專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(在下文中稱為PDP)。
背景技術(shù)：
目前，通常被商品化的AC驅(qū)動型PDP是表面放電型PDP。在表面放電型PDP中，用 于彩色顯示的熒光體層可以在顯示面板的厚度方向上遠(yuǎn)離一對顯示電極布置，使得由于放 電過程中的離子碰撞而引起的熒光體的特性劣化可以得到減小。因此，與在前面基板和背 面基板上分別形成一對顯示電極X和Y的另一種類型的對向放電型PDP相比，表面放電型 PDP更適合于延長其壽命。 在通常的AC驅(qū)動型表面放電型PDP的前面基板上，設(shè)置有保護(hù)層以用于防止電介 質(zhì)層被放電過程中的離子碰撞所劣化，其中電介質(zhì)層覆蓋顯示電極X和Y。保護(hù)層不僅防止 電介質(zhì)層被放電過程中的離子碰撞所劣化，而且還通過對其施加的離子碰撞來發(fā)射二次電 子，并提供使放電成長的功能。 通常，考慮到對離子碰撞的高度防護(hù)以及良好的二次電子發(fā)射能力，將氧化鎂 (Mg0)薄膜用作保護(hù)層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題 由于上述MgO的保護(hù)膜具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)，所以其極有效地降低放電 開始電壓。然而，為了滿足對高分辨率顯示面板的需求，有必要進(jìn)一步提高尋址速度，使得 新發(fā)生了放電時延的問題。即，為了根據(jù)所謂的全高清TV標(biāo)準(zhǔn)，在預(yù)定幀時間內(nèi)以灰度顯 示所必需的子場掃描執(zhí)行1080行掃描，如何縮短放電時延是個大問題。
此處，放電時延通常被認(rèn)為是形成時延和統(tǒng)計(jì)時延的總和。形成時延是在顯示電 極中產(chǎn)生初始電子與形成明確放電之間的時間間隔，并且被近似地認(rèn)為是當(dāng)產(chǎn)生許多次放 電時的最小放電時間。統(tǒng)計(jì)時延是施加電壓從而發(fā)生電離與開始放電之間的時間間隔，并 且由于在重復(fù)許多次放電的情況下統(tǒng)計(jì)時延大致會引起偏差而得以命名。如果這些放電時 延較長，則尋址(顯示的寫入)時間也必須較長以避免顯示錯誤，從而造成顯示時間實(shí)際上 可能會被縮短的不良影響。因此，合乎需要的是使放電時延短。 作為使放電時延短的可能的解決方案，常規(guī)地，例如在日本特開第2006-147417 號中已經(jīng)提出了在MgO保護(hù)膜上分散分布MgO單晶的技術(shù)。然而，常規(guī)地，難以使各個面板 的特性均一化。關(guān)于這方面的改善是所期望的。 本發(fā)明的一個目的是提供一種用于改善放電時延的改良的面板結(jié)構(gòu)，并且更特別 地，本發(fā)明的一個目的是提供一種用于以高產(chǎn)量大規(guī)模生產(chǎn)具有均一化特性的面板的新的 保護(hù)膜結(jié)構(gòu)。 解決問題的方案和本發(fā)明的效果 簡要地說，本發(fā)明的主要構(gòu)想是以這樣的方式將MgO單晶分散分布在MgO保護(hù)膜上使MgO單晶的晶面與(100)晶面一致。 更特別地，本發(fā)明的特征在于，在覆蓋電極的電介質(zhì)層上具有MgO保護(hù)膜的等離 子體顯示面板中，MgO保護(hù)膜的表面具有(111)晶面，并且具有(100)晶面的MgO單晶以這 樣的方式均勻地分散分布在MgO保護(hù)膜上以便部分地覆蓋MgO保護(hù)膜的(111)晶面MgO單 晶的(100)晶面一致地與MgO保護(hù)膜的表面平行。 此處，重要的是，向氣體放電空間露出的放電表面具有優(yōu)良的初始電子發(fā)射功能 和優(yōu)良的二次電子發(fā)射功能以便改善放電時延，使得基底MgO保護(hù)膜以其(111)晶面露出 的方式因此得到沉積以便主要具有二次電子發(fā)射功能，并且MgO單晶以其(100)晶面與MgO 保護(hù)膜的表面方向一致的方式分散分布在MgO保護(hù)膜上以便主要具有初始電子發(fā)射功能。
本發(fā)明首次注意到，將MgO單晶散布在基底MgO保護(hù)膜上使得MgO單晶的特定晶 體取向一致。特別地，考慮到MgO單晶的粒徑和MgO單晶在基底MgO保護(hù)膜的表面上的覆 蓋率，研究了關(guān)于放電表面的特性的改善，由此產(chǎn)生本發(fā)明。 如上所述采用新的放電表面不僅改善了放電時延，而且由于基底MgO保護(hù)膜上的
MgO單晶的取向與(100)晶面一致，制造的面板的特性也可以得到均一化。此外，由于基底
MgO保護(hù)膜的表面和MgO單晶的晶面之間的接觸穩(wěn)定，所以由剝離和/或飛散的MgO單晶導(dǎo)
致的部分特性變化的問題將不會出現(xiàn)。 在下文中，將舉例說明本發(fā)明的各個實(shí)施例。 標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面的信號強(qiáng)度可以等于或大于每lym MgO膜的(111)晶面 的信號強(qiáng)度，這些信號是來自保護(hù)層的X射線衍射。在Mg0單晶的情況下，(200)晶面的衍 射信號與(100)晶面的衍射信號等價。 多個MgO單晶可以具有0. 6 ii m或更大的粒度分布的累積50%值。 多個Mg0單晶可以具有粒度分布的累積10%值，其是累積50%值的0. 5倍或更大。 Mg0單晶可以以這樣的方式附著于Mg0膜上在Mg0單晶附著于Mg0膜上之前和 之后測量的在60度測量角度下的光澤度變化率為20-40%。
本文中示出的各個實(shí)施例可以彼此組合。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP的配置的透視圖。 圖2是圖1所示的基板結(jié)構(gòu)體的前面?zhèn)鹊囊徊糠值纳舷路崔D(zhuǎn)透視圖。 圖3是示出用于證實(shí)本發(fā)明的效果的實(shí)驗(yàn)中的X射線衍射圖的圖。 圖4示出用于證實(shí)本發(fā)明的效果的實(shí)驗(yàn)中累積放電成功概率與放電時延之間的
關(guān)系的圖。 附圖標(biāo)記的說明
1 :前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體
la :前面基板
2X、2Y:顯示電極
3:前面基板的電介質(zhì)層
4:保護(hù)層
4a :MgO月莫 4b:MgO單晶 5:阻隔壁 6R :紅熒光體層 6G :綠熒光體層 6B :藍(lán)熒光體層 7 :背面基板的電介質(zhì)層 8:尋址電極 9 :背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體 9a:背面基板 IO:透明電極 11 :匯流電極
具體實(shí)施例方式
在下文中，將通過利用

本發(fā)明的實(shí)施例。附圖中示出的內(nèi)容和以下說明 僅是例證，并且本發(fā)明的范圍并不限于附圖中示出的內(nèi)容和以下說明。在下文中，將以用于 彩色顯示的AC驅(qū)動型三電極面放電型PDP為例說明本發(fā)明。
1. PDP 將參照圖1和2說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP 。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 例的PDP的配置的透視圖。圖2是圖1所示的基板結(jié)構(gòu)體的前面?zhèn)鹊囊徊糠值纳舷路崔D(zhuǎn)透 視圖。 本實(shí)施例的PDP包括隔著封入放電氣體而形成的放電空間、彼此相對的前面?zhèn)然?板結(jié)構(gòu)體1和背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9。 前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1包括布置在前面基板la上的多個顯示電極2X和2Y，覆蓋 多個顯示電極2X和2Y的電介質(zhì)層3，以及覆蓋電介質(zhì)層3的保護(hù)層4，其中保護(hù)層4被配 置成使得多個MgO單晶以這樣的方式附著于MgO膜4a上多個MgO單晶4b的晶體取向沿 一個方向取向。 背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9包括布置在背面基板9a上的多個數(shù)據(jù)電極8，覆蓋多個尋
址電極(address electrode) 8 (也稱為"數(shù)據(jù)電極")的電介質(zhì)層7，以及布置在尋址電極8
的兩側(cè)的電介質(zhì)層7上的阻隔壁(barrier rib) 5，以及在電介質(zhì)層7的表面和阻隔壁5的
兩個側(cè)面上形成的熒光體層6。 在下文中，將詳細(xì)說明每個構(gòu)成要素。 1-1.前面基板、顯示電極、電介質(zhì)層、保護(hù)層(前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體) 前面基板la的種類并不受特別限制。例如，前面基板la是諸如玻璃基板等的透 明基板。 在前面基板la的內(nèi)側(cè)，布置有水平延伸并且平行布置的多個顯示電極2X和2Y。每 條顯示行是相鄰的顯示電極2X和顯示電極2Y之間的空間。這種類型的PDP是所謂的ALIS 結(jié)構(gòu)，其中顯示電極2X和2Y等間隔，并且相鄰電極2X和2Y之間的所有區(qū)域成為顯示行。
5然而，本發(fā)明可以應(yīng)用于一對顯示電極2X和2Y以非放電間隔(非放電間隙)間隔開的另 一種類型的PDP。 顯示電極2X和2Y可由IT0、Sn02等材料制成的透明電極10，以及Ag、Au、Al、Cu、Cr 及其層疊體(例如，Cr/Cu/Cr層疊結(jié)構(gòu))等材料制成的金屬匯流電極(bus electrode) 11 組成。顯示電極2X和2Y可通過對于Ag和Au使用絲網(wǎng)印刷方法等厚膜形成技術(shù)來形成，并 且可以通過對其他金屬使用汽相沉積方法或?yàn)R射方法等薄膜形成技術(shù)和蝕刻技術(shù)來形成， 使得預(yù)定數(shù)目的顯示電極可以以預(yù)定厚度、寬度和間隔沉積。透明電極10主要有助于放電 活動，其具有光透過性，使用戶可從前面基板la側(cè)看到熒光體層的發(fā)光。優(yōu)選的是，匯流電 極11具有低電阻，以便能夠主要傳導(dǎo)放電過程中的電流。透明電極IO和匯流電極11的形 狀不受特別限制，并且可以采用直電極、T形電極或梯子形電極。透明電極10和匯流電極 11的形狀可以彼此相似或不同。例如，透明電極10可以是T形電極或梯子形電極，而匯流 電極3b可以是直電極。 電介質(zhì)層3被沉積在顯示電極2X和2Y上用于覆蓋顯示電極2X和2Y。電介質(zhì)層 3可以通過用絲網(wǎng)印刷方法將低熔點(diǎn)玻璃粉漿料(glassfrit paste)涂布到前面基板la上 并且對該粉漿料進(jìn)行燒制來形成。此外，電介質(zhì)層3可以通過粘貼片狀電介質(zhì)層并且對其 進(jìn)行燒制來形成。此外，電介質(zhì)層3可以通過用等離子體CVD方法沉積二氧化硅(Si02)來 形成。 保護(hù)層4設(shè)置在電介質(zhì)層3上用于保護(hù)電介質(zhì)層3免受在顯示過程中由于放電而 產(chǎn)生的離子碰撞。稍后將說明保護(hù)層4的細(xì)節(jié)。 1-2.背面基板、尋址電極、電介質(zhì)層、阻隔壁、熒光體層(背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體)
背面基板9a的種類不受特別限制。例如，背面基板9a是諸如玻璃基板等的透明 基板。 在背面基板9a的內(nèi)側(cè)，在與顯示電極2X和2Y交叉的方向上水平地形成多個尋址 電極8，并且形成電介質(zhì)層7用于覆蓋數(shù)據(jù)電極8。尋址電極8被設(shè)置成用于形成尋址放電 以選擇位于尋址電極8和顯示電極2Y之間的交叉點(diǎn)處的發(fā)光單元。尋址電極8可以由例 如Cr/Cu/Cr層疊結(jié)構(gòu)形成。 另外，尋址電極8可以由諸如Ag、Au、Al、Cu、Cr等的金屬組成。與顯示電極2X和 2Y類似，尋址電極8可以通過對Ag和Au使用絲網(wǎng)印刷方法等厚膜形成技術(shù)來形成，并且可 以通過對其他金屬使用汽相沉積方法或?yàn)R射方法等薄膜形成技術(shù)和蝕刻技術(shù)來形成，使得 預(yù)定數(shù)目的顯示電極可以以預(yù)定厚度、寬度和間隔沉積。 背面基板的電介質(zhì)層7可以用與前面基板la上的電介質(zhì)層3相同的材料和相同 的方法來形成。 多個阻隔壁5形成在兩個相鄰尋址電極8之間的電介質(zhì)層7上用于分割放電空 間。本實(shí)施例中的阻隔壁5的形狀是條狀。阻隔壁5的形狀可以是曲流形(meander shape)、 格子形或梯子形。 阻隔壁5可以通過噴砂方法或光蝕刻方法形成。例如，在噴砂方法中，可以通過 將由具有低熔點(diǎn)的玻璃粉、粘合劑樹脂和溶劑組成的粉漿料涂布到電介質(zhì)層7上，使粉漿 料干燥，在具有阻隔壁圖案的開口的切割掩模被放置在該粉漿料層上的狀態(tài)下噴射切割顆 粒，切割從切割掩模的開口露出的粉漿料層，并且進(jìn)一步對其進(jìn)行燒制，來形成阻隔壁5。在光蝕刻方法中，代替用切割顆粒進(jìn)行切割，可以通過使用感光樹脂作為粘合劑樹脂，然后使 用掩模進(jìn)行曝光和顯影，并且對其進(jìn)行燒制來形成阻隔壁5。 在由阻隔壁5分割出的放電空間的側(cè)面和底面，分別形成紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B) 的熒光體層6R、6G和6B。熒光體層6R、6G和6B可以通過用絲網(wǎng)印刷方法或使用滴涂器 (dispenser)的方法將包含熒光體粉末、粘合劑樹脂和溶劑的熒光體漿料涂布到由阻隔壁 5分割出的放電空間，對每種顏色(R、G、B)重復(fù)該涂布，并且對其進(jìn)行燒制來形成。
可能的是，熒光體層6R、6G和6B可以通過使用包含熒光體粉末、感光材料和粘合 劑樹脂的片狀熒光體層材料(所謂的綠帶(greensheet))并且使用照相平版印刷技術(shù)來形 成。在此情況下，對各個顏色反復(fù)進(jìn)行將預(yù)定顏色的片材粘貼于基板的顯示區(qū)域上，并對其 進(jìn)行曝光和顯影的操作，使得可以在相應(yīng)的阻隔壁5之間形成各個顏色的熒光體層6。
上述前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1和背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9相互面對，使得顯示電極2X和2Y 與尋址電極8交叉，并且周圍被密封以通過在由阻隔壁5包圍的放電空間內(nèi)填充包含作為 主要成分的Ne氣以及Xe的放電氣體而完成PDP。在這種類型的PDP中，顯示電極(2X和 2Y)與尋址電極8之間的交叉點(diǎn)處的放電空間是被限定為最小顯示單元的單一單元(單位 發(fā)光區(qū)域)。單個像素包括R、G和B三個單元。
1-3.保護(hù)層 接下來將詳細(xì)說明作為本發(fā)明的主要特征的保護(hù)層4。保護(hù)層4被配置成使得多 個MgO單晶4b以這樣的方式附著于MgO膜4a上多個MgO單晶4b的晶體取向沿一個方向 取向。 Mg0膜4a可以通過本領(lǐng)域已知的薄膜形成方法(諸如電子束沉積方法或?yàn)R射)來 形成。 MgO單晶4b可以僅由MgO制成，或者可以包含不致影響晶體結(jié)構(gòu)的少量別的成分 (諸如助熔劑(flux)殘?jiān)?。Mg0單晶4b是立方晶體，在該立方晶體中，所有晶面在物理和 化學(xué)性質(zhì)方面是等價的。因此，當(dāng)多個MgO單晶4b附著于MgO膜4a上使得MgO單晶4b的 任何晶體表面附著于MgO膜4a的表面上時，多個MgO單晶4b的晶體取向還沿一個方向取 向。換言之，多個MgO單晶4b的晶體取向沿一個方向取向，只要不被夾在MgO單晶4b的晶 體表面和MgO膜4a之間的細(xì)粒等障礙物所阻礙。短語"晶體取向沿一個方向取向"是指， 立方晶體的晶面的法線方向沿一個方向取向。只要法線方向沿一個方向取向，立方晶體可 能會圍繞法線旋轉(zhuǎn)也是無關(guān)緊要的。 此處，在顯微鏡下，通過電子束沉積方法沉積的基底MgO膜4a的表面具有凹凸不 平的圓柱晶體結(jié)構(gòu)，以及柱狀晶體的頂點(diǎn)之間的微細(xì)間隙。因此，如果頂點(diǎn)之間的間隔比將 被附著的MgO單晶的直徑短，則基底MgO膜可以實(shí)質(zhì)上平坦，使得MgO單晶的晶體取向便利 地一致。換言之，如果存在有直徑比基底MgO膜的柱狀晶體的頂點(diǎn)之間的間隔的兩倍短的 許多MgO單晶，則MgO單晶將傾斜并滑入頂點(diǎn)之間的微細(xì)間隙，因此MgO單晶的晶體取向?qū)?不能一致。 考慮到上述內(nèi)容，根據(jù)本發(fā)明，多個MgO單晶4b的粒度分布的累積50%值優(yōu)選為 0. 6 ii m或更大，更優(yōu)選地為0. 9 ii m或更大。即，作為使晶體取向一致的技術(shù)要求，必要的 是，占據(jù)超過單位體積的一半的各Mg0單晶的直徑為0. 6 ii m或更大，并且優(yōu)選地為0. 9 ii m 或更大，并且更優(yōu)選地為1. 3 ii m或更大。如上所述，如果直徑過小，Mg0單晶4b的邊緣可能會滑入Mg0膜4a的表面的微細(xì)間隙內(nèi)，所以，優(yōu)選地，將短于0. 1 m的MgO單晶的直徑 排除。另夕卜，優(yōu)選地，MgO單晶4b的累積50X值是30iim或更小。如果直徑過大，則具有二 次電子發(fā)射功能的基底MgO膜的露出面積變窄，由此增加了放電電壓。可以通過使用激光 衍射型粒度分布分析儀來測量多個MgO單晶4b的粒度分布。 多個MgO單晶4b的粒度分布的累積50%值可以具體地例如是0. 6、0. 7、0. 8、0. 9、 1、1. 1、1. 2、1. 3、1. 4、1. 5、1. 6、1. 7、1. 8、1. 9、2、2. 1、2. 2、2. 3、2. 4、2. 5、2. 6、2. 7、2. 8、2. 9、
3、4、5、 10、 15、20、25或30 ii m。多個MgO單晶4b的累積50 %值可以在上面舉例說明的任何 兩個數(shù)字之間的范圍內(nèi)。 多個MgO單晶4b的粒度分布的累積10%值不受特別限制，而是優(yōu)選地為累積 50%值的0.5倍或更大。在此情況下，多個MgO單晶4b中微細(xì)MgO單晶的百分比較低。微 細(xì)MgO單晶被夾在較大MgO單晶4b的晶體表面和MgO膜4a之間，由此妨礙MgO單晶4b的 晶體表面和MgO膜4a之間的接觸，從而阻止MgO單晶4b的晶體取向一致。如果多個MgO 單晶4b的累積10%值是累積50%值的0. 5倍或更大，則MgO單晶中的微細(xì)MgO單晶4b的 百分比過低，使得容易使MgO單晶4b的晶體取向一致。 多個MgO單晶4b的粒度分布的累積10%值可以具體地例如是累積50%值的0. 5、 0. 55、0. 6、0. 65、0. 7、0. 75、0. 8、0. 85、0. 9或0. 95倍。多個MgO單晶4b的累積10%值可以 在上面舉例說明的任何兩個數(shù)字之間的范圍內(nèi)，或者大于上面舉例說明的任何一個數(shù)字。 由于多個MgO單晶4b的累積10X值更接近多個MgO單晶4b的累積50%值，所以更容易使 MgO單晶4b的晶體取向一致。 可以通過使用X射線衍射(XRD)，基于(200)晶面的信號強(qiáng)度與(111)晶面的信 號強(qiáng)度之間的比率來確定多個MgO單晶4b的晶體取向是否一致。MgO單晶的(200)晶面 與(100)晶面等價。當(dāng)多個MgO單晶4b的晶體取向一致時，(200)晶面的信號強(qiáng)度較強(qiáng)， 并且當(dāng)多個MgO單晶4b的晶體取向不一致時，(200)晶面的信號強(qiáng)度非常弱。另一方面， (111)晶面的信號主要是來自Mg0膜4a的信號，并且很少取決于多個Mg0單晶4b的晶體取 向是否一致。因此，K200)晶面的信號強(qiáng)度/(111)晶面的信號強(qiáng)度}的比率值指示多個 Mg0單晶4b的晶體取向是否一致。舉例來說，如果標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面的信號強(qiáng)度是每 lym Mg0膜的(111)晶面的信號強(qiáng)度的一倍以上，則可以確定多個MgO單晶4b的晶體取 向一致。考慮到當(dāng)(200)晶面與(111)晶面之間的存在比率是1/1時，(200)晶面與(111) 晶面之間的所測信號強(qiáng)度的比率是11.6/100，所以這里的"標(biāo)準(zhǔn)化"是指，以(111)晶面的 信號強(qiáng)度為基準(zhǔn)，將(200)晶面的信號強(qiáng)度的測量值乘以0. 116。 Mg0單晶4b的生產(chǎn)方法不受特別限制，舉例來說，混合通過氣相方法制造的Mg0晶 種和少量助熔劑(催化劑)并對其進(jìn)行燒制，然后對燒制的產(chǎn)物進(jìn)行粉碎。由于通過氣相 方法制造的MgO晶種在尺寸上較小并且在尺寸變化上較大，所以即使通過氣相方法制造的 Mg0晶種如所述地那樣散布在MgO膜4a上，也不能使Mg0晶種的晶體取向一致。另一方面， 上述制造的Mg0單晶4b在尺寸上較大并且在尺寸變化上較小。那么，如果上述制造的Mg0 單晶4b散布在Mg0膜4a上，則可以使多個MgO單晶4b的晶體取向一致?？梢圆捎面V的鹵 化物(氟化鎂等)作為助熔劑。 例如，在1000至170(TC下執(zhí)行燒制1-5小時。通常，Mg0單晶4b的尺寸在燒制溫 度更高、燒制時間更長并且助熔劑的添加量更多時變得更大。由于Mg0單晶4b的尺寸更小并且在燒制過程中晶體生長的速度更快，所以在燒制溫度更高、燒制時間更長并且助熔劑 的添加量更多時MgO單晶4b的尺寸變化變得更小。因此，為了得到MgO單晶4b的期望的 粒度分布，適當(dāng)?shù)乜刂茻茰囟取茣r間和助熔劑的添加量。燒制溫度可以是例如1000、 1100、 1200、 1300、 1400、 1500、 1600或1700°C 。燒制溫度可以在上面舉例說明的任何兩個數(shù) 字之間的范圍內(nèi)。燒制時間可以是例如1、2、3、4或5小時。燒制時間可以在上面舉例說明 的任何兩個數(shù)字之間的范圍內(nèi)。助熔劑的添加量可以是例如0. 01-0. lwt^并且具體地例 如是0. 001、0. 002、0. 005、0. 01、0. 02、0. 03、0. 04、0. 05、0. 06、0. 07、0. 08、0. 09或0. lwt%。 助熔劑的添加量可以在上面舉例說明的任何兩個數(shù)字之間的范圍內(nèi)。燒制的產(chǎn)物的粉碎方 法不受特別限制，舉例來說，將燒制的產(chǎn)物放置在研缽內(nèi)以便用研棒將其粉碎成粉末。
通過氣相方法生產(chǎn)MgO晶種可以具體地例如通過日本特開第2004-182521號 中描述的方法和/或在"Material"Vol. 36， No. 410， pp. 1157-1161， 11月(1987)中的 "Synthesis of Magnesia Powder by GasPhase Method and Its Properties''中描述的 方法來進(jìn)行。此外，通過氣相方法制造的MgO晶種可以從Ube Material Industries,Ltd. 購買。 將Mg0單晶4b附著于MgO膜4a上的方法不受特別限制。舉例來說，MgO單 晶4b可以以分散在分散介質(zhì)中的狀態(tài)或者照原樣涂布或散布到Mg0膜4a上，使得MgO 單晶4b可以附著于Mg0膜4a上。該涂布或散布可以具體地例如通過靜電噴涂沉積 (electrosprayd印osition)方法、噴射(spray)方法、絲網(wǎng)印刷方法、膠版印刷方法、滴涂 器(dispenser)方法、輥涂方法、模具涂布(die coating)方法、刮刀方法或噴墨方法來執(zhí) 行。另外，在將包含Mg0單晶4b的漿料涂布在支撐膜上之后，可以使其干燥以制作MgO單 晶膜。MgO單晶膜可以層壓在MgO膜4a上。因此，不管怎樣，MgO單晶4b可以附著于MgO 膜4a的整個區(qū)域或一部分上。 MgO單晶4b在MgO膜4a上的附著量不受特別限制，舉例來說，優(yōu)選的是，Mg0單晶 以這樣的方式附著于Mg0膜上在60度測量角度下，Mg0單晶附著于Mg0膜上之前和之后 的光澤度變化率為20-40%。光澤度變化率由以下公式定義。 光澤度變化率(％ ) = {1- (MgO單晶4b附著之后的光澤度)/ (MgO單晶4b附著之 前的光澤度MXIOO 可以通過光澤計(jì)(例如，由HORIBA， LTD.制造的便攜式光澤計(jì)IG-331)測量光澤 度。Mg0單晶4b附著之前的光澤度可以認(rèn)為是與短暫附著的MgO單晶4b被移除之后在MgO 膜的表面處的光澤度等價。 當(dāng)MgO單晶4b的附著量更大時，光澤度變化率也更大。因此，光澤度變化率是用 于反映MgO單晶4b附著量的值。如果MgO單晶4b的附著量過小，問題可能會是，改善放電 時延的效果可能會也小，如果附著量過大，問題可能會是，放電電壓可能會增加。因此，為了 適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)MgO單晶4b的附著量，優(yōu)選的是，MgO單晶以這樣的方式附著于MgO膜上在60 度測量角度下，MgO單晶附著于MgO膜之前和之后的光澤度變化率為20-40%。具體地，光 澤度變化率可以是例如20、25、30、35和40 % 。光澤度變化率可以在上面舉例說明的任何兩 個數(shù)字之間的范圍內(nèi)。 在光澤度變化率的變動在短距離內(nèi)較大的情況下，PDP顯示區(qū)域內(nèi)的光澤度變化 率的變動會影響顯示性能。因此，優(yōu)選地，使光澤度變化率的變動小于10% /mm。
2.證實(shí)本發(fā)明效果的實(shí)驗(yàn) 在用于證實(shí)本發(fā)明效果的以下實(shí)驗(yàn)中，通過比較晶體取向一致的MgO單晶4b附著
于MgO膜4a上的一種情況與MgO單晶4b沒有附著于MgO膜4a的另一種情況的放電時延
來研究放電時延的改善效果。 2-1.用于生產(chǎn)MgO單晶的方法 MgO單晶4b通過以下方法制備。 首先，(由Fur皿chi Chemical Corporation生產(chǎn)，純度99. 99 %的)MgF2作為助熔劑以48卯m添加到(由Ube Material Industries, Ltd.生產(chǎn)，商品名HIGHPURITY&ULTRAFINE SINGLE CRYSTALMAGNESIA POWDER (2000A)的)MgO晶種中。采用研鉬和研棒混合并碾磨該粉末。 接下來，在混合和碾磨之后，將所得的混合物在空氣中在145(TC下燒制1小時。 接下來，采用研缽和研棒將燒制物粉碎成粉末以獲得MgO單晶4b。此處，通過使用(由SYSMPATEC INC生產(chǎn)的型號為HEL0S&R0D0S的)激光衍射型
粒度分布分析儀測量所獲得的MgO單晶4b的粒度分布。結(jié)果，累積10%值、累積50%值和
累積90X值分別是0.8iim、1.2iim和2. liim。累積10%值是累積50%值的0. 67倍，所以
明顯的的是，所獲得的MgO單晶4b包含少量細(xì)粒。 2-2.用于生產(chǎn)PDP的方法 接下來，根據(jù)以下方法制備PDP，在該P(yáng)DP中多個MgO單晶4b附著于MgO膜4a上使得該多個MgO單晶4b的晶體取向沿一個方向取向。也通過相同的方法并且在相同條件下制備多個MgO單晶4b不附著于MgO膜4a上的另一 PDP，以便在稍后說明的放電時延試驗(yàn)中利用其進(jìn)行比較實(shí)驗(yàn)。
2-2-1.概要 如圖l所示，通過在由玻璃制成的前面基板la上形成顯示電極2X和2Y、電介質(zhì)層3以及保護(hù)層4 (多個MgO單晶4b附著于MgO膜4a上使得多個MgO單晶4b的晶體取向沿一個方向取向)來制備前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1。此外，通過在由玻璃制成的背面基板9a上形成尋址電極8、電介質(zhì)層7、阻隔壁5以及熒光體層6G、6B和6R來制備背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9。接下來，通過將前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1疊蓋在背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9上并采用密封材料在這些結(jié)構(gòu)體的周緣部分處密封這些結(jié)構(gòu)體來制備具有內(nèi)部氣密放電空間的面板。接下來，在對放電空間內(nèi)進(jìn)行排氣之后，將放電氣體引入放電空間中以完成PDP。
2-2.將MgO單晶4b附著于MgO膜4a上的方法
根據(jù)以下方法將MgO單晶4b附著于MgO膜4a上。 首先，將MgO單晶4b以2克比IL(I升)的比率與(由KANTOCHEMICAL Co. ， Inc生產(chǎn)的用于電子工業(yè)的)IPA相混合，并采用超聲波分散機(jī)使所得的混合物分散，由此使凝聚的晶體分散以制備漿料。 接下來，采用噴涂槍(coating spray gun)將上述槳料噴涂到MgO膜4a上，然后通過吹干燥空氣來使該涂層干燥。重復(fù)該步驟若干次以將MgO單晶4b附著于MgO膜4a上。將MgO單晶4b附著于MgO膜4a上，使得MgO單晶4b的密度為每lm2膜為2g。
在將MgO單晶4b附著于MgO膜4a上之前和之后，通過使用X射線衍射(XRD)來測量信號強(qiáng)度的比率。圖3示出了測量結(jié)果的圖。
參照圖3，在將Mg0單晶4b附著于MgO膜4a上之前，觀測(111)晶面和(222)晶面的信號，并且在將MgO單晶4b附著于MgO膜4a上之后，觀測(111)晶面、(222)晶面的信號，并且還觀測(200)晶面的信號。在將MgO單晶4b附著于MgO膜4a上之前和之后，(111)晶面和(222)晶面的信號強(qiáng)度未改變。標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面的信號強(qiáng)度是每lym MgO膜的(111)晶面的信號強(qiáng)度的1.9倍。這些結(jié)果指示多個MgO單晶4b的晶體取向沿一個方向取向。對通過相同的方法將MgO晶種附著于MgO膜4a上的另一 PDP執(zhí)行使用X射線衍射(XRD)進(jìn)行的另一測量。結(jié)果，(200)晶面的信號強(qiáng)度非常小，并且標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面的信號強(qiáng)度小于每lym MgO膜的(111)晶面的信號強(qiáng)度的0.5倍。
在將MgO單晶4b附著于MgO膜4a之前和之后，測量光澤度以計(jì)算光澤度變化率。通過使用光澤計(jì)(由HORIBA LTD.制造的便攜式光澤計(jì)IG-331)在60度測量角度下測量光澤度。結(jié)果，光澤度變化率為30%。在換算成MgO單晶4b在MgO膜4a的表面上的覆蓋率時，該值被認(rèn)為是大約6%。
2-3.其他
其他條件如下。
前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體l :
透明電極10的寬度270iim
匯流電極11的寬度95iim
放電間隙的寬度100iim 電介質(zhì)層3 :通過涂布具有低熔點(diǎn)的玻璃漿料并對該漿料進(jìn)行燒制來形成，厚度
30iim MgO膜4a:通過電子束蒸發(fā)形成MgO層，厚度1. lym
背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9 :
尋址電極8的寬度70iim 電介質(zhì)層7 :通過涂布具有低熔點(diǎn)的玻璃漿料并對該漿料進(jìn)行燒制來形成，厚度10 ii m 熒光體層6G、6B和6R位于尋址電極8正上方的部分的厚度20 ym
阻隔壁5的高度140iim阻隔壁5的頂部寬度50 ym
阻隔壁5的間距(pitch) :360iim
放電氣體Ne 96% -Xe 4%，500托
3.放電時延試驗(yàn) 接下來，在生產(chǎn)的每個PDP上執(zhí)行放電時延試驗(yàn)。在放電時延試驗(yàn)中，當(dāng)向?qū)ぶ冯姌O8施加電壓時，測量電壓施加時刻和放電實(shí)際開始時刻之間的間隔。測量該時間間隔1000次。圖4示出放電時延與累積放電成功概率之間的關(guān)系。 圖4示出晶體取向一致的多個MgO單晶4b附著于MgO膜4a上的一種情況和多個MgO單晶4b未附著于MgO膜4a上的另一情況的結(jié)果。參照圖4，明顯的是，前一種情況改善了放電時延。該結(jié)果指示出，包括這樣的保護(hù)層4的PDP改善了諸如放電時延的放電特性并且提供了良好的放電特性在該保護(hù)層4中，多個MgO單晶4b附著于MgO膜4a上使得多個MgO單晶4b的晶體取向沿一個方向取向。 在上述實(shí)施例中，通過以在前面基板上包括一對顯示電極并且在背面電極上包括
11尋址電極的AC驅(qū)動型三電極面放電型PDP為例來說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于這種類型，并且也可以應(yīng)用于在前面基板上包括一對顯示電極以及尋址電極的另一種類型的三電極面放電型PDP，其中顯示電極被布置在形成在尋址電極上的絕緣層上，并且在顯示電極上設(shè)置有電介質(zhì)層和保護(hù)層。另外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包括分別形成在相對基板上的一對顯示電極X和Y的另一種類型的AC驅(qū)動型二電極對向放電型PDP。 本發(fā)明可以減少由于放電時延而引起的放電不良，并且可以使PDP能夠以高產(chǎn)量大規(guī)模生產(chǎn)。因此，根據(jù)本發(fā)明的PDP有利地以低成本提供了良好的顯示。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示面板，其特征在于包括隔著封入放電氣體而形成的放電空間、彼此相對的一對基板結(jié)構(gòu)體，其中所述一對基板結(jié)構(gòu)體中的一個包括布置在基板上的顯示電極；用于覆蓋所述顯示電極的電介質(zhì)層；以及用于覆蓋所述電介質(zhì)層的保護(hù)層，并且所述保護(hù)層被配置成使得多個MgO單晶以這樣的方式附著于MgO膜上所述多個MgO單晶的晶體取向沿一個方向取向。
2. 如權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板，其中標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面的信號強(qiáng)度等 于或大于每lPm MgO膜的(111)晶面的信號強(qiáng)度，所述信號是來自所述保護(hù)層的X射線衍 射。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示面板，其中所述多個MgO單晶的粒度分布的 累積50%值為0.6iim或更大。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示面板，其中所述多個MgO單晶的粒 度分布的累積10%值為累積50%值的0. 5倍或更大。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的等離子體顯示面板，其中所述多個MgO單晶以這 樣的方式附著于MgO膜上在所述多個MgO單晶附著于MgO膜上之前和之后測量的在60度 測量角度下的光澤度變化率為20-40%。
6. —種在覆蓋電極的電介質(zhì)層上具有MgO保護(hù)膜的等離子體顯示面板，其特征在于， 所述MgO保護(hù)膜的表面具有(111)晶面；并且具有(100)晶面的MgO單晶以這樣的方式均 勻地分散分布在所述MgO保護(hù)膜上以便部分地覆蓋所述MgO保護(hù)膜的(111)晶面所述Mg0 單晶的(100)晶面一致地與所述MgO保護(hù)膜的表面平行。
7. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其特征在于，所述Mg0單晶以這樣的方式均 勻地分散分布所述Mg0單晶的(100)晶面的相反側(cè)的晶面與所述MgO保護(hù)膜的表面相接 觸。
全文摘要
一種可以在放電時延方面得到改善的等離子體顯示面板(PDP)。該P(yáng)DP包括隔著封入放電氣體的放電空間、彼此相對的一對基板結(jié)構(gòu)體。所述一對基板結(jié)構(gòu)體中的一個包括布置在基板上的顯示電極，覆蓋顯示電極的電介質(zhì)層(3)，以及覆蓋電介質(zhì)層(3)的保護(hù)層(4)。保護(hù)層(4)具有這樣的結(jié)構(gòu)沿一個方向取向的多個MgO單晶(4b)附著于MgO膜(4a)上。
文檔編號H01J11/12GK101779264SQ20078010024
公開日2010年7月14日 申請日期2007年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月10日
發(fā)明者上野高弘, 大富淳生, 山領(lǐng)康仁, 立原弘幸, 金子好之 申請人:株式會社日立制作所