制造具有增強(qiáng)的缺陷可修復(fù)性的集成電路的方法
【專利說明】制造具有增強(qiáng)的缺陷可修復(fù)性的集成電路的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本發(fā)明與2014年3月12日提交的標(biāo)題為“遠(yuǎn)紫外光刻工藝和掩模(An ExtremeUltrav1let Lithography Process and Mask) ” 的第 14/206，516 號專利申請相關(guān)，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及制造具有增強(qiáng)的缺陷可修復(fù)性的集成電路的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了快速的發(fā)展。IC材料和設(shè)計中的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生出了一代又一代1C，其中每代IC都具有比前一代更小更復(fù)雜的電路。在IC發(fā)展期間，功能密度(即，單位芯片面積的互連器件的數(shù)量)普遍增大，而幾何尺寸(即，使用制造工藝可以產(chǎn)生的最小組件(或線))減小。這種按比例縮小工藝通常通過增加生產(chǎn)效率以及降低相關(guān)成本提供益處。這樣的按比例縮小也增加了 IC處理和制造的復(fù)雜性。為了實現(xiàn)這些進(jìn)步，需要對IC處理和制造進(jìn)行類似發(fā)展。例如，對實施較高分辨率的光刻工藝的需求的增加。用于解決這種需求的一種光刻技術(shù)是超紫外線光刻(EUVL)。其他技術(shù)包括X射線光刻、離子束投影光刻、電子束投影光刻和多電子束無掩模光刻。
[0005]EUVL采用掃描儀，該掃描儀使用在超紫外線(EUV)區(qū)中的波長為約Inm至10nm的光。除了 EUV掃描儀使用反射光學(xué)組件(例如，反射鏡)而光學(xué)掃描儀使用折射光學(xué)組件(例如，透鏡)之外，類似于一些光學(xué)掃描儀，一些EUV掃描儀提供的4X縮小的投影印刷。EUV掃描儀在形成在反射掩模上的吸收層(“EUV”掩模吸收層)上提供期望的圖案。在EUVL中使用的掩模出現(xiàn)了新的挑戰(zhàn)。例如，在EUVL掩模中使用的多層(ML)結(jié)構(gòu)以及在EUV掩模的襯底的表面上的微觀不平度(例如，由缺陷引起)可以使隨后沉積在其上的膜變形。當(dāng)入射光從變形區(qū)反射時，其可以經(jīng)歷相對于從通常形成的區(qū)域反射的光的相位差。有時缺陷引起的相位差接近180°，稱作相位缺陷。相位缺陷可能影響印刷保真度，并導(dǎo)致襯底上的嚴(yán)重的圖案失真。期望提供一種有效并可行的方法以減少和/或減輕印刷性能的相位缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，辦發(fā)明提供了一種用于超紫外線光刻(EUVL)的方法，包括:將掩模裝載到光刻系統(tǒng)，其中，所述掩模包括:反射區(qū)；不透明區(qū)；缺陷修復(fù)區(qū)，位于所述反射區(qū)中的缺陷上方；以及吸收層缺少(ALA)區(qū)，位于所述不透明區(qū)中；根據(jù)照明模式在所述光刻系統(tǒng)中配置光瞳濾波器；以及在所述照明模式中通過所述光刻系統(tǒng)對具有所述掩模和所述光瞳濾波器的目標(biāo)實施光刻曝光工藝，其中，所述光瞳濾波器阻擋了從所述掩模反射的一定量的反射光，從而曝光所述目標(biāo)。
[0007]在上述方法中，其中，所述掩模包括:反射多層(ML)，設(shè)置在掩模襯底上；吸收層，設(shè)置在所述反射ML上，并且根據(jù)IC圖案圖案化所述吸收層，其中，圖案化的吸收層包括所述反射區(qū)和所述不透明區(qū)；以及所述缺陷修復(fù)區(qū)。
[0008]在上述方法中，其中，所述掩模包括:反射多層(ML)，設(shè)置在掩模襯底上；吸收層，設(shè)置在所述反射ML上，并且根據(jù)IC圖案圖案化所述吸收層，其中，圖案化的吸收層包括所述反射區(qū)和所述不透明區(qū)；以及所述缺陷修復(fù)區(qū)；通過以下步驟形成所述缺陷修復(fù)區(qū):在所述反射區(qū)中的所述缺陷之上沉積所述吸收層；以及去除所述缺陷區(qū)附近的所述吸收層的一部分以在所述不透明區(qū)中形成所述ALA區(qū)。
[0009]在上述方法中，其中，所述掩模包括:反射多層(ML)，設(shè)置在掩模襯底上；吸收層，設(shè)置在所述反射ML上，并且根據(jù)IC圖案圖案化所述吸收層，其中，圖案化的吸收層包括所述反射區(qū)和所述不透明區(qū)；以及所述缺陷修復(fù)區(qū)；通過以下步驟形成所述缺陷修復(fù)區(qū):在所述反射區(qū)中的所述缺陷之上沉積所述吸收層；以及去除所述缺陷區(qū)附近的所述吸收層的一部分以在所述不透明區(qū)中形成所述ALA區(qū)；從所述ALA區(qū)到所述缺陷修復(fù)區(qū)的距離為所述缺陷修復(fù)區(qū)的寬度，所述寬度為約20nm。
[0010]在上述方法中，其中，設(shè)置照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有沿軸線的偶極圖案的照明模式。
[0011]在上述方法中，其中，設(shè)置照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有沿軸線的偶極圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有開口，所述開口具有沿所述軸線的第一寬度。
[0012]在上述方法中，其中，設(shè)置照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有沿軸線的偶極圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有開口，所述開口具有沿所述軸線的第一寬度；所述第一寬度大于所述偶極圖案的直徑，但是所述第一寬度小于所述照明模式的直徑的約50%。
[0013]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有類星體圖案的照明模式。
[0014]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有類星體圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有兩個彼此平行的開口，所述開口具有第二寬度。
[0015]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有類星體圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有兩個彼此平行的開口，所述開口具有第二寬度；所述第二寬度大于所述類星體圖案的直徑，但是所述第二寬度小于所述照明模式的直徑的約25%。
[0016]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有圓盤狀圖案的照明模式。
[0017]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有圓盤狀圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有開口，所述開口具有第三寬度。
[0018]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個可切換的反射鏡以實現(xiàn)具有圓盤狀圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有開口，所述開口具有第三寬度；所述第三寬度大于所述圓盤狀圖案的直徑，但是所述第三寬度小于所述照明模式的直徑的約 50%。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種用于超紫外線光刻(EUVL)工藝的方法，包括:將掩模裝載到光刻系統(tǒng)；根據(jù)照明模式在所述光刻系統(tǒng)中配置光瞳濾波器；以及在所述照明模式中通過所述光刻系統(tǒng)對具有所述掩模和所述光瞳濾波器的目標(biāo)實施光刻曝光工藝，其中，所述光瞳濾波器阻擋了從所述掩模反射的一定量的反射光，從而曝光所述目標(biāo)。
[0020]在上述方法中，其中，根據(jù)所述照明模式的偶極照明圖案將所述光瞳濾波器配置為具有開口，其中，所述開口的寬度大于所述偶極照明圖案的直徑，但是所述開口的寬度小于所述照明模式的直徑的約50%。
[0021]在上述方法中，其中，根據(jù)所述照明模式的類星體照明圖案將所述光瞳濾波器配置為具有彼此平行的兩個開口，其中，所述開口的寬度大于所述類星體照明圖案的直徑，但是所述開口的寬度小于所述照明模式的直徑的約25%。
[0022]在上述方法中，其中，根據(jù)所述照明模式的圓盤狀照明圖案將所述光瞳濾波器配置為具有開口，其中，所述開口的寬度大于所述圓盤狀照明圖案的直徑，但是所述開口的寬度小于所述照明模式的直徑的約50%。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種用于超紫外線光刻(EUVL)工藝的方法，包括:將掩模裝載到光刻系統(tǒng)，其中，所述掩模包括位于第一區(qū)域中的缺陷上方的缺陷修復(fù)區(qū)和位于第二區(qū)域中的吸收層缺少(ALA)區(qū)，所述吸收層缺少(ALA)區(qū)與所述缺陷修復(fù)區(qū)分隔開一定距離，并且所述掩模限定了位于其上的集成電路(IC)圖案；根據(jù)照明模式的偶極圖案將所述光刻系統(tǒng)中的光瞳濾波器配置為具有開口 ；以及在具有所述偶極圖案的所述照明模式中通過所述光刻系統(tǒng)對具有所述掩模和所述光瞳濾波器的目標(biāo)實施光刻曝光工藝，其中，所述光瞳濾波器阻擋了從所述掩模反射的一定量的反射光，從而曝光所述目標(biāo)。
[0024]在上述方法中，其中，通過以下步驟形成所述缺陷修復(fù)區(qū):在所述反射區(qū)中的缺陷區(qū)上方沉積吸收層；以及去除所述缺陷區(qū)附近的所述吸收層的一部分，以在所述不透明區(qū)中形成吸收層缺少(ALA)區(qū)，其中，形成的所述ALA區(qū)與所述缺陷區(qū)具有一定距離，其中，所述距離為