專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，更具體地講，涉及一種具有可更耐濺射的結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
通常，等離子體顯示面板(PDP)通過氣體放電來顯示圖像。放電氣體填充在具有多個(gè)電極的兩個(gè)基板之間，對放電氣體施加放電電壓產(chǎn)生紫外線，紫外線激發(fā)以預(yù)定圖案形成的熒光體層來顯示圖像。
PDP可為直流(DC)PDP或交流(AC)PDP。在DC PDP中，電極暴露在放電空間中，電荷在相應(yīng)的電極之間直接移動(dòng)。相反地，在AC PDP中，介電層至少覆蓋一些放電電極。因此，放電通過移動(dòng)積聚在介電層上的壁電荷來執(zhí)行。
在DC PDP中，因?yàn)殡姾稍谙鄳?yīng)的電極之間直接移動(dòng)，所以，電極可被損壞。因此，通常使用的是具有三電極表面放電結(jié)構(gòu)的AC PDP。
普通AC PDP包括上基板，在其上顯示圖像；下基板，基本上平行于上基板排列。包括公共電極和掃描電極的維持電極對形成在上基板的下表面上，上介電層覆蓋維持電極對。另外，尋址電極在與維持電極對交叉的方向上形成在下基板的上表面上，下介電層覆蓋尋址電極。障肋形成在下介電層上以限定放電室。放電氣體填充在放電室中，紅色、綠色或者藍(lán)色熒光體層排列在每個(gè)放電室中以顯示相應(yīng)的顏色。
在這種PDP中，氧化鎂(MgO)層可覆蓋上介電層。MgO層保護(hù)上介電層免受放電期間由于離子濺射導(dǎo)致的損壞，并發(fā)射二次電子。當(dāng)MgO層發(fā)射大量二次電子時(shí)，放電操作可更容易地被執(zhí)行，從而允許在公共電極和掃描電極之間應(yīng)用較低的維持電壓，這種低電壓的應(yīng)用降低了能耗。
MgO層可被沉積在上介電層的下表面上。然而，如果MgO層的密度太低，則MgO層防止濺射損壞的能力下降，這樣將縮短PDP的壽命。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種PDP，該P(yáng)DP可通過形成具有氧組份比鎂組份高的MgO層更耐濺射，從而增加了MgO層的密度。
本發(fā)明的附加特點(diǎn)將在下面的描述中提到，一部分將通過描述而清楚，或者可通過本發(fā)明的實(shí)踐可獲知。
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示面板，包括上基板；下基板，面向上基板；多個(gè)放電室，在上基板和下基板之間；氧化鎂層，對應(yīng)于放電室形成。在氧化鎂層中，氧組份超過鎂組份。
本發(fā)明還公開了一種等離子體顯示面板，包括上基板；多對維持電極對，排列在上基板的下表面上；上介電層，基本上覆蓋成對的維持電極；下基板，面向上基板；尋址電極，在與成對的維持電極交叉的方向上排列在下基板的上表面上；下介電層，基本上覆蓋尋址電極。障肋排列在上基板和下基板之間以限定放電室，每個(gè)放電室包括成對的維持電極和尋址電極。熒光體層形成在放電室中，放電氣體在放電室中。氧化鎂層形成在上介電層的下表面上，在氧化鎂層中氧組份超過鎂組份。
本發(fā)明還公開了一種用于包括多個(gè)放電室的顯示面板的保護(hù)層，該保護(hù)層包括鎂和氧。氧組份超過了鎂組份。
可以理解，前面大概的描述和下面詳細(xì)的描述都是示例性的和解釋性的，并意圖提供如權(quán)利要求所述的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。
被包含于此的附圖用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被包含于此構(gòu)成本說明書的一部分，用來解釋本發(fā)明的實(shí)施例，并和描述部分一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例PDP的分解透視圖。
圖2是沿圖1的線II-II的剖視圖。
圖3是根據(jù)氧和鎂之間的比的折射率的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖更完整地描述本發(fā)明，其中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同的形式實(shí)施而不應(yīng)限于這里提到的實(shí)施例來解釋。而且，提供這些實(shí)施例以使本公開徹底并將完全地將本發(fā)明的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰，層和區(qū)域的尺寸及相對尺寸可會(huì)被夸大。
可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在另一個(gè)元件或?qū)又稀?、“被連接到另一個(gè)元件或?qū)印?、“與另一個(gè)元件或?qū)舆B接”時(shí)，該元件或?qū)涌芍苯釉诹硪粋€(gè)元件或?qū)又?、直接連接到另一個(gè)元件或?qū)?、與另一個(gè)元件或?qū)舆B接，或者可表示為插入元件或?qū)又g。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)的分解透視圖，圖2是沿圖1的線II-II的剖視圖。
參照圖1和圖2，PDP 100可包括上基板111和面向上基板111的下基板131。多個(gè)維持電極對121排列在面向下基板131的上基板111的表面上，上介電層112基本上覆蓋維持電極對121。如下面所述的MgO保護(hù)層113基本上覆蓋上介電層112。
每對維持電極121包括公共電極122和掃描電極125，在公共電極122與掃描電極125之間具有放電間隙G。公共電極122包括透明電極123和與透明電極123結(jié)合的匯流電極124，掃描電極125包括透明電極126和與透明電極126結(jié)合的匯流電極127。
透明電極123和126可由例如氧化銦錫(ITO)等透明材料制成，以使它們可透過從熒光體層136發(fā)射的可見光。匯流電極124和127分別與透明電極123和126結(jié)合，并對透明電極123和126施加電壓。為了改善由低導(dǎo)電性的ITO制成的透明電極123和126的電阻，匯流電極124和127可由高導(dǎo)電性的金屬制成。
匯流電極124和127比透明電極123和126窄，并且它們基本上平行于橫向障肋134b排列。另外，透明電極123包括彼此分開并在其間具有縱向障肋134a且與匯流電極124結(jié)合的多個(gè)凸出電極123a。另外，透明電極126包括彼此分開并在其間具有縱向障肋134a且與匯流電極127結(jié)合的多個(gè)凸出電極126a。凸出電極123a和凸出電極126a在每個(gè)放電室135中排列，在凸出電極123a和凸出電極126a之間具有放電間隙G。由于去除了透明電極123和126相應(yīng)于縱向障肋134a的部分，因此，透明電極123和126的放電區(qū)可被減小，從而限制了電流在放電區(qū)中的流動(dòng)并降低了能耗。
尋址電極132在與維持電極對121交叉的方向上排列在面向上基板111的下基板131的表面上。下介電層133基本上覆蓋尋址電極132，障肋134形成在下介電層133上。
障肋134將上基板111和下基板131之間的空間劃分為多個(gè)放電室135以防止相鄰放電室135之間的串?dāng)_。障肋134包括彼此分開預(yù)定間隔或在其間隔開的縱向障肋134a和在與縱向障肋134a交叉的方向上從縱向障肋134a的側(cè)面延伸的橫向障肋134b。這里，縱向障肋134a在相鄰的尋址電極132之間并平行于相鄰的尋址電極132排列?？v向障肋134a和橫向障肋134b形成以矩陣劃分的放電室135的四個(gè)側(cè)面。
熒光體被涂敷到障肋134的側(cè)面和下介電層133的上表面上以形成熒光體層136。熒光體發(fā)射紅色、綠色或藍(lán)色光來顯示彩色圖像，從而根據(jù)熒光體發(fā)射的顏色形成紅色、綠色和藍(lán)色熒光體層。
另外，根據(jù)熒光體層136發(fā)射的顏色，放電室135可分為紅色、綠色和藍(lán)色放電室，單元像素包括三個(gè)相鄰的紅色、綠色和藍(lán)色放電室。放電氣體可填充在放電室135中。上基板111和下基板131可被結(jié)合并通過形成在上基板111和下基板131的邊緣上的密封材料(未示出)密封在一起。
PDP 100的操作如下。在相應(yīng)的放電室135的掃描電極125和尋址電極132之間施加尋址電壓來產(chǎn)生尋址放電，從而選擇相應(yīng)的放電室135。接著，在選擇的放電室135的公共電極122和掃描電極125之間交替地施加維持電壓，從而在公共電極122和掃描電極125之間產(chǎn)生維持放電，維持放電激發(fā)放電室中的放電氣體。然后，由于放電氣體的能級下降，所以發(fā)射紫外線。紫外線激發(fā)形成在放電室135中的熒光體層136，熒光體層136發(fā)射可見光來顯示圖像。
另外，可形成MgO保護(hù)層113以基本覆蓋上介電層112。MgO保護(hù)層113可防止由于離子濺射導(dǎo)致的上介電層112的損壞并且發(fā)射二次電子。當(dāng)發(fā)射了足夠量的二次電子時(shí)，維持放電可被更容易地執(zhí)行。從而，可降低施加在公共電極122和掃描電極125之間的維持電壓，從而降低了能耗。
MgO保護(hù)層113可以包括例如物理汽相沉積法的各種方法形成。物理汽相沉積法可為蒸發(fā)法或?yàn)R射法。蒸發(fā)法利用熱來蒸發(fā)將被沉積的材料，濺射法利用形成等離子體的氣體的動(dòng)能蒸發(fā)將被沉積的材料。在蒸發(fā)法中，電阻加熱、電子束和電弧可用作蒸發(fā)源。離子電鍍法結(jié)合了蒸發(fā)法和濺射法。離子電鍍法利用蒸發(fā)法的蒸發(fā)源，同時(shí)采用了濺射法中使用的等離子體，電離蒸發(fā)原子，必要的，也電離反應(yīng)氣體，以增加動(dòng)能和反應(yīng)率。另外，離子電鍍法可通過蒸發(fā)提供快的沉積速度并通過濺射提供致密的薄膜結(jié)構(gòu)和化合物形成能力。
根據(jù)物理汽相沉積法，通過足夠的高溫加熱升華和分散的MgO粒子被冷卻下來并在上介電層112的下表面上結(jié)晶，MgO晶體生長以形成MgO層113。通過上面的工藝沉積在上介電層112的下表面上的MgO層113可具有預(yù)定的密度，由于MgO層113的密度增加，所以可提高耐濺射性，從而可提高PDP 100的壽命。
MgO層113的密度受MgO層中的氧組份和鎂組份的比即O/Mg值的影響。MgO層中氧組份與鎂組份的比是單位體積中氧的數(shù)量與鎂的數(shù)量的比。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，氧組份大于鎂組份。例如，為了增加MgO層113的密度，設(shè)置O/Mg值大于1。
為了獲得提供足夠耐濺射性的密度，O/Mg值可被設(shè)置在最佳范圍內(nèi)。在MgO層113中氧和鎂的最佳范圍可通過參考圖3中示出的試驗(yàn)數(shù)據(jù)來設(shè)置。
圖3是根據(jù)O/Mg組份比的MgO層的折射率的曲線圖。這里，折射率表示MgO層的密度，MgO層的O/Mg組份比是假設(shè)在MgO單晶中O/Mg組份比為1的相對值。
參照圖3，當(dāng)氧組份超過鎂組份時(shí)，即，當(dāng)O/Mg組份比的值增加時(shí)，MgO層的折射率逐漸增加，當(dāng)O/Mg值約為1.172時(shí)，折射率約為1.6328，即最大值。然后，當(dāng)O/Mg值進(jìn)一步增加時(shí)，折射率逐漸減小。
折射率增加意味著MgO層113的密度增加。因此，當(dāng)O/Mg值約為1.172時(shí)，MgO層113的密度為最大值。因此，O/Mg組份比的范圍可設(shè)置為大于和小于MgO層113的密度為其最大值處的O/Mg值。
在本實(shí)施例中，氧組份與鎂組份的比可在大約1.100到大約1.200的范圍內(nèi)，更理想地，在大約1.150到大約1.170的范圍內(nèi)。在后面的情況下，折射率大約是1.6200或者更大，這種折射率可提供足夠致密的MgO層113。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，MgO層中的氧組份超過鎂組份，以使MgO層可具有足夠的密度，從而提高了MgO層的耐濺射性并提高了PDP的壽命。
通過參照作為PDP的示例性結(jié)構(gòu)的三電極表面放電PDP，示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明的實(shí)施例可應(yīng)用于任何PDP結(jié)構(gòu)或者任何可利用MgO保護(hù)層的顯示面板。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對本發(fā)明作各種修改和變形。因此，只要修改和變形落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，本申請意圖覆蓋本發(fā)明的這些修改和變形。
本申請要求2004年8月20提交的韓國專利申請第10-2004-0065886號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請通過各種目的的引用已被包含于此，如同被完整地在此提出一樣。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括上基板；下基板，面向所述上基板；多個(gè)放電室，在所述上基板和所述下基板之間；氧化鎂層，對應(yīng)于所述放電室形成，其中，在所述氧化鎂層中，氧組份超過鎂組份。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，在所述氧化鎂層中，所述氧組份與所述鎂組份的比在大約1.100到大約1.200的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，在所述氧化鎂層中，所述氧組份與所述鎂組份的比在大約1.150到大約1.170的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述氧化鎂層利用物理汽相沉積法形成。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中，所述物理汽相沉積法包括離子電鍍法。
6.一種等離子體顯示面板，包括上基板；多對維持電極，排列在所述上基板的下表面上；上介電層，基本上覆蓋所述成對維持電極；下基板，面向所述上基板；尋址電極，在與所述成對維持電極交叉的方向上排列在所述下基板的上表面上；下介電層，基本上覆蓋所述尋址電極；障肋，排列在所述上基板和所述下基板之間，并限定放電室，每個(gè)放電室包括一對維持電極和尋址電極；熒光體層，形成在所述放電室中；放電氣體，在所述放電室中；氧化鎂層，形成在所述上介電層的下表面上，其中，在所述氧化鎂層中氧組份超過鎂組份。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其中，所述氧化鎂層中所述氧組份與所述鎂組份的比在大約1.100到大約1.200的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，所述氧組份與所述鎂組份的比在大約1.150到大約1.170的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其中，所述氧化鎂層利用物理汽相沉積法形成。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中，所述物理汽相沉積法包括離子電鍍法。
11.一種用于包括多個(gè)放電室的顯示面板的保護(hù)層，包括鎂；氧，其中，所述氧組份超過所述鎂組份。
12.如權(quán)利要求11所述的保護(hù)層，其中，所述氧組份與所述鎂組份的比在大約1.100到大約1.200的范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求12所述的保護(hù)層，其中，所述氧組份與所述鎂組份的比在大約1.150到大約1.170的范圍內(nèi)。
14.如權(quán)利要求12所述的保護(hù)層，其中，所述保護(hù)層利用物理汽相沉積法形成。
15.如權(quán)利要求14所述的保護(hù)層，其中，所述物理汽相沉積法包括離子電鍍法。
16.一種等離子體顯示面板，包括如權(quán)利要求11所述的保護(hù)層，其中，所述保護(hù)層形成在所述放電室中。
17.如權(quán)利要求16所述的等離子體顯示面板，還包括介電層，基本上覆蓋產(chǎn)生導(dǎo)致光從所述等離子體顯示面板發(fā)射的維持放電的放電電極，其中，所述保護(hù)層形成在覆蓋所述放電電極的所述介電層的至少一部分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示面板，包括上基板；下基板，面向上基板；多個(gè)放電室，在上基板和下基板之間；氧化鎂層，對應(yīng)于放電室形成。在氧化鎂層中，氧組份超過鎂組份。
文檔編號H01J11/12GK1737983SQ20051009318
公開日2006年2月22日 申請日期2005年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月20日
發(fā)明者金基東 申請人:三星Sdi株式會(huì)社