專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)。更具體地，本發(fā)明涉及一種減小放電觸發(fā)電壓提高發(fā)光效率的PDP。
背景技術(shù)：
三電極表面放電型等離子體顯示板(PDP)是一般類型的PDP的例子。該三電極表面放電型PDP包括前基板和后基板，以及填充其間形成的空間的放電氣體。
在前基板的內(nèi)部表面上提供延長的維持電極和掃描電極的平行組。在后基板上提供延長的尋址電極，該后基板與前基板隔開。尋址電極沿著與維持電極和掃描電極的方向相交(即，不與其平行)的方向延伸。在前基板和后基板之間形成放電單元，每個放電單元與維持電極、掃描電極和尋址電極相關(guān)。
在三電極表面放電型PDP中，通過在維持和尋址電極之間的尋址放電選擇放電單元，維持和尋址電極被獨立地控制。此外，通過在前基板的內(nèi)部上設(shè)置的維持和掃描電極之間的維持放電在所選的放電單元中產(chǎn)生輝光放電。
從輝光放電中以多步的過程產(chǎn)生可見光。在輝光放電中，電子和放電氣體分子之間的碰撞產(chǎn)生真空紫外線(VUV)輻射。吸收VUV輻射導(dǎo)致放電單元中的熒光層發(fā)出熒光，從而產(chǎn)生可見光。觀看者通過透明的前基板看到可見光。
典型地，在上述的放電過程的多個階段的功率損失導(dǎo)致顯著的整體功率損失。例如，通過施加比維持電極和掃描電極之間的放電觸發(fā)電壓高的電壓觸發(fā)輝光放電。即，觸發(fā)輝光放電必需非常高的電壓。一旦輝光放電被觸發(fā)，通過陰極和陽極附近的介質(zhì)層形成的空間電荷效應(yīng)扭曲放電單元的陰極和陽極之間的電壓分布。具體地，在電極之間形成陰極套(cathode sheath)區(qū)域、陽極套(anode sheath)區(qū)域和陽極塔(positive column)區(qū)域。在陰極附近形成陰極套區(qū)域并消耗大部分施加到電極的電壓。在陽極附近形成陽極套區(qū)域且僅消耗部分的施加的電壓。在兩個套區(qū)域之間形成陽極塔區(qū)域并消耗可以忽略的量的施加的電壓。
在這些區(qū)域消耗的一部分功率加熱了放電單元中的電子。本文將電子加熱的效率稱為“電子加熱效率”。陰極套區(qū)域的電子加熱效率取決于保護(hù)層的二次電子發(fā)射系數(shù)，保護(hù)層一般為形成于掃描和維持電極上方的MgO層。陽極塔區(qū)域的電子加熱效率一般較高。
如上所述，放電氣體(例如氙氣)和電子之間的碰撞產(chǎn)生激發(fā)態(tài)氙原子。激發(fā)態(tài)氙原子弛豫(relaxation)回基態(tài)產(chǎn)生真空紫外(VUV)輻射。因此，用于提高PDP發(fā)光效率(即，可見光與輸入功率之比)的方法就是增加電子和氙氣之間的碰撞。提高電子加熱效率增大了電子和氙氣之間碰撞的次數(shù)和能量，由此增大了發(fā)光效率。
如上所述，大部分輸入功率消耗在陰極套區(qū)域；不過，在該區(qū)域電子加熱效率低。相反，陽極塔區(qū)域僅消耗很小部分的輸入功率，但是電子加熱效率非常高。因此，增大陽極塔區(qū)域的尺寸(例如通過增大電極之間的放電間隙)就增大了發(fā)光效率。
隨著氙的分壓增加，包括氙和氖的放電氣體中的發(fā)光效率也增加。氙激發(fā)(Xe*)、氙離子化(Xe+)、氖激發(fā)(Ne*)和氖離子化(Ne+)的電子消耗比(消耗掉的電子和所有電子之比)取決于減小的電場(比值E/n，其中E為放電間隙處的電場，n為氣體密度)。對于減小的電場的給定值(E/n)，電子能量隨著氙分壓的增加而減小。隨著電子能量的減小，氙激發(fā)的電子消耗比在增大。因為VUV輻射是通過氙從激發(fā)態(tài)弛豫到基態(tài)產(chǎn)生的，因此發(fā)光效率也隨著氙激發(fā)的電子消耗比增大而增大。
如上所述，增大陽極塔區(qū)域的尺寸和增大放電氣體中氙的分壓都使氙激發(fā)(Xe*)中的電子加熱效率增加。因此，可以使用這些特征的任一種或兩者來提高電子加熱效率，從而改善發(fā)光效率。增大陽極塔區(qū)域和/或氙分壓的任一個或二者一般需要增大放電觸發(fā)電壓，不過這還增加了PDP的制造成本。因此，在通過增大陽極塔區(qū)域的尺寸和/或放電氣體中的氙分壓來改善發(fā)光效率的同時，最好使放電觸發(fā)電壓保持在低水平。對于給定的放電間隙和氣壓，在相對放電結(jié)構(gòu)中放電觸發(fā)電壓通常比上述表面放電結(jié)構(gòu)中更低，在相對放電結(jié)構(gòu)中，掃描和維持電極是彼此面對的。
在背景技術(shù)部分中提供的信息僅用于幫助讀者理解本發(fā)明的背景，并可能包含本領(lǐng)域普通技術(shù)人員不知道的信息。因此，在背景技術(shù)部分中披露的信息不視為現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了一種具有減小的放電觸發(fā)電壓和/或增加的發(fā)光效率相結(jié)合的特征的等離子體顯示板。
根據(jù)一些實施例的示范性等離子體顯示板包括第一和第二基板、尋址電極、一對第一電極，以及一對第二電極。第一和第二基板彼此面對且在其間具有預(yù)定的間隙，在間隙中形成多個放電單元。每個放電單元包括第一和第二放電空間。尋址電極沿著第一方向延長且在第一和第二基板之間設(shè)置。在第一和第二基板之間設(shè)置一對第一電極且該第一電極沿著與第一方向相交的第二方向延長。在每個放電單元的相對側(cè)且與尋址電極分開設(shè)置一對第一電極。一對第二電極沿著第二方向延長并基本在每個放電單元的中心跨過每個放電單元，且該第二電極彼此基本彼此平行且在一對第一電極之間。第一和第二放電空間的每個與第一電極之一和第二電極之一相關(guān)。
在一些實施例中，尋址電極包括沿著第一方向延長且在放電單元的邊界設(shè)置的延長部分；第一突出部分，從尋址電極的延長部分向第一放電空間的內(nèi)部延伸；以及第二突出部分，從尋址電極的延長部分向第二放電空間的內(nèi)部延伸。
在一些實施例中，尋址電極的第一突出部分在第一放電空間中的第一和第二電極之間延伸。
在一些實施例中，尋址電極的第二突出部分在第二放電空間中的第一和第二電極之間延伸。
在一些實施例中，尋址電極的第一和第二突出部分分別向每個放電空間的第二電極偏移位置。
在一些實施例中，對于每個放電空間，其中的第二電極與尋址電極的突出部分之間的距離小于其中的第一電極與尋址電極的突出部分之間的距離。
在一些實施例中，至少一個第一電極被在第一方向中相鄰的放電單元共享。
在一些實施例中，至少一個第一電極包括延長部分和擴(kuò)展部分，其中延長部分設(shè)置在放電單元的相對側(cè)并沿著第二方向延長；而擴(kuò)展部分沿著垂直于第一基板的第一方向從延長部分延伸。在一些實施例中，至少一個第二電極包括延長部分和擴(kuò)展部分，其中延長部分經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以對應(yīng)于至少一個第一電極的延長部分，擴(kuò)展部分經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以對應(yīng)于至少一個第一電極的擴(kuò)展部分。
在一些實施例中，第一和第二電極的至少一個的最后部分(rearmostportion)比尋址電極的最前部分(frontmost portion)更靠近前基板。
在一些實施例中，第一和第二電極的至少一個的最后部分在與基板垂直的方向與尋址電極交迭。
在一些實施例中，第一和第二電極的至少一個包括金屬電極。
在一些實施例中，在第一電極、第二電極及尋址電極的至少一個上設(shè)置絕緣介質(zhì)層。在一些實施例中在至少一個介質(zhì)層上設(shè)置保護(hù)層。
在一些實施例中，可以在一對第二電極的每個上設(shè)置分開的介質(zhì)層。在其他實施例中，在基本在放電單元的中心設(shè)置的一對第二電極的二者上設(shè)置單個介質(zhì)層。在一些實施例中，可以在一對第二電極的二者上設(shè)置的介質(zhì)層基本不包括在一對第二電極之間的空隙或空的空間。
一些示范性等離子體顯示板的實施例進(jìn)一步包括第一和第二阻擋肋層，其中第一阻擋肋層形成于第一基板上，該第一阻擋肋層形成放電單元的第一基板側(cè)放電空間，而在第二基板上形成的第二阻擋肋層形成放電單元的第二基板側(cè)放電空間。
在一些實施例中，第二基板側(cè)放電空間的體積比第一基板側(cè)放電空間的體積大。
在一些實施例中，第一阻擋肋層包括沿著第一方向延長的第一阻擋肋構(gòu)件，第二阻擋肋層包括沿著第一方向延長的第二阻擋肋構(gòu)件。在一些實施例中，第一阻擋肋層進(jìn)一步包括與第一阻擋肋構(gòu)件相交的第三阻擋肋構(gòu)件，且第二阻擋肋層進(jìn)一步包括與第二阻擋肋構(gòu)件相交的第四阻擋肋構(gòu)件。
一些實施例進(jìn)一步包括在第一基板的表面上形成的第一熒光層，以及在第二基板的表面上形成的第二熒光層。在一些實施例中，第一熒光層比第二熒光層厚。
在一些實施例中，接近第二基板形成暗掩模層(dark mask layer)，其中暗掩模層的形狀基本對應(yīng)于尋址電極、第一電極和第二電極的至少一個的形狀。
在一些實施例中，在維持周期中將維持脈沖施加到第一電極，在尋址周期中將掃描脈沖施加到第二電極，在維持周期中將維持脈沖施加到第二電極，且第一電極被第一方向中相鄰的放電單元共享，其中在包括第二電極、第一電極和第二電極的設(shè)置中沿第一方向重復(fù)第一和第二電極。
在一些實施例中，尋址電極包括延長部分，其沿著第一方向延長且在放電單元的邊界設(shè)置；第一突出部分，從尋址電極的延長部分向第一放電空間的內(nèi)部延伸；以及第二突出部分，從尋址電極的延長部分向第二放電空間的內(nèi)部延伸，其中在包括第二電極、尋址電極、第一電極、尋址電極和第二電極的設(shè)置中沿第一方向重復(fù)第一、第二和尋址電極。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的PDP的部分分解透視圖。
圖2是示出在根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的PDP中電極和放電單元的示意性設(shè)置的頂部平面圖。
圖3是沿著圖1中示出的PDP的III-III線截取的橫截面圖。
圖4是示出在根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的PDP中電極的設(shè)置的示意性透視圖。
圖5是示出在根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例中的PDP的放電單元與暗掩模層之間的關(guān)系的頂部平面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二示范性實施例的PDP的橫截面圖，其中該圖對應(yīng)于圖3的截面。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三示范性實施例的PDP的橫截面圖，其中該圖對應(yīng)于圖3的截面。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第四示范性實施例的PDP的橫截面圖，其中該圖對應(yīng)于圖3的截面。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第五示范性實施例的PDP的橫截面圖，其中該圖對應(yīng)于圖3的截面。
圖10示出了適用于根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的PDP的示范性驅(qū)動信號。
具體實施例方式
通過參考附圖，將更詳細(xì)地向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員描述本發(fā)明的實施例。隨著本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對本發(fā)明的了解，可以在不背離本發(fā)明披露的精神或范圍的情況下，對所述的實施例做出多種形式的改變。只要可能，在所有附圖中，用相同的參考數(shù)字指示相同或相似的部分。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的PDP的部分分解透視圖，圖2是示出在根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的PDP中電極和放電單元的示意性設(shè)置的頂部平面圖，而圖3是沿著圖1中所示的PDP的III-III線截取的橫截面圖。
如圖所示，根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的PDP包括第一基板10、第二基板20、第一阻擋肋層16、以及第二阻擋肋層26。相對設(shè)置第一基板10(以下“后基板”)和第二基板20(以下“前基板”)，在其間有預(yù)定間隙。在后基板10和前基板20之間設(shè)置第一阻擋肋層16和第二阻擋肋層26，且分別形成放電空間18和28。
更詳細(xì)地，第一阻擋肋16(以下“后板阻擋肋”)分隔放電空間18，第二阻擋肋26(以下“前板阻擋肋”)分隔放電空間28。兩個放電空間18和28共同形成放電單元38。
分別在放電空間18和28中形成第一和第二熒光層19和29。放電氣體(例如，氖(Ne)、氙(Xe)等的混合氣體)填充放電單元38。放電單元中的等離子體放電產(chǎn)生真空紫外線(VUV)輻射。
后板阻擋肋16從后基板10向前基板20延伸。類似地，前板阻擋肋26從前基板向后基板10延伸。
如上所述，后板阻擋肋16分隔且形成鄰近后基板10的放電空間18。鄰近后基板10形成的每個放電單元18包括一對放電空間18a和18b，這在圖3中看得最清楚。
以同樣的方式，前板阻擋肋26分隔且形成鄰近前基板20的放電空間28。鄰近前基板20形成的每個放電單元28包括一對放電空間28a和28b。
在z軸方向中相鄰的放電空間18和28共同形成單個有效放電單元38。在y軸方向中，放電單元38包括一對放電空間38a和38b。放電空間38a包括放電空間18a和28a，且放電空間38b包括放電空間18b和28b。
在所示的實施例中，通過前板阻擋肋26在前基板20形成的放電空間28a和28b的體積比通過后板阻擋肋16在后基板10形成的放電空間18a和18b的體積大。所示的配置提高了在放電空間38a和38b中產(chǎn)生的可見光通過前基板的透射率。
通過后板阻擋肋16和前板阻擋肋26形成的放電空間18和28的一些實施例具有不同的形狀，例如，三角形、四邊形或六邊形。在所示的實施例中，放電空間18和28基本為矩形和/或正方形。在一些實施例中，放電空間18和28彼此獨立。即，盡管在所示的實施例中以條形圖案形成放電空間18和28，且放電空間18和28共同形成一個有效放電單元38，但是在其他實施例中，放電空間18和28具有不同的配置。
在所示的實施例中，在后基板10形成的每個后板阻擋肋16包括沿著第一方向(例如，y軸方向)延長的第一阻擋肋構(gòu)件16a。第一阻擋肋構(gòu)件16a向前基板20延伸。在前基板20形成的每個前板阻擋肋26包括向后基板10延伸的第二阻擋肋構(gòu)件26a，該第二阻擋肋構(gòu)件26a經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以對應(yīng)于第一阻擋肋構(gòu)件16a。
在后放電空間18a和18b中形成第一熒光層19。在前放電空間28a和28b中形成第二熒光層29。第一和第二熒光層19和29在放電空間38a的兩側(cè)以及放電空間38b的兩側(cè)產(chǎn)生可見光，從而提高發(fā)光效率。如上所述，一對放電空間18a和18b與面對的一對放電空間28a和28b共同形成一對放電空間38a和38b。因此，在優(yōu)選的實施例中，形成于放電空間18和28中的第一和第二熒光層19和29由產(chǎn)生相同或相似顏色可見光的熒光體形成。在所示的實施例中，在放電空間18中的第一熒光層19形成于第一阻擋肋構(gòu)件16a的側(cè)面上以及第一阻擋肋構(gòu)件16a之間的部分后基板10上。在放電空間28中的第二熒光層29形成于第二阻擋肋構(gòu)件26a的側(cè)面上以及第二阻擋肋構(gòu)件26a之間的前基板20的部分表面上。
在一些實施例中，通過在后基板10上形成的介質(zhì)層(未示出)上涂布熒光體形成第一熒光層19。其他實施例不包括在后基板10上形成的介質(zhì)層。同樣，在一些實施例中，通過在前基板20上形成的介質(zhì)層(未示出)上涂布熒光體形成第二熒光層29。其他實施例不包括在第二基板20上形成的介質(zhì)層。
在其他實施例中，蝕刻后和/或前基板10和20的一個或兩個以形成放電空間18和28，從而形成一體的基板/阻擋肋結(jié)構(gòu)。在所得的放電空間18和/或28中形成第一和第二熒光層19和29。在后板阻擋肋16和后基板10為一體的實施例中，它們包括相同的材料。在前板阻擋肋26和前基板20為一體的實施例中，它們包括相同的材料。
在維持放電期間，放電空間18中的第一熒光層19吸收真空紫外線(VUV)輻射并通過前基板20發(fā)射可見光。放電空間28中的第二熒光層29吸收真空紫外線(VUV)輻射并通過前基板20發(fā)射可見光。在所示的實施例中，由于通過該部分第二熒光層29透射可見光，因此在后基板10上形成的第一熒光層19的厚度(t1)比在前基板20上形成的第二熒光層29的厚度(t2)大。所示的配置改善了真空紫外線(VUV)輻射的利用，從而改善了裝置的發(fā)光效率。
如上所述，通過輝光或等離子體放電產(chǎn)生真空紫外線(VUV)輻射。利用尋址電極12、第一電極31(“維持電極”)和第二電極32(“掃描電極”)在放電單元38中產(chǎn)生等離子體放電。
在所示的實施例中，尋址電極12沿著第一方向(y軸方向)延長且相對于z軸方向在后板阻擋肋16與前板阻擋肋26之間設(shè)置。即，尋址電極12沿著第一阻擋肋構(gòu)件16a的方向延長。如圖1所示，以對應(yīng)于放電空間18的寬度的間距，且對應(yīng)于第一阻擋肋構(gòu)件16a平行設(shè)置多個尋址電極12。
在共同形成放電空間38a和38b的后板阻擋肋16與前板阻擋肋26之間設(shè)置維持電極31和掃描電極32。在所示的實施例中，維持電極31和掃描電極32與尋址電極12電絕緣，且沿著第二方向(例如，x軸方向)延長，該第二方向與尋址電極12的第一方向(例如，y軸方向)相交或交叉。在所示的實施例中，第一方向和第二方向基本垂直。如上所述，每個放電單元38包括一對放電空間38a和38b。在所示的實施例中，在放電單元38的相對側(cè)(在y軸方向中)彼此基本平行地設(shè)置一對維持電極31，從而界定放電單元38的兩個側(cè)面。在維持電極31之間且基本平行于維持電極31設(shè)置一對掃描電極32，從而將放電單元38分隔成放電空間38a和38b(圖3)。在所示的實施例中，一對掃描電極32基本位于放電單元38的中心。
在所示的實施例中，一組維持和掃描電極31和32經(jīng)尺寸設(shè)定(dimensioned)和配置以在放電空間38a中產(chǎn)生維持放電，另一組掃描和維持電極32和31經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以在放電空間38b中產(chǎn)生維持放電。在所示的實施例中，第一和第二阻擋肋構(gòu)件16a和26a界定沿著y軸方向敞開的放電空間，該敞開的放電空間分成其中的敞開放電空間38a和38b。
尋址電極12包括延長部分12a及第一和第二突出部分12b和12c。該延長部分12a沿y軸方向延長且在放電單元38的邊界設(shè)置。該第一突出部分12b從延長部分12a向放電空間38a突出并突出到其中，該第二突出部分12c從延長部分12a向放電空間38b突出并突出到其中。在所示的實施例中，第一突出部分12b在對應(yīng)于放電空間38a的掃描和維持電極31和32之間延伸，第二突出部分12c在對應(yīng)于放電空間38b的維持和掃描電極32和31之間延伸，且該第一和第二突出部分12b和12c經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以在相應(yīng)放電空間38a和38b中產(chǎn)生尋址放電。尋址電極12的第一和第二突出部分12b和12c分別向放電空間38a和38b傳導(dǎo)尋址脈沖。在一些實施例中，尋址電極12與掃描電極32之間的放電間隙為小的間隙，從而減小尋址放電電壓。
如上所述，在所示的實施例中，在第一和第二阻擋肋構(gòu)件16a和26a之間且與其交叉設(shè)置維持電極31。沿y軸方向在每個放電單元38的相對側(cè)彼此平行地設(shè)置維持電極31。同樣在第一和第二阻擋肋構(gòu)件16a和26a之間且與其相交設(shè)置掃描電極32?；驹诜烹妴卧闹行模c維持電極31平行設(shè)置一對掃描電極32。
在所示的實施例中，維持電極31界定在y軸方向相鄰的放電單元38。每個維持電極31被沿y軸方向相鄰的放電單元38共享，且有助于相鄰放電單元38的維持放電。
在所示的實施例中，基本在放電單元38的中心設(shè)置一對掃描電極32，將放電單元38分隔成放電空間38a和38b。該對掃描電極32的每個對相應(yīng)放電空間38a或38b中的維持放電有貢獻(xiàn)。
在尋址周期中，在掃描電極32與對應(yīng)的尋址電極12之間產(chǎn)生尋址放電，從而選擇放電單元38用于維持放電。在維持周期中，在維持電極31與掃描電極32之間產(chǎn)生維持放電，而產(chǎn)生輝光放電，最后形成如上所述的圖像。
圖10表示了在復(fù)位、尋址和維持放電周期中施加到掃描電極32、維持電極31和尋址電極12的電壓脈沖序列的實施例。在維持周期中，將維持脈沖Vs施加到維持電極31和掃描電極32。在尋址周期內(nèi)，將掃描脈沖Vsc施加到掃描電極，并將尋址脈沖Va施加到尋址電極12。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，其他實施例利用不同的脈沖序列且電極的功能可能根據(jù)它們的信號電壓而改變。
在每個放電空間38a和38b中，維持電極31和掃描電極32彼此相對，因此其中產(chǎn)生的維持放電為相對放電。在相對的放電中，用于產(chǎn)生維持放電的放電觸發(fā)電壓與放電結(jié)構(gòu)的表面積成反比地變化。圖4中所示的實施例包括在維持電極31和掃描電極32上增大的放電區(qū)域。在所示的實施例中，維持電極31包括延長部分31a和擴(kuò)展部分31b。同樣，掃描電極32包括延長部分32a和擴(kuò)展部分32b。延長部分31a和32a對應(yīng)于每個放電空間38a和38b的相對側(cè)，沿第二方向(x軸)延長。擴(kuò)展部分31b和32b從相應(yīng)的延長部分31a和32a向后基板10延伸且垂直于后基板10(例如，沿z軸方向)。在所示的實施例中，維持電極的延長部分31a經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以對應(yīng)于掃描電極的延長部分32a，維持電極的擴(kuò)展部分31b經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以對應(yīng)于擴(kuò)展部分32b。在一些實施例中，維持和掃描電極的擴(kuò)展部分31b和32b的至少一個的高度(hv)比它的寬度(hh)大。與不包括擴(kuò)展部分的相似的維持和掃描電極相比，圖示的包括擴(kuò)展部分31b和32b的維持和掃描電極之間的相對的放電產(chǎn)生更強烈的真空紫外線(VUV)輻射，從而產(chǎn)生更強的可見光。
在圖4所示的配置中，維持和掃描電極31和32基本垂直于尋址電極12，該維持和掃描電極的擴(kuò)展部分31b和32b向后基板10延長并垂直于后基板10。在所示的配置中，維持和掃描電極31和32在空間上不會干擾尋址電極12，該尋址電極12包括第一和第二突出部分12b和12c。
在圖3所示的實施例中，維持和掃描電極31和32的最后或末梢部分比尋址電極12的最前或最接近的部分更接近前基板20。這種配置允許在行成尋址電極12后形成維持電極31和掃描電極32。
在一些優(yōu)選實施例中，維持電極31、掃描電極32和/或?qū)ぶ冯姌O12的至少一個包括不透明的高導(dǎo)電性金屬電極。在所示的實施例中，由于在放電空間18和28的邊緣或側(cè)面設(shè)置尋址電極12、維持電極31和掃描電極32，因此即使用不透明的材料制作時，它們也只阻擋小量的放電單元38中產(chǎn)生的可見光。
如圖1和圖3所示，在維持電極31和掃描電極32上形成介質(zhì)層34。在尋址電極12上方形成介質(zhì)層35。該介質(zhì)層34和35均收集壁電荷且將電極電絕緣。在一些優(yōu)選的實施例中，通過薄膜陶瓷片(TFCS)法制作至少一些介質(zhì)層34和35，和/或其中包圍的電極31、32和12。例如，在一些實施例中，維持電極31、掃描電極32和尋址電極12被制成獨立的電極單元，然后用后板阻擋肋16和后基板10將它們結(jié)合。
在圖3所示的實施例中，在一對掃描電極32的每個上形成獨立的介質(zhì)層34。在其他實施例中，在兩個掃描電極32上形成單個介質(zhì)層34。例如，在圖6所示的實施例中，兩個掃描電極232都被單個介質(zhì)層234覆蓋，該單個介質(zhì)層234具有在兩個掃描電極232之間的空的空間。在一些實施例中，在空的空間中設(shè)置放電氣體。在圖7所示的實施例中，兩個掃描電極332被單個一體的介質(zhì)層334覆蓋，該單個一體的介質(zhì)層334不包括在掃描電極332之間的空的空間。
在圖1所示的實施例中，保護(hù)層36形成于介質(zhì)層34和35的表面上。在一些實施例中，在暴露于放電單元38中的等離子體放電的至少一個介質(zhì)層34、234、334和/或35的部分上形成保護(hù)層36。在一些實施例中，保護(hù)層36保護(hù)介質(zhì)層34、234、334和/或35的至少一個免受等離子體放電影響和/或提供高二次電子發(fā)射系數(shù)。在圖1所示的實施例中，保護(hù)層不需對可見光透明。由于在放電空間18和28的邊緣或邊沿設(shè)置維持電極31、掃描電極32和尋址電極12，而不在前和/或后基本20和10上形成，因此在一些實施例中，保護(hù)層36包括不透明的MgO。與透明的MgO相比不透明的MgO典型地展示出高得多的二次電子發(fā)射系數(shù)，從而在一些實施例中允許使用更低的放電觸發(fā)電壓。
如上所述，在所示的實施例中，在y軸方向的邊界在放電單元38的兩側(cè)設(shè)置維持電極31，基本在放電單元38的中心，在維持電極31之間提供一對掃描電極32。此外，在放電單元38x軸方向的邊緣設(shè)置尋址電極12。
在圖2所示的實施例中，接近于掃描電極32并遠(yuǎn)離維持電極31形成尋址電極12的第一和第二突出部分12b和12c。即，尋址電極12的第一和第二突出部分12b和12c向?qū)?yīng)的掃描電極32偏移。
在所示的實施例中，掃描電極32與尋址電極12的突出部分12b和/或12c之間的距離d1小于突出部分12b和/或12c與維持電極31之間的距離d2(即，d1＜d2)。
通過將尋址脈沖施加到尋址電極12并將掃描脈沖施加到適當(dāng)?shù)膾呙桦姌O32，可以選擇放電空間38a或放電空間38b。
尋址電極12被具有相同介電常數(shù)的介質(zhì)層35圍繞，這樣就在紅R、綠G和藍(lán)B色熒光體形成相同的放電觸發(fā)電壓，從而能夠?qū)崿F(xiàn)大的電壓裕量。通常紅R、綠G和藍(lán)B色熒光體具有不同的介電常數(shù)。如果尋址電極被具有相同介電常數(shù)的介質(zhì)層圍繞，且在介質(zhì)層上形成紅R、綠G和藍(lán)B色的熒光體，將會由不同的介電常數(shù)在紅R、綠G和藍(lán)B色的熒光體形成不同的放電觸發(fā)電壓，由此能夠?qū)崿F(xiàn)小的電壓裕量。
在其他實施例中，掃描電極32與尋址電極12的突出部分12b和/或12c之間的距離d1大于或等于突出部分12b和/或12c與維持電極31之間的距離d2(即，d1≥d2)。在這些實施例的一些中，尋址放電必需更高的電壓。
在圖5所示的實施例中，在前基板20上設(shè)置暗掩模層37，從而提高PDP的襯比度。在一些實施例中，至少一些暗掩模層37的部分是黑色的。在圖3所示的實施例中，在前基板20的表面上形成暗掩模膜37。然后在其上形成第二熒光層29。在其他實施例中(未示出)，暗掩模層37形成于第二熒光層29上方，該第二熒光層形成于前基板20上。在所示的實施例中，在前基板20與尋址電極12、維持電極31和掃描電極32之間設(shè)置暗掩模層37。在所示的實施例中，暗掩模層37基本覆蓋尋址電極12、維持電極31和掃描電極32，從而通過吸收入射的外部光線提高裝置的對比度并通過減小入射的外部光線的反射提高發(fā)光效率。
如上所述，在一些實施例中，在放電單元38的y軸邊界設(shè)置維持電極31且在維持電極31之間設(shè)置一對掃描電極32。在所示的實施例中，在第一方向中相鄰的放電單元38共享在其間設(shè)置的維持電極31。這種配置提供了沿第一(y軸)方向重復(fù)且相繼的包括掃描電極32、維持電極31和掃描電極32的電極設(shè)置。
一些實施例也包括尋址電極12的第一和/或第二突出部分12b和/或12c，該尋址電極在維持和掃描電極31和32之間延伸。在這些實施例中第一(y軸)方向中電極的配置包括維持電極31、尋址電極12a、掃描電極32、掃描電極32、尋址電極12b和維持電極31。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的其他的配置也是可能的。
在下文中，將詳細(xì)描述第一示范性實施例的多種示范性變化。下列示范性實施例與第一示范性實施例相似，因此，以下僅詳細(xì)描述其差異。
圖6和圖7分別涉及第二和第二示范性實施例，其中介質(zhì)層234和334的結(jié)構(gòu)不同于第一示范性實施例的介質(zhì)層34。
此外，第二和第三示范性實施例進(jìn)一步包括與第一示范性實施例相比的不同的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)為后板阻擋肋16和前板阻擋肋26。在圖6和圖7所示的實施例中的后板阻擋肋16進(jìn)一步配備有第三阻擋肋構(gòu)件16b。該第三阻擋肋構(gòu)件16b沿著第二(x軸)方向延長，與第一阻擋肋構(gòu)件16a相交。第三阻擋肋構(gòu)件16b向前基板10延伸。在所示的實施例中，后板阻擋肋16的第一和第三阻擋肋構(gòu)件16a和16b分隔在后基板10上形成的放電空間18a和18b。在這些實施例中，放電空間18a和18b通過第三阻擋肋構(gòu)件16b彼此分開。相反，在上述的實施例中，放電空間18a和18b并非彼此物理地分開。
在所示的實施例中，前板阻擋肋26進(jìn)一步包括第四阻擋肋構(gòu)件26b。第四阻擋肋構(gòu)件26b沿著第二(x軸)方向延長，與第二阻擋肋構(gòu)件26a相交。該第四阻擋肋構(gòu)件26b向后基板10延伸。在所示的實施例中，如圖6和圖7所示，第四阻擋肋構(gòu)件26b經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以對應(yīng)于第三阻擋肋構(gòu)件16b。在所示的實施例中，前板阻擋肋26的第二和第四阻擋肋構(gòu)件26a和26b分隔在后基板10上形成的放電空間28a和28b。在這些實施例中，放電空間28a和28b彼此分開。相反，在上述的一些實施例中，放電空間28a和28b彼此不分開。
圖8示出了第四示范性實施例。不像上述的和圖3中所示的實施例，在這個實施例中，維持電極431和/或掃描電極432的至少一個的最后部分在垂直(z軸)方向中與尋址電極12的至少部分交迭。維持和掃描電極的至少一個擴(kuò)展部分431b和432b的高度(hv4)大于維持和掃描電極的至少一個擴(kuò)展部分31b和32b的高度(hv)。所示的實施例包括阻擋肋結(jié)構(gòu)16和26，與上述的用于第二和第三示范性實施例那些相似。其他的實施例利用不同的阻擋肋結(jié)構(gòu)16和26，例如，如以上針對第一示范性實施例所述的。
圖9示出了第五示范性實施例，在所示的實施例中，與上述的且在圖6所示的第二示范性實施例相比，維持電極531和/或掃描電極532的至少一個的最后部分在垂直(z軸)方向中與尋址電極12的至少部分交迭。所示的實施例包括阻擋肋結(jié)構(gòu)16和26，與上述的用于第二和第三示范性實施例的那些相似。其他實施例利用不同的阻擋肋結(jié)構(gòu)16和26，例如，如以上針對第一示范性實施例所述的。
此外，盡管未示出并更詳細(xì)地描述，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是第四和第五示范性實施例的上述特征同樣適用于其他實施例，例如應(yīng)用到圖7所示的第三示范性實施例，以及這里未示出的其他實施例。
根據(jù)第四和第五示范性實施例，更接近于掃描電極432和532設(shè)置尋址電極12的突出部分12b和12c。因此，在一些實施例中，尋址放電是通過更低的電壓觸發(fā)的。
此外，根據(jù)第四或第五示范性實施例，維持電極431或531的擴(kuò)展部分431b或531b和彼此相對的掃描電極432或532的擴(kuò)展部分432b或532b的面積大于在上述的第一或第二示范性實施例中的面積。因此，在一些實施例中，VUV輻射的強度比第一或第二示范性實施例中的高。通過在放電空間18和28中的熒光層19和29吸收更強烈的VUV輻射，從而增加可見光的發(fā)射。
如上所述，這里描述的PDP的一些實施例包括設(shè)置在后基板和前基板之間的多個顯示電極，其中一對顯示電極為在放電單元的相對側(cè)設(shè)置的維持電極，而另外一對顯示電極為在維持電極之間，且基本在放電單元的中心設(shè)置的掃描電極。顯示電極的這種配置允許在掃描電極和維持電極之間相對的放電，從而在一些實施例中降低放電觸發(fā)電壓。一些實施例包括在后基板和前基板均設(shè)置的熒光層，從而提高發(fā)光效率。
此外，一些實施例提供了被配置成用于在尋址放電期間在掃描電極與尋址電極之間的相對放電的PDP。在這些實施例中，在一對放電空間之間設(shè)置掃描電極且在掃描電極的兩個側(cè)面設(shè)置尋址電極的突出部分，在每個掃描電極與尋址電極的突出部分之間具有短的間隙。從而，尋址放電是在掃描電極與尋址電極的突出部分之間的短間隙放電，從而在一些實施例中降低尋址放電的放電觸發(fā)電壓。
盡管已經(jīng)聯(lián)系附圖并通過一些示范性實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明不局限于披露的實施例，相反，本發(fā)明旨在覆蓋包括于權(quán)利要求的精神和范圍中的多種改變和等價設(shè)置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括彼此相對的第一和第二基板，在其間具有預(yù)定間隙；在所述第一和第二基板之間的所述間隙中形成的多個放電單元，其中每個放電單元包括第一和第二放電空間；尋址電極，在所述第一和第二基板之間設(shè)置且沿著第一方向延長；一對第一電極，在所述第一和第二基板之間設(shè)置且沿著與所述第一方向相交的第二方向延長，所述一對第一電極設(shè)置在每個放電單元的相對側(cè)且與所述尋址電極分開；以及一對第二電極，沿著所述第二方向延長，基本在其中心越過每個放電單元彼此基本平行地且在所述一對第一電極之間設(shè)置，其中所述第一和第二放電空間的每個與所述第一電極之一和所述第二電極之一相關(guān)。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極包括沿著所述第一方向延長的延長部分，在所述放電單元的邊界設(shè)置；第一突出部分，從所述尋址電極的所述延長部分向所述第一放電空間的內(nèi)部延伸；以及第二突出部分，從所述尋址電極的所述延長部分向所述第二放電空間的內(nèi)部延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極的所述第一突出部分在所述第一放電空間中的所述第一和第二電極之間延伸。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極的所述第二突出部分在所述第二放電空間中的所述第一和第二電極之間延伸。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極的所述第一和第二突出部分向每個放電空間的相應(yīng)第二電極偏移。
6.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示板，其中對于每個放電空間，其中的所述第二電極與所述尋址電極的所述突出部分之間的距離小于其中的所述第一電極與所述尋址電極的所述突出部分之間的距離。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中至少一個第一電極被在所述第一方向中相鄰的放電單元共享。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中至少一個第一電極包括延長部分，在所述放電單元的所述相對側(cè)設(shè)置并沿著所述第二方向延長；以及擴(kuò)展部分，沿著垂直于所述第一基板的方向從所述延長部分延伸。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示板，其中至少一個第二電極包括延長部分，經(jīng)尺寸設(shè)定和配置以對應(yīng)于所述至少一個第一電極的所述延長部分；以及擴(kuò)展部分，經(jīng)相應(yīng)的尺寸設(shè)定和配置以對應(yīng)于所述至少一個第一電極的所述擴(kuò)展部分。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第一和第二電極的至少一個的最后部分比所述尋址電極的最前部分更接近所述前基板。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第一和第二電極的至少一個的最后部分與所述尋址電極垂直地交迭。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述第一和第二電極的至少一個包括金屬電極。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中在所述第一電極、所述第二電極和所述尋址電極的至少一個上設(shè)置絕緣介質(zhì)層。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中在至少一個所述介質(zhì)層上設(shè)置保護(hù)層。
15.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中在所述一對第二電極的每個上設(shè)置獨立的介質(zhì)層。
16.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中在所述一對第二電極上設(shè)置單個介質(zhì)層。
17.如權(quán)利要求16所述的等離子體顯示板，其中在所述一對第二電極上設(shè)置的所述介質(zhì)層在所述一對第二電極之間不包括空隙或空的空間。
18.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，進(jìn)一步包括在所述第一基板上形成的第一阻擋肋層，其形成所述放電單元的第一基板側(cè)放電空間；以及在所述第二基板上形成的第二阻擋肋層，其形成所述放電單元的第二基板側(cè)放電空間。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示板，其中所述第二基板側(cè)放電空間的體積大于所述第一基板側(cè)放電空間。
20.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示板，其中所述第一阻擋肋層包括在所述第一方向中延長的第一阻擋肋構(gòu)件；且所述第二阻擋肋層包括在所述第一方向中延長的第二阻擋肋構(gòu)件。
21.如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示板，其中所述第一阻擋肋層進(jìn)一步包括與所述第一阻擋肋構(gòu)件相交的第三阻擋肋構(gòu)件；且所述第二阻擋肋層進(jìn)一步包括與所述第二阻擋肋構(gòu)件相交的第四阻擋肋構(gòu)件。
22.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，進(jìn)一步包括在所述第一基板的表面上形成的第一熒光層；以及在所述第二基板的表面上形成的第二熒光層。
23.如權(quán)利要求22所述的等離子體顯示板，其中所述第一熒光層比所述第二熒光層厚。
24.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中接近所述第二基板形成暗掩模層，其中所述暗掩模層的形狀基本對應(yīng)于所述尋址電極、第一電極和第二電極的至少一個的形狀。
25.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中在維持周期中將維持脈沖施加到所述第一電極；在尋址周期中將掃描脈沖施加到所述第二電極；在所述維持周期中將維持脈沖施加到所述第二電極；且所述第一電極被在所述第一方向中相鄰的放電單元共享，其中在包括第二電極、第一電極和第二電極的配置中沿所述第一方向重復(fù)所述第一和第二電極。
26.如權(quán)利要求25所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極包括延長部分，沿著所述第一方向延長且在所述放電單元的邊界設(shè)置；第一突出部分，從所述尋址電極的所述延長部分向所述第一放電空間的內(nèi)部延伸；以及第二突出部分，從所述尋址電極的所述延長部分向所述第二放電空間的內(nèi)部延伸，其中在包括第二電極、尋址電極、第一電極、所述尋址電極和第二電極的配置中沿所述第一方向重復(fù)所述第一、第二和尋址電極。
全文摘要
披露了一種顯示出減小的放電觸發(fā)電壓和/或改善的發(fā)光效率的等離子體顯示板。在一個實施例中，該等離子體顯示板包括第一和第二基板，彼此相對有預(yù)定間隙，從而在其間的空間中形成多個放電單元，其中每個放電單元包括沿著第一方向延長的尋址電極、沿著與第一方向相交的第二方向延長的一對第一電極，以及沿著第二方向延長的一對第二電極，其中每個放電單元包括一對放電空間，在每個放電單元的相對側(cè)設(shè)置一對第一電極，且在一對第一電極之間，基本在放電單元的中心彼此平行地設(shè)置一對第二電極。
文檔編號H01J17/02GK1808677SQ20061000637
公開日2006年7月26日 申請日期2006年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月20日
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