專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有新結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板，更具體地，涉及一種可以改進(jìn)尋址放電(address discharge)的等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板(PDP)為具有大尺寸、高清晰度和寬視角的薄且輕的平板顯示器。與其他平板顯示器相比，PDP可以簡(jiǎn)單地制造成大尺寸的形式，從而被認(rèn)為是下一代的大平板顯示器。
根據(jù)誘發(fā)的放電電壓，PDP分類為DC(直流)型，AC(交流)型和混合型。同樣，根據(jù)放電結(jié)構(gòu)，PDP分類為相對(duì)放電型和表面放電型。AC三極管表面放電PDP被廣泛地使用。
常規(guī)三極管表面放電PDP包括前基板和與前基板相對(duì)的后基板。
公共電極和掃描電極形成在前基板的下方。公共電極和掃描電極形成放電間隙。同樣，公共電極和掃描電極覆蓋有第一電介質(zhì)層。保護(hù)層形成在第一電介質(zhì)層的下方。
尋址電極形成在后基板上并與公共電極和掃描電極相交。尋址電極覆蓋有第二電介質(zhì)層。在第二電介質(zhì)層上，間隔壁(barrier rib)彼此分隔預(yù)定距離以限定分離的放電空間。熒光層形成在放電空間中，并且放電空間充滿放電氣體。
在PDP中，紫外線從由放電空間中的放電產(chǎn)生的等離子體中出射。紫外線激發(fā)熒光層，可見光從受激發(fā)的熒光層中出射。通過這種方式，圖像被顯示出來。
然而，順序形成在前基板上的電極、第一電介質(zhì)層和保護(hù)層吸收(大約40％)從熒光層出射的可見光。從而，在提高PDP的發(fā)光效率方面存在限制。此外，如果相同的圖像顯示的時(shí)間較長(zhǎng)，則放電氣體的帶電粒子被離子濺射到熒光層上，從而引起持久的圖像暫留，如PDP上存在圖像殘留。進(jìn)一步，由于尋址電極和掃描電極之間的距離大而尋址電極的電極寬度小，因此在尋址放電方面存在問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種可以改進(jìn)尋址放電的PDP。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有提高了發(fā)光效率和減小了無功功率的PDP。
本發(fā)明的又一目的是提供一種防止由于帶電粒子引起的熒光物質(zhì)的離子濺射的PDP。
本發(fā)明的再一目的是提供一種防止當(dāng)靜態(tài)圖像顯示一段時(shí)間時(shí)等離子體顯示屏上圖像殘留的PDP。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種PDP，包括前基板；與前基板相對(duì)布置的后基板；布置在前基板和后基板之間并由電介質(zhì)材料形成的前間隔壁，前間隔壁和前和后基板一起分割放電單元；布置在前間隔壁內(nèi)以圍繞放電單元、并平行于一行放電單元延伸的前和后放電電極；沿與布置有前和后放電電極的一行放電單元相交的另一行放電單元延伸的尋址電極；布置在放電單元內(nèi)的熒光層；和注入在放電單元內(nèi)的放電氣體，其中尋址電極包括配置在放電單元處形成為環(huán)狀的放電部分和連接放電部分的連接部分。
尋址電極的放電部分可以形成為多邊形環(huán)狀。在該情況下，尋址電極的放電部分可以包括沿尋址電極的延伸方向形成的垂直部分和連接垂直部分的水平部分，其中垂直部分的寬度可以小于水平部分的寬度。垂直部分的寬度可以在60μm到180μm(微米)的范圍內(nèi)，水平部分的寬度可以在150μm到250μm的范圍內(nèi)。
同樣，尋址電極的放電部分可以包括沿尋址電極的延伸方向形成的垂直部分和連接垂直部分的水平部分，其中連接部分的寬度小于水平部分的寬度。在該情況下，連接部分的寬度可以在70μm到200μm的范圍內(nèi)，水平部分的寬度可以在150μm到250μm的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明，在相鄰尋址電極之間出現(xiàn)的浮動(dòng)電容減小，由此防止尋址信號(hào)的失真或無功功率的增加。
同樣，由于尋址電極圍繞放電單元，因此尋址電極和掃描電極之間的距離減小，使得尋址放電很好地進(jìn)行。如果尋址電極水平部分的寬度相對(duì)寬地形成，則用于尋址放電的電極區(qū)域擴(kuò)寬，由此改進(jìn)尋址放電特性。


當(dāng)結(jié)合所附附圖時(shí)，本發(fā)明的更完整的評(píng)價(jià)和其許多伴隨的優(yōu)點(diǎn)通過參考以下的詳細(xì)描述將顯而易見，同時(shí)也能更好的進(jìn)行理解，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或者相似的元件，其中圖1為常規(guī)PDP的分解透視圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的局部切割分解透視圖；圖3為沿圖2的III-III線得到的截面圖；圖4為圖2所示的放電單元和電極的透視圖；和圖5為圖2所示的PDP中尋址電極的平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖1為常規(guī)三極管表面放電PDP的分解透視圖。參考圖1，三極管表面放電PDP包括前基板11和與前基板11相對(duì)的后基板21。
公共電極12和掃描電極13形成在前基板11的下方。公共電極12和掃描電極13形成放電間隙。同樣，公共電極12和掃描電極13覆蓋有第一電介質(zhì)層14。保護(hù)層15形成在第一電介質(zhì)層14的下方。
尋址電極22形成在后基板21上并與公共電極12和掃描電極13相交。尋址電極22覆蓋有第二電介質(zhì)層23。在第二電介質(zhì)層23上，間隔壁24彼此分隔預(yù)定距離以限定分離的放電空間25。熒光層26形成在放電空間25中，并且放電空間25充滿放電氣體。
在PDP10中，紫外線從放電空間25中的放電產(chǎn)生的等離子體中出射。紫外線激發(fā)熒光層26，可見光從受激發(fā)的熒光層26中出射。以該方式顯示圖像。
然而，順序形成在前基板11上的電極12和13、第一電介質(zhì)層14和保護(hù)層15吸收(大約40％)從熒光層26出射的可見光。從而，在提高PDP 10的發(fā)光效率方面存在限制。此外，如果相同的圖像顯示的時(shí)間較長(zhǎng)，則放電氣體的帶電粒子被離子濺射到熒光層26上，從而引起持久的圖像暫留或殘留。另外，由于尋址電極22和掃描電極13之間的距離大而尋址電極22的電極寬度小，因此在尋址放電方面存在問題。
現(xiàn)在將參考所附附圖更完全地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示意性實(shí)施例。
參考圖2至5詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP。
PDP 200包括前基板201，與前基板201平行配置的后基板202，布置在前基板201和后基板202之間并由電介質(zhì)材料形成的前間隔壁208，前間隔壁208和前和后基板201和202一起分割放電單元220，布置在前間隔壁208內(nèi)以圍繞放電單元220并平行于一行放電單元延伸的前放電電極206和后放電電極207，布置在前間隔壁208和后基板202之間的后間隔壁205，布置在由后間隔壁205所限定的空間內(nèi)的熒光層210，布置在熒光層210和后基板203之間并沿與放電單元220中前和后放電電極206和207相交的一行放電單元延伸的尋址電極203，和注入在放電單元220中的放電氣體(未示出)。
在本實(shí)施例中，由于放電單元220中產(chǎn)生的可見光通過前基板201出射到外側(cè)，因此前基板201由具有良好透射率的材料形成，如玻璃。可見光的前透射率顯著地得到提高，這是因?yàn)榍盎?01不具有常規(guī)PDP100的前基板上形成的掃描電極13和公共電極12、覆蓋電極12和13的電介質(zhì)層14和保護(hù)層15。因此，如果實(shí)現(xiàn)的圖像具有常規(guī)亮度，則電極12和13以相對(duì)低的電壓驅(qū)動(dòng)，導(dǎo)致發(fā)光效率的增加。
前間隔壁208形成在前基板201的較低表面處。前間隔壁208與前基板201和后基板202一起分割對(duì)應(yīng)于紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素中的一個(gè)子像素的放電單元220，并防止放電單元220之間的串?dāng)_。
前間隔壁208防止前放電電極206和后放電電極207在放電期間直接電連接在一起，并防止帶電粒子直接與電極206和207相撞，使得電極206和207可以得到保護(hù)。前間隔壁208由電介質(zhì)材料如PbO、B2O3和SiO2形成，這些材料可以引導(dǎo)帶電粒子積聚壁電荷。
如圖4所示，圍繞放電單元220的前和后放電電極206和207沿垂直于前基板201的方向平行布置并彼此分開。同樣，前和后放電電極206和207平行于一行放電單元220延伸。前和后放電電極206和207可以由導(dǎo)電金屬如鋁和銅形成，并且能夠防止由于電壓降引起的誤操作。
優(yōu)選前間隔壁208的至少一側(cè)覆蓋有作為保護(hù)層的MgO層209。MgO層209可以通過沉積處理形成，其可以形成在前間隔壁、前間隔壁的較低表面和/或放電單元之間的前基板的較低表面處。盡管MgO層209不是必需的元件，但它可以防止間隔壁208受到由于帶電粒子與由電介質(zhì)材料形成的間隔壁208的碰撞而產(chǎn)生的損傷。同樣，MgO層209在放電期間發(fā)射許多二次電子。
后基板202支承尋址電極203、電介質(zhì)層204和后間隔壁205，并由主要成分為玻璃的材料形成。
在與前基板201相對(duì)布置的后基板202上，尋址電極203沿與布置有前和后放電電極206和207的一行放電單元相交的另一行放電單元延伸。因此，尋址電極203實(shí)際上與前和后放電電極206和207相交。
尋址電極203包括形成為矩形環(huán)狀的放電部分270，和連接放電部分270的連接部分273。同樣，每個(gè)放電部分270包括沿尋址電極203的延伸方向形成的垂直部分272，和連接垂直部分272的水平部分271。
尋址電極203啟動(dòng)尋址放電以使啟動(dòng)前放電電極206和后放電電極207之間的維持放電變得更容易。即，尋址電極203減小維持放電開始時(shí)的電壓。尋址放電發(fā)生在掃描電極和尋址電極之間。當(dāng)尋址放電結(jié)束時(shí)，正離子積聚在掃描電極上，電子積聚在公共電極上。從而，掃描電極和公共電極之間的維持放電更容易發(fā)生。
接近于尋址電極203的后放電電極207用作掃描電極，前放電電極206用作公共電極，這是因?yàn)楫?dāng)掃描電極和尋址電極之間的間隙更窄時(shí)尋址放電才更有效地發(fā)生。
在PDP 200中，形成的垂直部分272的寬度“c”可以小于水平部分271的寬度“b”。在該結(jié)構(gòu)中，由于在相鄰尋址電極203的垂直部分272之間的電極區(qū)域串?dāng)_減小，因此浮動(dòng)電容減小。浮動(dòng)電容減小，這是因?yàn)楦?dòng)電容反比于相鄰尋址電極之間的距離并且正比于相應(yīng)的電極區(qū)域。因此，本發(fā)明的PDP可以解決浮動(dòng)電容引起尋址信號(hào)的失真或無功功率增加的問題。同樣，如果水平部分271的寬度“b”大于垂直部分272的寬度，則用于尋址放電的電極區(qū)域增加。從而，壁電荷量在尋址放電中增加，使得尋址放電很好地進(jìn)行。優(yōu)選垂直部分的寬度“c”在60μm到180μm(微米)的范圍內(nèi)，水平部分的寬度“b”在150μm到250μm的范圍內(nèi)。
同樣，連接部分的寬度“a”可以小于水平部分的寬度“b”。在該情況下，如上所述，在相鄰尋址電極203之間出現(xiàn)的浮動(dòng)電容減小，由此防止尋址信號(hào)的失真或無功功率的增加。同樣，如果水平部分271的寬度“b”大，則用于尋址放電的電極區(qū)域增加，從而尋址放電很好地進(jìn)行。優(yōu)選連接部分的寬度“a”在70μm到200μm的范圍內(nèi)，水平部分的寬度“b”在150μm到250μm的范圍內(nèi)。
插入在熒光層210和后基板202之間并掩蓋(或嵌入)尋址電極203的電介質(zhì)層204由電介質(zhì)材料如PbO、B2O3和SiO2形成，這些材料可以引導(dǎo)電荷，并且防止尋址電極203由于正離子或電子在放電期間與尋址電極203的碰撞而受到損傷。
在本實(shí)施例中，后間隔壁205布置在前間隔壁208和電介質(zhì)層204之間，并限定其間的間隔。盡管前和后間隔壁208和205在圖2中以矩陣方式形成，但本發(fā)明并不限于該結(jié)構(gòu)。即，如果僅僅形成多個(gè)放電空間，則間隔壁可以以多種形式形成，例如開口式的間隔壁如條紋型，和封閉的間隔壁如華夫餅(waffle)、矩陣或三角(delta)型。同樣，在放電單元的橫截面中，封閉的間隔壁可以形成為多邊形的形式，如矩形、三角形或五邊形，或者圓形或橢圓形。前和后間隔壁208和205可以以相同的形狀或不同的形狀形成。同樣，前間隔壁208和后間隔壁205可以一體地形成。
熒光層210布置在由后間隔壁205限定的空間中。熒光層210接收由前和后放電電極206和207之間的放電產(chǎn)生的紫外光并發(fā)射可見光。形成在紅色子像素處的熒光層包含熒光物質(zhì)，如Y(V，P)O4:Eu；形成在綠色子像素處的熒光層包含熒光物質(zhì)，如Zn2SiO4:Mn和YBO3:Tb；以及形成在藍(lán)色子像素處的熒光層包含熒光物質(zhì)，如BAM:Eu。
放電單元220充滿放電氣體，如Ne、Xe和其混合氣體。根據(jù)本發(fā)明，放電表面可以增加并且放電區(qū)域可以延伸，因此等離子體的量增加。因此，低電壓驅(qū)動(dòng)是可能的。由于本發(fā)明甚至當(dāng)高濃度Xe氣體用作放電氣體時(shí)也可以實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)，因此發(fā)光效率可以顯著地提高。因此，本發(fā)明可以解決常規(guī)PDP中當(dāng)高濃度Xe氣體用作放電氣體時(shí)低電壓驅(qū)動(dòng)很困難的問題。
在上述PDP 200中，尋址放電通過在尋址電極203和后放電電極207之間施加尋址電壓來啟動(dòng)。作為尋址放電的結(jié)果，選擇用于維持放電的放電單元220。
其后，AC維持電壓施加在選定的放電單元220的前放電電極206和后放電電極207之間，維持放電在其間發(fā)生。由于維持放電，受激發(fā)的放電氣體的能級(jí)降低，從而發(fā)射紫外光。紫外光激發(fā)配置在放電單元220中的熒光層210，受激發(fā)的熒光層210的能級(jí)降低以發(fā)射紫外光，由此形成圖像。
根據(jù)圖1所示的常規(guī)PDP，掃描電極13和公共電極12之間的維持放電沿水平方向發(fā)生，因此放電區(qū)域相對(duì)窄。然而，根據(jù)本發(fā)明，PDP的維持放電在分割放電單元220的所有側(cè)壁上發(fā)生，因此放電區(qū)域相對(duì)寬。
同樣，維持放電沿放電單元220的側(cè)面形成，并逐漸向放電單元220的中心部分?jǐn)U展。從而，維持放電發(fā)生的區(qū)域的體積增加，放電單元中的空間電荷也是放電的結(jié)果。這導(dǎo)致PDP的發(fā)光效率提高。
如圖3所示，維持放電僅在由前間隔壁208所限制的區(qū)域發(fā)生。因此，由于帶電粒子引起的熒光物質(zhì)的離子濺射可以被防止，當(dāng)相同的圖像顯示較長(zhǎng)時(shí)間時(shí)持久的圖像暫留或殘留不會(huì)出現(xiàn)。
因此，本發(fā)明的PDP可以制造成具有提高的發(fā)光效率和減小的無功功率。
雖然本發(fā)明已經(jīng)具體地示出，并參考示意性實(shí)施例進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，只要不偏離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍，形式和細(xì)節(jié)上的多種變化都是可能的。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括一前基板；與所述前基板相對(duì)布置的一后基板；布置在所述前基板和所述后基板之間并由電介質(zhì)材料形成的前間隔壁，所述前間隔壁和所述前和后基板一起分割放電單元；布置在所述前間隔壁內(nèi)以圍繞放電單元、并平行于一行放電單元延伸的前和后放電電極；沿與布置有前和后放電電極的一行放電單元相交的另一行放電單元延伸的尋址電極；布置在放電單元內(nèi)的熒光層；和注入在放電單元內(nèi)的放電氣體，其中所述尋址電極包括設(shè)置在放電單元處形成為環(huán)狀的放電部分和連接放電部分的連接部分。
2.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中尋址電極的放電部分形成為多邊形環(huán)狀。
3.權(quán)利要求2的等離子體顯示板，其中尋址電極的放電部分包括沿尋址電極的延伸方向形成的垂直部分和連接垂直部分的水平部分，并且垂直部分的寬度小于所述水平部分的寬度。
4.權(quán)利要求3的等離子體顯示板，其中垂直部分的寬度在60μm到180μm的范圍內(nèi)。
5.權(quán)利要求3的等離子體顯示板，其中水平部分的寬度在150μm到250μm的范圍內(nèi)。
6.權(quán)利要求2的等離子體顯示板，其中尋址電極的放電部分包括沿所述尋址電極的延伸方向形成的垂直部分和連接垂直部分的水平部分，并且連接部分的寬度小于所述水平部分的寬度。
7.權(quán)利要求6的等離子體顯示板，其中連接部分的寬度在70μm到200μm的范圍內(nèi)。
8.權(quán)利要求6的等離子體顯示板，其中水平部分的寬度在150μm到250μm的范圍內(nèi)。
9.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，還包括布置在所述前間隔壁和后基板之間的后間隔壁。
10.權(quán)利要求9的等離子體顯示板，其中熒光層布置在由所述后間隔壁限定的空間中。
11.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，還包括覆蓋所述尋址電極的電介質(zhì)層。
12.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中尋址電極布置在與所述前基板相對(duì)的所述后基板上。
13.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中所述前間隔壁和后間隔壁一體地形成。
14.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中所述前和后放電電極沿垂直于所述前基板的方向分開。
15.權(quán)利要求1的等離子體顯示板，其中所述前間隔壁的至少一側(cè)覆蓋有保護(hù)層。
16.一種等離子體顯示板，包括一前基板；與所述前基板相對(duì)布置的一后基板；布置在所述前基板和所述后基板之間并由電介質(zhì)材料形成的多個(gè)前間隔壁，所述前間隔壁和所述前和后基板一起分割放電單元；布置在所述前間隔壁內(nèi)以圍繞放電單元、并沿一第一行放電單元延伸的多個(gè)前和后放電電極；和沿與布置有前和后放電電極的第一行放電單元相交的一第二行放電單元延伸的多個(gè)尋址電極，每個(gè)所述尋址電極包括配置在放電單元處形成為環(huán)狀的放電部分和連接放電部分的連接部分。
17.權(quán)利要求16的等離子體顯示板，尋址電極的放電部分形成為多邊形環(huán)狀，尋址電極的放電部分包括沿尋址電極的延伸方向形成的垂直部分和連接垂直部分的水平部分，并且垂直部分的寬度小于所述水平部分的寬度，所述連接部分的寬度小于所述水平部分的寬度，所述前間隔壁的至少一側(cè)覆蓋有保護(hù)層。
18.權(quán)利要求16的等離子體顯示板，還包括布置在所述前間隔壁和后基板之間的后間隔壁，前和后間隔壁的形狀為矩陣、三角型、華夫餅型和條紋型的其中任一種，其中在放電單元的橫截面中，華夫餅、矩陣和三角型以多邊形、圓形和橢圓形的一種形狀形成。
19.一種等離子體顯示板，包括一第一基板；與所述第一基板相對(duì)布置的一第二基板；布置在所述第一基板和所述第二基板之間并由電介質(zhì)材料形成的第一間隔壁，所述第一間隔壁和所述第一和第二基板一起分割放電單元，所述第一間隔壁形成在所述第一基板的較低表面；嵌入在所述第一間隔壁內(nèi)以圍繞放電單元、并沿一行放電單元平行延伸的第一和第二放電電極，所述第一和第二放電電極由導(dǎo)電材料形成；和沿與布置有第一和第二放電電極的一行放電單元相交的另一行放電單元延伸的尋址電極，放電單元包括熒光層和放電氣體，所述尋址電極包括配置在放電單元處形成為環(huán)狀的放電部分和連接放電部分的連接部分。
20.權(quán)利要求19的等離子體顯示板，尋址電極的放電部分形成為多邊形的環(huán)狀，尋址電極的放電部分包括沿尋址電極的延伸方向形成的垂直部分和連接垂直部分的水平部分，并且垂直部分的寬度小于所述水平部分的寬度，所述連接部分的寬度小于所述水平部分的寬度，垂直部分的寬度在60μm到180μm的范圍內(nèi)，水平部分的寬度在150μm到250μm的范圍內(nèi)，以及連接部分的寬度在70μm到200μm的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種PDP(等離子體顯示板)，包括前基板；與前基板相對(duì)布置的后基板；布置在前基板和后基板之間并由電介質(zhì)材料形成的前間隔壁，前間隔壁和前和后基板一起分割放電單元；布置在前間隔壁內(nèi)以圍繞放電單元、并平行于一行放電單元延伸的前和后放電電極；沿與布置有前和后放電電極的一行放電單元相交的另一行放電單元延伸的尋址電極；布置在放電單元內(nèi)的熒光層；和注入在放電單元內(nèi)的放電氣體，其中尋址電極包括配置在放電單元處形成為環(huán)狀的放電部分和連接放電部分的連接部分。
文檔編號(hào)H01J17/04GK1681069SQ20051007170
公開日2005年10月12日 申請(qǐng)日期2005年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月9日
發(fā)明者禹錫均, 洪種基 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社