專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)。更具體地，本發(fā)明涉及一種具有實現高效率的結構的PDP。
背景技術：
通常，等離子體顯示板(PDP)是這樣一種顯示裝置，其利用通過氣體放電獲得的等離子體發(fā)射的真空紫外線(VUV)激發(fā)熒光體且通過由激發(fā)的熒光體產生的可見光顯示所需的圖像。由于PDP允許具有高分辨率的寬屏幕，它已經作為下一代平板顯示器而被成為關注焦點。
三電極表面放電PDP是普通PDP的例子。在三電極表面放電PDP中，在前基板上成對地形成顯示電極，且在與前基板隔開的后基板上形成尋址電極。通過阻擋肋分割前基板與后基板之間的空間從而形成多個放電單元。在放電單元中形成熒光層且其中包含放電氣體。
由尋址電極與顯示電極之一之間的尋址放電決定放電單元是否放電或不放電。由在相同平面上形成的顯示電極實現其中實際顯示圖像的維持放電。即，在這種PDP中，尋址放電作為相對的放電而實現，且維持放電作為表面放電而實現。
這種PDP通過幾個階段的放電顯示圖像，其中每個階段的效率并不理想，從而顯著降低了發(fā)光效率。更具體地，由于維持放電作為表面放電而實現，因此比在相對放電的情況下需要更高的電壓。
PDP的效率定義為發(fā)光與功耗之比。因此，為了提高PDP的發(fā)光效率，必需減少功耗或必需增加發(fā)光。增加發(fā)光一般涉及電流消耗的增加。然而，當提供給PDP的電流或電壓增加時，通常會減小效率，此外，由于必需使用昂貴的元件，因此增加了配備有PDP的顯示裝置的生產成本。
減輕功耗(具體說是減少所提供的電壓)通常被視為提高發(fā)光效率和改進PDP的制造特征的有效途經。
在這部分披露的上述信息僅用于增加對本發(fā)明背景的理解，且可以包括已為本國本領域普通技術人員所知但未形成現有技術的信息。

發(fā)明內容
做出本發(fā)明是為了提供一種等離子體顯示板，該等離子體顯示板通過利用短的放電間隙在相對的放電機構中觸發(fā)(firing)放電以減小放電觸發(fā)電壓(firing voltage)，且通過增大用于維持放電的放電間隙，從而具有提高的效率。
根據本發(fā)明的示范性等離子體顯示板(PDP)包括彼此相對設置并在其間界定空間的第一和第二基板，所述空間被分隔成至少一個放電單元；在至少一個放電單元中設置的熒光層；在第一和第二基板之間的空間中沿著第一方向設置的尋址電極；以及與尋址電極電絕緣的第一和第二電極，在第一和第二基板之間的空間中的至少一個放電單元的每個的相對側沿著與第一方向相交的第二方向設置。第一和第二電極的至少一個包括彼此分開的多個電極部分。
優(yōu)選地，在垂直于第一基板的第三方向中設置多個電極部分。優(yōu)選地多個電極部分包括在第三方向中對應于尋址電極的位置設置的放電觸發(fā)電極部分，以及在放電觸發(fā)電極部分與第一基板之間或在放電觸發(fā)電極部分與第二基板之間設置的至少一個維持電極部分。優(yōu)選地，在放電觸發(fā)電極部分的位置的第一和第二電極之間的距離比在維持電極部分的位置的第一和第二電極之間的距離小。
優(yōu)選地，放電觸發(fā)電極部分比維持電極部分更進一步地向每個放電單元的內部突出。
優(yōu)選地，至少一個維持電極部分包括在放電觸發(fā)電極部分與第一基板之間或在放電觸發(fā)電極部分與第二基板之間設置的多個維持電極部分；且優(yōu)選地多個電極部分，從鄰近第一基板或第二基板的維持電極部分到放電觸發(fā)電極部分以階梯的方式越來越深地向對應其的放電單元的內部突出。
放電觸發(fā)電極部分優(yōu)選包括浮置電極。
所述至少一個維持電極部分優(yōu)選沿著第二方向延長。所述至少一個維持電極部分優(yōu)選設置成條形圖案或包括向每個放電單元的內部突出的突出部分。所述至少一個維持電極部分優(yōu)選包括與面對放電觸發(fā)電極部分的第一側以及與第一側相對的第二側；每個放電單元中的所述至少一個維持電極部分優(yōu)選地從第二側到第一側逐漸地向每個放電單元的內部突出。優(yōu)選地，在放電觸發(fā)電極部分與第一基板之間設置所述至少一個維持電極部分；且與第二基板面對設置放電觸發(fā)電極部分。優(yōu)選地，在放電觸發(fā)電極部分與第二基板之間設置所述至少一個維持電極部分；且與第一基板面對設置放電觸發(fā)電極部分。所述至少一個維持電極部分優(yōu)選分別設置在放電觸發(fā)電極部分與第一基板之間和放電觸發(fā)電極部分與第二基板之間。
尋址電極、第一電極和第二電極優(yōu)選被至少一個介質層覆蓋。
優(yōu)選地等離子體顯示板進一步包括鄰近第一基板設置且在第一基板一側分隔第一放電單元的第一阻擋肋層，以及鄰近第二基板設置且在第二基板一側分隔第二放電單元的第二阻擋肋層。優(yōu)選地第一和第二放電單元共同定義一個有效放電單元，且優(yōu)選地在第一和第二阻擋肋層之間設置尋址電極及第一和第二電極。尋址電極優(yōu)選被沿著第二方向相鄰的放電單元共享。優(yōu)選地，尋址電極包括向相鄰放電單元之一的內部突出的突出部分。
優(yōu)選地，每個第一電極的放電觸發(fā)電極部分和第二電極的放電觸發(fā)電極部分向對應其的放電單元的內部突出，且優(yōu)選地，尋址電極的突出部分向第一電極的放電觸發(fā)電極部分與第二電極的放電觸發(fā)電極部分之間的位置突出。
優(yōu)選地，將電壓提供給所述多個電極部分的至少一個。
優(yōu)選地，第一和第二電極的至少一個包括在第三方向中對應于尋址電極的位置設置的放電觸發(fā)電極部分，以及在放電觸發(fā)電極部分與第一基板之間或在放電觸發(fā)電極部分與第二基板之間設置的至少一個維持電極部分。所述至少一個維持電極部分和放電觸發(fā)電極部分優(yōu)選具有相同的電勢或所述至少一個維持電極部分的電勢優(yōu)選比放電觸發(fā)電極部分的電勢高。
優(yōu)選地，所述多個電極部分的至少一個包括浮置電極。
這種示范性的PDP可以在低電壓下被驅動，從而實現高效率。從而，可以將更少昂貴的元件應用到PDP以實現相同質量的水平，因此可以減少生產成本。


通過結合附圖考慮，參考以下詳細描述，隨著本發(fā)明更好地被理解，其更完整的理解及許多附帶優(yōu)勢將更加明了，附圖中相似的參考符號表示相同或相似的元件，其中圖1是根據本發(fā)明第一示范性實施例的等離子體顯示板(PDP)的部分分解透視圖。
圖2是根據本發(fā)明第一示范性實施例的對應于PDP中每個放電單元的電極排列的部分透視圖。
圖3是沿著圖1中III-III線截取的組裝后的PDP的部分截面圖。
圖4是沿著圖1中IV-IV線截取的組裝后的PDP的部分截面圖。
圖5是根據本發(fā)明第二示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖6是根據本發(fā)明第三示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖7是根據本發(fā)明第四示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖8是根據本發(fā)明第五示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖9是根據本發(fā)明第六示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖10是根據本發(fā)明第七示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖11是根據本發(fā)明第八示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖12是根據本發(fā)明第九示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖13是根據本發(fā)明第十示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
圖14是根據本發(fā)明第十一示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
具體實施例方式
圖1是根據本發(fā)明第一示范性實施例的等離子體顯示板(PDP)的部分分解透視圖。
參考圖1，根據本發(fā)明示范性實施例的PDP包括彼此相對分開設置的第一基板10(以下稱為“后基板”)和第二基板20(以下稱為“前基板”)。通過阻擋肋16和26將后基板10與前基板20之間的空間分隔成多個放電單元38。在放電單元38中形成吸收真空紫外線(VUV)和發(fā)射可見光的熒光層19和29，且放電單元38內包含放電氣體(例如，氙(Xe)、氖(Ne)等的混合氣體)。
該阻擋肋16和26包括在后基板10上形成并向前基板20突出的第一阻擋肋16(以下稱為“后板阻擋肋”)，以及在前基板20上形成并向后基板10突出的第二阻擋肋26(以下稱為“前板阻擋肋”)。
在本示范性實施例中，在后基板10上形成的后板阻擋肋16包括沿著第一方向(圖中y軸方向)形成的第一阻擋肋構件16a，以及沿著與第一方向相交的第二方向(圖中x軸方向)形成的第二阻擋肋構件16b。從而，后板放電單元18具有在后基板10上形成的獨立的放電空間。
在前基板20上形成的前板阻擋肋26包括第三阻擋肋構件26a，以對應于第一阻擋肋構件16a的形狀向后基板10突出；以及第四阻擋肋構件26b，以對應于第二阻擋肋構件16b的形狀向后基板10突出。從而，在前基板20上形成對應于后板放電單元18的前板放電單元28。
在本示范性實施例中，后板阻擋肋和前板阻擋肋分別包括彼此相交的阻擋肋構件。然而，本發(fā)明不局限于此。相反，根據本發(fā)明也可以使用阻擋肋的多種方案(例如條形圖案，其中阻擋肋沿著一個方向延長)。此外，將稍后描述的介質層13和14可以起到分隔放電單元38的作用，因而，不是始終必需后板阻擋肋和前板阻擋肋的。
一個后板放電單元18和一個對應于它的前板放電單元28形成一個有效放電單元38。
在這種后板放電單元18和前板放電單元28中分別形成第一熒光層19和第二熒光層29。第一熒光層19形成于后板阻擋肋16的阻擋肋構件16a和16b的橫側面上以及被阻擋肋構件16a和16b圍繞的后基板10上。第二熒光層29形成于前板阻擋肋26的阻擋肋構件26a和26b的橫側面上以及被阻擋肋構件26a和26b環(huán)繞的前基板20上。
在后板放電單元18和前板放電單元28中的第一熒光層19和第二熒光層29分別吸收真空紫外線(VUV)并向前基板20發(fā)射可見光。由于通過第二熒光層29透射可見光，因此第二熒光層29優(yōu)選可以形成得比第一熒光層19薄，從而減小可見光的損耗。因此，在這種情況下，可以最大限度地利用VUV光線且可以提高發(fā)光效率。
如上所述，由于后板和前板放電單元18和28形成一個有效放電單元38，因此可以配置每個放電單元38中形成的第一和第二熒光層19和29以通過由氣體放電產生的VUV光線的入射而發(fā)出相同顏色的可見光。
根據本示范性實施例，由于發(fā)射可見光的熒光層19和29形成于一個有效放電單元38的兩個側面上，因此可以增強亮度。
通過在后基板10和在其上的后板阻擋肋16上形成介質層后在介質層(未示出)上涂布熒光體可以形成在后板放電單元18中形成的第一熒光層19。或者，無需在后基板上形成介質層而是在其上形成后板阻擋肋16后即可通過在后基板10上涂布熒光體形成第一熒光層19。
以同樣的方式，通過在前基板20和在其上的前板阻擋肋26上形成介質層后在介質層(未示出)上涂布熒光體可以形成在前板放電單元28中形成的第二熒光層29?；蛘?，無需在前基板20上形成介質層而是在其上形成前板阻擋肋26后通過在前基板20的表面上涂布熒光體即可形成第二熒光層29。
真空紫外線(VUV)入射到第一熒光層19和第二熒光層29上并通過等離子體放電轉換成可見光。為了產生這種等離子體放電，在后基板10與前基板20之間，對應于放電單元38提供尋址電極12、第一電極30(以下稱為“維持電極”)、及第二電極40(以下稱為“掃描電極”)。
通過掃描電極40與尋址電極12之間的尋址放電在尋址周期內從放電單元38中挑選開啟放電單元(即，將要被開啟的放電單元)。通過維持電極30和掃描電極40在維持周期內表達所需的亮度。然而，由于電極可以通過它們的信號電壓起到不同作用，因此本發(fā)明不局限于此。
在本示范性實施例中，尋址電極12沿著第一方向在第一阻擋肋構件16a與第三阻擋肋構件26a之間延長。
此外，維持電極30和掃描電極40與尋址電極12電絕緣且沿著第二方向在第二阻擋肋構件16b與第四阻擋肋構件26b之間形成。維持電極30和掃描電極40位于放電單元38的相對側且彼此面對。從而，維持放電可以作為相對放電而實現，這樣就可以降低用于維持放電的放電觸發(fā)電壓。
在本示范性實施例中，由于在放電單元38的橫側面提供維持電極30和掃描電極40且最低程度地干擾所表達的圖像，因此維持電極30和掃描電極40形成為具有高電導率的金屬電極。
維持電極30和掃描電極40可以如此設置，使得相對于在第一方向中連續(xù)地設置的放電單元38可以重復維持電極30、掃描電極40、維持電極30，及掃描電極40的順序。作為選擇，可以如此設置它們，使得能夠重復維持電極30、掃描電極40、掃描電極40，以及維持電極30的順序。
盡管將圖中所示維持電極30和掃描電極40獨立提供到每個放電單元38，但本發(fā)明不局限于此。可以形成兩個電極的至少一個以被第一方向中的一對相鄰放電單元共享。
在本示范性實施例中，在與后基板10垂直的第三方向中(圖中z-軸方向)設置的多個電極部分形成這種維持電極30和掃描電極40。稍后參考圖2到圖4更詳細地描述這種電極部分。
介質層13和14分別形成于維持電極30和掃描電極40的電極部分之間以及尋址電極12、維持電極30、掃描電極40的外部。
更詳細地，介質層14圍繞(enclose)尋址電極12且沿著第一方向形成。介質層13圍繞維持電極30或掃描電極40且沿著第二方向形成。該介質層13和14使電極12、30和40與等離子體放電形成的壁電荷累積(accumulation)之間能夠絕緣。
在暴露于放電單元38中產生的等離子體放電的部分介質層13和14的表面上(即，介質層13和14的橫側面)可以形成保護層15。該保護層15保護介質層13和14免受等離子體放電電離的離子碰撞，且發(fā)出二次電子。
在本示范性實施例中，保護層15在放電單元38的橫側面形成，從而可以由相對于可見光不透明的材料形成。在這種情況下，保護層15可以由不透明的MgO形成。這種不透明MgO具有比透明MgO更高的二次電子發(fā)射系數，從而可以進一步降低放電觸發(fā)電壓。
參考圖2到圖4詳細描述維持電極30、掃描電極40的電極部分和尋址電極12。
圖2是根據本發(fā)明第一示范性實施例的對應于PDP中每個放電單元的電極排列的部分透視圖。圖3是沿著圖1中III-III線截取的組裝后的PDP的部分截面圖。圖4是沿著圖1中IV-IV線截取的組裝后的PDP的部分截面圖。
如上所述，在后板阻擋肋16與前板阻擋肋26之間，維持電極30和掃描電極40包括通過介質層13分開且沿第三方向設置的多個電極部分31、33、41和43，如圖2和圖3所示。
在多個電極部分31、33、41和43中，放電觸發(fā)電極部分31和41在第三方向上位于對應于尋址電極12的位置。至少一個維持電極部分33位于放電觸發(fā)電極部分31與后板阻擋肋16之間以及放電觸發(fā)電極部分31與前板阻擋肋26之間。至少一個維持電極部分43位于放電觸發(fā)電極部分41與前板阻擋肋16之間以及放電觸發(fā)電極部分41與前板阻擋肋26之間。
該放電觸發(fā)電極部分31和41表示利用短的放電間隙觸發(fā)放電的電極部分。維持電極部分33和43表示除了放電觸發(fā)電極部分31和41以外的電極部分。放電觸發(fā)電極部分31和41也起到維持所觸發(fā)的放電的作用，也能起到觸發(fā)放電的作用。
在本發(fā)明中不限制放電觸發(fā)電極部分和維持電極部分的數量。即使提供至少一個放電觸發(fā)電極部分和至少一個維持電極部分也能夠滿足。
在本示范性實施例中，以向各個放電單元38突出的長方體的形狀形成放電觸發(fā)電極部分31和41。此外，放電觸發(fā)電極部分31和41獨立形成于每個放電單元38，從而它們不干擾在第三方向中的對應位置形成的尋址電極12。
此外，維持電極部分33和43沿著第二方向延長。維持電極30的維持電極部分33包括第一維持電極部分34、第二維持電極部分35、第三維持電極部分36，以及第四維持電極部分37。同樣，掃描電極40的維持電極部分43包括第一維持電極部分44、第二維持電極部分45、第三維持電極部分46，以及第四維持電極部分47。
在放電觸發(fā)電極部分31與前基板20(更詳細地說，前板阻擋肋26)之間設置各第一維持電極部分34和第二維持電極部分35之一。在放電觸發(fā)電極部分41與前基板20(更詳細地說，前板阻擋肋26)之間設置各第一維持電極部分44和第二維持電極部分45之一。在這種情況下，第一維持電極部分34和44接近于前板阻擋肋26，且第二維持電極部分35和45接近于放電觸發(fā)電極部分31和41。
此外，在放電觸發(fā)電極部分31與后基板10(更詳細地說，后板阻擋肋16)之間分別設置第三維持電極部分36和第四維持電極部分37。在放電觸發(fā)電極部分41與后基板10(更詳細地說，后板阻擋肋16)之間分別設置各第三維持電極部分46和第四維持電極部分47。在這種情況下，第三維持電極部分36和46接近于放電觸發(fā)電極部分31和41，且第四維持電極部分37和47接近于后板阻擋肋16。
在本示范性實施例中，以條形圖案形成接近于前板阻擋肋26和后板阻擋肋16的第一維持電極部分34和44及第四維持電極部分37和47。以向放電單元38的內部突出的長方體形狀提供具有突出部分35a、36a、45a和46a的第二維持電極部分35和45以及第三維持電極部分36和46，該第二維持電極部分35和45以及第三維持電極部分36和46接近于放電觸發(fā)電極部分31和41。在本示范性實施例中，放電觸發(fā)電極部分31和41向放電單元38的內部突出的距離比第二維持電極部分35和45及第三維持電極部分36和46的突出部分35a、36a、45a和46a大。
即，在本示范性實施例中，電極部分31和33以階梯的形式從接近于前板阻擋肋26和后板阻擋肋16的第一和第四維持電極部分34和37到放電觸發(fā)電極部分31越來越深的向放電單元38的內部突出。電極部分41和43以階梯的形式從接近于前板阻擋肋26和后板阻擋肋16的第一和第四維持電極部分44和47到放電觸發(fā)電極部分41越來越深地向放電單元38的內部突出。
因此，如圖3所示，所形成的維持電極30與掃描電極40之間的距離在維持電極30的放電觸發(fā)電極部分31與掃描電極40的放電觸發(fā)電極部分41之間比在維持電極30的維持電極部分33與掃描電極40的維持電極部分43之間的短。因此，在掃描電極40與維持電極30之間產生的維持放電在放電觸發(fā)電極部分31和41之間的短間隙處觸發(fā)，然后在維持電極部分33和43之間的長間隙處產生主放電。即，由于放電在短間隙處觸發(fā)而降低放電觸發(fā)電壓，同時，由于主放電在長間隙處維持而提高放電效率。
此外，放電間隙從放電觸發(fā)電極部分31和41之間到后板阻擋肋16或前板阻擋肋26以階梯的形式增大，因此獲得放電的穩(wěn)定性。
此外，參考圖4，尋址電極12被第二方向中相鄰的放電單元38共享。尋址電極12配有突出部分12a，該突出部分12a向相鄰的放電單元38中的一個放電單元的內部突出，從而能夠選擇一個放電單元。這種尋址電極12的突出部分12a向維持電極30的放電觸發(fā)電極部分31與掃描電極40的放電觸發(fā)電極部分41之間突出。
在該對相鄰放電單元中的放電單元38的尋址放電中涉及到尋址電極12的突出部分12a，突出部分12a可以通過減小到掃描電極40的距離來減少尋址電極的放電觸發(fā)電壓。此外，通過減小對尋址放電貢獻很小的部分也可以減少PDP的無功功率。
在本示范性實施例中，由于在尋址電極12與掃描電極40之間不形成熒光層，因此用于觸發(fā)尋址放電的放電觸發(fā)電壓可以變得均勻，而與用于綠(G)、紅(R)和藍(B)色的放電單元無關。
在本示范性實施例中，通過獨立地制作尋址電極12、維持電極30、掃描電極40及介質層13和14，然后使它們與形成有后板阻擋肋16的后基板10組合，可以制作這種結構的電極12、30和40。
更詳細地說，通過交替和依次形成電極層和介質層以形成由介質層分開的多個電極部分，然后通過蝕刻介質層以形成放電空間，可以制作圍繞電極12、30和40的介質層13和14。在形成放電觸發(fā)電極部分31和41的過程中也形成尋址電極12。
在本示范性實施例中，由介質層13分開的多個電極部分31、33、41和43形成維持電極30和掃描電極40。因此，通過上述簡單的過程，電極30和40可以制作成相對的放電結構，實現短間隙放電和長間隙放電。
為了在根據本發(fā)明示范性實施例的PDP上實現所需的圖像，將電壓提供給維持電極30和掃描電極40中的所有或僅僅一些維持電極部分33和43。即使僅僅向一些電極部分施加電壓，也可以通過電容耦合在每個電極部分形成放電必需的電勢。即，放電必需的電勢形成于放電觸發(fā)電極部分31和41，該放電觸發(fā)電極部分31和41在每個放電單元38中分開從而形成浮置電極。考慮到放電的穩(wěn)定性，優(yōu)選地，提供給維持電極部分33和43的電勢大于或等于提供到放電觸發(fā)電極部分31和41的電勢。
在上文的描述中，已經描述了分別形成為多個電極部分的維持電極30和掃描電極40。然而，本發(fā)明不局限于此。在維持電極30和掃描電極40中的至少一個電極可以由單電極部分制成。
在下文中，參考附圖詳細描述根據本發(fā)明第二到第十一示范性實施例的PDP。根據本發(fā)明第二到第十一示范性實施例的PDP與根據第一示范性實施例的PDP相似。在用于多種實施例的圖中，類似的參考數字指示類似的元件，且在以下描述中僅僅突出實施例之間的差異。
圖5是根據本發(fā)明第二示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
在本示范性實施例中，維持電極50包括放電觸發(fā)電極部分51和維持電極部分53。該放電觸發(fā)電極部分51對應于尋址電極12設置。維持電極部分53設置在放電觸發(fā)電極部分51與前板阻擋肋26之間以及在放電觸發(fā)電極部分51與后板阻擋肋16之間。掃描電極55包括放電觸發(fā)電極部分56和維持電極部分58。該放電觸發(fā)電極部分56對應于尋址電極12設置。維持電極部分58設置在放電觸發(fā)電極部分53與前板阻擋肋26之間以及放電觸發(fā)電極部分53與后板阻擋肋16之間。
在本示范性實施例中，沿著第一方向(圖中y-軸方向)測量的維持電極部分53和58的長度從面對放電觸發(fā)電極部分51和56的第一側到與第一側相對的第二側逐漸縮短。即，維持電極部分53和58向放電單元38的內部以逐漸的方式從第二側向第一側凸出。
因此，維持電極50與掃描電極55之間的放電間隙從放電觸發(fā)電極部分51和56到維持電極部分53和58逐漸增加。從而，維持電極50與掃描電極55之間的放電間隙從短間隙到長間隙逐漸地增加，因而放電可以容易地擴散，從而提高放電的穩(wěn)定性。
圖6是根據本發(fā)明第三示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
參考圖6，根據本示范性實施例的維持電極60和掃描電極70包括放電觸發(fā)電極部分61和71及維持電極部分63和73。在本示范性實施例中，在放電觸發(fā)電極部分61和71與前板阻擋肋26之間分別設置的維持電極部分64和74的數量不同于在放電觸發(fā)電極部分61和71與后板阻擋肋16之間分別設置的維持電極部分65、66、75和76的數量。
作為例子，根據本示范性實施例，在放電觸發(fā)電極部分61和71與前板阻擋肋26之間分別設置單個維持電極部分64和74。此外，在放電觸發(fā)電極部分61和71與后板阻擋肋16之間分別設置成對的維持電極部分65和66及維持電極部分75和76。然而，應當理解的是本發(fā)明不局限于這些特定的數量。
圖7是根據本發(fā)明第四示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
參考圖7，在根據本示范性實施例的維持電極80和掃描電極85中，放電觸發(fā)電極部分81和86及尋址電極12面對后基板10形成，且在放電觸發(fā)電極部分81和86與前板阻擋肋26之間設置維持電極部分83和88。在本示范性實施例中，在放電觸發(fā)電極部分與前板阻擋肋之間設置單個維持電極部分。然而，應當理解的是本發(fā)明不限于此。
圖8是根據本發(fā)明第五示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
參考圖8，在根據本示范性實施例的維持電極90和掃描電極95中，放電觸發(fā)電極部分91和96及尋址電極12面對前基板20形成，且在放電觸發(fā)電極部分91和96與后板阻擋肋16之間設置維持電極部分93和98。應當理解的是維持電極部分的數量在本發(fā)明中不受限制，相反，它可以具有多種值。
圖9是根據本發(fā)明第六示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
參考圖9，根據本示范性實施例，介質層100在覆蓋形成維持電極30的電極部分31和33的表面100a以及在覆蓋形成掃描電極40的電極部分41和43的表面100a處形成彎曲的表面。在本示范性實施例中，介質層100在相對的表面100a處具有彎曲的表面。然而，應當理解的是本發(fā)明不限于此，相反，可以以多種形狀形成介質層以形成放電空間。
圖10是根據本發(fā)明第七示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。
參考圖10，根據本示范性實施例，后板阻擋肋116包括第一和第二阻擋肋構件116a和116b，該后板阻擋肋116與后基板110一體地形成且以相同材料形成。此外，前板阻擋肋126包括第三和第四阻擋肋構件126a和126b，該前板阻擋肋126與前基板120一體地形成且以相同材料形成。通過蝕刻例如玻璃基板可以實現這種結構，以形成對應于后板放電單元118和前板放電單元128的形狀。通過將后板阻擋肋116與后基板110以及前板阻擋肋126與前基板120一體地形成，可以簡化PDP的制作過程且可以減少生產成本。
圖11到圖14是根據本發(fā)明第八到第十一示范性實施例的PDP的部分橫截面圖。根據第八到第十一示范性實施例，以多種形狀和尺寸形成其電極和突出部分。
參考圖11，根據本發(fā)明第八示范性實施例，掃描電極102的放電觸發(fā)電極部分102a比維持電極101的放電觸發(fā)電極部分101a更多地向放電單元38的內部突出。即，在第一方向中(圖中y-軸方向)測量的掃描電極102的放電觸發(fā)電極部分102a的長度(t2)比在第一方向中測量的維持電極101的放電觸發(fā)電極部分101a的長度(t1)長。從而，尋址電極12和掃描電極102的放電觸發(fā)電極部分102a可以以較寬區(qū)域彼此面對，因此可以進一步減少用于尋址放電的放電觸發(fā)電壓。
參考圖12，根發(fā)本發(fā)明的第九示范性實施例，在第二方向中(圖中的x-軸方向)測量的掃描電極104的放電觸發(fā)電極部分104a的寬度(t4)比在第二方向中測量的維持電極103的放電觸發(fā)電極部分103a的寬度(t3)大。從而，在尋址電極12與掃描電極104之間可以更容易地產生尋址放電。
參考圖13，根據本發(fā)明的第十示范性實施例，在偏向(biased toward)尋址電極12的位置形成維持電極105的放電觸發(fā)電極部分105a和掃描電極106的放電觸發(fā)電極部分106a。
參考圖14，根據本發(fā)明的第十一示范性實施例，與其他的示范性實施例相比尋址電極112的突出部分112a突出較少。此外，與其他的示范性實施例相比維持電極107的放電觸發(fā)電極部分107a和掃描電極108的放電觸發(fā)電極部分108a突出較多。
盡管已經聯系目前所認為的實際示范性實施例對本發(fā)明進行了描述，但是應當理解的是本發(fā)明不局限于披露的實施例，相反，可以覆蓋對權利要求的精神和范圍中包含的等價物配置做出的多種更改。
權利要求
1.一種等離子體顯示板，包括第一和第二基板，彼此相對設置，且在其間界定空間，所述空間被分隔成至少一個放電單元；在所述至少一個放電單元中設置的熒光層；在所述第一和第二基板之間的所述空間中沿第一方向設置的尋址電極；以及與所述尋址電極電絕緣的第一和第二電極，在所述第一和第二基板之間的所述空間中的所述至少一個放電單元的每個的相對側沿著與所述第一方向相交的第二方向設置；其中所述第一和第二電極的至少一個包括多個彼此分開的電極部分。
2.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中在與所述第一基板垂直的第三方向中設置所述多個電極部分。
3.如權利要求2所述的等離子體顯示板，其中所述多個電極部分包括在所述第三方向中對應于所述尋址電極的位置設置的放電觸發(fā)電極部分；以及在所述放電觸發(fā)電極部分與所述第一基板之間或在所述放電觸發(fā)電極部分與所述第二基板之間設置的至少一個維持電極部分；其中在所述放電觸發(fā)電極部分的位置的所述第一和第二電極之間的距離小于在所述維持電極部分的位置的所述第一和第二電極之間的距離。
4.如權利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述放電觸發(fā)電極部分比所述維持電極部分更進一步地向每個放電單元的內部突出。
5.如權利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述至少一個維持電極部分包括在所述放電觸發(fā)電極部分與所述第一基板之間或所述放電觸發(fā)電極部分與所述第二基板之間設置的多個維持電極部分；以及所述多個電極部分從鄰近所述第一基板或所述第二基板的所述維持電極部分到所述放電觸發(fā)電極部分以階梯的方式越來越深地向對應其的放電單元的所述內部突出。
6.如權利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述放電觸發(fā)電極部分包括浮置電極。
7.如權利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述至少一個維持電極部分沿著所述第二方向延長。
8.如權利要求7所述的等離子體顯示板，其中所述至少一個維持電極部分設置成條形圖案，或包括向所述每個放電單元的內部突出的突出部分。
9.如權利要求7所述的等離子體顯示板，其中所述至少一個維持電極部分包括與面對所述放電觸發(fā)電極部分的第一側以及與所述第一側相對的第二側；且在每個放電單元中的所述至少一個維持電極部分從所述第二側到所述第一側逐漸地向所述每個放電單元的所述內部突出。
10.如權利要求3所述的等離子體顯示板，其中在所述放電觸發(fā)電極部分與所述第一基板之間設置所述至少一個維持電極部分；且面對所述第二基板設置所述放電觸發(fā)電極部分。
11.如權利要求3所述的等離子體顯示板，其中在所述放電觸發(fā)電極部分與所述第二基板之間設置所述至少一個維持電極部分；且面對所述第一基板設置所述放電觸發(fā)電極部分。
12.如權利要求3所述的等離子體顯示板，其中分別在所述放電觸發(fā)電極部分與所述第一基板之間及所述放電觸發(fā)電極部分與所述第二基板之間設置所述至少一個維持電極部分。
13.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極被至少一個介質層覆蓋。
14.如權利要求1所述的等離子體顯示板，進一步包括鄰近所述第一基板設置且在所述第一基板一側分隔第一放電單元的第一阻擋肋層；以及鄰近所述第二基板設置且在所述第二基板一側分隔第二放電單元的第二阻擋肋層；其中所述第一和第二放電單元共同界定一個有效放電單元；且其中在所述第一和第二阻擋肋層之間設置所述尋址電極及所述第一和第二電極。
15.如權利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極被沿所述第二方向相鄰的放電單元共享。
16.如權利要求15所述的等離子體顯示板，其中所述尋址電極包括向所述相鄰放電單元之一的內部突出的突出部分。
17.如權利要求16所述的等離子體顯示板，其中所述第一電極的所述放電觸發(fā)電極部分和所述第二電極的所述放電觸發(fā)電極部分的每個均向對應其的放電單元的內部突出；且所述尋址電極的所述突出部分向所述第一電極的所述放電觸發(fā)電極部分與所述第二電極的所述放電觸發(fā)電極部分之間的位置突出。
18.如權利要求1所述的等離子體顯示板，其中將電壓提供給所述多個電極部分的至少一個。
19.如權利要求18所述的等離子體顯示板，其中所述第一和第二電極的至少一個包括在第三方向中對應于所述尋址電極的位置設置的放電觸發(fā)電極部分；以及在所述放電觸發(fā)電極部分與所述第一基板之間或在所述放電觸發(fā)電極部分與所述第二基板之間設置的至少一個維持電極部分；其中所述至少一個維持電極部分和所述放電觸發(fā)電極部分具有相同的電勢或所述至少一個維持電極部分具有比所述放電觸發(fā)電極部分高的電勢。
20.如權利要求18所述的等離子體顯示板，其中所述多個電極部分的至少一個包括浮置電極。
全文摘要
一種提高了效率的等離子體顯示板(PDP)包括彼此相對設置且在其間界定空間的第一和第二基板，所述空間被分隔成至少一個放電單元；在至少一個放電單元中設置的熒光層；在第一和第二基板之間的空間中沿著第一方向設置的尋址電極；與尋址電極電絕緣的第一和第二電極，在第一和第二基板之間的空間中的至少一個放電單元的每個的相對側沿著與第一方向相交的第二方向設置。第一和第二電極的至少一個包括彼此分開的多個電極部分。
文檔編號H01J11/28GK1815670SQ20061000364
公開日2006年8月9日 申請日期2006年1月9日 優(yōu)先權日2005年2月4日
發(fā)明者許民, 水田尊久 申請人:三星Sdi株式會社