專利名稱：等離子體顯示面板的制造方法、氧化鎂晶體、等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(PDP)等顯示設(shè)備，特別涉及起動粒子(priming particles)放出層(電子放出層)。
背景技術(shù)：
PDP由于其高精細化正在被推進，像素數(shù)增加，選擇決定顯示單元的點亮/非點亮 的地址動作的時間增大。為了抑制該增大，減小地址放電用的電壓(地址電壓)的脈沖寬 度是有效的。但是，施加電壓之后直到放電發(fā)生的時間(放電延遲)存在偏差。因此，地址 電壓的脈沖寬度過小時，有時即使施加了脈沖，放電也不會發(fā)生。這種情況下，在維持期間 該顯示單元不能正確點亮。因此招致畫質(zhì)變差。 作為改善PDP放電延遲的方法，有在前面基板構(gòu)造體上設(shè)置Mg0晶體層作為起動 粒子放出層(電子放出層)的技術(shù)。關(guān)于該技術(shù)，記載于日本專利特開2006-59786號公報 (專利文獻1)。 上述MgO晶體層產(chǎn)生的對放電延遲的改善效果是，構(gòu)成該層的MgO晶體粉體(粉 末)的粒徑大幅提高。例如，日本專利特開2006-147417號公報(專利文獻2)中記載有將 MgO晶體粉末進行分級而實現(xiàn)平均粒徑的提高的技術(shù)。 [OOO5] 專利文獻1 :(日本專利)特開2006-59786號公報 [OOOS] 專利文獻2 :(日本專利)特開2006-147417號公報 專利文獻1中所記載的技術(shù)表明，從上次放電到地址放電的休止期間短的情況 下，可看到放電延遲的改善效果，而該休止期間長的情況下效果變差。 另外，如上所述，MgO晶體粉體的粒徑越大放電延遲的改善效果越高，但專利文獻 2所記載的技術(shù)，如果所述休止期間變長，起動粒子放出量就會減少，所以，放電延遲惡化 (效果差)。為了進行高對比度驅(qū)動、高精細驅(qū)動，希望能夠進一步改善放電延遲的效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于以上這種問題而開發(fā)的，其目的在于提供相比于現(xiàn)有技術(shù)能夠進一 步提高放電延遲的改善效果的PDP等的技術(shù)。 如果對本申請中所公開的發(fā)明中代表性的技術(shù)的概要進行簡單地說明，那么內(nèi)容 如下。為了實現(xiàn)所述目的，代表性的實施方式是在PDP等顯示設(shè)備中，作為起動粒子放出層 (電子放出層)而設(shè)置MgO晶體層的技術(shù)，其特征為，具有如下的結(jié)構(gòu)。
代表性的實施方式的PDP制造方法(MgO晶體層的形成方法)是具有露出于放電 空間的MgO晶體層(起動粒子放出層)的PDP制造方法，是對構(gòu)成MgO晶體(粉體)在氧 化氣氛(含氧的氣氛)中實施熱處理的方法。使用熱處理后的MgO晶體，在對象面(保護 層及電介質(zhì)層等)上形成規(guī)定特性的MgO晶體層。此外，作為其熱處理是通過規(guī)定的熱處 理促進該MgO晶體(粉體)的粒子成長(結(jié)晶成長)，由此，使該MgO晶體層的MgO晶體粉體的粒徑分布中的粒徑的下限(最小)達到50nm以上。 此外，為了有效地促進上述粒子成長，在上述規(guī)定的熱處理之前，也可以對MgO晶體粉末中添加助熔劑(具有使該MgO的融點降低的作用的物質(zhì)(助熔劑))。該層的形成包括通過涂布或噴霧等方法在對象面上配置MgO晶體含有材料，通過加熱(熱處理)除去多余的成分，使MgO晶體粉體成分固著的工序等。 另外，例如在沒有添加助熔劑的情況下，上述規(guī)定的熱處理是作為燒結(jié)工序在所述氧化氣氛下，在1000 280(TC的溫度下進一步限定燒結(jié)0. 1 48小時(如果進一步限定的話，為0. 1 12小時)。另外，在為添加助熔劑的構(gòu)成的情況下，上述規(guī)定的熱處理是在所述氧化氣氛中，在助熔劑的融點 280(TC的溫度下燒結(jié)0. 1 12小時。由此，滿足所述粒徑下限為50nm以上的要求。 另外，特別是所述助熔劑是鎂(Mg)的鹵化物。另外，特別是所述鹵化物為氟化鎂(MgF2)。另外，特別是向MgO晶體中作為助熔劑所添加的鹵素為1 10000卯m(重量濃度)。
另外，代表性的實施方式的MgO晶體(MgO晶體粉體(粉末))，能夠采用上述的任一方法來制造(形成)。另外，代表性的實施方式的PDP采用上述的任一方法來制造。
根據(jù)如上所述的起動粒子放出層(MgO晶體層)的構(gòu)成，放電延遲的改善效果長時間持續(xù)。即使在從前一次放電到地址放電的休止時間長的情況下，也可有效地得到放電延遲的改善效果。
發(fā)明的效果 如果對根據(jù)本申請中所公開的發(fā)明中代表性的技術(shù)所得到的效果進行簡單地說明，那么內(nèi)容如下。根據(jù)代表性的實施方式，可以提供與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠提高放電延遲的改善效果的PDP等的技術(shù)。詳細情況如下。 本發(fā)明的MgO晶體(層)，通過在所述氧氣氛中的熱處理，放電延遲的改善效果長時間持續(xù)。其理由不一定明確，但可如下進行推測。即，推測其理由為MgO(MgO晶體)的氧缺損會損壞本來的MgO的電子(起動粒子)放出特性，通過在所述氧氣氛中的熱處理，該氧缺損被抑制(由此，本來的電子放出特性得以發(fā)揮)。 此外，通過對本MgO晶體(層)按照促進所述粒子成長的程度進行規(guī)定的熱處理，就可以沒有放電延遲的改善效果小的、粒徑不足50nm的粒子，并且可以制造(形成)粒徑比該處理前的粒子大的粒子。 在上述專利文獻2的方法(分級等)中，進行的處理難以完全除去粒徑小的粒子，得不到粒徑在處理前的粒子的粒徑以上的大的粒子。因此，本發(fā)明的方法能夠得到比專利文獻2更加顯著的效果。 另外，通過在熱處理前對本MgO晶體添加助熔劑，能夠以少的熱處理能量有效地進行粒子成長。即，可以提高制造效率。


圖1是表示本發(fā)明一個實施方式的PDP的基本的結(jié)構(gòu)例的圖，是將其主要部分放大表示其分解立體構(gòu)成的圖； 圖2是對于本發(fā)明一個實施方式的PDP中的、包含MgO晶體層(起動粒子放出層)的前面基板構(gòu)造體的截面構(gòu)成例進行表示的 圖3是表示作為本發(fā)明一個實施方式的Mg0晶體及MgO晶體層的制造流程的說明圖； 圖4是表示本發(fā)明實施例1的MgO晶體、MgO晶體層及PDP制造方法中，SEM觀察下的MgO晶體層的圖，(a)表示基于本實施例1的處理制品，(b)表示無氧氣氛中的處理制品，(c)表示像現(xiàn)有技術(shù)那樣不進行熱處理而制作的處理制品； 圖5是表示在本發(fā)明的實施例1中，與圖4對應(yīng)，使用MgO晶體層(MgO晶體)的PDP的放電延遲與休止時間之間的關(guān)系的曲線圖； 圖6是表示本發(fā)明實施例2的MgO晶體、MgO晶體層及PDP制造方法中，SEM觀察下的MgO晶體層的圖； 圖7是表示在本發(fā)明的實施例2中，與圖6對應(yīng)，使用MgO晶體層(MgO晶體)的PDP的放電延與休止時間之間的關(guān)系的曲線圖； 圖8是表示在本發(fā)明的一個實施方式中，用于進行具有起動粒子放出層(MgO晶體)的PDP的放電延遲(其改善效果)試驗的測定用的電壓波形的圖。
具體實施例方式
下面，根據(jù)附圖詳細地說明本發(fā)明的實施方式。需要說明，在用于說明收視費的所
有圖中，原則上，對同一部位付與同一符號且省略其重復(fù)的說明?！锤乓?gt; 本實施方式的PDP及MgO晶體(層)及其制造方法中，在氧氣氛中對MgO晶體進行熱處理。其處理條件如下。氧氣氛是氧濃度為1 100%，溫度為500 2800°C。另外，在促進粒子成長(結(jié)晶成長)的情況下，溫度為1000 2800°C。另外，在向MgO晶體(粉末)中添加助熔劑(flux)的情況下，溫度為助熔劑融點 280(TC。 在添加助熔劑的情況下，作為助熔劑的種類，只要是具有使MgO(MgO晶體)的融點降低作用的物質(zhì)就沒有特別限定。助熔劑例如優(yōu)選使用含鹵素的化合物或、含Al (鋁)、Ti(鈦)的化合物等。特別優(yōu)選使用氟化鎂(MgF2)。助熔劑的添加量為1 10000ppm。
熱處理后的MgO晶體的粒度分布，優(yōu)選粒徑的下限(最小)為0. 05 ii m(50nm)以上，且上限(最大)為20ym以下。
〈PDP (基本結(jié)構(gòu))> 在圖1中，表示本實施方式的PDP(面板)IO的基本結(jié)構(gòu)的一例。表示了與像素對應(yīng)的顯示單元的置位(set) (Cr、Cg、Cb)的部分。需要說明，為了方便說明，具有x方向(第一方向、橫方向)、y方向(第二方向，縱方向)、z方向(第三方向、面板垂直方向)。
本PDP10是將前面基板構(gòu)造體11和背面基板構(gòu)造體12組合而成，期間具有放電空間16。在前面基板構(gòu)造體ll中，在前面玻璃基板l上沿x方向配置有顯示電極3(3X，3Y)群。顯示電極3具有持續(xù)動作用的維持電極3X、持續(xù)動作及掃描動作用(兼用)的掃描電極3Y。顯示電極3(3X，3Y)例如由透明電極和總線電極構(gòu)成。在前面玻璃基板l上，顯示電極3群被電介質(zhì)層4覆蓋。在電介質(zhì)層4上還形成有保護層5。電介質(zhì)層4及保護層5形成在對應(yīng)PDPIO的顯示區(qū)域(畫面)的整個面上。 在背面基板構(gòu)造體12中，在背面玻璃基板2上、在和顯示電極3交叉的y方向上配置有地址電極6群。地址電極6群被電介質(zhì)層9覆蓋。電介質(zhì)層9上在地址電極6之間例如沿y方向形成有隔壁7。隔壁7與單位發(fā)光區(qū)域(顯示單元)相對應(yīng)地劃分出放電 空間16。在地址電極6的上方，被隔壁7劃分出的區(qū)域中，對每列依次區(qū)分顏色而形成有 R (紅)、G (綠)、B (藍)各色的熒光體(熒光體層)8 {8r， 8g， 8b}。 在將前面基板構(gòu)造體11和背面基板構(gòu)造體12貼合而形成的內(nèi)部區(qū)域中，封入放 電氣體(例如在Ne中混合數(shù)％左右的Xe的氣體)，由此構(gòu)成氣密性的放電空間16。 PDP10 的周緣部用密封材料貼合。與維持電極3X、掃描電極3Y、地址電極6的交叉部分相對應(yīng)形 成顯示單元。 在PDPIO的驅(qū)動(子場法及地址顯示分離方式)中，在選擇的顯示單元中，通過施 加電壓使地址電極6和掃描電極3Y之間發(fā)生放電(地址放電)(地址動作期間)。另外， 對所選擇的顯示單元，通過施加電壓使顯示電極3的對(3X，3Y)之間發(fā)生放電(維持放電 (顯示放電))(維持動作期間)。由此，進行子場所要求的顯示單元的發(fā)光(點亮)。另外， 通過選擇在場中的進行點亮的子場，則可表現(xiàn)像素(顯示單元)的亮度。
〈PDP(詳細結(jié)構(gòu))〉 在圖2中，在本實施方式的PDP10的前面基板構(gòu)造體11中，在保護層5的表面具 有露出于放電空間16而形成的起動粒子放出層(簡稱為P層)15。 P層15是含有Mg0晶 體粉體而組成的MgO晶體層?；蛘?，P層15含有添加了氟(F)等鹵素的MgO晶體粉體而組 成。而且，在P層15中，MgO晶體粉體相對于對象面(保護層5)致密或稀疏地分布(稀疏 地分布時也稱為層(膜))。 前面玻璃基板1可以使用玻璃等透明材料。顯示電極3可以由例如，以ITO等形 成的寬度較寬且形成放電間隙的透明電極3a ;和以Cu、Cr等金屬形成的寬度較窄且使電極 電阻減小的總線電極3b構(gòu)成。電極形狀沒有特別限定，例如，透明電極3a為板狀或在每個 顯示單元中為T字形狀等，總線電極3b為直線狀。顯示電極3由鄰接的維持電極3X和掃 描電極3Y的對構(gòu)成顯示線。作為電極排列構(gòu)成，可以是設(shè)置有作為非放電區(qū)域(逆狹縫) 的顯示電極3對的標準結(jié)構(gòu)、或?qū)@示電極3(3X，3Y)以等間隔交替排列、且由鄰接的所有 的顯示電極3對構(gòu)成顯示線的所謂ALIS結(jié)構(gòu)。 電介質(zhì)層4例如通過在前面玻璃基板1上用網(wǎng)版印刷法等涂布低融點玻璃糊劑并 進行燒結(jié)而形成。保護層5具有保護電介質(zhì)層4及放出二次電子等的功能。保護層5例如 由MgO、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇等金屬氧化物構(gòu)成，優(yōu)選由二次電子放出系數(shù)高的MgO層構(gòu) 成。保護層5例如通過電子束蒸鍍法(或濺射法、涂布方法等)形成。
背面基板構(gòu)造體12可以使用公知的技術(shù)如下所述進行制作。背面玻璃基板2、地 址電極6、電介質(zhì)層9可以與前面?zhèn)韧瑯拥剡M行制作。隔壁7例如可以通過形成低融點玻璃 糊劑等材料的層，用噴砂等方法對其進行構(gòu)圖并燒結(jié)而形成。隔壁7例如可以是僅沿y方 向的條紋形狀或具有x方向及y方向的隔壁部的箱形等。熒光體8通過在每個R， G， B中， 例如在隔壁7間的區(qū)域中用網(wǎng)版印刷法、分配器等方法涂布熒光體糊劑并燒結(jié)而形成。
〈起動粒子放出層(MgO晶體層)> 構(gòu)成PDP10的基板構(gòu)造體中，P層(MgO晶體層)15配置在露出于放電空間的任意 部位。例如可以是直接配置在電介質(zhì)層4上的構(gòu)成、或者配置于電介質(zhì)層4上的保護層5 上的構(gòu)成等。本實施方式中，如圖2所示，在前面基板構(gòu)造體11中，是配置于保護層5上的 構(gòu)成。通過使P層15露出于放電空間16而配置，利用P層15 (構(gòu)成該層的MgO晶體粉體)能夠得到向放電空間放出起動粒子的功能及改善PDP10中的放電延遲的效果等。 P層15構(gòu)成為具有起動粒子放出粉體材料。作為起動粒子放出粉體材料，包括MgO
晶體粉體(粉末)、或添加了鹵素的Mg0晶體粉體等。 所添加的鹵素的種類例如包括氟(F)、氯、溴、碘等中的一種或兩種以上。已確認， 在使用氟時，放電延遲的改善效果長時間持續(xù)。所添加的鹵素的量例如為1 10000ppm。 作為含鹵素物質(zhì)例如可舉出Mg的鹵化物即氟化鎂(MgF》、及Al，Li，Mn，Zn，Ca，Ce的鹵化物。 含Mg0晶體粉體的物質(zhì)的燒結(jié)在例如1000 1700°C的范圍內(nèi)進行。Mg0晶體或 添加了鹵素的Mg0晶體優(yōu)選為粉體狀，且優(yōu)選粒徑為前述的固定范圍內(nèi)(50nm 20 y m)。 特別優(yōu)選粒徑的下限(最小)為規(guī)定程度以上(50nm以上)。粒徑過小時，P層15產(chǎn)生的 放電延遲的改善效果小。反之，粒徑過大時，難以均勻地形成P層15。 MgO晶體具有通過電子線的照射而進行在特定波段200 300nm內(nèi)具有波峰的 CL(陰極發(fā)光cathode luminescent)發(fā)光這一特性。Mg0晶體的制造方法優(yōu)選使Mg蒸氣 和氧反應(yīng)的氣相法。通過使用氣相法可得到高純度的單晶體。 P層15的基本的形成方法如下。準備使粉末狀的Mg0晶體混合、分散在溶媒(溶 劑)中而成的糊劑或漿液等狀態(tài)物(含起動粒子放出粉體的材料)。然后通過噴霧(散布) 或涂布等方法將該材料在對象面上進行成膜。例如可以使用漿液噴霧的方法或印刷法等涂 布糊劑的方法。通過對成膜后的材料進行干燥及燒結(jié)除去溶劑成分等，使粉體成分固著在 對象面上，由此完成P層15。 P層15例如以在對象面(保護層5表面)的整個面上達到規(guī)
定的厚度的方式形成。
[實施例1] 用圖3 圖5等說明本發(fā)明的實施例1的Mg0晶體(3 lb)及具有由該Mg0晶體形 成的P層15的PDP10等。實施例1的構(gòu)成如下。 在圖3中，表示本Mg0晶體(31b)及Mg0晶體層(P層)15的制造流程(但是， 在實施例1中不需要添加助熔劑(flux) 32)。作為熱處理前的材料的Mg0晶體31a(起動 粒子放出粉體)，使用宇部7 f」7 A《株式會社制、商品名氣相法高純度超微粉氧化鎂 (2000A)。對該Mg0晶體31a在作為氧化氣氛使氮(N):氧(0) = 4 : 1的氣氛中，在1450°C 下實施4小時熱處理(工序Sl)。由此生成熱處理后的Mg0晶體31b。
將上述熱處理后的Mg0晶體31b按照相對作為溶劑33的1L的IPA(異丙醇)為 2g的比例(2g/L)進行混合，用超聲波分散機使其分散(工序S2)。由此制作漿液34。
對通過蒸鍍形成了保護層5 (Mg0層)的前面基板構(gòu)造體11的保護層5的表面(對 象面)，利用使用了涂覆用噴漿器等的噴霧(散布)或涂布等上述漿液34，形成該層(膜)。 然后通過將該層(漿液34)進行加熱使其干燥(溶劑成分出去等)，完成P層15 (工序S3)。 上述的漿液34的形成量設(shè)定為2g/m2。 使用如上操作而形成有P層15的前面基板構(gòu)造體11制作PDP10。
在實施例1的熱處理(Sl)中，由此，可促進Mg0晶體31a的粒子成長(結(jié)晶成長)。 即，利用粒子彼此的融解、結(jié)合等生成粒徑大的粒子。從而，使P層15的MgO晶體31b的粒 徑分布中的粒徑的下限(最小)為50nm以上(幾乎沒有不足50nm的小粒徑的粉體)。
在圖4中，表示對通過上述方法制作的MgO晶體層15用SEM(電子顯微鏡)觀察的圖。圖4(a)表示本Mg0晶體層15。為了進行比較，圖4(b)表示進行了熱處理(工序Sl)、 但將其氣氛設(shè)定為氮(N):氧(0) = 1 : O，即無氧的氣氛(氮氣氛)，除此之外同樣地進 行處理而制作的MgO晶體層15。另外，圖4(c)表示像現(xiàn)有技術(shù)那樣不進行熱處理(工序 Sl)而制作的MgO晶體層15。 如圖4(a)、圖4(b)所示，實施了熱處理的MgO晶體層，根據(jù)它們的氣氛的不同而 不同，與如圖4(c)所示現(xiàn)有技術(shù)的沒有實施熱處理的MgO晶體層相比，最小粒子尺寸增大。 即，相比于熱處理前，粒徑的下限變大。 在圖5中，作為與圖4對應(yīng)的圖表，表示使用上述MgO晶體層15(MgO晶體31b)的 PDP10的放電延遲([ys])與休止期間([y s])的關(guān)系。a表示與圖4(a)對應(yīng)的氧化氣氛 處理制品(MgO晶體31b及MgO晶體層15)的特性。b表示與圖4(b)對應(yīng)的無氧氣氛處理 制品的特性。c表示與圖4(c)對應(yīng)的未處理制品(沒有熱處理的MgO晶體層)的特性。
a的氧化氣氛處理制品與c的未處理制品相比，可看到放電延遲的改善效果(特別 是休止期間長的情況)。另一方面，b的無氧處理制品反而使放電延遲的特性(效果)惡化 (特別是休止期間長的情況)。這種結(jié)果暗示著本實施方式的a的氧氣氛處理的效果。
[實施例2] 接著，用圖6、圖7等說明本發(fā)明的實施例2的MgO晶體(31b)及具有P層15的 PDP10等。實施例2的構(gòu)成如下。 在上述圖3中(實施例2中需要添加助熔劑32)，在實施例2中，作為熱處理前的 材料，使用與實施例1同樣的MgO晶體31a(氣相法高純度超微粉氧化鎂(2000A))作為向 其中添加的助熔劑32，使用7 A々，化學(xué)株式會社制氟化鎂(MgF2)(純度99. 99% )。將它 們(31a、32)按照MgO : MgF2 = 1 : 0.0001的比率(摩爾比)進行稱量，使用回轉(zhuǎn)混合機 進行混合。將混合好的粉末在作為氧化氣氛氮(N):氧(0) = 4 : 1的氣氛中，在1450°C 下實施4小時熱處理(工序S1)。由此生成熱處理后的MgO晶體31b。需要說明的是，由于 添加了助熔劑32，所以與實施例1中所生成的MgO晶體31b不同。 經(jīng)過這樣處理過的粉體(31b)因含有凝聚狀態(tài)的物質(zhì)，使用研棒和研缽進行凝聚 解碎(將凝聚物放入研缽中用研棒搗碎等)，制成粒徑在一定程度上均勻的粉體狀。其后， 通過和實施例1同樣的工序(S2、 S3)制作具有P層15的前面基板構(gòu)造體11及PDPIO。
圖6中表示了用SEM觀察通過上述方法制作的MgO晶體層15的圖。如圖6所示， 本MgO晶體層15的MgO晶體(31b)粉體中，和前述圖4相比，最小粒子尺寸變大，粒度分布 中的粒徑的下限達到50nm(0. 05 y m)以上。 在圖7中，作為與圖6相對應(yīng)的圖形，表示使用上述MgO晶體層15 (MgO晶體3 lb) 的PDP10的放電延遲與休止期間的關(guān)系。A表示與圖6對應(yīng)的、添加了 MgF2后在氧化氣氛 中進行熱處理后的處理制品(MgO晶體31b及MgO晶體層15)的特性。C表示與圖4(c)同 樣的未處理制品(沒有熱處理的MgO晶體層)的特性。 這樣，可看出A的處理制品與C的處理制品相比，放電延遲的改善效果大幅提高 (特別是休止期間長的情況)。 如上所述，根據(jù)實施例1， 2， MgO晶體(31b)的粒徑變大，從而，放電延遲的改善效 果提高?！捶烹娧舆t〉
8
在圖8中，作為補充，表示了用于對具有P層(Mg0晶體層)15的PDP10的放電延 遲(其改善效果)進行試驗的測定用的電壓波形。通過將該電壓波形施加于顯示單元的電 極(3X，3Y，6)，則可以對放電延遲的效果進行試驗。 在復(fù)位放電期間(Tl)中，利用維持電極3X和掃描電極3Y之間的復(fù)位放電的發(fā) 生，使電荷狀態(tài)復(fù)位。在預(yù)備放電期間(T2)，選擇特定的顯示單元后，使維持電極3X和掃 描電極3Y之間發(fā)生放電，激發(fā)P層15的粉體。其后，經(jīng)過休止期間(T3)后，在地址放電期 間(T4)向地址電極6施加電壓。測定從該電壓施加時直到實際開始放電的時間。該時間 (延遲)越小，特性越良好。 MgO晶體粉體的粒徑越大，P層15帶來的放電延遲的改善效果越高，但如果休止期 間(T3)變長，那么起動粒子放出量減少，因此放電延遲惡化。 以上基于實施方式對由本發(fā)明人完成的發(fā)明具體地進行了說明，但本發(fā)明并不僅 限定于所述實施方式，在不脫離其要旨的范圍可以進行種種變更。
本發(fā)明能夠用于PDP等的顯示設(shè)備。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示面板的制造方法，該等離子體顯示面板具有露出于放電空間的氧化鎂(MgO)晶體層，其特征在于，所述MgO晶體層是包含MgO晶體的粉體而成的，對所述MgO晶體的粉體在含氧的氣氛中實施熱處理。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 實施所述熱處理，以使所述MgO晶體層中的所述MgO晶體的粒徑分布中的粒徑的下限為50nm以上。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 在所述熱處理中，在1000 2800。C的溫度下燒結(jié)0. 1 48小時。
4. 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 在所述熱處理之前，在所述MgO晶體的粉末中添加具有使該MgO的融點降低的作用的助熔劑，然后對該MgO晶體的粉末實施所述熱處理。
5. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 在所述熱處理中，在所述助熔劑的融點 280(TC的溫度下燒結(jié)0. 1 12小時。
6. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述助熔劑是鎂的鹵化物。
7. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述鹵化物為氟化鎂(MgF2)。
8. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 將使所述熱處理后的MgO的晶體分散在溶劑中而形成的MgO晶體含有材料，以層狀配置在所述等離子體顯示面板的電介質(zhì)層或其上的保護層的表面上，通過加熱除去所述溶劑 成分，由此形成所述MgO晶體層。
9. 如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于， 將使所述熱處理后的MgO的晶體分散在溶劑中而形成的MgO晶體含有材料，以層狀配置在所述等離子體顯示面板的電介質(zhì)層或其上的保護層的表面上，通過加熱除去所述溶劑 成分，由此形成所述MgO晶體層。
10. —種MgO晶體，用于構(gòu)成等離子體顯示面板中的露出于放電空間的氧化鎂(MgO)晶 體層，其特征在于，通過在含氧的氣氛中對所述MgO晶體的粉體實施熱處理，使粒徑分布中的粒徑的下限 達到50nm以上。
11. 一種等離子體顯示面板，具有露出于放電空間的氧化鎂(MgO)晶體層，其特征在于，所述MgO晶體層是包含MgO晶體的粉體而成的，對所述MgO晶體的粉體，通過在含氧的氣氛中實施熱處理，使其粒徑分布中的粒徑的 下限達到50nm以上，在所述等離子體顯示面板的電介質(zhì)層或其上的保護層的表面上，形成有含有實施所述 熱處理后的MgO晶體的粉體而成的所述MgO晶體層
全文摘要
本發(fā)明是與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠進一步提高放電延遲的改善效果的PDP等的技術(shù)。本代表性的實施方式提供一種PDP的制造方法，該PDP具有露出于放電空間的氧化鎂(MgO)晶體層(起動粒子放出層)，MgO晶體含有MgO晶體的粉體而制成，且在含氧的氣氛中對MgO晶體實施熱處理。特別是通過熱處理使得MgO晶體的粒徑的下限達到50nm以上。
文檔編號H01J9/02GK101779262SQ20078010026
公開日2010年7月14日 申請日期2007年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月21日
發(fā)明者三澤智也 申請人:株式會社日立制作所