； 圖24是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的在模板輸出判斷水平高的情況下有效的模 板例子(3)的示意圖； 圖25是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例在模板輸出判斷水平低的情況下有效的模板 例子的示意圖； 圖26是示出在另一層被連接成等電位的情況下的布線圖案例子的示意圖；
圖27是示出構(gòu)成圖26中所示的布線圖案的多層的若干部分的示意圖；
圖28是示出圖26中所示的布線圖案的層結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖29是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的層結(jié)構(gòu)的示意圖，該層結(jié)構(gòu)包括通過(guò)組合 特定層形成的區(qū)域； 圖30是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的層結(jié)構(gòu)的示意圖，該層結(jié)構(gòu)包括通過(guò)取代 層中的某一區(qū)域而形成的區(qū)域；
6
圖31是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的通過(guò)任意選擇特定區(qū)域而形成的層的 示意圖；以及 圖32是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的被添加到圖31中所示層的布線圖案的層結(jié)構(gòu)的 示意圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。將按順序?qū)σ韵赂黜?xiàng)進(jìn)行描述。
1.第一實(shí)施例
2.修改的例子
〈1.第一實(shí)施例>
(概要) 在該實(shí)施例中將描述目標(biāo)布線基板形成顯示裝置的情況，S卩，組成由TFT基板等 構(gòu)成的布線基板的大量布線部分形成為二維矩陣圖案，從而與顯示裝置的像素對(duì)應(yīng)。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例在平板顯示器的制造工藝中作為修復(fù)目標(biāo)的 基板例子的示意圖。 在該例子中，同時(shí)在基板3上形成用于4個(gè)平板顯示器的布線基板1。將布線基板 1劃分為具有重復(fù)圖案的區(qū)域(重復(fù)圖案區(qū)域6 (參見圖2))(隨后描述)、具有將重復(fù)圖案 區(qū)域6通過(guò)布線5連接到外部的外圍電路4的區(qū)域(外圍電路區(qū)域)以及設(shè)在重復(fù)圖案區(qū) 域6與外圍電路區(qū)域之間邊界的最外部的區(qū)域(最外部區(qū)域)。通過(guò)如下步驟獲得重復(fù)圖 案區(qū)域6和最外部區(qū)域?qū)⒉季€部分2形成為二維矩陣圖案，以使其對(duì)應(yīng)于平板顯示器的像 素。如圖2中所示，重復(fù)圖案區(qū)域6是從重復(fù)形成有布線部分2的區(qū)域中排除最外部區(qū)域 以外的部分。 圖3是示出平板顯示器的布線基板的制造工藝的流程圖，S卩，順序地示出了布線 圖案形成工藝、缺陷檢查工藝和缺陷修復(fù)工藝的流程。 在該實(shí)施例中，通過(guò)如下步驟執(zhí)行布線部分形成工藝在基板3上層壓作為目標(biāo) 布線部分2的主要結(jié)構(gòu)的掃描布線、層間絕緣膜、信號(hào)布線和供電布線(步驟S1、S2和S3)。 另外，形成外圍電路4和布線5，并且外圍電路4和最外部區(qū)域中的布線部分2連接?？梢?在步驟S1至S3中的掃描布線、層間絕緣膜、信號(hào)布線和供電線的形成工藝之前或之后，執(zhí) 行外圍電路4和布線5的形成工藝。 隨后，對(duì)于在經(jīng)受布線部分形成工藝之后傳送的基板3進(jìn)行光學(xué)檢查工藝，在該 光學(xué)檢查工藝中，通過(guò)光學(xué)觀測(cè)大量的布線部分2來(lái)檢測(cè)缺陷布線部分2a (步驟S4)。當(dāng)檢 測(cè)出缺陷部分2a時(shí)，缺陷布線部分2a在基板3上的位置信息被發(fā)送到缺陷修復(fù)裝置的計(jì) 算機(jī)(控制單元)。在光學(xué)檢查工藝中，從包括圖1中所示的缺陷布線部分2a的圖像(缺 陷圖像)中，不僅缺陷布線部分2a的存在而且包括缺陷(圖案缺陷、外來(lái)物質(zhì)等)和缺陷 位置的所謂圖案缺陷分類信息被指明。另外，諸如缺陷尺寸和類型(材料、條件等)的缺陷 特征被指明。 另外，在電學(xué)檢查工藝中，檢測(cè)在光學(xué)檢查工藝中幾乎檢測(cè)不到的、除表面以外的 區(qū)域中產(chǎn)生的缺陷(步驟S5)。 另外，在缺陷修復(fù)工藝中，通過(guò)讀取缺陷位置信息，控制缺陷修復(fù)裝置的載物臺(tái)，
7使其移動(dòng)到缺陷位置。然后，由觀測(cè)系統(tǒng)檢查缺陷，并且通過(guò)執(zhí)行激光照射等修復(fù)缺陷(步 驟S6)。根據(jù)基板3上的布線基板1上產(chǎn)生缺陷的區(qū)域，改變適用的修復(fù)方法。當(dāng)該工藝結(jié) 束時(shí)，TFT工藝(布線基板制造工藝)完成。 根據(jù)本發(fā)明，可以通過(guò)調(diào)用所存儲(chǔ)的修復(fù)數(shù)據(jù)，非常有效地執(zhí)行缺陷修復(fù)工藝。另 外，可以通過(guò)選擇適于缺陷位置的修復(fù)數(shù)據(jù)，自動(dòng)執(zhí)行缺陷修復(fù)工藝。 圖4是示出圖3中所示的從缺陷檢查工藝到缺陷修復(fù)工藝的具體流程的示意圖。
經(jīng)過(guò)布線部分形成工藝的基板3被移動(dòng)到光學(xué)檢查裝置11 (第一步驟)，執(zhí)行光學(xué) 檢查以識(shí)別缺陷，并且將檢查結(jié)果21輸出到缺陷信息管理系統(tǒng)12 (第二步驟)。另外，基板 3移動(dòng)到電學(xué)檢查裝置13 (第三步驟)，執(zhí)行電學(xué)檢查以識(shí)別缺陷，并且將檢查結(jié)果22輸出 到缺陷信息管理系統(tǒng)12(第四步驟)。缺陷信息管理系統(tǒng)12產(chǎn)生由檢查結(jié)果之一獲得的缺 陷信息或者通過(guò)將檢查結(jié)果彼此相關(guān)聯(lián)而獲得的缺陷信息(第五步驟)，并且將缺陷信息 記錄在存儲(chǔ)器上作為缺陷信息文件24。同時(shí)，將基板3從電學(xué)檢查裝置13移動(dòng)到修復(fù)裝置 14 (第六步驟)，并且修復(fù)裝置14從缺陷信息管理系統(tǒng)12接收缺陷信息文件24。
修復(fù)裝置14基于缺陷信息文件24的內(nèi)容自動(dòng)選擇合適的修復(fù)技術(shù)(缺陷修復(fù)技 術(shù)模板)以進(jìn)行修復(fù)，并且再將修復(fù)結(jié)果25(數(shù)據(jù)文件、修復(fù)后的圖像等)輸出到缺陷信 息管理系統(tǒng)12 (第七步驟)。在這種情況下，關(guān)于基板3所接收的缺陷信息文件24包括有 關(guān)基板的層結(jié)構(gòu)的信息。 此后，當(dāng)有需要時(shí)，將基板3移動(dòng)到電學(xué)檢查裝置13 (第八步驟)，通過(guò)電學(xué)檢查 再次檢查修復(fù)后的缺陷狀況，并且如果需要的話再次將缺陷信息輸出到缺陷信息管理系統(tǒng) 12(第九步驟)。另外，缺陷信息經(jīng)由缺陷信息管理系統(tǒng)12被發(fā)送到修復(fù)裝置14，基板3被 移動(dòng)到修復(fù)裝置14 (第十步驟)，并且可以再次進(jìn)行修復(fù)。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以調(diào)用已被使用且預(yù)先登記的缺陷修復(fù)技術(shù)(缺陷修復(fù) 工藝)的數(shù)據(jù)文件(模板)，其結(jié)果是可以非常有效地執(zhí)行缺陷修復(fù)工藝。另外，檢查缺陷 的位置、尺寸、類型等，并且選擇合適的修復(fù)數(shù)據(jù)，其結(jié)果是可以自動(dòng)執(zhí)行缺陷修復(fù)工藝。
(缺陷修復(fù)裝置的結(jié)構(gòu)例子) 圖5示出了對(duì)于布線基板執(zhí)行缺陷修復(fù)工藝的缺陷修復(fù)裝置(對(duì)應(yīng)于修復(fù)裝置 14)的一個(gè)例子的結(jié)構(gòu)示意圖。 根據(jù)該實(shí)施例的缺陷修復(fù)裝置200是所謂的激光修復(fù)裝置的例子，該激光修復(fù)裝 置通過(guò)執(zhí)行激光照射而使短路部分?jǐn)嚅_，但僅可以應(yīng)用于能夠通過(guò)激光CVD法等執(zhí)行布線 連接工藝的裝置(例如，參見專利文件2中的圖5)。缺陷修復(fù)裝置200包括能夠在物鏡208 和基板3之間應(yīng)用激光CVD法的處理裝置，在專利文件2的圖5和圖6及其描述中有詳細(xì) 公開。 缺陷修復(fù)裝置200大致由控制單元201、缺陷修復(fù)單元202和缺陷檢測(cè)單元203組 成。 控制單元201通過(guò)通信接口 (未示出)等連接到缺陷信息管理系統(tǒng)12，并且連接 到顯示器227和諸如鍵盤之類的輸入裝置228?？刂茊卧?01通過(guò)缺陷信息管理系統(tǒng)12預(yù) 先獲得缺陷檢查裝置300執(zhí)行缺陷檢測(cè)得到的結(jié)果(缺陷信息)，并且基于該缺陷信息來(lái)控 制修復(fù)缺陷的缺陷修復(fù)單元202和細(xì)致觀測(cè)缺陷的缺陷檢測(cè)單元203?？梢詫PU(微處理 單元)或諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)之類的計(jì)算機(jī)(處理單元)用于控制單元201。
在控制單元201中，向缺陷修復(fù)單元202的載物臺(tái)控制單元207發(fā)出指令，上面 安裝有基板203的XY載物臺(tái)205被移動(dòng)，并且進(jìn)行調(diào)解以使存在缺陷的像素正好置于 物鏡208下方。然后，移動(dòng)調(diào)焦臺(tái)210來(lái)調(diào)節(jié)物鏡208與基板3之間的間隔，以使穿過(guò) 光學(xué)透鏡214g的光的聚焦點(diǎn)圖像可以由缺陷檢測(cè)單元203的圖像攝取裝置217攝到。 應(yīng)該注意的是，使用半反射鏡215a和215b、光學(xué)透鏡214a以及燈209進(jìn)行的表面照明 (印i-illumination)使得能夠得到亮度合適的圖像。拍攝到的包括缺陷部分的圖像(缺陷 圖像)暫時(shí)存儲(chǔ)在缺陷圖像存儲(chǔ)器218中。這里，像素對(duì)應(yīng)于圖1中所示的缺陷布線部分 2a。 接著，控制單元201向載物臺(tái)控制單元207發(fā)出指令來(lái)移動(dòng)XY載物臺(tái)205，以使像 素圖案變得與缺陷部分的像素完全相同的位置正好位于物鏡208下方。然后，拍攝沒(méi)有任 何缺陷的圖像(參考圖像)，并將該圖像存儲(chǔ)在參考圖像存儲(chǔ)器219中。在這種情況下的像 素對(duì)應(yīng)于圖1中所示的布線部分2。 缺陷提取單元(缺陷檢測(cè)單元)220對(duì)存儲(chǔ)在缺陷圖像存儲(chǔ)器218中的缺陷圖像 和存儲(chǔ)在參考圖像存儲(chǔ)器219中的參考圖像執(zhí)行位置調(diào)節(jié)，并且產(chǎn)生差別圖像，由此提取 缺陷部分的圖像。然后，缺陷提取單元220將所提取的缺陷部分圖像輸出到詳細(xì)位置信息 提取單元221和特征提取單元222。 詳細(xì)位置信息提取單元221基于缺陷圖像和XY載物臺(tái)205的當(dāng)前位置，計(jì)算所提 取的缺陷在基板3上的精確位置，并且將計(jì)算結(jié)果信息發(fā)送到修復(fù)方法產(chǎn)生單元226。
特征提取單元222將缺陷的諸如顏色、尺寸、對(duì)比度和形狀之類的各種特征信息 項(xiàng)量化，并且將量化的信息項(xiàng)輸出到控制單元201，所述各種特征信息項(xiàng)用于指明缺陷提取 單元220所提取的缺陷的圖案、形狀等。 隨后，基于分別由詳細(xì)位置信息提取單元221和特征提取單元222得到的詳細(xì)位 置信息和特征信息，控制單元201從修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225讀取缺陷修復(fù)信息(修復(fù)處方信 息)(隨后詳細(xì)描述)。利用缺陷修復(fù)信息，限定了缺陷修復(fù)單元202的修復(fù)機(jī)構(gòu)204中各 個(gè)單元的操作。 具體來(lái)講，例如，基于來(lái)自詳細(xì)位置信息提取單元221的詳細(xì)位置信息，控制單元 201確定缺陷部分在布線基板上的位置和狀況及其層信息，并且執(zhí)行控制，以便根據(jù)缺陷位 置執(zhí)行合適的缺陷修復(fù)工藝。 另外，如隨后將詳細(xì)描述的，基于模板與缺陷圖像重疊所產(chǎn)生的缺陷修復(fù)信息，控 制單元201在顯示器227上顯示修復(fù)技術(shù)(模板)。應(yīng)該注意的是，根據(jù)情形，基于諸如缺 陷的位置和特征之類的缺陷信息，控制單元201可以修復(fù)缺陷修復(fù)信息的修復(fù)對(duì)象的一部 分。另外，在某些情況下，一個(gè)缺陷修復(fù)信息項(xiàng)可以包括多個(gè)修復(fù)技術(shù)。
當(dāng)操作者判斷顯示器227上顯示的修復(fù)技術(shù)并不適合時(shí)，操作者可以通過(guò)操作諸 如鍵盤和鼠標(biāo)之類的輸入裝置228 (輸入單元)來(lái)選擇另一個(gè)修復(fù)技術(shù)，或者可以改變修復(fù) 技術(shù)(缺陷修復(fù)信息)中的一部分或全部。此外，當(dāng)修復(fù)方法產(chǎn)生單元226從修復(fù)技術(shù)數(shù) 據(jù)庫(kù)225讀取多個(gè)缺陷修復(fù)技術(shù)時(shí)，這多個(gè)缺陷修復(fù)技術(shù)被顯示在顯示器227上，并且促使 操作者選擇這多個(gè)缺陷修復(fù)技術(shù)中的一個(gè)。隨后，利用操作者通過(guò)操作輸入裝置228所選 擇的缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)執(zhí)行缺陷修復(fù)。 在接收了從輸入裝置228輸入的操作信號(hào)的情況下，控制單元201將缺陷修復(fù)技術(shù)的選擇歷史或者變化歷史記錄到修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225上。修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中存儲(chǔ)的 修復(fù)技術(shù)用于今后的缺陷修復(fù)。 當(dāng)缺陷修復(fù)技術(shù)被確定時(shí)，控制單元201根據(jù)所確定的缺陷修復(fù)技術(shù)向修復(fù)機(jī)構(gòu) 控制單元216發(fā)出指令，并且使修復(fù)機(jī)構(gòu)204中的單元進(jìn)行操作，由此修復(fù)缺陷。在修復(fù)機(jī) 構(gòu)204中，從激光光源213發(fā)出的激光束由光學(xué)透鏡214b和214c校正，此后使該激光束穿 過(guò)可變狹縫212，從而可以改變照射尺寸和照射角度。 可變狹縫212被稱作(例如)XY-e狹縫，具有沿著X方向和Y方向的矩形開口長(zhǎng) 度，并且基于來(lái)自修復(fù)機(jī)制控制單元216的驅(qū)動(dòng)信號(hào)可被旋轉(zhuǎn)e度的角度并被驅(qū)動(dòng)。
由可變狹縫212限定形狀的激光束穿過(guò)光學(xué)透鏡214d，并且被電流鏡(galvano mirror)211a和211b反射。電流鏡211a和211b是其角度可以二維變化的反射鏡。通過(guò)基 于修復(fù)機(jī)構(gòu)控制單元216的控制來(lái)驅(qū)動(dòng)電流鏡211a和211b，可以調(diào)節(jié)激光束的光軸，即物 鏡208的視野內(nèi)的激光束照射位置，而不用移動(dòng)XY載物臺(tái)205。 包括可變狹縫212以及電流鏡211a和21 lb的缺陷修復(fù)裝置200可以以足夠的位 置精度用激光束照射缺陷，因此可以精確地修復(fù)圖案缺陷。 另外，由電流鏡211a和211b反射的激光束穿過(guò)光學(xué)透鏡214e和214f，并且由半
反射鏡215a反射，隨后用穿過(guò)物鏡208的激光束來(lái)照射基板3，由此修復(fù)缺陷。 缺陷檢查裝置300可以使用光學(xué)檢查裝置來(lái)搜索缺陷，因此可以修復(fù)導(dǎo)電狀態(tài)正
常的圖案缺陷。 將更詳細(xì)地描述控制單元201。 圖6是示出了控制單元201內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。控制單元201包括區(qū)域信息獲得單 元251、區(qū)域匹配率/不匹配率計(jì)算單元252、缺陷區(qū)域判斷水平計(jì)算單元253、模板選擇判 斷水平計(jì)算單元254、模板輸出判斷水平計(jì)算單元255、缺陷修復(fù)執(zhí)行單元256和記錄單元 260。對(duì)于記錄單元260，使用了諸如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的非易失性存儲(chǔ)器。隨后將描述各個(gè)處 理單元。(缺陷修復(fù)工藝) 參照?qǐng)D7和圖8中所示的流程圖將描述缺陷修復(fù)裝置200執(zhí)行的缺陷修復(fù)工藝以 及由上述結(jié)構(gòu)組成的缺陷修復(fù)系統(tǒng)的一系列操作。圖7是示出了一系列缺陷修復(fù)工藝的主 要過(guò)程的流程圖，并且圖8是與缺陷修復(fù)工藝中的修復(fù)技術(shù)獲得過(guò)程(步驟S17)相關(guān)的流 程圖。 步驟S11:參數(shù)設(shè)置 設(shè)置缺陷修復(fù)裝置200的參數(shù)。S卩，為缺陷修復(fù)裝置200設(shè)置用于執(zhí)行修復(fù)的上 述基本信息項(xiàng)。 具體來(lái)講，參數(shù)指的是與基板3相關(guān)的基本信息項(xiàng)，例如作為修復(fù)目標(biāo)的基板3內(nèi) 圖案的位置和數(shù)量、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位置以及布線部分2的位置和數(shù)量。另外，基本信息還包括作 為要自動(dòng)修復(fù)的目標(biāo)的缺陷的尺寸和狀況、在基板3中執(zhí)行的修復(fù)頻率、諸如應(yīng)該被優(yōu)先 修復(fù)的缺陷的特征之類的修復(fù)條件設(shè)置信息、布線圖案的形狀、修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)(適用于 當(dāng)有多個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)時(shí))等。在缺陷修復(fù)裝置200中，對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行唯一地設(shè)置。
步驟S12 :運(yùn)送基板3并且設(shè)置輸入信息 將基板3從外部運(yùn)送到缺陷修復(fù)裝置200內(nèi)，并且基板3的之前工藝中的缺陷信息被輸入。用缺陷修復(fù)裝置200中設(shè)置的參數(shù)來(lái)檢查所運(yùn)送的基板3的信息和缺陷信息， 并且確定作為修復(fù)目標(biāo)的基板3的基本信息，從而對(duì)修復(fù)條件執(zhí)行初始設(shè)置(例如，用于清 零修復(fù)工藝計(jì)數(shù))。 缺陷信息是光學(xué)檢查所檢測(cè)到的缺陷數(shù)量和缺陷檢查裝置300中的缺陷坐標(biāo)或 像素信息(包括關(guān)于缺陷是線缺陷還是點(diǎn)缺陷的信息)?？晒┻x擇的，通過(guò)將電學(xué)檢查檢測(cè) 到的缺陷與光學(xué)檢查檢測(cè)到的缺陷相關(guān)聯(lián)，得到缺陷信息。
步驟S13:缺陷信息設(shè)置 從每個(gè)基板3的缺陷信息項(xiàng)列表中，通過(guò)以下方法中的一種來(lái)選擇并輸入一個(gè)缺 陷信息項(xiàng)以所列次序執(zhí)行修復(fù)、一起修復(fù)或分類特定的缺陷(例如，優(yōu)先修復(fù)線缺陷)或 者由缺陷修復(fù)裝置200的操作者來(lái)選擇任意一個(gè)缺陷。
步驟S14 :檢查缺陷信息 基于輸入的基板3的缺陷信息列表，檢查是否可以自動(dòng)執(zhí)行修復(fù)。具體來(lái)講，可能 存在輸入的缺陷信息不足以執(zhí)行自動(dòng)缺陷修復(fù)的情況，并且檢查是否出現(xiàn)這種情況。
例如，在不滿足當(dāng)前基板3的修復(fù)條件的情況下，具體來(lái)講，例如，在點(diǎn)缺陷消除 工藝沒(méi)有執(zhí)行特定次數(shù)的情況下、在修復(fù)工藝沒(méi)有執(zhí)行特定次數(shù)的情況下或者在缺陷已經(jīng) 受修復(fù)工藝的情況下，會(huì)難以執(zhí)行自動(dòng)缺陷修復(fù)。另外，例如，在沒(méi)有限定缺陷坐標(biāo)輸入的 情況下或者清楚限定了在圖案外部不執(zhí)行修復(fù)的情況下，不會(huì)執(zhí)行自動(dòng)缺陷修復(fù)。這些情 況的細(xì)節(jié)公開在本發(fā)明申請(qǐng)人的日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No. 2008-155263的圖4等中。
步驟15 :獲得缺陷位置信息 當(dāng)判定輸入的缺陷信息是要修復(fù)的缺陷時(shí)，獲得缺陷的詳細(xì)坐標(biāo)信息。具體來(lái)講， 由通過(guò)光學(xué)檢查結(jié)果得到的缺陷坐標(biāo)、通過(guò)電學(xué)檢查結(jié)果得到的像素?cái)?shù)量等，計(jì)算實(shí)際產(chǎn) 生缺陷的位置。應(yīng)該注意的是，步驟15的內(nèi)容被表達(dá)為圖17中的"獲得子像素坐標(biāo)"。
步驟S16:拍攝缺陷圖像 當(dāng)獲得缺陷的詳細(xì)位置時(shí)，移動(dòng)XY載物臺(tái)205，拍攝缺陷圖像，并且獲得圖案中的 詳細(xì)缺陷信息。應(yīng)該注意的是，步驟S16的內(nèi)容被表達(dá)為圖7中的"獲得檢查信息"。
步驟S17 :缺陷修復(fù)技術(shù)獲得工藝 該步驟是本發(fā)明的特征步驟。通過(guò)將從缺陷圖像得到的詳細(xì)缺陷信息與缺陷修復(fù) 技術(shù)相互核對(duì)，從修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中檢索出最佳缺陷修復(fù)技術(shù)，并且連同缺陷位置信 息一起輸出該最佳缺陷修復(fù)技術(shù)。應(yīng)該注意的是，步驟S17的內(nèi)容被表達(dá)為圖7中的"獲得 修復(fù)技術(shù)"。將參照?qǐng)D8詳細(xì)描述該步驟的工藝。
步驟S18:修復(fù)執(zhí)行工藝 根據(jù)缺陷的實(shí)際位置來(lái)設(shè)置缺陷修復(fù)工藝，如果需要的話，進(jìn)行位置校正，此后修 復(fù)缺陷。這種情況下的修復(fù)執(zhí)行結(jié)果被另外存儲(chǔ)在例如記錄單元260或者修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù) 225中。應(yīng)該注意的是，步驟S18的內(nèi)容被表達(dá)為圖7中的"執(zhí)行修復(fù)"。
步驟S19:修復(fù)判斷工藝 在完成修復(fù)執(zhí)行后，在攝得缺陷圖像的位置的相同坐標(biāo)和因素處拍攝修復(fù)后的圖 像。將這些圖像相互比較，從而執(zhí)行簡(jiǎn)單的判斷，判斷是否已經(jīng)執(zhí)行了適當(dāng)?shù)男迯?fù)。
步驟S20 :修復(fù)結(jié)果更新工藝 更新修復(fù)結(jié)果。更新內(nèi)容包括關(guān)于是否已經(jīng)適當(dāng)執(zhí)行了修復(fù)的判斷結(jié)果、修復(fù)的詳細(xì)內(nèi)容、所執(zhí)行的修復(fù)工藝的數(shù)量、所執(zhí)行的點(diǎn)缺陷消除工藝的數(shù)量等。在更新了修復(fù)結(jié) 果之后，再次檢查缺陷信息列表，并且判斷是否還留有未處理的缺陷或者是否完成了修復(fù)。 基于該判斷，確定是否通過(guò)另外輸入另一個(gè)缺陷信息項(xiàng)來(lái)繼續(xù)修復(fù)工藝，或者終止修復(fù)并 且將基板3傳送到外部。 在這種情況下，當(dāng)確定仍然存在未處理的缺陷時(shí)，工藝返回到步驟S12。
步驟S21 :傳送基板、設(shè)置修復(fù)信息 在對(duì)于輸入的基板3已修復(fù)了所有缺陷的情況下，或者在滿足修復(fù)終止條件的情 況下，傳送基板3，并且將缺陷修復(fù)信息輸出到缺陷信息管理系統(tǒng)12。修復(fù)終止條件是指修 復(fù)執(zhí)行特定次數(shù)或更多次數(shù)的條件、點(diǎn)缺陷消除工藝執(zhí)行特定次數(shù)或更多次數(shù)的條件、對(duì) 特定缺陷執(zhí)行修復(fù)的條件等。
步驟S22:更新參數(shù) 在上述工藝中重新登記缺陷修復(fù)技術(shù)的情況下，或者在激光功率或要修復(fù)的缺陷 的條件應(yīng)該變化的情況下，存儲(chǔ)在缺陷修復(fù)裝置200的修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中的參數(shù)信息 被更新，并且設(shè)置下一個(gè)基板3。 圖8是示出了由控制單元201進(jìn)行的缺陷修復(fù)技術(shù)獲得工藝(步驟S17)的流程 圖。圖8中的流程圖與缺陷修復(fù)工藝中的修復(fù)技術(shù)獲得工藝(具體來(lái)講，區(qū)分優(yōu)先次序工 藝)相關(guān)。 首先，在步驟S31中，將缺陷信息從詳細(xì)位置信息提取單元221和特征提取單元 222輸入到控制單元201，并且工藝前進(jìn)至步驟S32。 接著，在步驟S32中，判斷是否存在現(xiàn)有檢測(cè)方法可適用的缺陷修復(fù)技術(shù)(模板)， 并且根據(jù)判斷結(jié)果，工藝前進(jìn)至隨后步驟。已經(jīng)提出了多種現(xiàn)有檢測(cè)方法，例如基于缺陷的 位置信息、區(qū)域信息和特征信息來(lái)讀取優(yōu)先級(jí)較高的缺陷修復(fù)技術(shù)的方法(參見日本專利 申請(qǐng)?zhí)卦S公開No. 2007-163892)。另外，還提出了如下的方法通過(guò)將布線基板劃分為多個(gè) 區(qū)域并且基于布線基板上包括缺陷的區(qū)域，讀取缺陷修復(fù)技術(shù)(參見，日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S 公開No. 2008-155263)。此外，也提出了如下的方法基于布線圖案的參考坐標(biāo)和檢測(cè)出的 缺陷之間的位置關(guān)系，自動(dòng)讀取缺陷修復(fù)技術(shù)(參見專利文件2)。在存在缺陷修復(fù)技術(shù)的 情況下，工藝前進(jìn)至步驟S33。在沒(méi)有缺陷修復(fù)技術(shù)的情況下，工藝前進(jìn)至步驟S38。
在步驟S33中，判斷是否登記了缺陷背景區(qū)域信息。如果登記了該區(qū)域信息，則工 藝前進(jìn)至步驟S34。如果沒(méi)有登記該區(qū)域信息，則工藝前進(jìn)至步驟S39。
在步驟S34中，檢測(cè)缺陷區(qū)域判斷水平，并且優(yōu)先級(jí)被排序(分類或重新排列)， 然后工藝前進(jìn)至步驟S35。具體來(lái)講，區(qū)域匹配率/不匹配率計(jì)算單元252計(jì)算缺陷與模 板之間的匹配率和不匹配率，并且基于所得到的計(jì)算結(jié)果，缺陷區(qū)域判斷水平計(jì)算單元253 計(jì)算出缺陷區(qū)域判斷水平。 在步驟S35中，模板選擇判斷水平計(jì)算單元254判斷是否達(dá)到了適用的模板選擇 判斷水平。如果達(dá)到了預(yù)定模板選擇判斷水平，則工藝前進(jìn)至步驟S36。如果沒(méi)有達(dá)到預(yù)定 模版選擇判斷水平，則工藝前進(jìn)至步驟S38。 在步驟S36中，模版輸出判斷水平計(jì)算單元255檢測(cè)模版輸出判斷水平并且對(duì)優(yōu) 先級(jí)進(jìn)行排序。然后，工藝前進(jìn)至步驟S37。 在步驟S37中，模版輸出判斷水平計(jì)算單元255判斷是否達(dá)到適用的模版輸出判斷水平。如果達(dá)到了預(yù)定的模版輸出判斷水平，則工藝前進(jìn)至步驟S39。如果沒(méi)有到達(dá)預(yù)定 的模版輸出判斷水平，則工藝前進(jìn)至步驟S38。 在步驟S38中，根據(jù)來(lái)自輸入裝置228的操作者指令，編輯和登記新的缺陷修復(fù)技 術(shù)，并且工藝前進(jìn)至步驟S39。 在步驟S39中，缺陷修復(fù)執(zhí)行單元256應(yīng)用滿足步驟S37中的條件的缺陷修復(fù)技 術(shù)或者在步驟S39中編輯并登記的缺陷修復(fù)技術(shù)，并且將控制信號(hào)發(fā)送到缺陷修復(fù)單元 202，由此控制缺陷修復(fù)的執(zhí)行。 一旦工藝完成，則工藝前進(jìn)至步驟S40。
在步驟S40中，判斷是否存在缺陷仍未修復(fù)的布線部分。此時(shí)，如果判斷出存在缺 陷沒(méi)有修復(fù)的布線部分，則工藝返回到步驟S31，并且輸入新的缺陷信息。另一方面，如果判 斷出不存在缺陷沒(méi)有修復(fù)的布線部分，則一系列工藝都終止，并且工藝前進(jìn)至隨后步驟。
這里，圖9是示出在布線基板1的重復(fù)圖案區(qū)域6中形成的布線部分2(單位像 素)示意結(jié)構(gòu)的示意圖。 例如，布線部分2分為與三原色RGB對(duì)應(yīng)的三個(gè)區(qū)域(下文中，也稱作"子區(qū) 域")2R、2G和2B。這三個(gè)子區(qū)域2R、2G和2B的結(jié)構(gòu)的不同之處在于，這三個(gè)子區(qū)域2R、2G 和2B包括不同的電容器(容性元件)45R、45G和45B。在該實(shí)施例中，形狀(結(jié)構(gòu))部分 不同的三個(gè)子區(qū)域2R、2G和2B用作例子，但是這三個(gè)子區(qū)域的形狀(結(jié)構(gòu))當(dāng)然也可以相 同。 子區(qū)域2R、2G和2B被形成為具有大致相同的面積，并且具有如下結(jié)構(gòu)借助沿著 與掃描線41垂直的方向延伸的層間絕緣膜(未示出)，在設(shè)于布線基板l(參見圖l)上的 掃描線1上布置信號(hào)布線42R、42G和42B、供電布線43R、43G和43、地電極(未示出)。信 號(hào)布線42R、42G和42B的結(jié)構(gòu)分別與電容器45R、45G和45B相對(duì)，電容器45R、45G、45B分 別通過(guò)TFT元件44R、44G和44B的柵極連接到地電極(未示出)。 應(yīng)該注意的是，圖8僅示出了布線部分2中實(shí)際布線圖案的示意圖，因此包括與實(shí) 際布線圖案之間的不同點(diǎn)。 在具有如圖9中所示的重復(fù)圖案的布線圖案(布線部分2)中，在可以根據(jù)像素中 的缺陷位置而提供多個(gè)修復(fù)圖案的情況下，要應(yīng)用的缺陷技術(shù)可以根據(jù)條件而不同。在這 種情況下，預(yù)先將關(guān)于哪一種缺陷技術(shù)用于哪種缺陷的信息登記在修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中 作為模板。模板指的是缺陷修復(fù)信息(修復(fù)處方信息)的客觀化(可視化)實(shí)體，即缺陷 修復(fù)技術(shù)。 隨后，如下技術(shù)是有效的輸入重復(fù)圖案(布線部分2)的參考坐標(biāo)和缺陷位置、從 修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)22檢索出最佳缺陷修復(fù)技術(shù)、將模板疊置在缺陷圖像上并且應(yīng)用缺陷修 復(fù)技術(shù)?？梢允褂萌毡緦＠暾?qǐng)?zhí)卦S公開No. 2007-163892中公開的技術(shù)作為利用模板的 缺陷修復(fù)方法。 圖10是示出布線部分中存在短路缺陷的缺陷圖像例子的示意圖。 缺陷圖像中的缺陷50是布線部分(供電布線42G和42B)中短路缺陷的例子。首
先，在詳細(xì)位置信息提取單元221中，檢測(cè)設(shè)在布線部分2和重復(fù)圖案區(qū)域52的任意拐角
處的參考坐標(biāo)51。然后，基于與參考坐標(biāo)51的相對(duì)位置，縮小重復(fù)圖案上的缺陷50的位置
和條件的范圍。隨后，控制單元201從修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中選擇滿足缺陷50的條件的已
登記模板。
模板包括"缺陷對(duì)象"和"修復(fù)對(duì)象"，"缺陷對(duì)象"是缺陷的復(fù)制品，"修復(fù)對(duì)象"表 示根據(jù)缺陷對(duì)象在布線部分上的位置及其特征要經(jīng)受修復(fù)工藝的部分。例如，缺陷對(duì)象表 示缺陷對(duì)象的位置、缺陷對(duì)象所屬的區(qū)域、缺陷對(duì)象的尺寸和形狀以及缺陷對(duì)象所處的電 路。另外，修復(fù)對(duì)象表示照射缺陷的激光的位置、輸出等。 在該例子中，關(guān)于造成布線間短路的缺陷50(即，缺陷對(duì)象50a、50b和50c)的缺 陷修復(fù)技術(shù)，它們的最佳模板(1)至(3)被登記在修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中。
換言之，在該例子中，作為取決于缺陷50位置的缺陷修復(fù)技術(shù)，模板(1)至(3)被 登記在修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中，并且從模板(1)至(3)中選擇用于修復(fù)缺陷50的最佳模板。
模板(1)包括關(guān)于缺陷對(duì)象50a的修復(fù)對(duì)象60a，缺陷對(duì)象50a與缺陷50具有基 本相同的條件，例如位置和尺寸。另外，模板(2)包括關(guān)于缺陷對(duì)象50b的修復(fù)對(duì)象60b，缺 陷對(duì)象50b位于缺陷50的稍下方。另外，模板(3)包括關(guān)于缺陷對(duì)象50c的修復(fù)對(duì)象60c， 缺陷對(duì)象50c位于遠(yuǎn)離缺陷50的下方。 在該例子中，選擇包括缺陷對(duì)象50a的模板(1)作為用于修復(fù)缺陷50的最佳模 板，缺陷對(duì)象50a與缺陷50具有幾乎相同的條件，例如位置和尺寸。 然后，將讀取到控制單元201的模板(1)顯示在顯示器227上。此時(shí)，以缺陷圖像
(布線圖案)的參考坐標(biāo)51為原點(diǎn)來(lái)轉(zhuǎn)換模板(1)的參考坐標(biāo)61，并且將修復(fù)對(duì)象60a疊
置在缺陷圖像的缺陷50上。在專利文件2中更詳細(xì)地公開了坐標(biāo)轉(zhuǎn)換方法。 通過(guò)如上所述的重復(fù)圖案區(qū)域中的缺陷修復(fù)方法，可以基于重復(fù)圖案(布線部
分)中缺陷的位置來(lái)選擇最佳模板。結(jié)果，通過(guò)讀取根據(jù)位置關(guān)系所選擇的缺陷修復(fù)技術(shù)，
可以自動(dòng)地進(jìn)行缺陷修復(fù)技術(shù)，因此可以避免手動(dòng)執(zhí)行確定這一棘手的任務(wù)。 應(yīng)該注意的是，在從修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中讀取修復(fù)工藝時(shí)對(duì)于缺陷沒(méi)有合適的
缺陷修復(fù)技術(shù)(模板)作為修復(fù)對(duì)象的情況下，基于預(yù)定的優(yōu)先級(jí)等來(lái)選擇次佳模板。例
如，自動(dòng)選擇最高優(yōu)先級(jí)(例如，最頻繁使用)的缺陷修復(fù)技術(shù)的模板或者低難度水平的缺
陷修復(fù)技術(shù)的模板，并且在顯示器227上顯示所選擇的模板。然后，自動(dòng)執(zhí)行或者通過(guò)操作
者視覺(jué)上確認(rèn)然后再執(zhí)行所顯示模板的修復(fù)技術(shù)。 另外，在沒(méi)有合適的關(guān)于缺陷的工藝設(shè)置文件(模板)作為目標(biāo)的情況下，操作者 可以操作輸入裝置228，以手動(dòng)設(shè)置激光工藝條件，并且可以將其設(shè)置文件添加到修復(fù)技術(shù) 數(shù)據(jù)庫(kù)225。(標(biāo)題信息和對(duì)象信息) 在該實(shí)施例中作為模板顯示的缺陷修復(fù)技術(shù)是包括標(biāo)題信息和對(duì)象信息的數(shù)據(jù) 文件，對(duì)象信息與標(biāo)題信息相關(guān)聯(lián)(參見日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No. 2007-163892)。
應(yīng)該注意的是，缺陷修復(fù)技術(shù)也被稱作"缺陷修復(fù)信息(修復(fù)處方信息)"。
標(biāo)題信息包括缺陷修復(fù)技術(shù)的"處方名稱(或處方號(hào))"；"區(qū)域號(hào)"，該區(qū)域號(hào)表 示缺陷所在的子區(qū)域；"子區(qū)域號(hào)"，該子區(qū)域號(hào)表示子區(qū)域；"參考像素號(hào)"，該參考像素號(hào) 表示參考像素在基板3上的位置；"相鄰像素號(hào)"，該相鄰像素號(hào)表示參考像素的側(cè)部、頂部 和底部存在/不存在相鄰像素及其位置；修復(fù)對(duì)象的"對(duì)象數(shù)"，該對(duì)象數(shù)表示其修復(fù)處方 已被登記的缺陷和缺陷修復(fù)技術(shù)。 對(duì)象信息包括缺陷對(duì)象和修復(fù)對(duì)象，缺陷對(duì)象是缺陷的復(fù)制品，修復(fù)對(duì)象表示根 據(jù)缺陷對(duì)象在布線部分2中的位置及其特征要經(jīng)受修復(fù)工藝的部分。
換言之，對(duì)象信息是通過(guò)以下步驟得到的將缺陷對(duì)象和修復(fù)對(duì)象彼此相關(guān)聯(lián)，并 且根據(jù)登記在標(biāo)題信息中的若干對(duì)象來(lái)登記它們。應(yīng)該注意的是，簡(jiǎn)單使用術(shù)語(yǔ)"登記"意 味著登記到上述修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225中。 對(duì)象信息包括"處方名(或處方號(hào))"，用于與處方標(biāo)題相核對(duì)；"坐標(biāo)"，該坐標(biāo) 表示對(duì)象在布線部分2中的位置；作為缺陷對(duì)象和修復(fù)對(duì)象的基本信息的"對(duì)象形狀"、"角 度"和"位置校正信息"。 應(yīng)該注意的是，"校正信息"是用于通過(guò)與實(shí)際缺陷圖像的缺陷位置進(jìn)行比較來(lái)執(zhí) 行位置校正的信息，并且"角度"是XY載物臺(tái)205上的缺陷與正常位置之間的旋轉(zhuǎn)角度。
在該例子中，基于重復(fù)圖案(布線部分2)中存在缺陷的區(qū)域的區(qū)域信息，適用的 模板的范圍縮小并且被最優(yōu)化。下文中，重復(fù)圖案中存在缺陷的區(qū)域(或者缺陷所占區(qū)域) 被具體稱作"缺陷區(qū)域"或"缺陷范圍"。
(關(guān)于區(qū)域信息) 接著，將描述區(qū)域信息獲得單元251進(jìn)行的處理。 圖11是示意性示出了圖9中所示的重復(fù)圖案(布線部分2)的層結(jié)構(gòu)的示意圖。
由于是多層結(jié)構(gòu)，因此在一些情況下，在特定層下面設(shè)有另一層。因此，可能存在 某一區(qū)域難以從重復(fù)圖案的圖像70中只識(shí)別出特定層的結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)同時(shí)存在由單層形 成的區(qū)域、由多個(gè)不同層組成的區(qū)域等時(shí)，難以識(shí)別出層結(jié)構(gòu)。 在圖9所示的缺陷的例子中，必須登記如圖12A和圖12B中所示的兩類缺陷修復(fù) 技術(shù)。 在圖12A中所示的缺陷50d中，布線部分2的供電布線43G和供電布線43B斷開， 從而消除了短路。模板為此包括用于斷開連接的修復(fù)對(duì)象60d。 圖12B中所示的缺陷50e將布線部分2的供電布線43G和供電布線43B短路，并 且與掃描布線41G重疊。在這種情況下，在掃描布線41下方設(shè)有另一層。因此，當(dāng)直接用 激光照射缺陷50e時(shí)，下層上的掃描布線41可能不期望地?cái)嚅_。換言之，只通過(guò)利用修復(fù) 對(duì)象65el和65e2斷開供電布線43B的上部和下部，然后利用連接用的修復(fù)對(duì)象66將它們 連接起來(lái)，就可以消除短路。 圖13是示出圖11中所示的布線圖案(布線部分2)的重復(fù)層的示意圖。在該圖 中，各層中帶圈的數(shù)字表示其標(biāo)簽的標(biāo)簽ID。 在該例子中，例如，布線部分2由7層1至7(圖像71至77)組成。對(duì)于每一層，設(shè) 置疊置層的次序(ID:識(shí)別信息)和層名稱作為層信息，并且為各個(gè)區(qū)域(標(biāo)簽)分配ID， 由此登記標(biāo)簽信息。標(biāo)簽表示層中的一部分，在該部分中，與諸如布線、電極和接觸孔之類 的元件相對(duì)應(yīng)的特定區(qū)域或位置被設(shè)置為層中的單獨(dú)區(qū)域。層信息包括層的識(shí)別信息、屬 性信息等，并且可以從諸如CAD圖案或手動(dòng)輸入信息之類的設(shè)計(jì)電路信息中獲得層信息。 當(dāng)接收到所傳送的基板3時(shí)，獲得層信息和標(biāo)簽信息。 圖14是示出圖13中所示的層4(圖像74)的示意圖。在層4中設(shè)有7個(gè)標(biāo)簽。 在層信息中設(shè)有 (l)層ID; (2)層名稱；以及 (3)層中區(qū)域(標(biāo)簽)的數(shù)量。
15
在該例子中的層4中，將"(1)層ID :4"、" (2)層名稱層4"和"(3)層中區(qū)域(標(biāo)
簽)的數(shù)量7"登記作為層信息。 另外，在標(biāo)簽信息中例如設(shè)有 (l)標(biāo)簽ID;禾口 (2)層ID(標(biāo)簽所屬的)。 在圖14中所示的層4中的標(biāo)簽7中，將"(1)標(biāo)簽ID :7"和"(2)層ID :4"登記作
為標(biāo)簽信息。 另外，如圖15中所示，所登記的所有層和標(biāo)簽的信息項(xiàng)被重復(fù)展開為圖案中的坐 標(biāo)值(相對(duì)于參考坐標(biāo)的相對(duì)坐標(biāo))，從而創(chuàng)建地圖數(shù)據(jù)。
在地圖數(shù)據(jù)中，登記有 (l)坐標(biāo)；禾口 (2)現(xiàn)有標(biāo)簽信息(層ID :標(biāo)簽ID)。 在圖15中所示的點(diǎn)81的情況下，從圖13中所示的已登記的層組中，例如，登記 "(1)坐標(biāo):(256， 266)"和"(2)現(xiàn)有標(biāo)簽信息:(層4 :標(biāo)簽1)、(層5 :標(biāo)簽3)和(層7 :標(biāo)
簽3)"。 圖16是示出了在獲得特定范圍的區(qū)域信息的情況下的例子的示意圖。
當(dāng)要獲得特定范圍的區(qū)域信息時(shí)，掃描要獲得的整個(gè)范圍內(nèi)的地圖數(shù)據(jù)的坐標(biāo)信 息，以得到區(qū)域信息作為輸出值。例如，在圖16中所示的區(qū)域82中，從圖13中所示的已登 記的層中，將"(層1 :標(biāo)簽2)、(層2 :標(biāo)簽3)、(層3 :標(biāo)簽3)、(層4 :標(biāo)簽3，標(biāo)簽7)、(層 6 :標(biāo)簽3)和(層7 :標(biāo)簽3)"輸出作為區(qū)域中的標(biāo)簽信息。 圖17是示出了在獲得重復(fù)圖案區(qū)域以外的區(qū)域的區(qū)域信息的情況下的例子的示 意圖。 對(duì)于重復(fù)圖案區(qū)域以外的區(qū)域，其區(qū)域信息通過(guò)以下步驟得到除了從重復(fù)圖案 區(qū)域的方向之外，沿著周圍的8個(gè)方向移動(dòng)圖像數(shù)據(jù)。因此，對(duì)于與多個(gè)重復(fù)圖案疊置的區(qū) 域(缺陷)，也可以設(shè)置并獲得區(qū)域信息。 例如，將描述如圖17中所示的與兩個(gè)重復(fù)圖案70A和70B重疊的缺陷83的情況。 重復(fù)圖案70A在重復(fù)圖案的范圍內(nèi)，S卩，在中央范圍(的重復(fù)圖案)內(nèi)。另一方面，重復(fù)圖 案70B在中央范圍內(nèi)的重復(fù)圖案70A附近的范圍內(nèi)。 在該例子中，從圖13中所示的已登記層組中，將"中央范圍(層l :標(biāo)簽2)、(層7 : 標(biāo)簽5)和向下范圍(層l:標(biāo)簽l)、(層7:標(biāo)簽2)"登記作為區(qū)域中的標(biāo)簽信息(層ID:
標(biāo)簽ID)。 接著，將地圖數(shù)據(jù)的區(qū)域信息登記作為除了登記在模板中的缺陷信息之外的信 息。例如，圖12A和圖12B中所示的兩類模板的區(qū)域信息項(xiàng)如圖18A和圖18B中所示。
關(guān)于圖18A中所示的缺陷50d，從圖13中所示的已登記層組中，將"中央范圍(層 4:標(biāo)簽2，標(biāo)簽3)"登記作為缺陷范圍的區(qū)域信息。另外，關(guān)于圖18B中所示的缺陷50e，從 圖13中所示的已登記層組中，將"中央范圍(層1 :標(biāo)簽2)、(層4:標(biāo)簽2，標(biāo)簽3)和向下
范圍(層1 :標(biāo)簽1)、(層4 :標(biāo)簽2，標(biāo)簽3)"登記作為缺陷范圍的區(qū)域信息。 為了實(shí)際地將缺陷與模板進(jìn)行核對(duì)，以與模板相同的方式來(lái)掃描(分析)缺陷范
圍，獲得在缺陷范圍內(nèi)存在的區(qū)域信息，由此進(jìn)行比較。為了進(jìn)行比較，限定下面的判斷條件，并且組合這些判斷條件來(lái)確定優(yōu)先級(jí)。
(關(guān)于區(qū)域匹配率和區(qū)域不匹配率) 接著，將描述由區(qū)域匹配率/不匹配率計(jì)算單元252執(zhí)行的處理。 當(dāng)將實(shí)際缺陷范圍和由模板假定(設(shè)置)的缺陷范圍彼此進(jìn)行比較時(shí)得到的比較
信息中的匹配率和不匹配率定義如下。 區(qū)域匹配率 區(qū)域匹配率表示包含在缺陷區(qū)域中的模板區(qū)域信息的比率。當(dāng)用DefDataSize表
示缺陷區(qū)域信息項(xiàng)的數(shù)量并且用DefComSize表示包含在模板區(qū)域信息項(xiàng)中的缺陷區(qū)域信
息項(xiàng)的數(shù)量時(shí)，區(qū)域匹配率RerRank表示如下。 RerRand = (DefCompSize/DefDataSize)X100 區(qū)域不匹配率 區(qū)域不匹配率表示未包含在缺陷區(qū)域信息中的模板區(qū)域信息的比率。當(dāng)用
TempDataSize表示模板區(qū)域信息項(xiàng)的數(shù)量并且用DefCompSize表示包含在模板區(qū)域信息
項(xiàng)中的缺陷區(qū)域信息項(xiàng)的數(shù)量時(shí)，區(qū)域不匹配率PerWas表示如下。 PerWas = | ((DefCompSize-T卿DataSize) /TempDataSize) X 100 區(qū)域匹配閾值 區(qū)域匹配閾值是區(qū)域匹配率的閾值，并且用作除了區(qū)域匹配率之外的下一項(xiàng)的缺 陷區(qū)域判斷水平的決定因素。隨著模板和缺陷的區(qū)域結(jié)構(gòu)之間的匹配率變高，模板的輸出 優(yōu)先級(jí)增加。
區(qū)域不匹配閾值 區(qū)域不匹配閾值是區(qū)域不匹配率的閾值，并且用作除了不區(qū)域匹配率之外的下一 項(xiàng)的缺陷區(qū)域判斷水平的決定因素。隨著模板和缺陷的區(qū)域結(jié)構(gòu)之間的匹配率變高，模板 的輸出優(yōu)先級(jí)增加。當(dāng)在模板和缺陷的區(qū)域結(jié)構(gòu)之間存在大量不匹配的組件時(shí)，模板的輸 出優(yōu)先級(jí)減小。 在圖19中所示的例子中，左圖示出了模板，而右圖示出了實(shí)際缺陷。在這種情況 下，缺陷區(qū)域的匹配率和缺陷區(qū)域的不匹配率被如下確定。 在左側(cè)模板的缺陷范圍90和右側(cè)實(shí)際缺陷的缺陷范圍100內(nèi)，在層4、6和7(參
見圖13中所示的已登記層組)中存在不匹配點(diǎn)。 缺陷區(qū)域信息項(xiàng)的數(shù)量(DefDataSize) :7 模板區(qū)域信息項(xiàng)的數(shù)量(TempDataSize) :6 與模板匹配的缺陷區(qū)域信息項(xiàng)的數(shù)量(DefcompSize) :5 因此， 區(qū)域匹配率(PerRank)和不匹配率(PerWas)被如下確定。PerRank = (DefCompSize/DefDataSize) X 100 " 71. 4 PerWas = | ((DefCompSize-TempDataSize)/TempDataSize)X100| " 16. 6(關(guān)于缺陷區(qū)域判斷水平) 接著，將描述由缺陷區(qū)域判斷水平計(jì)算單元253進(jìn)行的操作。 缺陷區(qū)域判斷水平是當(dāng)基于上述區(qū)域匹配率和區(qū)域不匹配率將缺陷范圍與設(shè)在 模板中的缺陷范圍進(jìn)行比較時(shí)得到的比較信息的判斷水平。如下將判斷水平分級(jí)。隨著判斷水平提升，缺陷的特征更接近模板的特征。
區(qū)域判斷水平S :被比較的區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)彼此完全相配。 區(qū)域判斷水平A:所有的缺陷區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)都包含在模板區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)中， 但是存在大量的模板區(qū)域信息項(xiàng)(標(biāo)簽元件)。
區(qū)域判斷水平B : (1)所有的模板區(qū)域信息項(xiàng)都包含在缺陷區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)中，但是存在大量的缺 陷區(qū)域信息項(xiàng)，或者 (2)區(qū)域匹配率高于區(qū)域匹配閾值，并且區(qū)域不匹配率低于區(qū)域不匹配閾值(存 在殘留缺陷的可能性) 區(qū)域判斷水平C :被比較的一些區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)彼此相配，但是匹配率不滿足區(qū) 域判斷水平B的標(biāo)準(zhǔn)(不是包含所有的模板區(qū)域信息項(xiàng)并且不滿足閾值的標(biāo)準(zhǔn))，并且模板 具有一些沒(méi)有包括在缺陷區(qū)域信息項(xiàng)中的區(qū)域信息項(xiàng)(存在缺陷位置可能不對(duì)應(yīng)于實(shí)際 缺陷位置的可能性)。 區(qū)域判斷水平D :被比較的區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)完全不匹配(存在缺陷與模板中設(shè)置 的缺陷不同的可能性)。 圖20是示出在區(qū)域匹配閾值被設(shè)置為70%并且區(qū)域不匹配閾值被設(shè)置為30%的 情況下區(qū)域判斷水平(6個(gè))例子的示意圖。應(yīng)該注意的是，在圖20中，在區(qū)域判斷水平 B (2)中，區(qū)域匹配率和區(qū)域不匹配率分別是71. 4%和16. 6% ，而在區(qū)域判斷水平C中，區(qū)域 匹配率和區(qū)域不匹配率分別是50%和50%。 在圖20中，缺陷范圍90是模板所設(shè)置的區(qū)域(參見圖19)，并且缺陷范圍101至
106是實(shí)際缺陷范圍。 缺陷范圍101的情況 實(shí)際缺陷的缺陷范圍101包含在模板的缺陷范圍90中，并且被比較的區(qū)域結(jié)構(gòu)信 息項(xiàng)彼此完全匹配。因此，確定區(qū)域判斷水平為"S"。
缺陷范圍102的情況 實(shí)際缺陷的缺陷范圍102包含在模板的缺陷范圍90中，但是基于區(qū)域匹配率或區(qū) 域不匹配率，確定區(qū)域判斷水平為"A"。
缺陷范圍103的情況 實(shí)際缺陷的缺陷范圍103與模板的缺陷范圍90重疊，并且所有的模板區(qū)域結(jié)構(gòu)信 息項(xiàng)都包含在缺陷區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)中。然而，存在大量的缺陷區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)，由此區(qū)域判 斷水平被確定為"B(1)"。
缺陷范圍104的情況 實(shí)際缺陷的缺陷范圍104與模板的缺陷范圍90重疊，但是區(qū)域匹配率高于區(qū)域匹 配閾值并且區(qū)域不匹配率低于區(qū)域不匹配閾值。因此，區(qū)域判斷水平被確定為"B(2)"。
缺陷范圍105的情況 模板的缺陷位置與實(shí)際缺陷的位置不同。被比較的區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)部分彼此匹 配，但是匹配率不滿足判斷水平B的標(biāo)準(zhǔn)，并且模板包括沒(méi)有包含在缺陷區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng) 中的區(qū)域信息項(xiàng)。因此，區(qū)域判斷水平被確定為"C"。
缺陷范圍106的情況
模板的缺陷位置與實(shí)際缺陷位置完全不同，并且被比較的區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)根本不 匹配。因此，區(qū)域判斷水平被確定為"D"。 在上述缺陷區(qū)域判斷水平中的區(qū)域判斷水平S和A中，缺陷的所有區(qū)域結(jié)構(gòu)信息 項(xiàng)都包含在模板的區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)中，并且模板的區(qū)域信息項(xiàng)(標(biāo)簽元件)的數(shù)量等于或 大于缺陷的數(shù)量。因此，在區(qū)域判斷水平S和A下，能夠可靠地修復(fù)缺陷。
(關(guān)于模板選擇判斷水平) 接著，將描述由模板選擇判斷水平計(jì)算單元254進(jìn)行的處理。 模板選擇判斷水平設(shè)置輸出模板的區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)的匹配條件。模板選擇判斷水
平如下所述地分級(jí)。隨著判斷條件越嚴(yán)格，檢測(cè)率降低，但是認(rèn)為缺陷修復(fù)技術(shù)更準(zhǔn)確。另
外，在選擇判斷水平A和B中，當(dāng)存在多個(gè)要輸出的候選模板時(shí)，優(yōu)先輸出處于較高選擇判
斷水平的模板。 選擇判斷水平S : 從輸出候選中排除與區(qū)域判斷水平S下的模板不同的模板。
選擇判斷水平A: 區(qū)域判斷水平A的模板被設(shè)置為輸出候選。缺陷被修復(fù)，但是可能執(zhí)行不必要的 修復(fù)工藝。
選擇判斷水平B : 在被比較的區(qū)域結(jié)構(gòu)信息項(xiàng)在至少一點(diǎn)(對(duì)于區(qū)域判斷水平C)匹配的情況下，將
模板設(shè)置為輸出候選。不完全確保對(duì)缺陷的修復(fù)，但是可能會(huì)根據(jù)設(shè)置已登記的模板缺陷
區(qū)域的方式來(lái)修復(fù)缺陷。(關(guān)于模板輸出判斷水平) 接著，將描述由模板輸出判斷水平計(jì)算單元255進(jìn)行的處理。 當(dāng)基于模板選擇判斷水平來(lái)檢測(cè)作為輸出候選的多個(gè)模板時(shí)，比較所檢測(cè)的模板 的缺陷的位置信息項(xiàng)，以確定要輸出的模板的優(yōu)先級(jí)次序。應(yīng)該注意的是，可以由操作者手 動(dòng)切換下列輸出判斷水平。
高輸出判斷水平 隨著模板中設(shè)置的缺陷和實(shí)際缺陷的重疊區(qū)域越大，優(yōu)選地輸出該模板。另外，在 模板沒(méi)有與實(shí)際缺陷重疊的缺陷的情況下，即使在確定模板的選擇判斷水平為"S"時(shí)也刪 除模板。 低輸出判斷水平 滿足以下條件的模板被優(yōu)選輸出該模板具有重心坐標(biāo)與實(shí)際缺陷的重心坐標(biāo)接 近的缺陷。 圖21是示出在輸出判斷水平為高的情況下、存在多個(gè)處于相同區(qū)域判斷水平的 模板時(shí)確定優(yōu)先級(jí)次序的例子的示意圖。 在該例子中，針對(duì)輸入的實(shí)際缺陷91的區(qū)域選擇三個(gè)模板。設(shè)在各個(gè)模板中的缺 陷Hl、112和113與實(shí)際缺陷的區(qū)域偏離較大距離，并且具有以所述次序與實(shí)際缺陷重疊 的較小區(qū)域。在這種情況下，以包含缺陷111的模板、包含缺陷112的模板和包含缺陷113 的模板為次序設(shè)定模板的優(yōu)先級(jí)，并且輸出判斷水平為高。因此，分別確定包含缺陷111和 缺陷112的模板為輸出候選。即，即使區(qū)域判斷水平為高，當(dāng)設(shè)在模板中的缺陷沒(méi)有與實(shí)際
19缺陷重疊時(shí)，模板的優(yōu)先級(jí)次序降低。 如上所述，在輸出判斷水平設(shè)置為高的情況下，即使當(dāng)模板的缺陷接近實(shí)際缺陷 時(shí)，如果其缺陷沒(méi)有與實(shí)際缺陷重疊，也刪除該模板。這對(duì)于如下情況是有效的模板中登 記的缺陷位置被精細(xì)設(shè)置從而使修復(fù)點(diǎn)的數(shù)量最小化的情況(圖22)、缺陷區(qū)域被廣泛限 定并且要修復(fù)的缺陷被共享從而使已登記模板的數(shù)量最小化的情況(圖23)、以及假定包 含缺陷的區(qū)域難以修復(fù)的情況(圖24)。 圖22(上圖、中圖和下圖)分別示出了針對(duì)缺陷122a、122b和122c在合適位置設(shè) 置缺陷121a、121b和121c(缺陷對(duì)象)的三個(gè)模板，缺陷122a、122b和122c具有相同的區(qū) 域信息但是分別產(chǎn)生于不同的位置。 在圖23中所示的模板中設(shè)有缺陷123(缺陷對(duì)象)，缺陷123形成得長(zhǎng)從而對(duì)應(yīng)于 長(zhǎng)缺陷124，該長(zhǎng)缺陷124的形狀如同連起來(lái)的圖22中所示的三個(gè)缺陷。應(yīng)該注意的是，當(dāng) 登記了大的缺陷范圍時(shí)，與實(shí)際缺陷的匹配率降低。隨著已登記的缺陷范圍越小，與實(shí)際缺 陷的匹配率增大。 圖24中所示的缺陷125與掃描布線41及供電布線43B和43G重疊，并且位于難 以修復(fù)并應(yīng)該仔細(xì)處理的區(qū)域內(nèi)(參見圖12)。在這種情況下，除了缺陷的位置和尺寸之 外，還要考慮層結(jié)構(gòu)。結(jié)果，用于斷開連接的缺陷對(duì)象127-1和127-2以及用于連接的缺陷 對(duì)象126選擇被設(shè)置的模板，從而使得可以在不損壞布線圖案的情況下執(zhí)行適當(dāng)?shù)男迯?fù)。
另外，在輸出判斷水平為低的情況下，當(dāng)一個(gè)缺陷修復(fù)技術(shù)可以應(yīng)用于廣泛范圍 時(shí)或者當(dāng)缺陷的位置可被確定時(shí)是有效的。 在圖25中所示的例子中，缺陷128位于電容器45G內(nèi)。在該例子中，缺陷128完 全位于特定的層區(qū)域內(nèi)，并且可以容易地指明層結(jié)構(gòu)。因此，降低了對(duì)復(fù)雜輸出判斷水平的需要。 另外，在輸出判斷水平為低的情況下，以與缺陷重心坐標(biāo)的距離為次序來(lái)選擇所 有的模板。還可以從這些模板中選擇在另一條件下優(yōu)先級(jí)次序?yàn)楦叩哪０??？晒┻x擇地， 還可以在操作者檢查顯示器127上顯示的對(duì)應(yīng)模板時(shí)，S卩，在操作者將模板作為字典來(lái)查 詢時(shí)，執(zhí)行修復(fù)。 根據(jù)以上實(shí)施例，在已登記的重復(fù)圖案中構(gòu)造的已登記區(qū)域信息被定義，并且比 較實(shí)際缺陷和缺陷修復(fù)技術(shù)(模板)之間的區(qū)域信息項(xiàng)(組成成分)，其結(jié)果是可以從已登 記的缺陷修復(fù)技術(shù)中自動(dòng)選擇最佳缺陷修復(fù)技術(shù)并且執(zhí)行該技術(shù)。 另外，通過(guò)即使已登記的缺陷修復(fù)技術(shù)在電學(xué)定義方面與缺陷匹配時(shí)也刪除不合
適的缺陷修復(fù)技術(shù)，防止了缺陷修復(fù)技術(shù)被錯(cuò)誤檢出，并且可以輸出合適的缺陷修復(fù)技術(shù)。 另外，即使當(dāng)存在用于特定缺陷的多種缺陷修復(fù)技術(shù)時(shí)，通過(guò)將區(qū)域信息登記在
缺陷范圍內(nèi)并且將其與模板的區(qū)域信息進(jìn)行比較，可以從針對(duì)電學(xué)上相同缺陷的缺陷修復(fù)
技術(shù)中，以優(yōu)先級(jí)的次序選擇最佳缺陷修復(fù)技術(shù)。結(jié)果，改進(jìn)了缺陷修復(fù)的準(zhǔn)確性。
S卩，在本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)然可以使用基板中的特定電路信息。但是，本發(fā)明的
實(shí)施例專用于獨(dú)有區(qū)域判斷，該區(qū)域判斷除了電路信息和表面缺陷信息之外還設(shè)置布線部
分中的任意區(qū)域，這對(duì)于缺陷修復(fù)技術(shù)是最佳的。 〈2.修改的例子>(第一修改例子等電位區(qū)域和組合區(qū)域)
圖26是其中多個(gè)布線圖案形成在基板3上的重復(fù)圖案的圖案圖示，其與圖11的 不同之處在于，不同的層(例如，層4和另一層)通過(guò)接觸孔131等連接以形成等電位表面。
在圖27中，左圖示出了基于層4(圖像74，參見圖13)示出的層(圖像135A)的例 子。在該例子中，用其中層4的布線132G和132B與另一層的布線133G和133B通過(guò)接觸 孔131彼此連接的區(qū)域，表示供電布線。 另一方面，在圖27中，右圖示出基于層4(圖像74，參見圖13)示出的層(圖像 135B)的例子。在該例子中，層4的布線132G和132B與另一層的布線133G和133B通過(guò) 接觸孔131彼此連接，其結(jié)果是得到了等電位區(qū)域。布線132G1和132B1是等電位的，布線 132G1和132B1被分別設(shè)為與構(gòu)成供電布線的布線132G和132B相對(duì)。
圖28是示出了與圖26和圖27中所示的例子相對(duì)應(yīng)的布線部分2的層結(jié)構(gòu)(已 登記的層組)的示意圖。 在這些例子中，與圖13中所示的層結(jié)構(gòu)不同，增加了包括布線133G和133B的層 (圖像141)。另外，添加了其中形成有接觸孔131的層(圖像142)，以替代層5(圖像75， 參見圖13)。 在布線圖案的情況下，將通過(guò)組合特定層得到的區(qū)域登記作為用于判斷的區(qū)域， 或者用現(xiàn)有層替代等電位區(qū)域而被登記，其結(jié)果是可以簡(jiǎn)化地圖數(shù)據(jù)的檢索并且可以縮小 數(shù)據(jù)區(qū)域。通過(guò)除了圖13中所示的現(xiàn)有層之外，還將通過(guò)圖29中右圖所示的接觸孔連接 的區(qū)域(通過(guò)組合特定標(biāo)簽得到的區(qū)域)登記作為用于判斷的區(qū)域，得到圖28中所示的已
登記層組。 圖30是示出基于圖29中左圖所示的等電位區(qū)域來(lái)取代圖13中所示的現(xiàn)有層中
的區(qū)域的已登記層組的示意圖。(第二修改例子任意區(qū)域的指定) 圖31是示出了任意選擇特定區(qū)域的例子的示意圖。S卩，從布線部分2的圖像70中 選擇TFT元件44R、44G和44B并且登記新的區(qū)域161R、161G和161B，從而形成層160。圖 32示出了向圖13中所示的現(xiàn)有層結(jié)構(gòu)添加另外形成的層160的狀態(tài)。
該層用于將存在/不存在任意區(qū)域的信息登記在特定坐標(biāo)中，因此可以不根據(jù)電 路設(shè)計(jì)信息來(lái)對(duì)區(qū)域執(zhí)行判斷。因此，布線圖案中的特定組件的區(qū)域被組合，并且設(shè)置用于 缺陷修復(fù)的獨(dú)有區(qū)域以供判斷，其結(jié)果是可以提高模板的檢測(cè)準(zhǔn)確性。另外，在沒(méi)有電路 信息的情況下利用通過(guò)拍攝從實(shí)際圖像能得到的區(qū)域而得到的圖像作為替代，可以檢索模 板。 上述實(shí)施例是用于執(zhí)行本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的具體例子，因此施加了在技術(shù)上期 望的各種限制。然而，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例，只要以上實(shí)施例不包括特別限制本發(fā)明的 描述。因此，例如，以上描述中所使用的材料和所使用的材料量、處理時(shí)間、處理順序、各種 參數(shù)的數(shù)值條件等只是期望的例子。另外，以上描述的附圖中的尺寸、大小、位置關(guān)系等是 示意性的并且只是實(shí)施例的例子。本發(fā)明不限于以上實(shí)施例，并且在不脫離本發(fā)明思想的 情況下可以進(jìn)行各種變化或修改。 另外，在以上實(shí)施例中，描述了對(duì)平板顯示器的玻璃基板上形成的設(shè)計(jì)圖案執(zhí)行 缺陷修復(fù)的情況，但是修復(fù)目標(biāo)不限于該例子。例如，根據(jù)本發(fā)明的缺陷修復(fù)可以應(yīng)用于作 為修復(fù)目標(biāo)的基板上形成的預(yù)定圖案，例如半導(dǎo)體晶片、光掩模和磁盤。
圖6中所示的控制單元201通過(guò)由諸如MPU之類的處理單元執(zhí)行非易失性存儲(chǔ)器 上記錄的程序而實(shí)現(xiàn)了預(yù)想的功能?？蛇x擇地，可以通過(guò)使用單獨(dú)的程序來(lái)實(shí)現(xiàn)圖6中所 示的功能塊。另外，可以通過(guò)一個(gè)程序來(lái)實(shí)現(xiàn)多個(gè)功能塊。另外，可以通過(guò)使用硬件來(lái)實(shí)現(xiàn) 圖6中所示的功能塊。 另外，修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225可以不設(shè)在缺陷修復(fù)裝置200中，而設(shè)在遠(yuǎn)程服務(wù)器 中。通過(guò)借助諸如LAN和因特網(wǎng)之類的網(wǎng)絡(luò)對(duì)修復(fù)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)225進(jìn)行訪問(wèn)，可以獲得缺 陷修復(fù)技術(shù)。 本申請(qǐng)包含與2008年10月22日在日本專利局提交的日本優(yōu)選權(quán)專利申請(qǐng)JP 2008-272528中公開的主題相關(guān)的主題，該專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
權(quán)利要求
一種缺陷修復(fù)裝置，包括缺陷檢測(cè)單元，用于檢查其上形成有重復(fù)圖案的多層基板，并且提取關(guān)于所述重復(fù)圖案中的缺陷的位置信息以及關(guān)于所述缺陷的特征信息；數(shù)據(jù)庫(kù)，多個(gè)缺陷修復(fù)技術(shù)被登記在該數(shù)據(jù)庫(kù)中；缺陷修復(fù)單元，用于利用指定的缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)修復(fù)所述多層基板的缺陷；控制單元，用于基于所述多層基板的層結(jié)構(gòu)從所述數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取針對(duì)所述缺陷檢測(cè)單元檢測(cè)出的缺陷的缺陷修復(fù)技術(shù)，并且控制利用該缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)修復(fù)所述缺陷的所述缺陷修復(fù)單元。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷修復(fù)裝置，其中，所述控制單元將實(shí)際缺陷的區(qū)域信息即第一區(qū)域信息的組成和與所述重復(fù)圖案中的缺陷對(duì)應(yīng)的預(yù)先登記的區(qū)域信息即第二區(qū)域信 息的組成進(jìn)行比較，以基于比較結(jié)果從所述數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取所述缺陷修復(fù)技術(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的缺陷修復(fù)裝置，其中，所述區(qū)域信息的組成包括層信息和標(biāo)簽信息，所述層信息表示關(guān)于組成所述多層基板的各個(gè)層的信息，所述標(biāo)簽信息表示關(guān)于組成所述層的各個(gè)區(qū)域即標(biāo)簽的信息。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的缺陷修復(fù)裝置，其中，所述層信息包括表示層的次序的層ID、層名稱、層中的標(biāo)簽數(shù)，并且其中，所述標(biāo)簽信息包括標(biāo)簽ID和層ID，所述標(biāo)簽ID用于識(shí)別所述層中的標(biāo)簽，所述層ID表示包括所述標(biāo)簽的層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的缺陷修復(fù)裝置，其中，所述數(shù)據(jù)庫(kù)中登記有地圖數(shù)據(jù)，該地圖數(shù)據(jù)是如下得到的將已被登記為區(qū)域信息的組成的層信息和標(biāo)簽信息展開為所述重復(fù)圖案中的坐標(biāo)值。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷修復(fù)裝置，其中，所述控制單元包括區(qū)域信息獲得單元，用于獲得所述缺陷的區(qū)域信息即第一區(qū)域信息；區(qū)域匹配率/不匹配率計(jì)算單元，用于計(jì)算由所述區(qū)域信息獲得單元獲得的第一區(qū)域信息和所述重復(fù)圖案中的預(yù)先登記的區(qū)域信息即第二區(qū)域信息之間的區(qū)域匹配率和區(qū)域不匹配率；缺陷區(qū)域判斷水平計(jì)算單元，用于基于預(yù)定的閾值來(lái)判斷由所述區(qū)域匹配率/不匹配率計(jì)算單元計(jì)算出的區(qū)域匹配率和區(qū)域不匹配率的水平；模板選擇判斷水平計(jì)算單元，用于基于所述缺陷區(qū)域判斷水平計(jì)算單元的判斷結(jié)果來(lái)選擇表示缺陷修復(fù)技術(shù)的模板；模板輸出判斷水平計(jì)算單元，用于基于預(yù)定的判斷水平，確定由所述模板選擇判斷水平計(jì)算單元所選擇的模板的輸出優(yōu)先次序；以及缺陷修復(fù)執(zhí)行單元，用于利用基于所述模板輸出判斷水平計(jì)算單元所確定的優(yōu)先次序的缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)控制所述缺陷修復(fù)單元。
7. —種缺陷修復(fù)方法，包括第一步驟，檢測(cè)其上形成有重復(fù)圖案的多層基板，并且提取關(guān)于所述重復(fù)圖案中的缺陷的位置信息和關(guān)于所述缺陷的特征信息；第二步驟，基于所述多層基板的層結(jié)構(gòu)，從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取針對(duì)第一步驟中檢測(cè)出的缺陷的缺陷修復(fù)技術(shù)；以及第三步驟，控制利用第二步驟中所讀取的缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)修復(fù)所述缺陷的缺陷修復(fù)單兀。
全文摘要
本發(fā)明涉及缺陷修復(fù)裝置和缺陷修復(fù)方法。該缺陷修復(fù)裝置包括缺陷檢測(cè)單元、數(shù)據(jù)庫(kù)、缺陷修復(fù)單元和控制單元。缺陷檢測(cè)單元檢查其上形成有重復(fù)圖案的多層基板，并且提取關(guān)于重復(fù)圖案中的缺陷的位置信息和關(guān)于缺陷的特征信息。多個(gè)缺陷修復(fù)技術(shù)被登記在數(shù)據(jù)庫(kù)中。缺陷修復(fù)單元利用指定的缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)修復(fù)多層基板的缺陷?？刂茊卧x取針對(duì)缺陷檢測(cè)單元檢測(cè)出的缺陷的缺陷修復(fù)技術(shù)，并且利用該缺陷修復(fù)技術(shù)來(lái)控制修復(fù)缺陷的缺陷修復(fù)單元。
文檔編號(hào)B23K26/00GK101726951SQ20091020421
公開日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2009年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月22日
發(fā)明者筒井亞希子 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社