專利名稱：電子發(fā)射器件和制造電子發(fā)射器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射器件和制造電子發(fā)射器件的方法。
背景技術(shù)：
通常，電子發(fā)射器件被分為使用熱陰極作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射器件和那些使用冷陰極作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射器件。有多種類型的冷陰極電子發(fā)射器件，包括場(chǎng)發(fā)射陣列(FEA)型，金屬-絕緣體-金屬(MIM)型，金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型和表面導(dǎo)電發(fā)射器(SCE)型。
FEA型電子發(fā)射器件基于如下原理當(dāng)具有低功函數(shù)或者高深寬比的材料被用作電子發(fā)射源，在真空氣氛中在其上施加電場(chǎng)時(shí)，電子容易從電子發(fā)射源發(fā)射?；阢fMo或者硅Si或者含碳的材料，例如碳納米管、石墨和類金剛石碳的尖銳端點(diǎn)結(jié)構(gòu)被開(kāi)發(fā)作為電子發(fā)射區(qū)。
普通的FEA型電子發(fā)射器件，陰極、絕緣層和柵極順序形成在第一基板上，并且開(kāi)口形成于柵極和絕緣層。電子發(fā)射區(qū)被形成在開(kāi)口內(nèi)的陰極之上。熒光粉層和陽(yáng)極被形成在面對(duì)第一基板的第二基板表面。
在工作中，當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)電壓被施加在任何一個(gè)陰極和柵極，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓被施加在其它電極時(shí)，電場(chǎng)在電子發(fā)射區(qū)周圍的電極間電壓差超過(guò)閾值的像素形成。電子被從那些電子發(fā)射區(qū)發(fā)射。發(fā)射的電子被施加在陽(yáng)極的高壓(幾百伏至幾千伏的正電壓)吸引，并且與相應(yīng)的熒光粉層碰撞，從而使其光發(fā)射。
然而，使用此類型電子發(fā)射器件，當(dāng)電子被從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射，即使大多數(shù)電子直接向熒光粉層直線行進(jìn)，但是一些電子被非直線地?cái)U(kuò)散。擴(kuò)散在電子落在位于熒光粉層之間的黑色層上，對(duì)發(fā)射可見(jiàn)光線不起作用。進(jìn)一步，擴(kuò)散的電子落在相鄰像素不正確的彩色熒光粉層上，并且使其光發(fā)射，從而惡化圖像質(zhì)量。
由于陰極和柵極具有內(nèi)電阻，它們?cè)隍?qū)動(dòng)電子發(fā)射器件時(shí)可以導(dǎo)致電壓下降和信號(hào)失真。特別是，當(dāng)陰極由透明氧化層，例如氧化銦錫(ITO)形成時(shí)，與由金屬導(dǎo)電層，例如鋁(Al)或者銀(Ag)形成的電極相比，它們包含更高的電阻。
當(dāng)電壓下降和信號(hào)失真發(fā)生時(shí)，即使當(dāng)相同的驅(qū)動(dòng)電壓施加在所有像素時(shí)，施加在電子發(fā)射區(qū)的電場(chǎng)在每個(gè)像素上都有差別。結(jié)果，像素的電子發(fā)射均勻性惡化，并且在嚴(yán)重的情況下，沿陰極或者柵極的長(zhǎng)度方向觀察到明顯的亮度差別。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例包括第一基板；面對(duì)第一基板并且與第一基板隔開(kāi)預(yù)定間距的第二基板；陰極，每個(gè)陰極包括形成在第一基板上的第一電極和與第一電極間隔開(kāi)的第二電極；在第二電極上形成的電子發(fā)射區(qū)；互連第一電極和第二電極、并且圍繞電子發(fā)射區(qū)的電阻層；位于電阻層和陰極之上的絕緣層；和在絕緣層之上形成的柵極。
第一電極可以以第一電極對(duì)的形式被提供于陰極，并且第二電極可以被設(shè)置于第一電極對(duì)之間。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電極位于在第一基板上限定的像素區(qū)處，并且電子發(fā)射區(qū)在多個(gè)第二電極上形成。在另一實(shí)施例中，第二電極中的兩個(gè)或更多個(gè)被提供在第一基板上限定的每個(gè)像素區(qū)處，并且電子發(fā)射區(qū)中的一或多個(gè)形成在每個(gè)第二電極上。
第二電極可以由透明導(dǎo)電氧化層形成，并且第一電極可以具有低于第二電極的電阻的特定電阻。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一電極由選自包括鋁、鉬、銀、鈦、鎢、鉻和鉑的材料組的材料形成。在另一實(shí)施例中，電阻層以一一對(duì)應(yīng)的方式在第一基板上限定的像素區(qū)處形成。電阻層也可以接觸電子發(fā)射區(qū)的側(cè)面，并且具有特定的電阻值106～1012Ωcm。
電子發(fā)射區(qū)可以由選自包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60和硅納米線的材料組的材料形成。
在一個(gè)實(shí)施例中，電子發(fā)射器件也包括置于柵極之上并且與柵極電絕緣的聚焦電極，在第二基板的面對(duì)第一基板的表面上形成的熒光粉層，和在熒光粉層的表面上形成的陽(yáng)極。
電阻層的厚度可以大于電子發(fā)射區(qū)的厚度，以使電阻層的頂面被置于高于電子發(fā)射區(qū)的頂面的平面。
制造電子發(fā)射器件的方法的一個(gè)實(shí)施例包括(a)使用金屬材料在第一基板上形成第一電極對(duì)，并且使用透明導(dǎo)電氧化材料在第一電極對(duì)之間形成第二電極，從而形成陰極；(b)在第一電極對(duì)和第二電極上形成電阻層，并且在電阻層中形成開(kāi)口以使開(kāi)口部分地暴露第二電極的表面；(c)在陰極和電阻層上形成絕緣層和柵極，以使絕緣層和柵極分別具有開(kāi)口；和(d)在第二電極上，電阻層的開(kāi)口內(nèi)形成電子發(fā)射區(qū)。
第二電極可以由ITO形成，并且第一電極可以由選自包括鋁、鉬、銀、鈦、鎢、鉻和鉑的材料組的材料形成。
在一個(gè)實(shí)施例中，形成電子發(fā)射區(qū)包括(a)將電子發(fā)射材料和光敏材料的混合物施加在第一基板的整個(gè)表面上；(b)從第一基板的背面用紫外線照射混合物，以硬化填充于電阻層開(kāi)口內(nèi)的混合物；并且(c)之后，通過(guò)顯影和干燥以及燃燒剩余的混合物，移除未被硬化的混合物。
電子發(fā)射區(qū)的厚度可以薄于電阻層的厚度，以使電阻層的頂面被置于高于電子發(fā)射區(qū)的頂面的平面。
在另一實(shí)施例中，電子發(fā)射器件包括第一基板；面對(duì)第一基板并且與其隔開(kāi)預(yù)定間距的第二基板；包括在第一基板上形成的多個(gè)第一電極和與該多個(gè)第一電極間隔開(kāi)的第二電極的陰極；在第二電極上形成的至少一個(gè)電子發(fā)射區(qū)；互連多個(gè)第一電極和第二電極、并且圍繞至少一個(gè)電子發(fā)射區(qū)的電阻層；置于電阻層和陰極之上的絕緣層；和在絕緣層之上形成的柵極。第二電極也可以由透明導(dǎo)電氧化物層形成。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射器件的部分分解透視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射器件的局部俯視視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電子發(fā)射器件的局部截面視圖，示出第二電極和其中的電子發(fā)射區(qū)的變化。
圖4是根據(jù)比較示例1，模擬發(fā)射電子束軌跡的電子發(fā)射器件的示意圖。
圖5是根據(jù)示例1，模擬發(fā)射電子束軌跡的電子發(fā)射器件的示意圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電子發(fā)射器件的局部截面視圖。
圖7A示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造電子發(fā)射器件的第一階段。
圖7B示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造電子發(fā)射器件的第二階段。
圖7C示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造電子發(fā)射器件的第三階段。
圖7D示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造電子發(fā)射器件的第四階段。
圖7E示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造電子發(fā)射器件的第五階段。
圖7F示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造電子發(fā)射器件的第六階段。
圖7G示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造電子發(fā)射器件的第七階段。
電子發(fā)射單元100被置于第一基板2的表面上以向第二基板4發(fā)射電子，并且發(fā)光單元200被置于面對(duì)第一基板2的第二基板4的表面上，以由于這些電子而發(fā)射可見(jiàn)光線。
陰極6在第一基板2的表面沿第一基板2的第一方向形成條狀圖案，并且絕緣層8在第一基板2的整個(gè)表面上形成，同時(shí)覆蓋陰極6。柵極10在垂直于陰極6的絕緣層8上形成條狀圖案。
在此實(shí)施例中，當(dāng)陰極6和柵極10的交叉區(qū)被定義為像素區(qū)時(shí)，電子發(fā)射區(qū)12被形成以在各自的像素區(qū)覆蓋陰極6。開(kāi)口81和101在絕緣層8和柵極10對(duì)應(yīng)于電子發(fā)射區(qū)12處形成，同時(shí)暴露第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)12。
電子發(fā)射區(qū)12由在真空環(huán)境下被施加電場(chǎng)時(shí)發(fā)射電子的材料，例如含碳材料和納米尺度的材料形成。電子發(fā)射區(qū)12可以由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線或者其混合物通過(guò)絲網(wǎng)印刷，直接生長(zhǎng)，化學(xué)汽相沉積或者濺射形成。
在此實(shí)施例中，每個(gè)陰極6包括布置成互相平行并且分隔預(yù)定間距的一對(duì)第一電極61和以一定距離設(shè)置在第一電極61之間的第二電極62。第一電極61在一側(cè)端部被連接至電極焊盤部分(未示出)以接收驅(qū)動(dòng)電壓。每個(gè)第二電極62分別位于各自的像素區(qū)，并且一個(gè)或者多個(gè)電子發(fā)射區(qū)12被置于每個(gè)第二電極62之上。
如圖中所示，一個(gè)第二電極62位于每個(gè)像素區(qū)處，并且兩個(gè)電子發(fā)射區(qū)12被置于每個(gè)第二電極62之上。可選擇地，兩個(gè)或者更多第二電極62可以位于每個(gè)像素區(qū)，并且一個(gè)或者更多電子發(fā)射區(qū)12可以被置于每個(gè)第二電極62之上。如圖3所示，兩個(gè)第二電極62’位于每個(gè)像素區(qū)，并且一個(gè)電子發(fā)射區(qū)12被置于每個(gè)第二電極62’之上。
再參照?qǐng)D1和2，使用將在下文解釋的形成電子發(fā)射區(qū)12的工藝，第二電極62可以由透明氧化物材料，例如氧化銦錫(ITO)形成，以傳輸紫外光線。第一電極61可以由具有低于第二電極62的電阻的特定電阻的材料形成，例如鋁、鉬、銀、鈦、鎢、鉻和鉑。
每個(gè)第二電極62通過(guò)電阻層14被電連接至一對(duì)第一電極61。電阻層14分別位于各自的像素區(qū)。即，一個(gè)電阻層14在每個(gè)像素區(qū)形成，同時(shí)覆蓋第一和第二電極61和62。電阻層14由具有高于第一和第二電極61和62電阻的特定電阻，例如特定電阻106～1012Ωcm的導(dǎo)電材料形成。
當(dāng)在沿陰極6的長(zhǎng)度方向形成電壓降時(shí)，電阻層14使施加于電子發(fā)射區(qū)12的電流密度在沿陰極的長(zhǎng)度方向布置的像素處均勻。由于電阻層14，每像素的電子發(fā)射均勻性被增強(qiáng)，并且表現(xiàn)出均勻的亮度。
在此實(shí)施例中，電阻層14圍繞電子發(fā)射區(qū)12，同時(shí)接觸電子發(fā)射區(qū)12的側(cè)面。由于電子發(fā)射區(qū)12除了頂面之外的所有面接觸第二電極62或者電阻層14，與陰極6的接觸電阻可以被最小化，并且在工作中，電場(chǎng)被均勻地施加在整個(gè)頂面，因此實(shí)現(xiàn)從該頂面的均勻發(fā)射。
進(jìn)一步，在此實(shí)施例中，電阻層14的頂面被置于高于電子發(fā)射區(qū)12的頂面的平面。使用電阻層14，電場(chǎng)圍繞電子發(fā)射區(qū)12形成，以使電子束可以被良好聚焦。即，電阻層14起到聚焦電極的作用，以聚焦從電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射的電子。
熒光粉層16在面對(duì)第一基板2的第二基板4的表面上形成，并且具有互相間隔一定距離的紅，綠和藍(lán)色熒光粉層16R，16G和16B，黑色層18被置于各自熒光粉層16之間以增強(qiáng)屏幕對(duì)比度。陽(yáng)極20由金屬材料，例如鋁形成在熒光粉層16和黑色層18上。
陽(yáng)極20接收加速電子束需要的高電壓，并且反射從熒光粉層16向第一基板2輻射的可見(jiàn)光線回到第二基板4，從而提高屏幕的亮度。
陽(yáng)極20可以由透明導(dǎo)電材料，例如ITO形成。在此情況下，陽(yáng)極被置于熒光粉層16和黑色層18的面對(duì)第二基板4的表面上。陽(yáng)極可以在面對(duì)第二基板4的整個(gè)表面上形成，或者被形成為多個(gè)部分。
多個(gè)隔離物22可以被布置在第一和第二基板2和4之間。隔離物22保持第一基板2和第二基板4之間不變的間距，并且支持真空封裝以防止其破損。間隔物22的位置對(duì)應(yīng)于黑色層18，以便不占用熒光粉層16的區(qū)域。
上述構(gòu)成的電子發(fā)射器件通過(guò)對(duì)陰極6、柵極10和陽(yáng)極20施加預(yù)定的電壓工作。例如，掃描驅(qū)動(dòng)電壓被施加于陰極6和柵極10中的任何一個(gè)，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓被施加于另一個(gè)電極。幾百伏至幾千伏的正電壓被施加于陽(yáng)極20。
電場(chǎng)在電子發(fā)射區(qū)12周圍陰極6和柵極10的電壓差超過(guò)閾值的像素處形成，并且電子從電子發(fā)射區(qū)12發(fā)射。所發(fā)射的電子被施加于陽(yáng)極20的高電壓吸引，并且與相應(yīng)的熒光粉層16碰撞，以引發(fā)其發(fā)光。在此過(guò)程中，使用根據(jù)本實(shí)施例的電子發(fā)射器件，每像素電子發(fā)射的均勻性被電阻層14增強(qiáng)，并且由于電阻層14的電子束聚焦操作，因而最小化電子束的擴(kuò)展。
圖4是根據(jù)比較示例1的電子發(fā)射器件的示意圖，模擬發(fā)射電子束的軌跡，其中陰極1為條狀，不含電阻層。圖5是根據(jù)示例1，模擬發(fā)射電子束軌跡的電子發(fā)射器件的示意圖。
根據(jù)示例1和比較示例1的電子束發(fā)射區(qū)，除了陰極的形狀和具有或者缺少電阻層，其結(jié)構(gòu)部件相同，并且模擬是在相同電壓施加條件下進(jìn)行的。
根據(jù)比較示例1的電子發(fā)射器件，如圖4所示，等勢(shì)線在電子發(fā)射區(qū)3形成，并且向電子發(fā)射區(qū)3凹陷。根據(jù)那樣的電場(chǎng)分布，當(dāng)電子從電子發(fā)射區(qū)3發(fā)射，它們以相當(dāng)大的擴(kuò)散角擴(kuò)散。圖4的參考數(shù)字5表示絕緣層，并且參考數(shù)字7表示柵極。
與此相反，根據(jù)示例1的電子發(fā)射器件，如圖5所示，等勢(shì)線在電子發(fā)射區(qū)12上方形成，并且由于電阻層14的存在而向電子發(fā)射區(qū)12突起。在距電子發(fā)射區(qū)12更遠(yuǎn)的距離，等勢(shì)線變得平坦并且凹向電子發(fā)射區(qū)12。利用這樣的電場(chǎng)分布，向電子發(fā)射區(qū)12突起的等勢(shì)線極大地減少了電子束的初始擴(kuò)散角。結(jié)果，電子以優(yōu)異的聚焦能力向第二基板行進(jìn)。
結(jié)果，在像素處發(fā)射的電子不趨向于落在黑色層，或者相鄰像素不正確的彩色熒光粉層上，而是落在正確的彩色熒光粉層上。因此，利用本發(fā)明本實(shí)施例的電子發(fā)射器件，可抑制不正常的光發(fā)射，并且可增強(qiáng)顏色再現(xiàn)力和顏色純度，產(chǎn)生極好的屏幕圖像質(zhì)量。
如圖6所示，除了還有聚焦電極之外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電子發(fā)射器件基本具有與如上討論的實(shí)施例相關(guān)的電子發(fā)射器件相同的結(jié)構(gòu)部件。
在此實(shí)施例中，當(dāng)被設(shè)置于陰極6和柵極10之間的絕緣層8被定義為第一絕緣層時(shí)，第二絕緣層24和聚焦電極26在柵極10和第一絕緣層8上形成。開(kāi)口241和261分別在第二絕緣層24和聚焦電極26形成。開(kāi)口241和261可以在各自的像素區(qū)以一一對(duì)應(yīng)方式形成，或者多個(gè)開(kāi)口可以在對(duì)應(yīng)于電子發(fā)射區(qū)12的數(shù)量的每個(gè)像素區(qū)形成。
在工作中，聚焦電極26可以接收幾伏至幾十伏的負(fù)電壓，并且對(duì)通過(guò)開(kāi)口261的電子產(chǎn)生排斥力。相應(yīng)地，根據(jù)本實(shí)施例的電子發(fā)射器件，被電阻層14聚焦過(guò)一次的電子在通過(guò)聚焦電極26的開(kāi)口261時(shí)被再次聚焦，從而較之前的實(shí)施例，改進(jìn)了電子束聚焦效果。
下面將參照?qǐng)D7A至圖7G解釋制造電子發(fā)射器件的方法。
如圖7A所示，具有透明氧化材料，例如ITO的導(dǎo)電薄膜被涂敷于第一基板2之上，并且形成圖案以形成第二電極62。第二電極62可以被分別放置于在第一基板2上限定的各自像素區(qū)上。
第一電極61在第一基板2上沿第一方向形成于第二電極62的兩側(cè)。第一電極61可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷、真空沉積、濺射、化學(xué)汽相沉積或者電鍍方法，由特定的，阻值低于第二電極62阻值的材料，例如鋁，鉬，銀，鈦，鎢，鉻和鉑形成。第二電極62和第一電極61可以交替以反序形成。
如圖7B所示，電阻層14在第一基板2上限定的所有像素區(qū)的第一和第二電極61和62之上形成。電阻層14被形成圖案，從而形成到電子發(fā)射區(qū)的開(kāi)口141。在一個(gè)實(shí)施例中，電阻層14通過(guò)采用絲網(wǎng)印刷和烘干，應(yīng)用具有特定電阻值106～1012Ωcm的材料形成。
之后，如圖7C所示，絕緣層8在第一基板2的整個(gè)表面形成，并且導(dǎo)電層10’在絕緣層8上形成，隨后在導(dǎo)電層10’形成圖案以形成開(kāi)口101。如圖7D所示，絕緣層8的通過(guò)導(dǎo)電層10’的開(kāi)口101暴露的部分被通過(guò)刻蝕移除，以在絕緣層8中形成開(kāi)口81。導(dǎo)電層10’沿垂直于第一電極61形成圖案，以形成柵極10。
如圖7E所示，將包含電子發(fā)射材料和光敏材料的膏狀混合物施加在第一基板2的整個(gè)表面上，并且紫外線28通過(guò)第一基板2的背面照射，以有選擇地硬化電阻層14的開(kāi)口141內(nèi)填充的混合物。未被硬化的混合物通過(guò)顯影被移除，并且硬化的混合物被烘干和燒結(jié)，從而形成如圖7F所示的電子發(fā)射區(qū)12。此時(shí)，紫外線的強(qiáng)度和照射時(shí)間被適當(dāng)?shù)乜刂?，以使電子發(fā)射區(qū)12具有低于電阻層14的高度。
使用背光曝光技術(shù)，混合物被從第二電極62的表面開(kāi)始硬化。電子發(fā)射區(qū)12因此很好地結(jié)合到陰極6。除了絲網(wǎng)印刷，電子發(fā)射區(qū)12也可以通過(guò)直接生長(zhǎng)、化學(xué)汽相沉積或者濺射形成。
如圖7G所示，當(dāng)被置于陰極6和柵極10之間的絕緣層8被定義為第一絕緣層時(shí)，第二絕緣層24和聚焦電極26在電子發(fā)射區(qū)12形成之前，被形成于柵極10和第一絕緣層8之上，并且開(kāi)口261和241在聚焦電極26和第二絕緣層24形成，隨后通過(guò)上述方式在第二電極62上形成電子發(fā)射區(qū)12。結(jié)果，完成根據(jù)如圖6所示實(shí)施例的具有聚焦電極26的電子發(fā)射器件。
雖然本發(fā)明的示范性實(shí)施例在上文被詳述，但是本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員應(yīng)該清楚地理解，對(duì)在此講授的基本發(fā)明概念的各種變化和/或者改變都沒(méi)有脫離本發(fā)明權(quán)利要求和其等效物定義的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射器件，包括第一基板；面對(duì)該第一基板并且與該第一基板隔開(kāi)預(yù)定間距的第二基板；陰極，每個(gè)陰極包括在該第一基板上形成的第一電極和與該第一電極間隔開(kāi)的第二電極；在所述第二電極上形成的電子發(fā)射區(qū)；互連所述第一電極和第二電極、并且圍繞所述電子發(fā)射區(qū)的電阻層；位于所述電阻層和陰極之上的絕緣層；和在該絕緣層之上形成的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述第一電極以第一電極對(duì)的形式被提供于陰極，并且所述第二電極被設(shè)置于該第一電極對(duì)之間。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述第二電極位于在該第一基板上限定的像素區(qū)處，并且所述電子發(fā)射區(qū)中的一或多個(gè)形成在所述第二電極上。
4.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述第二電極中的兩個(gè)或更多個(gè)被提供在該第一基板上限定的每個(gè)像素區(qū)處，并且所述電子發(fā)射區(qū)中的一或多個(gè)形成在每個(gè)第二電極上。
5.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述第二電極由透明導(dǎo)電氧化層形成。
6.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射器件，其中所述第一電極具有低于所述第二電極的電阻的特定電阻。
7.如權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射器件，其中所述第一電極由選自包括鋁、鉬、銀、鈦、鎢、鉻和鉑的材料組的材料形成。
8.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電阻層以一一對(duì)應(yīng)的方式在該第一基板上限定的像素區(qū)處形成。
9.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電阻層接觸所述電子發(fā)射區(qū)的側(cè)面。
10.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電阻層具有特定的電阻值106～1012Ωcm。
11.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電子發(fā)射區(qū)由選自包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60和硅納米線的材料組的材料形成。
12.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，進(jìn)一步包括置于該柵極之上并且與該柵極電絕緣的聚焦電極。
13.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，進(jìn)一步包括在該第二基板的面對(duì)該第一基板的表面上形成的熒光粉層和在所述熒光粉層的表面上形成的陽(yáng)極。
14.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器件，其中所述電阻層的厚度大于所述電子發(fā)射區(qū)的厚度，以使電阻層的頂面被置于高于電子發(fā)射區(qū)的頂面的平面。
15.一種制造電子發(fā)射器件的方法，包括(a)使用金屬材料在第一基板上形成第一電極對(duì)，并且使用透明導(dǎo)電氧化材料在該第一電極對(duì)之間形成第二電極，從而形成陰極；(b)在該第一電極對(duì)和第二電極上形成電阻層，并且在該電阻層中形成開(kāi)口以使該開(kāi)口部分地暴露所述第二電極的表面；(c)在所述陰極和電阻層上形成絕緣層和柵極，以使該絕緣層和柵極分別具有開(kāi)口；和(d)在第二電極上、所述電阻層的開(kāi)口內(nèi)形成電子發(fā)射區(qū)。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第二電極由ITO形成，并且所述第一電極由選自包括鋁、鉬、銀、鈦、鎢、鉻和鉑的材料組的材料形成。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述形成電子發(fā)射區(qū)包括(a)將電子發(fā)射材料和光敏材料的混合物施加在第一基板的整個(gè)表面上；(b)從該第一基板的背面用紫外線照射該混合物，以硬化填充于電阻層開(kāi)口內(nèi)的混合物；以及(c)之后，通過(guò)顯影和干燥以及燒結(jié)剩余的混合物，移除未被硬化的混合物。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述電子發(fā)射區(qū)的厚度薄于電阻層的厚度，以使電阻層的頂面被置于高于所述電子發(fā)射區(qū)的頂面的平面。
19.一種電子發(fā)射器件，包括第一基板；面對(duì)該第一基板并且與第一基板隔開(kāi)預(yù)定間距的第二基板；陰極，包括在該第一基板上形成的多個(gè)第一電極和與所述多個(gè)第一電極間隔開(kāi)的第二電極；在該第二電極上形成的至少一個(gè)電子發(fā)射區(qū)；互連所述多個(gè)第一電極和所述第二電極、并且圍繞所述至少一個(gè)電子發(fā)射區(qū)的電阻層；置于該電阻層和該陰極之上的絕緣層；和在該絕緣層之上形成的柵極。
20.如權(quán)利要求19所述的電子發(fā)射器件，其中所述第二電極由透明導(dǎo)電氧化層形成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種電子發(fā)射器件，包括第一基板；面對(duì)第一基板并且與第一基板隔開(kāi)預(yù)定間距的第二基板；陰極，每個(gè)陰極包括在第一基板上形成的第一電極和與第一電極間隔開(kāi)的多個(gè)第二電極；在多個(gè)第二電極上形成的電子發(fā)射區(qū)；互連第一電極和多個(gè)第二電極的每一個(gè)、并且圍繞電子發(fā)射區(qū)的電阻層；置于電阻層和陰極之上的絕緣層；和在絕緣層之上形成的柵極。
文檔編號(hào)H01J31/12GK1862755SQ20061006680
公開(kāi)日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2006年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者洪秀奉, 李天珪, 李相祚, 全祥皓, 安商爀 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社