專利名稱：氣體放電顯示裝置的保護層及其形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種氣體放電顯示器的保護層，尤其是一種具有優(yōu)良放電特性的介電保護層及其形成方法。
背景技術：
等離子體顯示板(PDP)作為大型顯示器是容易制造的自發(fā)射裝置，并且具有良好的顯示質量和快速響應速度。尤其是，由于它們薄，像液晶顯示器(LCD)一樣，PDP作為壁掛式顯示器受到極大關注。
圖1示出PDP像素。參考圖1，每個包括一對第一電極和第二電極的放電維持電極(每個標記為15)，形成在前玻璃襯底14的下表面。放電維持電極被由玻璃制成的介電層16所覆蓋。介電層16被保護層17覆蓋以防止因介電層16直接暴露于放電空間而導致的放電及壽命特性的減小。
通常，保護層防止在等離子體放電時上介電層與氣體離子碰撞，同時，發(fā)射出二次電子。因此，保護層必須滿足絕緣特性、抗濺射性、低放電電壓、快速放電響應、可見光傳輸?shù)鹊囊蟆?br> 同時，圖型ITO電極形成在前玻璃襯底上，總線電極形成在ITO電極上，并且介電層通過印刷方法覆蓋ITO電極和總線電極。前玻璃襯底以幾十微米的距離與后玻璃襯底分離。在前玻璃襯底和后玻璃襯底之間定義的空間在預定壓力(例如450托)下充滿發(fā)射紫外線(UV)的Ne+Xe混合氣體或He+Ne+Xe混合氣體。
Xe氣體發(fā)射真空UV(VUV)(Xe離子在147nm發(fā)射共振輻射，并且Xe2在約173nm發(fā)射共振輻射)。Ne氣體和Ne+He混合氣體降低了放電起始電壓。
韓國專利No.2001-48563公開了一種涂敷微量摻雜劑的PDP的保護層，在放電氣體即Xe氣體中具有增加的二次電子發(fā)射系數(shù)。根據(jù)專利公布，Xe氣體的單獨使用能夠帶來高密度的VUV輻射，并由此轉化為可見光的轉化效率可被提高到磷光體的量子效率。然而，由于放電起始電壓非常高，在顯示裝置中這項技術是不實用的。
鑒于上述問題，為了降低隨著高亮度放電的Xe氣體數(shù)量的增加而升高的放電起始電壓，已經(jīng)試圖將He氣混入Ne+Xe的混合氣體中。由于He離子的高移動性，使用He氣在降低放電起始電壓上是有優(yōu)勢的，但可能引起保護層和磷光層的嚴重的濺射蝕刻。
發(fā)明簡述本發(fā)明提供一種減小放電電壓增加的保護層，其中放電電壓的增加是由于為高亮度而使用增加數(shù)量的Xe氣而導致的，同時，對于單掃描提供更短的放電滯后時間。本發(fā)明還提供一種形成該保護層的化合物，形成該保護層的方法和包括該保護層的等離子體顯示板(PDP)。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種利用組合物形成的保護層，該組合物由選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種構成。
鎂鹽可以是MgCO3或Mg(OH)2。
鋰鹽可以是選自由Li2CO3、LiCl、LiNO3和Li2SO4組成的組。
鍺元素可以是超細鍺粒子。
每種鋰鹽和氧化鋰的數(shù)量可以是基于產(chǎn)生的氧化鎂在約0.02摩爾％到約2摩爾％的范圍。
氧化鍺的數(shù)量可以是基于產(chǎn)生的氧化鎂在約0.02摩爾％到約2摩爾％的范圍。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種形成保護層的組合物，該組合物包括選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種。
每種鋰鹽和氧化鋰的數(shù)量可以是基于產(chǎn)生的氧化鎂在約0.02摩爾％到約2摩爾％的范圍。
氧化鍺的數(shù)量可以是基于產(chǎn)生的氧化鎂在約0.02摩爾％到2摩爾％的范圍。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種形成保護層的方法，該方法包括(a)將選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種，在有熔劑的情況下均勻混合來得到混合物；(b)將混合物熱處理；(c)使用熱處理后的混合物形成沉積膜。
在步驟(a)中，熔劑可以是MgF2或LiF。
步驟(b)可以包括煅燒(a)中的混合物并且將煅燒后的混合物?；詿Y生成的小粒。
該煅燒可在約400℃到約800℃下完成，且該燒結可在約800℃到約1600℃下完成。
操作(c)可以通過化學汽相沉積(CVD)、電子束、離子電鍍或濺射來完成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種等離子體顯示板包括透明前襯底；平行于前襯底設置的后襯底；在前襯底和后襯底之間設置阻隔條以限定放電單元；沿著放電單元排列的尋址電極，該尋址電極沿后襯底方向排列并被后介電層覆蓋；設置在放電單元中的磷光層；延伸并與尋址電極交叉并被上介電層覆蓋的維持電極對；利用選自氧化鎂、鋰鹽、氧化鋰和氧化鍺中的至少一種在上介電層的下表面形成的保護層；以及在放電單元中的放電氣體。


通過參照附圖詳細描述本發(fā)明中的典型實施例，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加顯而易見，其中圖1是示出等離子體顯示板(PDP)的一個像素例子的視圖；圖2是示出放電滯后時間的溫度相關性的曲線圖；圖3是示出描述氣體離子從固體表面發(fā)射電子的Auger(俄歇)中和理論的視圖；和圖4示出包括根據(jù)本發(fā)明實施方案的保護層的PDP。
發(fā)明詳述現(xiàn)將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明，其中將示出本發(fā)明的典型實施方案。
通常，等離子體顯示板(PDP)的保護層完成下列三個功能。
首先，保護層保護電極和介電層。甚至當僅使用電極或僅使用電極和介電層時也能產(chǎn)生放電。然而，當僅使用電極時，很難控制放電電流。另一方面，當僅使用電極和介電層時，可能會產(chǎn)生因濺射對介電層的損傷。因此，介電層必須涂敷耐抗等離子體離子的保護層。
其次，保護層降低了放電起始電壓。放電起始電壓直接與二次電子的系數(shù)相關，該二次電子由等離子體離子從構成保護層的材料發(fā)射出來。二次電子發(fā)射系數(shù)與放電起始電壓成反比。即，隨著從保護層發(fā)射的二次電子數(shù)量的增加，放電起始電壓減小。電介質的低的二次電子發(fā)射系數(shù)必須由保護層的高的二次電子發(fā)射系數(shù)來補償。
最后，保護層減少了放電滯后時間。該放電滯后時間指描述其中放電發(fā)生在施加電壓后的預定時間的現(xiàn)象的物理數(shù)量，并且可由兩種分量的總和來表示形成滯后時間(Tf)和統(tǒng)計滯后時間(Ts)。形成滯后時間是當施加電壓時和當誘發(fā)放電電流時之間的時間，并且統(tǒng)計滯后時間是形成滯后時間的統(tǒng)計離差。放電滯后時間越少，完成單掃描的尋址越快，由此減少掃描驅動成本。而且，更少的放電滯后時間可以增加子域的數(shù)目并由此提高亮度和圖像質量。
當電壓施加在總線電極和尋址電極之間時，由宇宙射線或UV射線產(chǎn)生的種子電子與放電氣體碰撞以產(chǎn)生放電氣體離子。放電氣體離子和保護層的碰撞從保護層發(fā)射出大量二次電子，由此導致放電單元中的放電。
根據(jù)俄歇中和理論，當氣體離子與固體碰撞時，來自固體的電子轉移到氣體離子由此產(chǎn)生中性氣體。此時，固體的其它電子射入真空而在固體中形成空穴。固體材料的二次電子發(fā)射系數(shù)可以由下面的等式1來表示Ek＝EI-2(Eg+x)， (1)這里Ek是固體電子射入真空需要的能量，EI是氣體電離能量，Eg是固體的帶隙能量，并且x是電子親合勢。表1顯示出惰性氣體的共振發(fā)射波長和電離電壓。為了增加磷光層的光轉化效率，優(yōu)選采用以最長的波長發(fā)射VUV的Xe氣。
然而，由于低的電離電壓，Xe氣顯示出非常高的放電電壓，因為當構成保護層的固體材料的帶隙能量(Eg)和電子親合勢(x)分別為約7.7eV和約0.5eV時，從保護層發(fā)射電子的能量，Ek小于約0。在這點上，為了減小放電電壓，需要采用高電離電壓的氣體。根據(jù)等式1，Ek對于He為8.19eV且對于Ne為5.17eV。由于He的Ek高于Ne的Ek，He可以在低電壓下放電。然而，由于He的高移動性，在PDP放電中使用He氣可能會引起保護層的嚴重的等離子體蝕刻。
因此，Ne+Xe混合氣體一般用于當前可得到的PDP中。Xe的數(shù)量一般為約5wt％，但是Xe正在以增加的數(shù)量被使用。Xe的數(shù)量的增加可以增加亮度，卻引起放電電壓升高的問題。
表1惰性氣體和電離能量

PDP的保護層一般由單晶MgO制成?？捎糜诒Ｗo層的形成的單晶MgO來自高純度MgO燒結體。該MgO燒結體在電弧爐中長到約2到3英寸的顆粒，并且接著被處理成約3mm到約5mm尺寸的小粒以用于形成保護層。使用單晶MgO作為沉積源形成的膜是多晶膜。
表2表示通常可能包含于單晶MgO中的雜質的類型和數(shù)量。形成由單晶MgO構成的保護層對于控制雜質的類型和數(shù)量是很困難的。通常，單晶MgO包含預定數(shù)量的雜質。
一般包含于單晶MgO中的雜質的例子包括Al、Ca、Fe、Si、K、Na、Zr、Mn、Cr、Zn、B和Ni。最常見的雜質是Al、Ca、Fe和Si。為了提高包含這些雜質的單晶MgO膜的特性，可以控制雜質的數(shù)量到幾百ppm的水平。在本發(fā)明中，基于產(chǎn)生的MgO可含有約0.005摩爾％或更少數(shù)量的這些雜質。
表2對單晶MgO的ICP(感應耦合等離子體)分析結果

圖2示出放電滯后時間的溫度相關性。
在圖2中，Tf是形成滯后時間且Ts是統(tǒng)計滯后時間。形成滯后時間是當施加電壓時和當誘發(fā)放電電流時之間的時間，并且統(tǒng)計滯后時間是形成滯后時間的統(tǒng)計離差。
當放電滯后時間減少時，對單掃描的高速尋址成為可能。因此，能夠減小掃描驅動成本并增加子域的數(shù)目，由此增加亮度和圖像質量。而且，更短的放電滯后時間能夠實現(xiàn)高密度(HD)級面板的單掃描，并能通過增加維持(電極)的數(shù)目而增加亮度并通過增加構成電視域的子域數(shù)目而減少動態(tài)假輪廓。
關于圖2，單晶MgO不滿足為單掃描規(guī)格所需的放電滯后時間。另一方面，對于多晶MgO，放電在高溫發(fā)生更快而在低溫發(fā)生更慢。放電滯后時間的這一溫度相關性歸因于MgO中含有的雜質。最近的趨勢在于PDP的保護層采用多晶MgO形成。由多晶MgO制造保護層的制造工序相對于單晶MgO更容易控制存在的雜質的數(shù)量。而且，由于多晶MgO的沉積速率快于單晶MgO的沉積速率，可以得到更短的工序持續(xù)時間。
本發(fā)明的實施方案提供一種保護層及其形成方法，該保護層由選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種作為主要成分，以及含有Li和/或Ge的材料形成。根據(jù)本發(fā)明的保護層相對于傳統(tǒng)的保護層顯示出更好的放電起始電壓和放電滯后時間特性。
圖3示出影響MgO帶隙的氣體離子導致的從固體表面的電子發(fā)射。用于PDP的保護層的MgO具有像金剛石一樣的寬帶隙，并具有非常低或負的電子親合勢。
用雜質對保護層進行摻雜的同時形成施主能級(Ed)、受主能級(Ea)，以及在價帶(Ev)和導帶(Ec)之間的深能級(Et)，因此引起帶隙收縮的效果。因為根據(jù)等式1，MgO的有效帶隙能量(Eg)可以小于7.7eV，所以Xe的Ek可以大于0。
根據(jù)實施方案用于形成保護層的MgO來自氧化鎂和鎂鹽的至少一種。氧化鎂可以是MgO，且鎂鹽可以是MgCO3或Mg(OH)2。
為了帶隙收縮的效果而形成各種雜質能級，即施主能級、受主能級，以及在MgO的價帶和導帶之間的深能級，可以使用兩種不同的摻雜雜質該雜質是受主能級形成雜質和施主能級形成雜質。
受主能級形成雜質和施主能級形成雜質是具有約等于或小于Mg2+的離子尺寸的雜質。例如，受主能級形成雜質可以是Li1+離子，且施主能級形成雜質可以是Ge4+離子。
當Li1+離子代替Mg2+離子的位置時，通過形成受主能級而可以在價能級形成空穴，或者通過氧缺陷的誘導而可以形成施主能級?？蛇x擇地，在Mg晶格中Li+離子的存在可形成受主能級接受電子。
在實施方案中，用作鋰離子施主的鋰成分可以是鋰鹽。優(yōu)選地，鋰鹽可以是選自Li2CO3、LiCl、LiNO3和Li2SO4。鋰鹽的數(shù)量基于產(chǎn)生的MgO的數(shù)量在大約0.02摩爾％到大約2摩爾％的范圍之內。如果鋰鹽的數(shù)量少于0.02摩爾％，增加的效果不夠。另一方面，如果鋰鹽的數(shù)量超過2摩爾％，由于導電性增加而可能降低絕緣特性。
可以使用兩種類型的Ge離子Ge4+和Ge2+。Ge4+離子形成MgO的施主能級，而Ge2+離子不能形成雜質能級。然而，在Ge4+和Ge2+之間的電子飛躍可增加電子移動性并方便電子從保護層的主體轉移到其表面上。
在前述實施方案中，用作鍺離子施主的鍺成分可以是氧化鍺或鍺元素。在一個實施方案中，氧化鍺是GeO2，且鍺元素是超細鍺顆粒。
摻雜的鍺成分的數(shù)量基于產(chǎn)生的MgO的數(shù)量在大約0.02摩爾％到大約2摩爾％的范圍之內。如果鍺成分的數(shù)量少于0.02摩爾％，增加的效果不夠。另一方面，如果鍺成分的數(shù)量超過2摩爾％，由于導電性增加而可能降低絕緣特性。
因此，根據(jù)本發(fā)明實施方案的保護層采用氧化鎂和鎂鹽的至少一種，以及鋰(Li)和/或鍺(Ge)成分形成，并保護電極和電介質免受混合氣體例如Ne+Xe或He+Ne+Xe放電而產(chǎn)生的等離子體離子的影響。而且，保護層可快速發(fā)射出大量電子，并顯示出放電滯后時間的極少的溫度相關性，并由此適于增加Xe數(shù)量和單掃描。
本發(fā)明的另一方面提供一種形成PDP的保護層的組合物，其包括氧化鎂和鎂鹽的至少一種，以及鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素的至少一種。
在實施方案中，使用每種鋰鹽和氧化鋰的數(shù)量基于產(chǎn)生的MgO的數(shù)量在大約0.02摩爾％到大約2摩爾％。如果每種鋰鹽和氧化鋰的數(shù)量少于0.02摩爾％，增加的效果不夠。另一方面，如果每種鋰鹽和氧化鋰的數(shù)量超過2摩爾％，由于導電性增加而可能降低絕緣特性。
氧化鍺使用的數(shù)量基于產(chǎn)生的MgO的數(shù)量在大約0.02摩爾％到大約2摩爾％。如果氧化鍺的數(shù)量少于0.02摩爾％，增加的效果不夠。另一方面，如果氧化鍺的數(shù)量超過2摩爾％，由于導電性增加而可能降低絕緣特性。
本發(fā)明的另一方面提供一種形成保護層的方法，其包括(a)將氧化鎂和鎂鹽的至少一種，以及鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素的至少一種，在有熔劑的情況下均勻混合來得到混合物；(b)將混合物熱處理；(c)使用熱處理后的混合物形成沉積膜。
在步驟(a)中，熔劑可以是例如MgF2或LiF。步驟(b)可以包括煅燒(a)中的混合物并且將煅燒后的混合物?；詿Y生成的粒狀產(chǎn)品。
該煅燒可在約400℃到約800℃下進行約10小時或更少的時間以促進氧化鎂和摻雜劑之間的聚集。
在低于400℃下煅燒不能進行。另一方面，在超過800℃下煅燒可能會過度地進行。燒結可在約800℃到約1600℃下進行約3小時或更少的時間以促進構成小粒材料的結晶。如果燒結在低于800℃下進行，不能發(fā)生結晶。另一方面，如果燒結溫度超過1600℃，摻雜劑可能會出現(xiàn)嚴重損失。
這樣形成的小粒可以優(yōu)化最終產(chǎn)物多晶MgO的組成和熱處理條件，由此優(yōu)化多晶MgO制成的保護層的性能。
步驟(c)可以通過化學汽相沉積(CVD)、電子束、離子電鍍或濺射來形成保護層。
本發(fā)明的實施方案還提供了一種等離子體顯示板包括透明前襯底；基本上平行于前襯底設置的后襯底；在前襯底和后襯底之間設置以限定放電單元的阻隔條；沿著放電單元延伸的尋址電極；設置在每個放電單元中的磷光層；在與尋址電極交叉的方向延伸的維持電極對；覆蓋維持電極對的上介電層；在上介電層的表面上形成的保護層；以及包含在放電單元中的放電氣體；其中保護層包括選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種，以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種。
圖4示出一種PDP。前面板210包括前襯底211；形成在前襯底211的后表面211a上的維持電極對(每個為214)，每個維持電極對214包括Y電極212和X電極213；前介電層215覆蓋維持電極對；且保護層覆蓋前介電層215，并采用選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種，以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種形成。Y電極212和X電極213分別包括由氧化銦錫(ITO)等制成的透明電極212b和213b，以及由良好導電性的金屬制成的總線電極212a和213a。
后面板220包括后襯底221；形成在后襯底221的前表面221a上與維持電極對交叉的尋址電極(每個為222)；覆蓋尋址電極的后介電層223；形成在后介電層223上以限定放電單元(每個為226)的阻隔條224；以及設置在放電單元中的磷光層225。
在放電單元中的放電氣體可以是具有Xe、N2和Kr2中至少一種的Ne的混合氣體，或者具有Xe、He、N2和Kr中至少兩種的Ne的混合氣體。
根據(jù)本發(fā)明實施方案的保護層可以在Ne+Xe的雙原子的混合氣體下使用，該混合氣體中包含用于高亮度的增加數(shù)量的Xe。根據(jù)本發(fā)明實施方案的保護層即使在Ne+Xe+He的三原子混合氣體中也顯示了良好的抗濺射性，該混合氣體包含He氣用于補償放電電壓的增加，由此防止PDP的壽命減少。本發(fā)明的實施方案提供了一種保護層，該保護層能夠降低因使用增加數(shù)量的Xe而導致的放電電壓的升高，并滿足單掃描所需的放電滯后時間。
<實施例>
實施例1100摩爾％的MgO、2摩爾％的Li2CO3和2摩爾％的GeO2放入混合器并均勻混合5小時或更長時間。生成的混合物放入坩堝并在電爐中以500℃加熱10小時。該生成產(chǎn)物被壓縮模制成小粒并在1300℃下燒結以制備沉積源。
其間，銅制成的尋址電極通過光蝕刻法形成在2mm厚度的后襯底上。尋址電極被PbO玻璃覆蓋以形成20μm厚度的后介電層。接著，后介電層用BaAl12O19:Mn發(fā)射綠光的磷光體涂敷。
銅制成的總線電極通過光蝕刻法形成在2mm厚度的前襯底上?？偩€電極被PbO玻璃覆蓋以形成20μm厚度的上介電層。接著，沉積源通過電子束蒸發(fā)而沉積在前襯底上以形成保護層。這時，襯底溫度為250℃，且通過使用氣體流動控制器施加氧氣和氬氣將沉積壓力調節(jié)到1.5×10-4托。
前襯底和彼此面對的后襯底被30μm的間隙隔開以限定放電單元。該放電單元充滿95％Ne和5％Xe的混合氣體而由此完成PDP。
比較例1用如實施例1的相同方式制造的PDP，除了保護層僅采用無摻雜劑的MgO形成。
比較例2用如實施例1的相同方式制造的PDP，除了放電單元充滿90％Ne和10％Xe的混合氣體。
比較例3用如實施例1的相同方式制造的PDP，除了放電單元充滿80％Ne、10％Xe和10％He的混合氣體。
根據(jù)本發(fā)明實施方案的保護層與僅由單晶MgO制成的保護層相比適于增加Xe數(shù)量和單掃描。當根據(jù)本發(fā)明的保護層用作氣體放電顯示裝置特別是PDP的保護層時，它可保護電極和電介質不受Ne+Xe或He+Ne+Xe的混合氣體放電所產(chǎn)生的等離子體離子的影響。而且，根據(jù)本發(fā)明實施方案的保護層可提供更低的放電電壓和更短的放電滯后時間。此外，本發(fā)明實施方案的保護層可防止因為了達到高亮度而使用增加數(shù)量的Xe而引起的放電電壓的升高，并防止因附加He氣而引起的PDP壽命的減少。
權利要求
1.一種介電材料表面上的保護層，包括選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種，以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種。
2.如權利要求1的保護層，其中鎂鹽是MgCO3或Mg(OH)2。
3.如權利要求1的保護層，其中鋰鹽選自Li2CO3、LiCl、LiNO3和Li2SO4。
4.如權利要求1的保護層，其中鍺元素是超細鍺粒子。
5.如權利要求1的保護層，其中基于產(chǎn)生的氧化鎂，每種鋰鹽和氧化鋰的數(shù)量是在約0.02摩爾％到約2摩爾％的范圍。
6.如權利要求1的保護層，其中基于產(chǎn)生的氧化鎂，氧化鍺的數(shù)量是在約0.02摩爾％到約2摩爾％的范圍。
7.一種形成保護層的組合物，包括選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種，以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種。
8.如權利要求7的組合物，其中鎂鹽是MgCO3或Mg(OH)2。
9.如權利要求7的組合物，其中鋰鹽選自Li2CO3、LiCl、LiNO3和Li2SO4。
10.如權利要求7的組合物，其中鍺元素是超細鍺粒子。
11.如權利要求7的組合物，其中基于產(chǎn)生的氧化鎂，氧化鋰的數(shù)量是在約0.02摩爾％到約2摩爾％的范圍。
12.如權利要求7的組合物，其中基于產(chǎn)生的氧化鎂，氧化鍺的數(shù)量是在約0.02摩爾％到約2摩爾％的范圍。
13.一種形成保護層的方法，該方法包括(a)將選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種，以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種，在有熔劑的情況下均勻混合來得到混合物；(b)將混合物熱處理；和(c)使用熱處理后的混合物形成沉積膜。
14.如權利要求13的方法，其中熔劑是MgF2或LiF。
15.如權利要求13的方法，其中步驟(b)包括煅燒步驟(a)中的混合物；并且將煅燒后的混合物?；詿Y生成的小粒。
16.如權利要求15的方法，其中煅燒在約400℃到約800℃下進行。
17.如權利要求15的方法，其中燒結在約800℃到約1600℃下進行。
18.如權利要求13的方法，其中步驟(c)通過化學汽相沉積(CVD)、電子束、離子電鍍或濺射來完成。
19.一種等離子體顯示板，包括透明前襯底；基本上平行于前襯底設置的后襯底；在前襯底和后襯底之間設置以限定放電單元的阻隔條；沿著放電單元延伸的尋址電極；設置在每個放電單元中的磷光層；沿與尋址電極交叉的方向延伸的維持電極對；覆蓋維持電極對的前介電層；在上介電層的表面形成的保護層；以及包含在放電單元中的放電氣體；并且其中保護層包括選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種，以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種。
全文摘要
提供一種采用選自氧化鎂和鎂鹽中的至少一種，以及選自鋰鹽、氧化鋰、氧化鍺和鍺元素中的至少一種形成的保護層。還提供一種形成保護層的組合物。當組合物用于氣體放電顯示裝置的保護層時，可以保護電極或電介質不受Ne+Xe或He+Ne+Xe的混合氣體放電所產(chǎn)生的等離子體離子的影響，可以得到更低的放電電壓和更短的放電滯后時間。
文檔編號H01J11/34GK1741229SQ20051008969
公開日2006年3月1日 申請日期2005年6月24日 優(yōu)先權日2004年6月26日
發(fā)明者李玟錫, 崔鐘書, 吳敏鎬, 金哉赫, 徐淳星 申請人:三星Sdi株式會社