專(zhuān)利名稱(chēng)：電子發(fā)射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射裝置，特別是涉及一種用于電子發(fā)射裝置的聚焦電極。
背景技術(shù)：
通常，電子發(fā)射裝置分為兩類(lèi)，第一類(lèi)中，熱陰極用作電子發(fā)射源。在第二類(lèi)中，冷陰極用作電子發(fā)射源。
已知的第二類(lèi)電子發(fā)射裝置包括場(chǎng)發(fā)射體陣列(FEA)型，表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射體(SCE)型，金屬-絕緣體-金屬(MIM)型，金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型，和彈道電子表面發(fā)射(BSE)型。
不同類(lèi)型的電子發(fā)射裝置其各自的結(jié)構(gòu)不同。但是，每個(gè)電子發(fā)射裝置基本上包括容納在真空管中的電子發(fā)射單元和在真空管中與電子發(fā)射單元相對(duì)的圖像顯示單元。
在FEA型電子發(fā)射裝置中，通過(guò)當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓施加到電子發(fā)射區(qū)內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電極上時(shí)所產(chǎn)生的電場(chǎng)，電子從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射。
格柵電極(grid electrode)設(shè)置第一和第二基板之間，第一基板和第二基板形成真空管。格柵電極包括具有多個(gè)互相之間以預(yù)定距離隔開(kāi)的束引導(dǎo)孔的網(wǎng)形金屬板。該格柵電極增強(qiáng)從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射出的電子束的聚焦能力，提高顏色純度，并提高陰極和陽(yáng)極電極的耐受電壓特性?？商娲?，與格柵電極具有不同結(jié)構(gòu)的聚焦電極可以設(shè)置在第一和第二基板之間。
不論是使用格柵電極還是使用聚焦電極，聚焦電子束能力的提高對(duì)于耐受電壓特性，即阻礙電場(chǎng)從陽(yáng)極電極發(fā)射的能力具有負(fù)面的影響。類(lèi)似地，耐受電壓特性的改善對(duì)于電子束的聚焦能力具有負(fù)面的影響。具體地，與陰極電極相反，當(dāng)將負(fù)電壓施加于聚焦電極以提高聚焦能力時(shí)，到達(dá)陽(yáng)極電極的電子數(shù)目顯著減少，因而亮度降低。為了當(dāng)將負(fù)電壓施加于聚焦電極時(shí)提高亮度，或者增加聚焦電極和電子束發(fā)射區(qū)之間的距離或者增加聚焦電極的厚度。但是，當(dāng)完成該措施后，降低了聚焦能力并且陽(yáng)極電極的電場(chǎng)直接到達(dá)電子發(fā)射區(qū)。因此，不能將一個(gè)高電壓施加于陽(yáng)極電極，從而導(dǎo)致亮度降低。
由于上述問(wèn)題，當(dāng)負(fù)電壓施加到聚焦電極時(shí)，聚焦能力提高，但是亮度降低。具體地，聚焦電極阻斷來(lái)自陽(yáng)極電極的電流，因而阻止足夠的陽(yáng)極電流的流動(dòng)。因此，不能施加高陽(yáng)極電壓，且降低了亮度。當(dāng)在磷光質(zhì)層上不形成金屬層時(shí)，降低了磷光質(zhì)層的壽命和效率。
當(dāng)包括金屬網(wǎng)的格柵電極用于阻斷強(qiáng)陽(yáng)極電流時(shí)，可以容易地將高電壓施加于陽(yáng)極電極。但是，當(dāng)將負(fù)電壓施加于格柵電極時(shí)，多數(shù)從陰極發(fā)射的電子由于格柵電極的厚度也被阻擋，到達(dá)陽(yáng)極電極的電子數(shù)目顯著減少。當(dāng)正電壓施加到格柵電極時(shí)，束流分散不能聚焦電子束，導(dǎo)致顏色表示度明顯減少。
因此，建議在使用聚焦電極外附加使用陽(yáng)極阻擋電極。但是，在這樣的結(jié)構(gòu)中，絕緣層設(shè)置在聚焦電極和陽(yáng)極阻擋電極之間。這樣的絕緣層在顯影和蝕刻過(guò)程中對(duì)其他電極層會(huì)有負(fù)面的影響。進(jìn)而，對(duì)于這樣的結(jié)構(gòu)的加工步驟會(huì)非常復(fù)雜，并且會(huì)增加成本和降低生產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供一種電子發(fā)射裝置，其改善聚焦電極的結(jié)構(gòu)，以獲得足夠的束流聚焦能力并提高亮度和顏色表示度。
本發(fā)明的電子發(fā)射裝置包括第一和第二基板，二者相對(duì)設(shè)置并以預(yù)定的距離相互隔開(kāi)。電子發(fā)射單元設(shè)置在第一基板上，圖像顯示單元設(shè)置在第二基板上。具有多個(gè)束引導(dǎo)孔的聚焦電極設(shè)置在第一和第二基板之間。接近束引導(dǎo)孔處，聚焦電極的厚度是薄的。聚焦電極的其他部分厚度是厚的，其厚度大于接近束引導(dǎo)孔處的厚度。
聚焦電極的厚度在接近束引導(dǎo)孔處可以是階梯狀的。可替換地，除了在接近束引導(dǎo)孔處區(qū)域的厚層被去除外，聚焦電極可以包括形成在薄層上的厚層。在另一個(gè)實(shí)施例中，聚焦電極接近束引導(dǎo)孔的區(qū)域包括薄層，聚焦電極的其他部分包括電連接至薄層上的厚層。
可以通過(guò)沉積的方法在聚焦電極上施加薄層，可以通過(guò)導(dǎo)電金屬漿料的絲網(wǎng)印刷方法在聚焦電極上施加厚層?？商鎿Q地，薄層和厚層可以包括相同的導(dǎo)電材料。
薄層可以是具有預(yù)定寬度并沿著每個(gè)束引導(dǎo)孔的邊緣延伸的環(huán)形。
可以首先施加厚層于聚焦電極，然后施加薄層。
在替換實(shí)施例中，多個(gè)聚焦電極處于電子發(fā)射單元之上。
聚焦電極可以包括金屬材料。
在第一基板上的電子發(fā)射單元包括多個(gè)排列在第一基板上并以預(yù)定距離隔開(kāi)的陰極電極。電子發(fā)射區(qū)設(shè)置在陰極電極上。每個(gè)電子發(fā)射區(qū)可以包括含碳材料或者納米尺寸材料。絕緣層設(shè)置在陰極電極上，多個(gè)柵極電極(gate electrode)設(shè)置在絕緣層上。
在第二基板上的圖像顯示單元包括處于第二基板上的陽(yáng)極電極，多個(gè)以預(yù)定圖案設(shè)置在陽(yáng)極電極上的磷光質(zhì)層。


本發(fā)明的以上或者其他優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)結(jié)合附圖參照以下的詳細(xì)描述得到更好地理解，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的局部透視圖；圖2是根據(jù)圖1的電子發(fā)射裝置的局部橫截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射區(qū)的局部透視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的聚焦電極的局部透視圖；和圖5是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的聚焦電極的局部透視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明將參考附圖在此后進(jìn)行更為詳細(xì)地描述，在這些附圖中表示了本如圖1和2所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置分別包括第一和第二基板20和22，二者相對(duì)設(shè)置并以預(yù)定距離相互隔開(kāi)，從而形成一個(gè)真空管。
在第一基板20上設(shè)置電子發(fā)射單元，在第二基板22上設(shè)置圖像顯示單元。電子發(fā)射單元向圖像顯示單元發(fā)射電子，其發(fā)光，從而顯示所需要的圖像。
處于第一基板20上的電子發(fā)射單元包括多個(gè)排列在第一基板20上并以預(yù)定距離隔開(kāi)的陰極電極24。電子發(fā)射區(qū)28設(shè)置在陰極電極24上。多個(gè)柵極電極26設(shè)置在陰極電極24上并垂直于陰極電極24延伸。絕緣層25設(shè)置在陰極電極24和柵極電極26之間。
處于第二基板22上的圖像顯示單元包括設(shè)置在第二基板22上的陽(yáng)極電極30和多個(gè)以預(yù)定圖案設(shè)置在陽(yáng)極電極30上的磷光質(zhì)層32。
第二絕緣層50設(shè)置于柵極電極26之上，多個(gè)聚焦電極40分別設(shè)置于在第一基板20和第二基板22之間的第二絕緣層50上。每個(gè)聚焦電極40包括多個(gè)束引導(dǎo)孔41。每個(gè)聚焦電極40包括薄層42和厚層44。該厚層44具有大于薄層42的厚度。
在這個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)聚焦電極40以與柵極電極26的圖案相對(duì)應(yīng)的圖案排列在第一基板20上。聚焦電極40的束引導(dǎo)孔41以與電子發(fā)射區(qū)28的圖案相對(duì)應(yīng)的預(yù)定圖案排列。
聚焦電極40增加從電子發(fā)射區(qū)28發(fā)射的電子束的聚焦能力。聚焦電極可以包括薄金屬片，每個(gè)具有多個(gè)以預(yù)定距離隔開(kāi)的束引導(dǎo)孔41。這樣的結(jié)構(gòu)構(gòu)成金屬網(wǎng)。
柵極電極26和陰極電極24設(shè)置為條狀圖案并互相垂直延伸。具體地，如圖1所示，陰極電極24排列為沿Y軸延伸的條狀圖案，柵極電極26排列為沿X軸延伸的條狀圖案。絕緣層25設(shè)置在柵極電極26和陰極電極24之間并覆蓋第一基板20的全部表面。電子發(fā)射區(qū)28位于柵極電極26和陰極電極24的交叉點(diǎn)上，并且電連接至陰極電極24。
電子發(fā)射區(qū)28是具有基本均勻厚度的平發(fā)射體。每個(gè)電子發(fā)射區(qū)28包括含碳材料，其在低壓驅(qū)動(dòng)條件下，即大約10-大約100V的電壓下，良好地發(fā)射電子。含碳材料可以選自石墨、金剛石、類(lèi)金剛石的碳、碳納米管、C60(富勒烯)及它們的化合物構(gòu)成的組。在這些含碳材料中，優(yōu)選碳納米管，因?yàn)樗鼈兙哂蟹浅Ｐ〉膸讉€(gè)至幾十個(gè)納米的終端曲率半徑，并且它們即使在低壓電場(chǎng)例如大約1V/μm到大約10V/μm條件下仍能夠良好地發(fā)射電子?？商鎿Q地，電子發(fā)射區(qū)28可以包括納米尺寸材料，例如納米管，石墨納米纖維，或者硅納米線(xiàn)。
如圖3所示，電子發(fā)射區(qū)28可以呈錐形?？商鎿Q地，電子發(fā)射區(qū)28可以呈各種其他形狀，例如楔形或者薄邊形膜。
柵極電極26和絕緣層25包括孔，這些孔允許在陰極電極24上設(shè)置電子發(fā)射區(qū)28，并使得電子能夠發(fā)射到第二基板22上。
陽(yáng)極電極30設(shè)置在第二基板22上，并且包括透明的電極材料，例如銦錫氧化物(ITO)，這些材料具有優(yōu)異的光透射率。
如圖1所示，磷光質(zhì)層32設(shè)置在第二基板22上，紅，綠和藍(lán)磷光質(zhì)層32R，32G和32B分別以交替的順序排列，并且互相以預(yù)定的距離隔開(kāi)。磷光質(zhì)層32R，32G和32B沿著與聚焦電極40相同的方向，即X軸方向延伸。黑暗層33設(shè)置在磷光質(zhì)層32R，32G，和32B之間以提高對(duì)比度。
如圖2所示，薄金屬層34可以設(shè)置在磷光質(zhì)層32和黑暗層33上。金屬層34可以包括鋁。該薄金屬層34提高耐壓特性和亮度特性。
可替換地，磷光質(zhì)層32和黑暗層33直接設(shè)置在第二基板22上，省去透明陽(yáng)極電極30，并且薄金屬層34設(shè)置在磷光質(zhì)層32和黑暗層33上。在這樣的結(jié)構(gòu)中，在高壓條件下金屬層34起到的陽(yáng)極電極的作用。在這個(gè)實(shí)施例中，與陽(yáng)極電極30設(shè)置在基板22上并包括透明電極材料的情況相比，屏幕亮度得到更加有效的提高。
第一基板20和第二基板22，以預(yù)定的距離互相隔開(kāi)，并通過(guò)密封劑密封在一起。第一基板20和第二基板22密封在一起使得陰極電極24和磷光質(zhì)層32互相垂直設(shè)置。在兩個(gè)基板20和22之間的內(nèi)部空間進(jìn)行抽真空處理，然后密封結(jié)構(gòu)保持在真空狀態(tài)。
為了在第一基板20和第二基板22之間保持恒定的距離，在第一基板20和第二基板22之間設(shè)置間隔物38，并且互相之間以預(yù)定的距離隔開(kāi)。優(yōu)選地，設(shè)置間隔物38以避開(kāi)像素位置和電子束通道。
用于電絕緣的絕緣層50設(shè)置在聚焦電極40和柵極電極26之間。絕緣層50包括在尺寸和位置上與聚焦電極40上的束引導(dǎo)孔41相應(yīng)的束引導(dǎo)孔51。
在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)聚焦電極40位于接近束引導(dǎo)孔41邊緣的部分包括薄層42。具體地，如圖1和2所示，每個(gè)聚焦電極40位于接近束引導(dǎo)孔41的部分包括薄層42，而聚焦電極的其他部分包括厚層44，因而形成了在每個(gè)束引導(dǎo)孔41的邊緣周?chē)请A梯狀的聚焦電極40。
可替換地，厚層44首先沉積在每個(gè)聚焦電極40的整個(gè)表面。對(duì)每個(gè)聚焦電極40位于接近每個(gè)束引導(dǎo)孔41的部分進(jìn)行處理，例如部分的或一半的蝕刻處理，從而在每個(gè)束引導(dǎo)孔41的邊緣周?chē)纬杀?2。
在另一個(gè)替換實(shí)施例中，每個(gè)聚焦電極40包括金屬網(wǎng)。對(duì)金屬網(wǎng)位于接近每個(gè)束引導(dǎo)孔41的部分進(jìn)行加工，例如通過(guò)部分的或者一半的蝕刻以在每個(gè)束引導(dǎo)孔41的邊緣周?chē)玫奖印?br> 因?yàn)殡妶?chǎng)施加在接近每個(gè)束引導(dǎo)孔41的薄層42的邊緣上，所以可以獲得足夠的束流聚焦能力。
在需要處，厚層44可以包括多階梯結(jié)構(gòu)。
在一個(gè)替換實(shí)施例當(dāng)中，如圖4所示，每個(gè)聚焦電極40包括設(shè)置在絕緣層50上的薄層42和設(shè)置在薄層42上的厚層44，并且以預(yù)定的距離與每個(gè)束引導(dǎo)孔隔開(kāi)。
最好通過(guò)沉積的方法施加薄層42，且最好通過(guò)導(dǎo)電金屬漿料的絲網(wǎng)印刷方法施加厚層。
形成厚層44的導(dǎo)電金屬材料選自銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉬/鎢(Mo/W)，鉬/錳(Mo/Mn)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鉻/鋁(Cr/Al)和它們的化合物構(gòu)成的組。該形成厚層44的導(dǎo)電金屬材料包含具有直徑為幾個(gè)微米或者更小的小顆粒。
可以通過(guò)沉積ITO、鋁(Al)、鉻(Cr)、或鉻/鋁(Cr/Al)和它們的化合物施加薄層42。
在一個(gè)替換實(shí)施例中，如圖5所示，每個(gè)聚焦電極40位于接近束引導(dǎo)孔41的部分包括沿著束引導(dǎo)孔41邊緣延伸的薄層42。每個(gè)聚焦電極40的其余部分，即處于薄層42外邊緣的部分，包括厚層44。每個(gè)聚焦電極40的薄層42具有預(yù)定寬度并呈沿著束引導(dǎo)孔41的邊緣延伸的環(huán)形或者帶形。薄層42和厚層44彼此電連接。薄層42位于接近束引導(dǎo)孔41的部分環(huán)繞束引導(dǎo)孔41，厚層44環(huán)繞薄層42。
這樣的聚焦電極40的結(jié)構(gòu)，即位于接近束引導(dǎo)孔41部分的聚焦電極包括薄層42和其余部分包括厚層44，可防止裂縫的形成，當(dāng)薄層42在厚層44之前施加時(shí)，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生這種裂縫。這種裂縫是由在后施加厚層44時(shí)所需要的熱處理過(guò)程中施加到薄層42上的應(yīng)力引起的。并且可以通過(guò)首先施加厚層44而后施加薄層42而避免這種裂縫。
薄層42和厚層44可以包括相同的導(dǎo)電材料，或者可以包括不同的材料。
厚層44防止電壓施加到陽(yáng)極電極32上時(shí)產(chǎn)生的電場(chǎng)影響電子發(fā)射區(qū)28。該薄層42使具有足夠的電子束聚焦能力。
進(jìn)而，聚焦電極的薄層42和厚層44各自同時(shí)提高束流聚焦能力和亮度。具體地，聚焦電極的薄層產(chǎn)生用于聚焦電子束的電場(chǎng)。因此，與陰極電極相對(duì)照，當(dāng)負(fù)電壓施加到聚焦電極時(shí)，通過(guò)束引導(dǎo)孔的電子數(shù)目沒(méi)有明顯減少，因而提高了亮度，束流聚焦能力和顏色表示度。
而且，由于高電壓施加到陽(yáng)極電極上時(shí)聚焦電極的厚層不產(chǎn)生電場(chǎng)，陽(yáng)極電場(chǎng)在到達(dá)電子發(fā)射區(qū)之前就在以穩(wěn)定和持續(xù)的方式被阻斷，因而能夠使高電壓施加于陽(yáng)極電極的同時(shí)提高亮度和顯示質(zhì)量。
聚焦電極的厚層44使得高電壓可以施加到陽(yáng)極電極上，并可以在磷光質(zhì)層上形成薄金屬層，該薄金屬層可以提高磷光質(zhì)層內(nèi)的磷光體的壽命和發(fā)光效率。
與形成聚焦電極和陽(yáng)極阻擋電極的常規(guī)方法相比，本發(fā)明的電子發(fā)射裝置減少了一半的絕緣層和電極的形成。具體地，本發(fā)明的電子發(fā)射裝置包括簡(jiǎn)化的加工步驟，提高了的生產(chǎn)率和降低了的生產(chǎn)成本。
盡管以上已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但可以理解的是，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實(shí)現(xiàn)的基本發(fā)明構(gòu)思的多種變化和/或改進(jìn)也落在由附加的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括第一和第二基板，二者相對(duì)設(shè)置并互相間隔預(yù)定距離；電子發(fā)射單元，設(shè)置在第一基板上；圖像顯示單元，設(shè)置在第二基板上；和至少一個(gè)聚焦電極，設(shè)置在第一和第二基板之間，該聚焦電極包括多個(gè)束引導(dǎo)孔，其中聚焦電極位于接近每個(gè)束引導(dǎo)孔的部分包括具有第一厚度的薄層，聚焦電極的其余部分包括具有第二厚度的厚層，其中第二厚度大于第一厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極接近每個(gè)束引導(dǎo)孔的部分是階梯狀的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極包括設(shè)置在聚焦電極的全部表面上的薄層和設(shè)置在薄層上的厚層，其中從聚焦電極位于接近每個(gè)束引導(dǎo)孔的部分上去除厚層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極位于接近每個(gè)束引導(dǎo)孔的部分包括薄層，所述聚焦電極的其余部分包括與所述薄層電連接的厚層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射裝置，其中所述薄層通過(guò)沉積方法施加，所述厚層通過(guò)導(dǎo)電金屬漿料的絲網(wǎng)印刷方法施加。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射裝置，其中所述薄層通過(guò)沉積方法來(lái)涂覆，所述厚層通過(guò)導(dǎo)電金屬漿料的絲網(wǎng)印刷方法來(lái)涂覆。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射裝置，其中所述薄層和厚層包括相同的導(dǎo)電材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射裝置，其中所述薄層和厚層包括相同的導(dǎo)電材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射裝置，其中所述薄層是具有預(yù)定寬度并沿著每個(gè)束引導(dǎo)孔延伸的環(huán)形束引導(dǎo)孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極通過(guò)首先涂覆所述厚層而后涂覆所述薄層來(lái)進(jìn)行涂覆。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述多個(gè)聚焦電極設(shè)置在所述電子發(fā)射單元上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極包括金屬材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述電子發(fā)射單元包括多個(gè)陰極電極，設(shè)置在所述第一基板上并以預(yù)定距離隔開(kāi)；多個(gè)電子發(fā)射區(qū)，設(shè)置在所述陰極電極上；絕緣層，設(shè)置在所述陰極電極上；和多個(gè)柵極電極，設(shè)置在所述絕緣層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中所述每個(gè)電子發(fā)射區(qū)包括選自含碳材料和納米尺寸材料構(gòu)成的組中的材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述圖像顯示單元包括設(shè)置在所述第二基板上的陽(yáng)極電極，和多個(gè)以預(yù)定圖案設(shè)置在陽(yáng)極電極上的磷光質(zhì)層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極包括金屬網(wǎng)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極的厚層包括選自Ag、Au、Pt、Pd、Cu、Ni、Al、W、Mo、Mo/W、Mo/Mn、Pb、Sn、Cr、Cr/Al和它們的組合所構(gòu)成的組中的材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述聚焦電極的薄層包括選自銦錫氧化物(ITO)、Al、Cr和Cr/Al及其組合所構(gòu)成的組中的材料。
全文摘要
提供一種電子發(fā)射裝置，其包括第一和第二基板，二者相對(duì)設(shè)置并以預(yù)定距離相互隔開(kāi)。電子發(fā)射單元設(shè)置第一基板上，圖像顯示單元設(shè)置在第二基板上。包括多個(gè)束引導(dǎo)孔的聚焦電極設(shè)置在第一和第二基板之間。聚焦電極位于接近束引導(dǎo)孔的部分包括薄層。聚焦電極的其他部分包括厚層，該厚層的厚度大于薄層的厚度。
文檔編號(hào)H01J29/04GK1758412SQ200510071649
公開(kāi)日2006年4月12日 申請(qǐng)日期2005年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月25日
發(fā)明者張喆鉉 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社