專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體面板。更具體地講，本發(fā)明涉及一種具有能夠提高亮度和亮室對比度的改善的結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是使用放電來形成圖像的設(shè)備，并在亮度和視角上具有優(yōu)良的顯示性能。在這種PDP中，施加到電極上的DC或AC電壓致使電極之間發(fā)生氣體放電，在氣體放電過程中產(chǎn)生的紫外線激發(fā)磷光體，從而從被激發(fā)的熒光體材料發(fā)出可見光。
根據(jù)氣體放電的類型，PDP可以被分為DC型PDP或AC型PDP。DC型PDP具有所有電極暴露到放電空間中并且電荷直接在電極之間移動的結(jié)構(gòu)。AC型PDP具有至少一個電極被介電層覆蓋并且電荷不直接在相應(yīng)電極之間移動而是通過壁電荷執(zhí)行放電的結(jié)構(gòu)。
作為選擇，PDP可以根據(jù)電極的布置結(jié)構(gòu)而被分為對向放電型PDP或表面放電型PDP。對向放電型PDP具有形成對的兩個維持電極分別形成在下基底和上基底上并且放電發(fā)生在與基底垂直的方向上的結(jié)構(gòu)。表面放電型PDP具有形成對的兩個維持電極分別形成在同一基底上并且放電發(fā)生在與基底平行的方向上的結(jié)構(gòu)。
對向放電型PDP具有高發(fā)光效率，但是也具有熒光體層容易老化的缺點。為此，目前主要使用表面放電型PDP。
圖1和圖2示出普通的表面放電型PDP的構(gòu)造。詳細地，在圖2中，為了更容易理解表面放電型PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，只將PDP的上基底旋轉(zhuǎn)了90度。
參照圖1和圖2，傳統(tǒng)的PDP包彼此面對的下基底10和上基底20。
在下基底10的上表面上，多個尋址電極11以條紋結(jié)構(gòu)布置。尋址電極11被第一介電層12覆蓋。在第一介電層12上，多個障肋13彼此間隔預(yù)定距離地形成，從而防止放電室14之間的電串?dāng)_和光串?dāng)_。放電室14的內(nèi)表面被障肋13分割并被涂覆有預(yù)定厚度的紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)熒光體層15。在放電室14內(nèi)部，充滿放電氣體。放電氣體是通常用于等離子體放電的氖(Ne)氣和少量氙(Xe)氣的混合氣體。
上基底20是可見光可穿過的透明基底，主要由玻璃形成。上基底20與具有障肋13的下基底10結(jié)合。在上基底20的下表面上，形成對并與尋址電極11垂直交叉的維持電極21a和21b布置成條紋結(jié)構(gòu)。維持電極21a和21b由如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，從而可見光可穿過維持電極21a和21b。為了減少維持電極21a和21b的線阻抗，由金屬形成的匯流電極22a和22b以小于維持電極21a和21b的寬度形成在各個維持電極21a和21b的下面。這些維持電極21a和21b以及匯流電極22a和22b被第二介電層23覆蓋。在第二介電層23下面，形成有保護層24。保護層24防止第二介電層23由于等離子體粒子的濺射而受到損壞，并且保護層24發(fā)射二次電子，從而降低放電電壓。保護層24通常由氧化鎂(MgO)形成。同時，多個黑條紋30平行于維持電極21a和21b并彼此間隔預(yù)定的距離地形成在上基底20的上表面上，以防止光從外部進入面板。
如上構(gòu)造的傳統(tǒng)的PDP的操作通常分為尋址放電操作和維持放電操作。尋址放電操作發(fā)生在尋址電極11和維持電極21a和21b中任一個之間，并且在尋址放電過程中，形成壁電荷。由于位于形成壁電荷的放電室14中的維持電極21a和21b之間的電勢差而發(fā)生維持放電。在維持放電過程中，與放電室相應(yīng)的熒光體層15被放電氣體產(chǎn)生的紫外線激發(fā)，從而發(fā)射可見光。當(dāng)可見光通過上基底20時，形成用戶可得到的圖像。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題然而，在如上構(gòu)造的傳統(tǒng)PDP中，當(dāng)外部處于明亮條件下，即，在亮室條件下，外部光被引入放電室14，從而引入的光與放電室14產(chǎn)生的光疊加。結(jié)果，亮室對比度降低，因此PDP的顯示性能降低。
技術(shù)方案本發(fā)明提供一種能夠通過改善上基底的結(jié)構(gòu)來增強亮度和亮室對比度的PDP。
有益效果根據(jù)本發(fā)明實施例的PDP具有下述效果第一，光入射表面的面積大于光出射表面的面積的各個光導(dǎo)件形成在上表面上，從而可將由放電產(chǎn)生的可見光的損失減少，從而增強面板的亮度。
第二，由于外部光遮蔽構(gòu)件形成在光導(dǎo)件之間，所以可防止外部光進入到放電室中，從而增強亮室對比度。
第三，由于光導(dǎo)件制作為寬度小于幾十微米，所以可以在XGA或SXGA級別的分辨率中采用這樣的光導(dǎo)件，從而，能夠?qū)崿F(xiàn)高清晰度圖像


圖1是傳統(tǒng)的PDP的局部剖面透視圖。
圖2是示出圖1的PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的PDP的局部剖面透視圖。
圖4是示出圖3的PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖5是圖3的PDP的變型的截面圖。
圖6是示出圖3的PDP的另一變型的截面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的PDP的局部剖面透視圖。
圖8是示出圖7的PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖9是示出圖7的PDP的變型的截面圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的PDP的局部剖面透視圖。
圖11和圖12是圖10的PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。
最佳實施方式根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板包括下基底和上基底，彼此隔開預(yù)定距離以在它們之間限定多個放電室；多個障肋，置于所述下基底和上基底之間；多個尋址電極，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多個放電電極，在與所述尋址電極交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；熒光體層，形成在所述放電室的內(nèi)壁上，其中所述上基底包括多個光導(dǎo)件，所述光導(dǎo)件與所述多個尋址電極平行地形成，用于聚焦并輸出由放電室通過放電產(chǎn)生的可見光，所述光導(dǎo)件的光入射表面的面積大于其光出射表面的面積。
每個光導(dǎo)件可以與每個放電室對應(yīng)地形成。作為選擇，可以是至少兩個光導(dǎo)件與每個放電室對應(yīng)地形成。每個光導(dǎo)件與兩個或更多放電室對應(yīng)地形成。在這種情況下，優(yōu)選地，每個光導(dǎo)件與三個放電室對應(yīng)地形成，所述三個放電室形成一個單位像素。
優(yōu)選地，上基底包括形成在光導(dǎo)件之間的外部光遮蔽構(gòu)件，用于防止外部光進入到放電室中。外部光遮蔽構(gòu)件可包括用于屏蔽電磁干擾(EMI)的導(dǎo)電膜。
此外，優(yōu)選地，可用防眩(non-glare)材料來處理光導(dǎo)件的出射表面。
障肋可與尋址電極平行地形成。
作為選擇，多個匯流電極可形成在放電電極的下表面上。
第一介電層可形成在下基底的上表面上，以覆蓋尋址電極。第二介電層可形成在上基底的下表面上，以覆蓋放電電極。在這種情況下，優(yōu)選地，在第二介電層的下表面上形成保護層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板包括下基底和上基底，彼此隔開預(yù)定的距離以在它們之間限定多個放電室；多個障肋，置于所述下基底和上基底之間；多個尋址電極，彼此平行地形成在所述下基底的上表面上；多個放電電極，在與尋址電極交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；熒光體層，形成在所述放電室的內(nèi)壁上，其中，所述上基底包括多個導(dǎo)光件，所述導(dǎo)光件形成在與多個尋址電極垂直的方向上，用于會聚并輸出由放電室通過放電形成的可見光，所述光導(dǎo)件的光入射表面的面積大于其光出射表面的面積。
每個光導(dǎo)件可與每個放電室對應(yīng)地形成。作為選擇，可以是至少兩個光導(dǎo)件與每個放電室對應(yīng)地形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板包括下基底和上基底，彼此隔開預(yù)定的距離，以在它們之間限定多個放電室；多個障肋，置于所述下基底和上基底之間；多個尋址電極，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多個放電電極，在與尋址電極交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；熒光體層，形成在所述放電室的內(nèi)壁上，其中，所述上基底包括多個光導(dǎo)件，所述光導(dǎo)件與每個放電室對應(yīng)地形成，以會聚和輸出由放電室通過放電產(chǎn)生的可見光，所述光導(dǎo)件的光入射表面的面積大于其光出射表面的面積。
光導(dǎo)件可為圓錐形或棱錐形。此外，優(yōu)選地，上基底包括形成在光導(dǎo)件之間的外部光遮蔽構(gòu)件，用于防止外部光進入放電室。
發(fā)明的實施例方式現(xiàn)在，將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的PDP的局部剖面透視圖。圖4是示出圖3的PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。
參照圖3和圖4，PDP包括彼此隔開預(yù)定距離的下基底110和上基底130。其中發(fā)生等離子體放電的多個放電室形成在下基底110和上基底130之間。
下基底110優(yōu)選地由玻璃基底形成。多個尋址電極彼此平行地以條紋結(jié)構(gòu)形成在下基底110的上表面上。形成第一介電層112以覆蓋尋址電極111和下基底110。第一介電層112可以通過將介電材料沉積預(yù)定厚度來形成，介電材料優(yōu)選為白色介電材料。
多個障肋113形成在第一介電層112的上表面上，與尋址電極111平行，并與尋址電極111隔開預(yù)定距離。障肋113分隔下基底110和上基底130之間的放電空間，從而限定放電室114。此外，障肋113起到防止相鄰放電室114之間的電串?dāng)_和光串?dāng)_的作用，從而增強色純度。在第一介電層112的上表面上以及形成放電室114的內(nèi)壁的障肋113的側(cè)表面上形成預(yù)定厚度的紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)熒光體層115。優(yōu)選地，通過由等離子體放電產(chǎn)生的紫外線來激發(fā)熒光體層115，從而發(fā)出具有預(yù)定顏色的可見光。放電氣體充滿放電室114的內(nèi)部。優(yōu)選地，放電氣體為氖(Ne)氣和少量的氙(Xe)氣的混合物，該混合氣體通常用于等離子體放電。
上基底130包括多個光導(dǎo)件131，所述光導(dǎo)件131與多個尋址電極111平行地形成，用于會聚并輸出通過放電產(chǎn)生的可見光。每個光導(dǎo)件131與每個放電室114對應(yīng)地形成。每個光導(dǎo)件131被設(shè)計為反射來自其表面的光，并使入射到光入射表面131a的光通過光出射表面131b射出。光導(dǎo)件131具有光入射表面131a，該光入射表面131a的面積最好大于光出射表面131b的面積，從而會聚并輸出在放電室114中產(chǎn)生的可見光。通過在上基底130上設(shè)置具有上述構(gòu)造的光導(dǎo)件131，可減少通過放電產(chǎn)生的可見光的損失，從而增強面板的亮度。此外，由于光導(dǎo)件131可以被制造為寬度小于幾十微米，所以光導(dǎo)件131可以被用于XGA或SXGA級別的分辨率，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高清晰度圖像。
優(yōu)選地，對光導(dǎo)件131的光出射表面131b進行防眩處理，以防止當(dāng)外部光被光導(dǎo)件131的光出射表面131b反射時產(chǎn)生的耀眼現(xiàn)象。
上基底包括外部光遮蔽構(gòu)件132，所述外部光遮蔽構(gòu)件132與尋址電極111平行，并形成在光導(dǎo)件131之間，用于防止外部光進入放電室114。由于外部光遮蔽構(gòu)件132形成在上基底130上除了可見光出射所通過的區(qū)域之外的區(qū)域上，所以與傳統(tǒng)技術(shù)相比，可以更有效地防止外部光進入到放電室114中，從而能夠增強亮室對比度。外部光遮蔽構(gòu)件132可以包括導(dǎo)電膜，用于屏蔽電磁干擾(EMI)。
用于維持放電的第一放電電極121a和第二放電電極121b在與尋址電極111垂直的方向上形成在上基底130的下表面上。優(yōu)選地，第一放電電極121a和第二放電電極121b由透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)制成，從而可透射放電室114中產(chǎn)生的可見光。優(yōu)選地用金屬材料在第一放電電極121a和第二放電電極121b的下表面上形成第一匯流電極122a和第二匯流電極122b。第一匯流電極122a和第二匯流電極122b用于減小第一放電電極121a和第二放電電極121b的線阻抗，并且優(yōu)選地，第一匯流電極122a和第二匯流電極122b的寬度比第一放電電極121a和第二放電電極121b的寬度窄。
第二介電層123形成在上基底130的下表面上，從而覆蓋第一放電電極121a和第二放電電極121b以及第一匯流電極122a和第二匯流電極122b。優(yōu)選地，可以通過在上基底130的下表面上將透明介電材料沉積預(yù)定厚度來形成第二介電層123。
保護層124形成在第二介電層123的下表面上。保護層124起到防止第二介電層123以及第一放電電極121a和第二放電電極121b由于等離子體粒子的濺射而受到破壞，并發(fā)射二次電子，從而降低放電電壓。優(yōu)選地，保護層124可以通過在第二介電層123的下表面上將介電材料如氧化鎂(MgO)沉積預(yù)定厚度來形成。
在如上構(gòu)造的PDP中，當(dāng)尋址放電發(fā)生在尋址電極111和第一放電電極121a和第二放電電極121b中的任一個之間時，壁電荷形成。然后，當(dāng)AC電壓施加到第一放電電極121a和第二放電電極121b上時，維持放電發(fā)生在其中形成壁電荷的放電室114中。維持放電從放電氣體產(chǎn)生紫外線，產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光體層115，從而產(chǎn)生可見光。
每個放電室114中產(chǎn)生的可見光被光導(dǎo)件131會聚到上基底130的上表面，然后漫射并發(fā)射到外面。因此，可以減少放電室114中產(chǎn)生的可見光的損失，從而增強PDP的亮度。
此外，由于外部光遮蔽構(gòu)件132設(shè)置在光導(dǎo)件131之間，所以可以有效地防止外部光進入到放電室114中，從而增強亮室對比度。
圖5是示出圖3和圖4的PDP的變型的截面圖。參照圖5，用于會聚并輸出放電室114中產(chǎn)生的可見光的兩個光導(dǎo)件231′和231″與一個放電室114對應(yīng)地形成，并與尋址電極111平行。各光導(dǎo)件231′和231”具有光入射表面231′a和231″a，所述光入射表面231′a和231″a的面積大于光出射表面231′b和231″b的面積。盡管圖5所表示和描述的是對應(yīng)于一個放電室114形成兩個光導(dǎo)件231′和231″，但是，對應(yīng)于一個放電室114可形成三個或更多光導(dǎo)件。優(yōu)選地，光導(dǎo)件231′和231″的光出射表面231′b和231″b被防眩處理。因此，如果對應(yīng)于一個放電室形成兩個或更多光導(dǎo)件，則可減少放電室中產(chǎn)生的可見光的損失，并且可增強光的完整性(integrity)，從而進一步增強面板的亮度。
用于防止外部光進入放電室114的外部光遮蔽構(gòu)件232形成在光導(dǎo)件231′和231″之間。因此，與前一實施例相比，外部光遮蔽構(gòu)件232可在上基底230上形成在更寬的區(qū)域內(nèi)，從而面板的亮室對比度被進一步增強。外部光遮蔽構(gòu)件232可以包括用于屏蔽電磁干擾(EMI)的導(dǎo)電膜。
圖6是示出圖3和圖4的PDP的另一實施例的截面圖。參照圖6，每個光導(dǎo)件331對應(yīng)于兩個或更多個放電室114形成在上基底330上。每個光導(dǎo)件331具有光入射表面331a，所述光入射表面331a的面積大于光出射表面331b的面積。優(yōu)選地，每個光導(dǎo)件331與一個像素對應(yīng)地形成。換句話說，優(yōu)選地，每個光導(dǎo)件331與紅色(R)熒光層115R、綠色(G)熒光層115G和藍色(B)熒光層115B形成在其中的三個放電室對應(yīng)地形成。每個光導(dǎo)件331會聚并輸出從紅色(R)熒光層115R、綠色(G)熒光層115G和藍色(B)熒光層115B形成在其中的三個放電室114產(chǎn)生的可見光。光導(dǎo)件331的光出射表面331b最好經(jīng)過防眩處理。因此，如果每個光導(dǎo)件331與一個像素對應(yīng)地形成，可增強面板的亮度，還可增強光導(dǎo)件331的處理，從而可制造低價格的面板。
此外，用于防止外部光進入放電室114的外部光遮蔽構(gòu)件332形成在光導(dǎo)件331之間。此外，外部光遮蔽構(gòu)件332可包括用于屏蔽電磁干擾(EMI)的導(dǎo)電膜。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的PDP的局部剖面透視圖，圖8是示出圖7的PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。
參照圖7和圖8，下基底210和上基底430彼此隔開預(yù)定距離，多個放電室214形成在下基底210和上基底430之間。優(yōu)選地，多個尋址電極211和第一介電層212順次形成在下基底210的上表面上。多個障肋213形成在第一介電層212的上表面上，與尋址電極211平行并隔開預(yù)定距離。熒光體層215沉積在第一介電層212的上表面以及形成放電室214的內(nèi)壁的障肋213的側(cè)表面上。放電室214充滿放電氣體。
與上述描述的實施例不同，上基底430包括形成在與尋址電極垂直的方向上的用于會聚并輸出通過放電產(chǎn)生的可見光的多個光導(dǎo)件431。每個光導(dǎo)件431對應(yīng)于每個放電室214而形成。每個光導(dǎo)件431被設(shè)計為反射來自其表面的光，以使入射到光入射表面431a的光通過光出射表面431b射出。光導(dǎo)件431具有光入射表面431a，該光入射表面431a的面積大于光出射表面431b的面積，從而會聚并輸出放電室214中產(chǎn)生的可見光。通過在上基底430上設(shè)置具有上述構(gòu)造的光導(dǎo)件431，可減少通過放電產(chǎn)生的可見光的損失，從而增強面板的亮度。
光導(dǎo)件431的光出射表面431b最好經(jīng)過防眩處理，以防止當(dāng)外部光被光導(dǎo)件431的光出射表面431b反射時產(chǎn)生的耀眼現(xiàn)象。
上基底430包括在與尋址電極211垂直的方向上形成在光導(dǎo)件431之間的外部光遮蔽構(gòu)件432，用于防止外部光進入放電室214。由于外部光遮蔽構(gòu)件432，可以更有效地防止外部光進入放電室214，從而能夠增強亮室對比度。外部光遮蔽構(gòu)件432可包括用于屏蔽電磁干擾(EMI)的導(dǎo)電膜。
用于維持放電的第一放電電極221a和第二放電電極221b形成在與尋址電極211垂直的方向上。此外，在第一放電電極221a和第二放電電極221b上用金屬材料形成第一匯流電極222a和第二匯流電極222b。
第二介電層223形成在上基底430的下表面上，以覆蓋第一放電電極221a和第二放電電極221b以及第一匯流電極222a和第二匯流電極222b。保護層224形成在第二介電層223的下表面上。
圖9是示出圖7和圖8的PDP的變型的截面圖。參照圖9，在與尋址電極211垂直的方向上，對應(yīng)于一個放電室214形成用于會聚并輸出放電室214中產(chǎn)生的可見光的兩個光導(dǎo)件531′和531″。各光導(dǎo)件531′和531″具有光入射表面531′a和531″a，所述光入射表面531′a和531″a的面積大于光出射表面531′b和532″b。盡管圖9中示出的是對應(yīng)于一個放電室214形成兩個光導(dǎo)件531′和531″，但是，也可以與圖9不同，對應(yīng)于一個放電室214可形成三個或更多光導(dǎo)件。優(yōu)選地，光導(dǎo)件531′和531″的光出射表面531′b和532″b經(jīng)過防眩處理。因此，如果對應(yīng)于一個放電室形成兩個或更多光導(dǎo)件，則可減少放電室中產(chǎn)生的可見光的損失，并且也可增強光的完整性，從而進一步增強面板的亮度。
此外，用于防止外部光進入放電室214的外部光遮蔽構(gòu)件532形成在光導(dǎo)件531′和531″之間。因此，可進一步增強面板的亮室對比度。外部光遮蔽構(gòu)件532可包括用于屏蔽電磁干擾(EMI)的導(dǎo)電膜。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的PDP的局部剖面透視圖，圖11和12是示出圖10的PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。
參照圖10至圖12，下基底310和上基底630彼此隔開預(yù)定距離，多個放電室314形成在下基底310和上基底630之間。多個尋址電極311和第一介電層312順次形成在下基底310的上表面上。多個障肋313平行于尋址電極311形成在第一介電層312的上表面上。熒光體層315沉積在第一介電層312的上表面以及形成放電室314的內(nèi)壁的障肋313的側(cè)表面上。放電氣體充滿放電室314的內(nèi)部。
上基底630包括與各個放電室314對應(yīng)形成的多個光導(dǎo)件631，用于會聚并輸出通過放電產(chǎn)生的可見光。每個光導(dǎo)件631被設(shè)計為反射來自其表面的光，以使入射到入射表面631a的光通過光出射表面631b射出。此外，每個光導(dǎo)件631的光入射表面631a的面積大于光出射表面631b的面積。在這種情況下，每個光導(dǎo)件631可形成為圓錐形、棱錐形或其他各種形狀。光導(dǎo)件631會聚放電室314中產(chǎn)生的可見光，并將會聚的可見光輸出到外部，從而可減少可見光的損失，進而增強面板的亮度。優(yōu)選地，光導(dǎo)件631的光出射表面631b被防眩處理。
上基底630還包括形成在光導(dǎo)件631之間的外部光遮蔽構(gòu)件632，用于防止外部光進入到放電室314。與前一實施例相比，在本實施例中，由于外部光遮蔽構(gòu)件632可以形成在上基底630上的更寬的區(qū)域中，所以面板的亮室對比度被進一步增強。外部光遮蔽構(gòu)件632可包括用于屏蔽電磁干擾(EMI)的導(dǎo)電膜。
優(yōu)選地，用于維持放電的第一放電電極321a和第二放電電極321b在與尋址電極311垂直的方向上形成在上基底630的下表面上。此外，在第一放電電極321a和第二放電電極321b的下表面上用金屬材料形成第一匯流電極322a和第二匯流電極322b。
第二介電層323形成在上基底630的下表面上，以覆蓋第一放電電極321a和第二放電電極321b以及第一匯流電極322a和第二匯流電極322b。保護層324形成在第二介電層323的下表面上。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性的實施例詳細表示和描述了本發(fā)明，但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在其中作出形式和細節(jié)上的各種改變。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明適用于等離子體顯示面板。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括下基底和上基底，彼此隔開預(yù)定的距離，以在它們之間限定多個放電室；多個障肋，置于所述下基底和上基底之間；多個尋址電極，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多個放電電極，在與所述尋址電極交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；熒光體層，形成在所述放電室的內(nèi)壁上，其中，所述上基底包括多個光導(dǎo)件，所述光導(dǎo)件與所述多個尋址電極或所述多個放電室對應(yīng)地形成，用于會聚并輸出由放電室通過放電形成的可見光，所述光導(dǎo)件的光入射表面的面積大于其光出射表面的面積。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述光導(dǎo)件與每個所述放電室對應(yīng)地形成。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，至少兩個光導(dǎo)件與每個所述放電室對應(yīng)地形成。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述光導(dǎo)件與兩個或更多所述放電室對應(yīng)地形成。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述光導(dǎo)件與三個所述放電室對應(yīng)地形成，其中，所述三個放電室形成一個單位像素。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述上基底包括形成在所述光導(dǎo)件之間的外部光遮蔽構(gòu)件，用于防止外部光進入所述放電室。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其中，所述外部光遮蔽構(gòu)件包括用于屏蔽電磁干擾的導(dǎo)電膜。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述光導(dǎo)件的所述光出射表面經(jīng)過防眩處理。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述障肋與所述尋址電極平行地形成。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，多個匯流電極形成在所述放電電極的下表面上。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，第一介電層形成在所述下基底的上表面上，以覆蓋所述尋址電極。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中，第二介電層形成在所述上基底的下表面上，以覆蓋所述放電電極。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中，保護層形成在所述第二介電層的下表面上。
14.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述多個光導(dǎo)件與所述多個尋址電極平行地形成。
15.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述多個光導(dǎo)件形成在與所述多個尋址電極垂直的方向上。
16.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述光導(dǎo)件為圓錐形或棱錐形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板包括下基底和上基底，彼此隔開預(yù)定的距離，以在它們之間限定多個放電室；多個障肋，置于所述下基底和上基底之間；多個尋址電極，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多個放電電極，在與所述尋址電極交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；熒光體層，形成在所述放電室的內(nèi)壁上，其中，所述上基底包括多個光導(dǎo)件，所述光導(dǎo)件與所述多個尋址電極平行地形成，用于會聚并輸出由放電室通過放電形成的可見光，所述光導(dǎo)件具有光入射表面。
文檔編號H01J11/22GK1820344SQ200580000643
公開日2006年8月16日 申請日期2005年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月27日
發(fā)明者洪昌完, 樸永浚, 金榮善, 韓英洙, 閔鐘述 申請人:三星電子株式會社