專利名稱：發(fā)光二極管及包含該發(fā)光二極管的光條及側(cè)光式背光模塊的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及包含該發(fā)光二極管的光條及側(cè)光式背光模塊，特別 是一種具有側(cè)壁的發(fā)光二極管及包含該發(fā)光二極管的光條及側(cè)光式背光模塊。
背景技術(shù)：
參考圖1，顯示現(xiàn)有光條(Light Bar)的立體示意圖。該光條1包括一基板10以 及多個發(fā)光二極管20。所述發(fā)光二極管20排列于該基板10上，每一該發(fā)光二極管20包 括一殼體21、一發(fā)光面22、至少一晶片23及一膠材24。該殼體21具有一容置空間211，且 該膠材24填充于該容置空間211內(nèi)。該膠材24包含至少一螢光粉(例如可以發(fā)出白、紅、 藍、黃光等的螢光粉)。該發(fā)光面22覆蓋該容置空間211的開口。通常該發(fā)光面22即為該膠材24的表 面。該晶片23配置于該容置空間211內(nèi)，用以產(chǎn)生光線，且被該膠材24所覆蓋。參考圖2，顯示現(xiàn)有側(cè)光式背光模塊的剖視示意圖。該背光模塊3包括該光條1 (圖 1)及一導光板31。該導光板31具有一入光面311。該光條1面對該入光面311，使得所述 發(fā)光二極管20所發(fā)出的光線可以照射到該入光面311，而進入該導光板31。參考圖3及圖4，分別顯示現(xiàn)有光條中發(fā)光二極管于水平方向及垂直方向的光包 圖，其中平行于圖2的紙面的方向定義為于垂直方向，垂直該發(fā)光面22及圖2紙面的方向 定義為于水平方向。由圖3及圖4可看出每一該發(fā)光二極管20于水平及垂直方向的出光 角度皆相同(皆為120度)。該背光模塊3的缺點如下。由于液晶電視薄型化的趨勢，該導光板31設計越來越 薄，如圖2所示，當該導光板31的厚度小于所述發(fā)光二極管20的寬度時，所述發(fā)光二極管 20的投射面積會大于該導光板31的入光面311的面積，導致部分由所述發(fā)光二極管20所 發(fā)出的光線并沒有經(jīng)由該入光面311進入該導光板31，亦即所述發(fā)光二極管20所發(fā)出的光 線并沒有完全進入該導光板31，如此會造成能量的損失。因此，有必要提供一創(chuàng)新且富進步性的發(fā)光二極管及包含該發(fā)光二極管的光條及 側(cè)光式背光模塊，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，其包括一殼體、一發(fā)光面、至少一晶片及至少一側(cè) 壁。該殼體具有一容置空間。該至少一晶片配置于該容置空間內(nèi)，用以產(chǎn)生光線。該至少 一側(cè)壁位于該殼體的表面。該發(fā)光面形成于該容置空間的開口。每一該側(cè)壁具有一內(nèi)側(cè)面 用以反射該至少一晶片的光線，其中該至少一側(cè)壁的頂端高于該發(fā)光面。本發(fā)明另提供一種光條，其包括一基板及上述的發(fā)光二極管。本發(fā)明另提供一種側(cè)光式背光模塊，其包括一導光板及上述的光條。由此，可將所 述發(fā)光二極管所發(fā)出的光線更集中于垂直方向，以提高垂直方向的光線強度，增加進入該 導光板的光線，而可以減少能量損失，且提高亮度均勻度。


圖1顯示現(xiàn) 有光條(Light Bar)的立體示意圖；圖2顯示現(xiàn)有側(cè)光式背光模塊的剖視示意圖；圖3顯示現(xiàn)有光條中發(fā)光二極管于水平方向的光包圖；圖4顯示現(xiàn)有光條中發(fā)光二極管于垂直方向的光包圖；圖5顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第一實施例的立體示意圖；圖6顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第二實施例的立體示意圖；圖7顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第三實施例的立體示意圖；圖8顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第四實施例的立體示意圖；圖9顯示本發(fā)明光條的優(yōu)選實施例的立體示意圖；圖10顯示本發(fā)明側(cè)光式背光模塊的優(yōu)選實施例的俯視示意圖；圖11顯示本發(fā)明側(cè)光式背光模塊的優(yōu)選實施例的剖視示意圖；圖12顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第一實施例于水平方向的光包圖；及圖13顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第一實施例于垂直方向的光包圖。
具體實施例方式參考圖5，顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第一實施例的立體示意圖。該發(fā)光二極管4 包括一殼體41、一發(fā)光面42、至少一晶片43及至少一側(cè)壁44。該殼體41具有一容置空間 411。該發(fā)光面42形成于該容置空間411的開口。該至少一晶片43配置于該容置空間411 內(nèi)，用以產(chǎn)生光線。該至少一側(cè)壁44位于該殼體41的表面，每一該側(cè)壁44具有一內(nèi)側(cè)面 441用以反射該至少一晶片43的光線，其中該至少一側(cè)壁44的一頂端442高于該發(fā)光面 42。優(yōu)選地，該殼體41為一高反射材料，且該殼體41與該至少一側(cè)壁44為一體成型。 該高反射材料選自氟碳樹脂、硅氧樹脂、丙烯酸樹脂、醇酸樹脂、苯乙烯系樹脂、聚烯烴系樹 月旨、聚碳酸酯樹脂、尼龍系樹脂、聚酯樹脂及其等的混合物所組成族群的物料。在本實施例中，該至少一側(cè)壁44的數(shù)目為兩個，所述側(cè)壁44相對設置，亦即該兩 個側(cè)壁44彼此互不連接。此外，所述側(cè)壁44為板狀，且垂直該殼體41 二極管表面412，且 每一該側(cè)壁44的長度L1大于或等于該容置空間411最寬處的長度L2。每一該側(cè)壁44的 高度H小于等于5mm，優(yōu)選地小于等于3mm，更佳地小于等于1. 5mm。在本實施例中，每一該側(cè)壁44的壁厚非均一。如圖5所示，每一該側(cè)壁44的該內(nèi) 側(cè)面441為一弧面，而外側(cè)面為平直面。優(yōu)選地，該發(fā)光二極管4進一步包括一反射層(圖中未示)及一膠材45。該反射 層以涂布或粘貼方式而位于每一該側(cè)壁44的該內(nèi)側(cè)面441，以增加該側(cè)壁44的反射效率。 該膠材45填充于該容置空間411內(nèi)，且覆蓋該晶片43。該膠材45包含至少一螢光粉(例 如可以發(fā)出白、紅、藍、黃光等的螢光粉)。該發(fā)光面42即為該膠材45的表面。參考圖6，顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第二實施例的立體示意圖。本實施例的發(fā)光二 極管5與第一實施例的發(fā)光二極管4(圖5)大致相同，其不同處僅在于側(cè)壁54的結(jié)構(gòu)。在 本實施例中，每一該側(cè)壁54的該內(nèi)側(cè)面541為一凸面，其是由兩個平面相交而成。
參考圖7，顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第三實施例的立體示意圖。本實施例的發(fā)光二 極管6與第一實施例的發(fā)光二極管4(圖5)大致相同，其不同處僅在于側(cè)壁的結(jié)構(gòu)。在本 實施例中，該至少一側(cè)壁包括一第一側(cè)壁64、一第二側(cè)壁65、一第三側(cè)壁66及一第四側(cè)壁 67。該第一側(cè)壁64、該第二側(cè)壁65、該第三側(cè)壁66及該第四側(cè)壁67依序連接而環(huán)繞于該 容置空間411，形成一環(huán)狀結(jié)構(gòu)。其中該第一側(cè)壁64及該第三側(cè)壁66具有相同的高度H1, 該第二側(cè)壁65及該第四側(cè)壁67具有相同的高度H2,且H1大于H2。參考圖8，顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的第四實施例的立體示意圖。本實施例的發(fā)光 二極管7與第一實施例的發(fā)光二極管4(圖5)大致相同，其不同處僅在于側(cè)壁的結(jié)構(gòu)。在 本實施例中，所述側(cè)壁44的底端443低于該發(fā)光面42(但是所述側(cè)壁44的頂端442高于 該發(fā)光面42)，亦即等側(cè)壁44的底端443位于該容置空間411中該殼體41的表面412。因 此，每一該側(cè)壁44的長度L3小于該容置空間411最寬處的長度L2。參考圖9，顯示本發(fā)明光條的優(yōu)選實施例的立體示意圖。該光條8包括一基板81 及多個發(fā)光二極管4(圖5)。所述發(fā)光二極管4排列于該基板81上。在本實施例中，所述 發(fā)光二極管4為圖5所示的第一實施例發(fā)光二極管4，然而可以理解的是，該基板81上的發(fā) 光二極管也可以是圖6至圖8的其他實施例的發(fā)光二極管。參考圖10及圖11，分別顯示本發(fā)明側(cè)光式背光模塊的優(yōu)選實施例的俯視及剖視 示意圖。該側(cè)光式背光模塊9包括一導光板91及一光條8(圖9)。該導光板91具有一入 光面911。該光條8面對該入光面911，該光條8具有一基板81及多個發(fā)光二極管4，所述 發(fā)光二極管4排列于該基板81上。所述發(fā)光二極管4的發(fā)光面42面對該入光面911，使得 所述發(fā)光二極管4所發(fā)出的光線可以經(jīng)由該入光面911而進入該導光板91。在本實施例 中，所述發(fā)光二極管4為圖5所示的第一實施例發(fā)光二極管4，然而可以理解的是，該基板 81上的發(fā)光二極管也可以是圖6至圖8的其他實施例的發(fā)光二極管。本發(fā)明的優(yōu)點如下。首先，定義一第一假想面及一第二假想面。參考圖10，該第一 假想面即圖10的紙面，其是垂直該發(fā)光面42。該第一假想面定義為水平方向。參考圖11， 該第二假想面即圖11的紙面，其是垂直該發(fā)光面42及該第一假想面。該第二假想面定義為 垂直方向。所述發(fā)光二極管4所發(fā)出的光線沿著該第一假想面具有一第一出光角度α工(圖 10)；所述發(fā)光二極管4所發(fā)出的光線沿著該第二假想面具有一第二出光角度Ci2(圖11)， 其中該第一出光角度h大于該第二出光角度α2。這是由于所述發(fā)光二極管4所發(fā)出的 光線在第二假想面(圖11)被上方及下方的側(cè)壁44所限制，亦即部分所述發(fā)光二極管4所 發(fā)出的光線會被上方及下方的側(cè)壁44 二極管側(cè)面441反射。參考圖12及圖13，分別顯示本發(fā)明發(fā)光二極管的實施例于水平方向及垂直方向 的光包圖。比較圖12及圖13可看出，本發(fā)明發(fā)光二極管4的實施例于垂直方向的第二出 光角度α2(圖11)小于水平方向的第一出光角度Ci1(圖10)。 因此，在本發(fā)明側(cè)光式背光模塊9中，可將所述發(fā)光二極管4所發(fā)出的光線更集中 于垂直方向(即平行于圖11的第二假想平面的方向)，藉以提高垂直方向的光線強度，增加 進入該導光板91的光線，而可以減少能量損失，且提高亮度均勻度。上述實施例僅為說明本發(fā)明的原理及其功效，并非限制本發(fā)明，因此本領域技術(shù) 人員對上述實施例進行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應如申請的權(quán) 利要求書范圍所列。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括 一殼體，具有一容置空間；至少一晶片，配置于該容置空間內(nèi)，用以產(chǎn)生光線； 至少一側(cè)壁，其位于該殼體的表面；以及 一發(fā)光面，其形成于該容置空間的開口 ；其中每一該側(cè)壁具有一內(nèi)側(cè)面用以反射該至少一晶片的光線，該至少一側(cè)壁的頂端高于該 發(fā)光面。
2.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中該至少一側(cè)壁包括一第一側(cè)壁、一第二側(cè)壁、一第 三側(cè)壁及一第四側(cè)壁，該第一側(cè)壁及該第三側(cè)壁的高度大于該第二側(cè)壁及該第四側(cè)壁的高度。
3.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中每一該側(cè)壁的長度大于或等于該容置空間最寬處 的長度。
4.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，其中更包含一膠材填充于該容置空間。
5.如權(quán)利要求1的發(fā)光二極管，進一步包括一反射層，位于每一該側(cè)壁的該內(nèi)側(cè)面。
6.一種具有發(fā)光二極管的光條，包括 一基板；以及多個發(fā)光二極管，排列于該基板上，每一該發(fā)光二極管包括 一殼體，具有一容置空間； 至少一晶片，配置于該容置空間內(nèi)，用以產(chǎn)生光線； 至少一側(cè)壁，位于該殼體的表面；以及 一發(fā)光面，其形成于該容置空間的開口 ；其中每一該側(cè)壁具有一內(nèi)側(cè)面用以反射該至少一晶片的光線，該至少一側(cè)壁的頂端高于該 發(fā)光面。
7.如權(quán)利要求6的光條，其中該至少一側(cè)壁包括一第一側(cè)壁、一第二側(cè)壁、一第三側(cè)壁 及一第四側(cè)壁，該第一側(cè)壁及該第三側(cè)壁的高度大于該第二側(cè)壁及該第四側(cè)壁的高度。
8.如權(quán)利要求6的光條，其中每一該發(fā)光二極管的每一該側(cè)壁的長度大于或等于該容 置空間最寬處的長度。
9.如權(quán)利要求6的光條，其中更包含一膠材填充于該容置空間。
10.如權(quán)利要求6的光條，其中每一該發(fā)光二極管進一步包括一反射層，位于每一該側(cè) 壁的內(nèi)側(cè)面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及包含該發(fā)光二極管的光條及側(cè)光式背光模塊。該發(fā)光二極管包括一殼體、一發(fā)光面、至少一晶片及至少一側(cè)壁。該殼體具有一容置空間。該至少一晶片配置于該容置空間內(nèi)，用以產(chǎn)生光線。該至少一側(cè)壁位于該殼體的表面。該發(fā)光面形成于該容置空間的開口。每一該側(cè)壁具有一內(nèi)側(cè)面用以反射該至少一晶片的光線，其中該至少一側(cè)壁的頂端高于該發(fā)光面。由此，可將光線更集中于垂直方向，以提高垂直方向的光線強度。
文檔編號F21Y101/02GK102042499SQ20091018117
公開日2011年5月4日 申請日期2009年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月13日
發(fā)明者李泳展, 王子昌 申請人:奇菱科技股份有限公司