技術(shù)編號：2926389
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 通常，電子發(fā)射器件被分為使用熱陰極作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射器件和那些使用冷陰極作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射器件。有多種類型的冷陰極電子發(fā)射器件，包括場發(fā)射陣列(FEA)型，金屬-絕緣體-金屬(MIM)型，金屬-絕緣體-半導體(MIS)型和表面導電發(fā)射器(SCE)型。FEA型電子發(fā)射器件基于如下原理當具有低功函數(shù)或者高深寬比的材料被用作電子發(fā)射源，在真空氣氛中在其上施加電場時，電子容易從電子發(fā)射源發(fā)射?；阢fMo或者硅Si或者含碳的材料，例...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。