專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)。更具體地，本發(fā)明涉及一種 用于i秀導(dǎo)起始》文電(initial discharge )為短隙;改電(short-gap discharge )以防 止放電開啟電壓(discharge firing voltage)的增大、在起始放電后抑制短隙 ;改電以及誘導(dǎo)全放電(flill discharge )為長隙方丈電(long-gap discharge )以換_ 高發(fā)光效率的等離子體顯示板(PDP)。
背景技術(shù)：
通常，等離子體顯示板(PDP)通過氣體放電產(chǎn)生等離子體，由從等離 子體發(fā)射的真空紫外(VUV)線激發(fā)磷光體，并且當(dāng)所激發(fā)的磷光體穩(wěn)定時(shí) 產(chǎn)生的紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的可見光實(shí)現(xiàn)圖像。
在AC型的等離子體顯示板(PDP)中，示范性地，尋址電極形成在后 基板上，電介質(zhì)層形成在尋址電極上方。阻擋肋以條帶的形式設(shè)置在電介質(zhì) 層的頂部上的尋址電極之間，紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的磷光體 層形成在阻擋肋上。
在與尋址電極交叉的方向上，由一對維持電極和掃描電極構(gòu)成的顯示電 極形成在面對后基板的前基板上，顯示電極被電介質(zhì)層和MgO保護(hù)層覆蓋。 在后基板上的尋址電極和前基板上的顯示電極彼此交叉的區(qū)域形成放電單 元。超過幾百萬的單位放電單元以矩陣(二維陣列)形式布置在呈PDP里 面。
在PDP中，當(dāng)放電單元中通過放電形成的離子、電子和中子與MgO保 護(hù)層碰撞時(shí)，形成在覆蓋維持電極和掃描電極的電介質(zhì)層上的MgO保護(hù)層 會發(fā)射二次電子。在前基板的整個(gè)區(qū)域，MgO保護(hù)層具有預(yù)定的二次電子
發(fā)射系數(shù)。
隨著二次電子發(fā)射系數(shù)的增大，放電開啟電壓減小。但是，當(dāng)MgO保 護(hù)層在維持電極和掃描電極上都具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)時(shí)，維持放電包 括短隙放電和長隙放電。因此，與由長隙放電實(shí)現(xiàn)的維持放電相比，發(fā)光效率被短隙放電降低。
在本背景部分公開的上述信息只為增進(jìn)對本發(fā)明的背景的理解，因此它
可以包括并不形成本國中本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明努力提供一種誘導(dǎo)起始放電為短隙放電以防止放電開啟電壓的 增大、在起始放電后抑制短隙放電并誘導(dǎo)全放電為長隙放電以提高發(fā)光效率
的等離子體顯示板(PDP)。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，等離子體顯示板(PDP)包括第一基板和 第二基板、阻擋肋、磷光體層、尋址電極、第一電極和第二電才及、電介質(zhì)層 以及保護(hù)層。第一電極和第二電極被分離地設(shè)置為彼此面對。阻擋肋設(shè)置在 第一基板和第二基板之間以定義放電單元。磷光體層在放電單元中形成。尋 址電極形成在第一基板的內(nèi)表面上并在第一方向延伸。第一電極和第二電極 在第二基板的內(nèi)表面上形成并沿第二方向延伸。第 一放電間隙在第 一 電極和 第二電極之間形成。電介質(zhì)層在第二基板上形成而且覆蓋第一電極和第二電 極。保護(hù)層覆蓋電介質(zhì)層。保護(hù)層包括第一二次電子發(fā)射部分和第二二次電 子發(fā)射部分。第一二次電子發(fā)射部分被形成為對應(yīng)于第 一 電極和第二電極的 外遠(yuǎn)端部分(outer remote part),并具有第一二次電子發(fā)射系數(shù)。第二二次 電子發(fā)射部分形成為對應(yīng)于第一電極和第二電極二者的外近端部分(outer dose part),并具有小于第一二次電子發(fā)射系數(shù)的第二二次電子發(fā)射系數(shù)。
第二二次電子發(fā)射部分可以被形成為對應(yīng)于第一電極和第二電極的外
遠(yuǎn)端部分。
第一二次電子發(fā)射部分可以形成在電介質(zhì)層上，第二二次電子發(fā)射部分 可以形成在第一二次電子發(fā)射部分上。
第一二次電子發(fā)射部分可以包括MgO保護(hù)層，第二二次電子發(fā)射部分 可以包括i丈電去活性月莫(DDF, discharge deactivation film)。該DDF包括 Al2O^Ti02。
第二二次電子發(fā)射部分可以形成大于第 一放電間隙的第二放電間隙。 第二二次電子發(fā)射部分可以覆蓋第 一放電間隙。
第二二次電子發(fā)射部分可以具有基本上與第二放電間隙相同的第 一寬度并在第二方向延伸。
第一電極和第二電極可以通過對應(yīng)于第二二次電子發(fā)射部分的外近端 部分形成短隙放電部分，并可以通過對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射部分的外遠(yuǎn)端 部分且在第二二次電子發(fā)射部分外形成長隙放電部分。
第二二次電子發(fā)射部分可以包括多個(gè)子電子發(fā)射部分，該多個(gè)子電子發(fā)
射部分對應(yīng)于第一電才及的一部分和第二電極的一部分。子電子發(fā)射部分可以 沿第 一方向在其間具有預(yù)定的間隔，子電子發(fā)射部分的每個(gè)具有沿第 一方向 測量的在第一寬度范圍內(nèi)的第三寬度。
第二二次電子發(fā)射部分可以包括第 一 電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分和 第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分。第 一 電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分對應(yīng)
于第一電極的近端部分(close part)。在第一放電間隙側(cè)上，第二電極側(cè)第 二二次電子發(fā)射部分離開第 一電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分，并對應(yīng)于第二 電極的近端部分。
第 一 電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分和第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部 分之間的間隙可以大于第一放電間隙。該間隙可以與從放電單元的中心到第 一電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分的第一距離和從放電單元的中心到第二電 極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分的第二距離的總和相同，第二距離與第 一距離相同。
第一電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分可以具有第二寬度且在第二方向延 伸的，第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分可以具有第二寬度且在第二方向延 伸的。
第一電極和第二電極可以通過對應(yīng)于第二二次電子發(fā)射部分并在第二 二次電子發(fā)射部分內(nèi)部的近端部分形成短隙放電部分，并可以通過對應(yīng)于第 一二次電子發(fā)射部分的第一電極和第二電極的遠(yuǎn)端部分(remote part)且在 第二二次電子發(fā)射部分外形成長隙放電部分。
第一二次電子發(fā)射部分形成在對應(yīng)于第一電極和第二電極的電介質(zhì)層 上，第二二次電子發(fā)射部分形成在電介質(zhì)層上以對應(yīng)于第一電極的一部分和 第二電極的一部分。第二二次電子發(fā)射部分形成電介質(zhì)層的其上沒有形成第 一二次電子發(fā)射部分的那部分上。
第二 二次電子發(fā)射部分可以形成第二放電間隙，該第二放電間隙大于第
一方向上的第 一電極和第二電才及之間的第 一》文電間隙。第二二次電子發(fā)射部分可以覆蓋第 一放電間隙。


通過結(jié)合附圖并參照下面詳細(xì)的描述，本發(fā)明將變得更易于理解并且對 本發(fā)明會理解的更全面以及諸多其所具有的優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯，附圖中相同
的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件，其中
圖l是根據(jù)本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例的等離子體顯示板(PDP)的透 視圖。
圖2是沿圖i中示出的線n-n剖取的截面圖。
圖3是表征圖1中示出的放電單元和電極之間關(guān)系的頂平面圖。
圖4是表征放電單元圖案和保護(hù)層圖案的分解透視圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二示范性實(shí)施例的截面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三示范性實(shí)施例的截面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第四示范性實(shí)施例的截面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第五示范性實(shí)施例的截面圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第六示范性實(shí)施例的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下文參照附圖對本發(fā)明進(jìn)行更為充分的描述，附圖中示出了本發(fā)明的示 例性實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，所描述的實(shí)施例可以在不背 離本發(fā)明的精神或范圍的前提下以多種不同的形式修改。附圖和描述實(shí)質(zhì)上 是說明性的而不是限制性的。在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的 元件。
圖l是根據(jù)本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例的等離子體顯示板(PDP)的透
視圖，圖2是沿圖i中示出的線n-n的剖取的截面圖。
如圖1和圖2所示，示范性實(shí)施例的PDP包括彼此面對并密封在一起 的后基板10和前基板20。阻擋肋16形成在后基板10和前基板20之間。阻 擋肋16被形成為具有預(yù)定的高度以限定多個(gè)放電單元17。放電單元17填充 有包括例如氖(Ne)和氙(Xe)的力t電氣體，例如，以產(chǎn)生真空紫外線。 磷光體層19形成在各個(gè)放電單元17中。'
為了利用氣體放電實(shí)現(xiàn)圖像，PDP還包括尋址電極11、第一電極(在下文中稱為"維持電極")31和第二電極(在下文中稱為"掃描電極")32，所 有這些電極都布置在后基板10和前基板20之間的放電單元17周圍。
例如，尋址電極11形成在后基板10的內(nèi)表面上。尋址電極ll在第一 方向(圖1中y方向)延伸使得每個(gè)尋址電極11連續(xù)地對應(yīng)于在y方向上 連續(xù)布置的放電單元17。而且，在第二方向(圖1中x方向)上，尋址電極 11被彼此平行地分隔開并且放電單元相鄰地布置在第二方向。
尋址電極11被覆蓋后基板10的內(nèi)表面的電介質(zhì)層13覆蓋。電介質(zhì)層 13防止正離子或電子直接碰撞到尋址電極11從而防止尋址電極被損傷，并 形成和積累壁電荷(wall charge )。尋址電極11設(shè)置在后基板10上從而防止 可見光傳輸?shù)角懊?，因此尋址電極可以形成為不透明的電極。也就是，尋址 電極11可以形成為具有優(yōu)良電導(dǎo)率的金屬電極。
阻擋肋16被設(shè)置在電介質(zhì)層13上以將后基板10和前基板20之間的空 間分隔成放電單元17。換句話說，阻擋肋定義放電單元。阻擋肋16包括在 y軸方向延伸的第一阻擋肋件16a和在第一阻擋肋件16a之間沿x軸方向延 伸的第二阻擋肋件16b,從而將放電單元17布置成二維陣列(矩陣形式)。
而且，阻擋肋可以形成為在y軸方向延伸的第一阻擋肋件從而形成條形 圖案的放電單元(未示出)。也就是，放電單元可以沿y軸方向敞開。
在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，示出了形成呈矩陣形式的放電單元17的 阻擋肋16。在此情況下，當(dāng)去除第二阻擋肋件16b時(shí)，；改電單元通過第二阻 擋肋件16a形成為條形圖案。呈條形圖案的放電單元的示出被省略。
在各個(gè)放電單元17中，在位于阻擋肋16之間的第一電介質(zhì)層13的表 面上和阻擋肋16的側(cè)表面上，磷光體漿料被涂敷、干燥以及烘干從而形成 磷光體層19。
放電單元17的沿y軸方向形成的磷光體層19具有相同顏色的磷光體。 此外，紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的磷光體順序地形成在沿x軸方 向順序地設(shè)置的放電單元17的磷光體層19中。
維持電極31和掃描電極32具有表面放電結(jié)構(gòu)使得它們形成在前基板20 的內(nèi)表面上并對應(yīng)于各個(gè)放電單元17以引起來自放電單元的氣體放電。維 持電極31和掃描電極32沿x軸方向形成并與尋址電極11交叉。
維持電極31和掃描電極32分別包括用于產(chǎn)生放電的透明電極31a和32a 以及用于施加電壓信號到透明電極31a和32a的匯流電極31b和32b。透明電極31a和32a在放電單元17中產(chǎn)生表面放電，并由透明材料(例如，銦 錫氧化物(ITO))形成從而獲得放電單元17的足夠的孔徑比(aperture ratio )。 匯流電極31b和32b由具有優(yōu)良電導(dǎo)率的金屬材料形成以補(bǔ)償透明電極31a 和32a的高電阻。
透明電極31a和32a分別形成表面放電構(gòu)造而且具有沿y軸方向的從放 電單元17的邊界到中心的寬度W31和W32，放電間隙DG形成在每個(gè)放電 單元17的中心部分。匯流電極31b和32b分別布置在透明電極31a和32a 上，并在放電單元17的邊界處沿x軸方向延伸。因此，當(dāng)電壓信號施加到 匯流電極31b和32b時(shí)，電壓信號被施加到分別連接到匯流電極31b和32b 的透明電才及31a和32a。
此外，透明電極可以沿x軸方向整體地形成以在各個(gè)放電單元中產(chǎn)生放 電(未示出)。
再次參照圖1和圖2,維持電極31和掃描電極32對應(yīng)于放電單元17 并與尋址電極11交叉，維持電極31和掃描電極32被電介質(zhì)層覆蓋并且彼 此平行。第二電介質(zhì)層21保護(hù)維持電極31和掃描電極32免受氣體放電的 影響并在產(chǎn)生放電時(shí)形成和積累壁電荷。
保護(hù)層123形成在第二電介質(zhì)層21上以覆蓋第二電介質(zhì)層21。例如， 保護(hù)層123由MgO形成，保護(hù)第二電介質(zhì)層21,并在產(chǎn)生放電時(shí)發(fā)射二次 電子。
當(dāng)PDP4支驅(qū)動時(shí)，在復(fù)位周期期間，通過施加到掃描電極32的復(fù)位脈 沖，產(chǎn)生復(fù)位放電。在接著復(fù)位周期的尋址周期期間，通過施加到掃描電極 32的掃描脈沖和施加到尋址電極11的尋址脈沖，產(chǎn)生尋址放電。此后，在 維持周期期間，通過施加到維持電極31和掃描電極32的維持脈沖，產(chǎn)生維 持放電。
維持電極31和掃描電極32用于施加維持放電所需的維持脈沖。掃描電 極32用于施加復(fù)位脈沖和掃描脈沖。尋址電極11用于施加尋址脈沖。維持 電極31、掃描電極32和尋址電極11可以根據(jù)施加到其上的電壓波形分別地 具有不同的作用，所以它們不必限定于上述的作用。
在PDP中，通過根據(jù)尋址電極11和掃描電極32的相互作用的尋址;改電 選擇將要被開啟的放電單元17，通過根據(jù)維持電極31和掃描電極32的相互 作用的維持放電驅(qū)動所選擇的放電單元17從而顯示圖像。此外，根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的PDP還包括用于誘導(dǎo)起始放電為 短隙放電以防止放電開啟電壓的增大、在起始放電后抑制短隙放電并誘導(dǎo)全 放電為長隙放電以提高發(fā)光效率的構(gòu)造。
例如，保護(hù)層123具有兩個(gè)二次電子發(fā)射系數(shù)。也就是，保護(hù)層123在 對應(yīng)于外遠(yuǎn)端部分131和132的區(qū)域處具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)，該區(qū) 域位于較遠(yuǎn)離在維持電極31和掃描電極32之間形成的第一放電間隙Gl的 位置。此外，保護(hù)層123在對應(yīng)于外近端部分231和232的區(qū)域處具有較低 的二次電子發(fā)射系數(shù)，該區(qū)域位于較靠近第一放電間隙Gl的位置。換句話 說，外遠(yuǎn)端部分是維持電極或掃描電極周圍的部分，其處于較遠(yuǎn)離第一放電 間隙的位置；外近端部分是維持電極或掃描電極周圍的部分，其處于較靠近 第一放電間隙的位置。
更詳細(xì)地，保護(hù)層123包括第一二次電子發(fā)射部分123a和第二二次電 子發(fā)射部分123b， 二者根據(jù)對應(yīng)于維持電極31和掃描電極32的區(qū)域被分隔。
第一二次電子發(fā)射部分123a對應(yīng)于維持電極31和掃描電極32形成， 并具有第一二次電子發(fā)射系數(shù)同時(shí)至少與外遠(yuǎn)端部分131和132相對應(yīng)。第 一二次電子發(fā)射部分123a可以被形成為對應(yīng)于維持電極31和掃描電極32 的整個(gè)區(qū)域(參照圖1到圖6)，或者它可以被形成為對應(yīng)于外遠(yuǎn)端部分131 和132 (參照圖7到圖9)。
第二二次電子發(fā)射部分123b具有第二二次電子發(fā)射系數(shù)且對應(yīng)于外近 端部分231和232，并在第一放電間隙Gl的一側(cè)或兩側(cè)形成。第二二次電 子發(fā)射部分123b可以形成為分離于第一二次電子發(fā)射部分123a的單獨(dú)的層 (參照圖l到圖6)，或者它可以形成為與第一二次電子發(fā)射部分123a在同 一層(參照圖7到圖9)。
在一個(gè)放電單元17中，外近端部分231和232沿x軸方向靠近第一放 電間隙Gl的外側(cè)，外遠(yuǎn)端部分131和132離開第一放電間隙Gl并靠近阻 擋肋16。當(dāng)從x軸方向看時(shí)，外近端部分231和232以及外遠(yuǎn)端部分131 和132是相對位置。外近端部分231與外遠(yuǎn)端部分131之間以及外近端部分 232與外遠(yuǎn)端部分132之間的沿y軸的邊界由第二二次電子發(fā)射部分123b 確定(參照圖3)。第二二次電子發(fā)射系數(shù)小于第一二次電子發(fā)射系數(shù)。
第一二次電子發(fā)射部分123a覆蓋大部分的維持電極31和掃描電極32, 發(fā)射的二次電子的數(shù)量因較高的第一二次電子發(fā)射系數(shù)而增加。參照圖1、圖2和圖4，第一二次電子發(fā)射部分123a完全覆蓋維持電極 31和掃描電極32。
對于維持電極31和掃描電極32之一或者各個(gè)維持電極31和掃描電極 32，外近端部分231和232被第二二次電子發(fā)射部分123b覆蓋，其發(fā)射的 二次電子的數(shù)量因較低的二次電子發(fā)射系數(shù)而減少。
參照圖1、圖2和圖4，第二二次電子發(fā)射部分123b整體覆蓋第一放電 間隙Gl以及外近端部分231和232。
第二放電間隙G2形成在維持電極31和掃描電極32的分別對應(yīng)于第二 二次電子發(fā)射部分123b的最遠(yuǎn)部分的部分之間。第二放電間隙G2大于第一 放電間隙G1。也就是，第二二次電子發(fā)射部分123b抑制在維持電極31和 掃描電極32的外近端部分231和232之間的短隙放電。
例如，維持電極31和掃描電極32通過外近端部分231和232中的較短 的間隙產(chǎn)生低壓放電而不管起始放電的較低的第二二次電子發(fā)射系數(shù)。隨 后，在起始放電之后，由于第二二次電子發(fā)射部分123b起到阻礙短隙放電 的作用，維持電極31和掃描電極32通過外遠(yuǎn)端部分131和132中的較長的 間隙產(chǎn)生全放電。也就是，第二二次電子發(fā)射部分123b抑制短隙放電并誘 導(dǎo)全放電為長隙放電。因此，維持電極31和掃描電極32實(shí)現(xiàn)了較高的發(fā)光 效率。
再次參照圖1、圖2和圖4,當(dāng)?shù)诙坞娮影l(fā)射部分123b對應(yīng)于維持 電極31和掃描電極32的部分時(shí)，第二二次電子發(fā)射部分123b至少對應(yīng)于 外近端部分231和232。因此，第二二次電子發(fā)射部分123b并不偏向于維持 電極31或掃描電極32,而且具有維持電極31和掃描電極32之間的第一放 電間隙Gl,并可以抑制在y軸方向上放電單元17的中心處的短隙放電。
第二二次電子發(fā)射部分123b整體地形成以對應(yīng)于維持電極31和掃描電 極32的外近端部分231和232。因此，在y軸方向上的第二放電間隙G2形 成在維持電極31和掃描電極32的對應(yīng)于第二二次電子發(fā)射部分123b的兩 端之間的部分的部分上。
第二放電間隙G2大于第一放電間隙Gl。由于第二放電間隙G2由二次 電子發(fā)射部分決定，所以與由維持電極31和掃描電極32的端部確定的第一 放電間隙Gl相比，第二放電間隙G2具有模糊的邊界。
短隙部分通過對應(yīng)于第二二次電子發(fā)射部分123b的外近端部分231和232形成在維持電極31和掃描電極32的一部分上，長隙力文電部分通過對應(yīng) 于第一二次電子發(fā)射部分123a的外遠(yuǎn)端部分131和132且在第二二次電子 發(fā)射部分123b外形成。
參照圖3和圖4,第二二次電子發(fā)射部分123b沿x軸方向形成且具有第 一寬度W1，該第一寬度W1基本上與第二放電間隙G2相同。此外，在PDP 中，如圖3所示，第二二次電子發(fā)射部分123b設(shè)置為在放電單元17的y軸 方向上4皮此分離。
第二二次電子發(fā)射部分123b抑制第一放電間隙Gl中的短隙放電，但它
具有用于產(chǎn)生起始放電的二次電子發(fā)射系數(shù)。在第二二次電子發(fā)射部分123b 中，對應(yīng)于外近端部分231和232的部分抑制起始放電之后的放電，并在產(chǎn) 生全放電時(shí)允許外遠(yuǎn)端部分131和132產(chǎn)生長隙放電。
也就是，當(dāng)產(chǎn)生全放電時(shí)，對應(yīng)于外近端部分231和232的第二二次電 子發(fā)射部分123b抑制來自外近端部分231和232的短隙放電。如果不具有 第二二次電子發(fā)射部分123b,對應(yīng)于外遠(yuǎn)端部分131和132的第一二次電子 發(fā)射部分123a導(dǎo)致全放電為長隙放電。也就是，由于短隙放電被抑制并且 長隙放電被誘導(dǎo)，所以可以提高發(fā)光效率。
第一二次電子發(fā)射部分123a形成在第二電介質(zhì)層21上，第二二次電子 發(fā)射部分123b形成在第一二次電子發(fā)射部分123a上。在保護(hù)層123的形成 工藝中，第二二次電子發(fā)射部分123b可以在另外的不處理第一二次電子發(fā) 射部分123a的工藝中形成。
第一二次電子發(fā)射部分123a具有大于第二二次電子發(fā)射部分123b的二 次電子發(fā)射系數(shù)。例如，第一二次電子發(fā)射部分123a形成為MgO保護(hù)層， 第二二次電子發(fā)射部分123b可以形成為放電去活性膜(DDF)。 DDF可以包 括八1203或Ti02。通過第一二次電子發(fā)射部分123a和第二二次電子發(fā)射部 分123b之間的二次電子發(fā)射系數(shù)差異，第一二次電子發(fā)射部分123a和第二 二次電子發(fā)射部分123b包括用于形成第二放電間隙G2的材料。
圖5到圖9示出本發(fā)明的第二到第六示范性實(shí)施例。本發(fā)明的第二到第 六示范性實(shí)施例的構(gòu)造和功能與本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例類似或相同，因 此，與本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例類似或相同的部分將被省略。
在圖5中示出的第二示范性實(shí)施例和圖6中示出的第三示范性實(shí)施例 中，第二二次電子發(fā)射部分223b和323b單獨(dú)地形成以對應(yīng)于維持電極31的一部分和掃描電扨^ 32的一部分。
參照圖5,第二二次電子發(fā)射部分223b包括維持電極側(cè)第二二次電子發(fā) 射部分1223b和掃描電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分2223b。維持電極側(cè)第二 二次電子發(fā)射部分1223b被形成為靠近維持電極31上的外近端部分231。掃 描電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分2223b被設(shè)置為離開維持電極側(cè)第二二次電 子發(fā)射部分1223b而且對應(yīng)于掃描電極32上的外近端部分232。
維持電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分1223b與掃描電極側(cè)第二二次電子發(fā) 射部分2223b之間的第三間隙G3大于第一;^丈電間隙Gl。
第三間隙G3的大小與放電單元17的中心與維持電極側(cè)第二二次電子發(fā) 射部分1223b之間的第一間隙G13和放電單元17的中心與掃描電極側(cè)第二 二次電子發(fā)射部分2223b之間的第二間隙G23的總和相同(G3 = G13+G23 )。 第二間隙G23具有與第一間隙G13相同的大小。
維持電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分1223b具有第二寬度W2并被形成為 在x軸方向延伸，掃描電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分2223b具有第二寬度 W2并一皮形成為在x軸方向延伸。
維持電極31和掃描電極32通過對應(yīng)于第二二次電子發(fā)射部分223b之 間的第一二次電子發(fā)射部分223a的外近端部分231和232形成短隙;改電部 分，并通過對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射部分223a的外遠(yuǎn)端部分131和132且 在第二二次電子發(fā)射部分223b外形成長隙放電部分。短隙放電部分可以被 包括在與外近端部分231和232相對應(yīng)的短隙部分中。
更具體地，通過從第三間隙G3減去第一放電間隙Gl而獲得的部分， 由外近端部分231和232形成的短隙放電部分沒有被第二二次電子發(fā)射部分 223b所覆蓋，并且通過與第一二次電子發(fā)射部分223a的被覆蓋的距離El 相對應(yīng)的端部231E和232E形成。
與本發(fā)明的第一示范性實(shí)施例相比，在本發(fā)明的第二示范性實(shí)施例中， 維持電極31和掃描電極32的端部231E和232E允許在起始放電中具有較低 電壓的短隙放電，并抑制全放電中的短隙放電。
參照圖6,第二二次電子發(fā)射部分323b包括多個(gè)子電子發(fā)射部分，該多 個(gè)子電子發(fā)射部分以預(yù)定的間隔Cl沿y軸方向布置在與第二放電間隙G2 相同的第一寬度W1的范圍內(nèi)，并且形成為組且具有沿y軸方向的第三寬度 W3。維持電極31和掃描電極32通過對應(yīng)于第二二次電子發(fā)射部分323b的 外近端部分231和232形成短隙放電部分，并通過對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射 部分323a的外遠(yuǎn)端部分131和132并且在第二二次電子發(fā)射部分323b外形
成長隙;故電部分。
更具體地，通過/人外近端部分231和232減去間隔Cl而獲得的部分， 由外近端部分231和232形成的短隙放電部分沒有被第二二次電子發(fā)射部分 323b所覆蓋，并且通過與第一二次電子發(fā)射部分323a的間隔Cl相對應(yīng)的 維持電極31的部分231C和掃描電極32的部分232C形成。
與第一示范性實(shí)施例相比，在第三示范性實(shí)施例中，維持電極31的部 分231C和掃描電極32的部分232C允許在起始放電中具有較低電壓的短隙 放電，并抑制全放電中的短隙放電。
在圖7中示出的第四示范性實(shí)施例到圖9中示出的第六示范性實(shí)施例 中，第二二次電子發(fā)射部分423b、 523b和623b形成在電介質(zhì)層21上并對 應(yīng)于維持電極31和掃描電極32。第二二次電子發(fā)射部分423b、 523b和623b 形成在電介質(zhì)層21上，且在第一放電間隙側(cè)上對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射部 分423a、 523a和623a之間的維持電極31的一側(cè)和掃描電才及32的一側(cè)。
參照圖7，第二二次電子發(fā)射部分423b形成大于維持電極31和掃描電 極32之間的第 一放電間隙Gl的第二放電間隙G2。
第二二次電子發(fā)射部分423b整體地形成以對應(yīng)于維持電極31的外近端 部分231和掃描電極32的外近端部分232。因此，維持電極31和掃描電極 32在y軸方向形成在第二二次電子發(fā)射部分423b的兩端之間的第二放電間 隙G2。
維持電極31和掃描電極32通過對應(yīng)于第二二次電子發(fā)射部分423b的 外近端部分231和232形成短隙部分，并通過對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射部分 423a的外遠(yuǎn)端部分131和132并在第二二次電子發(fā)射部分423b外形成長隙 放電部分。
第二二次電子發(fā)射部分423b具有基本上與第二》文電間隙G2相同的第一 寬度W1并被形成為在x軸方向延伸。此外，通過PDP的區(qū)域形成的第二二 次電子發(fā)射部分423b 一皮形成為沿y軸方向4皮此分隔;改電單元17的y軸方向 的長度。而且，第二二次電子發(fā)射部分423b和第一二次電子發(fā)射部分423a 沿y軸方向交替布置。在圖8中示出的第五示范性實(shí)施例到圖9中示出的第六示范性實(shí)施例 中，第二二次電子發(fā)射部分523b和623b形成為多個(gè)以對應(yīng)于維持電極31 的一部分和掃描電才及32的一部分。
參照圖8，第二二次電子發(fā)射部分523b包括維持電極側(cè)第二二次電子發(fā) 射部分1523b和掃描電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分2523b。維持電極側(cè)第二 二次電子發(fā)射部分1523b被形成為與維持電極31的外近端部分231相對應(yīng)。 掃描電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分2523b在第一放電間隙側(cè)上離開維持電極 側(cè)第二二次電子發(fā)射部分1523b,并且形成為對應(yīng)于掃描電極32的外近端部 分232。
維持電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分1523 b與掃描電極側(cè)第二二次電子發(fā) 射部分2523b之間的第三間隙G3大于第一放電間隙Gl。
第三間隙G3的大小與放電單元17的中心與維持電極側(cè)第二二次電子發(fā) 射部分1523b之間的第一間隙G13和放電單元17的中心與掃描電極側(cè)第二 二次電子發(fā)射部分2523b之間的第二間隙G23的總和相同(G3 = G13+G23 )。 第二間隙G23具有與第一間隙G13相同的大小。
維持電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分1523b具有第二寬度W2并形成為在 x軸方向延伸，掃描電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分2523b具有第二寬度W2 并凈皮形成為在x軸方向延伸。
維持電極31和掃描電極32通過對應(yīng)于在第二二次電子發(fā)射部分523b 之間的第一二次電子發(fā)射部分523a的外近端部分231和232形成短隙放電 部分，并且通過對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射部分523a的外遠(yuǎn)端部分131和132 且在第二二次電子發(fā)射部分523b外形成長隙放電部分。
更具體地，通過從間隙G3減去第一放電間隙Gl而獲得的部分，由外 近端部分231和232形成的短隙放電部分沒有^皮第二二次電子發(fā)射部分523b 所覆蓋，并且通過對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射部分523a的被覆蓋的距離El的 端部231E和232E形成。
參照圖9，第二二次電子發(fā)射部分623b包括多個(gè)子電子發(fā)射部分，該多 個(gè)子電子發(fā)射部分以預(yù)定的間隔Cl沿y軸方向布置在與第二放電間隙G2 相同的第一寬度W1的范圍內(nèi)，并被形成為組同時(shí)具有沿y軸方向的第三寬 度W3。
維持電極31和掃描電極32通過對應(yīng)于第二二次電子發(fā)射部分623b的外近端部分231和232形成短隙放電部分，并通過對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射 部分623a的外遠(yuǎn)端部分131和132且在第二二次電子發(fā)射部分623b外形成 長隙;改電部分。
更具體地，通過^Mv外近端部分231和232減去間隔Cl而獲得的部分， 由外近端部分231和232形成的短隙放電部分沒有被第二二次電子發(fā)射部分 623b所覆蓋，并且通過對應(yīng)于第一二次電子發(fā)射部分623a的間隔Cl的部 件231C和部件232C形成。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的PDP中，在覆蓋第一電極 和第二電極的電介質(zhì)層上的保護(hù)層由具有不同的二次電子發(fā)射系數(shù)的第一 二次電子發(fā)射部分和第二二次電子發(fā)射部分形成。
第一二次電子發(fā)射部分具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)，第二二次電子發(fā) 射部分具有較低的二次電子發(fā)射系數(shù)。
第一二次電子發(fā)射部分形成在對應(yīng)于第一電極和第二電極的部分上，在 第 一電極和第二電極之間的第 一放電間隙的一側(cè)上，第二二次電子發(fā)射部分 形成在與第 一放電間隙的外近端部分的第 一 電極和第二電極的部分相對應(yīng) 的部分上。
因此，起始放電被誘導(dǎo)為短隙放電以防止放電開啟電壓的增大，并在起 始放電后誘導(dǎo)全放電為長隙放電。因此，在全放電中，由于短隙放電被抑制 且長隙放電被誘導(dǎo)，所以可以提高發(fā)光效率。
盡管已經(jīng)結(jié)合目前認(rèn)為是實(shí)際的示范性實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但 是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，相反地，本發(fā)明旨在涵蓋 包括在附加的權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等價(jià)的布置。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體顯示板，其包括第一基板；面對所述第一基板的第二基板；阻擋肋，其設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間并定義放電單元；磷光體層，其形成在所述放電單元中；尋址電極，其形成在所述第一基板的內(nèi)表面上并在第一方向延伸；第一電極，其形成在所述第二基板的內(nèi)表面上并在第二方向延伸，所述第二方向基本上垂直于所述第一方向；第二電極，其形成在所述第二基板的所述內(nèi)表面上并在所述第二方向延伸，第一放電間隙在所述第一電極和所述第二電極之間形成；電介質(zhì)層，其形成在所述第二基板上并覆蓋所述第一電極和所述第二電極；以及覆蓋所述電介質(zhì)層的保護(hù)層，所述保護(hù)層包括第一二次電子發(fā)射部分，其被形成為與所述第一電極和所述第二電極的外遠(yuǎn)端部分相對應(yīng)并具有第一二次電子發(fā)射系數(shù)；以及第二二次電子發(fā)射部分，其被形成為與所述第一電極和所述第二電極之一的外近端部分相對應(yīng)并具有小于所述第一二次電子發(fā)射系數(shù)的第二二次電子發(fā)射系數(shù)。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射部 分形成為與所述第一電極和所述第二電極二者的外近端部分相對應(yīng)。
3. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第一二次電子發(fā)射部 分形成在所述電介質(zhì)層上，所述第二二次電子發(fā)射部分形成在所述第一二次 電子發(fā)射部分上。
4. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述第一二次電子發(fā)射部 分包括MgO保護(hù)層，所述第二二次電子發(fā)射部分包括;汶電去活性膜。
5. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述放電去活性膜包括 A1203或Ti02。
6. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射部 分形成大于所述第 一方丈電間隙的第二放電間隙。
7. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射部 分覆蓋所述第 一放電間隙。
8. 如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射部 分形成大于所述第 一放電間隙的第二放電間隙，所述第二二次電子發(fā)射部分 具有基本上與所述第二放電間隙相同的第一寬度并在所述第二方向延伸。
9. 如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極和所述第二 電極通過對應(yīng)于所述第二二次電子發(fā)射部分的所述外近端部分形成短隙部 分，通過對應(yīng)于所述第一二次電子發(fā)射部分的所述外遠(yuǎn)端部分且在所述第二 二次電子發(fā)射部分外形成長隙放電部分。
10. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射 部分包括多個(gè)子電子發(fā)射部分，所述多個(gè)子電子發(fā)射部分對應(yīng)于所述第 一 電 極的一部分和所述第二電極的一部分。
11. 如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示板，其中所述子電子發(fā)射部分沿 所述第 一方向在其間具有預(yù)定的間隔，所述子電子發(fā)射部分的每個(gè)具有沿所 述第一方向測出的在所述第一寬度范圍內(nèi)的第三寬度。
12. 如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極和所述第 二電極通過對應(yīng)于所述第二二次電子發(fā)射部分的近端部分形成短隙放電部 分，通過對應(yīng)于所述第一二次電子發(fā)射部分的遠(yuǎn)端部分且在所述第二二次電 子發(fā)射部分外形成長隙放電部分。
13. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射 部分包括第一電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分，其對應(yīng)于所述第一電極的近端部 分；以及第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分，其在所述第 一放電間隙 一側(cè)上離開 所述第一電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分，并對應(yīng)于所述第二電極的近端部 分。
14. 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極側(cè)第二二 次電子發(fā)射部分和所述第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分之間的間隙大于 所述第一放電間隙。
15. 如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示板，其中所述間隙與從所述放電 單元的中心到所述第 一 電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分的第 一距離和從所述放電單元的所述中心到所述第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分的第二距離 的總和相同，所述第二距離與所述第一距離相同。
16. 如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極側(cè)第二二 次電子發(fā)射部分具有第二寬度并在所述第二方向延伸，所述第二電極側(cè)第二 二次電子發(fā)射部分具有所述第二寬度并在所述第二方向延伸。
17. 如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極和所述第 二電極通過對應(yīng)于所述第二二次電子發(fā)射部分的所述近端部分并在所述第 二二次電子發(fā)射部分內(nèi)形成短隙放電部分，并通過對應(yīng)于所述第一二次電子 發(fā)射部分的所述第一電極和所述第二電極的遠(yuǎn)端部分且在所述第二二次電 子發(fā)射部分外形成長隙放電部分。
18. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第一二次電子發(fā)射 部分形成在對應(yīng)于所述第一電極和所述第二電極的所述電介質(zhì)層上，所述第 二二次電子發(fā)射部分在所述電介質(zhì)層上形成為對應(yīng)于所述第一電極的一部 分和所述第二電極的一部分，所述第二二次電子發(fā)射部分形成在所述電介質(zhì) 層的其上沒有形成所述第一二次電子發(fā)射部分的部分上。
19. 如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射部分形成大于所述第 一放電間隙的第二放電間隙。
20. 如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射部分覆蓋所述第一放電間隙。
21. 如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射 部分形成大于所述第 一放電間隙的第二放電間隙，所述第二二次電子發(fā)射部 分具有與所述第二放電間隙基本相同的第一寬度并在所述第二方向延伸。
22. 如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極和所述第 二電極通過對應(yīng)于所述第二二次電子發(fā)射部分的近端部分形成短隙部分，通 過對應(yīng)于所述第一二次電子發(fā)射部分的遠(yuǎn)端部分且在所述第二二次電子發(fā) 射部分外形成長隙放電部分。
23. 如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射 部分包括多個(gè)子電子發(fā)射部分，所述多個(gè)子電子發(fā)射部分對應(yīng)于所述第一電 極的近端部分和所述第二電極的近端部分。
24. 如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示板，其中所述子電子發(fā)射部分沿 所述第 一方向在其間具有預(yù)定的間隔，所述子電子發(fā)射部分的每個(gè)具有沿所述第一方向測出的在所述第一寬度范圍內(nèi)的第三寬度。
25. 如權(quán)利要求24所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極和所述第 二電極通過對應(yīng)于所述第二二次電子發(fā)射部分的近端部分形成短隙放電部 分，通過對應(yīng)于所述第一二次電子發(fā)射部分的遠(yuǎn)端部分且在所述第二二次電 子發(fā)射部分外形成長隙放電部分。
26. 如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示板，其中所述第二二次電子發(fā)射 部分包括第一電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分，其對應(yīng)于所述第一電極的近端部 分；以及第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分，其在所述第 一放電間隙一側(cè)上離開 所述第一電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分，并對應(yīng)于所述第二電極的近端部分。
27. 如權(quán)利要求26所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極側(cè)第二二 次電子發(fā)射部分和所述第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分之間的間隙大于 所述第一放電間隙。
28. 如權(quán)利要求27所述的等離子體顯示板，其中所述間隙與從所述放電 單元的中心到所述第 一電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分的第 一距離和從所述 放電單元的中心到所述第二電極側(cè)第二二次電子發(fā)射部分的第二距離的總 和相同，所述第二距離與所述第一距離相同。
29. 如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極側(cè)第二二 次電子發(fā)射部分具有第二寬度并在所述第二方向延伸，所述第二電極側(cè)第二 二次電子發(fā)射部分具有所述第二寬度并在所述第二方向延伸。
30. 如權(quán)利要求27所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極和所述第 二電極通過對應(yīng)于所述第一二次電子發(fā)射部分的近端部分并在所述第二二 次電子發(fā)射部分內(nèi)形成短隙放電部分，通過對應(yīng)于所述第一二次電子發(fā)射部 分的所述第一電極和所述第二電極的遠(yuǎn)端部分且在所述第二二次電子發(fā)射 部分外形成長隙;改電部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)。PDP包括第一基板、第二基板、阻擋肋、磷光體層、尋址電極、第一電極和第二電極、電介質(zhì)層以及保護(hù)層。第一電極和第二電極在第二方向延伸，并在其間形成第一放電間隙。電介質(zhì)層在第二基板上形成，并同時(shí)覆蓋第一電極和第二電極。保護(hù)層覆蓋電介質(zhì)層。保護(hù)層包括第一二次電子發(fā)射部分和第二二次電子發(fā)射部分。第一二次電子發(fā)射部分形成為對應(yīng)于第一電極和第二電極的外遠(yuǎn)端部分并具有第一二次電子發(fā)射系數(shù)。第二二次電子發(fā)射部分被形成為對應(yīng)于第一電極和第二電極的外近端部分，并具有小于第一二次電子發(fā)射系數(shù)的第二二次電子發(fā)射系數(shù)。
文檔編號H01J11/22GK101425442SQ200810174769
公開日2009年5月6日 申請日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日
發(fā)明者任相薰, 永野真一郎, 金貞男 申請人:三星Sdi株式會社