專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示裝置，更具體，涉及能夠通過減小面板的寄生電容降低放電電壓，由此減小功率消耗的等離子顯示裝置。
背景技術(shù)：
直至現(xiàn)在主要使用的陰極射線管(CRT)或布勞恩管(Braun tube)具有大重量和大體積的缺陷。因此，發(fā)展了能夠克服這種陰極射線管的限制的各種平板顯示器(FPD)。
作為平面顯示器，有液晶顯示器(LCD)、等離子顯示板(在下文中，稱為“PDP”)、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)、電致發(fā)光(EL)等。
在這種平板顯示器中，能夠容易地制造大尺寸面板的PDP成為焦點(diǎn)。PDP通過允許熒光體通過當(dāng)He+Xe、Ne+Xe以及He+Ne+Xe氣體放電時(shí)生成的147nm紫外線而顯示包括字符或圖形的圖像和移動(dòng)圖像。這種PDP通過根據(jù)視頻數(shù)據(jù)調(diào)整每個(gè)像素的放電周期顯示圖像，并且顯示由于近來技術(shù)的發(fā)展而顯著地改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
具體的，三電極AC表面放電PDP通過當(dāng)放電時(shí)使用介質(zhì)層來積聚壁電荷而降低放電所需的電壓，并且保護(hù)電極免受等離子的濺射，使得其具有低電壓驅(qū)動(dòng)和長使用壽命的優(yōu)勢(shì)。
圖1是示出在現(xiàn)有技術(shù)中的三電極AC表面放電PDP的放電單元的透視圖。
參照?qǐng)D1，三電極AC表面放電PDP的放電單元包括形成在上襯底10上的掃描電極(Y)和維持電極(Z)，和形成在下襯底18上的尋址電極(X)。掃描電極(Y)和維持電極(Z)的每一個(gè)包括透明電極(12Y，12Z)和金屬總線電極(13Y，13Z)，所述金屬總線電極(13Y，13Z)的線寬小于透明電極(12Y，12Z)的線寬并且形成在透明電極的一個(gè)邊沿上。
透明電極(12Y，12Z)通常由例如氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)以及氧化鋅錫銦(ITZO)的金屬構(gòu)成，并且形成在上襯底10上。金屬總線電極(13Y，13Z)通常由例如鉻(Cr)的金屬構(gòu)成并形成在透明電極(12Y，12Z)上，以通過具有高阻抗的透明電極(12Y，12Z)減小電壓降。在上襯底10上層疊上介質(zhì)層14和保護(hù)膜16，掃描電極(Y)和維持電極(Z)平行地形成在該上襯底10上。
保護(hù)膜16防止由于當(dāng)放電等離子時(shí)生成的濺射對(duì)上介質(zhì)層14的損壞，并且增加第二電子的發(fā)射效率。通常將氧化鎂(MgO)用作保護(hù)膜16。
在下襯底18上形成下介質(zhì)層22和阻擋臂24，在下介質(zhì)層22中形成尋址電極(X)，并且在下介質(zhì)層22和阻擋臂24上涂敷熒光體層26。在與掃描電極(Y)和維持電極(Z)相交的方向上形成尋址電極(X)。
由于放電在上介質(zhì)層14和下介質(zhì)層22上層疊而形成壁電荷。介質(zhì)層14和22以及保護(hù)膜16能夠降低從外界施加的放電電壓。
阻擋臂24以及上和下襯底10和18形成放電空間。平行于尋址電極20形成阻擋臂24，并且防止由氣體放電生成的紫外線和可見光向相鄰放電單元泄漏。例如He、Ne、Ar、Xe和Kr的用于氣體放電的惰性氣體、與這些氣體結(jié)合的放電氣體(或混合氣體)、或者由于放電能夠生成紫外線的激發(fā)氣體被充入在上和下襯底10和18與阻擋臂24之間形成的放電空間。
用當(dāng)放電等離子時(shí)生成的紫外線激發(fā)熒光體層26，并且生成紅色(R)、綠色(G)或藍(lán)色(B)的任何一種可見光。
圖2A示出現(xiàn)有技術(shù)中的阻擋臂和上襯底，以及圖2B示出現(xiàn)有技術(shù)中的形成在阻擋臂上的寄生電容。
如圖2A所示，在現(xiàn)有技術(shù)PDP中，在上襯底10上形成掃描電極(Y)和維持電極(Z)，并且形成介質(zhì)層14以覆蓋掃描電極(Y)和維持電極(Z)和上襯底10。由于在將保護(hù)膜16涂敷在介質(zhì)膜14上之后，阻擋臂24位于保護(hù)膜16的右下部，分隔了放電空間。
如圖2B所示，形成在與阻擋臂24相交的方向上的掃描電極(Y)和維持電極(Z)位于該位置處，并且由施加到掃描電極(Y)和維持電極(Z)上的驅(qū)動(dòng)信號(hào)充電電荷。即，由具有在電極(Y，Z)周圍具有介電常數(shù)的元件形成寄生電容。
在阻擋臂24和上襯底10之間形成的介質(zhì)層14和保護(hù)膜16與上襯底10形成非放電區(qū)的寄生電容。這是因?yàn)橛米魃弦r底10的材料的玻璃、介質(zhì)層14以及保護(hù)膜16的介電常數(shù)彼此不同。在它們中，由于在保護(hù)膜16中生成的電極之間的寄生電容(Cs)遠(yuǎn)小于在上襯底10或介質(zhì)層14中生成的寄生電容(C，Cg)，它并不非常要緊。
此外，通過近來采用具有低介電常數(shù)的玻璃襯底，大大改進(jìn)了在上襯底10中生成的電極之間的寄生電容(Cg)。
即使在介質(zhì)層14中，在電極(Y，Z)之間生成寄生電容(C)。具體的，由于阻擋臂24和上襯底10彼此接觸，在圖2B中所示的部分是分隔放電空間的區(qū)域，并且是不生成放電的非放電區(qū)域。放電區(qū)域中的介質(zhì)層14用作通過放電時(shí)充電壁電荷而減小放電電壓，但是有問題在于非放電區(qū)中的介質(zhì)層14增加由在放電中沒有考慮到的寄生電容(C)放電所需的電壓的值。此外，如果放電時(shí)所需的電壓值增大，有問題在于在整個(gè)等離子顯示板中的消耗功率增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目標(biāo)是解決現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個(gè)問題和劣勢(shì)。
本發(fā)明的目標(biāo)是提供通過降低面板的寄生電容而減小放電電壓的等離子顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種等離子顯示裝置，包括上電極對(duì)，包括形成在上襯底上的掃描電極和維持電極；尋址電極，形成在相對(duì)于上襯底的下襯底上；阻擋臂，形成在上襯底和下襯底之間；以及介質(zhì)層，形成在上襯底上，以覆蓋上電極對(duì)，并且其中掃描電極和維持電極之間的介電常數(shù)與掃描電極和維持電極上的介電常數(shù)不同。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種等離子顯示裝置，包括上電極對(duì)，包括形成在上襯底上的掃描電極和維持電極；尋址電極，形成在相對(duì)于上電極的下電極上；阻擋臂，形成在上襯底和下襯底之間；以及介質(zhì)層，形成在上襯底上，以覆蓋上電極對(duì)，并且與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)與不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)不同。
根據(jù)本發(fā)明的還一方面，提供了一種等離子顯示裝置，包括上電極對(duì)，包括形成在上襯底上的掃描電極和維持電極；尋址電極，形成在相對(duì)于上電極的下電極上；阻擋臂，形成在上襯底和下襯底之間；以及介質(zhì)層，形成在上襯底上，以覆蓋上電極對(duì)，其中掃描電極和維持電極之間的介電常數(shù)與掃描電極和維持電極上的介電常數(shù)不同，并且其中與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)與不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)不同。


將參考下面附圖詳細(xì)說明本發(fā)明，其中使用相同的標(biāo)號(hào)指代相同元件。
圖1是說明現(xiàn)有技術(shù)中的等離子顯示裝置的結(jié)構(gòu)的視圖；圖2A是說明現(xiàn)有技術(shù)中的隔離臂和上襯底的示圖；圖2B是說明現(xiàn)有技術(shù)中形成在隔離臂上的寄生電容的示圖；圖3是說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；圖4是說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；圖5是說明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；圖6是說明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；圖7是說明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；圖8是說明根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；圖9是說明根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；圖10是說明根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；圖11是說明根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖；以及圖12A至12E是示意說明根據(jù)本發(fā)明的用于制造等離子顯示裝置的過程的示圖。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
在第一至第三實(shí)施例中，通過減小掃描電極和維持電極之間的介電常數(shù)而減小寄生電容，在第四至第六實(shí)施例中，通過減小與隔離臂重疊部分中的介質(zhì)層的介電常數(shù)來減小寄生電容，以及在第七至第九實(shí)施例中，通過減小與隔離臂重疊部分中以及電極間的部分的介電常數(shù)來減小寄生電容。
首先，圖3是說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖。參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的前面板40包括上電極對(duì)，該上電極對(duì)包括形成在上襯底30上的掃描電極(Y)和維持電極(Z)、尋址電極，形成在相對(duì)于上襯底30的下襯底上、阻擋臂，形成在上襯底30和下襯底之間；以及形成在上襯底上的上介質(zhì)層34和35，以覆蓋上電極對(duì)(Y，Z)。
掃描電極(Y)和維持電極(Z)的每一個(gè)包括透明電極(32Y，32Z)和金屬總線電極(33Y，33Z)，所述金屬總線電極(33Y，33Z)的線寬小于透明電極(32Y，32Z)的線寬并且形成在透明電極的一個(gè)邊沿上。
透明電極(32Y，32Z)通常由例如氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)以及氧化鋅錫銦(ITZO)的金屬構(gòu)成，并且形成在上襯底30上。金屬總線電極(33Y，33Z)由例如鉻(Cr)或金(Ag)的金屬構(gòu)成并形成在透明電極(32Y，32Z)上，以通過具有高阻抗的透明電極(32Y，32Z)減小電壓降。在上襯底30上層疊上介質(zhì)層34和35以及保護(hù)膜36，掃描電極(Y)和維持電極(Z)平行地形成在該上襯底30上。
在圖3中，構(gòu)成前面板40的元件中的保護(hù)膜未示出，但是在上介質(zhì)層34和35上形成保護(hù)膜，防止由于在放電等離子時(shí)生成的濺射損壞上介質(zhì)層34和35，并且改進(jìn)第二電子的發(fā)射效率。通常將氧化鎂(MgO)用作保護(hù)膜。
可將上介質(zhì)層34和35基本上劃分為在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間形成的部分(下文中稱為“第一介質(zhì)部分”)34和在掃描電極(Y)和維持電極(Z)上形成的部分(下文中稱為“第二介質(zhì)部分”)35。
第二介質(zhì)部分35的介電常數(shù)小于第一介質(zhì)部分34的介電常數(shù)。
第一介質(zhì)部分34在放電時(shí)集聚壁電荷，以減小隨后放電的放電電壓。因此，由于介電常數(shù)高到一定程度，放電效率是好的。
由于第二介質(zhì)部分35在形成壁電荷中不起重要作用，當(dāng)該單元的介電常數(shù)減小時(shí)，由掃描電極和維持電極生成的寄生電容減小。
在后襯底41中，在下襯底38上形成下介質(zhì)層42和阻擋臂44，在下介質(zhì)層42中形成尋址電極(X)，并且在下介質(zhì)層42和阻擋臂44的表面上涂敷熒光體層46。在與掃描電極(Y)和維持電極(Z)相交的方向上形成尋址電極(X)。
在下襯底38上形成下介質(zhì)層42以覆蓋尋址電極(X)，由此集聚由于放電而形成的壁電荷。下介質(zhì)層42能夠降低從外界施加的放電電壓。
阻擋臂44以及上和下襯底30和38分隔放電空間。平行于尋址電極(X)形成阻擋臂44，并且防止由氣體放電生成的紫外線和可見光向相鄰放電單元泄漏。
例如He、Ne、Ar、Xe和Kr的用于氣體放電的惰性氣體、與這些氣體結(jié)合的放電氣體(或混合氣體)、或者由于放電能夠生成紫外線的激發(fā)氣體被充入在上和下襯底30和38與阻擋臂44之間形成的放電空間中。
由放電等離子時(shí)生成的紫外線激發(fā)熒光體層46，并且生成紅色(R)、綠色(G)或藍(lán)色(B)的任何一種可見光。
圖4是說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖，其中如圖3省略了保護(hù)膜。
參照?qǐng)D4，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的第二實(shí)施例在基本結(jié)構(gòu)上與第一實(shí)施例相同，但是第一介質(zhì)部分34和第二介質(zhì)部分35的厚度可形成為在用于覆蓋形成在上襯底30中的電極(Y，Z)的介質(zhì)層34和35中彼此不同。具體的，第二介質(zhì)部分35的厚度形成為小于第一介質(zhì)部分34的厚度。
如上所述，第一介質(zhì)部分34是在掃描電極(Y)和維持電極(Z)上形成的介質(zhì)部分，而第二介質(zhì)部分35是在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間形成的介質(zhì)部分。
盡管介質(zhì)層34和35由具有相同介電常數(shù)的材料構(gòu)成并且第二介質(zhì)部分35的厚度小于第一介質(zhì)部分34的厚度，因此掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的整個(gè)介電常數(shù)減小并且因此寄生電容減小。
此外，第二介質(zhì)部分35可由具有小于第一介質(zhì)部分34的介電常數(shù)的材料構(gòu)成。在這種情況下，可以比該電單元由具有相同介電常數(shù)的材料構(gòu)成的情況減小更多的寄生電容。
圖5是說明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖，其中如圖3省略了保護(hù)膜。
參照?qǐng)D5，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的第三實(shí)施例在基本結(jié)構(gòu)上與第一實(shí)施例相同，但是形成在上襯底30中的用于覆蓋電極(Y，Z)的介質(zhì)層34包括第一介質(zhì)層34a和第二介質(zhì)層34b。
形成第一介質(zhì)層34a以覆蓋包括掃描電極(Y)和維持電極(Z)的整個(gè)上襯底。
形成第二介質(zhì)層34b以僅覆蓋掃描電極和維持電極的上部，以在掃描電極和維持電極之間露出第一介質(zhì)層34a。
如上所述，由于上介質(zhì)層34由兩層組成并且在掃描電極和維持電極之間形成一個(gè)介質(zhì)層，由于電極之間的介質(zhì)層變得小于電極的介質(zhì)層，減小了寄生電容。
此外，第一介質(zhì)層34a的介電常數(shù)可以形成為小于第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。因此，可以更加確定地減小電極之間的介電常數(shù)，由此更加增加寄生電容的減小。
圖6是說明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖，其中省略了保護(hù)膜。
參照?qǐng)D6，在根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例中，在上介質(zhì)層34和36與隔離臂44重疊的區(qū)域中的介電常數(shù)與它們不與隔離臂重疊的區(qū)域的介電常數(shù)不同。
即，上介質(zhì)層34和36包括不與隔離臂重疊的第一介質(zhì)部分34和與隔離臂重疊的第二介質(zhì)部分36。
特征在于第二介質(zhì)部分36的介電常數(shù)小于第一介質(zhì)部分34的介電常數(shù)。
由于第二介質(zhì)部分36的介電常數(shù)小于第一介質(zhì)部分34的介電常數(shù)，減小了在與隔離臂重疊的部分的熒光體層中生成的寄生電容。第二介質(zhì)部分36是在其中不生成放電的非放電區(qū)，并且通過減小在非放電區(qū)中的介質(zhì)層的介電常數(shù)而減小面板的寄生電容。
圖7是說明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖，其中省略了保護(hù)膜。
參照?qǐng)D7，在根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例中，在其中上介質(zhì)層34和36與隔離臂44重疊的區(qū)域36中的介質(zhì)層的厚度小于其中它們不與隔離臂44重疊的區(qū)域34中的介質(zhì)層的厚度。
即，上介質(zhì)層34和36包括不與隔離臂重疊的第一介質(zhì)部分34和與隔離臂重疊的第二介質(zhì)部分36。
特征在于第二介質(zhì)部分36的介電常數(shù)小于第一介質(zhì)部分34的介電常數(shù)。
由于第二介質(zhì)部分36的厚度相對(duì)小于第一介質(zhì)部分34的厚度，介電常數(shù)也變小，使得在與隔離臂重疊的部分的熒光體層中生成的寄生電容也變小。第二介質(zhì)部分36是在其中不生成放電的非放電區(qū)，并且通過減小在非放電區(qū)中的介質(zhì)層的介電常數(shù)而減小面板的寄生電容。
在這種情況下，由于將第二介質(zhì)層36的介電常數(shù)和厚度設(shè)置為小于第一介質(zhì)層34的介電常數(shù)和厚度，具有減小大的寄生電容的效果。
圖8是說明根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖，其中省略了保護(hù)膜。
參照?qǐng)D8，在根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例中，上介質(zhì)層34包括第一介質(zhì)層34a和第二介質(zhì)層34b。
第一介質(zhì)層34a形成為覆蓋包括掃描電極(Y)和維持電極(Z)的整個(gè)上襯底。
第二介質(zhì)層34b僅在不與隔離臂44重疊的部分上形成，以露出與隔離臂44重疊的區(qū)域的第一介質(zhì)層。
如上所述，由于上介質(zhì)層34包括兩層并且在與隔離臂44重疊的區(qū)域上形成一個(gè)介質(zhì)層，在與隔離臂44重疊的部分上的介質(zhì)層的厚度變小，使得寄生電容變小。
此外，第一介質(zhì)層34a的介電常數(shù)可形成為小于第二介質(zhì)層34b的厚度。因此，由于能夠確定地減小電極間的介電常數(shù)，寄生電容的減小可以進(jìn)一步增大。
可以執(zhí)行第一至第六實(shí)施例的所有、每個(gè)或組合，但是本發(fā)明不限制于此。
圖9是說明根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖，其中省略了保護(hù)膜。
參照?qǐng)D9，在根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例中，在上介質(zhì)層34、35和36中，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的部分35中的介電常數(shù)小于在掃描電極(Y)和維持電極(Z)上的部分34中的介電常數(shù)，并且在與隔離臂44重疊的部分36上的介電常數(shù)校與不與隔離臂44重疊的部分34上的介電常數(shù)。
即，構(gòu)成上介質(zhì)層使得在掃描電極和維持電極之間的部分35和與隔離臂44重疊的部分36上的介電常數(shù)小于其它部分34的介電常數(shù)。
由于這種結(jié)構(gòu)對(duì)放電空間的放電有直接的影響，可以在除了形成電荷的部分的部分上減小介電常數(shù)，使得減小面板的寄生電容。
圖10是說明根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖，其中省略了保護(hù)膜。
參照?qǐng)D10，在根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例中，特征在于掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的部分35以及在上介質(zhì)層34、35和36上與隔離臂44重疊的部分36的厚度形成為小于其它部分的介質(zhì)層34的厚度。
由于具有小的厚度的部分35和36具有小于具有大的厚度的部分34的介電常數(shù)，減小了寄生電容的厚度。
此外，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的部分35以及與隔離臂44重疊的部分36可以由具有小于其它部分34的介電常數(shù)的材料構(gòu)成。在這種情況下，可以更加有效地減小寄生電容。
由于這種結(jié)構(gòu)對(duì)放電空間的放電有直接的影響，可以在除了形成電荷的部分的部分上減小介電常數(shù)，使得減小面板的寄生電容。
圖11是說明根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的等離子顯示裝置的示圖，其中省略了保護(hù)膜。
參照?qǐng)D11，在根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例中，上介質(zhì)層34包括第一介質(zhì)層34a和第二介質(zhì)層34b。
第一介質(zhì)層34a形成為包括掃描電極(Y)、維持電極(Z)以及與隔離臂44重疊的部分的整個(gè)上襯底。
第二介質(zhì)層34b形成為露出掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的第一介質(zhì)層34a，并且露出與隔離臂44重疊的部分的第一介質(zhì)層34a。
如上所述，由于上介質(zhì)層34包括兩層并且在電極之間的部分上和與隔離臂44重疊的部分上形成一個(gè)介質(zhì)層，介質(zhì)層的厚度小于電極間的部分和與隔離臂44重疊的部分的厚度，使得減小了寄生電容。
此外，第一介質(zhì)層34a的介電常數(shù)可以形成為小于第二介質(zhì)層34b的介電常數(shù)。因此，可更加確定地減小電極間的介電常數(shù)并且因此進(jìn)一步增加寄生電容的減小。
圖12A至12E是示意說明根據(jù)本發(fā)明的用于制造等離子顯示裝置的過程的示圖。
圖12A至12E示出其中結(jié)合了第一實(shí)施例至第五實(shí)施例的實(shí)施例的處理過程。在該處理過程中，特征在于通過在期望部分上使用掩膜，通過照射改變介質(zhì)層的介電常數(shù)，并且可以實(shí)施到所有第一實(shí)施例到第九實(shí)施例。
如圖12A所示，在上襯底30上順序地形成透明電極32和金屬總線電極33。如圖12B所示，在其上形成有透明電極32和金屬總線電極33的上襯底30的前表面上形成一個(gè)第一層34a。
當(dāng)形成第一層34a時(shí)，在第一層34a上可選擇地形成第二層34b，如圖12C所示。
此時(shí)，第二層34b不在與隔離臂44重疊的部分上形成，使得與隔離臂44重疊的部分的介質(zhì)層的厚度小于不與隔離臂44重疊的部分的厚度，即放電區(qū)域的介質(zhì)層的厚度。
當(dāng)由第一個(gè)第二層34a和34b形成第一介質(zhì)部分時(shí)，其中部分形成有光遮蔽層53的掩膜52位于介質(zhì)層34上，如圖12D所示。
掩膜52通過光遮蔽層53形成發(fā)射部分，并且光通過掩膜52的發(fā)射部分照射到介質(zhì)層的期望部分。
當(dāng)由照射的光改變介電常數(shù)時(shí)，在介質(zhì)層的光照射的部分上形成第二介質(zhì)部分35，如圖12E所示。此時(shí)，掩膜52的光遮蔽層53位于電極32和33上，以在電極32和33之間的部分上形成發(fā)射部分，或者它位于電極32和33之間的部分上以在電極32和33的上部區(qū)域上形成發(fā)射部分。這通過考慮根據(jù)光的照射而改變的介質(zhì)層的介電常數(shù)來選擇。
如上所述，通過改變?cè)趻呙桦姌O和維持電極上形成的介質(zhì)層和在這些電極之間形成的介質(zhì)層的介電常數(shù)，形成根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置。此外，在這些介質(zhì)層與隔離臂重疊的部分上的介質(zhì)層的介電常數(shù)形成為與在其他區(qū)域上的介質(zhì)層的介電常數(shù)不同。
因此，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置，可以減小在掃描電極和維持電極之間形成的寄生電容以及在隔離臂上形成的寄生電容。此外，可以通過減小寄生電容而減小放電所需的電壓的大小，由此減小能量消耗。
說明了本發(fā)明，很顯然，可以在許多方面改變相同的方式。不應(yīng)認(rèn)為這些變化背離本發(fā)明的精神和范圍，并且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，所有這些改進(jìn)示顯而易見的，并旨在包括在以下權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，包括上電極對(duì)，包括形成在上襯底上的掃描電極和維持電極；尋址電極，形成在相對(duì)于上襯底的下襯底上；阻擋臂，形成在上襯底和下襯底之間；以及介質(zhì)層，形成在上襯底上，以覆蓋上電極對(duì)，并且其中掃描電極和維持電極之間的介電常數(shù)與掃描電極和維持電極上的介電常數(shù)不同。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中掃描電極和維持電極之間的介電常數(shù)小于掃描電極和維持電極上的介電常數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中掃描電極和維持電極之間的介質(zhì)層的厚度小于掃描電極和維持電極上的介質(zhì)層的厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其中介質(zhì)層包括在上襯底上形成的第一介質(zhì)層，以覆蓋上電極對(duì)；以及在第一介質(zhì)層上形成的第二介質(zhì)層，以露出掃描電極和維持電極之間的第一介質(zhì)層。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示裝置，其中第一介質(zhì)層的介電常數(shù)小于第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。
6.一種等離子顯示裝置，包括上電極對(duì)，包括形成在上襯底上的掃描電極和維持電極；尋址電極，形成在相對(duì)于上襯底的下襯底上；阻擋臂，形成在上襯底和下襯底之間；以及介質(zhì)層，形成在上襯底上，以覆蓋上電極對(duì)，并且其中與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)與不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)不同。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其中與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)小于不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)。
8.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其中與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介質(zhì)層的厚度小于不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介質(zhì)層的厚度。
9.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其中介質(zhì)層包括在上襯底上形成的第一介質(zhì)層以覆蓋上電極對(duì)；以及在第一介質(zhì)層上形成的第二介質(zhì)層，以露出與隔離臂重疊的區(qū)域上的第一介質(zhì)層。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示裝置，其中第一介質(zhì)層的介電常數(shù)小于第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。
11.一種等離子顯示裝置，包括上電極對(duì)，包括形成在上襯底上的掃描電極和維持電極；尋址電極，形成在相對(duì)于上襯底的下襯底上；阻擋臂，形成在上襯底和下襯底之間；以及介質(zhì)層，形成在上襯底上，以覆蓋上電極對(duì)，其中掃描電極和維持電極之間的介電常數(shù)與掃描電極和維持電極上的介電常數(shù)不同，并且其中與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)與不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)不同。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其中掃描電極和維持電極之間的介電常數(shù)小于掃描電極和維持電極上的介電常數(shù)。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其中掃描電極和維持電極之間的介質(zhì)層的厚度小于掃描電極和維持電極上的介質(zhì)層的厚度。
14.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其中與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)小于不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)。
15.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其中與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介質(zhì)層的厚度小于不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介質(zhì)層的厚度。
16.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其中介質(zhì)層包括在上襯底上形成的第一介質(zhì)層以覆蓋上電極對(duì)；以及在第一介質(zhì)層上形成的第二介質(zhì)層，以露出掃描電極和維持電極之間的第一介質(zhì)層或露出與隔離臂重疊的區(qū)域上的第一介質(zhì)層。
17.如權(quán)利要求16所述的等離子顯示裝置，其中第一介質(zhì)層的介電常數(shù)小于第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。
全文摘要
提供了一種等離子顯示裝置。該等離子顯示裝置包括上電極對(duì)，包括形成在上襯底上的掃描電極和維持電極；尋址電極，形成在相對(duì)于上襯底的下襯底上；阻擋臂，形成在上襯底和下襯底之間；以及介質(zhì)層，形成在上襯底上，以覆蓋上電極對(duì)，并且其中掃描電極和維持電極之間的介電常數(shù)與掃描電極和維持電極上的介電常數(shù)不同，或者介質(zhì)層，其中與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)與不與阻擋臂重疊的區(qū)域上的介電常數(shù)不同。因此，可以減小在掃描電極和維持電極之間形成的寄生電容以及在阻擋臂上形成的寄生電容。此外，可以通過減小寄生電容而減小放電所需的電壓大小并且由此減小功率消耗。
文檔編號(hào)H01J17/02GK1805102SQ20061000630
公開日2006年7月19日 申請(qǐng)日期2006年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月13日
發(fā)明者朱炯達(dá) 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社