,Cr的氧化物和Cr的氮化物。對(duì)于緩沖層而言，通常選擇低溫沉積工藝以防止ML120的相互擴(kuò)散。
[0045]掩模36也包括在保護(hù)層130上方形成的吸收層140。在本實(shí)施例中，吸收層140吸收投影到圖案化的掩模上的EUV波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射。吸收層140包括多個(gè)薄膜層，其中每層薄膜包含鉻、氧化鉻、氮化鉻、鈦、氧化鈦、氮化鈦、鉭、氧化鉭、氮化鉭、氮氧化鉭、氮化鉭硼、氧化鉭硼、氮氧化鉭硼、鋁、鋁-銅、氧化鋁、銀、氧化銀、鈀、釕、鑰、其他合適的材料、或上述一些材料的混合物。利用多個(gè)薄膜層的合適的配置，吸收層140將在隨后的蝕刻工藝中通過(guò)每層薄膜的不同的蝕刻特性提供工藝靈活性。
[0046]然后，根據(jù)IC布局圖案(或簡(jiǎn)單的IC圖案)圖案化吸收層140。圖案化吸收層140以限定不透明區(qū)150和反射區(qū)160。在不透明區(qū)150中，保留吸收層140，而在反射區(qū)160中，去除吸收層140。
[0047]在本實(shí)施例中，掩模36包括至少一個(gè)缺陷115。缺陷115可以包括諸如位于LTEM襯底110的表面上(位于反射ML120的下方)或嵌入到反射ML120中的凸塊或凹陷的東西?？梢栽谥圃霯TEM襯底110、反射ML120期間或任何其他工藝期間形成缺陷115。缺陷115可以導(dǎo)致位于其上方的所有隨后的層的局部變形，從而形成變形區(qū)，稱(chēng)作缺陷區(qū)170。在本實(shí)施例中，至少一個(gè)反射區(qū)160包括缺陷區(qū)170。缺陷區(qū)170可以對(duì)從缺陷區(qū)170所在的反射區(qū)160反射的光線的相位產(chǎn)生很大的影響。這就是缺陷區(qū)170也稱(chēng)作相位缺陷區(qū)170的原因。例如，假設(shè)共形沉積所有隨后的層，輻射源32的波長(zhǎng)的四分之一的高度或深度的缺陷115可以導(dǎo)致從這個(gè)區(qū)反射的光線的180°的相位誤差。實(shí)際上，180°的相位誤差的相對(duì)小的部分(例如，30° )可以對(duì)光刻工藝窗口具有顯著影響或甚至引起圖案化保真度問(wèn)題。因此，期望無(wú)缺陷的LTEM襯底110和無(wú)缺陷的反射ML120。然而，這在掩模制造中產(chǎn)生了約束并且可以使掩模制造變得更加昂貴。本發(fā)明提供了方法200以降低相位缺陷區(qū)170的影響。方法200的一部分是修復(fù)掩模，其將在方法200的第一子集中進(jìn)行描述，并且方法200的另一部分是使用具有設(shè)計(jì)的光瞳濾波器(pupil filer)圖案的修復(fù)的掩模(在方法200的第一子集中修復(fù))應(yīng)用光刻工藝，其將在方法200的第二子集中進(jìn)行描述。
[0048]圖3是超紫外線光刻(EUVL)工藝的步驟的第一子集的流程圖，該子集稱(chēng)作方法200A。方法200A可以用于修復(fù)根據(jù)一些實(shí)施例構(gòu)建的EUV掩模。圖4至圖6是方法200A的各個(gè)修復(fù)階段的圖案化的EUV掩模的圖解頂視圖。
[0049]參照?qǐng)D3和圖4，方法200A開(kāi)始于步驟302:接收掩模36。掩模36包括不透明區(qū)150、反射區(qū)160和位于反射區(qū)160中的至少一個(gè)缺陷區(qū)170。
[0050]參照?qǐng)D3，方法200A進(jìn)行至步驟304:確定缺陷區(qū)170的位置和形狀?？梢酝ㄟ^(guò)原子力顯微鏡(AFM)、空間圖像測(cè)量系統(tǒng)(aerial image metrology system, AIMS?,卡爾蔡司(Carl Zeiss)公司生產(chǎn))或其他缺陷測(cè)量工具檢測(cè)缺陷區(qū)170的位置和形狀。2D信息位于平行于LTEM襯底110的表面的平面中。在可選實(shí)施例中，可以使用缺陷區(qū)170的詳細(xì)的三維(3D)輪廓，該輪廓對(duì)于更精確地確定產(chǎn)生的相位誤差是必要的。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)到缺陷區(qū)170具有沿著不透明區(qū)150的方向的第一寬度Wl。
[0051]參照?qǐng)D3和圖5，方法200A進(jìn)行至步驟306:實(shí)施局部沉積以用吸收材料410覆蓋缺陷區(qū)170。在由吸收材料410覆蓋之后，缺陷區(qū)170中的反射率變小，例如，小于3%。這樣，不管缺陷區(qū)170多大，相移均減小。吸收材料410可以包含鉻、氧化鉻、氮化鉻、鈦、氧化鈦、氮化鈦、鉭、氧化鉭、氮化鉭、氮氧化鉭、氮化鉭硼、氧化鉭硼、氮氧化鉭硼、鋁、鋁-銅、氧化鋁、銀、氧化銀、鈀、釕、鑰、其他合適的材料、或上述一些材料的混合物。通過(guò)使用氣體輔助聚焦電子束誘導(dǎo)沉積或任何其他合適的方法局部沉積吸收材料410。在一個(gè)實(shí)施例中，沉積的吸收材料140的形狀與缺陷區(qū)170相對(duì)應(yīng)。由吸收材料410覆蓋的缺陷區(qū)170轉(zhuǎn)變?yōu)槿毕菪迯?fù)區(qū)175。
[0052]參照?qǐng)D3和圖6，方法200A進(jìn)行至步驟308:去除吸收層140的一部分以形成吸收層缺少(ALA)區(qū)420。ALA區(qū)420提供額外的反射光線以補(bǔ)償由缺陷修復(fù)區(qū)175引起的強(qiáng)度損耗。通過(guò)諸如聚焦離子束蝕刻或聚焦電子束誘導(dǎo)蝕刻的合適的技術(shù)形成ALA區(qū)420。可以在不鄰近缺陷修復(fù)區(qū)175的合適的區(qū)域中形成ALA區(qū)420以避免缺陷區(qū)170的不利影響。換句話(huà)說(shuō)，與缺陷區(qū)170相比，ALA區(qū)420選擇為更加沒(méi)有缺陷的區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)ALA區(qū)420都通過(guò)距離d與缺陷修復(fù)區(qū)175分隔開(kāi)，并且距離大于約20nm。ALA區(qū)420的范圍與缺陷修復(fù)區(qū)175的位置和形狀相關(guān)?？蛇x地，可以通過(guò)包含空間圖像或光刻膠圖像測(cè)量(通過(guò)用于掩模的AIMS或通過(guò)用于晶圓的SEM)和掩模修復(fù)的反饋回路確定ALA區(qū)420的范圍。如果提供了精確的模型，也可以采用仿真。在完成修復(fù)工藝之后，將修復(fù)的掩模36稱(chēng)為修復(fù)的掩模37。
[0053]在方法200A之前、期間和之后可以提供額外的步驟，并且對(duì)于方法200A的額外的實(shí)施例，可以替換、消除或移動(dòng)所描述的一些步驟。
[0054]圖7是上面討論的EUVL工藝的步驟的第二子集的流程圖，該第二子集稱(chēng)為方法200B。在各個(gè)實(shí)施例中，在根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)建的集成電路制造中，使用方法200B實(shí)施光刻工藝。圖8A至圖8C示出了通過(guò)方法200B實(shí)現(xiàn)的照明圖案的示意圖。圖9A至圖9C示出了通過(guò)方法200B實(shí)現(xiàn)的過(guò)濾圖案的示意圖。
[0055]參照?qǐng)D1和圖7，方法200B包括操作602:將修復(fù)的掩模37裝載到光刻系統(tǒng)10。方法200B中的操作602還可以包括其他步驟，諸如在將修復(fù)的掩模37固定在掩模臺(tái)上之后的進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
[0056]方法200B也包括操作604，以將目標(biāo)40裝載到光刻系統(tǒng)10的襯底臺(tái)42。在本實(shí)施例中，目標(biāo)40是諸如硅晶圓的半導(dǎo)體襯底。目標(biāo)40涂有對(duì)EUV光敏感的光刻膠層。通過(guò)光刻曝光工藝圖案化光刻膠層，使得修復(fù)的掩模37的IC設(shè)計(jì)布局(IC圖案)轉(zhuǎn)印到光刻膠層。
[0057]參照?qǐng)D1和圖7，方法200B也包括操作606:在光刻系統(tǒng)10中配置光瞳濾波器。光瞳濾波器配置在光刻系統(tǒng)10的光瞳平面中。在圖像光學(xué)系統(tǒng)中，存在具有與對(duì)象(在當(dāng)前情況下的修復(fù)的掩模37)的傅里葉變換相對(duì)應(yīng)的場(chǎng)分布的平面。該平面就是所謂的光瞳平面。將光瞳濾波器放置在光瞳平面中以從修復(fù)的掩模37過(guò)濾掉EUV光的預(yù)定部分。光瞳濾波器允許反射光的一部分穿過(guò)以曝光目標(biāo)40，從而降低缺陷區(qū)170的分辨率。
[0058]在本實(shí)施例中，照明器34包括各種可切換的反射鏡或具有其他合適機(jī)制的反射鏡以調(diào)節(jié)EUV光從這些反射鏡的反射。在本實(shí)施例的促進(jìn)下，通過(guò)在照明臺(tái)中配置的可切換的反射鏡實(shí)現(xiàn)離軸照明模式，諸如將來(lái)自輻射源32的EUV光引導(dǎo)至圖案(諸如在圖8A至圖SC中示出的那些圖案)以實(shí)現(xiàn)離軸照明。
[0059]照明模式可以包括不同的圖案，諸如在圖8A至圖SC中的那些實(shí)例。為了在光刻曝光工藝期間增強(qiáng)EUV光的強(qiáng)度的預(yù)期的目的，根據(jù)限定在修復(fù)的掩模37上的IC圖案確定照明圖案。
[0060]在圖8A中，照明模式具有位于軸線上的偶極(dipole)圖案，其中偶極部分531代表“導(dǎo)通”狀態(tài)(照明)的部分而其他部分處于“截止”狀態(tài)(阻擋)。換句話(huà)說(shuō)，到達(dá)偶極部分531的EUV光將被引導(dǎo)至修復(fù)的掩模37，而到達(dá)“截止”部分的EUV光將會(huì)被阻擋。
[0061]在圖8B中，照明模式具有類(lèi)星體(quasar)的圖案532，其中，類(lèi)星體部分533處于“導(dǎo)通”狀態(tài)，而剩余部分處于“截止”狀態(tài)。換句話(huà)說(shuō)，到達(dá)類(lèi)星體部分533的EUV光將被引導(dǎo)至修復(fù)的掩模37，而到達(dá)剩余部分的EUV光將會(huì)被阻擋。
[0062]在圖SC中，照明模式具有圓盤(pán)狀圖案534，其中圓盤(pán)狀部分535代表“導(dǎo)通”狀態(tài)(照明)的部分而其他部分處于“截止”狀態(tài)(阻擋)。換句話(huà)說(shuō)，到達(dá)圓盤(pán)狀部分535的EUV光將被引導(dǎo)至修復(fù)的掩模37，而到達(dá)“截止”部分的EUV光將會(huì)被阻擋