專利名稱：等離子體顯示面板的放電電極及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板，更具體地說，涉及通過將產(chǎn)生尋址放電的放電電極嵌入介電層內(nèi)的放電室來提高尋址速度的放電電極及其制造方法。
背景技術(shù)：
總地來說，等離子體顯示面板是平板顯示設(shè)備，其中放電氣體被注入具有多個放電電極的兩個基板之間以產(chǎn)生放電，由于放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光粉層，因此顯示希望的數(shù)字、字符和圖像。
圖1(現(xiàn)有技術(shù))示出了三電極表面放電型等離子體顯示面板100。
參見圖1，等離子體顯示面板100包括前基板110、面向前基板110的后基板150、設(shè)置在前基板110內(nèi)表面的X電極121和Y電極122、覆蓋X電極121和Y電極122的前介電層130、涂敷在前介電層130上的保護(hù)層140、形成在后基板150內(nèi)表面上的尋址電極160、覆蓋尋址電極160的后介電層170、設(shè)置在前后基板110和150之間的障壁180，以及形成在障壁180內(nèi)的紅、綠或藍(lán)熒光粉層190。X電極121包括第一透明電極線121a，以及形成在第一透明電極線121a上的第一匯流電極線121b。Y電極122包括第二透明電極線122a，以及形成在第二透明電極線122a上的第二匯流電極線122b。
在包括以上結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板100中，電信號施加到Y(jié)電極122和尋址電極160，以選擇放電室，電信號交替施加到X和Y電極121和122上，以從前基板110的內(nèi)表面產(chǎn)生表面放電并產(chǎn)生紫外線?？梢姽鈴乃x擇的放電室內(nèi)的熒光粉層190被發(fā)射，以顯示靜止圖像或活動圖片。
然而，常規(guī)的等離子體顯示面板100包括以下問題。
首先，放電從X電極121和Y電極122之間的放電間隙開始，其分布于X和Y電極121和122的外部。由于放電擴(kuò)散到前基板110的表面，所以放電室的空間利用率低。
其次，當(dāng)高濃度的Xe氣(體積約10％或更多)被注入放電室時，電子的離子化和激發(fā)引起激子的產(chǎn)生，因此，明度和放電效率都增加。然而，由于使用高濃度的Xe氣，初始放電點火電壓變高。
第三，由于X電極121、Y電極122、匯流電極123和保護(hù)層140都形成在前基板110的內(nèi)表面上，所以可見光的能見度典型地約小于60％。因此，明度低。
第四，如果等離子體顯示面板100長時間運轉(zhuǎn)，放電就向熒光粉層190擴(kuò)散。因此，放電氣體的充電粒子就噴到熒光粉層上，引起持久的殘留圖像顯示。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面是包括改進(jìn)結(jié)構(gòu)的放電電極的等離子體顯示面板，其中該面板包括前基板、面向該前基板的后基板、位于前后基板之間并和前后基板一起限定放電室的介質(zhì)墻、嵌入該介質(zhì)墻內(nèi)并位于跨越一個放電室的第一角的X電極、嵌入該介質(zhì)墻內(nèi)并位于跨越一個放電室的第二角的Y電極，該第二角與第一角相對設(shè)置，嵌入該介質(zhì)墻內(nèi)并位于越過該Y電極的尋址電極，以及涂敷在每個放電室內(nèi)的紅、綠或藍(lán)熒光粉層。
所述X電極可以沿著預(yù)定方向延伸，所述Y電極可沿著平行于所述放電室的一側(cè)并平行所述X電極的方向延伸。
所述X電極可以包括X電極線和從該X電極線向所述Y電極突出的X電極突起。
所述Y電極可以包括Y電極線和從該Y電極線向所述X電極突出的Y電極突起。
所述的每個X電極和Y電極都可以充分地形成梳狀，并且所述各自的突起都可以與所述另一突起交錯。
所述尋址電極可以平行于所述Y電極突起。
所述尋址電極可以包括平行于所述Y電極線的尋址電極突起。
所述尋址電極可以是大致梳狀并可以越過所述Y電極。
所述X電極和Y電極可以實質(zhì)上位于同一平面內(nèi)，所述尋址電極可以實質(zhì)上位于與第一平面分離且平行的第二平面內(nèi)，并且所述尋址電極可以位于與所述X電極和Y電極充分相鄰。
所述尋址電極的第一部分可以具有比另一部分大的體積。
所述尋址電極可以被形成為該尋址電極的橫截面積在所述面板的中心比邊緣大。
障壁可以形成在所述介質(zhì)墻和后基板之間對應(yīng)于所述介質(zhì)墻的形狀，其中在所述障壁內(nèi)可以有所述熒光粉層。
保護(hù)層可以進(jìn)一步形成在所述介質(zhì)墻的內(nèi)表面上，以增加二次電子的發(fā)射。
另一方面是制造所述等離子體顯示面板的方法，該方法包括形成前基板；形成面向該前基板的后基板；形成所述前后基板之間的介質(zhì)墻，其中限定放電室；將X電極嵌入所述介質(zhì)墻，其中該X電極跨越一個放電室的第一角；并將Y電極嵌入所述介質(zhì)墻，其中該Y電極跨越一個放電室的第二角，該第二角與所述第一角相對。
該方法還可以包括將尋址電極嵌入介質(zhì)墻，其中該尋址電極越過所述Y電極。
該方法還可以包括將所述的每個X電極和Y電極形成大致梳狀，每一個的突起和另一個的突起交錯。
該方法還可以包括將所述X電極和Y電極實質(zhì)上位于同一平面內(nèi)。
該方法還可以包括形成實質(zhì)上在與所述第一平面分離且平行的第二平面內(nèi)的尋址電極，其中該尋址電極實質(zhì)上與所述X電極和Y電極相鄰。
該方法還可以包括形成尋址電極，其中該尋址電極的橫截面積在所述面板的中心比邊緣大。
該方法還可以包括形成尋址電極，其中該尋址電極的第一部分具有比另一部分大的體積。
下面用更詳細(xì)的示例性實施例并參照附圖討論本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點，在附圖中圖1(現(xiàn)有技術(shù))是常規(guī)等離子體顯示面板的分解透視圖；圖2是根據(jù)一個實施例的等離子體顯示面板的分解透視圖；圖3是圖2所示的放電電極的布置平面圖；圖4是圖2所示的放電電極的分解透視圖；圖5是沿著圖2的面板沒有被分解處的I-I線得到的面板橫截面圖；圖6是根據(jù)另一實施例的等離子體顯示面板的橫截面圖；和圖7是根據(jù)又一實施例的等離子體顯示面板的橫截面圖。
具體實施例方式
下面參照顯示了示例性實施例的附圖更加全面地描述本發(fā)明的實施例。
圖2是根據(jù)一個實施例的等離子體顯示面板200的一部分的分解透視圖。
參見圖2，等離子體顯示面板包括前基板210和平行前基板210設(shè)置的后基板220。在前基板210和后基板220彼此面對的內(nèi)表面上，沿著外部邊緣涂敷玻璃熔劑以密封內(nèi)部空間。
前基板210由例如鈉鈣玻璃的透明材料形成。后基板220可以由與前基板210的材料相同的材料形成。
介質(zhì)墻230設(shè)置在前基板210和后基板220之間，和前基板210以及后基板220一起限定放電室。介質(zhì)墻230通過將各種裝填物添加到玻璃漿內(nèi)形成。
介質(zhì)墻230包括如沿著面板200的X方向設(shè)置的介質(zhì)墻231的第一組介質(zhì)墻，和如沿著面板200的Y方向設(shè)置的介質(zhì)墻232的第二組介質(zhì)墻。第一組和第二組介質(zhì)墻相交，限定了格子狀的放電室。
可替代地，介質(zhì)墻230可以形成多種其它的形狀，例如但不局限于不規(guī)則形、△形、六角形或蜂窩形。此外，被介質(zhì)墻230限定的放電室可以形成其它多邊形或圓形。X電極240、Y電極250和尋址電極260嵌入在介質(zhì)墻230內(nèi)。X電極240、Y電極250和尋址電極260沿著放電室的周邊設(shè)置。此外，由于X電極240、Y電極250和尋址電極260彼此電絕緣，所以可以對它們施加不同的電壓。
可以由MgO形成的保護(hù)層270沉積在介質(zhì)墻230的內(nèi)表面，以發(fā)射二次電子。保護(hù)層270涂敷到每個放電室。
障壁280形成在介質(zhì)墻230和后基板220之間。不同于介質(zhì)墻230，障壁280由低介電性材料形成。障壁280在相應(yīng)于介質(zhì)墻230的位置上形成與介質(zhì)墻230相同的形狀。
障壁280包括如對應(yīng)于第一組介質(zhì)墻(X方向)的障壁281的第一組障壁和如對應(yīng)于第二組介質(zhì)墻(Y方向)的障壁282的第二組障壁。第一組障壁和第二組障壁彼此整體連接，從而形成格子。
如果只有介質(zhì)墻230形成在前后基板210和220之間，那么放電室就只被介質(zhì)墻限定。如果介質(zhì)墻230和障壁280都形成在前后基板210和220之間，那么放電室就被由具有不同介電性質(zhì)的材料形成的二者限定。
例如Ne-Xe或He-Xe的放電氣體被注入前基板210、后基板220、介質(zhì)墻230和障壁280所限定的放電室里。
此外，被由于放電氣體產(chǎn)生的紫外線所激發(fā)的紅、綠或藍(lán)熒光粉層290形成在放電室里。熒光粉層290可以涂敷在放電室的任何地方。在一些實施例里，熒光粉層290涂敷在障壁280的內(nèi)壁以及以預(yù)定厚度涂敷在放電室的上表面。
紅、綠或藍(lán)熒光粉層290涂覆在每個放電室上。紅熒光粉層可以由(Y，Gd)BO3:Eu3+形成，綠熒光粉層可以由Zn2SiO4:Mn2+形成，而藍(lán)熒光粉層可以由BaMgAl10O17:Eu2+形成。
在關(guān)于單一放電室的圖2的實施例中，X電極240和Y電極250位于放電室的相對側(cè)，而尋址電極260位于放電室中與Y電極250相同的一側(cè)并接近前基板210。
下面更加詳細(xì)地描述電極的布置。
圖3是圖2中放電電極的平面圖，圖4是圖3中放電電極的透視圖。
參見圖3和圖4，在等離子體顯示面板200上，介質(zhì)墻231設(shè)置在X方向上，介質(zhì)墻232設(shè)置在Y方向上。通過連接介質(zhì)墻231和232形成的放電室310形成方形，并且放電室310沿著X方向和Y方向連續(xù)地彼此以預(yù)定間隔設(shè)置。
X電極240嵌入介質(zhì)墻230內(nèi)。X電極240被設(shè)置成跨越放電室310的第一角311。此外，X電極240包括設(shè)置在放電室310的X方向上的X電極線241。X電極線241形成帶狀，并且一條帶設(shè)置在每個第一介質(zhì)墻231處。
X電極突起242在放電室310的Y方向上連接到X電極線241上。X電極突起242的長度在Y方向上與放電室310的一側(cè)一致。一個或多個X電極突起242設(shè)置在每個第二介質(zhì)墻232處。根據(jù)這種設(shè)置，X電極240是大致的梳狀。其它形狀也可以被使用。
Y電極250嵌入介質(zhì)墻230內(nèi)。Y電極250被設(shè)置成跨越第二角312，對于單個的放電室來說，第二角312與第一角311相對。Y電極250包括設(shè)置在放電室310的X方向上的Y電極線251。Y電極線251形成帶狀，并且一條帶設(shè)置在每個第一介質(zhì)墻231處。
Y電極突起252在放電室310的Y方向上連接到Y(jié)電極線251上。Y電極突起252的長度在Y方向上與放電室310的一側(cè)一致。一個或多個Y電極突起252設(shè)置在每個第二介質(zhì)墻232處。根據(jù)這種設(shè)置，Y電極250是大致的梳狀。其它形狀也可以被使用。
此外，X電極240和Y電極250被設(shè)置成X電極突起242和Y電極突起252在放電室310的各自一側(cè)。這是由于X電極和Y電極大體上形成梳狀，而突起相互交錯。
參照單個的放電室，Y電極線251跨越與X電極線241相對的角。這種布置允許電極線241和251在每一個放電室310處持續(xù)放電。尋址電極260也嵌入到介質(zhì)墻230內(nèi)。尋址電極260一般位于Y電極250之上。尋址電極線261形成帶狀。一條尋址電極線261設(shè)置在第二介質(zhì)墻232處。
尋址電極突起262整體連接到尋址電極線261上。尋址電極突起262與Y電極線251平行設(shè)置，并處于與Y電極線251相一致的位置。尋址電極線261和從尋址電極線261的側(cè)壁延伸出來的尋址電極突起262具有大致的梳狀，但是可以使用其它形狀。
X電極240、Y電極250和尋址電極260沿著放電室310的周邊設(shè)置。因此，X電極240、Y電極250和尋址電極260不影響面板200的開口率，并且這些電極240、250和260可以由具有高導(dǎo)電性例如Ag膠或Cr-Cu-Cr的不透明材料制成。
具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板200的操作將參照圖5進(jìn)行描述，圖5示出了沿圖2和圖3的I-I線的等離子體顯示面板。
當(dāng)預(yù)定的脈沖電壓從外部電源施加到尋址電極260和Y電極250之間時，放電室310被選擇。壁電荷被累積到尋址電極260和Y電極250之間的被選擇的放電室310的內(nèi)側(cè)表面上。
因為尋址電極260和Y電極250之間的距離比常規(guī)技術(shù)的短，所以施加到尋址電極260和Y電極250之間以產(chǎn)生放電的脈沖電壓就比常規(guī)技術(shù)的低。此外，尋址電極260和Y電極250之間的尋址速度增加。
此外，當(dāng)正電壓施加到X電極240并且更高的電壓施加到Y(jié)電極250上時，壁電荷由于施加到X電極240和Y電極250之間的電壓差而移動。壁電荷與放電室310中的放電氣體原子碰撞，產(chǎn)生放電并產(chǎn)生等離子體。放電從第一角311和第二角312開始，并移向放電室310的中心。
在產(chǎn)生放電以后，當(dāng)X電極240和Y電極250之間的電壓差變得低于放電電壓時，放電停止，而且空間電荷和壁電荷形成在放電室310內(nèi)。如果施加到X電極240和Y電極250的電壓的極性變化，那么在壁電荷的幫助下放電會再次發(fā)生。當(dāng)上述過程連續(xù)重復(fù)時，放電可以穩(wěn)定地發(fā)生。
通過放電產(chǎn)生的紫外輻射激發(fā)涂敷在放電室310內(nèi)的熒光粉層290的熒光物質(zhì)。通過這個過程，產(chǎn)生可見光。可見光從放電室310發(fā)射，以顯示靜止的圖像或活動的圖片圖像。
圖6示出了根據(jù)另一實施例的等離子體顯示面板600。
參見圖6，等離子體顯示面板600包括前基板610和后基板620。介質(zhì)墻630設(shè)置在前基板610和后基板620之間。保護(hù)層670設(shè)置在介質(zhì)墻630的側(cè)壁上。具有與介質(zhì)墻630相應(yīng)形狀的障壁680設(shè)置在介質(zhì)墻630和后基板620之間。紅、綠或藍(lán)熒光粉層690涂覆在放電室里。
此外，諸如Ne-Xe或He-Xe的放電氣體被注入前基板610、后基板620、介質(zhì)墻630和障壁680限定的放電室(D)。
多個放電電極沿著放電室(D)的周邊嵌入介質(zhì)墻630。Y電極650和尋址電極660上下設(shè)置，并且尋址電極660具有為減少電阻而設(shè)計的結(jié)構(gòu)。
尋址電極660的至少一部分形成為具有比另一部分大的體積，以減少帶狀電極的線阻抗。尋址電極660包括第一尋址電極部分661、與第一尋址電極部分661分離出預(yù)定距離的第二尋址電極部分662，和整體連接第一尋址電極部分661和第二尋址電極部分662的連接部分663。
第一和第二尋址電極部分661和662形成為具有相同的寬度和長度，因此具有相同的體積。連接部分663連接第一尋址電極部分661的中心部分和第二尋址電極部分662的中心部分。尋址電極660具有第一和第二尋址電極部分661和662以及連接這兩個尋址電極部分661和662的連接部分663限定的“H”型的交叉部分。
尋址電極660也可以設(shè)計成多種其它的形狀。橫截面積可以變化越過面板的表面，例如，它可以在面板的中心比邊緣大。
電極的相對位置可以改變。例如，圖7示出了根據(jù)另一實施例的等離子體顯示面板700。
參見圖7，等離子體顯示面板700包括前基板710和后基板720。介質(zhì)墻730和障壁780設(shè)置在前后基板710和720之間的上下部分，以限定放電室(D)。紅、綠或藍(lán)熒光粉層790涂敷到障壁780內(nèi)部。
X電極740和Y電極750沿著放電室(D)的相對側(cè)嵌入介質(zhì)墻730，并跨越放電室(D)相對的角。尋址電極760設(shè)置在Y電極750的下面。Y電極750與前基板710相鄰，尋址電極760與后基板720相鄰。
在具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板700中，脈沖電壓施加到Y(jié)電極750和尋址電極760，以選擇發(fā)生放電的放電室(D)。放電室的功能別樣地類似于其它實施例的描述。
如上所述，具有改進(jìn)結(jié)構(gòu)的放電電極的等離子體顯示面板至少能具有以下優(yōu)點。
由于放電沿著放電室的側(cè)表面發(fā)生，所以放電面積可以增加。
此外，放電電極、介電層和保護(hù)層不是形成在可見光穿過的基板的表面，因此，面板的開口率可以顯著提高。
由于放電從放電室的角落開始并向中心移動，所以放電效率增加。因為在持續(xù)放電中離子的路徑平行于熒光粉層，所以充分避免熒光粉層離子的噴濺。
此外，由于Y電極和尋址電極彼此相鄰地設(shè)置嵌入介電層，所以可以減少電極間的距離，得到低電壓操作和高速尋址。
盡管以上的描述應(yīng)用實施例指出了本發(fā)明的新穎特征，但是技術(shù)人員應(yīng)該理解所述的裝置或方法的形式和細(xì)節(jié)上的不同刪減、替換和改變都沒有脫離本發(fā)明的范圍。因此，本發(fā)明的范圍通過附加的權(quán)利要求而不是上面的描述來限定。在權(quán)利要求的等效意義和范圍內(nèi)的所有變化都包括在它的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括前基板；面向該前基板的后基板；位于該前后基板之間并和該前后基板一起限定放電室的介質(zhì)墻；嵌入該介質(zhì)墻內(nèi)并位于跨越一個放電室的第一角的X電極；嵌入該介質(zhì)墻內(nèi)并位于跨越一個放電室的第二角的Y電極，該第二角與第一角相對設(shè)置；嵌入所述介質(zhì)墻并位于越過該Y電極的尋址電極；和涂敷在每個所述放電室中的紅、綠或藍(lán)熒光粉層。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述X電極沿著預(yù)定方向延伸，所述Y電極沿著平行于所述放電室的一側(cè)并平行于所述X電極的方向延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述X電極包括X電極線和從該X電極線向所述Y電極延伸的X電極突起。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述Y電極包括Y電極線和從該Y電極線向所述X電極突出的Y電極突起。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述的每個X電極和Y電極都大致形成梳狀，并且所述各自的突起與所述另一個的突起交錯。
6.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述尋址電極平行于所述Y電極突起。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其中所述尋址電極包括平行于所述Y電極線的尋址電極突起。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中所述尋址電極具有大致的梳狀并越過所述Y電極。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述X電極和Y電極實質(zhì)上位于同一平面內(nèi)，所述尋址電極實質(zhì)上位于與所述第一平面分離且平行的第二平面內(nèi)，并且所述尋址電極實質(zhì)上鄰近所述X電極和Y電極。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述尋址電極的第一部分具有比另一部分大的體積。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述尋址電極被形成為該尋址電極的橫截面積在所述面板的中心比邊緣大。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括形成在所述介質(zhì)墻和后基板之間對應(yīng)于所述介質(zhì)墻形狀的障壁，其中所述熒光粉層涂敷在該障壁的內(nèi)側(cè)。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中在所述介質(zhì)墻的內(nèi)表面上進(jìn)一步形成有保護(hù)層，以增加二次電子的發(fā)射。
14.一種制造等離子體顯示面板的方法，該方法包括形成前基板；形成面向所述前基板的后基板；形成所述前后基板之間的介質(zhì)墻，其中放電室被限定；將X電極嵌入所述介質(zhì)墻，其中該X電極跨越一個放電室的第一角；和將Y電極嵌入所述介質(zhì)墻，其中該Y電極跨越一個放電室的第二角，該第二角與所述第一角相對。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括將尋址電極嵌入所述介質(zhì)墻，其中該尋址電極越過所述Y電極。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述X和Y電極進(jìn)一步包括將所述的每個X和Y電極形成大致梳狀，每一個的突起和另一個的突起交錯。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述X和Y電極進(jìn)一步包括將所述X和Y電極實質(zhì)上置于同一平面內(nèi)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括形成實質(zhì)上在與所述第一平面分離且平行的第二平面內(nèi)的尋址電極，其中該尋址電極實質(zhì)上鄰近所述X電極和Y電極。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括形成尋址電極，其中該尋址電極的橫截面積在所述面板的中心比邊緣大。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括形成尋址電極，其中該尋址電極的第一部分具有比另一部分大的體積。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有特殊布置和結(jié)構(gòu)的放電電極的等離子體顯示面板。一方面，該等離子體顯示面板包括前基板；面向該前基板的后基板；設(shè)置在該前后基板之間并和該前后基板一起限定了放電室的介質(zhì)墻；嵌入該介質(zhì)墻內(nèi)并設(shè)置成跨越一個放電室的第一角的X電極；嵌入所述介質(zhì)墻內(nèi)并設(shè)置成跨越一個放電室的與所述第一角相對設(shè)置的第二角的Y電極；嵌入所述介質(zhì)墻并設(shè)置在越過該Y電極方向上的尋址電極；和涂敷在所述放電室內(nèi)的紅、綠或藍(lán)熒光粉層。由于所述Y電極和尋址電極彼此相鄰，所以電極之間的距離減小，并可以獲得低電壓操作和高速尋址。
文檔編號H01J11/22GK1737981SQ20051009280
公開日2006年2月22日 申請日期2005年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月18日
發(fā)明者宋正錫 申請人:三星Sdi株式會社