專利名稱：等離子處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用高頻對(duì)被處理體實(shí)施等離子處理的等離子處理裝置，特別是涉及一種具有如下濾波器的等離子處理裝置，該濾波器 用于阻斷從處理容器內(nèi)的高頻電極和其他電子構(gòu)件進(jìn)入到供電線、信號(hào)線等線路中來的高頻噪聲。
背景技術(shù)：
在使用等離子體制造半導(dǎo)體器件或FPD (Flat Panel Display,平板顯示器)的微細(xì)加工中，控制被處理基板(半導(dǎo)體晶圓、玻璃基板等)上的等離子體密度分布、以及控制基板的溫度或溫度分布是非常重要的。若未能適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行基板的溫度控制，則無法確?；灞砻娴姆磻?yīng)乃至工藝特性的均勻性，會(huì)降低半導(dǎo)體器件或顯示器件的制造成品率。通常，在等離子處理裝置、特別是電容耦合型的等離子處理裝置的腔室內(nèi)，用于載置被處理基板的載置臺(tái)或基座具有下述功能，即、用于對(duì)等離子空間施加高頻的高頻電極的功能、用于以靜電吸附等方式保持基板的保持部的功能，以及通過傳熱將基板控制在規(guī)定溫度的溫度控制部的功能。在溫度控制功能方面，人們希望能夠?qū)κ軄碜缘入x子體、處理腔室的壁的輻射熱的不均勻性影響的向基板的熱量輸入特性的分布以及受基板支承構(gòu)造影響的熱量分布進(jìn)行適當(dāng)?shù)匦拚?。以往，多采用下述方式來控制基座的上表面溫?乃至基板的溫度)，即、在基座或基座支承臺(tái)的內(nèi)部設(shè)置供制冷劑流動(dòng)的制冷劑通路，將利用冷機(jī)(chiller)裝置進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)后的制冷劑循環(huán)供給到該制冷劑通路中(例如參照專利文獻(xiàn)I )。但是，上述那樣的冷機(jī)方式存在以下缺點(diǎn)很難快速改變制冷劑的溫度，溫度控制的響應(yīng)性差，因此不能高速地進(jìn)行溫度切換或升降溫度。在最近的等離子工藝、例如等離子蝕刻的領(lǐng)域中，針對(duì)被處理基板上的多層膜，人們謀求在單一腔室內(nèi)利用多個(gè)步驟連續(xù)加工該多層膜，以此來代替以往的多室方式。在實(shí)現(xiàn)這種單室內(nèi)的連續(xù)工藝的方面，越來越需求一種可使載置臺(tái)高速地升溫或降溫的技術(shù)。基于該情況，人們開始重新關(guān)注下述加熱方式，即、將通電后會(huì)發(fā)熱的發(fā)熱體裝入在基座中，通過控制該發(fā)熱體所產(chǎn)生的焦耳熱來實(shí)現(xiàn)高速且精細(xì)地控制基座的溫度乃至基板的溫度。但是，當(dāng)同時(shí)使用從等離子控制的層面出發(fā)而使高頻電源與基座(下部電極)相連接的下部高頻施加方式以及從溫度控制的層面出發(fā)而將發(fā)熱體設(shè)置在基座中的上述那樣的加熱方式的情況下，一旦自該高頻電源施加給基座的高頻的一部分作為噪聲經(jīng)由發(fā)熱體和加熱供電線進(jìn)入到加熱電源中，則可能對(duì)加熱電源的工作和性能產(chǎn)生不良影響。特別是，能夠?qū)崿F(xiàn)高速控制的加熱電源使用SSR (Solid State Relay,固體繼電器)等半導(dǎo)體開關(guān)元件來進(jìn)行高靈敏度的開關(guān)控制或開啟/關(guān)閉控制，因此當(dāng)高頻的噪聲進(jìn)入到該加熱電源中時(shí)，容易引發(fā)誤動(dòng)作。 因此，慣例是將用于使不期望的高頻噪聲衰減、或阻止該高頻噪聲的濾波器設(shè)置在加熱供電線中。該種濾波器所謀求的基本性能在于，一邊將來自加熱電源的大電流高效地輸送至基座的發(fā)熱體，一邊對(duì)經(jīng)由發(fā)熱體進(jìn)入到供電線中來的高頻噪聲施加充分高的阻抗來阻止高頻噪聲通過供電線、即阻止高頻噪聲進(jìn)入到加熱電源中，從而保護(hù)加熱電源不受高頻噪聲影響，并且，該種濾波器使處理腔室內(nèi)的等離子體穩(wěn)定化。本發(fā)明人在專利文獻(xiàn)2中提出了一種等離子處理裝置，該裝置將具有非常大的阻抗的空芯線圈設(shè)置在上述那樣的濾波器的初級(jí)，并將該空芯線圈收容在配置于基座附近(通常為基座的下方)的導(dǎo)電性殼體內(nèi)。專利文獻(xiàn)I :日本特開2006-286733專利文獻(xiàn)2 :日本特開2008-198902在上述專利文獻(xiàn)2所公開的等離子處理裝置中，在對(duì)基座(下部電極)施加單一頻率的高頻、特別是13. 56MHz以下的高頻的情況下，使用空芯線圈的上述結(jié)構(gòu)的濾波器能夠有效地發(fā)揮功能，能夠在加熱供電線中流動(dòng)有30A以上的大加熱電流的情況下，高效且穩(wěn) 定可靠地阻斷13. 56MHz以下的高頻噪聲。但是，對(duì)于將適合于引導(dǎo)離子的比較低的頻率(通常為13. 56MHz以下)的高頻和適合于產(chǎn)生等離子體的比較高的頻率(通常為27MHz以上)的高頻重疊后施加給基座的、所謂下部雙頻率施加方式來說，上述結(jié)構(gòu)的濾波器很難穩(wěn)定且可靠地阻斷頻率相對(duì)高的高頻噪聲。特別是，為了在低壓力的條件獲得高密度的等離子體而調(diào)高用于產(chǎn)生等離子體的高頻的頻率時(shí)，該用于產(chǎn)生等離子體的高頻的頻率越高、典型地達(dá)到60MHz以上時(shí)，濾波器相對(duì)于上述那樣的高范圍頻率的阻抗特性越容易出現(xiàn)偏差而變得不穩(wěn)定。這種濾波器特性的偏差也會(huì)影響等離子工藝的再現(xiàn)性以及可靠性，在量產(chǎn)型等離子處理裝置中構(gòu)成工藝性能的機(jī)械誤差。另外，以往的通常的濾波器采用將并聯(lián)諧振頻率不同的多個(gè)LC并聯(lián)諧振電路串聯(lián)地連接起來的結(jié)構(gòu)，從而能夠?qū)Χ鄠€(gè)頻率中均施加高阻抗。但是，在該種的濾波器結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成各LC并聯(lián)諧振電路的線圈的自諧振以及相鄰的LC并聯(lián)諧振電路間的彼此干涉等會(huì)使阻抗特性復(fù)雜地變動(dòng)，因此仍會(huì)成為使等離子工藝的再現(xiàn)性以及可靠性下降的原因。本發(fā)明人為了解決上述以往技術(shù)中的問題，反復(fù)進(jìn)行了許多實(shí)驗(yàn)以及潛心研究，最后提出了本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
S卩、本發(fā)明提供一種等離子處理裝置，該離子處理裝置能夠高效且穩(wěn)定可靠地阻斷從處理容器內(nèi)的高頻電極和其他電子構(gòu)件進(jìn)入到供電線、信號(hào)線等線路上的高頻噪聲，特別是能夠高效且穩(wěn)定可靠地阻斷頻率不同的多個(gè)高頻噪聲的所有噪聲，從而能夠提高等離子工藝的再現(xiàn)性以及可靠性。另外，本發(fā)明還提供一種等離子處理裝置，為了能夠阻斷從處理容器內(nèi)的高頻電極和其他電子構(gòu)件進(jìn)入到供電線、信號(hào)線等線路上的高頻噪聲，該裝置具有濾波器，該濾波器的包含多重并聯(lián)諧振的阻抗特性的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性較好、而且還能任意錯(cuò)開并聯(lián)諧振頻率地進(jìn)行調(diào)整。
本發(fā)明的第一技術(shù)方案的等離子處理裝置將高頻電源與配置在用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的高頻電極電連接，且在將加熱電源和設(shè)置在上述高頻電極中的發(fā)熱體電連接起來的供電線上設(shè)置有濾波器，該濾波器用于使經(jīng)由上述發(fā)熱體進(jìn)入到該供電線中來的規(guī)定頻率的高頻噪聲衰減或阻止該高頻噪聲，上述濾波器包括一個(gè)空芯線圈，其構(gòu)成上述供電線的一部分；筒形的外導(dǎo)體，其用于收容或包圍上述空芯線圈，且與上述線圈成對(duì)地形成特性阻抗固定的分布常數(shù)線路(distributed constant circuit),上述分布常數(shù)線路利用與上述空芯線圈的繞線長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的有規(guī)律的多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振，該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此能夠?qū)ι鲜龈哳l噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。在上述第一技術(shù)方案的等離子處理裝置中，在供電線上的濾波器中，利用一個(gè)空心線圈、和用于收容或包圍該空芯線圈的筒形的外導(dǎo)體形成分布常數(shù)線路。該分布常數(shù)線路利用與該空芯線圈的繞線長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的有規(guī)律的多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振，示出了穩(wěn)定性和再現(xiàn)性優(yōu)異的阻抗特性。由此，通過使該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與作為阻斷對(duì)象的高頻噪聲的頻率一致或相近，能夠?qū)υ摳哳l噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。由此，不僅能夠可靠地保護(hù)供電電路，還能提高等離子工藝的再現(xiàn)性和可靠性。本發(fā)明的第二技術(shù)方案的等離子處理裝置在用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)配置有用于保持被處理體的第一電極和與該第一電極相對(duì)的第二電極，且將用于輸出第一高頻的第一高頻電源與上述第一電極電連接，并且將用于輸出第二高頻的第二高頻電源與上述第一電極或上述第二電極電連接，該裝置在將加熱電源和設(shè)置在上述第一電極中的發(fā)熱體電連接起來的供電線上設(shè)置有濾波器，該濾波器用于使經(jīng)由上述發(fā)熱體進(jìn)入到該供電線中來的規(guī)定頻率的高頻噪聲衰減或用于阻止該高頻噪聲，上述濾波器包括一個(gè)空芯線圈，其構(gòu)成上述供電線的一部分；筒形的外導(dǎo)體，其用于收容或包圍上述空芯線圈，且與上述空芯線圈成對(duì)地形成特性阻抗固定的分布常數(shù)線路，上述分布常數(shù)線路利用與上述空芯線圈的繞線長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的有規(guī)律的多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振，該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此能夠?qū)ι鲜龈哳l噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。在上述第二技術(shù)方案的等離子處理裝置中，在供電線上的濾波器中，利用一個(gè)空心線圈、和用于收容或包圍該空芯線圈的筒形的外導(dǎo)體形成分布常數(shù)線路。該分布常數(shù)線 路利用與該空芯線圈的繞線長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的有規(guī)律的多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振，示出了穩(wěn)定性和再現(xiàn)性優(yōu)異的阻抗特性。由此，通過使該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與作為阻斷對(duì)象的高頻噪聲的頻率(典型的是第一或第二高頻的頻率)一致或相近，能夠?qū)υ摳哳l噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。由此，不僅能夠可靠地保護(hù)供電電路，還能提高等離子工藝的再現(xiàn)性和可靠性。另外，在優(yōu)選的一技術(shù)方案中，第二高頻主要用于在處理容器內(nèi)產(chǎn)生處理氣體的等離子體，第一高頻主要用于將離子自等離子體引導(dǎo)至被保持在第一電極上的被處理體。在另一優(yōu)選的技術(shù)方案中，供電線包括分別與發(fā)熱體的兩端相連接的第一供電導(dǎo)線和第二供電導(dǎo)線，濾波器的線圈包括構(gòu)成第一供電導(dǎo)線的一部分的第一線圈和構(gòu)成第二供電導(dǎo)線的一部分的第二線圈。并且，在外導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)，構(gòu)成第一線圈的第一線圈導(dǎo)線和構(gòu)成第二線圈的第二線圈導(dǎo)線一邊并進(jìn)、一邊以大致相等的繞線長(zhǎng)度卷繞成螺旋狀。采用該結(jié)構(gòu)，不僅能使2個(gè)濾波器共用I個(gè)外導(dǎo)體,還能夠減少濾波器的RF(Radio Frequency,射頻)電力損耗和該RF電力的偏差(機(jī)械誤差)。當(dāng)然，也可以采用將第一線圈和第二線圈卷繞在各自專用的線軸上而收容在不同的外導(dǎo)體中的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第三技術(shù)方案的等離子處理裝置將高頻電源與配置在用于進(jìn)行等離子處理的處理 容器內(nèi)的高頻電極電連接，且在用于將加熱電源和設(shè)置在上述高頻電極的發(fā)熱體電連接的供電線上設(shè)置有濾波器，該濾波器用于使經(jīng)由上述發(fā)熱體進(jìn)入到該供電線中的規(guī)定頻率的高頻噪聲衰減或阻止該高頻噪聲，上述濾波器包括一個(gè)空芯線圈，其構(gòu)成上述供電線的一部分；筒形的外導(dǎo)體，其用于收容或包圍上述空芯線圈，且與上述線圈成對(duì)地形成特性阻抗固定的分布常數(shù)線路；并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部，其用于將上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的至少一個(gè)頻率錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)整，該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對(duì)上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。本發(fā)明的第四技術(shù)方案的等離子處理裝置在用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)配置有用于保持被處理體的第一電極和與該第一電極相對(duì)的第二電極，且將用于輸出第一高頻的第一高頻電源與上述第一電極電連接，并且將用于輸出第二高頻的第二高頻電源與上述第一電極或上述第二電極電連接，該裝置在將加熱電源和設(shè)置在上述第一電極中的發(fā)熱體電連接的供電線上設(shè)置有濾波器，該濾波器用于使經(jīng)由上述發(fā)熱體進(jìn)入到該供電線中來的規(guī)定頻率的高頻噪聲衰減或用于阻止該高頻噪聲，上述濾波器包括一個(gè)空芯線圈，其構(gòu)成上述供電線的一部分；筒形的外導(dǎo)體，其用于收容或包圍上述空芯線圈，且與上述空芯線圈成對(duì)地形成特性阻抗固定的分布常數(shù)線路；并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部，其用于將上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的至少一個(gè)頻率錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)整，該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對(duì)上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。在上述第三或第四技術(shù)方案的等離子處理裝置中，在設(shè)置于供電線上的濾波器中，利用一個(gè)空心線圈、和用于收容或包圍該空芯線圈的筒形的外導(dǎo)體形成分布常數(shù)線路。該分布常數(shù)線路具有利用多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振的阻抗特性。通過并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部的作用，能夠使該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與作為阻斷對(duì)象的高頻噪聲的頻率一致或相近，從而能夠?qū)υ摳哳l噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。由此，不僅能夠可靠地保護(hù)供電電路，還能提高等離子工藝的再現(xiàn)性和可靠性。特性阻抗局部可變構(gòu)件的一優(yōu)選技術(shù)方案是，在外導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)與線圈同軸地設(shè)置環(huán)狀構(gòu)件。優(yōu)選該環(huán)狀構(gòu)件由導(dǎo)體構(gòu)成，且與外導(dǎo)體或線圈的一方電連接，與另一方絕緣。當(dāng)然，也可以利用電介體、例如樹脂來構(gòu)成該環(huán)狀構(gòu)件。優(yōu)選環(huán)狀構(gòu)件的結(jié)構(gòu)是，在與外導(dǎo)體的軸線方向正交的平面上呈圓環(huán)狀地延伸的板體。也優(yōu)選該等離子處理裝置具有用于在外導(dǎo)體的軸線方向上調(diào)節(jié)環(huán)狀構(gòu)件的相對(duì)于線圈的相對(duì)位置的環(huán)狀構(gòu)件位置調(diào)節(jié)部。另外，作為優(yōu)選的一技術(shù)方案，從處理容器側(cè)觀察，線圈可以設(shè)置在濾波器的初級(jí)，線圈的輸出側(cè)端子經(jīng)由電容器與接地電位的導(dǎo)電性構(gòu)件電連接。在該情況下，線圈的輸出端側(cè)的電容器在高頻的頻率范圍內(nèi)實(shí)際處于短路狀態(tài)，將分布常數(shù)線路視作輸出端短路線路。本發(fā)明的第五技術(shù)方案的等離子處理裝置利用高頻電源將高頻經(jīng)由圓筒形的供電棒施加給用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的高頻電極，該裝置包括筒形的外導(dǎo)體，其用于包圍上述供電棒，且與上述供電棒成對(duì)地形成分布常數(shù)線路；1個(gè)或多個(gè)特性阻抗局部可變構(gòu)件，其配置在上述供電棒與上述外導(dǎo)體之間，該特性阻抗局部可變構(gòu)件在各配置位置上使上述分布常數(shù)線路的特性阻抗產(chǎn)生局部性的變化，從而使上述分布常數(shù)線路的阻抗特性能夠?qū)赡茏陨鲜龈哳l電極側(cè)進(jìn)入到上述供電棒中來的規(guī)定頻率的高頻噪聲施加足夠高的阻抗。在上述第五技術(shù)方案的等離子處理裝置中，在高頻供電線上，在供電棒和外導(dǎo)體之間形成分布常數(shù)線路。該分布常數(shù)線路具有利用多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振的阻抗特性。通過使用并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部，使該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與作為阻斷對(duì)象的高頻噪聲的頻率一致或相近，從而能夠?qū)υ摳哳l噪聲的頻率施加期望的足夠高的阻抗。由此，不僅能夠可靠地保護(hù)供電電路，還能提高等離子工藝的再現(xiàn)性和可靠性。本發(fā)明的第六技術(shù)方案中的等離子處理裝置具有電力系統(tǒng)或信號(hào)系統(tǒng)的外部電路，該外部電路經(jīng)由線路與進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的規(guī)定的電子構(gòu)件電 連接，利用設(shè)置于上述線路上的濾波器使自上述電子構(gòu)件朝向上述外部電路并進(jìn)入上述線路的具有規(guī)定頻率的高頻噪聲衰減、或阻止該高頻噪聲，上述濾波器包括第一導(dǎo)體，其構(gòu)成上述線路的一個(gè)區(qū)間，且沿固定的軸線以同樣的空間輪廓(profile)延伸；第二導(dǎo)體，其為筒形，用于收容或包圍上述第一導(dǎo)體，且與上述第一導(dǎo)體成對(duì)地形成特性阻抗固定的分布常數(shù)線路，上述分布常數(shù)線路利用與上述第一或第二導(dǎo)體的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的有規(guī)律的多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振，該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對(duì)上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。在上述第六技術(shù)方案的等離子處理裝置中，在將用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的規(guī)定的電子構(gòu)件與電力系統(tǒng)或信號(hào)系統(tǒng)的外部電路連接的線路上設(shè)置有濾波器，在該濾波器中利用第一導(dǎo)體及用于收容或包圍該第一導(dǎo)體的筒形的第二導(dǎo)體形成分布常數(shù)線路。該分布常數(shù)線路利用與第一或第二導(dǎo)體的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的有規(guī)律的多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振，示出了穩(wěn)定性和再現(xiàn)性優(yōu)異的阻抗特性。由此，使該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與作為阻斷對(duì)象的高頻噪聲的頻率一致或相近，從而能夠?qū)υ摳哳l噪聲的頻率施加期望的足夠高的阻抗。由此，不僅能夠可靠地保護(hù)外部電路等，還能夠提高等離子處理的再現(xiàn)性和可靠性。本發(fā)明的第七技術(shù)方案中的等離子處理裝置具有電力系統(tǒng)或信號(hào)系統(tǒng)的外部電路，該外部電路經(jīng)由線路與進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的規(guī)定的電子構(gòu)件電連接，利用設(shè)置于上述線路上的濾波器使自上述電子構(gòu)件朝向上述外部電路并進(jìn)入上述線路的具有規(guī)定頻率的高頻噪聲衰減、或阻止該高頻噪聲，上述濾波器包括第一導(dǎo)體，其構(gòu)成上述線路的一個(gè)區(qū)間，且沿固定的軸線以同樣的空間輪廓延伸；第二導(dǎo)體，其為筒形，用于收容或包圍上述第一導(dǎo)體，且與上述第一導(dǎo)體成對(duì)地形成特性阻抗固定的分布常數(shù)線路；并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部，其用于將上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的至少一個(gè)頻率錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)節(jié)，該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對(duì)上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。在上述第七技術(shù)方案的等離子處理裝置中，在將用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的規(guī)定的電子構(gòu)件與電力系統(tǒng)或信號(hào)系統(tǒng)的外部電路連接的線路上設(shè)置有濾波器，在該濾波器中利用第一導(dǎo)體及用于收容或包圍該第一導(dǎo)體的筒形的第二導(dǎo)體形成分布常數(shù)線路。該分布常數(shù)線路具有利用多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振的阻抗特性。通過并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部的作用，使該多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與作為阻斷對(duì)象的高頻噪聲的頻率一致或相近，從而能夠?qū)υ摳哳l噪聲的頻率施加期望的足夠高的阻抗。由此，不僅能夠可靠地保護(hù)外部電路等，還能夠提高等離子處理的再現(xiàn)性和可靠性。采用本發(fā)明的等離子處理裝置，能夠利用上述那樣的結(jié)構(gòu)和作用高效且穩(wěn)定可靠地阻斷自處理容器內(nèi)的高頻電極和其他電子構(gòu)件進(jìn)入到供電線、信號(hào)線等線路中來的高頻噪聲，特別是能夠高效且穩(wěn)定可靠地阻斷頻率不同的多個(gè)高頻噪聲，從而能夠提高等離子工藝的再現(xiàn)性和可靠性，此外通過任意地錯(cuò)開并聯(lián)諧振頻率地進(jìn)行調(diào)整，還能進(jìn)一步提高高頻阻斷功能。


圖I是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的等離子處理裝置的結(jié)構(gòu)的縱剖視圖。圖2是表示在實(shí)施方式中用于向基座的發(fā)熱體供電的加熱供電部的電路結(jié)構(gòu)的 圖。圖3是表示實(shí)施方式中的發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)例的圖。圖4是表示第一實(shí)施例的濾波器單元的物理構(gòu)造的縱剖視圖。圖5是表示第一實(shí)施例的濾波器單元的物理構(gòu)造的橫剖視圖。圖6是表示在實(shí)施方式中安裝在共用的線軸上的兩個(gè)個(gè)系統(tǒng)的空芯線圈的線圈繞線構(gòu)造的立體圖。圖7是表示實(shí)施方式中的線圈繞線構(gòu)造的局部立體剖視圖。圖8是表示分布常數(shù)線路上的高頻的頻率和波長(zhǎng)之間的關(guān)系的曲線圖。圖9是表示由第一實(shí)施例的兩個(gè)濾波器單元試制品得到的阻抗特性的圖。圖10是表示比較例的濾波器單元的構(gòu)造的縱剖視圖。圖11是表示由比較例的三個(gè)濾波器單元試制品得到的阻抗特性的圖。圖12是表示實(shí)施方式中的濾波器單元的配置結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖13是表示實(shí)施方式中的濾波器單元的配置結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。圖14是表示實(shí)施例的濾波器單元中的開口部周圍的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。圖15是表示第二實(shí)施例的濾波器單元的構(gòu)造的橫剖視圖。圖16是將在第二實(shí)施例中沿軸線方向改變環(huán)狀構(gòu)件的位置而在各環(huán)狀構(gòu)件的位置處得到的多重并聯(lián)諧振的各頻率繪制成圖表后得到的圖。圖17是表示第三實(shí)施例的濾波器單元的構(gòu)造的縱剖視圖。圖18是表示用于證實(shí)第三實(shí)施例的作用效果的在頻率比較低的低頻區(qū)域中的阻抗特性的圖。圖19是表示用于證實(shí)第三實(shí)施例的作用效果的在頻率比較高的高頻區(qū)域中的阻抗特性的圖。圖20是表示另一實(shí)施例的濾波器單元的構(gòu)造的縱剖視圖。圖21是表示另一實(shí)施例的濾波器單元的構(gòu)造的縱剖視圖。圖22是表示另一實(shí)施例的濾波器單元的構(gòu)造的縱剖視圖。圖23A是表示另一實(shí)施例的濾波器單元的構(gòu)造的橫剖視圖。
圖23B是表示另一實(shí)施例的濾波器單元的構(gòu)造的橫剖視圖。圖23C是表示另一實(shí)施例的濾波器單元的構(gòu)造的橫剖視圖。圖24是表示將本發(fā)明應(yīng)用于高頻供電線的一實(shí)施例的圖。圖25是表示另一實(shí)施例的濾波器單元的配置結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。圖I表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的等離子處理裝置的結(jié)構(gòu)。該等離子處理裝置構(gòu)成為下部雙頻施加方式的電容耦合型等離子蝕刻裝置，其具有例如由鋁或不銹鋼等金屬制成的圓筒形處理腔室(處理容器)10。處理腔室10是被保護(hù)接地的。在處理腔室10內(nèi)水平地配置有作為下部電極的圓板形的基座12，該基座12用于 載置作為被處理體的例如半導(dǎo)體晶圓W。該基座12例如由鋁制成，例如由陶瓷制成的自處理腔室10的底部向鉛垂上方延伸的絕緣性筒狀支承部14以不接地的方式支承該基座12。沿該絕緣性筒狀支承部14的外周形成有環(huán)狀的排氣通路18，該環(huán)狀的排氣通路18位于自處理腔室10的底部向鉛垂上方延伸的導(dǎo)電性的筒狀支承部16與處理腔室10的內(nèi)壁之間，在該排氣通路18的底部設(shè)置有排氣口 20。排氣裝置24經(jīng)由排氣管22與該排氣口 20相連接。排氣裝置24具有渦輪分子泵等真空泵，能夠?qū)⑻幚砬皇?0內(nèi)的處理空間減壓至期望的真空度。在處理腔室10的側(cè)壁上安裝有用于開閉半導(dǎo)體晶圓W的搬入搬出口的閘閥26。第一高頻電源28和第二高頻電源30經(jīng)由匹配單元32和供電棒34而與基座12電連接。這里，第一高頻電源28主要輸出用于產(chǎn)生等離子體的規(guī)定頻率(通常為27MHz以上、優(yōu)選為60MHz以上)的第一高頻HF。另一方面，第二高頻電源30主要輸出用于將離子引導(dǎo)至基座12上的半導(dǎo)體晶圓W處的規(guī)定頻率(通常為13. 56MHz以下)的第二高頻LF。在匹配單元32中收容有第一匹配器和第二匹配器(均未圖示)，該第一匹配器用于在第一高頻電源28與等離子體負(fù)載之間實(shí)現(xiàn)阻抗的匹配，該第二匹配器用于在第二高頻電源30與等離子體負(fù)載之間實(shí)現(xiàn)阻抗的匹配。供電棒34由具有規(guī)定外徑的圓筒形或圓柱形的導(dǎo)體構(gòu)成，該供電棒34的上端與基座12的下表面中心部相連接，該供電棒34的下端與匹配單元32內(nèi)的上述第一匹配器的高頻輸出端子和第二匹配器的高頻輸出端子相連接。另外，在處理腔室10的底面與匹配單元32之間設(shè)置有包圍供電棒34的周圍的圓筒形的導(dǎo)體罩35。更詳細(xì)而言，在處理腔室10的底面(下表面)上形成有圓形的開口部，該開口部具有比供電棒34的外徑大一圈的規(guī)定口徑，導(dǎo)體罩35的上端部與處理腔室的開口部相連接，并且導(dǎo)體罩35的下端部與上述匹配器的接地(回掃線)端子相連接。基座12具有比半導(dǎo)體晶圓W大一圈的直徑或口徑。基座12的上表面被劃分成晶圓載置部和在該晶圓載置部的外側(cè)延伸的環(huán)狀的周邊部，該晶圓載置部即是基座12的上表面的與晶圓W大致相同形狀(圓形)且大致相同尺寸的中心區(qū)域。在晶圓載置部上載置作為處理對(duì)象的半導(dǎo)體晶圓W。在環(huán)狀周邊部上安裝有內(nèi)徑比半導(dǎo)體晶圓W的口徑大的環(huán)狀板材、即所謂的聚焦環(huán)(focus ring) 36。依據(jù)半導(dǎo)體晶圓W的被蝕刻材料而利用例如Si、SiC、C、Si02中的任意一種材質(zhì)來構(gòu)成該聚焦環(huán)36。
在基座12的上表面的晶圓載置部上設(shè)置有發(fā)熱體40和晶圓吸附用的靜電吸盤
38。靜電吸盤38將DC電極44封入在膜狀或板狀的電介體42中，該電介體42與基座12的上表面一體地形成或一體地固定在基座12的上表面上，DC電極44經(jīng)由開關(guān)46、高電阻值的電阻48和DC高壓線50與配置在處理腔室10的外部的外攜式直流電源45電連接。通過將來自直流電源45的高壓的直流電壓施加給DC電極44，能夠利用庫侖力將半導(dǎo)體晶圓W吸附保持在靜電吸盤38上。另外，DC高壓線50是被覆線，其在圓筒體下部的供電棒34中通過、且自基座12的下方貫穿基座12而與靜電卡盤38的DC電極44相連接。發(fā)熱體40由與靜電卡盤38的DC電極44 一起被封入在電介體42中的例如螺旋狀的電阻發(fā)熱線構(gòu)成，在本實(shí)施方式中，如圖3所示，在基座12的半徑方向上發(fā)熱體40被分割成內(nèi)側(cè)的發(fā)熱線40 (IN)和外側(cè)的發(fā)熱線40 (OUT)0其中，內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)經(jīng)由具有絕緣外皮的供電導(dǎo)體52 (IN)、濾波器單元54 (IN)和電纜56 (IN)與配置在處理腔室10外部的專用的加熱電源58 (IN)電連接。外側(cè)發(fā)熱線40 (OUT)經(jīng)由具有絕緣外皮的供電導(dǎo)體52 (OUT)、濾波器單元54 (OUT)和電纜56 (OUT)與同樣是配置在處理腔室10的外 部的專用的加熱電源58 (OUT)電連接。在上述各構(gòu)件中，濾波器單元54 (IN),54 (OUT)是本實(shí)施方式中的主要特征部分，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和作用詳見后述。

在基座12的內(nèi)部設(shè)置有例如沿圓周方向延伸的環(huán)狀的制冷劑室或制冷劑通路60。利用冷機(jī)單元(未圖示)將規(guī)定溫度的制冷劑、例如冷卻水經(jīng)由制冷劑供給管循環(huán)供給到該制冷劑室60內(nèi)。能夠利用制冷劑的溫度來控制基座12的溫度，使該基座12的溫度降低。并且，為了使半導(dǎo)體晶圓W與基座12熱結(jié)合，將來自傳熱氣體供給部(未圖示)的傳熱氣體、例如He氣體經(jīng)由氣體供給管和基座12內(nèi)部的氣體通路62供給到靜電卡盤38與半導(dǎo)體晶圓W的接觸界面。在處理腔室10的頂部與基座12平行且面對(duì)地設(shè)置有兼作上部電極的簇射頭64。該簇射頭64包括與基座12面對(duì)的電極板66和自該電極板66的背后(上方)可裝卸地支承該電極板66的電極支承體68，在電極支承體68的內(nèi)部設(shè)置有氣體室70，在電極支承體68和電極板66中形成有許多自該氣體室70貫穿到基座12側(cè)的氣體噴出孔72。電極板66與基座12之間的空間S形成為等離子產(chǎn)生空間或處理空間。自處理氣體供給部74延伸出的氣體供給管76與設(shè)置在氣體室70的上部的氣體導(dǎo)入口 70a相連接。電極板66例如由Si、SiC或C構(gòu)成，電極支承體68例如由被實(shí)施了鋁陽極化處理的鋁構(gòu)成。利用例如具有計(jì)算機(jī)的裝置控制部(未圖示)控制該等離子蝕刻裝置內(nèi)的各部分的各種動(dòng)作和整個(gè)裝置的動(dòng)作(順序)，該各部分例如是排氣裝置24、高頻電源28、30、直流電源45的開關(guān)46、加熱電源58 (IN),58 (OUT)、冷機(jī)單元(未圖示)、傳熱氣體供給部(未圖示)和處理氣體供給部74等。在該等離子蝕刻裝置中，為了進(jìn)行蝕刻處理，首先使閘閥26處于打開狀態(tài)，將作為加工對(duì)象的半導(dǎo)體晶圓W搬入到處理腔室10內(nèi)并載置在靜電卡盤38上。然后，自處理氣體供給部74以規(guī)定流量將蝕刻氣體(通常是混合氣體)導(dǎo)入到處理腔室10內(nèi)，利用排氣裝置24將處理腔室10內(nèi)的壓力調(diào)整為設(shè)定值。然后，開啟第一高頻電源28和第二高頻電源30而使這些高頻電源分別以規(guī)定功率輸出第一高頻HF和第二高頻LF，將這些高頻HF、LF經(jīng)由匹配單元32和供電棒34施加給基座(下部電極)12。另外，自傳熱氣體供給部將傳熱氣體(He氣體)供給至靜電卡盤38與半導(dǎo)體晶圓W之間的接觸界面，并且開啟靜電卡盤用的開關(guān)46而利用靜電吸附力將傳熱氣體封閉在上述接觸界面處。另一方面，開啟加熱電源58 (IN),58 (OUT)，使內(nèi)側(cè)發(fā)熱體40 (IN)和外側(cè)發(fā)熱體40 (OUT)產(chǎn)生各自獨(dú)立的焦耳熱，從而將基座12的上表面溫度或溫度分布控制在設(shè)定值。自簇射頭64噴出的蝕刻氣體在2個(gè)電極12、64之間因高頻放電而等離子體化，利用由該等離子體產(chǎn)生的自由基、離子將半導(dǎo)體晶圓W的表面的被加工膜蝕刻成期望的圖案。在該電容耦合型等離子蝕刻裝置中，通過將適合于產(chǎn)生等離子體的比較高的頻率(優(yōu)選為60MHz以上)的第一高頻HF施加給基座12，能夠使等離子體在優(yōu)選的離解狀態(tài)下高密度化，從而即使在壓力更低的條件下也能形成高密度的等離子體。與此同時(shí)，通過將適合于引導(dǎo)離子的比較低的頻率(13. 56MHz以下)的第二高頻LF施加給基座12，能夠?qū)?2上的半導(dǎo)體晶圓W實(shí)施選擇性高的各向異性的蝕刻處理。另外，在該電容耦合型等離子蝕刻裝置中，由于同時(shí)利用冷機(jī)冷卻基座12以及利用加熱器加熱基座12，而且在基座12的半徑方向中心部和邊緣部單獨(dú)地控制加熱器的加熱處理，因此能夠高速地切換溫度或者升降溫度，并且還能任意或多樣地控制溫度分布的曲線。 接下來，根據(jù)圖2 圖17說明該等離子蝕刻裝置中的主要特征部分、即濾波器單元54 (IN),54 (OUT)內(nèi)的結(jié)構(gòu)和作用。圖2表示用于對(duì)設(shè)置在基座12中的發(fā)熱體40供電的加熱供電部的電路結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，使具有實(shí)際相同的電路結(jié)構(gòu)的單獨(dú)的加熱供電部分別與發(fā)熱體40的內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)和外側(cè)發(fā)熱線40 (OUT)相連接，從而能夠單獨(dú)控制內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)和外側(cè)發(fā)熱線40 (OUT)的發(fā)熱量或發(fā)熱溫度。在下述說明中，說明與內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)相連接的加熱供電部的結(jié)構(gòu)和作用。與外側(cè)發(fā)熱線40 (OUT)相連接的加熱供電部的結(jié)構(gòu)和作用也是完全相同的。加熱電源58 (IN)例如是利用S SR進(jìn)行工業(yè)頻率的開關(guān)(開啟/關(guān)閉)動(dòng)作的交流輸出型電源，其利用閉環(huán)電路與內(nèi)側(cè)發(fā)熱體40 (IN)相連接。更詳細(xì)而言，加熱電源58(IN)的一對(duì)輸出端子中的第一輸出端子經(jīng)由第一供電線(電源線)100 (I)與內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40(IN)的第一端子Ill電連接，第二輸出端子經(jīng)由第二供電線(電源線)100 (2)與內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)的第二端子h2電連接。濾波器單元54 (IN)具有設(shè)置在第一供電線100 (I)的途中的第一濾波器102 (I)和設(shè)置在第二供電線100 (2)的途中的第二濾波器102 (2)。2個(gè)濾波器102 (1)、102 (2)的電路結(jié)構(gòu)實(shí)際上是相同的。更詳細(xì)而言，由線圈104 (I)和電容器106 (I)的串聯(lián)電路構(gòu)成濾波器102 (I),由線圈104 (2)和電容器106 (2)的串聯(lián)電路構(gòu)成濾波器102 (2)。線圈104 (I)、線圈104 (2)的一方的端子或?yàn)V波器端子T (1)、T (2)經(jīng)由一對(duì)供電導(dǎo)體52 (IN)分別與內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)的端子相連接，電容器106 (I)連接在線圈104 (I)的另一方端子與接地電位的導(dǎo)電性構(gòu)件(例如處理腔室10)之間，電容器106 (2)連接在線圈104 (2)的另一方端子與接地電位的導(dǎo)電性構(gòu)件(例如處理腔室10)之間。并且，線圈104 (1)、104 (2)與電容器106 (1)、106 (2)之間的連接點(diǎn)η (1)、η (2)經(jīng)由電纜(雙股電纜)56 (IN)分別與加熱電源58 (IN)的第一、第二輸出端子相連接。在該種結(jié)構(gòu)的加熱供電部中，在正極性的循環(huán)中，自加熱電源58 (IN)輸出的電流流過第一供電線100 (1)，也就是流過電纜56 (IN)、線圈104 (I)及供電導(dǎo)體52 (IN)而自一方的端子Ii1流入內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)中，內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)的各部分因通電而產(chǎn)生焦耳熱，電流自另一方的端子匕流出后流過第二供電線100 (2)，也就是流過供電導(dǎo)體52(IN)、線圈104 (2)及電纜56 (IN)而返回到加熱電源58 (IN)中。在負(fù)極性的循環(huán)中，電流在相同的電路中以與上述流動(dòng)方向相反的方向流動(dòng)。由于該加熱器交流輸出的電流是工頻電流，因此線圈104 (1),104 (2)的阻抗或該線圈104 (1),104 (2)的電壓下降量較小、可以忽略不計(jì)，并且經(jīng)由電容器106 (1),106 (2)而流向接地的泄漏電流也很少、可以忽略不計(jì)。濾波器的實(shí)施例I圖4 圖7表示第一實(shí)施例的濾波器單元54 (IN)的物理構(gòu)造。如圖4和圖5所示，濾波器單元54 (IN)在例如由鋁構(gòu)成的圓筒形的外導(dǎo)體110中，與該外導(dǎo)體110同軸地收容有第一濾波器102 (I)的線圈104 (I)和第二濾波器102 (2)的線圈104 (2)，在濾波器端子T (I)、T (2)的相反一側(cè)，在例如由鋁構(gòu)成的電容箱112中一并收容有第一濾波器102 (I)的電容器106 (I)和第二濾波器102 (2)的電容器106 (2)(參照?qǐng)D2)。外導(dǎo)體 110通過螺紋固定與接地電位的導(dǎo)電性構(gòu)件、例如處理腔室10相連接。線圈104 (1),104 (2)均由空芯線圈構(gòu)成，其作為供電線起作用，用于使充分大(例如30A左右)的電流自加熱電源58 (IN)流入至內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)，除此之外，從防止發(fā)熱(功率損耗)的觀點(diǎn)出發(fā)，為了在不具有鐵素體等磁芯的空芯的狀態(tài)下獲得非常大的阻抗，并且為了獲得較長(zhǎng)的線路長(zhǎng)路，使線圈104 (1),104 (2)具有較粗的線圈繞線和與以往常識(shí)相反的那樣的較大的線圈尺寸(例如直徑為22 45mm、長(zhǎng)度為130 250mm)。在本實(shí)施例中，線圈104 (1),104 (2)彼此在圓筒形的外導(dǎo)體110中呈同心狀地安裝在由絕緣體、例如樹脂構(gòu)成的圓筒或圓柱狀的線軸114上，該線軸114沿鉛垂方向立設(shè)在電容箱112上。這里，2個(gè)線圈104 (1),104 (2)的彼此間的繞線構(gòu)造是本發(fā)明的特征之處。即、如圖6所示，分別構(gòu)成2個(gè)線圈104 (1),104 (2)的各線圈導(dǎo)線一邊沿共用的線軸114的外周面與線軸的軸向重合地并進(jìn)一邊以相等的繞線長(zhǎng)度呈螺旋狀地卷繞在該線軸114上。如圖7所示，優(yōu)選2個(gè)線圈104 (1),104 (2)的各線圈導(dǎo)線由截面積相同的薄板或銅扁線構(gòu)成，為了防止兩者之間發(fā)生短路，將其中一方的空芯線圈104 (2)用絕緣層包覆、例如使用特氟隆(注冊(cè)商標(biāo))制成的管116來包覆空芯線圈104 (2)的線圈導(dǎo)線。另外，如圖4所示，線圈104 (I)的下端(輸出端)經(jīng)由連接導(dǎo)體118 (I)與電容箱112內(nèi)的電容器106 (I)(參照?qǐng)D2)相連接，線圈104 (2)的下端(輸出端)經(jīng)由連接導(dǎo)體118 (2)與電容箱112內(nèi)的電容器106 (2)(參照?qǐng)D2)相連接。這樣，安裝在共用的線軸上的兩個(gè)系統(tǒng)的線圈彼此具有相同的線圈直徑和繞線長(zhǎng)度。S卩、安裝在共用的線軸114上的第一濾波器102 (I)的線圈104 (I)和第二濾波器102(2)的線圈104 (2)由相同材質(zhì)和相同尺寸(粗細(xì)、長(zhǎng)度)的導(dǎo)線構(gòu)成，且均具有被線軸114的外徑所限定的線圈直徑。并且，2個(gè)線圈104 (1),104 (2)的各自的線圈導(dǎo)線在線軸的軸向上交替重合。另一方面，第一濾波器102 (I)的線圈104 (I)和第二濾波器102 (2)的線圈104
(2)在電學(xué)上各自獨(dú)立(且并列)，并且在線圈104 (1),104 (2)與圓筒形的外導(dǎo)體110之間形成分布常數(shù)線路。另外，在該實(shí)施例的濾波器單元54 (IN)中，線軸114并不是必須的構(gòu)件。S卩，絕緣體114不對(duì)兩線圈104 (1)、104 (2)的電氣功能或電磁作用產(chǎn)生任何影響。因此，如果兩線圈104 (1),104 (2)能夠借助粘合劑或線軸以外的支承構(gòu)件而被一體地穩(wěn)定保持，則可以省去線軸114。下面，說明在本發(fā)明的第一濾波器102 (I)的線圈104 (I)及第二濾波器102 (2)的線圈104 (2)與外導(dǎo)體110之間形成有分布常數(shù)線路的結(jié)構(gòu)。通常，在無損耗的情況下，傳輸線路的特性阻抗Z。由每單位長(zhǎng)度的靜電電容C、阻抗L根據(jù)Z。= V (LC)來確定。另外，波長(zhǎng)由下式得到λ=2Π/ ( ω V (LC))…(I) 在通常的分布常數(shù)線路(特別是同軸線路)中，線路的中心是棒狀的圓筒導(dǎo)體，與此相比，本發(fā)明的不同點(diǎn)在于將圓筒狀的線圈當(dāng)作中心導(dǎo)體。每單位長(zhǎng)度的阻抗L主要受由該圓筒狀的線圈產(chǎn)生的阻抗控制。另一方面，每單位長(zhǎng)度的靜電電容由線圈表面和外導(dǎo)體所構(gòu)成的電容器的靜電電容C規(guī)定。因而，在本發(fā)明中，當(dāng)設(shè)定每單位長(zhǎng)度的阻抗L、靜電電容C時(shí)，也可以認(rèn)為形成了特性阻抗Ζ。= V (LC)的分布常數(shù)線路。從端子T側(cè)觀察具有該種分布常數(shù)線路的濾波器單元，端子T的相反側(cè)在具有較大電容(例如5000pF)的電容器的作用下形成偽短路，因此獲得以恒定的頻率間隔重復(fù)較大的阻抗那樣的頻率-阻抗特性。在波長(zhǎng)與分布常數(shù)線路長(zhǎng)度相等時(shí)，能夠獲得該種阻抗特性。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，分布常數(shù)線路長(zhǎng)度不是指線圈的繞線長(zhǎng)度、而是線圈的全長(zhǎng)s (參照?qǐng)D4)。于是，與采用棒狀的圓筒導(dǎo)體作為中心導(dǎo)體的情況相比，通過采用線圈作為中心導(dǎo)體，能夠大幅增加L且縮短λ，因此雖然線路長(zhǎng)度較短(線圈尺寸長(zhǎng)度S)，但卻能得到波長(zhǎng)的同等以上的有效長(zhǎng)度，從而能夠獲得以比較短的頻率間隔重復(fù)具有較大阻抗的那樣的阻抗特性。這里，優(yōu)選線圈104 (1)、104 (2)與外導(dǎo)體110之間形成的分布常數(shù)線路的特性阻抗(特別是每單位長(zhǎng)度的阻抗及電容)為是固定的。對(duì)于這點(diǎn)，在該實(shí)施例中，由于圓筒形的線圈104 (1),104 (2)在圓筒形的外導(dǎo)體110中與其同軸配置，因此能夠嚴(yán)格地滿足該特性阻抗固定的條件。當(dāng)然，即使線圈104 (1),104 (2)與外導(dǎo)體110之間的間隙(距離間隔)內(nèi)存在少許凹凸，但只要在容許范圍(一般為應(yīng)阻斷的高頻的波長(zhǎng)的1/4以下)內(nèi)，也就實(shí)質(zhì)地滿足了特性阻抗固定的條件。例如，作為該實(shí)施例的濾波器單元(54)的標(biāo)準(zhǔn)例，每單位長(zhǎng)度的阻抗及電容分別為40 μ H、200pF時(shí)，根據(jù)上式(I )，分布常數(shù)線路上的高頻的頻率與波長(zhǎng)具有圖8所示的關(guān)系(特性)。根據(jù)該特性，例如高頻的頻率為80MHz時(shí)，其波長(zhǎng)約為150mm。因此，線圈104
(1)、104 (2)與外導(dǎo)體110之間的間隙(距離間隔)內(nèi)允許出現(xiàn)沿軸線方向或線路方向的不超過37. 5mm的凹凸。采用該結(jié)構(gòu)，在第一濾波器102 (I)中，能夠構(gòu)成多重并聯(lián)諧振，且能夠易于獲得阻抗特性的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性均優(yōu)異的濾波器特性。關(guān)于該點(diǎn)，本發(fā)明人試制了多個(gè)上述那樣的本實(shí)施例的濾波器單元54 (IN)(參照?qǐng)D4 圖7)。并且，將2個(gè)實(shí)施例試制品54 (IN)A、54 (IN)B分別單獨(dú)地裝入本實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置(參照?qǐng)DI)中，使用網(wǎng)絡(luò)分析器在O IOOMHz的范圍內(nèi)掃描頻率，測(cè)量了從濾波器端子T (I)側(cè)觀察到的第一濾波器102 (I)的阻抗。實(shí)驗(yàn)結(jié)果是，濾波器單元54 (IN)的實(shí)施例試制品54 (IN)A獲得了圖9所示的那樣的阻抗特性Za，實(shí)施例試制品54 (IN)B獲得了圖9所示的那樣的阻抗特性ZB。如圖9所示，一方的實(shí)施例試制品54 (IN) A的阻抗特性Za和另一方的實(shí)施例試制品54 (IN) B的阻抗特性Zb幾乎完全重合到無法分辨的程度。另外，多重并聯(lián)諧振的特性具有規(guī)律且穩(wěn)定，2個(gè)實(shí)施例試制品54 (IN)A、54 (IN) B的各并聯(lián)諧振頻率在大約為11. 3IMHz的位置、大約為40. 68MHz的位置、大約為70. 44MHz的位置、大約為93. 9MHz的位置幾乎完全一致。這樣，可以確認(rèn)阻抗特性的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性是非常優(yōu)異的。另一方面，作為比較例，發(fā)明人試制了多個(gè)具有如圖10所示結(jié)構(gòu)的濾波器54(IN)’。該濾波器單元54 (IN)’在由導(dǎo)體板構(gòu)成的外殼110’內(nèi)并列配置有多個(gè)例如兩個(gè)空芯線圈單體104A (1)、104B (1)104A (2)、104B (2)。
這里，線圈104A (1)、104A (2) 一邊并進(jìn)一邊以相等的繞線長(zhǎng)度呈螺旋狀地卷繞在一方的線軸114A上，線圈104B (DU04B (2)—邊并進(jìn)一邊以相等的繞線長(zhǎng)度呈螺旋狀地卷繞在另一方的線軸114B上。并且，線軸114A側(cè)的線圈104A (I)和線軸114B側(cè)的線圈104B (I)設(shè)置于第一供電線100 (I)的途中，經(jīng)由連接導(dǎo)體105 (I)，將線圈104A (I)和線圈104B (I)電連接起來。并且，線軸114B側(cè)的線圈104A (2)和線軸114B側(cè)的線圈104B (2)設(shè)置于第二供電線100 (2)的途中，經(jīng)由連接導(dǎo)體105 (2)，將線圈104A (2)和線圈104B (2)電連接起來。并且，將具有圖10所示結(jié)構(gòu)的濾波器單元的三個(gè)比較例試制品54 (IN)’ C、54(IN)’D、54 (IN)’E分別單獨(dú)地安裝到圖I所示的等離子蝕刻裝置中，并利用與上述相同的網(wǎng)絡(luò)分析器在O IOOMHz范圍內(nèi)掃描頻率，從而對(duì)各自的第一濾波器102 (I)’測(cè)量從濾波器T (I)側(cè)觀察到的各頻率的阻抗。實(shí)驗(yàn)結(jié)果是，比較例試制品54 (IN)’ C獲得了圖11所示的那樣的阻抗特性Zc，比較例試制品54 (IN)’ D獲得了圖11所示的那樣的阻抗特性ZD，比較例試制品54 (IN)’ E獲得了圖11所示的那樣的阻抗特性ZE。如圖11所示，3個(gè)比較例試制品54 (IN)’C、54(IN)，D、54 (IN)，E的阻抗特性ZC、ZD、ZE在13. 56MHz以下的低頻區(qū)域內(nèi)是大體一致的，但在13. 56MHz以上的高頻區(qū)域內(nèi)變得不一致，而且不定地出現(xiàn)容易與并聯(lián)諧振混淆的角狀的異常增大或異常減少，穩(wěn)定性和再現(xiàn)性不佳。在上述比較例的濾波器單元54 (IN)’中，例如在第一供電線100 (I)上，在線軸114A側(cè)的線圈104A (I)和外導(dǎo)體的外殼110’之間、以及在線軸114B側(cè)的線圈104B (I)和外導(dǎo)體的外殼110’之間分別形成分布常數(shù)線路。但是，兩線圈104A (DU04B (I)是并排配置的，在將這些線圈連接起來的連接導(dǎo)體105 (I)’處分布常數(shù)線路的空間曲線顯著變化。第二供電線100 (2)上也是如此。S卩，在線軸114A側(cè)的線圈104A (2)和外導(dǎo)體的外殼110’之間、以及在線軸114B側(cè)的線圈104B (2)和外導(dǎo)體的外殼110’之間分別形成分布常數(shù)線路。但是，兩線圈104A (2)、104B (2)是并排配置的，在將這些線圈連接起來的連接導(dǎo)體105 (2)’處分布常數(shù)線路的空間曲線顯著變化。
這樣，對(duì)于上述比較例的濾波器單元54 (IN)’來說，即使是相同結(jié)構(gòu)及相同規(guī)格，每個(gè)濾波器單元54 (IN)’ C、54 (IN)’D、54 (IN)’E之間的并聯(lián)諧振頻率也不具有穩(wěn)定性和規(guī)律性，容易產(chǎn)生偏差(機(jī)械誤差)。因此，不能穩(wěn)定且正確地利用阻抗特性中基于并聯(lián)諧振而突出變高的角狀部分的高阻抗。這樣，采用該實(shí)施例，在設(shè)置于供電線100 (I)上的濾波器102 (I)中，能夠利用具有規(guī)律的多個(gè)頻率構(gòu)成多重并聯(lián)諧振，且能夠易于獲得阻抗特性的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性均優(yōu)異的濾波器特性，上述供電線1 00 (I)用于將自加熱電源58 (IN)輸出的大電流供給至組裝在基座(下部電極)12中的發(fā)熱線40 (IN)。因而，即使來自高頻電源28、30的高頻HF、LF的一部分作為高頻噪聲經(jīng)由基座12和發(fā)熱線40 (IN)進(jìn)入到第一供電線100 (I)中來，由一個(gè)線圈104 (I)構(gòu)成的第一濾波器102 (I)基于上述那樣的規(guī)律性的多重并聯(lián)諧振能夠?qū)蓚€(gè)頻率的高頻噪聲均施加充分高的阻抗。例如，在將第二高頻LF的頻率選定為13. 56MHz、將第一高頻HF的頻率選定為80MHz的情況下，根據(jù)圖9的阻抗特性，對(duì)于第二高頻LF (13. 56MHz)的高頻噪聲能夠施加1000 Ω以上的恒定的高阻抗，對(duì)于第一高頻HF (80MHz)的高頻噪聲能夠施加100 Ω以上的恒定的高阻抗，由此能夠獲得不存在機(jī)械誤差的穩(wěn)定的高頻噪聲阻斷特性。并且，換一種看法，由于獲得無機(jī)械誤差的穩(wěn)定的高頻噪聲阻斷特性，從而能夠使用有規(guī)律的多重并聯(lián)諧振特性，與以往的產(chǎn)品相比能夠使空芯線圈的阻抗(即線圈長(zhǎng)度)大幅減小。由此，與以往的裝置中在濾波器單元內(nèi)收容有多個(gè)空芯線圈的情況相比，在該實(shí)施方式的等離子處理裝置中在濾波器單元內(nèi)僅收容一個(gè)空芯線圈即可。而且，即使僅有一個(gè)空芯線圈，也能夠獲得與電氣串聯(lián)的多個(gè)空芯線圈相比機(jī)械誤差小且穩(wěn)定的高頻噪聲阻斷特性。這樣，采用本實(shí)施例的濾波器102 (1)，能夠可靠地防止高頻噪聲進(jìn)入到加熱電源58 (IN)中，并且能夠使在處理腔室10內(nèi)利用高頻放電產(chǎn)生的等離子體穩(wěn)定化，從而能夠提高等離子工藝的再現(xiàn)性和可靠性。另外，設(shè)置在第二供電線100 (2)上的第二濾波器102
(2)也具有與上述第一濾波器102 (I)相同的結(jié)構(gòu)，能夠起到相同的作用效果。另外，在濾波器102 (I)中，與線圈104 (I)的輸出端側(cè)相連接的電容器106 (I)在高頻的頻率區(qū)域內(nèi)實(shí)際上為短路狀態(tài)，將分布常數(shù)線路120(1)視作輸出端短路線路。另夕卜，通過改變線圈104 (I)的繞線長(zhǎng)度(線路長(zhǎng)度)，能夠任意地調(diào)整濾波器102 (I)的阻抗特性、特別是多重并聯(lián)諧振的諧振頻率。即、多重并聯(lián)諧振的頻率依存于線路長(zhǎng)度而進(jìn)行變化的輸出端短路線路的特性適用于濾波器102 (I)的分布常數(shù)線路120 (I)。因而，通過比上述實(shí)施例試制品的繞線長(zhǎng)度長(zhǎng)地設(shè)定線圈104 (I)的繞線長(zhǎng)度，能夠?qū)Ω鞑⒙?lián)諧振頻率進(jìn)行調(diào)整，使各并聯(lián)諧振頻率向變低的方向變化。另外，相反通過比上述實(shí)驗(yàn)試制品的繞線長(zhǎng)度短地設(shè)定線圈104 (I)的繞線長(zhǎng)度，能夠?qū)Ω鞑⒙?lián)諧振頻率進(jìn)行調(diào)整，使各并聯(lián)諧振頻率向升高的方向變化。并且，如上所述，該實(shí)施例的濾波器單元54 (IN)在圓筒形的外殼或外導(dǎo)體110中收容有所需的全部器件(第一及第二濾波器102 (1),102 (2)的線圈104 (1),104 (2))。另一側(cè)的濾波器單元54(0UT)也是同樣的。由此，在該實(shí)施方式的等離子處理裝置中，如圖12所示，能夠使兩濾波器單元54 (IN),54 (OUT)相對(duì)于基座12內(nèi)的內(nèi)側(cè)發(fā)熱線40 (IN)及外側(cè)發(fā)熱線40 (OUT)在方位角方向上隔開均等的距離間隔(180°間隔)地配置，能夠減小濾波器單元54 (IN),54 (OUT)對(duì)裝置內(nèi)的電磁分布(例如腔室10內(nèi)的等離子密度分布等)產(chǎn)生的影響的偏差。另外，如圖25所示，作為其它實(shí)施例，將發(fā)熱體在半徑方向分割成四個(gè)系統(tǒng)40A、40B、40C、40D的情況下，能夠使各自對(duì)應(yīng)的濾波器單元54A、54B、54C、54D在方位角方向上隔開均等的距離間隔(90°間隔)地配置，與上述同樣地獲得了防止發(fā)生偏差的效果。并且，如圖13所示，具有以下優(yōu)點(diǎn)兩濾波器單元54 (IN),54 (OUT)的占用空間小，因此設(shè)置于基座12的背后的其它用力系統(tǒng)或可動(dòng)系統(tǒng)的布局設(shè)計(jì)變得十分輕松。另外，如圖4所示，在使入口即開口 IlOa附近的靜電容量減小上，優(yōu)選形成于圓筒形外導(dǎo)體110的一個(gè)端面的供濾波器端子T (I)、T (2)通過的開口 IlOa具有與線圈104(1)、104 (2)的外徑Jltl4相同或比線圈104 (1)、104 (2)的外徑Jltl4更大的口徑(內(nèi)徑)。如圖14所示，開口 IlOa的口徑Jlltl比線圈104 (I)、104 (2)的外徑Jltl4小的情況下，為了減小入口的靜電容量，必須將線圈104 (1)、104 (2)與開口 IlOa之間的在軸線方 向上的間隔距離K設(shè)置得足夠(例如20mm以上)大，導(dǎo)致濾波器54 (IN)的全長(zhǎng)變大。另外，開口 IlOa為外導(dǎo)體110的開口部,如圖4所不,雖然利用樹脂等電介體密封開口 110a，但對(duì)于電磁來說有沒有該電介體都是一樣的。濾波器的實(shí)施例2圖10表示第二實(shí)施例的濾波器單元54 (IN)的物理構(gòu)造。該第二實(shí)施例的主要特征在于，具有用于在上述第一實(shí)施例的濾波器單元54 (IN)中將并聯(lián)諧振頻率任意地錯(cuò)開而進(jìn)行調(diào)整的并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部。下面，在第二實(shí)施例中，也對(duì)第一濾波器102 (I)的結(jié)構(gòu)和第一分布常數(shù)線路120 (I)的作用進(jìn)行說明。第二濾波器102 (2)的結(jié)構(gòu)和第二分布常數(shù)線路120 (2)的作用也是完全相同的。該并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部的基本結(jié)構(gòu)是，設(shè)置有使分布常數(shù)線路120 (I)的特性阻抗在線路的途中產(chǎn)生局部性變化的特性阻抗局部可變構(gòu)件，優(yōu)選如圖10所示，在線圈104(I)與外導(dǎo)體110之間與該線圈104 (I)和外導(dǎo)體110同軸地設(shè)置有環(huán)狀構(gòu)件122。優(yōu)選該環(huán)狀構(gòu)件122構(gòu)成為在與外導(dǎo)體110的軸線方向正交的平面上呈圓環(huán)狀延伸的板體，優(yōu)選環(huán)狀構(gòu)件122由銅、鋁等導(dǎo)體構(gòu)成，且與外導(dǎo)體110電連接而與線圈104(1)電絕緣。當(dāng)然，也可以采用環(huán)狀構(gòu)件122與線圈104 (I)電連接而與外導(dǎo)體110電絕緣的結(jié)構(gòu)。另外，也可以由樹脂等電介體構(gòu)成環(huán)狀構(gòu)件122，在該情況下環(huán)狀構(gòu)件122可以與外導(dǎo)體110和線圈104 (I)均接觸。另外，可以將環(huán)狀構(gòu)件122固定地配置在恒定的位置上，但優(yōu)選能夠在軸線方向上改變環(huán)狀構(gòu)件122的配置位置。由導(dǎo)體或電介體構(gòu)成的環(huán)狀的阻抗局部可變構(gòu)件122改變同軸線路的C，從而能夠局部地改變特性阻抗V (LC)。當(dāng)特性阻抗局部地自Ztl變化到Z1時(shí)，在該變化的界面發(fā)生反射。因此，形成了串聯(lián)結(jié)合的3個(gè)同軸線路(長(zhǎng)度S1-特性阻抗Ztl,長(zhǎng)度S2-特性阻抗τχ、長(zhǎng)度S3-特性阻抗Ztl),其結(jié)果，具有能夠改變由頻率、長(zhǎng)度與波長(zhǎng)的關(guān)系而決定的串聯(lián)·并聯(lián)諧振的頻率的效果。利用該環(huán)狀構(gòu)件122使分布常數(shù)線路120 (I)的空間曲線產(chǎn)生的變化能夠起到后述的本發(fā)明的效果，在此基礎(chǔ)上，該變化需要超過一定程度，最好能產(chǎn)生當(dāng)換算成特性阻抗Ztl時(shí)為10%以上的變化。本發(fā)明人試制了具有上述那樣的本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D15)的濾波器單元54(IN)。作為該實(shí)施例試制品的主要規(guī)格，外導(dǎo)體110的內(nèi)徑(半徑)為28. 125mm，線圈104Cl)的外徑(半徑)為21. 25mm、長(zhǎng)度為134mm，環(huán)狀構(gòu)件122與線圈104 (I)的分開間隔D為3. 75mm、寬度M為5mm。并且，在該實(shí)施例試制品的濾波器單元54 (IN)中，一邊沿軸線方向改變環(huán)狀構(gòu)件122的位置，一邊利用網(wǎng)絡(luò)分析器獲取各個(gè)位置上的從濾波器端子T(I)側(cè)觀察到的第一濾波器102 (I)的阻抗特性，測(cè)量了該阻抗特性的多重并聯(lián)諧振的各頻率(并聯(lián)諧振頻率)而繪制出了圖表，獲得了圖16所示那樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在圖16中，不依存于環(huán)狀構(gòu)件的位置的恒定值的并聯(lián)諧振頻率F1(約為17. 5MHz)、F2 (約為68. 75MHz)、F3 (約為116. 25MHz)、F4 (約為155. OOMHz)是利用將本實(shí)施例的濾波器單元54 (IN)(參照?qǐng)D15)中的環(huán)狀構(gòu)件122卸除后形成的結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D4)而獲得的比較基準(zhǔn)值。如圖16所示，得知采用本實(shí)施例，各并聯(lián)諧振頻率隨著環(huán)狀構(gòu)件122的位置(約IOmm的位置 約132mm的位置)的改變而上下變動(dòng)(移動(dòng))。并且,此外還應(yīng)注意到,各并聯(lián)諧振頻率在各自的固有周期內(nèi)獨(dú)立地上下變動(dòng)(改變)。
更詳細(xì)而言，第一并聯(lián)諧振頻率在輸入端側(cè)(環(huán)狀構(gòu)件位于IOmm的位置附近)、在小于比較基準(zhǔn)值F1的方向上發(fā)生最大程度的變化，在中心位置附近(75mm的位置附近)改變量大致為零，越靠近輸出端側(cè)，在高于比較基準(zhǔn)值F1的方向上改變量越大。當(dāng)然，第一并聯(lián)諧振頻率的移動(dòng)量(絕對(duì)值)相比其他并聯(lián)諧振頻率的移動(dòng)量(絕對(duì)值)小很多。另外，在將環(huán)狀構(gòu)件122配置在中心位置、即1/2位置附近(75mm的位置附近)時(shí)，第二并聯(lián)諧振頻率的低于比較基準(zhǔn)值F2的下降改變量最大。在將環(huán)狀構(gòu)件122配置在1/2位置附近(75mm的位置附近)時(shí)，第三并聯(lián)諧振頻率的上升改變量最大，在將環(huán)狀構(gòu)件122配置在1/3位置附近(45_的位置附近)或2/3位置附近(120mm的位置附近)時(shí)，第三并聯(lián)諧振頻率的下降改變量最大。在將環(huán)狀構(gòu)件122配置在1/4位置附近(30mm的位置附近)、1/2位置附近(75mm的位置附近)或3/4位置附近(135mm的位置附近)時(shí)，第四并聯(lián)諧振頻率的低于比較基準(zhǔn)值F4的下降改變量最大，在將環(huán)狀構(gòu)件122配置在3/8位置附近(60_的位置附近)或5/8位置附近(100_的位置附近)時(shí)，第四并聯(lián)諧振頻率的上升改變量最大。因而，例如在將等離子體產(chǎn)生用的第一高頻H F的頻率選定為80MHz的情況下，通過將環(huán)狀構(gòu)件122配置在30mm的位置附近，能夠?qū)⒌诙⒙?lián)諧振頻率自比較基準(zhǔn)值F2 (約為68. 75MHz)向上錯(cuò)開地調(diào)整為72 75MH ζ左右，由此能夠?qū)?0ΜΗ ζ的高頻噪聲施加充分高的阻抗。當(dāng)然，由于存在離子引導(dǎo)用的第二高頻LF的頻率為13. 56MHz以下的這一絕對(duì)性限制，因此對(duì)于第二高頻LF的頻率，通常優(yōu)先將第一并聯(lián)諧振頻率調(diào)整到最佳。如上所述，通過增加線圈104 (I)的繞線長(zhǎng)度，能夠?qū)⒌谝徊⒙?lián)諧振頻率調(diào)整到期望的較低的值(例如12MHz左右)。并且，在該情況下，當(dāng)為了對(duì)等離子體產(chǎn)生用的第一高頻HF的頻率施加期望的充分高的阻抗而需要將第二、第三或第四并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)自比較基準(zhǔn)值(F2、F3、F4)適當(dāng)錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)整時(shí)，如上所述將環(huán)狀構(gòu)件122的配置位置調(diào)整到最佳位置即可。該第二實(shí)施例只在第一實(shí)施例的濾波器的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上添加了一定形狀、尺寸、材質(zhì)的環(huán)狀構(gòu)件122，能夠?qū)⒍嘀夭⒙?lián)諧振的各并聯(lián)諧振頻率任意錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)整，并且能夠與第一實(shí)施例同樣地獲得阻抗特性的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性均優(yōu)異的濾波器特性。
濾波器的實(shí)施例3圖17表示第三實(shí)施例的濾波器單元54 (IN)的物理構(gòu)造。該第三實(shí)施例是上述第二實(shí)施例的一變形例，特征在于I個(gè)濾波器102 (I)具有多個(gè)、例如兩個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122的結(jié)構(gòu)。這些多個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122、122的形狀、尺寸、材質(zhì)可以不同，但通常是相同的。本發(fā)明人試制了具有本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D17)的濾波器單元54 (IN)，與上述實(shí)施例的方法相同地使用網(wǎng)絡(luò)分析器測(cè)量了該濾波器單元54 (IN)的阻抗特性，與上述第一、第二實(shí)施例的試制品進(jìn)行了比較。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖18和圖19所示。在圖18和圖19中，阻抗特性ZN是未在濾波器單元54 (IN)內(nèi)設(shè)置環(huán)狀構(gòu)件122的第一實(shí)施例(參照?qǐng)D4)的試制品。在該阻抗特性ZN中，第一并聯(lián)諧振頻率如圖18所示約為16. 8MHz，第三并聯(lián)諧振頻率如圖19所示約為117MH ζ。阻抗特性Z45是在濾波器單元54 (IN)內(nèi)將I個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122配置在45mm的位置上的第二實(shí)施例(參照?qǐng)D15)的試制品。在該阻抗特性Z45中，第一并聯(lián)諧振頻率如圖18 所示約為16. 4MHz，第三并聯(lián)諧振頻率如圖19所示約為108MHz。這符合圖11所示的特性。即、如圖16所示，在將環(huán)狀構(gòu)件配置在45mm的位置上的情況下，第一并聯(lián)諧振頻率向稍低于比較基準(zhǔn)值F1的方向改變，第三并聯(lián)諧振頻率向低于比較基準(zhǔn)值F3較多的方向改變。阻抗特性Zlltl是在濾波器單元54 (IN)內(nèi)將I個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122配置在IlOmm的位置上的第二實(shí)施例(參照?qǐng)D15)的試制品。在該阻抗特性Zlltl中，第一并聯(lián)諧振頻率如圖13所示約為17. 2MHz，第三并聯(lián)諧振頻率如圖18所示約為107MHz。這也符合圖16所示的特性。即、如圖16所示，在將環(huán)狀構(gòu)件配置在IlOmm的位置上的情況下，第一并聯(lián)諧振頻率向稍高于比較基準(zhǔn)值F1的方向改變，第三并聯(lián)諧振頻率向低于比較基準(zhǔn)值F3較多的方向改變。阻抗特性Z45、1QQ是在濾波器單元54(IN)內(nèi)將2個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122分別配置在45mm、IlOmm的位置上的本實(shí)施例(參照?qǐng)D17)的試制品。在該阻抗特性Z45illtl中，第一并聯(lián)諧振頻率如圖18所示約為16. 9MHz，第三并聯(lián)諧振頻率如圖19所示約為98MHz。這樣，采用本實(shí)施例，能夠獲得將I個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122單獨(dú)地配置在45mm的位置或IlOmm的位置上的第二實(shí)施例(參照?qǐng)D15)的試制品的阻抗特性Z45、U0的加合效果。即、對(duì)于第一并聯(lián)諧振頻率來說，通過求和阻抗特性Z45和阻抗特性Zlltl,能夠使低于比較基準(zhǔn)值F1的下降移動(dòng)量和高于比較基準(zhǔn)值F1的上升移動(dòng)量彼此抵消，從而能夠獲得接近于比較基準(zhǔn)值F1的值。另外，對(duì)于第三并聯(lián)諧振頻率來說，通過求和阻抗特性Z45和阻抗特性Z 110,能夠疊加低于比較基準(zhǔn)值F3的下降改變量，從而能夠獲得大約2倍的下降改變量。由此，能夠?qū)OOMHz的頻率施加大約300 Ω以上的高阻抗。這樣，采用本實(shí)施例，為了能夠?qū)Φ诙哳lLF的頻率(例如13. 56MHz)施加期望的高阻抗，首先可以調(diào)整線圈104(1)的繞線長(zhǎng)度，將第一并聯(lián)諧振頻率設(shè)定為最佳值。然后，在濾波器單元54 (IN)內(nèi)將2個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122、122分別相對(duì)于中心位置(約75mm的位置)配置在大致對(duì)稱的2個(gè)位置(例如45mm的位置、IlOmm的位置)上，從而基本不用移動(dòng)第一并聯(lián)諧振頻率就能夠使第三并聯(lián)諧振頻率沿一個(gè)方向較大幅度地移動(dòng)，由此對(duì)阻斷對(duì)象的頻率(例如IOOMHz)施加充分高的恒定的高阻抗。該第三實(shí)施例同樣也是只在第一實(shí)施例的濾波器的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上添加了一定形狀、尺寸、材質(zhì)的多個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122，能夠在比第二實(shí)施例寬的范圍內(nèi)將多重并聯(lián)諧振的各并聯(lián)諧振頻率任意錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)整，并且能夠與第一實(shí)施例同樣地獲得阻抗特性的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性均優(yōu)異的濾波器特性。濾波器的實(shí)施例(其他)圖15和圖16表示濾波器單元54 (IN)的其他實(shí)施例。在圖15的實(shí)施例中，將環(huán)狀構(gòu)件122固定在外導(dǎo)體110上，線圈104 (1)、104 (2)與外導(dǎo)體110之間能夠進(jìn)行軸線方向的相對(duì)移動(dòng)或位移，且能夠改變環(huán)狀構(gòu)件122相對(duì)于線圈104 (1),104 (2)的位置。在圖16的實(shí)施例中，在軸線方向的任意位置改變線圈104 (1)、104 (2)的局部的直徑，從而不用設(shè)置環(huán)狀構(gòu)件122就能使分布常數(shù)線路120 (1),120 (2)的特性阻抗Ztl產(chǎn)生局部性的變化。在本實(shí)施例中，也可以采用使線圈104 (1)、104 (2)與外導(dǎo)體110之間能夠進(jìn)行軸線方向的相對(duì)移動(dòng)或位移的結(jié)構(gòu)。

圖17的實(shí)施例在濾波器單元54 (IN)中，在軸線方向的期望位置上增大外導(dǎo)體110的局部的直徑而形成環(huán)狀的槽部(凹部)124，由此能夠在該環(huán)狀的槽部124的位置使分布常數(shù)線路120 (1)、120 (2)的特性阻抗Ztl產(chǎn)生局部性的變化。在上述實(shí)施例中，在I個(gè)外導(dǎo)體110中，構(gòu)成第一濾波器102 (I)的線圈104 (I)的線圈導(dǎo)線和構(gòu)成第二濾波器102 (2)的線圈104 (2)的線圈導(dǎo)線沿共用的線軸114的外周面如圖6所示地一邊在線軸的軸向上重合地并進(jìn)一邊以相等的繞線長(zhǎng)度呈螺旋狀地卷繞在線軸114的外周面上。采用該線圈繞線構(gòu)造，能夠在2個(gè)空芯線圈104 (1),104 (2)之間使2個(gè)空芯線圈的自感彼此相等、且能夠獲得最大的互感。由此，能夠降低濾波器單元54 (IN)的RF電力損耗，此外還具有能夠減小RF功率損耗的機(jī)械誤差的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然，也可以將第一濾波器102 (I)的線圈104 (I)和第二濾波器102 (2)的線圈104 (2)分別卷繞在獨(dú)立的線軸114上，并將該線圈104 (I)和線圈104 (2)以與外導(dǎo)體110同軸的方式收容在在不同的外導(dǎo)體110中。另外，如上所述，線軸114只是線圈支承裝置之一，省去線軸114的結(jié)構(gòu)也是可能的。并且，在上述實(shí)施例的濾波器單元54 (IN),54 (OUT)中，圓筒形的線圈104 (I)、104 (2)以同軸的方式收容在圓筒形的外導(dǎo)體110內(nèi)，在線圈104 (I)和外導(dǎo)體110之間形成的分布常數(shù)線路120 (I)、以及在線圈104 (2)和外導(dǎo)體110之間形成的分布常數(shù)線路120 (2)為同軸線路。但是，分布常數(shù)線路120 (1),120 (2)只要具有固定的特性阻抗(特別是電感和電容)即可，并不必須是同軸線路?；镜谋匾獥l件如下，即，空芯線圈及筒形外導(dǎo)體的各自的橫剖面的形狀及尺寸沿分布常數(shù)線路是大致固定的，從而空芯線圈和筒形外導(dǎo)體之間的間隙沿分布常數(shù)線路是大致固定的。因此，如圖23A所示，即使線圈104 (1)、104 (2)以非同軸(偏心)的方式被收容在圓筒形的外導(dǎo)體110中也可?；蛘?，如圖23B的(a)所示，橫剖面為四邊形的方筒形線圈104 (1)、104 (2)以非同軸(或者同軸)的方式被收容在橫剖面為四邊形的方筒狀外導(dǎo)體110中的這種結(jié)構(gòu)也是可能的?；蛘撸鐖D23B的(b)所示，橫剖面為五邊形的方筒形線圈104 (1),104 (2)以同軸(或者非同軸)的方式被收容在橫剖面為五邊形的方筒狀外導(dǎo)體110中的這種結(jié)構(gòu)也是可能的。
并且，如圖23C所示，橫剖面為圓形的圓筒形線圈104 (1)、104 (2)以同軸(或者非同軸)的方式被收容在橫剖面為四邊形的方筒狀外導(dǎo)體110中的這種結(jié)構(gòu)也是可能的。供電棒的實(shí)施例利用分布常數(shù)線路的多重并聯(lián)諧振特性的本發(fā)明的高頻濾波器的技巧也能應(yīng)用于上述實(shí)施方式的等離子蝕刻裝置(參照?qǐng)DI)中的用于將匹配單元32和基座(下部電極)12點(diǎn)連接的高頻供電線(34、35)。該高頻供電線(34、35)的內(nèi)導(dǎo)體的供電棒34和外導(dǎo)體的導(dǎo)體罩35彼此構(gòu)成對(duì)地形成同軸線路的分布常數(shù)線路。因而，例如如圖18所示，可以在軸線方向的規(guī)定位置在導(dǎo)體罩35的內(nèi)壁上安裝I個(gè)或多個(gè)環(huán)狀構(gòu)件122。在該情況下，環(huán)狀構(gòu)件122的功能(職責(zé))在于，將來自匹配單元32的高頻HF(RF)以較少的損耗高效地輸送給基座12和等離子體負(fù)載，并且在自等離子體產(chǎn)生的高次諧波或互調(diào)失真的高次諧波進(jìn)入到高頻供電線(34、35)中來時(shí)，有效地阻斷該高次諧波。 _4] 其他實(shí)施方式上述實(shí)施方式涉及的是下述濾波器，即、在對(duì)處理腔室10內(nèi)的基座12重疊地施加等離子體產(chǎn)生用的第一高頻HF和離子引導(dǎo)用的第二高頻RF的下部雙頻施加方式的電容耦合型等離子蝕刻裝置中、在一對(duì)的加熱供電線100 (I)UOO (2)上使2個(gè)頻率的噪聲減衰的濾波器，上述的一對(duì)加熱供電線將裝入在基座12中的發(fā)熱體14和設(shè)置在處理腔室10的外部的加熱電源58電連接起來。但是，在下述的等離子蝕刻裝置中也可以較佳地直接應(yīng)用上述實(shí)施方式的濾波器，即、對(duì)上部電極64施加等離子體產(chǎn)生用的第一高頻HF、對(duì)基座12施加離子引導(dǎo)用的第二高頻RF的上下部雙頻施加方式的電容耦合型等離子蝕刻裝置、或?qū)?2施加單一的高頻的下部單頻施加方式的電容耦合型等離子蝕刻裝置。另外，本發(fā)明絕不限定于加熱供電線等電源線用的濾波器，也可以應(yīng)用在下述濾波器中，即、將設(shè)置在處理腔室內(nèi)的規(guī)定的電子構(gòu)件和設(shè)置在處理腔室的外部的電力系統(tǒng)或信號(hào)系統(tǒng)的外部電路電連接起來的一對(duì)線路或一條線路上的任意的濾波器。阻斷對(duì)象的高頻噪聲如上所述并不限定于等離子工藝中的高頻噪聲，也可以是自等離子體產(chǎn)生的高次諧波或互調(diào)失真的高次諧波。本發(fā)明并不限定于電容耦合型等離子蝕刻裝置，也可以應(yīng)用在微波等離子蝕刻裝置、電感耦合型等離子蝕刻裝置、螺旋波等離子蝕刻裝置中，此外還能應(yīng)用在等離子CVD (化學(xué)氣相沉淀)、等離子酸化、等離子氮化、濺射處理等的其他等離子處理裝置中。另外，本發(fā)明的被處理基板并不限定于半導(dǎo)體晶圓，也可以是平板顯示器用的各種基板、光掩膜、CD基板、印刷電路板等等。
權(quán)利要求
1.一種等離子處理裝置，該裝置將高頻電源與配置在用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的高頻電極電連接，且在用于將加熱電源和設(shè)置在上述高頻電極的發(fā)熱體電連接的供電線上設(shè)置有濾波器，該濾波器使經(jīng)由上述發(fā)熱體進(jìn)入到該供電線中來的規(guī)定頻率的高頻噪聲衰減或阻止該高頻噪聲， 上述濾波器包括 一個(gè)線圈，其構(gòu)成上述供電線的一部分； 筒形的外導(dǎo)體，其用于收容或包圍上述線圈，且與上述線圈成對(duì)地形成分布常數(shù)線路，該分布常數(shù)線路利用多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振； 并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部，用于將上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的至少一個(gè)頻率錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)節(jié)， 上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對(duì)上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子處理裝置， 從上述處理容器內(nèi)的處理空間側(cè)觀察，上述濾波器配置于上述高頻電極的背后。
3.一種等離子處理裝置，該裝置在用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)配置有用于保持被處理體的第一電極和與該第一電極相對(duì)的第二電極，且將輸出第一高頻的第一高頻電源與上述第一電極電連接，并且將輸出第二高頻的第二高頻電源與上述第一電極或上述第二電極電連接，該裝置在用于將加熱電源和設(shè)置在上述第一電極中的發(fā)熱體電連接的供電線上設(shè)置有濾波器，該濾波器用于使經(jīng)由上述發(fā)熱體進(jìn)入到該供電線中的規(guī)定頻率的高頻噪聲衰減、或阻止該高頻噪聲， 上述濾波器包括一個(gè)線圈，其構(gòu)成上述供電線的一部分； 筒形的外導(dǎo)體，其用于包圍或收容上述線圈，且與上述線圈成對(duì)地形成分布常數(shù)線路，該分布常數(shù)線路利用多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振； 并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部，用于將上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的至少一個(gè)頻率錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)節(jié)， 上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對(duì)上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子處理裝置， 上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述第一高頻和上述第二高頻中的某一個(gè)頻率一致或相近。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子處理裝置， 上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述第一高頻的頻率一致或相近，上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的另一個(gè)頻率與上述第二高頻的頻率一致或相近。
6.根據(jù)權(quán)利要求3 5中的任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部具有一個(gè)或多個(gè)特性阻抗局部可變構(gòu)件，該特性阻抗局部可變構(gòu)件配置在上述線圈與上述外導(dǎo)體之間，且在該特性阻抗局部可變構(gòu)件的各配置位置上使上述分布常數(shù)線路的特性阻抗產(chǎn)生局部性變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子處理裝置， 上述特性阻抗局部可變構(gòu)件使上述分布常數(shù)線路的特性阻抗產(chǎn)生10%以上的變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的等離子處理裝置， 上述特性阻抗局部可變構(gòu)件由以與上述線圈同軸的方式設(shè)置在上述外導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)的環(huán)狀構(gòu)件構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件由導(dǎo)體構(gòu)成，其與上述外導(dǎo)體和上述線圈中的一方電連接，與上述外導(dǎo)體和上述線圈中的另一方絕緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件由電介體構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8 10中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件是在與上述外導(dǎo)體的軸線方向正交的平面上呈圓環(huán)狀地延伸的板體。
12.根據(jù)權(quán)利要求8 11中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 具有環(huán)狀構(gòu)件位置調(diào)節(jié)部，其用于在上述外導(dǎo)體的軸線方向上調(diào)節(jié)上述環(huán)狀構(gòu)件的相對(duì)于上述線圈的相對(duì)位置。
13.根據(jù)權(quán)利要求3 12中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 從上述處理容器內(nèi)的處理空間側(cè)觀察，上述濾波器配置于上述第一電極的背后。
14.根據(jù)權(quán)利要求2或13所述的等離子處理裝置， 并列設(shè)置多個(gè)上述發(fā)熱體，且在方位角方向上隔開均等的距離間隔地配置有多個(gè)上述濾波器，該多個(gè)上述濾波器分別與多個(gè)上述發(fā)熱體對(duì)應(yīng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求I 14中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述供電線包括分別與上述發(fā)熱體的兩端相連接的第一供電導(dǎo)線和第二供電導(dǎo)線； 上述線圈包括構(gòu)成上述第一供電導(dǎo)線的一部分的第一線圈單體、以及構(gòu)成上述第二供電導(dǎo)線的一部分的第二線圈單體； 在上述外導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)，分別構(gòu)成上述第一線圈單體和第二線圈單體的第一線圈導(dǎo)線和第二線圈導(dǎo)線一邊并進(jìn)一邊以大致相等的繞線長(zhǎng)度卷繞成螺旋狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求I 15中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 從上述處理容器側(cè)觀察，上述線圈設(shè)置在上述濾波器的初級(jí)，上述線圈的輸出側(cè)端子經(jīng)由電容器與接地電位的導(dǎo)電性構(gòu)件電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求I 16中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述外導(dǎo)體電氣接地。
18.根據(jù)權(quán)利要求I 17中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述加熱電源利用上述供電線將工業(yè)頻率的交流電或直流電供給上述發(fā)熱體。
19.根據(jù)權(quán)利要求I 18中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 在上述筒形外導(dǎo)體的一個(gè)端面上設(shè)置有供上述供電線通過的開口，該供電線用于將上述線圈和上述發(fā)熱體連接起來， 在上述開口的附近，上述筒形外導(dǎo)體的內(nèi)徑與上述線圈的外徑相同或大于上述線圈的外徑。
20.根據(jù)權(quán)利要求I 19中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述線圈為空芯線圈。
21.一種等離子處理裝置，該裝置從高頻電源經(jīng)由供電棒將高頻施加給用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的高頻電極， 該等離子處理裝置包括 筒形的外導(dǎo)體，其用于包圍上述供電棒，且與上述供電棒成對(duì)地形成分布常數(shù)線路； 一個(gè)或多個(gè)特性阻抗局部可變構(gòu)件，其配置在上述供電棒與上述外導(dǎo)體之間，在該特性阻抗局部可變構(gòu)件的各配置位置上使上述分布常數(shù)線路的特性阻抗產(chǎn)生局部性的變化，從而上述分布常數(shù)線路的阻抗特性對(duì)可能從上述高頻電極側(cè)進(jìn)入到上述供電棒中的規(guī)定頻率的高頻噪聲施加足夠高的阻抗。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子處理裝置， 上述特性阻抗局部可變構(gòu)件使上述分布常數(shù)線路的特性阻抗產(chǎn)生10%以上的變化。
23.根據(jù)權(quán)利要求21或22所述的等離子處理裝置， 上述特性阻抗局部可變構(gòu)件由以與上述供電棒同軸的方式設(shè)置在上述外導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)的環(huán)狀構(gòu)件構(gòu)成。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件由導(dǎo)體構(gòu)成，其與上述外導(dǎo)體和上述供電棒中的一方電連接，與上述外導(dǎo)體和上述供電棒中的另一方電絕緣。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件由電介體構(gòu)成。
26.根據(jù)權(quán)利要求23 25中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件是在與上述外導(dǎo)體的軸線方向正交的平面上呈圓環(huán)狀地延伸的板體。
27.根據(jù)權(quán)利要求23 26中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 該裝置具有環(huán)狀構(gòu)件位置調(diào)節(jié)部，其用于在上述外導(dǎo)體的軸線方向上調(diào)節(jié)上述環(huán)狀構(gòu)件的相對(duì)于上述供電棒的配置位置。
28.根據(jù)權(quán)利要求21 27中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述高頻噪聲是在上述處理容器內(nèi)的等離子體中產(chǎn)生的高次諧波或互調(diào)失真。
29.一種等離子處理裝置，該裝置具有電力系統(tǒng)或信號(hào)系統(tǒng)的外部電路，該外部電路經(jīng)由線路與用于進(jìn)行等離子處理的處理容器內(nèi)的規(guī)定的電子構(gòu)件電連接，對(duì)于從上述電子構(gòu)件朝向上述外部電路地進(jìn)入到上述線路中的具有規(guī)定頻率的高頻噪聲，該裝置利用設(shè)置在上述線路上的濾波器使該高頻噪聲衰減、或者阻止該高頻噪聲， 上述濾波器包括 第一導(dǎo)體，其構(gòu)成上述線路的一個(gè)區(qū)間，且沿固定的軸線以同樣的空間輪廓延伸； 筒形的第二導(dǎo)體，其用于收容或包圍上述第一導(dǎo)體，且與上述第一導(dǎo)體成對(duì)地形成分布常數(shù)線路，該分布常數(shù)線路利用多個(gè)頻率構(gòu)成并聯(lián)諧振， 并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部，其用于將上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的至少一個(gè)頻率錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)節(jié)， 上述多個(gè)并聯(lián)諧振頻率中的一個(gè)頻率與上述高頻噪聲的頻率一致或相近，由此對(duì)上述高頻噪聲的頻率施加足夠高的阻抗。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的等離子處理裝置， 上述并聯(lián)諧振頻率調(diào)節(jié)部具有一個(gè)或多個(gè)特性阻抗局部可變構(gòu)件，該特性阻抗局部可變構(gòu)件配置在上述第一導(dǎo)體與上述第二導(dǎo)體之間，且在該構(gòu)件的各配置位置上使上述分布常數(shù)線路的特性阻抗產(chǎn)生局部性變化。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的等離子處理裝置， 上述特性阻抗局部可變構(gòu)件使上述分布常數(shù)線路的特性阻抗產(chǎn)生10%以上的變化。
32.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的等離子處理裝置， 上述特性阻抗局部可變構(gòu)件由以與上述第一導(dǎo)體同軸的方式設(shè)置在上述第二導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)的環(huán)狀構(gòu)件構(gòu)成。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件由導(dǎo)體構(gòu)成，其與上述第一導(dǎo)體和上述第二導(dǎo)體中的一方電連接，與上述第一導(dǎo)體和上述第二導(dǎo)體中的另一方電絕緣。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件由電介體構(gòu)成。
35.根據(jù)權(quán)利要求32 34中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述環(huán)狀構(gòu)件是在與上述第二導(dǎo)體的軸線方向正交的平面上呈圓環(huán)狀地延伸的板體。
36.根據(jù)權(quán)利要求32 35中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 該裝置具有環(huán)狀構(gòu)件位置調(diào)節(jié)部，其用于在上述第二導(dǎo)體的軸線方向上調(diào)節(jié)上述環(huán)狀構(gòu)件的相對(duì)于上述第一導(dǎo)體的相對(duì)位置。
37.根據(jù)權(quán)利要求29 36中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 從上述處理容器側(cè)觀察，上述第一導(dǎo)體設(shè)置在上述濾波器的初級(jí)，上述第一導(dǎo)體的輸出側(cè)端子經(jīng)由電容器與接地電位的導(dǎo)電性構(gòu)件電連接。
38.根據(jù)權(quán)利要求29 37中任意一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述第二導(dǎo)體電氣接地。
39.根據(jù)權(quán)利要求29 38中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 從上述外部電路經(jīng)由上述線路將工業(yè)頻率的交流電或直流電供給上述電子構(gòu)件。
40.根據(jù)權(quán)利要求29 39中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 在上述筒形的第二導(dǎo)體的一個(gè)端面上設(shè)置有供上述線路通過的開口，該線路用于將上述第一導(dǎo)體和上述電子構(gòu)件連接起來， 在上述開口的附近，上述第二導(dǎo)體的內(nèi)徑與上述第一導(dǎo)體的外徑相同或比上述第一導(dǎo)體的外徑大。
41.根據(jù)權(quán)利要求29 40中任一項(xiàng)所述的等離子處理裝置， 上述第一導(dǎo)體為線圈。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的等離子處理裝置， 上述線圈為空芯線圈。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子處理裝置。該裝置對(duì)于從處理容器內(nèi)的高頻電極和其他電子構(gòu)件進(jìn)入到供電線、信號(hào)線等線路中來的高頻噪聲，能夠?qū)⒉⒙?lián)諧振頻率任意錯(cuò)開地進(jìn)行調(diào)整，從而能夠高效且穩(wěn)定可靠地阻斷不同頻率的高頻噪聲中的所有高頻噪聲。濾波器(102(1))在圓筒形的外導(dǎo)體(110)中，與該外導(dǎo)體(110)同軸地收容有線圈(104(1))，在線圈(104(1))與外導(dǎo)體(110)之間與該線圈(104(1))和外導(dǎo)體(110)同軸地設(shè)置有環(huán)狀構(gòu)件(122)。優(yōu)選環(huán)狀構(gòu)件(122)是在與外導(dǎo)體(110)的軸線方向正交的平面上呈圓環(huán)狀地延伸的板體，優(yōu)選環(huán)狀構(gòu)件(122)由銅、鋁等導(dǎo)體構(gòu)成，且與外導(dǎo)體(110)電連接而與線圈(104(1))電絕緣。
文檔編號(hào)H05H1/46GK102832095SQ20121031161
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月24日
發(fā)明者山澤陽平, 松本直樹, 巖崎征英, 奧西直彥 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社