專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板包括熒光體層和多個電極，所述熒光體層在由 障壁分隔的放電單元的內(nèi)部。驅(qū)動信號通過所述電極被提供給所述 放電單元。、
當(dāng)驅(qū)動信號在放電單元內(nèi)部產(chǎn)生放電時，填充在放電單元內(nèi)的 放電氣體產(chǎn)生真空紫外線，所述真空紫外線使得在放電單元內(nèi)形成 的熒光體發(fā)光，從而在等離子體顯示板的屏幕上顯示圖像。
發(fā)明公開 附圖簡述


圖1至4示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)的
例子；
圖5示出第一電極或第二電極中的至少一個具有單層結(jié)構(gòu)的原
因；
圖6示出在第一和第二電極與前J4l之間添加有黑色層的結(jié)構(gòu) 的例子；
圖7至11示出與根據(jù)該示例性實施方式的等離子體顯示板的第 一和第二電^ut目關(guān)聯(lián)的第 一實施；
圖12示出與根據(jù)該示例性實施方式的等離子體顯示板的第一 和第二電^U目關(guān)聯(lián)的第二實施；
圖13和14示出與根據(jù)該示例性實施方式的等離子體顯示板的
第一和第二電;febt目關(guān)聯(lián)的第三實施；
圖15和16示出與根據(jù)該示例性實施方式的等離子體顯示板的 第一和第二電似目關(guān)聯(lián)的笫四實施；
圖17示出與根據(jù)該示例性實施方式的等離子體顯示板的第一 和第二電似目關(guān)聯(lián)的第五實施；
圖18至20為用于解釋行部分之間的間隔和連接部分之間的間 隔的示意圖21示出在才艮據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板中用于實 現(xiàn)圖像的A^級的幀；
圖22示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的操作的例子。
具體實施例方式
圖1至4示出了根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的結(jié)構(gòu) 的例子。
如圖1所示，根據(jù)一個實施方式的等離子體顯示板包括彼此接 合的前基板101和后基板111。在前基板101上，設(shè)置有彼此平行 的第一電極102和第二電極103。在后基fel 111上，設(shè)置有第三電 極113，以與第一電極102和第二電極103交叉。
第一電極102或第二電極103中的至少一個具有單層結(jié)構(gòu)。例 如，所述第一電極102或第二電極103中的至少一個可以是匯流電 極或其中省去透明電極的無氧化銦錫(ITO)的電極。
所述第一電極102或第二電極103中的至少一個包含具有優(yōu)良 導(dǎo)電率的不透明金屬。所述具有優(yōu)良導(dǎo)電率的不透明金屬的例子包 括比ITO便宜的銀(Ag )、銅(Cu)和鋁(Al)。
第一電極102和第二電極103在放電單元內(nèi)產(chǎn)生放電并維持該 放電單元的放電。在其上設(shè)置有第一電極102和第二電極103的前基仗101之上 設(shè)置有覆蓋所述第一電極102和第二電極103的上電介質(zhì)層104。 所述上電介質(zhì)層104限制笫一電極102和第二電極103的放電電流， 并提供第一電極102和第二電極103之間的絕緣。
保護(hù)層105位于上電介質(zhì)層104上以便于實現(xiàn)放電條件。所述 保護(hù)層105可通過在上電介質(zhì)層104上沉積諸如氧化鎂這樣的材料 形成。
在其上設(shè)置有第三電極113的后1j板111之上設(shè)置有覆蓋第三 電極113的下電介質(zhì)層115.所述下電介質(zhì)層115提供第三電極113 的絕緣。
在下電介質(zhì)層115上形成有形狀為條形、井形、A形、蜂窩形 等形狀的障壁112，用來分隔放電空間(即放電單元)。紅(R)放 電單元、綠(G)放電單元、藍(lán)(B)放電單元等位于前基板101和 后mil之間。
除紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)放電單元外，在前^jfcll01和后 基板111之間還可設(shè)置白放電單元或黃放電單元。
紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)放電單元的寬度可以基4^目等。此 外，紅、綠或藍(lán)放電單元中的至少一個的寬度可以不同于其他放電 單元的寬度。
例如，如圖2所示，紅(R)放電單元的寬度(a)最小，綠(G) 和藍(lán)(B)放電單元的寬度(b和c)大于紅(R)放電單元的寬度(a )。 綠(G)放電單元的寬度(b)可以基本等于或不同于藍(lán)(B)放電單元 的寬度(c)。
上ii^電單元的寬度決定在放電單元內(nèi)形成的熒光體層114的 寬度，將在后文對其進(jìn)行詳述。例如，圖2中，在藍(lán)(B)放電單元 內(nèi)形成的藍(lán)(B)熒光體層的寬度大于在紅(R)放電單元內(nèi)形成的 紅(R)熒光體層的寬度。此外，在綠(G)放電單元內(nèi)形成的綠(G)
熒光體層的寬度大于在紅(R)放電單元內(nèi)形成的紅(R)熒光體層 的寬度。因此，在等離子體顯示板上顯示的圖像的色溫得以改善。
除了如圖1中所示的障壁112的結(jié)構(gòu)，^^據(jù)一個實施方式的等 離子體顯示板還可具有多種不同形狀的障壁結(jié)構(gòu)。例如，障壁112 可包括第一障壁112b和第二障壁112a。障壁112可具有差別型障 壁結(jié)構(gòu)，其中第一障壁H2b的高度與第二障壁112a的高度彼此不 同；通道型障壁結(jié)構(gòu)，其中在第一障壁112b或第二障壁112a的至 少一個上形成可用作排氣通路的通道；中空型障壁結(jié)構(gòu)，其中在第 一障壁112b或第二障壁112a的至少一個上形成空腔，等等。
在差別型障壁結(jié)構(gòu)中，如圖3所示，第一障壁112b的高度hl 低于第二障壁112a的高度h2。另外，在通道型障壁結(jié)構(gòu)或空心式 障壁結(jié)構(gòu)中，通道或空腔可形成在第一障壁112b上。
盡管根據(jù)一個實施方式的等離子體顯示板已被示出并描述為具 有排列成一行的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)放電單元，但是，也可 以將它們布置成不同的圖案。例如，可應(yīng)用A形布置，其中紅(R)、 綠(G)和藍(lán)(B)放電單元被布置成三角形。此外，放電單元還可 具有各種多邊形形狀，例如五邊形、六邊形和矩形。
雖然在圖1中所述的情況下，障壁112位于后mil上，然 而，障壁112也可位于前m01或后mi1中的至少一個上。
由障壁112分隔的每一個放電單元內(nèi)被填充有預(yù)定的放電氣體。
在尋址放電產(chǎn)生期間發(fā)出用于圖像顯示的可見光的焚光體層 114位于由障壁112隔開的放電單元的內(nèi)部。例如，可在放電單元 內(nèi)部i殳置紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)熒光體層。
除紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)熒光體層外，還可設(shè)置白熒光體
層和/或黃熒光體層。
在紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)放電單元內(nèi)形成的至少一個熒光
體層114的厚度可與其他熒光體層的厚度不同。例如，如圖4所示， 綠(G)和藍(lán)(B)放電單元內(nèi)的熒光體層114b和114a的厚度t2和 t3大于紅(R)放電單元內(nèi)熒光體層114c的厚度tl。綠(G)放電單 元內(nèi)的熒光體層114b的厚度t2可與藍(lán)(B)放電單元內(nèi)的熒光體層 114a的厚度t3基vM目等或不同。
雖然在圖1中，上電介質(zhì)層104和下電介質(zhì)層115均具有單層 結(jié)構(gòu)。然而，上電^h質(zhì)層104或下電^h質(zhì)層115中的至少一個可具 有多層結(jié)構(gòu)。
在障壁112上可進(jìn)一步設(shè)置吸收外部光的黑色層(未示出)，以 防止由障壁112引起的外部光的反射。
此外，在與障壁112相對應(yīng)的前^L 101的特定位置上可進(jìn)一 步設(shè)置另一個黑色層(未示出)。
位于后基板111上的第三電極113可具有基本恒定的寬度或厚 度。此外，放電單元內(nèi)的第三電極113的寬度或厚度可不同于放電 單元外的第三電極113的寬度或厚度。例如，放電單元內(nèi)的第三電 極113的寬度或厚度可大于放電單元外的第三電極113的寬度或厚 度。
圖5示出了第一電極或第二電極中的至少一個具有單層結(jié)構(gòu)的 原因。
如圖5(a)中所示，與所述示例性實施方式不同，在前^jfcl200 上的第一電極210與第二電極220均具有多層結(jié)構(gòu)。
例如，第一電極210與第二電極220各自包括透明電極210a和 220a和匯流電極210b和220b。
透明電極210a和220a可包括透明材料，例如ITO。匯流電極 210b和220b可包括金屬材料，例如銀(Ag )。
形成透明電極210a和220a,然后形成匯流電極210b和220b， 從而完成第一電極210和第二電極220。
如圖5 (b)所示，根據(jù)示例性實施方式的第一電極102和第二
電極103均為單層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極102或第二電極103中的 至少一個可以為其中省去透明電極的無no的電極。
第一電極102或第二電極103中的至少一個可包括具有優(yōu)良導(dǎo)
電率的基本不透明的金屬材料。具有極好電導(dǎo)率的不透明金屬材料 的例子包括比ITO便宜的銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(A1)。第一電極102 或第二電極103中的至少一個可進(jìn)一步包括黑色材料，例如碳(C)、 鈷(Co)、釕Uu)。
圖5 (a)中需要形成透明電極210a和220a的過程與形成匯流 電極210b和220b的過程。而在圖5(b)中，由于形成透明電極的 過程被省略，所以可降低制造成本。
進(jìn)一步，由于在圖5(b)中未使用貴金屬，例如ITO，因此， 可進(jìn)一步降低制造成本。
圖6為在第一和第二電極與前^1之間增加黑色層的結(jié)構(gòu)的例子。
如圖6所示，黑色層300a和300b被設(shè)置在前J^101與第一 電極102或第二電極103中的至少一個之間，從而可防止前^！ 101 褪色。黑色層300a和300b的黑度高于第一電極102或第二電極103 中的至少一個的黑度。
例如，當(dāng)前141101直接與第一電極102或第二電極103接觸 時，與第一電極102或第二電極103直揍接觸的前基t1101的預(yù)定
區(qū)域可能變?yōu)橐渣S色為主的顏色。這種顏色的改變稱為遷移現(xiàn)象。
通過防止前基板101與第一電極102或第二電極103的直揍接觸，
黑色層300a和300b防止了遷移現(xiàn)象。
黑色層300a和300b可包括深顏色的黑色材料，例如釕(Ru)。 因為黑色層300a和300b分別位于前基tl 101與第二電極103
之間以及前J4！ 101與第一電極102之間，因此即使第一電極102
和第二電極103由高反射率的材料制成，仍可防止反射光的產(chǎn)生.
圖7至11示出與根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的第一 和第二電^U+目關(guān)的第一實施。
如圖7所示，第一電極430或第二電極460中的至少一個可包 括與第三電極370交叉的行部分，所述第三電極在由障壁400分隔 的放電單元內(nèi)。例如，第一電極430包括第一行部分410a和第二行 部分410b，第二電極460包括第一行部分440a和第二行部分440b。
行部分410a、 410b、 440a和440b之間彼此間隔開預(yù)定的距離。 例如，第一電極430的第一行部分410a和第二行部分410b彼此間 隔距離dl。第二電極460的第一行部分440a和第二行部分440b彼 此間隔距離d2。距離dl和d2可相等或不等。
行部分410a、 410b、 440a和440b各自具有預(yù)定的寬度。例如， 第一電極430的第一行部分410a和第二行部分410b分別具有寬度 Wa和Wb。寬度Wa和Wb可相等或不等。
在放電單元之內(nèi)，第一電極430的形狀與第二電極460的形狀 可對稱，也可不對稱。例如，第一電極430可包括3個行部分，而 第二電極460可包括2個行部分。
第一電極430和第二電極460中的行部分的個數(shù)可不同。例如， 第一電極430或第二電極460可包括4個或5個行部分。
第一電極430或第二電極460中的至少一個可包括至少一個從 行部分突出的突出部分。例如，第一電極430包括兩個從行部分410a 突出的突出部分420a、 420b，第二電極460包括兩個從行部分440a 突出的突出部分450a、 450b。
在放電單元內(nèi)，突出部分420a、 420b、 450a和450b可沿朝向 放電單元的中央的方向突出。
第一電極430的突出部分420a和420b可設(shè)置為面向第二電極 460的突出部分450a和450b。因此，突出部分420a和420b與突出
部分450a和450b之間的間距gl可小于第一電極430的第一行部分 410a與第二電極460的第一行部分440a之間的間距g2。
在向第一電極430與第二電極460提供驅(qū)動信號時，首先在第 一電極430的突出部分420a和420b與第二電極460的突出部分450a 和450b之間發(fā)生放電。然后，該放電擴(kuò)散到第一電極430的第一行 部分410a和第二行部分410b以及第二電極460的第一行部分440a 和第二行部分440b。
第一電極430或第二電極460中的至少一個包括連接所述兩個 或更多的行部分的至少一個連接部分。例如，第一電極430的連接 部分420c和420d將第一行部分410a和第二行部分410b連接起來。 第二電極460的連接部分450c和450d將第一行部分440a和第二行 部分440b連接起來。連接部分420c、 420d、 450c和450d使得在突 出部分420a、 420b、 450a和450b之間產(chǎn)生的放電4艮容易地擴(kuò)散到 由障壁400分隔的放電單元的后部。
連接部分420c、 420d、 450c和450d中的至少一個與突出部分 420a、 420b、 450a和450b中的至少一個可在與第三電極470平行 的方向上彼此交疊。優(yōu)選地，連接部分420c、 420d、 450c和450d 中的至少一個與突出部分420a、 420b、 450a和450b中的至少一個 可位于一條直線上。
例如，第一電極430的連接部分420c與突出部分420a在與第 三電極470平行的方向上彼此交疊，且第一電極430的連接部分420d 與突出部分420b在與第三電極470平行的方向彼此交疊。
如圖8 (a)所示的示例中，突出部分與連接部分不在一條直線 上。圖8中，虛線限定的區(qū)域表示熒光體層的光產(chǎn)生區(qū)域。光產(chǎn)生 區(qū)域相對較寬的事實意味著放電得到廣泛地擴(kuò)散。相反，光產(chǎn)生區(qū) 域相對較窄的事實意味著放電沒有得到廣泛地擴(kuò)散。
圖8 (a)中，由于在第一和第二行部分之間形成相對窄的電荷
移動路徑，并且突出部分和連接部分未設(shè)置在一條直線上，所以很 難將在第一電極的突出部分與第二電極的突出部分之間產(chǎn)生的放電 順暢地擴(kuò)散到笫一和第二電極的第二部分中。因此，驅(qū)動效率會相 對較低。
與圖7相似，圖8(b)的示例中，突出部分與連接部分沿直線 設(shè)置。此種情況下，在第一電極的突出部分與第二電極的突出部分 之間產(chǎn)生的放電通過與突出部分交疊的連接部分充分地擴(kuò)散到第一 和第二電極的第二部分，因此可提高驅(qū)動效率。
圖8 (c)的示例中，突出部分與連接部分未沿直線設(shè)置。在圖 8 (c)中，連接部分的數(shù)量多于突出部分的數(shù)量，以使在第一和第 二行部分之間的電荷移動路徑充分變寬。第一電極的突出部分與第 二電極的突出部分之間產(chǎn)生的放電很可能被充分?jǐn)U散到第 一和第二 電極的第二部分中。然而，由于連接部分導(dǎo)致孔徑比減小，因此亮 度和驅(qū)動效率會降低。
因此，優(yōu)選地，突出部分與連接部分沿直線設(shè)置。
可以改變第一和第二電極的突出部分的數(shù)量與連接部分的數(shù) 量。例如，如圖9所示，第一和第二電極430和460的每一個可包 括一個突出部分和一個連接部分。換句話說，第一電極430包括一 個突出部分420e和一個連接部分420f,第二電極460包括一個突 出部分450e和一個連接部分450f 。
此外，多個行部分410a、 410b、 440a和440b中的至少一個的
寬度可不同于其他行部分的寬度。例如，如圖10所示，第一電極 430的第一行部分410a的寬度Wa可小于第一電極430的第二行部 分410b的寬度Wb。
此外，如圖ll所示，第一行部分410a的寬度Wa可大于第二行 部分410b的寬度Wb。
圖12示出與根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的第一和第二電;W目關(guān)的第二實施。與圖7到圖11中示出和描述的相同或等 同的結(jié)構(gòu)和元件在圖12中被簡單示出或完全省略。
如圖12所示，第一電極430包括突出部分520a和520b和沿與 突出部分520a和520b的突出方向相反的方向從行部分510a和510b 突出的尾部520e和520f 。第二電極560包括突出部分550a和550b 和沿與突出部分550a和550b的突出方向相反的方向從行部分540a 和540b突出的尾部550e和550f 。
例如，突出部分520a、 520b、 550a和550b可沿朝向由障壁500 分隔的放電單元的中央的方向從第一行部分510a和540a突出，尾 部520e、 520f、 550e、 550f可沿與突出部分520a、 520b、 550a、 550b的突出方向相反的方向從第二行部分510b和540b突出。
如上所述，因為第一電極530和第二電極560分別包括尾部 520e、 520f、 550e和550f，所以突出部分520a、 520b、 550a和550b 之間產(chǎn)生的放電可以更容易地在放電單元內(nèi)擴(kuò)散。因此，亮度和驅(qū) 動效率可提高。
尾部520e、 520f 、 550e和550f可與突出部分520a、 520b、 550a 和550b以及連接部分520c、 520d、 550c和550d位于一條直線上。
例如，在圖12中，突出部分包括第一突出部分520a和550a和 第二突出部分520b和550b;尾部包括第一尾部520e和550e和第 二尾部520f和550f ，其突出方向與第一突出部分520a和550a以 及第二突出部分520b和550b的突出方向相反;連接部分包括相應(yīng) 于第一突出部分520a、 550a和第一尾部520e、 550e的第一連接部 分520c和550c;和相應(yīng)于第二突出部分520b、 550b和第二尾部 520f、550f的第二連接部分520d和550d。第一突出部分520a、550a， 第一連接部分520c、 550c和第一尾部520e、 550e位于一條直線上； 第二突出部分520b、 550b,第二連接部分520d、 550d和第二尾部 520f、 550f位于一條直線上。
圖12的板結(jié)構(gòu)中，突出部分520a、 520b、 550a和550b之間產(chǎn) 生的放電可沿著連接部分520c、 520d、 550c和550d與尾部520e、 520f、 550e和550f被更廣泛地在放電單元內(nèi)部擴(kuò)散。
圖13和14示出與根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的第 一和第二電似目關(guān)的第三實施。與圖7到圖11中示出和描述的相同 或等同的結(jié)構(gòu)和元件在圖13和14中被簡單示出或完全省略。
如圖13所示，突出部分620a、 620b、 650a和650b的形狀可與 尾部620e、 620f、 650e和650f的形狀不同。
例如，突出部分620a、 620b、 650a和650b的寬度可設(shè)為寬度 WIO，尾部620e、 620f、 650e和650f的寬度可設(shè)為寬度W20， W20 小于WIO。
如上所述，當(dāng)突出部分620a、 620b、 650a和650b的寬度W10 大于尾部620e、 620f、 650e和650f的寬度W20時，第一電極630 與第二電極660之間產(chǎn)生的放電的著火點壓可被降低。
如圖14所示，突出部分620a、 620b、 650a和650b的寬度可設(shè) 為寬度W20，尾部620e、 620f 、 650e和650f的寬度可設(shè)為寬度WIO, W10大于W20。
如上所述，當(dāng)突出部分620a、 620b、 650a和650b的寬度W20 小于尾部620e、 620f、 650e和650f的寬度W10時，放電單元內(nèi)產(chǎn) 生的放電可以更廣泛地擴(kuò)散到放電單元的后部。
圖15和16示出與根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的第 一和第二電^U目關(guān)的第四實施。與圖7到圖11中示出和描述的相同 或等同的結(jié)構(gòu)和元件在圖15和16中被簡單示出或完全省略。
如圖15所示，突出部分720a、 720b、 750a和750b的長度可與 尾部720e、 720f、 750e和750f的長度不同。
例如，突出部分720a、 720b、 750a和750b的長度可設(shè)為長度 Ll,尾部720e、 720f、 750e和750f的長度可設(shè)為長度L2, L2小于 Ll。
如上所述，當(dāng)突出部分720a、 720b、 750a、 750b的長度Ll大 于尾部720e、 720f、 750e和750f的長度L2時，第一電極730與第 二電極760之間產(chǎn)生的放電的著火點壓可被降低。
如圖16所示，突出部分720a、 720b、 750a和750b的長度可i殳 為長度L2，尾部720e、 720f、 750e和750f的長度可設(shè)為長度Ll， Ll大于L2。
如上所述，當(dāng)突出部分720a、 720b、 750a和750b的長度L2 小于尾部720e、 720f 、 750e和750f的長度Ll時，放電單元內(nèi)產(chǎn)生 的放電可以更有效地擴(kuò)散到放電單元的后部。
考慮到光主要產(chǎn)生在放電單元內(nèi)的放電擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)，尾部720e、 720f、 750e和750f的長度Ll可比突出部分720a、 720b、 750a和 750b的長度L2長，以提高圖《象的亮度。
圖17示出與根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的第一和 第二電擬目關(guān)的第五實施。與圖7到圖11中示出和描述的相同或等 同的結(jié)構(gòu)和元件在圖17中被簡單示出或完全省略。
如圖17所示，突出部分820a、 820b、 850a和850b可包括具有 曲度的部分。尾部820e、 820f、 850e和850f可包括有曲度的部分。
突出部分820a、 820b、 850a和850b與行部分810a、 810b、 840a、 840b相鄰的部分可包括曲度部分。此外，行部分810a、 810b、 840a 和840b與連接部分820c、 820d、 850c、 850d相鄰的部分可包括曲 度部分。
在圖17的板結(jié)構(gòu)中，第一電極830和第二電極860可被容易地 制造。此外，帶有曲度的該部分防止在驅(qū)動板時壁電荷過度積聚在 某一特定部分，因此可提高驅(qū)動穩(wěn)定性。
圖18至圖20為說明行部分之間的間隔和連接部分之間的間隔 的示意圖。
圖18至圖20示出的情形下，多個行部分中兩個相繼放置的行 部分910a與910b或940a與940b之間的間隔g3比多個連接部分中 兩個相繼放置的連接部分920c與920d或950c與950d之間的間隔 g4短。
圖18中，看起來在保持所述兩個相繼放置的行部分910a與 910b或940a與940b之間的間隔g3的情況下增加了所述兩個相繼 放置的連接部分920c與920d或950c與950d之間的間隔g4。圖19 中，看起來在保持所述兩個相繼放置的連接部分920c與920d或950c 與950d之間的間隔g4的情況下降低了所述兩個相繼放置的行部分 910a與910b或940a與940b之間的間隔g3。
圖18中，第一電極930和第二電極960的突出部分920a、9201)、 950a和950b之間產(chǎn)生的放電可被廣泛地擴(kuò)散。然而，由于間隔g4 過大，放電單元中間部分的放電密度會過度減小。因此，亮度會降 低。
圖19中，放電單元中間部分會產(chǎn)生足夠強(qiáng)的放電。然而，第一 電極930和第二電極960的突出部分920a、 920b、 950a和950b之 間產(chǎn)生的放電不能充分?jǐn)U散到放電單元的后部。因此，亮度會降低。
相反，圖20中，兩個相繼放置的行部分910a與910b或940a 與940b之間的間隔g3長于兩個相繼放置的連接部分920c與920d 或950c與950d之間的間隔g4。在圖20所示的板結(jié)構(gòu)中，在放電 單元的中間部分會產(chǎn)生足夠強(qiáng)的放電，并且第一電極930和第二電 極960的突出部分920a、 920b、 950a和950b之間產(chǎn)生的放電可被 廣泛地擴(kuò)散到放電單元的后部。因此，亮度和驅(qū)動效率均會提高。
圖21示出用于實現(xiàn)根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板中 的圖像的支變級的幀。
圖22示出根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板的操作的例子。如圖21所示，用于實現(xiàn)根據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板 中的圖像的A^級的幀被分為多個子場(subf ield)，每個子場具有 不同數(shù)目的發(fā)射次數(shù)(emission times),
每個子場被分為用于初始化所有單元的復(fù)位時段，用于選擇待
被放電的單元的尋址時段和根據(jù)放電次數(shù)表示Av變級的維持時段。 例如，如果要顯示灰度級為256的圖像，將圖21所示的幀分為
8個子場SF1到SF8。這8個子場SF1到SF8的每一個又分為復(fù)位時
段、尋址時段和維持時段。
在維持時段提供的維持信號的數(shù)量決定各個子場中的^^U5L
重。例如，在將第一子場的A^^重設(shè)為2、將第二個子場的灰 度級權(quán)重設(shè)為^的方法中，在每個子場中，維持時段以2"的比率增 大(這里，n=0， 1, 2, 3， 4， 5， 6, 7)。由于維持時段隨子場的不 同而改變，因此通過控制要用于對每個選擇的單元進(jìn)行放電的維持 時段，即在每個放電單元中獲得的維持放電的次數(shù)，來實現(xiàn)特定的 經(jīng)級。
根據(jù)所述示例性實施方式的等離子體顯示板4吏用多個幀顯示一 秒的圖像。例如，用60個幀顯示一秒的圖像。這種情況下，每個幀 的時間寬度T可為1/60秒，即16. 67毫秒。
圖21中， 一個幀包含8個子場。然而，組成一幀的子場數(shù)量可 改變。例如， 一個幀可包括12個或10個子場。
此外，如圖21所示，所述子場按照AJL級權(quán)重升高的順序排列。 當(dāng)然，這些子場也可按照^JL^重降低的順序排列，或者子場可 與^A亂&重?zé)o關(guān)地進(jìn)行排列。
圖22示出才艮據(jù)示例性實施方式的等離子體顯示板在如圖21所 示的一幀的多個子場中的一個子場中操作的例子。
在復(fù)位時段之前的預(yù)復(fù)位時段，將電壓逐漸下降的第一信號提 供給第一電極Y，將與第一信號相對應(yīng)的第二信號提供給第二電極
z。第一電極的極性方向與第二電極的相反。第二信號恒定保持在電 壓Vpz不變。電壓Vpz可基本與在維持時段提供的維持信號(SUS) 的電壓(即維持電壓Vs )相等。
如上所述，在預(yù)復(fù)位時段，向第一電極Y提供笫一信號，向電 極Z提供第二信號時，預(yù)定極性的壁電荷積聚在第一電極Y上，與 積聚在第一電極Y上的壁電荷的極性相反的壁電荷積聚在第二電極 上。例如，正極性的壁電荷積聚在第一電極Y上，負(fù)極性的壁電荷 積聚在第二電極Z上。
在復(fù)位時段，向第一電極Y提供第三信號。所述第三信號包括 第一上升信號和第二上升信號。第一上升信號以第一斜坡從第二電 壓V2逐漸上升到第三電壓V3,第二上升信號以第二斜坡從第三電 壓V3逐漸上升到第四電壓V4。
在復(fù)位時段的上升時段，第三信號在放電單元內(nèi)部產(chǎn)生微弱的 暗放電(即上升放電)，由此在放電單元內(nèi)部積聚適當(dāng)數(shù)量的壁電荷。
在電壓等于或小于第三電壓V3時不發(fā)生上升放電，上升放電可 發(fā)生在電壓等于或大于第三電壓V3時。因此，第一電極Y的電壓迅 速提高到第三電壓V3，然后緩慢增長。從而可防止上升時段的時間 寬度的過度增長，提高了上升放電的穩(wěn)定性。鑒于此，優(yōu)選第二斜 坡比第一斜坡平緩。
在預(yù)復(fù)位時段在放電單元內(nèi)積聚的壁電荷可幫助在上升時段產(chǎn) 生的上升放電。因此，即便第三信號的電壓被降低，也會產(chǎn)生穩(wěn)定 的上升放電。在第三信號的電壓降低時，上升放電的密度會降低并 且會阻止對比特性(contrast characteristic)的降4氐。
如圖5所說明的，第一電極和第二電極均具有單層結(jié)構(gòu)的情況 比均具有多層結(jié)構(gòu)的情況具有更低的孔徑比，從而可降低對比特性。
相反，即使第一電極和第二電極均具有單層結(jié)構(gòu)，在復(fù)位時段 之前的預(yù)復(fù)位時段的操作也會防止對比特性的降低。
在一幀的多個子場中按時間順序最先i殳置的子場可包括復(fù)位時 段之前的預(yù)復(fù)位時段，以便獲得充足的驅(qū)動時間?；蛘邇蓚€或三個 子場可包括復(fù)位時段之前的預(yù)復(fù)位時段。
在復(fù)位時段的下降時段中，與第三信號極性相反的第四信號被 提供給第一電極Y。第四信號從低于第三信號的峰值電壓(即第四 電壓V4 )的第五電壓V5逐漸降至第六電壓V6。在放電單元內(nèi)部， 第四信號產(chǎn)生微弱的清除放電(即下降放電)。此外，放電單元內(nèi)部
的剩余壁電荷是均勻的，其均勻程度使得尋址放電能夠穩(wěn)定進(jìn)行。
在尋址時段，向第一電極Y提供掃描偏置信號，所述掃描偏置 信號保持在比第四信號的最低電壓(即第六電壓V6)高的第七電壓 V7。
掃描信號(Scan)被提供給第一電極Y，所述掃描信號比掃描 偏置信號降低一個掃描電壓幅值△ Vd。
從一個子場到下一個子場，掃描信號的寬度可發(fā)生變化。例如， 某個子場內(nèi)的掃描信號的寬度可比按時間順序的下一子場內(nèi)的掃描 信號的寬度更大。另外，掃描信號的寬度可按以下順序逐漸減小 2. 6/^、 2. 3"、 2.1"、 1. 9"等，或是按以下順序逐漸減小2. 6^、 2， 3"、 2. 3//^、 2.1//s、 1. 9//5\ 1. 9//5"等。
如上所述，在向第一電極Y提供掃描信號(Scan)時，向第三 電極X提供與掃描信號(Scan)相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(data )。數(shù)據(jù)信號 (data )的電壓比接地電壓GND增加一個lt據(jù)電壓幅值厶Vd。
由于掃描信號(Scan)和數(shù)字信號(data)之間的電壓差被加 到復(fù)位時段產(chǎn)生的壁電壓上，在被提供數(shù)據(jù)信號(data)的放電單 元內(nèi)部產(chǎn)生尋址放電。
在尋址時段，維持偏置信號被提供到第二電極Z上，以通過第 二電極Z的干預(yù)防止不穩(wěn)定的尋址放電的產(chǎn)生。維持偏置信號基本 維持在維持偏置電壓Vz，所述維持偏置電壓Vz低于維持電壓Vs且
高于接地電壓GND。
在維持時段，維持信號(SUS)被交替提供給第一電極Y和第二電 極Z。因為在通過進(jìn)行尋址放電選擇的放電單元內(nèi)的壁電壓被增加 到維持信號(SUS )的維持電壓Vs上，所述每次提供維持信號(SUS ) 時，在第一電極Y和第二電極Z之間會發(fā)生維持放電，即顯示放電。 由此，可在等離子體顯示板上顯示預(yù)定的圖像。
在至少一個子場的維持時段內(nèi)提供多個維持信號，并且所述多 個維持信號中的至少一個的寬度可不同于其他維持信號的寬度。例 如，在所述多個維持信號中的第一個被提供的維持信號的寬度可大 于其他維持信號的寬度。因此，可更穩(wěn)定地產(chǎn)生維持放電。
上述實施方式和優(yōu)點只是示例性的，并且不應(yīng)被理解為對本發(fā) 明的限制。目前的講解可完全應(yīng)用于其他類型的儀器設(shè)備。對上述 實施方式的描述目的在于說明，而非限制權(quán)利要求的范圍。對本專 業(yè)技術(shù)人員而言，很多可替代方案、修改意見以及變型是明顯的。
權(quán)利要求
1.等離子體顯示板，包括前基板，所述前基板上設(shè)置有彼此平行的第一電極和第二電極；后基板，所述后基板上設(shè)置有與第一電極和第二電極交叉的第三電極；障壁，所述障壁位于前基板與后基板之間，用來分隔放電單元，其中，所述第一電極或第二電極中的至少一個具有單層結(jié)構(gòu)，所述第一電極或第二電極中的至少一個包括與第三電極交叉的多個行部分、從行部分突出的突出部分和將所述多個行部分中的至少兩個行部分彼此連接的連接部分，且所述突出部分與連接部分沿直線設(shè)置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示板，其中，所述突出部 分包括沿朝向放電單元的中央的方向突出的第一和第二突出部分， 且所述連接部分包括與所述第 一突出部分在一條直線上的第 一連 接部分和與所述第二突出部分在一條直線上的第二連接部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示板，進(jìn)一步包括尾部， 所述尾部沿與所述突出部分的突出方向相反的方向從所述行部分 突出。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3中所述的等離子體顯示板，其中，所^C部 與所述突出部分和連接部分沿直線i殳置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中，所述突出部 分包括沿朝向放電單元的中央突出的第一和第二突出部分；所述尾部包括沿與第一和第二突出部分的突出方向相反的方向 突出的第一和第二尾部；且所述連接部分包括與第一行部分和第一 尾部在一條直線上的第 一連接部分和與第二行部分和第二尾部在 一條直線上的第二連接部分。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中，所述突出部 分的長度與所i^部的長度不同。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中，所述突出部 分或尾部中的至少 一個包括具有曲度的部分。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示板，其中，所述突出部 分的數(shù)量與所述連接部分的數(shù)量相等。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示板，其中，所述第一電 極或第二電極中的至少一個是匯流電極。
10. 等離子體顯示板，包括前基板，所述前^Lhi5^有^b平行的笫一電極和第二電極； 后勤良，所述后基板上設(shè)置有與第一電極和第二電極交叉的第三 電極；障壁，所述障壁位于前基fcl與后^L之間，用來分隔放電單元， 其中，所述第一電極或第二電極中的至少一個具有單層結(jié)構(gòu)， 所述第一電極或第二電極中的至少一個包括與第三電極交叉的多個行部分、從行部分突出的多個突出部分和將所述多個行部分中的至少兩個行部分彼此連接的多個連接部分； 所述突出部分與連接部分沿直線i殳置；且 所述多個行部分中兩個相繼布置的行部分之間的間隔大于所述多個連接部分中兩個相繼布置的連接部分之間的間隔。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體顯示板，其中，所述突出 部分包括沿朝向放電單元的中央的方向突出的第一和第二突出部 分；且所述連接部分包括與所述第 一 突出部分在一條直線上的第 一連 接部分和與所述第二突出部分在一條直線上的第二連接部分。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體顯示板，進(jìn)一步包括沿與 所述突出部分的突出方向相反的方向突出的尾部。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示板，其中，所述尾部 與所述突出部分和連接部分沿直線設(shè)置。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示板，其中，所述突出 部分包括沿朝向放電單元的中央的方向突出的第一和第二突出部分；所U部包括沿與第 一和第二突出部分的突出方向相反的方向 突出的第一和第二尾部；且所述連接部分包括與第一行部分和第一 尾部在一條直線上的第 一連接部分和與第二行部分和第二尾部在 一條直線上的第二連接部分。
15. 等離子體顯示板，包括前基板，所述前^Lfc^X有^tob平行的第一電妙第二電極； 后勤良，所述后基fel上設(shè)置有與第一電極和第二電極交叉的第三 電極；以及障壁，所述障壁位于前基tl與后14l之間，用來分隔放電單元， 其中，所述第一電極或第二電極中的至少一個具有單層結(jié)構(gòu)， 所述第一電極或第二電極中的至少一個包括與第三電極交叉的多個行部分、從行部分突出的突出部分以及將所述多個行部分中的至少兩個行部分彼此連接的連接部分；所述突出部分與連接部分沿直線設(shè)置；以及 在一幀的至少一個子場的復(fù)位時段之前的預(yù)復(fù)位時段期間，所述第一電極被提供電壓逐漸下降的第一信號，所述第二電極被提供極性方向與第 一信號相反的第二信號。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示板，其中，在所述復(fù) 位時段后的維持時段，所述第二信號的電壓幅值基本等于提供給第 一電極或第二電極中的至少一個的維持信號的電壓幅值。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示板，其中，在提供第 一信號后，向第一電極提供電壓逐漸上升的第三信號。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示板，其中，所述第三 信號包括電壓以第一斜坡逐漸上升的第一上升信號和電壓以第二 斜坡逐漸上升的第二上升信號。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示板，其中，所述第二 斜坡比第一斜坡平緩。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示板，進(jìn)一步包括沿與 所述突出部分的突出方向相反的方向突出的尾部，其中，所述突出 部分包括沿朝向放電單元的中央的方向突出的第一和第二突出部 分，所述尾部包括沿與第一和第二突出部分的突出方向相反的方向 突出的第一和第二尾部；且所述連接部分包括與第一行部分和第一 尾部在一條直線上的第 一連接部分和與第二行部分和第二尾部在 一條直線上的第二連接部分。
全文摘要
公開了一種等離子體顯示板。所述等離子體顯示板包括前基板、后基板和障壁；所述前基板上布置有彼此平行的第一和第二電極；所述后基板上布置有與該第一和第二電極交叉的第三電極；所述障壁位于前基板與后基板之間，用來分隔放電單元。第一或第二電極中的至少一個具有單層結(jié)構(gòu)。第一或第二電極中的至少一個包括與第三電極交叉的多個行部分、從行部分突出的突出部分和將至少兩個行部分彼此連接的連接部分。所述突出部分與連接部分沿直線設(shè)置。
文檔編號H01J11/12GK101356619SQ200780001418
公開日2009年1月28日 申請日期2007年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月26日
發(fā)明者全佑坤, 咸正顯, 姜炅雅, 柳成男, 金在聲, 金禹泰 申請人:Lg電子株式會社