專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體地講，涉及一種具有提高的發(fā)光效率、低放電點(diǎn)火電壓和改進(jìn)的亮度均勻性的PDP。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)，其可作為傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器的替代品，是一種在兩個(gè)基板間填充了放電氣體的設(shè)備，每個(gè)基板上具有多個(gè)電極。放電電壓施加到電極上，以預(yù)定的圖案排列于基板的熒光體被放電氣體產(chǎn)生的紫外線激發(fā)，以在降基時(shí)發(fā)光(也就是當(dāng)熒光體的原子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)，它就會(huì)發(fā)射出光線)，從而形成預(yù)期的圖像。
圖1示出傳統(tǒng)的AC等離子體顯示面板10，該顯示面板包括上板50和下板60，其中下板60被與上板50平行設(shè)置。維持電極對(duì)12置于上板50的前基板11上，每個(gè)維持電極對(duì)具有X電極31和Y電極32。尋址電極22排列在面向前基板11的后基板21的上表面上，與前基板11上的電極31和32垂直交迭。由維持電極對(duì)12和尋址電極22相交限定的放電空間的部分，對(duì)應(yīng)于單位放電室70。第一介電層15和第二介電層25分別地形成于前基板11的表面和后基板21的表面上，以覆蓋維持電極對(duì)12和尋址電極22。
由絕緣材料例如MgO制成的保護(hù)層16形成在第一介電層15上。障肋30形成于第二介電層25的表面上，以維持放電距離和防止相鄰的放電室70之間的光電串?dāng)_。熒光體層，例如發(fā)紅光的熒光體、發(fā)綠光的熒光體或發(fā)藍(lán)光的熒光體層，形成以覆蓋障肋30的側(cè)壁和第二介電層25的暴露的表面。每個(gè)X電極31包括透明電極31a和匯流電極31b。每個(gè)Y電極32也包括透明電極32a和匯流電極32b。
為了增大在等離子體顯示面板10中的放電空間，應(yīng)該增加X(jué)電極31和Y電極32之間的距離。這是因?yàn)楫?dāng)X電極31和Y電極32之間的距離增加時(shí)，更大的放電發(fā)生在更大的空間。然而，當(dāng)X電極31和Y電極32之間的距離增加時(shí)，需要更高的放電點(diǎn)火電壓，結(jié)果導(dǎo)致功耗增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種通過(guò)增大放電空間能夠提高發(fā)光效率，并允許低放電點(diǎn)火電壓的PDP。
本發(fā)明還提供了一種能夠提高放電室的亮度的均勻性的PDP。
將在下面的描述中闡述本發(fā)明的另外的特征，有一部分通過(guò)描述將是清楚的，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而得知。
本發(fā)明公開了一種具有后基板和與后基板分開的前基板的等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板還包括障肋，置于前基板和后基板之間，并限定放電室；維持電極對(duì)，包含X電極和Y電極，并與放電室交迭。等離子體顯示面板進(jìn)一步包括中間電極，置于每個(gè)維持電極對(duì)的X電極和Y電極之間；第一介電層，覆蓋所述維持電極對(duì)和中間電極，并且包括凹槽，這些凹槽的形成方式是每個(gè)凹槽位于每個(gè)維持電極對(duì)的X電極和Y電極間并對(duì)應(yīng)于所述中間電極。等離子體顯示面板另外包括尋址電極，橫過(guò)放電室延伸，并且與維持電極對(duì)和中間電極交迭；第二介電層，覆蓋尋址電極。等離子體顯示面板還包括熒光體層，分別地形成于放電室；放電氣體，填充放電室。
本發(fā)明也公開了一種具有置于基板的第一介電層的等離子體顯示裝置的放電室，其中第一介電層的表面限定第一介電層的凹槽。
本發(fā)明也公開了一種具有前基板和置于該前基板上的第一介電層的等離子體顯示裝置的前板，其中，第一介電層包括以預(yù)定圖案設(shè)置的較薄區(qū)域和較厚區(qū)域。
應(yīng)該這樣理解，上述的一般說(shuō)明和以下的詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，并且旨在對(duì)權(quán)利要求中所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


附圖描述了本發(fā)明實(shí)施例，并與說(shuō)明書共同起到解釋發(fā)明原理的作用，這些附圖提供了對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并合并組成該說(shuō)明書的一部分。
圖1示出了傳統(tǒng)的等離子體顯示面板。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示面板。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沿圖2的線III-III截取的剖視圖，顯示了旋轉(zhuǎn)90°的圖2中的上板。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的圖2中的上板。
圖5是等離子體顯示裝置的方框圖。
圖6是在圖2的等離子體顯示面板的單位子場(chǎng)中，放電單元的電極上施加的信號(hào)的時(shí)序圖。
圖7顯示了在圖6的維持放電時(shí)間S內(nèi)放電室中的示例性的亮度分布。
圖8是根據(jù)凹槽深度H相對(duì)于第一介電層的深度D的相對(duì)比H/D來(lái)示出的亮度偏差的曲線圖。
圖9是根據(jù)凹槽的深度H相對(duì)于第一介電層的深度D的相對(duì)比H/D來(lái)示出的維持放電電壓的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D2和圖3來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的AC等離子體顯示面板100，其中，圖3示出旋轉(zhuǎn)90°的等離子體顯示面板100的上板150，并且圖3示出包括彼此平行固定的上板150和下板160的等離子體顯示面板100。
參照?qǐng)D2和圖3，在置于上板150的前基板111和置于下板160的后基板121之間，多個(gè)放電室170被障肋130分隔開。障肋130減少或防止放電室170之間的光電串?dāng)_，并且還將放電室170分隔為矩形部分。障肋130可按各種圖案形成，例如開口圖案，比如條紋圖案；或閉合圖案，比如網(wǎng)格圖案、矩陣圖案、或三角圖案。此外，由障肋130分隔的每個(gè)放電室的橫截面可按例如三角形、正方形、五邊形、圓、橢圓等各種不同形狀的閉合圖案形成。
多個(gè)維持電極對(duì)112排列于前基板111上。前基板111可由例如玻璃等的透明材料制成。維持電極對(duì)112可包括一對(duì)形成在前基板111的后表面上的維持電極131和132，以產(chǎn)生和維持放電。這樣的維持電極對(duì)112在前基板111上平行地排列并間隔預(yù)定的距離。每個(gè)維持電極對(duì)112包括X電極131和Y電極132。在本實(shí)施例中，維持電極對(duì)112置于前基板111的后表面上，然而，本發(fā)明不限于這種結(jié)構(gòu)，維持電極對(duì)112可置于其它位置。例如，維持電極對(duì)112可設(shè)置成與前基板111的后表面間隔預(yù)定的距離。優(yōu)選地，維持電極對(duì)112的X電極131和Y電極132位于離前基板111相同的高度上。
每個(gè)X電極131包括透明電極131a和匯流電極131b，每個(gè)Y電極132包括透明電極132a和匯流電極132b。透明電極131a和132a由透明材料例如ITO(錫銦氧化物)制成，該透明材料具有導(dǎo)電性以允許放電，并將從熒光體126發(fā)出的光透射到前基板111。然而，由于透明導(dǎo)電材料例如ITO通常具有較高的電阻，所以透明電極131a和透明電極131b在它們的縱向方向上具有相對(duì)高的電壓降，這需要更高的驅(qū)動(dòng)功率并降低了響應(yīng)速度。
為了解決這些問(wèn)題，窄的匯流電極131b和匯流電極132b由金屬材料制成，并設(shè)置在透明電極131a和透明電極132a上，以降低電阻。匯流電極131b和匯流電極132b可利用如Ag、Al或Cu等金屬按單層結(jié)構(gòu)形成。或者，匯流電極131b和匯流電極132b可按如Cr/Al/Cr的多層結(jié)構(gòu)形成。透明電極131a、透明電極132a、匯流電極131b和匯流電極132b可使用光刻蝕工藝、照相平板印刷術(shù)工藝等來(lái)形成。
中間電極113可分別地置于成對(duì)的X電極和Y電極之間，使得每個(gè)中間電極113置于一對(duì)X電極和Y電極之間。中間電極113可形成于前基板111的后表面上，并可平行于X電極131和Y電極132橫過(guò)放電室170延伸。此外，中間電極113可與對(duì)應(yīng)的X電極131和Y電極132間隔大約相同的距離而形成。
中間電極113包括透明電極131a和匯流電極131b。中間電極可置于相比于X電極131和Y電極132不同的高度。然而，優(yōu)選地，中間電極可置于與X電極131和Y電極132相同的高度，以允許通過(guò)單個(gè)電極形成過(guò)程一次形成所有的電極。
在電極形成后，第一介電層115覆蓋維持電極對(duì)112和中間電極113。第一介電層115由這樣的介電材料制成，該材料能夠在放電期間防止相鄰的X電極131和Y電極132與中間電極113的直接導(dǎo)電。因此，第一介電層115可減少或防止由于帶電粒子(正離子或電子)與X電極131、Y電極132和中間電極113的碰撞而導(dǎo)致對(duì)X電極131、Y電極132和中間電極113的損害，并且允許帶電粒子積累成壁電荷。這樣的介電材料可包括PbO、B2O3、SiO2等等。
在第一介電層形成后，凹槽145分別地形成于第一介電層115中，位于成對(duì)的X電極131和Y電極132之間。每個(gè)凹槽145以預(yù)定的深度形成于第一介電層115中。第一介電層115的構(gòu)造使得可見光沿著向前的方向，通過(guò)凹槽145形成的第一介電層115的較薄部分，具有更高的透光度。
此外，在本實(shí)施例中，凹槽145具有限定梯形的橫截面，然而，凹槽145可由按各種不同的形式或形狀形成。另外，凹槽145可通過(guò)不同的工藝形成。例如，凹槽145可由通過(guò)噴砂工藝形成于第一介電層115上。此外，凹槽145可通過(guò)在應(yīng)用光掩模后曝光和顯影形成，其中第一介電層115由感光介電材料制成?！癏”表示凹槽145的深度，“D”表示第一介電層115在靠近凹槽145的區(qū)域的厚度。
參照?qǐng)D2，每個(gè)凹槽145形成于X電極131和Y電極132對(duì)之間，并沿平行于X電極131和Y電極132的方向延伸。在此結(jié)構(gòu)中，凹槽145可提供排氣通道，放電空間中的雜質(zhì)氣體通過(guò)該通道排出；并還提供進(jìn)氣通道，放電氣體在填充過(guò)程中通過(guò)該通道流入放電空間。然而，如圖4所示，凹槽145′可橫過(guò)各自的放電室，在第一介電層115′上不連續(xù)地形成。在此，凹槽145′可以各種不同的形狀形成。多個(gè)放電空間由對(duì)應(yīng)于單位放電空間的相交的X電極131、Y電極132、中間電極113和尋址電極122限定。
再次參照?qǐng)D3，在凹槽145可能會(huì)產(chǎn)生更強(qiáng)的電場(chǎng)，這會(huì)因?yàn)閄電極131和Y電極132間的放電通道縮短，從而可能會(huì)增加電子和離子的密度。因此，在每個(gè)凹槽145中可能會(huì)產(chǎn)生更強(qiáng)的等離子體放電。具體地講，當(dāng)凹槽145的深度H加深時(shí)，X電極131和Y電極132之間的放電類似于對(duì)向放電。
在此實(shí)施例中，凹槽145的深度H相對(duì)于第一介電層115的厚度D的相對(duì)的深度對(duì)厚度的比H/D可從大約0.15到大約0.45。另外，在一些實(shí)施例中，凹槽145的深度H可從大約6μm到大約18μm。此外，為了在放電室170內(nèi)更加均勻地產(chǎn)生放電，凹槽145可關(guān)于放電室170對(duì)稱地設(shè)置。凹槽145也可形成于覆蓋中間電極113的第一介電層115的部分。凹槽145的深度H和第一介電層115的厚度D之間的關(guān)系在以下描述。
保護(hù)層116形成于第一介電層115上。保護(hù)層116減少或防止了放電期間正離子和電子與第一介電層115的直接碰撞，以避免對(duì)第一介電層115的損害。此外，保護(hù)層116可在放電期間放出大量的二次電子，從而促進(jìn)了等離子體放電。因此，保護(hù)層116由具有高的二次電子放電系數(shù)并對(duì)可見光具有高透光度的材料制成。
保護(hù)層116可包括例如形成于第一介電層115上的MgO薄膜。保護(hù)層116通常是在上板150上完成其它制作過(guò)程后，通過(guò)濺射和電子束沉積形成。
尋址電極122沿著與X電極131、Y電極132、中間電極113正交的方向排列于后基板121的前表面上。尋址電極122可產(chǎn)生尋址放電以促進(jìn)X電極131、Y電極132間的維持放電。具體地講，尋址電極122有助于降低產(chǎn)生維持放電的電壓。在此實(shí)施例中，尋址放電可在中間電極113和尋址電極122之間產(chǎn)生。
第二介電層125可形成于后基板121的上表面上，以覆蓋尋址電極122。第二介電層125可由能防止正離子和電子與尋址電極122的直接碰撞的介電材料制成。因此，第二介電電極125可減少或防止對(duì)尋址電極122的損害，并進(jìn)一步吸引電荷。第二介電層125可由例如PbO、B2O3、SiO2等的介電材料制成。
形成熒光層126例如發(fā)紅光熒光體層、發(fā)綠光熒光體層、發(fā)藍(lán)光熒光體層，以覆蓋第二介電層125的暴露的表面和障肋130的側(cè)面部分或側(cè)壁。
熒光體層126能夠吸收紫外線和產(chǎn)生可見光。例如，發(fā)紅光熒光體層可包括例如Y(V，P)O4:Eu等材料；發(fā)綠光熒光體層可包括比如Zn2SiO4:Mn等材料；發(fā)藍(lán)光熒光體層可包括例如BAM:Eu等材料。
此外，放電室170可由例如Ne、Xe等放電氣體填充。在放電氣體被填充到放電室170后，通過(guò)沿基板111和121的邊緣附著封接物質(zhì)比如玻璃粉，前基板111和后基板121結(jié)合并封接在一起，。
參照?qǐng)D5，顯示包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示面板100的等離子體顯示設(shè)備200。等離子體顯示設(shè)備200包括圖像處理器256、邏輯控制器262、A驅(qū)動(dòng)器223(即尋址驅(qū)動(dòng)器)、X驅(qū)動(dòng)器224、Y驅(qū)動(dòng)器225、M驅(qū)動(dòng)器226。X電極131、Y電極132、中間電極113以多條線表示。
Y電極132沿著前基板111的第一方向延伸，它們的一端相互連接。當(dāng)?shù)入x子體顯示面板100被信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，同樣的電信號(hào)被施加到所有的Y電極132，從而Y電極132彼此共同電互連。
同樣地，將相同的電信號(hào)施加到X電極131，X電極131也彼此共同電互連。然而將獨(dú)立的信號(hào)施加到中間電極113，并且中間電極113必須分別地連接到M驅(qū)動(dòng)器226的輸入線而彼此不互連。
顯示在圖5中的等離子體顯示面板100的每個(gè)單元放電室的中間電極113、尋址電極122、X電極131和Y電極132的排列和形式，類似于那些顯示在圖2和圖3中的中間電極113、尋址電極122、X電極131和Y電極132。
在等離子體顯示設(shè)備的操作中，圖像處理器256將外部的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，然后產(chǎn)生內(nèi)部圖像信號(hào)。內(nèi)部圖像信號(hào)包括例如R/G/B圖像數(shù)據(jù)、時(shí)鐘信號(hào)、或水平和豎直同步信號(hào)，每個(gè)內(nèi)部圖像信號(hào)有8個(gè)比特/位。邏輯控制器262響應(yīng)從圖像處理器256接收到的內(nèi)部圖像信號(hào)來(lái)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、SX、SY和SM。
信號(hào)SA是施加到尋址電極122的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，信號(hào)SX是施加到X電極131的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，信號(hào)SY是施加到Y(jié)電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，信號(hào)SM是施加到中間電極113的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
A驅(qū)動(dòng)器223處理從邏輯控制器262接收的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、SX、SY和SM中的尋址驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA，以產(chǎn)生顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，并將所得到的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到尋址電極122。X驅(qū)動(dòng)器224處理從邏輯控制器262接收的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、SX、SY和SM中的X驅(qū)動(dòng)信號(hào)SX，并將所得到的信號(hào)施加到X電極131。Y驅(qū)動(dòng)器225處理從邏輯控制器262接收的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、SX、SY和SM中的Y驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY，并將所得到的信號(hào)施加到Y(jié)電極132。M驅(qū)動(dòng)器226處理從邏輯控制器262接收的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、SX、SY和SM中的M驅(qū)動(dòng)信號(hào)SM，并將所得到的信號(hào)施加到中間電極113。
圖6是顯示在等離子體顯示面板100的單位子場(chǎng)SF中，施加到中間電極113、尋址電極122、X電極131和Y電極132的信號(hào)的單位時(shí)間幀的時(shí)序圖。單位時(shí)間幀可劃分為8個(gè)子場(chǎng)，以創(chuàng)建時(shí)分型灰度顯示。因此，子場(chǎng)可劃分為重置期R、尋址期A和維持放電期S。
一般而言，在重置期R期間，首先，上升斜坡電壓脈沖施加到中間電極113，從而產(chǎn)生放電。接下來(lái)，下降斜坡電壓脈沖施加到中間電極113，從而產(chǎn)生擦除放電。上升斜坡電壓脈沖和下降斜坡電壓脈沖一起是貫穿等離子體顯示面板100產(chǎn)生的重置放電過(guò)程中的部分，以將壁電荷均衡地分配在放電室170中。更詳細(xì)地，重置放電過(guò)程包括地電壓VG，其作為第一電壓施加到尋址電極122和Y電極132。上升斜坡電壓脈沖施加到中間電極113，并從電壓VS上升到第二電壓VSET+VS，然后下降到第一電壓VG。此時(shí)，第一電壓VG首先施加到X電極131，然后，在第二電壓VSET+VS正施加到中間電極113的同時(shí)，維持電壓VS作為第三電壓施加到X電極131，以降低到第一電壓VG。
在尋址期A期間，尋址電壓VA的顯示數(shù)據(jù)脈沖施加到尋址電極122，同時(shí)地，第一電壓VG的掃描脈沖施加到偏置為掃描電壓VSCAN的中間電極113，其中VSCAN低于第三電壓VS。因此，如果在施加掃描脈沖的同時(shí)施加高電平的顯示數(shù)據(jù)脈沖，通過(guò)尋址放電，壁電荷會(huì)積累在X電極131、中間電極113和Y電極132上。然而，由于沒(méi)有顯示數(shù)據(jù)脈沖施加到不需要尋址放電的放電室，所以在這些放電室內(nèi)沒(méi)有壁電荷的形成。
在維持放電期S期間，維持放電脈沖交替地施加到所有的X電極131和所有的Y電極132，從而如果壁電荷已經(jīng)在相應(yīng)的尋址期A期間形成就產(chǎn)生維持放電。中間電極131和尋址電極122分別地偏置為第三電壓VS和第一電壓VG。
然而，在維持放電點(diǎn)火期間，由于第一電壓VG施加到積累負(fù)壁電荷的X電極131，并且第三電壓VS施加到積累正壁電荷的中間電極113，所以X電極131和中間電極113之間的放電點(diǎn)火彼此相對(duì)地靠近。因此，由于電極113和電極131之間的放電點(diǎn)火靠近，所以放電點(diǎn)火電壓降低。在放電產(chǎn)生于X電極131和中間電極113之間后，相應(yīng)的放電區(qū)會(huì)擴(kuò)展到Y(jié)電極132，并在X電極131和Y電極132間產(chǎn)生維持放電。
此時(shí)，第一電壓VG和第三電壓VS交替地施加到Y(jié)電極132和X電極131，使得在維持放電期期間產(chǎn)生預(yù)定的灰度發(fā)光輸出等級(jí)的維持放電繼續(xù)地產(chǎn)生，從而形成圖像。具體地講，由于X電極131和Y電極132之間的放電開始于相對(duì)低的電壓，所以能夠增大X電極131和Y電極132的距離，從而增加了放電通道的尺寸。因此，由于放電通道增大，所以更大的放電活躍地產(chǎn)生，提高了發(fā)光效率。結(jié)果，由于X電極131、中間電極113、Y電極132之間的維持放電，最小放電點(diǎn)火電壓減小，并且顯示裝置的發(fā)光效率提高。當(dāng)維持放電被激活時(shí)，受激發(fā)的放電氣體的能級(jí)降低使得紫外光被發(fā)射。發(fā)射的紫外光激發(fā)形成于放電室170的熒光體層126，使得激活的熒光體層126的能級(jí)升高然后降低，以發(fā)射可見光。可見光透過(guò)第一介電層115和前基板111，從而形成用戶觀看的圖像。
等離子體顯示面板100的亮度與單位幀中所包含的維持放電期S的長(zhǎng)度成比例。在此實(shí)施例中，單位幀中所包含的維持放電期的總長(zhǎng)度大約是255T(其中T是預(yù)定的單位時(shí)間)。每個(gè)單位幀劃分為8個(gè)子場(chǎng)SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF8以實(shí)現(xiàn)時(shí)分灰度顯示。因此，對(duì)應(yīng)于2°的時(shí)間1T設(shè)置為第一子場(chǎng)SF1的維持放電時(shí)間；對(duì)應(yīng)于21的時(shí)間2T設(shè)置為第二子場(chǎng)SF2的維持放電時(shí)間；對(duì)應(yīng)于22的時(shí)間4T設(shè)置為第三子場(chǎng)SF3的維持放電時(shí)間；對(duì)應(yīng)于23的時(shí)間8T設(shè)置為第四子場(chǎng)SF4的維持放電時(shí)間；對(duì)應(yīng)于24的時(shí)間16T設(shè)置為第五子場(chǎng)SF5的維持放電時(shí)間；對(duì)應(yīng)于25的時(shí)間32T設(shè)置為第六子場(chǎng)SF6的維持放電時(shí)間；對(duì)應(yīng)于26的時(shí)間64T設(shè)置為第七子場(chǎng)SF7的維持放電時(shí)間；對(duì)應(yīng)于27的時(shí)間128T設(shè)置為第八子場(chǎng)SF8的維持放電時(shí)間。因此，通過(guò)從8子場(chǎng)中合適地選擇子場(chǎng)進(jìn)行顯示，所有的256個(gè)灰度級(jí)包括不出現(xiàn)在子場(chǎng)中的0灰度可被表示。
圖7示出在等離子體顯示面板100的維持放電期S期間，可由放電室170產(chǎn)生的亮度分布曲線圖的實(shí)例。沿著垂直于維持電極對(duì)112延伸的方向截取的橫截面上的X或水平方向測(cè)量亮度。在X電極131和Y電極132間的等離子體放電最強(qiáng)，從而X電極131和Y電極132之間的亮度相對(duì)地高。此外，由于中間電極113、X電極131、Y電極132的排列具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)，所以亮度分布關(guān)于水平方向基本上對(duì)稱。然而，由于中間電極113置于X電極131和Y電極132之間，所以視亮度會(huì)由于鄰近中間電極113的層的透光度減少而降低。即使透明電極113a由具有相對(duì)好的透光度的ITO制成，但是透明電極113a仍對(duì)可見光具有相對(duì)低的透光度，從而導(dǎo)致透明電極113a的視亮度降低。另外，匯流電極113b對(duì)可見光具有相對(duì)低的透光度，這也降低視亮度。在放電室170內(nèi)這樣的亮度不均勻性可能會(huì)引起畫面質(zhì)量變差。
然而，在本發(fā)明中，如上所述，凹槽145形成于第一介電層115的部分，創(chuàng)造了覆蓋中間電極113的第一介電層115的較窄的部分，所以能夠補(bǔ)償由中間電極113引起的透光度的降低。因此，可以獲得以下兩項(xiàng)效果中的至少一項(xiàng)1)由于凹槽145，第一介電層115的部分變窄，該變窄部分的透光度提高；2)因?yàn)樾纬砂疾?45的變窄部分的電場(chǎng)加強(qiáng)，并且引火粒子例如空間電荷的密度在靠近變窄部分更高，所以在第一介電層115的變窄部分，等離子體放電活躍地產(chǎn)生，并且亮度增加。具體地講，當(dāng)凹槽145的深度H加深時(shí)，可獲得X電極131和Y電極132之間的對(duì)向放電作用，該對(duì)向放電作用會(huì)加強(qiáng)等離子體放電的活性。然而，如果凹槽145的深度H相對(duì)于第一介電層115的厚度D過(guò)深，在放電期間會(huì)損害第一介電層115。因此，第一介電層115的厚度D與凹槽145的深度H之間的一定的比值的范圍，是維持均勻亮度和防止第一介電層115的損害的重要參數(shù)。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，放電室的亮度偏差是由相對(duì)于第一介電層的凹槽的深度H相對(duì)于第一介電層的深度D的相對(duì)比H/D作為無(wú)量綱的參數(shù)進(jìn)行測(cè)量。在此例中，中間電極113、X電極131、Y電極132的透明電極113a、透明電極131a、透明電極132a的寬度A分別大約為120μm，第一介電層的厚度D大約為40μm。此外，凹槽145的最大寬度L大約為130μm。
圖8顯示了在第一介電層115的厚度D恒定不變的情況下，關(guān)于從0μm到20μm的范圍變化的凹槽145的深度H所測(cè)的亮度偏差G1-G2的測(cè)試結(jié)果的曲線圖。亮度偏差G1-G2定義為中間電極113和X電極131(或Y電極132)之間的常數(shù)亮度(在下文中，稱為“第一亮度值G1”)，與包括中間電極113的放電室170的中間區(qū)域的亮度(在下文中，稱為“第二亮度值G2”)的差。如果亮度偏差G1-G2有正值，那么第一亮度值G1大于第二亮度值G2?；蛘撸绻炼绕頖1-G2有負(fù)值，那么第一亮度值G1小于第二亮度值G2。
在放電室具有相對(duì)均勻的亮度的情況下，亮度偏差G1-G2的絕對(duì)值|G1-G2|應(yīng)落在預(yù)定范圍內(nèi)，優(yōu)選地大約低于6cd/m2。因此，可設(shè)定H/D的比使得絕對(duì)值|G1-G2|低于6cd/m2。例如，再次參照?qǐng)D8，對(duì)于相對(duì)比H/D大約0.15到大約0.45，亮度偏差的絕對(duì)值|G1-G2|大約小于6cd/m2。因此，如果相對(duì)比H/D是0(即沒(méi)有凹槽存在)，那么亮度偏差的絕對(duì)值|G1-G2|大(大約10cd)。然而，如果相對(duì)比H/D超過(guò)0.45，那么在放電期間第一介電層115可能會(huì)被損害。因此，為了維持放電室170的相對(duì)均勻的亮度并且減少損害第一介電層115的可能性，最好選擇凹槽145的尺寸使得相對(duì)比H/D在大約1.5和大約0.45之間。
圖9是示出維持電壓VS相對(duì)于相對(duì)比H/D的曲線圖。如圖9所示，當(dāng)相對(duì)比H/D增加時(shí)，維持放電電壓VS減小。另外，如果相對(duì)比H/D超過(guò)大約0.15，那么維持電壓VS相當(dāng)?shù)氐汀?br> 因此，如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過(guò)在第一介電層上形成具有合適尺寸的凹槽，可以提高發(fā)光效率和降低放電點(diǎn)火電壓。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變形。因此，這樣的目的是，如果本發(fā)明的變形和修改落于權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明覆蓋這些變形和修改。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括后基板；前基板，與后基板分開；障肋，置于前基板和后基板之間，限定放電室；維持電極對(duì)，包括X電極和Y電極，并與放電室交迭；中間電極，排列于每個(gè)維持電極對(duì)的X電極和Y電極之間；第一介電層，覆蓋所述維持電極對(duì)和所述中間電極并且包括凹槽，這些凹槽的形成方式是每個(gè)凹槽位于每個(gè)維持電極對(duì)的X電極和Y電極之間并對(duì)應(yīng)于所述中間電極；尋址電極，橫過(guò)放電室延伸，與所述維持電極對(duì)和所述中間電極交迭；第二介電層，覆蓋所述尋址電極；熒光體層，分別地形成在放電室；放電氣體，填充放電室。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，凹槽的深度(H)相對(duì)于第一介電層的厚度(D)的相對(duì)比(H/D)是大約0.15到大約0.45。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，凹槽的深度(H)是大約6μm到大約18μm。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，凹槽的位置對(duì)稱于放電室。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，維持電極對(duì)和中間電極位于相對(duì)于前基板基本上相同的高度上。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中，維持電極對(duì)和中間電極排列于前基板的后表面上。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括覆蓋第一介電層的保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，凹槽不連續(xù)地形成，每個(gè)凹槽對(duì)應(yīng)于每個(gè)放電室。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，凹槽與放電室的行交叉形成。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，各中間電極位于距離成對(duì)的X電極和Y電極基本上相同的距離處。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，凹槽形成于部分第一介電層上，并置于每個(gè)中間電極之上。
12.一種等離子體顯示裝置的放電室，包括第一介電層，布置于基板上，其中，第一介電層的表面限定出第一介電層上的凹槽。
13.如權(quán)利要求12所述的放電室，進(jìn)一步包括第一電極和第二電極，置于所述基板和所述第一介電層之間，凹槽置于所述第一電極和所述第二電極之間。
14.如權(quán)利要求13所述的放電室，進(jìn)一步包括第三電極，排列在第一電極和第二電極之間，所述凹槽置于第三電極之上。
15.如權(quán)利要求12所述的放電室，其中，凹槽具有深度H，第一介電層在靠近凹槽的區(qū)域上具有厚度D，H/D的比的范圍在大約0.15到大約0.45之間，凹槽的深度H的范圍在大約6μm到大約18μm之間。
16.一種等離子體顯示裝置的上板，包括前基板；第一介電層，具有第一面和排列在前基板上的第二面，其中所述第一面鄰近前基板，其中，第一介電層的第二面的表面不平坦，在第一介電層上限定出以預(yù)定的圖案設(shè)置的較薄區(qū)域和較厚區(qū)域。
17.如權(quán)利要求16所述的上板，進(jìn)一步包括置于第一介電層和前基板之間的電極，其中，較薄區(qū)域限定出在第一介電層的凹槽，其中凹槽平行于電極排列。
18.如權(quán)利要求17所述的上板，其中，電極包括成對(duì)排列的第一電極和第二電極，其中，凹槽置于相應(yīng)的電極對(duì)的第一電極和第二電極之間。
19.如權(quán)利要求18所述的上板，其中，凹槽具有深度H，第一介電層在靠近凹槽的區(qū)域具有厚度D，H/D的比的范圍在大約0.15到大約0.45之間，凹槽的深度H的范圍在大約6μm到大約18μm之間。
20.如權(quán)利要求17所述的上板，其中凹槽是不連續(xù)的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示面板(PDP)，其能夠通過(guò)增大放電空間來(lái)提高發(fā)光效率，并能夠降低放電點(diǎn)火電壓。該等離子體顯示面板包括靠近放電室的第一介電層，其中多個(gè)凹槽形成于第一介電層使得每個(gè)凹槽形成于放電室的X電極和Y電極之間，并覆蓋維持電極對(duì)和中間電極。
文檔編號(hào)H01J11/40GK1741230SQ20051008998
公開日2006年3月1日 申請(qǐng)日期2005年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月28日
發(fā)明者洪種基, 姜景斗, 姜太京 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社