專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體地講，涉及一種具有提高的放電穩(wěn)定性的PDP。
背景技術(shù)：
近來(lái)，PDP已經(jīng)廣泛地用來(lái)替代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示設(shè)備。在PDP中，放電氣體被密封在具有多個(gè)電極的兩個(gè)基板之間。在電極之間施加放電電壓會(huì)從放電氣體中產(chǎn)生紫外線，從而激發(fā)被涂覆在放電單元中的熒光層。然后，從熒光層中發(fā)射可見光來(lái)形成圖像。
圖1是示出可被用于傳統(tǒng)的交流(AC)PDP的尋址放電分離(ADS)驅(qū)動(dòng)方案的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形圖。驅(qū)動(dòng)信號(hào)在單位子場(chǎng)SF期間包括驅(qū)動(dòng)信號(hào)Sx和Sy，可被施加到維持電極對(duì)的X和Y電極；和驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA，可被施加到尋址電極。單位子場(chǎng)SF可分成重置期R、尋址期A和維持期S。在尋址期，選擇要維持放電的放電單元，并且在維持期，在選擇的單元中產(chǎn)生維持放電。
將正尋址電壓VA施加到尋址電極來(lái)選擇相應(yīng)的放電單元。另一方面，如果沒有選擇放電單元，則可施加地電壓VG。更具體而言，在將地電壓VG的掃描脈沖施加到Y(jié)電極時(shí)將正尋址電壓VA施加到尋址電極會(huì)產(chǎn)生尋址放電，這樣在選擇的放電單元上形成壁電荷。更具體而言，正壁電荷積聚在Y電極上，并且負(fù)壁電荷積聚在選擇的放電單元的X電極上。在非選擇的放電單元上不產(chǎn)生壁電荷。為了進(jìn)行更精確的且有效的尋址放電，在尋址期A，X電極可被偏置為維持電壓VS。
在X和Y電極之間的放電間隙可以變窄以提高放電效率。然而，當(dāng)放電間隙變窄時(shí)，由于X和Y電極之間的電壓差，在選擇的和非選擇的放電單元中都可以產(chǎn)生尋址放電。因此，壁電荷可以積聚在非選擇的放電單元的X和Y電極上，這可導(dǎo)致在維持期間錯(cuò)誤的維持放電。韓國(guó)公開的專利申請(qǐng)第2002-0019342號(hào)公開了通過(guò)降低Y電極的掃描電壓來(lái)有效地進(jìn)行尋址放電的技術(shù)。然而，降低Y電極的掃描電壓可提高X和Y電極之間的電壓差，這可使X和Y電極之間的誤放電問(wèn)題惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有提高的放電穩(wěn)定性的PDP。
將在接下來(lái)的描述中闡述本發(fā)明另外的方面，還有一部分通過(guò)描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而得知。
本發(fā)明公開一種PDP，其包括后基板；前基板，面對(duì)后基板設(shè)置；隔墻，設(shè)置在前基板和后基板之間，以與前、后基板一起限定放電單元；維持電極對(duì)，穿過(guò)放電單元延伸；和尋址電極，在與維持電極對(duì)基本上垂直的方向上延伸。維持電極包括匯流電極和透明電極，并且匯流電極穿過(guò)放電單元延伸。透明電極包括主體部分，設(shè)置在朝放電單元中心的方向上與匯流電極隔開；和連接部分，將主體部分和匯流電極電連接。主體部分的寬度與連接部分的長(zhǎng)度之比在1.2至2.2的范圍內(nèi)。
應(yīng)該這樣理解，上述的一般說(shuō)明和以下的詳細(xì)說(shuō)明都是示例性和解釋性的，并且旨在對(duì)權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


包括附圖以對(duì)本發(fā)明提供進(jìn)一步的理解，這些附圖被納入本說(shuō)明書中，并且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，它們示出本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說(shuō)明部分共同起到解釋本發(fā)明原理的作用。
圖1是示出可施加到在傳統(tǒng)的PDP中的電極的信號(hào)的波形圖。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP的局部剖開透視圖。
圖3是示出圖2的PDP中的放電單元、隔墻和維持電極的視圖。
圖4是示出可施加到圖2的PDP中的電極的信號(hào)的波形圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖來(lái)詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。附圖中相同的標(biāo)號(hào)表示相同的部件。
圖2和圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP100。
PDP100可包括一起結(jié)合的上板150和下板160。更具體而言，PDP100可包括后基板121；前基板111，面對(duì)后基板121；隔墻128，被設(shè)置在前、后基板111和121之間，以與前、后基板111和121一起限定放電單元180；維持電極對(duì)112；尋址電極122，在與維持電極對(duì)112相交的方向上延伸；第一介電層125，覆蓋尋址電極122；第二介電層115，覆蓋維持電極對(duì)112；熒光層126，設(shè)置在放電單元180中；和放電氣體，填充在放電單元180中。
維持電極對(duì)112可設(shè)置在上板150的前基板111上。因?yàn)樵诜烹妴卧?80中產(chǎn)生的可見光發(fā)射通過(guò)前基板111，所以前基板111通常主要由透明材料例如玻璃制成。
維持電極對(duì)112產(chǎn)生維持放電。維持電極對(duì)112可以預(yù)定間隔彼此平行排列在前基板111上。每個(gè)維持電極對(duì)112包括X電極130，充當(dāng)公用電極；和Y電極140，充當(dāng)掃描電極。
每個(gè)X和Y電極130和140可包括匯流電極132、142，穿過(guò)放電單元180延伸；和多個(gè)透明電極131、141，被電連接到匯流電極132、142。透明電極131、141可分別形成在沿匯流電極132、142延伸的方向上。此外，每個(gè)透明電極131、141可設(shè)置在放電單元180中。
透明電極131、141可由透明導(dǎo)電性材料制成，以便產(chǎn)生放電并且使從熒光層126中發(fā)出的光透射到前基板111。例如，透明導(dǎo)電性材料可以是銦錫氧化物(ITO)。然而，因?yàn)橥该鲗?dǎo)電性材料通常具有高的電阻，所以由透明材料制成的放電維持電極只可能沿其長(zhǎng)度有大的電壓降，這增加了功耗并降低了響應(yīng)速率。因此，窄的、金屬性的匯流電極132、142可設(shè)置在透明電極131、141上，以提高透明電極的導(dǎo)電率。
參照?qǐng)D3，透明電極131、141可包括主體部分131a、141a和將主體部分131a、141a電連接到匯流電極132、142的連接部分131b、141b。主體部分131a、141a可被設(shè)置在朝相應(yīng)的放電單元180的中心的方向上與匯流電極132、142隔開。此外，主體部分131a、141a可設(shè)置成與匯流電極132、142基本上平行，并且主體部分131a、141a可與兩個(gè)連接部分131b、141b一起結(jié)合到匯流電極132、142。連接部分131b、141b可設(shè)置成與匯流電極132、142基本上垂直。連接部分131b、141b可與相應(yīng)的主體部分131a、141a一起一體地形成。
尋址電極122可按與X電極130和Y電極140相交的方向設(shè)置在后基板121上。
尋址電極122產(chǎn)生尋址放電，以便選擇要維持放電的放電單元并有助于X和Y電極130和140之間的維持放電。更具體而言，尋址電極122可降低產(chǎn)生維持放電所需的電壓。在Y電極140和尋址電極122之間產(chǎn)生尋址放電。當(dāng)尋址放電結(jié)束時(shí)，正離子和電子分別積聚在Y和X電極140和130上。因此，可有助于X和Y電極130和140之間的維持放電。
一對(duì)X和Y電極130和140與尋址電極122可在單位放電單元180上相交。
第一介電層125可被設(shè)置在后基板121上以埋藏尋址電極122。第一介電層125可由介電材料制成，能夠感應(yīng)壁電荷并且防止由于在放電期間與正離子和電子碰撞而引起對(duì)尋址電極122的損壞。例如，用于第一介電層125的介電材料可為PBO、B2O3和SiO2。
第二介電層115可設(shè)置在前基板111上，以埋藏維持電極對(duì)112。第二介電層115可由介電材料制成，能夠感應(yīng)壁電荷，防止在維持放電期間相鄰的X和Y電極130和140之間的直接導(dǎo)電，并且防止由于與正離子和電子碰撞而引起對(duì)X和Y電極130和140的損壞。例如，第二介電層115還可由PBO、B2O3和SiO2制成。
另外，通常由氧化鎂(MgO)制成的保護(hù)層116可覆蓋第二介電層115。保護(hù)層116防止與正離子和電子碰撞而引起對(duì)第二介電層115的損壞。保護(hù)層116具有高透光率，并且它產(chǎn)生二次電子。
隔墻128可設(shè)置在第一和第二介電層125和115之間，以保持上、下板150、160之間的距離并且防止相鄰放電單元180之間的光電串?dāng)_。
雖然圖2和圖3示出由隔墻128限定的按矩陣排列的放電單元180，但是隔墻128可具有各種圖案限定多個(gè)放電單元。例如，隔墻128可具有密閉型的圖案，例如華夫餅(waffle)、矩陣和三角圖案，還可具有開口型的圖案，例如條紋圖案。此外，具有密閉型圖案的放電單元180可具有像矩形(如圖2中)、三邊形、五邊形、其它多邊形、圓、橢圓等形狀的橫截面。
紅色、綠色和藍(lán)色熒光層126可設(shè)置在隔墻128的側(cè)表面上及在第一介電層125的暴露部分上。
熒光層126包括在接收紫外線之后產(chǎn)生可見光的材料(熒光材料)。例如，紅色熒光層126可包括例如Y(V，P)O4:Eu的熒光材料，綠色熒光層126可包括例如Zn2SiO4:Mn的熒光材料，并且藍(lán)色熒光層126可包括例如BAM:Eu的熒光材料。
例如Ne、He、Xe的放電氣體及其混合物可插入并密封在放電單元180中。
現(xiàn)在將描述PDP100的操作。
在為了實(shí)施時(shí)分灰度顯示每個(gè)圖像幀被分成多個(gè)子場(chǎng)SF的情況下，可依照ADS驅(qū)動(dòng)方案來(lái)驅(qū)動(dòng)PDP100。每個(gè)子場(chǎng)SF可分成重置期R、尋址期A和維持期S。
在重置期R中，所有放電單元180的放電條件被一律地重置以適于隨后的尋址期A。
在尋址期A中，顯示數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到尋址電極122，同時(shí)并依次地將掃描脈沖施加到Y(jié)電極140。將正尋址電壓VA施加到尋址電極，同時(shí)將地電壓VG的掃描脈沖施加到Y(jié)電極，產(chǎn)生尋址放電，這樣在選擇的放電單元上形成壁電荷。在非選擇的放電單元上不產(chǎn)生壁電荷。
PDP的亮度與維持期S內(nèi)的維持放電時(shí)間間隔成比例。在單位幀中的維持放電時(shí)間間隔可為255T，其中T是單位時(shí)間。因此，在單位幀內(nèi)可顯示256個(gè)灰度級(jí)，包括不顯示圖像的零級(jí)。
當(dāng)單位幀被分成8個(gè)子場(chǎng)SF時(shí)，子場(chǎng)SF1至SF8的維持放電時(shí)間間隔可表示為1T、2T、4T、8T、16T、32T、64T和128T，分別對(duì)應(yīng)于20、21、22、23、24、25、26和27次。
通過(guò)合適地選擇8個(gè)子場(chǎng)SF的組合來(lái)進(jìn)行顯示，以顯示256個(gè)灰度級(jí)，包括不顯示級(jí)(零灰度級(jí))。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在單位子場(chǎng)SF期間可被施加到X和Y電極130和140的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Sx和Sy和可被施加到尋址電極122的驅(qū)動(dòng)信號(hào)SA的波形圖。
如上所述，單位子場(chǎng)SF可分成重置期R、尋址期A和維持期S。在尋址期A，選擇要維持放電的放電單元180。在維持期S，在選擇的放電單元中產(chǎn)生維持放電。
參照?qǐng)D4，在重置期R，被施加到Y(jié)電極140的驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY可升高為第一電壓V_PR，然后降低為第二電壓Vnf，Vnf是重置期R的結(jié)束電壓。接下來(lái)，在尋址期A，具有第三電壓VSC_L(掃描電壓)的掃描脈沖可施加到Y(jié)電極140。在此，第二電壓Vnf可高于第三電壓VSC_L以穩(wěn)定維持電極131和132的重置并提高尋址放電特性。
如圖3所示，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP100中，透明電極131和141可形成 的形狀，所述的透明電極131和141包括主體部分131a和141a和連接部分131b和141b。在放電開始并還保持放電時(shí)主體部分131a和141a將放電擴(kuò)散到周圍。如果主體部分131a和141a的寬度w遠(yuǎn)小于連接部分131b和141b的長(zhǎng)度h，則放電不能充分地?cái)U(kuò)散并且只能發(fā)生在連接部分131b和141b上。因此，放電不是在放電單元180的整個(gè)區(qū)域內(nèi)有作用，使得所謂的低放電可發(fā)生。
相反，如果主體部分131a和141a的寬度w遠(yuǎn)大于連接部分131b和141b的長(zhǎng)度h，則放電區(qū)域增大并且誤放電可出現(xiàn)在X和Y電極130和140之間。因此，可理解為，相對(duì)于在第二和第三電壓Vnf和VSC_L之間的各種電壓差(Vnf-VSC_L；以下表示為ΔV)，存在主體部分的寬度w與連接部分的長(zhǎng)度h之比w/h可提高放電穩(wěn)定性。
表1示出在當(dāng)6-英寸測(cè)試PDP的窗口屏幕增大1％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％和100％時(shí)的9個(gè)點(diǎn)上觀察到的放電穩(wěn)定性?？啥康乇硎痉烹姺€(wěn)定性。例如，值“0”表示低放電和誤放電不出現(xiàn)在9個(gè)點(diǎn)中的任一個(gè)上的情況，并且值“9”表示低放電和誤放電出現(xiàn)在所有9個(gè)點(diǎn)上的情況。當(dāng)放電穩(wěn)定性的測(cè)試值接近“0”時(shí)，放電穩(wěn)定性提高了。當(dāng)放電穩(wěn)定性的測(cè)試值接近“9”時(shí)，放電穩(wěn)定性降低了。
相對(duì)于電壓差ΔV和比值w/h的放電穩(wěn)定性的測(cè)試值

如表1所示，相對(duì)于0、1、2.5、5、10、12、20、25、30、35和40V的電壓差ΔV和0.8、1.0、1.2、1.4、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4和2.6的比值w/h，測(cè)量放電穩(wěn)定性。這里，主體部分的長(zhǎng)度c和連接部分的寬度d分別設(shè)為216μm和56μm。主體部分的寬度w和連接部分的長(zhǎng)度h之和(w+h)保持恒定的值418μm，然而比值w/h變化。
如表1所示，當(dāng)比值w/h在1.2至2.2的范圍內(nèi)時(shí)，放電穩(wěn)定性可以是高的。當(dāng)比值w/h低于1.2時(shí)，可發(fā)生低放電，從而放電穩(wěn)定性是低的。當(dāng)比值w/h高于2.2時(shí)，可發(fā)生誤放電，從而放電穩(wěn)定性也是低的。因此，為了實(shí)施PDP100的穩(wěn)定放電，比值w/h可在1.2至2.2的范圍內(nèi)。在這種情況下，連接部分的長(zhǎng)度h可在120至200μm的范圍內(nèi)，并且主體部分的寬度w可在230至390μm的范圍內(nèi)。
另外，當(dāng)電壓差ΔV在1至35V的范圍內(nèi)時(shí)，當(dāng)比值w/h在1.2至2.2的范圍內(nèi)時(shí)低放電和誤放電不出現(xiàn)在9個(gè)點(diǎn)中的任一個(gè)上。因此，可通過(guò)將電壓差ΔV設(shè)置在1至35V的范圍內(nèi)來(lái)驅(qū)動(dòng)PDP100。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可實(shí)施具有提高的放電穩(wěn)定性的PDP。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明精神或范圍的情況下，可以在本發(fā)明中進(jìn)行各種變形和修改。因此，這樣的目的是，如果本發(fā)明的變形和修改落于所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明覆蓋這些變形和修改。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括后基板；前基板，面對(duì)后基板設(shè)置；隔墻，設(shè)置在前基板和后基板之間，以與前、后基板一起限定放電單元；維持電極對(duì)，穿過(guò)放電單元延伸；和尋址電極，延伸成與維持電極對(duì)相交，其中，維持電極包括匯流電極和透明電極，其中，匯流電極穿過(guò)放電單元延伸，其中，透明電極包括主體部分，設(shè)置在朝放電單元中心的方向上與匯流電極隔開；和連接部分，將主體部分和匯流電極電連接，以及其中，主體部分的寬度與連接部分的長(zhǎng)度之比在1.2至2.2的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，維持電極對(duì)的每個(gè)維持電極包括多個(gè)被電連接到匯流電極的透明電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，透明電極被間斷地設(shè)置在沿匯流電極延伸的方向上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板，其中，每個(gè)透明電極對(duì)應(yīng)于放電單元設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，主體部分對(duì)應(yīng)于放電單元設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，用兩個(gè)連接部分將主體部分電連接到匯流電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，連接部分基本上垂直于匯流電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，主體部分基本上平行于匯流電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，連接部分與主體部分一起一體地形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，連接部分的長(zhǎng)度在120至200μm的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，主體部分的寬度在230至390μm的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，維持電極對(duì)包括掃描電極和公用電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中，PDP在重置期、尋址期和維持期被驅(qū)動(dòng)，并且其中，重置期的掃描電極的結(jié)束電壓高于尋址期的掃描電極的掃描電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，重置期的掃描電極的結(jié)束電壓與尋址期的掃描電極的掃描電壓之差在1至35V的范圍內(nèi)。
全文摘要
一種等離子體顯示面板，其包括后基板；前基板，與后基板隔開設(shè)置；隔墻，設(shè)置在前基板和后基板之間，以與前、后基板一起限定放電單元；維持電極對(duì)，穿過(guò)放電單元延伸；和尋址電極，在與維持電極對(duì)基本上垂直的方向上延伸。維持電極包括匯流電極和透明電極。匯流電極穿過(guò)放電單元延伸，并且透明電極包括主體部分，設(shè)置在朝放電單元中心的方向上與匯流電極隔開；和連接部分，將主體部分和匯流電極電連接。主體部分的寬度與連接部分的長(zhǎng)度之比在1.2至2.2的范圍內(nèi)。
文檔編號(hào)H01J11/22GK1705065SQ200510072330
公開日2005年12月7日 申請(qǐng)日期2005年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月31日
發(fā)明者權(quán)宰翔, 姜太京 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社