專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體地講，涉及一種具有有利于實(shí)現(xiàn)較高密度和高亮度顯示的電極結(jié)構(gòu)的PDP。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是通過等離子體輻射的真空紫外光(VUV)激發(fā)熒光粉而產(chǎn)生的可見光來實(shí)現(xiàn)圖像的顯示元件，所述的等離子體是通過氣體放電而獲得的。這樣的PDP可實(shí)現(xiàn)厚度不超過10cm、60英寸以上的超大屏幕。因?yàn)镻DP與陰極射線管(CRT)一樣是自發(fā)光顯示器，所以它具有好的色彩再現(xiàn)，并不具有取決于視角的扭曲現(xiàn)象。此外，因?yàn)榕c液晶顯示器(LCD)等的制造方法比較，PDP的制造方法簡(jiǎn)單，所以PDP具有好的生產(chǎn)率和低的制造成本。因此，PDP已經(jīng)作為下一代的工業(yè)平板顯示器和家庭TV顯示器備受矚目。
自從20世紀(jì)70年代以來PDP的結(jié)構(gòu)已經(jīng)經(jīng)過了長(zhǎng)時(shí)期的發(fā)展。最常見的結(jié)構(gòu)是三電極共平面放電結(jié)構(gòu)。三電極共平面型結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)基板，兩個(gè)基板之間間隔預(yù)定的間隙，一個(gè)基板具有設(shè)置在同一平面上的兩個(gè)電極，另一基板具有在垂直方向上延伸的尋址電極。在三電極共平面放電結(jié)構(gòu)中，放電氣體密封在所述的兩個(gè)基板之間。
為了產(chǎn)生用肉眼可見的可見光，PDP采用輝光放電。當(dāng)由于電子和氣體碰撞而產(chǎn)生受激氣體時(shí)輝光放電發(fā)生。受激氣體產(chǎn)生紫外光線。紫外光線與放電室中的熒光粉碰撞以產(chǎn)生可見光。產(chǎn)生的可見光通過透明的前基板，然后到達(dá)肉眼。經(jīng)過這些步驟，大量的輸入功率損失了。
通常通過在低大氣壓(＜1atm)下在兩個(gè)電極之間施加高于放電點(diǎn)火電壓的電壓來獲得輝光放電。放電點(diǎn)火電壓是由氣體的類型、大氣壓和電極之間的距離定義的函數(shù)。對(duì)于AC放電，放電點(diǎn)火電壓受介電材料的電容(介電常數(shù)、電極面積和厚度)和施加電壓的頻率以及上述的三個(gè)因素的影響。
為了開始放電，需要非常高的電壓。然而，一旦已經(jīng)產(chǎn)生放電，由于在陰極和陽(yáng)極的附近產(chǎn)生的空間電荷的差異，在陰極和陽(yáng)極之間的電壓分布具有扭曲的形狀。大部分電壓耗費(fèi)在陰極和陽(yáng)極的附近，即在被稱為陰極鞘區(qū)和陽(yáng)極鞘區(qū)的區(qū)域上。在正柱區(qū)域上耗費(fèi)的電壓量是相對(duì)可忽略的。更具體地講，眾所周知在PDP產(chǎn)生的輝光放電中在陰極鞘區(qū)上耗費(fèi)的電壓顯著地高于在陽(yáng)極鞘區(qū)上耗費(fèi)的電壓。
通過紫外光線與熒光粉碰撞來發(fā)射可見光。當(dāng)氙(Xe)的能級(jí)從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)時(shí)產(chǎn)生紫外光線。通過基態(tài)的氙(Xe)與電子碰撞來產(chǎn)生激發(fā)態(tài)的氙(Xe)。因此，為了提高相對(duì)于輸入功率的產(chǎn)生的可見光的比率，即發(fā)射效率，有必要提高電子加熱效率。
通常，在正柱區(qū)上的電子加熱效率高于在陰極鞘區(qū)上的電子加熱效率。因此，可通過增大正柱區(qū)來提高PDP的發(fā)射效率。因?yàn)樵谙嗤臍鈮合虑蕝^(qū)的厚度幾乎相同，所以為了提高發(fā)射效率有必要增大放電的長(zhǎng)度。
在具有三電極結(jié)構(gòu)的PDP中，放電發(fā)生在兩個(gè)電極之間的距離最小的區(qū)域上(即放電室的中心部分)。然后，放電向電極的邊緣區(qū)域移動(dòng)。在中心區(qū)域上產(chǎn)生放電的原因是在該區(qū)域上的放電點(diǎn)火電壓低。放電點(diǎn)火電壓是氣壓和電極之間的距離的乘積的函數(shù)。PDP工作區(qū)域位于帕邢曲率為最小值的右側(cè)。一旦放電開始，由于空間放電的形成，通過顯著低于放電點(diǎn)火電壓的電壓來維持該放電。施加在兩個(gè)電極之間的電壓隨著時(shí)間的流逝逐漸下降。在放電已經(jīng)發(fā)生之后，當(dāng)離子和電子積累在中心區(qū)域時(shí)，電場(chǎng)的強(qiáng)度變?nèi)酰⑶以谠搮^(qū)域的放電消失。
隨著時(shí)間的流逝陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)移動(dòng)到不存在表面放電的區(qū)域，即電極邊緣的附近。因?yàn)槭┘釉趦蓚€(gè)電極之間的電壓隨著時(shí)間的流逝而下降，所以在放電室的中心區(qū)域(具有低發(fā)射效率的結(jié)構(gòu))上產(chǎn)生強(qiáng)放電，在放電室邊緣的附近(具有高發(fā)射效率的結(jié)構(gòu))產(chǎn)生弱放電。由此，現(xiàn)有的三電極共平面放電結(jié)構(gòu)在相對(duì)于輸入功率的產(chǎn)生的熱電子的比率方面顯然低。這導(dǎo)致低的發(fā)射效率。
為了解決三電極結(jié)構(gòu)的上述問題，必須增大顯示電極之間的距離以使放電點(diǎn)火電壓提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種PDP，所述的PDP能夠通過在放電室的邊緣上形成靠近熒光粉層的金屬電極來緩解放電強(qiáng)度在放電室的邊緣附近降低的問題。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種PDP，在所述的PDP的放電室結(jié)構(gòu)中可通過對(duì)向放電引發(fā)在一對(duì)顯示電極之間產(chǎn)生的維持放電，以克服當(dāng)放電室的尺寸變小時(shí)導(dǎo)致的放電的缺點(diǎn)。
通過提供一種等離子體顯示面板(PDP)可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其它的目的，所述的PDP包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板；尋址電極，在第一基板上彼此平行地設(shè)置；障肋，排列在第一基板和第二基板之間的空間中以分成多個(gè)放電室；熒光粉層，相應(yīng)地設(shè)置在放電室中；第一電極和第二電極，對(duì)應(yīng)于各個(gè)放電室設(shè)置在第二基板上，所述的第一電極和第二電極在與尋址電極交叉的方向上延伸；第三電極和第四電極，與所述的第一電極和第二電極分開，并且在遠(yuǎn)離第二基板的方向上朝第一基板突起，所述的第三電極和第四電極彼此面對(duì)，并且在它們之間置有空間。
優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極設(shè)置的層不同于所述的第一電極和第二電極設(shè)置的層。
優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極被它們之間的第一電極和第二電極及介電層彼此分開。
優(yōu)選地，所述的第一電極和第二電極被介電層覆蓋，更接近第一基板的第三電極和第四電極的端部朝第一基板比朝與放電室的中心對(duì)應(yīng)的介電層的表面突起得多。
優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極在面板的厚度方向上的厚度大于所述的第一電極和第二電極的厚度。
優(yōu)選地，用垂直于長(zhǎng)度方向的平面截取的所述的第三電極和第四電極的橫截面在垂直于基板的方向上比在平行于基板的方向上長(zhǎng)。
優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極包括金屬。
優(yōu)選地，所述的PDP還包括第一介電層，所述的第一介電層設(shè)置成覆蓋在第二基板上的第一電極和第二電極；優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極設(shè)置在所述的第一介電層上；優(yōu)選地，第二介電層設(shè)置成包圍所述的第三電極和第四電極。
優(yōu)選地，設(shè)置在所述的第三電極和第四電極面對(duì)所述的第一基板的表面上的第二介電層的厚度大于設(shè)置在所述的第三電極和第四電極彼此相對(duì)的表面上的第二介電層的厚度。
優(yōu)選地，所述的第二介電層包括非透明的介電材料。
優(yōu)選地，所述的第一電極和第二電極分別設(shè)置在與放電室的邊緣相鄰的放電室之上。
優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極分別設(shè)置在與放電室的邊緣相鄰的放電室之上。
優(yōu)選地，在所述的第一電極和第二電極中的每個(gè)包括匯流電極，分別與放電室對(duì)應(yīng)并沿與尋址電極相交的方向延伸；擴(kuò)展電極，從匯流電極朝每個(gè)放電室的中心延伸。
優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極設(shè)置在從面板的前面看來所述的第三電極和第四電極與所述的第一電極和第二電極的匯流電極重疊的位置。
優(yōu)選地，在平行于尋址電極的方向上所述的第一電極和第二電極的匯流電極寬度大于所述的第三電極和第四電極的寬度。
優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極在與尋址電極相交的方向上延伸。
優(yōu)選地，在所述的第三電極和第四電極中的每個(gè)包括多個(gè)單位電極，所述的多個(gè)單位電極彼此分開并優(yōu)選地在與尋址電極相交的方向上彼此平行地設(shè)置。
優(yōu)選地，所述的第三電極適合承受高于第一電極的電壓的電壓，所述的第四電極適合承受高于第二電極的電壓的電壓。
優(yōu)選地，所述的第一電極和第三電極分別連接到不同的信號(hào)電壓發(fā)生器并適合承受相應(yīng)的信號(hào)電壓，優(yōu)選地，施加到第一電極的電壓低于施加到第三電極的電壓。
優(yōu)選地，所述的第二電極和第四電極分別連接到不同的信號(hào)電壓發(fā)生器并適合承受相應(yīng)的信號(hào)電壓，優(yōu)選地，施加到第二電極的電壓低于施加到第四電極的電壓。
優(yōu)選地，所述的第一電極和第三電極的接線端連接到同一信號(hào)電壓發(fā)生器，優(yōu)選地，電阻設(shè)置在第一電極和信號(hào)電壓發(fā)生器之間。
優(yōu)選地，所述的第二電極和第四電極的接線端連接到同一信號(hào)電壓發(fā)生器，優(yōu)選地，電阻設(shè)置在第二電極和信號(hào)電壓發(fā)生器之間。
優(yōu)選地，所述的第三電極適合承受與所述的第一電極相同的電壓，優(yōu)選地，所述的第四電極適合承受與第二電極相同的電壓。
優(yōu)選地，所述的第一電極和第三電極的接線端適合于電連接在一起。
優(yōu)選地，所述的第二電極和第四電極的接線端適合于電連接在一起。
優(yōu)選地，所述的第一電極和第二電極中的每個(gè)包括匯流電極和突起電極，所述的匯流電極分別與放電室對(duì)應(yīng)并在與尋址電極相交的方向上延伸，所述的突起電極從匯流電極朝每個(gè)放電室的中心突起；優(yōu)選地，所述的突起電極包括大寬度部分、小寬度部分和連接部分，所述的大寬度部分設(shè)置在放電室的中心上，小寬度部分適合連接到匯流電極，并且小寬度部分的寬度小于大寬度部分的寬度，所述的連接部分適合連接到所述的大寬度部分和小寬度部分。
優(yōu)選地，所述的大寬度部分的寬度大于所述的小寬度部分的寬度，所述的小寬度部分的寬度大于所述的連接部分的寬度。
優(yōu)選地，所述的大寬度部分的面積大于所述的小寬度部分和連接部分的面積。
優(yōu)選地，所述的大寬度部分沿所述的大寬度部分與尋址電極交叉的方向按直線設(shè)置。
優(yōu)選地，所述的大寬度部分在與尋址電極相同的方向上延伸。
優(yōu)選地，所述的突起電極的小寬度部分的寬度大于所述的匯流電極的寬度。
優(yōu)選地，所述的突起電極的小寬度部分的寬度大于所述的第三電極和第四電極的寬度。
所述的PDP還包括介電層，所述的介電層適合覆蓋所述的第一電極和第二電極，所述的介電層包括與放電室的中心部分對(duì)應(yīng)的槽。
優(yōu)選地，在平行于尋址電極的方向上測(cè)量的介電層上的槽的寬度大于在所述的第一電極和第二電極之間的放電間隙。
優(yōu)選地，所述的介電層上的槽具有適于使所述的第二基板的表面暴露的深度。
優(yōu)選地，所述的介電層包括第一平面和第二平面，所述的第一平面沿所述的槽并與該槽相鄰地設(shè)置，所述的第二平面與所述的第一平面相鄰地設(shè)置，并且朝所述的第一基板比朝所述的第一平面突起得多。
優(yōu)選地，所述的第一電極和第二電極交替地設(shè)置在放電室中，并且在平行于尋址電極的方向上彼此相鄰，在所述的第三電極和第四電極中的每個(gè)中，優(yōu)選地，一個(gè)電極被一對(duì)放電室共用，所述的第三電極和第四電極在平行于尋址電極的方向上彼此相鄰。
優(yōu)選地，所述的障肋包括第一障肋元件和第二障肋元件，所述的第一障肋元件在平行于尋址電極的方向上延伸，所述的第二障肋元件與所述的第一障肋元件交叉并分別將放電室分成多個(gè)獨(dú)立的空間；優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極設(shè)置在所述的第二障肋元件之上，優(yōu)選地，在尋址電極的長(zhǎng)度方向上相鄰的一對(duì)放電室共用至少一個(gè)電極。
優(yōu)選地，所述的第三電極和第四電極具有多個(gè)單位電極，所述的多個(gè)單位電極彼此分開，并且沿與尋址電極相交的方向上彼此平行地設(shè)置。


通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)的描述，本發(fā)明上述和其它的目的、特征及其它的優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更易于理解，其中圖1是在輝光放電中施加在陰極和陽(yáng)極之間的電壓的分布的曲線圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的分解透視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4是沿圖2中線IV-IV截取的PDP的橫截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的前板的結(jié)構(gòu)的詳細(xì)橫截面圖；圖6A至圖6D是在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP中已經(jīng)發(fā)生放電之后根據(jù)時(shí)間的陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)的位置和尺寸的橫截面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的變型的橫截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖9A至圖9D是在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP中已經(jīng)發(fā)生放電之后根據(jù)時(shí)間的陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)的位置和尺寸的橫截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的橫截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP的橫截面圖；圖12A至圖12D是在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP中已經(jīng)發(fā)生放電之后根據(jù)時(shí)間的陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)的位置和尺寸的橫截面圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的PDP的分解透視圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP的橫截面圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP的前板的結(jié)構(gòu)的詳細(xì)橫截面圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP的變型的前板的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的PDP的分解透視圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖21是沿圖19中線XXI-XXI截取的PDP的橫截面圖；圖22是根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是在輝光放電中施加在陰極和陽(yáng)極之間的電壓的分布的曲線圖，為了開始放電，需要非常高的電壓。然而，一旦已經(jīng)產(chǎn)生放電，由于在陰極和陽(yáng)極的附近產(chǎn)生的空間電荷的差異，在陰極和陽(yáng)極之間的電壓分布具有如圖1所示的扭曲的形狀。大部分電壓耗費(fèi)在兩個(gè)電極的附近，即在被稱為陰極鞘區(qū)和陽(yáng)極鞘區(qū)的區(qū)域上。在正柱區(qū)上耗費(fèi)的電壓量是相對(duì)可忽略的。更具體地講，公知在PDP產(chǎn)生的輝光放電中在陰極鞘區(qū)上耗費(fèi)的電壓顯著地高于在陽(yáng)極鞘區(qū)上耗費(fèi)的電壓。
下面參照附圖來詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，從而使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地實(shí)施本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以各種不同的方式來實(shí)施，本發(fā)明的范圍不局限于這些示例性的實(shí)施例。在附圖中，為了清楚地描述本發(fā)明，已經(jīng)省略與本說明部分無聯(lián)系的部件。相同的標(biāo)記用來表示相同或相似的部件。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的分解透視圖。圖3是PDP的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4是沿圖2中線IV-IV截取的PDP的橫截面圖。
參照?qǐng)D2至圖4，根據(jù)本發(fā)明的PDP包括第一基板10(下文稱為“后基板”)和第二基板20(下文稱為“前基板”)，彼此相對(duì)設(shè)置并在二者之間間隔預(yù)定的距離；多個(gè)放電室18，在兩個(gè)基板10和20之間的空間中由障肋16限定。吸收紫外光線并發(fā)射可見光的熒光粉層19沿障肋和底表面形成在放電室18中。熒光粉層19填充有放電氣體(例如包括氙(Xe)、氖(Ne)等氣體的混合氣體)，從而它們可以產(chǎn)生等離子體放電。
尋址電極12沿一個(gè)方向(圖中的y-軸方向)形成在面對(duì)前基板20的后基板10的表面上。介電層14形成在后基板10的整個(gè)內(nèi)表面上，以覆蓋尋址電極12。尋址電極12彼此平行地形成，同時(shí)與相鄰的尋址電極12保持預(yù)定的距離。
障肋16形成在介電層14上，所述的介電層14形成在后基板10上。在本實(shí)施例中，障肋16分別包括第一障肋元件16a和第二障肋元件16b，所述的第一障肋元件16a平行于尋址電極12延伸，所述的第二障肋元件16b形成以與第一障肋元件16a相交并將放電室18分成獨(dú)立的放電空間。該障肋結(jié)構(gòu)不局限于上述的結(jié)構(gòu)。僅由平行于尋址電極的障肋元件組成的條型障肋結(jié)構(gòu)也可適用于本發(fā)明。此外，劃分放電室的各種形狀的障肋結(jié)構(gòu)也是可能的，這也落入在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
參照?qǐng)D3，第一電極21和第二電極22形成在與后基板10相對(duì)的前基板20的內(nèi)表面上，并且在與尋址電極12相交的方向(圖中的x-軸方向)上延伸。在本發(fā)明中，第一電極21包括匯流電極21b和擴(kuò)展電極21a，所述的匯流電極21b分別與放電室18對(duì)應(yīng)，并且在匯流電極21b與尋址電極12相交的方向上延伸，所述的擴(kuò)展電極21a從匯流電極21b朝放電室18的中心延伸以形成預(yù)定的放電間隙g。第二電極22包括匯流電極22b和擴(kuò)展電極22a，所述的匯流電極22b分別與放電室18對(duì)應(yīng)，并且在與尋址電極12相交的方向上延伸，所述的擴(kuò)展電極22a從匯流電極22b朝放電室18的中心延伸以形成預(yù)定的放電間隙g。匯流電極21b和22b可由金屬制成。優(yōu)選地，為了獲得高寬比，擴(kuò)展電極21a和22a由透明電極例如氧化銦錫(ITO)電極形成。
第一電極21和第二電極22與放電室對(duì)應(yīng)，以參與維持期的放電。第一電極21和第二電極22中的一個(gè)與尋址電極12一起參與尋址期的放電。然而，根據(jù)施加的信號(hào)電壓，各個(gè)電極可起不同的作用。本發(fā)明不局限于此。
參照?qǐng)D4，在本發(fā)明中，第三電極23和第四電極24形成在前基板20上，以致分別與第一電極21和第二電極22分開。第三電極23和第四電極24設(shè)置在這樣的位置上，使得從面板的前面看來所述的第三電極23和第四電極24分別近似與第一電極21的匯流電極21b和第二電極22的匯流電極22b重疊。第三電極23和第四電極24分別與第一電極21和第二電極22分開，并且在遠(yuǎn)離前基板20的方向(圖中z-軸的負(fù)方向)上朝后基板10突出。突出的第三電極23和第四電極24形成彼此面對(duì)，并在它們之間置有空間。該空間可在彼此相對(duì)的第三電極23和第四電極24之間引發(fā)對(duì)向放電。優(yōu)選地，這些第三電極23和第四電極24由金屬制成。
在本實(shí)施例中，第三電極23和第四電極24形成的層不同于第一電極21和第二電極22形成的層。即，在前基板20上，形成第一介電層28a以覆蓋第一電極21和第二電極22。第三電極23和第四電極24形成在第一介電層28a上。形成第二介電層28b以包圍第三電極23和第四電極24。第一介電層28a優(yōu)選地由透明的介電材料形成，使得它可發(fā)射在放電室18中產(chǎn)生的可見光。第二介電層28b可由與第一介電層28a相同的材料形成，但是為了提高PDP的明暗對(duì)比度，它們可由非透明的介電材料形成。
因?yàn)榈谌姌O23和第四電極24突出，并且第二介電層28b形成以包圍第三電極23和第四電極24，所以介電材料塊形成在相鄰的放電室18之間。介電材料塊可防止離子和電子在相鄰的放電室18之間移動(dòng)，從而顯著地減少了串?dāng)_的發(fā)生。因此，它可減少點(diǎn)火熄火放電室中的錯(cuò)誤放電。
第一電極21的匯流電極21b和第二電極22的匯流電極22b形成在每個(gè)放電室18的邊緣附近，使得它們位于放電室18之上。第三電極23和第四電極24在與匯流電極21b和22b對(duì)應(yīng)的位置上沿與尋址電極12相交的方向延伸。即，第三電極23和第四電極24也形成在每個(gè)放電室18的邊緣附近，并位于放電室18之上。然而，第三電極23和第四電極24與第一電極21和第二電極22之間的介電層將它們分開。
MgO保護(hù)薄膜29形成在第一介電層28a和第二介電層28b上，以保護(hù)介電層免受在等離子體放電時(shí)離化的原子的離子碰撞。MgO保護(hù)薄膜29的優(yōu)點(diǎn)在于它可提高放電效率，因?yàn)楫?dāng)離子彼此碰撞時(shí)二次電子的發(fā)射系數(shù)高。
為了驅(qū)動(dòng)上述構(gòu)造的PDP，選擇性地將外部電壓施加到第三電極23和第四電極24中的一個(gè)或者第一電極21的匯流電極21b和第二電極22的匯流電極22b中的一個(gè)。具體而言，第三電極23和第四電極24與第一電極21的匯流電極21b和第二電極22的匯流電極22b兩組中的任何一組變?yōu)楦?dòng)電極。由于電容耦合導(dǎo)致在第三電極23和第四電極24與第一電極21的匯流電極21b和第二電極22的匯流電極22b之間產(chǎn)生電勢(shì)差。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的前板的結(jié)構(gòu)的詳細(xì)橫截面圖。
在本實(shí)施例中，為了在第三電極23和第四電極24之間產(chǎn)生對(duì)向的放電，優(yōu)選的是，第三電極23(或第四電極24)的端部更靠近后基板10，以對(duì)應(yīng)于放電室18的中心部分朝后基板10比朝第一介電層28a的表面突起得多。同樣優(yōu)選的是，在厚度方向上測(cè)量的面板厚度大于第一電極21的匯流電極21b和第二電極22的匯流電極22b的厚度。即，參照?qǐng)D5，滿足d＞0，H(b)＜H(m)的條件，其中d表示從第一介電層28a的表面起突出的第三電極23(或第四電極24)的長(zhǎng)度，H(b)表示從前基板20的表面起測(cè)量的匯流電極21b和22b的厚度，H(m)表示在面板的厚度方向上測(cè)量的第三電極23(或第四電極24)的厚度。
為了構(gòu)造該前板結(jié)構(gòu)，可通過噴沙方法除去包圍形成在前基板20上的電極的介電層，或者可使用感光介電材料或生板(green sheet)來切掉一些介電層。此外，在用厚膜陶瓷板(TFCS)方法獨(dú)立地構(gòu)造包括第三電極23和第四電極24的電極單元之后，該電極單元可結(jié)合到前基板20，第一電極21和第二電極22形成在所述的前基板20上。
當(dāng)匯流電極21b和22b的寬度W(b)和第三電極23(或第四電極24)的寬度W(m)大時(shí)或者當(dāng)匯流電極21b和22b與第三電極23(或第四電極24)之間的距離H(m-b)小時(shí)，兩個(gè)電極之間的電容增大。因此，放電可容易地從前基板20上的第一電極21和第二電極22轉(zhuǎn)移到第三電極23和第四電極24。
第三電極23和第四電極24在垂直于其長(zhǎng)度方向的平面上截取的橫截面在垂直于基板的表面的方向(圖中的z-軸方向)的長(zhǎng)度H(m)可能比在平行于基板的表面的方向(圖中的y-軸方向)的長(zhǎng)度W(m)長(zhǎng)。具體而言，從前基板20的表面起的第三電極23和第四電極24的高度可制得更大。通過這樣做，如果在放電室的平面方向上的尺寸必須減小以實(shí)施較高密度顯示，通過增大第三電極23和第四電極24的高度可彌補(bǔ)減小的尺寸。
當(dāng)?shù)诙殡妼?8b形成包圍第三電極23和第四電極24時(shí)，形成在面對(duì)后基板10的第三電極23和第四電極24的表面上的第二介電層28b的厚度(H1)可大于形成在第三電極23和第四電極24彼此相對(duì)的表面上的第二介電層28b的厚度(W1)，如圖5所示。此外，形成在相鄰的放電室18之間的不同電極之間的第二介電層28b的厚度(W2)可大于形成在其中第三電極23和第四電極24彼此相對(duì)的表面上的第二介電層28b的厚度(W1)。該結(jié)構(gòu)可防止在維持放電時(shí)位于相鄰的放電室中的電極之間發(fā)生錯(cuò)誤的放電。
圖6A至圖6D是在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP中發(fā)生放電之后根據(jù)時(shí)間的陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)的位置和尺寸的橫截面圖。
在放電D發(fā)生在前基板20上形成的第一電極21和第二電極22之間的距離最近的區(qū)域(即放電室18的中心)之后，隨著離子和電子積累，施加到放電間隙g的電壓會(huì)下降。因此，陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)向不存在表面放電的區(qū)域即放電室18的邊緣區(qū)域移動(dòng)。因?yàn)殡S著時(shí)間的流逝施加到放電間隙g的電壓降低，所以放電的強(qiáng)度下降(參見圖6A和圖6B)。
在根據(jù)本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，與其中放電在放電室18的邊緣區(qū)域上熄滅的現(xiàn)有的三電極結(jié)構(gòu)不同，放電移動(dòng)到設(shè)置在放電室18的邊緣上的第三電極23和第四電極24。因?yàn)樵诶脤?duì)向放電的第三電極23和第四電極24之間比在匯流電極21b和22b之間更容易產(chǎn)生放電，所以與在匯流電極21b和22b的表面上的放電強(qiáng)度比較，在第三電極23和第四電極24的表面上的放電強(qiáng)度不會(huì)下降很多。當(dāng)陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)從第三電極23和第四電極24的上部分向其下部分移動(dòng)時(shí)，放電持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間。在覆蓋第三電極23和第四電極24的介電層上積累足夠的表面電荷之后，放電消失(參見圖6C和6D)。
如果兩個(gè)電極之間的距離相同，則可能發(fā)生放電，因?yàn)樵趯?duì)向放電電極結(jié)構(gòu)中的放電點(diǎn)火電壓比在共平面放電電極結(jié)構(gòu)中的放電點(diǎn)火電壓低很多。根據(jù)本實(shí)施例的PDP的電極結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于放電很容易從設(shè)置在前基板20上的第一電極21和第二電極22轉(zhuǎn)移到第三電極23和第四電極24。因此，該結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于放電在發(fā)射效率好的長(zhǎng)放電路徑的區(qū)域(即放電室的邊緣附近)上維持長(zhǎng)時(shí)間。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的變型的橫截面圖。
根據(jù)該變型，第一電極21的匯流電極21b′和第二電極22的匯流電極22b′的寬度W(b′)大于第三電極23或第四電極24的寬度W(m)。通常，匯流電極21b′和匯流電極22b′由非透明的金屬電極形成。因此，如果這些寬度增大，則可提高PDP的明暗對(duì)比度。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖。
在根據(jù)本實(shí)施例的PDP中，按照與第一實(shí)施例相同的方式，第三電極33和第四電極34形成在前基板上以與第一電極21和第二電極22分開。第三電極33和第四電極34在遠(yuǎn)離前基板的方向上突向后基板。第三電極33和第四電極34彼此面對(duì)形成并在它們之間置有空間。所述的空間可引發(fā)在彼此相對(duì)的第三電極33和第四電極34之間的對(duì)向放電。優(yōu)選地，這些第三電極33和第四電極34由金屬制成。
參照?qǐng)D8，在根據(jù)本實(shí)施例的PDP中，第三電極33和第四電極34中的每個(gè)包括多個(gè)單位電極，所示的多個(gè)單位電極彼此分開并且沿與尋址電極12相交的方向彼此平行地排列。從第一電極21和第二電極22施加驅(qū)動(dòng)PDP的信號(hào)電壓，從而第三電極33和第四電極34變?yōu)楦?dòng)電極。按照與第一實(shí)施例相同的方式，由于電容耦合導(dǎo)致在第三電極33和第四電極34與第一電極21和第二電極22之間產(chǎn)生電勢(shì)差。本實(shí)施例的第一電極21和第二電極22還可包括匯流電極和擴(kuò)展電極。然而，為了簡(jiǎn)單起見，已經(jīng)省略了匯流電極和擴(kuò)展電極的詳細(xì)圖。
圖9A至圖9D是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的橫截面圖，示出了在已經(jīng)發(fā)生放電之后根據(jù)時(shí)間的陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)的位置和尺寸。不同的信號(hào)電壓發(fā)生器給各個(gè)電極供應(yīng)不同的電壓V1至V4。
在本實(shí)施例中，第三電極23的電壓高于第一電極21的電壓，第四電極24的電壓高于第二電極22的電壓。
第一電極21和第三電極23分別連接到不同的信號(hào)電壓發(fā)生器(未示出)，并且可分別承受信號(hào)電壓V1和V3。施加到第三電極23的電壓V3高于施加到第一電極21的電壓V1。
此外，第二電極22和第四電極24分別連接到不同的信號(hào)電壓發(fā)生器(未示出)，并且可承受信號(hào)電壓V2和V4。施加到第二電極22的電壓V2高于施加到第四電極24的電壓V4。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的橫截面圖，示出了其中在沿圖3中的線X-X截取的PDP的橫截面圖中接線端連接到電極的關(guān)系。
如圖10所示，第一電極21和第二電極23的接線端連接到同一信號(hào)電壓發(fā)生器(未示出)?？赏ㄟ^在第一電極21和信號(hào)電壓發(fā)生器之間插入電阻R來將不同的電壓V1和V3分別施加到電極21和23。施加到第三電極23的電壓V3高于施加到第一電極21的電壓V1。
按照同樣的方式，第二電極22和第四電極24的接線端連接到同一信號(hào)電壓發(fā)生器(未示出)?？赏ㄟ^在第二電極22和信號(hào)電壓發(fā)生器之間插入電阻R來將不同的電壓V2和V4分別施加到電極22和24。施加到第四電極24的電壓V4高于施加到第二電極22的電壓V2。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP的橫截面圖，它示出了沿圖3中的線X-X作為基礎(chǔ)截取的PDP的橫截面圖。
在本實(shí)施例中，第三電極23的電壓與第一電極21的電壓基本上相同，第四電極24的電壓與第二電極22的電壓基本上相同。
在第三電極23和第一電極21中，將位于面板的邊緣上的電極的接線端電連接?？赏ㄟ^公用接線端單元來施加相同的電壓V1?；蛘撸?qū)動(dòng)電路(未示出)可給各個(gè)電極施加相同的電壓V1，而無需公用接線端單元。
按照相同的方式，在第四電極24和第二電極22中，將位于面板的邊緣上的電壓的接線端電連接。可通過公用接線端單元來施加相同的電壓V2?；蛘?，驅(qū)動(dòng)電路(未示出)可給各個(gè)電極施加相同的電壓V2，而無需公用接線端單元。
即，可以通過以下方式來維持相同的電壓，給第一電極21和第三電極23施加基本上相同的電壓V1，給第二電極22和第四電極24施加基本上電壓V2，所述的電壓V2不同于施加給第一電極21和第三電極23的電壓。
圖12A至圖12D是在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP中已經(jīng)發(fā)生放電之后根據(jù)時(shí)間的陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)的位置和尺寸的橫截面圖。
在形成在前基板20上的第一電極21和第二電極22之間的距離最小的區(qū)域已經(jīng)發(fā)生放電D之后，隨著離子和電子積累，施加到放電間隙g的電壓降低。因此，陰極斑點(diǎn)和陽(yáng)極斑點(diǎn)移向不存在表面放電的區(qū)域，即放電室18的邊緣區(qū)域。因?yàn)殡S著時(shí)間流逝，施加到放電間隙g的電壓降低，所以放電的強(qiáng)度下降(參見圖12A和12B)。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的PDP的分解透視圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖。
在本實(shí)施例中，突起電極41a包括大寬度部分41aa，設(shè)置在放電室18的中心并具有相對(duì)大的寬度(Wa)；小寬度部分41ab，連接到位于放電室18的外壁上的匯流電極41b，并且其寬度(Wb)小于大寬度部分41aa的寬度(Wa)；連接部分41ac，電連接大寬度部分41aa和小寬度部分41ab。此外，突起電極42a包括大寬度部分42aa，設(shè)置在放電室18的中心并具有相對(duì)大的寬度(Wa)；小寬度部分42ab，連接到位于放電室18的外壁上的匯流電極42b，并且其寬度(Wb)比大寬度部分42aa的寬度(Wa)窄；連接部分42ac，電連接大寬度部分42aa和小寬度部分42ab。連接部分41ac和42ac的寬度(Wc)小于小寬度部分41ab和42ab的寬度(Wb)。
為了降低第一電極41和第二電極42之間的擊穿電壓，優(yōu)選地，大寬度部分41aa和42aa形成的面積大于小寬度部分41ab和42ab及連接部分41ac和42ac的面積。大寬度部分41aa和42aa可按各種形狀形成。
圖15是在根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖14的第五實(shí)施例示出了在與尋址電極12相交的方向(圖中的x-軸方向)上按直線形成的大寬度部分41aa和42aa，而圖15的第六實(shí)施例示出了在與尋址電極12延伸的方向相同的方向(圖中的y-軸方向)上延伸的大寬度部分51aa和52aa。
第五實(shí)施的大寬度部分41aa和42aa按放電間隙g簡(jiǎn)單地形成共平面放電結(jié)構(gòu)，而第六實(shí)施的大寬度部分51aa和52aa形成長(zhǎng)的間隙，其中放電間隙g′在放電室18的中心部分上長(zhǎng)。這可提高發(fā)射效率。
優(yōu)選地，突起電極51a和52a的小寬度部分51ab和52ab形成的寬度大于匯流電極51b和52b的寬度。這有助于當(dāng)在突起電極51a和52a上形成匯流電極51b和52b時(shí)突起電極51a和52a和匯流電極51b和52b對(duì)齊。
圖16是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP的橫截面圖。
參照?qǐng)D16，在本實(shí)施例中，槽27形成在第一介電層28a中與放電室18的中心對(duì)應(yīng)的部分上。形成的槽27具有預(yù)定的深度并且沿與尋址電極12相交的方向延伸。接近放電室18的邊緣的第一介電層28a的表面比在放電室18的中心的第一介電層28a的表面突起得多。在平行于尋址電極12的方向(圖中的y-軸方向)上測(cè)量的的寬度(Wgr)大于由第一電極21和第二電極22形成的放電間隙g。
可通過用蝕刻或噴沙方法蝕刻與放電室18的中心對(duì)應(yīng)的第一介電層28a來形成槽27。
通過在第一介電層28a上形成槽27，在槽27區(qū)域上形成薄介電層，在槽27區(qū)域的外圍上形成厚介電層。在第一介電層28a中，在槽27區(qū)域上的電容高于在槽27區(qū)域的外圍上的電容。
由于電容的差異而導(dǎo)致在第一介電層28a的厚度變化的位置周圍的電場(chǎng)嚴(yán)重地扭曲。即，施加到高電容的槽27區(qū)域上的間隙電壓(gap voltage)高于施加到槽27區(qū)域的外圍上的間隙電壓。由于間隙電壓的空間差異，在放電路徑相對(duì)長(zhǎng)的區(qū)域(介電層的厚度變化的位置周圍)上可獲得相對(duì)強(qiáng)的放電，從而可提高發(fā)射效率。
圖17是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP的前板的結(jié)構(gòu)的詳細(xì)橫截面圖。
如上所述，因?yàn)椴?7形成在第一介電層28a上，所以滿足條件d2＞0，其中d2表示從第一介電層28a的與放電室18的邊緣對(duì)應(yīng)的表面朝前基板20測(cè)量的深度。
圖18是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP的變型的前板的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
根據(jù)本變型，在前基板20中，第一介電層38a形成以覆蓋第一電極21和第二電極22，第二介電層38b形成以包圍第三電極23和第四電極24。槽37形成在第一介電層38a上。槽37具有這樣的深度，以使前基板20的表面暴露。
此外，第一介電層38a包括第一平面381，沿槽37并與槽37相鄰地形成；第二平面382，與第一平面381相鄰地形成，并且比第一平面381朝后基板突起得多。
薄介電層形成在槽37周圍的第一平面381上，厚介電層形成在第二平面382上。第一介電層28a具有在第一平面381上比在第二平面382上高的電容。
由于電容的差異而導(dǎo)致在第一介電層38a的厚度變化的位置周圍的電場(chǎng)嚴(yán)重地扭曲。即，施加到高電容的第一平面381的間隙電壓(gap voltage)高于施加到第二平面382的間隙電壓。由于間隙電壓的空間差異，所以在放電路徑相對(duì)長(zhǎng)的區(qū)域(介電層的厚度變化的位置周圍)上可獲得相對(duì)強(qiáng)的放電，從而可提高發(fā)射效率。
圖19是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的PDP的分解透視圖。圖20是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖。
在本實(shí)施例中，第一電極21和第二電極22在平行于尋址電極12的方向上交替地設(shè)置在相鄰的放電室18中。具體地講，在放電室18中的一個(gè)放電室中的第一電極21設(shè)置成與另一放電室18的第一電極21相鄰，第二電極22設(shè)置成與另一放電室18的第二電極22相鄰。因此，第一電極21和第二電極22具有這樣的排列...-1-2-2-1-1-...，其中“1”表示第一電極，“2”表示第二電極。
圖21是沿圖19中線XXI-XXI截取的PDP的橫截面圖。
參照?qǐng)D21，在本實(shí)施例中，第三電極43和第四電極44形成在前基板20上以與第一電極21和第二電極22分開。第三電極43和第四電極44在平行于尋址電極12的方向上分別設(shè)置，使得它們被一對(duì)相鄰的放電室18共用。具體而言，第三電極43或第四電極44沿位于第二障肋元件16b之上的第二障肋元件16b形成。一個(gè)電極設(shè)置在相鄰的放電室18之間，并且參與在其兩側(cè)上的放電室18的放電。由此形成的第三電極43和第四電極44沿平行于尋址電極12的方向上具有這樣的排列...-3-4-3-4-...，其中“3”表示第三電極，“4”表示第四電極。
在本實(shí)施例中，第一電極21設(shè)置成與第三電極43對(duì)應(yīng)。第二電極22設(shè)置成與第四電極44對(duì)應(yīng)。第三電極43和第四電極44在與尋址電極12相交的方向上延伸。
圖22是根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的PDP中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的平面圖。
按照與第八實(shí)施例相同的方式，根據(jù)本實(shí)施例的PDP包括第三電極53和第四電極54，所述的第三電極53和第四電極54形成在前基板上以與第一電極21和第二電極22分開。第三電極53和第四電極54與第一電極21和第二電極22分開，并且在遠(yuǎn)離前基板的方向上朝后基板突起。第三電極53和第四電極54彼此相對(duì)設(shè)置，并且在它們之間置有空間。該空間可在彼此相對(duì)設(shè)置的第三電極53和第四電極54之間引發(fā)對(duì)向放電。優(yōu)選地，第三電極53和第四電極54由金屬制成。
參照?qǐng)D22，根據(jù)本實(shí)施例的PDP包括第三電極53和第四電極54，所述的第三電極53和第四電極54在彼此分開的多個(gè)單位電極與尋址電極12相交的方向彼此平行地設(shè)置。通過第一電極21和第二電極22施加用于驅(qū)動(dòng)PDP的信號(hào)電壓，第三電極33和第四電極34變?yōu)楦?dòng)電極。此外，按照與第八實(shí)施例相同的方式，由于電容耦合導(dǎo)致在第三電極53和第四電極54與第一電極21和第二電極22之間產(chǎn)生電勢(shì)差。本實(shí)施例的第一電極21和第二電極22還可包括匯流電極和擴(kuò)展電極。然而，為了簡(jiǎn)單起見，已經(jīng)省略了匯流電極和擴(kuò)展電極的詳細(xì)圖。
盡管以上描述是關(guān)于示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改和變形。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的PDP，參與放電室中的放電的電極的結(jié)構(gòu)在放電室的中心具有共平面放電結(jié)構(gòu)，在放電室的邊緣具有對(duì)向放電結(jié)構(gòu)，所以，從放電室的中心的電極開始的放電可容易地轉(zhuǎn)移到在放電室的邊緣上的電極。因此，存在這樣的優(yōu)點(diǎn)，放電在具有良好的發(fā)射效率的長(zhǎng)放電路徑的區(qū)域即放電室的邊緣周圍維持長(zhǎng)時(shí)間。
此外，形成以包圍組成對(duì)向放電結(jié)構(gòu)的電極的介電層在相鄰的放電室之間形成介電材料塊。這樣可防止離子和電子在相鄰的放電室之間移動(dòng)，從而可顯著地降低串?dāng)_的發(fā)生。因此，可減少在點(diǎn)火熄火放電室之間的錯(cuò)誤放電。
此外，包圍組成對(duì)向放電結(jié)構(gòu)的電極的介電層由非透明的介電材料制成。因此，存在這樣的效果，可提高PDP的明暗對(duì)比度。
而且，槽形成在與放電室的中心對(duì)應(yīng)的介電層上。施加到高電容的槽區(qū)域的間隙電壓高于在槽區(qū)域的外圍上施加的間隙電壓。由于因間隙電壓的空間差異而扭曲的電場(chǎng)，所以在放電路徑相對(duì)長(zhǎng)的區(qū)域(介電層的厚度變化的位置周圍)上可獲得相對(duì)強(qiáng)的放電，從而可提高發(fā)射效率。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板；尋址電極，彼此平行地設(shè)置在第一基板上；障肋，設(shè)置在所述的第一基板和第二基板之間的空間中以分成多個(gè)放電室；熒光粉層，相應(yīng)地設(shè)置在放電室中；第一電極和第二電極，對(duì)應(yīng)于各個(gè)放電室設(shè)置在第二基板上，所述的第一電極和第二電極在與所述的尋址電極交叉的方向上延伸；第三電極和第四電極，與所述的第一電極和第二電極分開，并且在遠(yuǎn)離第二基板的方向上朝第一基板突起，所述的第三電極和第四電極彼此面對(duì)，并且在它們之間置有空間
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極和第四電極設(shè)置的層不同于所述的第一電極和第二電極設(shè)置的層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極和第四電極被它們之間的第一電極和第二電極及介電層彼此分開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第一電極和第二電極被介電層覆蓋，其中，更接近第一基板的第三電極和第四電極的端部朝第一基板比朝與放電室的中心對(duì)應(yīng)的介電層的表面突起得多。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極和第四電極在面板的厚度方向上的厚度大于所述的第一電極和第二電極的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，用垂直于長(zhǎng)度方向的平面截取的所述的第三電極和第四電極的橫截面在垂直于基板的方向上比在平行于基板的方向上長(zhǎng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極和第四電極包括金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括第一介電層，所述的第一介電層設(shè)置成覆蓋在第二基板上的第一電極和第二電極；其中，所述的第三電極和第四電極設(shè)置在所述的第一介電層上；其中，第二介電層設(shè)置成包圍所述的第三電極和第四電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中，設(shè)置在所述的第三電極和第四電極面對(duì)所述的第一基板的表面上的第二介電層的厚度大于設(shè)置在所述的第三電極和第四電極彼此相對(duì)的表面上的第二介電層的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第二介電層包括非透明的介電材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第一電極和第二電極分別設(shè)置在與所述的放電室的邊緣相鄰的放電室之上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極和第四電極分別設(shè)置在與所述的放電室的邊緣相鄰的放電室之上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，在所述的第一電極和第二電極中的每個(gè)包括匯流電極，分別與放電室對(duì)應(yīng)并沿與所述的尋址電極相交的方向延伸；擴(kuò)展電極，從所述的匯流電極朝所述的每個(gè)放電室的中心延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極和第四電極設(shè)置在從面板的前面看來所述的第三電極和第四電極與所述的第一電極和第二電極的匯流電極重疊的位置。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，在平行于所述的尋址電極的方向上所述的第一電極和第二電極的匯流電極的寬度大于所述的第三電極和第四電極的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極和第四電極在與所述的尋址電極相交的方向上延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，在所述的第三電極和第四電極中的每個(gè)包括多個(gè)單位電極，所述的多個(gè)單位電極彼此分開并在與尋址電極相交的方向上彼此平行地設(shè)置。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極適合承受高于第一電極的電壓的電壓，其中，所述的第四電極適合承受高于第二電極的電壓的電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第一電極和第三電極分別連接到不同的信號(hào)電壓發(fā)生器并適合承受相應(yīng)的信號(hào)電壓，其中，施加到第一電極的電壓低于施加到第三電極的電壓。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第二電極和第四電極分別連接到不同的信號(hào)電壓發(fā)生器并適合承受相應(yīng)的信號(hào)電壓，其中，施加到第二電極的電壓低于施加到第四電極的電壓。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第一電極和第三電極的接線端連接到同一信號(hào)電壓發(fā)生器，其中，電阻設(shè)置在第一電極和信號(hào)電壓發(fā)生器之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第二電極和第四電極的接線端連接到同一信號(hào)電壓發(fā)生器，其中，電阻設(shè)置在第二電極和信號(hào)電壓發(fā)生器之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極適合承受與所述的第一電極相同的電壓，其中，所述的第四電極適合承受與第二電極相同的電壓。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第一電極和第三電極的接線端適合于電連接在一起。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第二電極和第四電極的接線端適合于電連接在一起。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第一電極和第二電極中的每個(gè)包括匯流電極和突起電極，所述的匯流電極分別與放電室對(duì)應(yīng)并在與所述的尋址電極相交的方向上延伸，所述的突起電極從所述的匯流電極朝每個(gè)放電室的中心突起，其中，所述的突起電極包括大寬度部分、小寬度部分和連接部分，所述的大寬度部分設(shè)置在放電室的中心上，小寬度部分適合連接到匯流電極，并且小寬度部分的寬度小于大寬度部分的寬度，所述的連接部分適合連接到所述的大寬度部分和小寬度部分。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的等離子體顯示面板，其中，所述的大寬度部分的寬度大于所述的小寬度部分的寬度，所述的小寬度部分的寬度大于所述的連接部分的寬度。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的等離子體顯示面板，其中，所述的大寬度部分的面積大于所述的小寬度部分和連接部分的面積。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的等離子體顯示面板，其中，所述的大寬度部分沿所述的大寬度部分與所述的尋址電極交叉的方向按直線設(shè)置。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的等離子體顯示面板，其中，所述的大寬度部分在與尋址電極相同的方向上延伸。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的等離子體顯示面板，其中，所述的突起電極的小寬度部分的寬度大于所述的匯流電極的寬度。
32.根據(jù)權(quán)利要求26所述的等離子體顯示面板，其中，所述的突起電極的小寬度部分的寬度大于所述的第三電極和第四電極的寬度。
33.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括介電層，所述的介電層適合覆蓋所述的第一電極和第二電極，所述的介電層包括與放電室的中心部分對(duì)應(yīng)的槽。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的等離子體顯示面板，其中，在平行于尋址電極的方向上測(cè)量的介電層上的槽的寬度大于在所述的第一電極和第二電極之間的放電間隙。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的等離子體顯示面板，其中，所述的介電層上的槽具有適于使所述的第二基板的表面暴露的深度。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的等離子體顯示面板，其中，所述的介電層包括第一平面和第二平面，所述的第一平面沿所述的槽并與該槽相鄰地設(shè)置，所述的第二平面與所述的第一平面相鄰地設(shè)置，并且朝所述的第一基板比朝所述的第一平面突起得多。
37.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第一電極和第二電極交替地設(shè)置在放電室中，并且在平行于所述的尋址電極的方向上彼此相鄰，其中，在所述的第三電極和第四電極中的每個(gè)中，一個(gè)電極被一對(duì)放電室共用，所述的第三電極和第四電極在平行于所述的尋址電極的方向上彼此相鄰。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的等離子體顯示面板，其中，所述的障肋包括第一障肋元件和第二障肋元件，所述的第一障肋元件在平行于尋址電極的方向上延伸，所述的第二障肋元件與所述的第一障肋元件交叉并分別將放電室分成多個(gè)獨(dú)立的空間；其中，所述的第三電極和第四電極設(shè)置在所述的第二障肋元件之上，其中，在所述的尋址電極的長(zhǎng)度方向上相鄰的一對(duì)放電室共用至少一個(gè)電極。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的等離子體顯示面板，其中，所述的第三電極和第四電極具有多個(gè)單位電極，所述的多個(gè)單位電極彼此分開，并且沿與尋址電極相交的方向上彼此平行地設(shè)置。
全文摘要
一種等離子體顯示面板(PDP)包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板；尋址電極，在第一基板上彼此平行地設(shè)置；障肋，排列在第一基板和第二基板之間的空間中以分成多個(gè)放電室；熒光粉層，相應(yīng)地設(shè)置在放電室中；第一電極和第二電極，對(duì)應(yīng)于各個(gè)放電室設(shè)置在第二基板上，所述的第一電極和第二電極在與尋址電極交叉的方向上延伸；第三電極和第四電極，與所述的第一電極和第二電極分開，并且在遠(yuǎn)離第二基板的方向上朝第一基板突起，所述的第三電極和第四電極彼此面對(duì)，并且在它們之間置有空間。
文檔編號(hào)H01J17/04GK1716500SQ20051008009
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2005年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者許民, 崔勛永, 崔榮鍍, 水田尊久, 趙允衡 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社