專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(PDP)，更清楚地說，涉及這樣一種等離子體顯示面板，其具有產(chǎn)生高密度和高亮度顯示效果的電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是使用等離子體放電的顯示設(shè)備。通過等離子體放電而發(fā)射的真空紫外(VUV)光線激活熒光體層，反過來，熒光體層發(fā)射用于顯示圖像的可見光。近來，PDP可實現(xiàn)為即薄且寬的屏幕設(shè)備，其具有60英寸或者更大的屏幕尺寸和10cm或者更薄的厚度。另外，由于PDP是一種自發(fā)光設(shè)備，如CRT，所以它具有優(yōu)秀的顏色再現(xiàn)能力。而且，PDP并不具有與其視角有關(guān)的圖像失真。另外，PDP可通過比LCD更簡單的方法來制造，從而可以低成本和高生產(chǎn)率地制造PDP。因此，期待PDP作為用于工廠和家庭TV的下一代顯示設(shè)備。
三電極型PDP近來變得非常受歡迎。但是，這種PDP受限于有限的亮度效率和需要大電壓來觸發(fā)或者點火放電。因此，需要設(shè)計一種在低電壓起動放電的情況下具有提高的亮度效率的PDP。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供PDP的改進設(shè)計。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有提高的發(fā)光效率的PDP的設(shè)計。
本發(fā)明的另一目的是提供一種低電壓起動放電的PDP的設(shè)計。
本發(fā)明的另一目的是提供這樣一種PDP能夠提高發(fā)光效率同時減小放電點火電壓，并且通過產(chǎn)生作為對向放電的維持放電而容易地產(chǎn)生尋址放電。
可通過設(shè)計這樣一種PDP來實現(xiàn)這些和其它目的，該PDP包括相互面對的第一和第二基板；多個尋址電極，排列在第一基板上并且沿著第一方向相互平行地延伸；多個障肋，包括第一和第二障肋元件，布置在第一基板和第二基板之間并且用于劃分多個放電室，第一障肋元件沿著第一方向延伸，第二障肋元件沿著與第一方向交叉的第二方向延伸；熒光體層，布置在放電室中；多個第一電極，布置在第一基板和第二基板之間，與第二障肋元件對應(yīng)并且在第二方向上延伸；多個第二電極，布置在相鄰的第一電極之間并且沿著第二方向穿過放電室的內(nèi)部空間。
在本發(fā)明中，第一電極可由介電層包圍，第一電極和第二障肋元件的橫斷面可具有基本上相同的中心線。第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度。保護層形成在第一電極面對放電室的內(nèi)部空間的至少一個側(cè)壁上，保護層可以是對于可見光不透明的。
第二電極可由介電層包圍，涂在每個第二電極面對第一基板的底部表面上的介電層的厚度可大于涂在每個第二電極面對第一電極的側(cè)壁上的介電層厚度。第二電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度。保護層可形成為包圍第二電極暴露在放電室的內(nèi)空間的至少一個表面，并且保護層可以是對于可見光不透明的?？蓪⒌诙姌O布置為穿過第一障肋元件。
第一和第二障肋元件可從第一基板向著第二基板突出，具有與第一障肋元件的形狀對應(yīng)的形狀的第三障肋元件可從第二基板向著第一基板突出，具有與第二障肋元件的形狀對應(yīng)的形狀的第四障肋元件可從第二基板向著第一基板突出。第一電極可位于第二和第四障肋元件之間，第二電極可位于第一和第三障肋元件之間。熒光體層可位于由第三和第四障肋元件所限定的第二基板的區(qū)域上。
尋址電極可包括位于第一和第二電極之間的尋址放電產(chǎn)生部分和電連接該尋址放電產(chǎn)生部分的連接部分。連接部分在與尋址電極交叉的方向上的寬度小于尋址放電產(chǎn)生部分在與尋址電極交叉的方向上的寬度。兩個尋址放電產(chǎn)生部分可位于每一個放電室中。尋址放電產(chǎn)生部分可具有與由第一和第二電極限定的空間對應(yīng)的矩形。
第一間隙δ12可形成在尋址放電產(chǎn)生部分和第一電極之間，第二間隙δ22可形成在尋址放電產(chǎn)生部分和第二電極之間，其中第一間隙δ12大于第二間隙δ22。
輔助障肋元件可在與第二障肋元件平行的方向上位于相鄰的第二障肋元件之間，其中，第二電極位于與輔助障肋元件對應(yīng)的位置上，并且在與輔助障肋元件平行的方向上延伸。熒光體層可位于輔助障肋元件的側(cè)壁上。第二電極和對應(yīng)的輔助障肋元件的橫斷面可具有基本上相同的中心線。
第一電極可位于互相面對的第二和第四障肋元件之間，第二電極可位于互相交叉的輔助障肋元件和第三障肋元件之間。
突起分別沿著第一和第二電極的面對的方向形成在第一和第二電極中的至少一個上。突起可位于第一電極的面對第二電極的側(cè)壁上，其中，突起位于第一和第二基板之間的第一電極的橫斷面的中間部分。第一電極及其突起可由介電層包圍。突起可位于與第一或第二基板接近的位置。突起可位于第一和第二基板之間的第二電極的橫斷面的中間部分。第二電極及其突起可由介電層包圍。
突起可位于第一電極的面對第二電極的側(cè)壁上，其中，第二電極具有從第二電極向第一電極突出的突起。
第二電極的橫斷面可為矩形，其中，第二電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第一電極具有從第一電極向第二電極突出的突起。
第一電極的橫斷面可為矩形，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第二電極具有從第二電極向第一電極突出的突起。
第一電極的橫斷面可為矩形，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第二電極具有從第二電極向第一電極突出的突起，其中，包圍突起的介電層在突起的突出方向上突出。
第一電極的橫斷面可為矩形，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第二電極具有從第二電極向第一電極突出的突起，其中，突起位于接近第一基板的位置。
第一電極的橫斷面可為矩形，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第二電極具有從第二電極向第一電極突出的突起，其中，突起位于接近第二基板的位置。


通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明的更加完全的理解及其許多伴隨的優(yōu)點將會變得更加容易理解并且變得更加易懂，圖中相同標號指相同或者相似元件，其中圖1是示意性地表示在一般輝光放電中施加在陽極和陰極之間的電壓的分配的圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的等離子體顯示面板(PDP)的局部分解透視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的PDP的電極和放電室結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；圖4是在組裝的PDP中沿著圖2的直線IV-IV所取的局部橫截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的PDP的電極和放電室結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的PDP的局部分解透視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的PDP的電極和放電室結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；圖8是在組裝的PDP中沿著圖6的直線VIII-VIII所取的局部橫截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的PDP的局部分解透視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的PDP的電極和放電室結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；圖11是在組裝的PDP中沿著圖9的直線XI-XI所取的局部橫截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的PDP的局部橫截面圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的PDP的局部橫截面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的PDP的局部橫截面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的PDP的局部橫截面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明第九實施方式的PDP的局部橫截面圖。
具體實施例方式
自從1970年開始，開發(fā)了多種結(jié)構(gòu)的PDP。近來，三電極表面放電型PDP被廣泛使用。在三電極表面放電型PDP中，包括掃描和維持電極的兩個電極位于一塊基板上，一個尋址電極沿與掃描和維持電極交叉的方向位于另一塊基板上。兩塊基板相互分開以準備充滿放電氣體的放電空間。通常，在三電極表面放電型PDP中，通過尋址放電來確定用于放電的單獨的放電室的選擇。清楚地說，尋址放電是作為獨立控制的掃描電極和與掃描電極相對的尋址電極之間的對向放電產(chǎn)生的。與亮度相關(guān)的維持放電是作為位于相同基板上的掃描和維持電極之間的表面放電產(chǎn)生的。
PDP使用輝光放電來產(chǎn)生可見光。從輝光放電到產(chǎn)生可見光進行幾個步驟。首先，輝光放電發(fā)射電子，并且該電子與放電氣體發(fā)生碰撞，從而放電氣體被激發(fā)。接著，從被激發(fā)的放電氣體中發(fā)射出紫外(UV)光線。UV光線撞擊放電室中的熒光體層，從而熒光體層被激發(fā)。接著，可見光從被激發(fā)的熒光體層中發(fā)射出。然后可見光經(jīng)過透明基板被人眼察覺。在這一系列步驟中，流失了相當(dāng)大數(shù)量的輸入能量。
輝光放電通過在低壓(＜1atm)的兩個電極之間施加比放電點火電壓(即，起動放電所需的電壓)高的電壓而產(chǎn)生。放電點火電壓是放電氣體的類型、環(huán)境壓力和電極之間的距離的函數(shù)。在AC輝光放電的情況下，除了這三個變量之外，放電點火電壓還取決于介于兩個電極之間的介電層的電容量和施加的電壓的頻率。所述電容量是介電材料的介電常量、電極的面積和介電材料的厚度的函數(shù)。
需要施加高電壓以點火(或者起動)輝光放電。一旦產(chǎn)生放電，因為在陽極和陰極鞘區(qū)上，即在陽極和陰極的附近區(qū)域產(chǎn)生的空間電荷的不同，所以陽極和陰極之間的電壓分配顯示出圖1的扭曲形狀。圖1表示陽極和陰極鞘區(qū)上使用了大部分電壓。另外，圖1表示相對少量的電壓在正柱區(qū)被使用。尤其，公知的是，在PDP的輝光放電的情況下，在陰極鞘區(qū)上使用的電壓比在陽極鞘區(qū)上使用的電壓高的多。
從熒光體層發(fā)射的可見光產(chǎn)生自VUV光線在熒光體層上的碰撞。這里，當(dāng)在放電氣體中的Xe的能量狀態(tài)從其激發(fā)狀態(tài)改變?yōu)榛鶓B(tài)時，產(chǎn)生VUV光線。Xe的激發(fā)狀態(tài)由激發(fā)的電子和基態(tài)的Xe碰撞而產(chǎn)生。因此，為了增加發(fā)光效率，即可見光產(chǎn)生的能量和輸入能量的比率，需要增加電子熱效率，即電子熱能和輸入能量的比率。
通常，正柱區(qū)的電子熱效率比陰極鞘區(qū)的電子熱效率高。因此，PDP的發(fā)光效率能夠通過加寬正柱區(qū)而增加。另外，由于鞘區(qū)在給定的壓力下具有常量厚度，所以需要加長放電距離以增加發(fā)光效率。
在三電極PDP的情況下，在放電室的中心區(qū)域，即與兩個電極都接近的區(qū)域點火或者起動放電。這是因為在放電室的中心區(qū)域放電點火電壓較低。通常，放電點火電壓是壓力和電極之間的距離的乘積的函數(shù)。另外，PDP的操作范圍位于帕邢(Paschen)曲線中的最小值的右邊。一旦點火放電，就產(chǎn)生空間電荷，從而放電能被保持在比放電點火電壓小的電壓。另外，兩個電極之間的電壓隨著時間的流逝而逐漸減小。在點火放電之后，離子和電子聚集在放電室的中心區(qū)域，從而電場減弱。最終，該區(qū)域中的放電消失。
隨著時間的流逝，陽極斑點和陰極斑點向沒有表面電荷的區(qū)域，即兩個電極的邊緣移動。由于兩個電極之間的電壓隨著時間的流逝而減小，所以在放電室的中心部分(具有低發(fā)光效率)產(chǎn)生強放電，并且在放電室的邊緣部分(具有高發(fā)光效率)產(chǎn)生弱放電。因此，在三電極PDP中，電子熱效率降低，從而發(fā)光效率降低。為了克服三電極PDP的缺點，考慮到加長顯示電極之間的距離的方法。該方法具有增大放電點火電壓的問題。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖2到圖4，圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的PDP的局部分解透視圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的PDP的電極和放電室結(jié)構(gòu)示意性平面圖，圖4是在組裝的PDP中沿著圖2的直線IV-IV所取的局部橫截面圖。
根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的PDP包括第一基板10(在下文中，稱作后基板)和第二基板20(在下文中，稱作前基板)。后基板10和前基板20互相面對，其間具有預(yù)定間隔以提供放電空間。障肋16和26劃分放電空間以限定多個放電室18。
熒光體層19和29涂在障肋16和26的側(cè)壁以及放電室18的底部表面。熒光體層19和29吸收真空紫外(VUV)光線并發(fā)射可見光。放電空間的放電室18充滿放電氣體，如Xe和Ne的混合物。
尋址電極12互相平行地位于后基板10的內(nèi)表面上并且沿著第一方向(圖中y方向)延伸。介電層14位于后基板10的內(nèi)表面上以覆蓋尋址電極12。相鄰的尋址電極12互相隔開預(yù)定距離，即，相鄰的放電室18之間在x方向的距離。
障肋16和26包括從后基板10向前基板20突出的后基板障肋16和從前基板20向后基板10突出的前基板障肋26。
后基板障肋16位于介電層14上，介電層14位于后基板10上。后基板障肋16由第一障肋元件16a和第二障肋元件16b組成，第一障肋元件16a沿著第一方向延伸并于尋址電極12平行，第二障肋元件16b沿著第二方向延伸并與第一障肋元件16a交叉以將放電室18限定為獨立的放電空間。前基板障肋26由第三障肋元件26a和第四障肋元件26b組成，第三障肋元件26a與第一障肋元件16a對應(yīng)，第四障肋元件26b與第二障肋元件16b對應(yīng)。第三和第四障肋元件26a和26b相互交叉以限定與放電室18對應(yīng)的區(qū)域28。
第一電極31位于與后基板10和前基板20之間的第二障肋元件16b對應(yīng)的位置，并且沿著與第二障肋元件16b平行的第二方向(圖中的x方向)延伸。更清楚地說，第一電極31位于第二障肋元件16b的頂部表面上以將放電室18沿著與尋址電極12平行的縱向的第一方向(圖中的y方向)劃分。
第二電極32位于相鄰的第一電極31之間。因此，第二電極32沿著與第一障肋元件16a交叉的方向穿過放電室18的內(nèi)部空間而布置。第二電極32與尋址電極12一起在尋址周期內(nèi)參與形成放電以選擇將被顯示的放電室18。第一電極31對與第二電極32一起在維持周期內(nèi)參與形成放電以將圖像顯示在屏幕上。這些電極根據(jù)施加的信號電壓可具有不同的功能，因此，本發(fā)明并不限于此。
參照圖3，每一個放電室18通過第二電極32被分成兩個區(qū)域18a和18b。在維持周期內(nèi)，在區(qū)域18a和18b的每一個中，第一和第二電極31和32之間產(chǎn)生維持放電。由于在第二電極32與位于穿過放電室18的第二電極32的左和右側(cè)的第一電極31之間產(chǎn)生維持放電，所以通過使用圖2到圖4所示的排列，根據(jù)本發(fā)明的PDP的放電間隙能夠減少幾乎一半。因此，可以以相對低的放電點火電壓來驅(qū)動PDP。
參照圖4，在第一實施方式中，第一電極31和相應(yīng)的第二障肋16b的橫斷面具有基本上相同的中心線L。因此，每一個第一電極31可被用于在放電室18的區(qū)域18a和18b中形成放電，放電室18的區(qū)域18a和18b在縱向的第一方向(圖中的y向)上沿著尋址電極12互相相鄰。
在第一實施方式中，第一電極31的橫斷面在與基板10和20垂直的方向(z向)上的高度h1大于其在與基板10和20平行的方向(y向)上的寬度w1。另外，第二電極32的橫斷面的高度h2大于其寬度w2。因此，在第一和第二電極31和32之間能夠更加容易地產(chǎn)生對向放電。結(jié)果，可能獲得高發(fā)光效率。
第一和第二電極31和32分別由介電層34和35包圍。第一和第二電極31和32可以通過使用厚膜陶瓷片(TFCS)的方法制造而成。更清楚地說，包括第一和第二電極31和32的電極部分可以獨立形成，然后，組裝到形成障肋的后基板10中。這里，電極被涂上陶瓷材料。
MgO保護層36可形成在分別覆蓋第一和第二電極31和32的介電層34和35上。尤其是，MgO保護層36可以形成在放電室18的暴露在等離子體放電中的那部分上。在第一實施方式中，由于第一和第二電極31和32并不位于前基板20上，所以涂在分別覆蓋第一和第二電極31和32的介電層34和35上的保護層36可由對于可見光線不透明的MgO組成。對于可見光不透明的MgO具有比對于可見光透明的MgO更高的二次電子發(fā)射系數(shù)。因此，可能進一步地減小放電點火電壓。
在實施方式中，涂在面對后基板10的第二電極32的底部表面上的介電層35的厚度δh大于涂在面對第一電極31的第二電極32的側(cè)表面上的介電層35的厚度δ1。在這種布置下，可以防止在尋址電極12和第二電極32的底部表面之間產(chǎn)生尋址放電。結(jié)果，在第二電極32的側(cè)表面和尋址電極12之間產(chǎn)生尋址放電。
第一電極31涂有介電層34。在相互平行的第二和第四障肋元件16b和26b之間設(shè)置有MgO保護層36。另一方面，第二電極32設(shè)置有介電層35。MgO保護層36位于第一和第三障肋元件16a和26a之間。第二電極32沿著與第一和第三障肋元件16a和26a交叉的方向延伸。
為了形成第二電極32，在第一障肋元件16a的一些部分可以形成槽，并且涂有介電層35和MgO保護層36的第二電極32可插入該槽中。這里，在第二電極32和后基板10之間的距離可以與第一電極31和后基板10之間的距離相等。包圍第二電極32的介電層35的頂部表面可與第一障肋元件16a的頂部表面齊平。第二電極32可穿過第一障肋元件16a。第一和第二電極31和32最好由高導(dǎo)電金屬材料制成。
熒光體層19形成在區(qū)域28中，所述區(qū)域28是通過第三和第四障肋元件26a和26b在前基板20上劃分而形成的。在前基板20上涂上介電層并且在介電層上形成前基板障肋26之后，熒光體層29涂在剩下的介電層上。作為可選方案，如果介電層并不形成在前基板20上，則前基板障肋26直接形成在前基板20上并且熒光體層29可直接涂在前基板20上。另外，在前基板20根據(jù)放電室18的形狀蝕刻之后，可將熒光體層29涂在其上。在這種情況下，前基板障肋26由與前基板20相同的材料制成。
形成的前基板20上的熒光體層29用于吸收從等離子體放電發(fā)射出并從放電室18向前基板20傳播的VUV射線。熒光體層29必須允許可見光穿過。因此，位于前基板20上的熒光體層29的厚度最好小于位于后基板10上的熒光體層29的厚度。在這種設(shè)計下，可最小化VUV光線的損失同時提高發(fā)光效率。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖5，圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的PDP的電極和放電室結(jié)構(gòu)的示意性平面圖。本發(fā)明第二實施方式的基本特征與第一實施方式的類似，因此，將省略相似項的詳細描述。這兩個實施方式尋址電極的結(jié)構(gòu)不同，因此以下描述將主要集中在對尋址電極的結(jié)構(gòu)上。
參照圖5，每個尋址電極122包括與放電室18的兩個區(qū)域18a和18b對應(yīng)的尋址放電產(chǎn)生部分122a，和將兩個尋址放電產(chǎn)生部分122a連接起來的連接部分122b。尋址電極122被布置為沿著第一方向(圖5中的y向)延伸。
兩個尋址放電產(chǎn)生部分122a位于第一和第二電極31和32之間的兩個相應(yīng)區(qū)域18a和18b上。連接部分122b位于與第二電極32和第二障肋元件16b交叉的位置。因此，如上所述，可防止在第二電極32的底部表面和尋址電極12之間產(chǎn)生尋址放電。另外，在第一和第二電極31和32之間的放電室18的兩個區(qū)域18a和18b中可產(chǎn)生尋址放電。結(jié)果，在第一電極31和第二電極32上的介電層34、35的側(cè)表面上形成大量壁電荷，從而可產(chǎn)生維持放電。
尋址放電產(chǎn)生部分122a具有較大的寬度WA2，連接部分122b具有較小的寬度WA1。在與尋址電極122交叉的方向上的連接部分122b的寬度WA1小于在與尋址電極122交叉的方向上的尋址放電產(chǎn)生部分122a的寬度WA2。由于具有較大寬度WA2的兩個尋址放電產(chǎn)生部分122a位于各放電室18的兩個相應(yīng)區(qū)域18a和18b中，所以尋址放電產(chǎn)生部分122a比連接部分122b更容易產(chǎn)生尋址放電。
尋址放電產(chǎn)生部分122a可被制造成多種不同形狀。在圖5的實施方式中，尋址放電產(chǎn)生部分122a被表示為位于第一和第二電極31和32之間的矩形。因此，尋址放電產(chǎn)生部分122a可具有與第一和第二電極31和32之間的放電室18的矩形區(qū)域18a和18b對應(yīng)的大區(qū)域。尋址放電產(chǎn)生部分122a的形狀最好與放電室18的區(qū)域的形狀對應(yīng)。
對于每個尋址放電產(chǎn)生部分122a，在尋址放電產(chǎn)生部分122a和第一電極31之間形成第一間隙δ12，在尋址放電產(chǎn)生部分122a和第二電極32之間形成第二間隙δ22。第一間隙δ12防止相鄰放電室18之間的錯誤尋址(mis-addressing)。第二間隙δ22防止在第二電極32的正下方產(chǎn)生尋址放電。第一間隙δ12最好比第二間隙δ22大。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖6、7和8，圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的PDP的局部分解透視圖，圖7是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的PDP的電極和放電室結(jié)構(gòu)的示意性平面圖，圖8是在組裝的PDP中沿著圖6的直線VIII-VIII所取的局部橫截面圖。
參照圖6和7，根據(jù)第三實施方式的PDP的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一實施方式的PDP的結(jié)構(gòu)相似。差異在于輔助障肋元件17還位于相鄰的第二障肋元件16b之間。即，輔助障肋元件17和第二障肋元件16b沿著尋址電極12的縱向(圖中y向)交替地排列。因此，輔助障肋元件17位于后基板10上以將放電室18劃分為兩個區(qū)域18a和18b。另外，第二電極32位于與輔助障肋元件17(位于第二障肋元件16b之間)對應(yīng)的位置，并且在第二方向(圖中x方向)上延伸。
參照圖8，在第三實施方式中，第二電極32和對應(yīng)的輔助障肋元件17的橫斷面具有基本上相同的中心線L。因此，每一個第二電極32能夠被用于在放電室18的區(qū)域18a和18b中產(chǎn)生放電。
設(shè)置有介電層34和MgO保護層36的第一電極31位于第二和第四障肋元件16b和26b之間，并且與第二和第四障肋元件16b和26b平行地延伸。相似地，設(shè)置有介電層34和MgO保護層36的第二電極32位于輔助障肋元件17和第三障肋元件26a之間，并且在與輔助障肋元件17平行并且與第三障肋元件26a交叉的方向上延伸。
為了制造第二電極32和輔助障肋元件17，可在第一障肋元件16a的一些部分上形成槽，設(shè)置有介電層35和MgO保護層36的第二電極32可插入所述槽中。
在第三實施方式中，由于第二電極32位于與輔助障肋元件17對應(yīng)的位置，所以輔助障肋元件17可在放電室18中支撐第二電極32而使結(jié)構(gòu)更堅固。由于存在輔助障肋元件17，所以也可防止在第二電極32之下產(chǎn)生尋址放電，從而在第二電極32的側(cè)表面和尋址電極12之間可產(chǎn)生尋址放電。在第三實施方式中，由于熒光體層19還位于輔助障肋元件17的側(cè)表面上，所以可增加當(dāng)前熒光體層19的總面積。結(jié)果以更強的能力吸收和轉(zhuǎn)換VUV射線。這使得從PDP發(fā)射的可見光的增加。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖9、10和11，圖9是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的PDP的局部分解透視圖，圖10是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的PDP的電極和放電室結(jié)構(gòu)的示意性平面圖，圖11是在組裝的PDP中沿著圖9的直線XI-XI所取的局部橫截面圖。
參照圖9、10和11，根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的PDP的結(jié)構(gòu)與根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的結(jié)構(gòu)相似。區(qū)別在于第一和第二電極314和324分別在放電室18中具有向著第二和第一電極324和314突出的突起314a和324a。突起可以形成在第一和第二電極314和324上，或者只形成在第一和第二電極314和324的其中一個上。
突起314a和324a可以位于沿著與后和前基板10和20之間的第一電極314的縱向垂直的方向的各種位置。在第四實施方式中，突起314a和324a位于后和前基板10和20之間的中間部分。作為可選方案，突起314a和324a可以位于比中間部分更接近后基板10或者前基板20的位置。
另外，雖然在圖9和11的第四實施方式中存在輔助障肋元件17，但是輔助障肋元件17并不必須存在。當(dāng)輔助障肋元件17不存在時，涂在第二電極324面對后基板10的底部表面上的介電層354的厚度δh必須大于涂在第二電極324面對第一電極314的側(cè)表面上的介電層厚度δ1。通過將介電層354設(shè)計為如此，可防止在尋址電極12和第二電極324的底部表面之間產(chǎn)生尋址放電。
另外，當(dāng)存在突起314a和324a時，第一和第二電極314和324之間的放電間隙可進一步地減小，結(jié)果使放電點火電壓進一步減小。另外，突起314a和324a在放電被點火之后加長了放電路徑，從而可進一步地增加發(fā)光效率。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖12到圖16，圖12到圖16分別表示根據(jù)第五到第九實施方式的PDP。如圖12到16所示，因為PDP的第一和第二電極的不同的橫截面形狀，所以根據(jù)第五到第九實施方式的PDP是不同的。在下文中，由于第五到第九實施方式的PDP的功能和效果與第四實施方式的PDP的功能和效果類似，所以將省略相同特征的詳細描述。以下描述將主要集中在第五到第九實施方式與第四實施方式的不同上。
如以上在第四實施方式中所描述的，第一電極314具有向第二電極324突出的突起314a，第二電極324具有向第一電極314突出的突起324a。即，第一和第二電極314和324分別具有突起314a和324a。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖12，圖12是根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的PDP的局部橫截面圖。在第五實施方式中，第一電極315具有面對第二電極325的突起315a，但是第二電極325并沒有突起。因此，第二電極325的橫斷面是矩形。第二電極325的橫斷面在與后和前基板10和20垂直的方向上的高度大于其在與后和前基板10和20平行的方向上的寬度。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖13，圖13是根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的PDP的局部橫截面圖。在第六實施方式中，第一電極316沒有突起，而第二電極326具有面對第一電極316的突起326a。因此，第一電極316的橫斷面為矩形。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖14，圖14是根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的PDP的局部橫截面圖。在第七實施方式中，第一電極317沒有突起，而第二電極327具有面對第一電極317的突起327a。在第七實施方式中，包圍突起327a的介電層357也在與突起327a的突出方向相同的方向上突出。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖15，圖15是根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的PDP的局部橫截面圖。在第八實施方式中，第一電極318沒有突起，而第二電極328具有面對第一電極318的突起328a。在第八實施方式中，突起328a位于比在第七實施方式中的突起更接近后基板10的位置上。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖16，圖16是根據(jù)本發(fā)明第九實施方式的PDP的局部橫截面圖。在第九實施方式中，第一電極319沒有突起，而第二電極329具有面對第一電極319的突起329a。在第九實施方式中，突起329a位于比在第七實施方式中的突起更接近前基板20的位置上。另外，在第九實施方式中，不存在輔助障肋元件。
在本發(fā)明的PDP中，由于維持放電作為對向放電產(chǎn)生，所以可減小放電點火電壓。另外，由于在一個放電室中產(chǎn)生兩次維持放電，所以可增加發(fā)光效率。由于每個尋址電極包括兩個大面積的尋址放電產(chǎn)生部分和用于連接與第一和第二電極對應(yīng)的兩個尋址放電產(chǎn)生部分的連接部分，所以大量的壁電荷可積聚在第一和第二電極上，從而可以更容易地產(chǎn)生尋址放電。
在本發(fā)明的PDP中，由于前基板上不存在介電層和透明電極，所以可降低PDP的成本并增加可見光透射度。由于使用不透明的MgO保護層，所以可進一步地降低放電點火電壓。結(jié)果，可最小化紫外(VUV)光線的損失并提高發(fā)光效率。由于在維持和/或掃描電極中存在突起，所以可進一步地降低維持放電電壓。
雖然描述了本發(fā)明的示例性實施方式和經(jīng)修改的例子，但是本發(fā)明并不限于該實施方式和例子，在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求限定的范圍、詳細說明和附圖的前提下，可以以各種形式修改本發(fā)明。因此，這些修改毫無疑問地屬于本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括相互面對的第一和第二基板；多個尋址電極，布置在第一基板上，并且沿著第一方向相互平行地延伸；多個障肋，包括第一和第二障肋元件，布置在第一基板和第二基板之間并且用于劃分多個放電室，第一障肋元件沿著第一方向延伸，第二障肋元件沿著與第一方向交叉的第二方向延伸；熒光體層，布置在放電室中；多個第一電極，布置在第一基板和第二基板之間，與第二障肋元件對應(yīng)并且在第二方向上延伸；多個第二電極，布置在相鄰的第一電極之間并且沿著第二方向穿過放電室的內(nèi)部空間。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極由介電層包圍。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極和第二障肋元件的橫斷面具有基本上相同的中心線。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括布置在第一電極的面對放電室的內(nèi)部空間的至少一個側(cè)壁上的保護層。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中，保護層對于可見光是不透明的。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，第二電極由介電層包圍。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，布置在每個第二電極面對第一基板的底部表面上的介電層的厚度大于布置在每個第二電極面對第一電極的側(cè)壁上的介電層厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，第二電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括被布置以包圍第二電極暴露在放電室的內(nèi)部空間的至少一個表面的保護層。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示面板，其中，保護層對于可見光是不透明的。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，第二電極被布置為穿過第一障肋元件。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，第一和第二障肋元件被布置為從第一基板向著第二基板突出。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，還包括具有與第一障肋元件的形狀對應(yīng)的形狀的多個第三障肋元件，其中，第三障肋元件被布置為從第二基板向著第一基板突出。
15.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，還包括形狀與第二障肋元件的形狀對應(yīng)的多個第四障肋元件，其中，第四障肋元件被布置為從第二基板向著第一基板突出。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極被布置在第二和第四障肋元件之間。
17.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其中，第二電極被布置在第一和第三障肋元件之間。
18.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，還包括多個第三障肋元件，具有與第一障肋元件的形狀對應(yīng)的形狀，其中，第三障肋元件被布置為從第二基板向著第一基板突出；多個第四障肋元件，具有與第二障肋元件的形狀對應(yīng)的形狀，其中，第四障肋元件被布置為從第二基板向著第一基板突出，其中，熒光體層布置在由第三和第四障肋元件限定的第二基板的區(qū)域上。
19.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，尋址電極包括布置在第一和第二電極之間的尋址放電產(chǎn)生部分和電連接該尋址放電產(chǎn)生部分的連接部分。
20.如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，連接部分在與尋址電極交叉的方向上的寬度小于尋址放電產(chǎn)生部分在與尋址電極交叉的方向上的寬度。
21.如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，兩個尋址放電產(chǎn)生部分布置在每一個放電室中。
22.如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，尋址放電產(chǎn)生部分具有與由第一和第二電極限定的空間對應(yīng)的矩形。
23.如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示面板，其中，第一間隙布置在尋址放電產(chǎn)生部分和第一電極之間，第二間隙布置在尋址放電產(chǎn)生部分和第二電極之間，其中，第一間隙大于第二間隙。
24.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括布置在相鄰的第二障肋元件之間并且在與第二障肋元件平行的方向上延伸的輔助障肋元件，其中，第二電極布置在與輔助障肋元件對應(yīng)的位置上，并且在與輔助障肋元件相同的方向上延伸。
25.如權(quán)利要求24所述的等離子體顯示面板，其中，熒光體層布置在輔助障肋元件的側(cè)壁上。
26.如權(quán)利要求24所述的等離子體顯示面板，其中，第二電極和對應(yīng)的輔助障肋元件的橫斷面具有基本上相同的中心線。
27.如權(quán)利要求24所述的等離子體顯示面板，還包括多個第三障肋元件，布置在與第一障肋元件對應(yīng)的位置上，并且從第二基板向著第一基板突出；多個第四障肋元件，布置在與第二障肋元件對應(yīng)的位置上，并且從第二基板向著第一基板突出，其中，第一電極布置在互相面對的第二和第四障肋元件之間，第二電極布置在互相交叉的輔助障肋元件和第三障肋元件之間。
28.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，突起分別在第一和第二電極面對的方向上設(shè)置在第一和第二電極中的至少一個上。
29.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，突起被布置在第一電極面對第二電極的側(cè)壁上。
30.如權(quán)利要求29所述的等離子體顯示面板，其中，突起被布置在第一和第二基板之間的第一電極的橫斷面的中間部分。
31.如權(quán)利要求29所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極及其突起可由介電層包圍。
32.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，其中，突起被布置在第二電極面對第一電極的側(cè)壁上。
33.如權(quán)利要求32所述的等離子體顯示面板，其中，突起被布置在與第一或第二基板接近的位置。
34.如權(quán)利要求32所述的等離子體顯示面板，其中，突起被布置在第二電極在與第一和第二基板垂直的方向上的橫斷面的中間部分。
35.如權(quán)利要求32所述的等離子體顯示面板，其中，第二電極及其突起可由介電層包圍。
36.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，突起被布置在第一電極面對第二電極的側(cè)壁上，其中，第二電極具有從第二電極向著第一電極突出的突起。
37.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，第二電極的橫斷面為矩形，其中，第二電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第一電極具有從第一電極向著第二電極突出的突起。
38.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極的橫斷面為矩形，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第二電極具有從第二電極向著第一電極突出的突起。
39.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極的橫斷面可為矩形，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第二電極具有從第二電極向第一電極突出的突起，其中，包圍所述突起的介電層在所述突起的突出方向上突出。
40.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極的橫斷面為矩形，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第二電極具有從第二電極向第一電極突出的突起，其中，第二電極的突起位于接近第一基板的第二電極的部分上。
41.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示面板，其中，第一電極的橫斷面為矩形，其中，第一電極的橫斷面在與基板垂直的方向上的高度大于其在與基板平行的方向上的寬度，其中，第二電極具有從第二電極向第一電極突出的突起，其中，第二電極的突起位于接近第二基板的第二電極的部分上。
全文摘要
一種等離子體顯示面板，能夠增加發(fā)光效率同時降低放電點火電壓，同時通過產(chǎn)生作為對向放電的維持放電而容易地產(chǎn)生尋址放電。放電維持電極在兩個基板之間的障肋上。放電維持電極中的一個在放電室之間延伸，另一個穿過放電室延伸并將放電時分成兩個部分。每個放電維持電極由介電層和不透明的MgO保護層包圍。這些電極的形狀又細又長從而具有高對向放電潛力。
文檔編號H01J17/04GK1716499SQ20051008009
公開日2006年1月4日 申請日期2005年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者許民, 崔勛永, 崔榮鍍, 水田尊久, 趙允衡, 辛慧媛 申請人:三星Sdi株式會社