專利名稱：電子束描繪系統(tǒng)、方法、程序及直接描繪制造半導(dǎo)體器件方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及直接描繪技術(shù)，特別地，涉及用于直接描繪的電子束(EB)描繪裝置，EB描繪方法、EB描繪程序以及使用直接描繪方式的半導(dǎo)體器裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
迄今為止的半導(dǎo)體器件制造的主流，是大量制造DRAM等單一產(chǎn)品的形式，通過大量生產(chǎn)芯片可以抵消光刻工序中使用的掩模的成本。但是，由于近年來生產(chǎn)的主流從DRAM等大量少品種型變化為ASIC等的多品種小量批次(批量)型，所以正從使用掩模的現(xiàn)有光刻方式轉(zhuǎn)換為通過EB描繪裝置進(jìn)行的直接描繪方式。
在使用EB描繪裝置的直接描繪方式中，為了提高生產(chǎn)量，目前使用特征投影(Character Projection，CP)描繪方式。CP描繪方式，是使用開設(shè)有稱為CP孔徑(aperture)(將反復(fù)使用的圖形圖案作為“特征圖案”而制作)的掩模，將多個(gè)特征圖案一并在半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行描繪的規(guī)則。根據(jù)CP描繪方式，通過一并地進(jìn)行描繪，可以減少曝光(shot)次數(shù)，提高生產(chǎn)量。
但是，在CP描繪方式中，在進(jìn)行多品種小量批次型的制造時(shí)，在現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)每一產(chǎn)品制作特征圖案，所以對(duì)成為處理對(duì)象的多個(gè)批次中的每一批次需要頻繁地更換CP孔徑。因此，需要CP孔徑的更換時(shí)間以及伴隨著CP孔徑的更換而進(jìn)行的束(射束)調(diào)整時(shí)間，從而EB描繪裝置的實(shí)際作業(yè)率會(huì)降低。在不能期望硬件性能帶來大幅度的處理能力的現(xiàn)有技術(shù)中，期望可以安排對(duì)多個(gè)批次的處理(描繪)順序中盡量沒有浪費(fèi)的生產(chǎn)次序表。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電子束描繪系統(tǒng)，它包括根據(jù)決定的處理順序使用多個(gè)孔徑掩模對(duì)多個(gè)批次按順序描繪的描繪工具；管理所述多個(gè)孔徑掩模的孔徑管理工具；取得所述多個(gè)批次的處理請(qǐng)求的請(qǐng)求取得模塊；存儲(chǔ)分別與所述多個(gè)批次有關(guān)的處理步驟的處理步驟存儲(chǔ)部；處理時(shí)間計(jì)算模塊，其根據(jù)所述處理步驟、分別計(jì)算出使用各個(gè)與所述批次對(duì)應(yīng)的所述孔徑掩模來分別處理所述多個(gè)批次的處理時(shí)間；和根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序的處理順序決定模塊。
本發(fā)明提供一種計(jì)算機(jī)執(zhí)行的電子束描繪方法，它包括下述步驟取得多個(gè)批次的處理請(qǐng)求；根據(jù)與所述多個(gè)批次分別有關(guān)的處理步驟、分別計(jì)算使用與各個(gè)所述批次對(duì)應(yīng)的孔徑掩模來分別處理所述多個(gè)批次的處理時(shí)間；根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序；和根據(jù)所述處理順序、使用所述孔徑掩模、按順序處理所述多個(gè)批次。
本發(fā)明提供一種通過直接描繪制造半導(dǎo)體器件的方法，它包括下述工序在與制造工序的各階段對(duì)應(yīng)的每一層上生成多個(gè)批次的各個(gè)器件圖案的布局?jǐn)?shù)據(jù)；將所述多個(gè)批次的各個(gè)的所述布局?jǐn)?shù)據(jù)變換為描繪數(shù)據(jù)；取得所述多個(gè)批次的處理請(qǐng)求；根據(jù)分別與所述多個(gè)批次有關(guān)的處理步驟、計(jì)算出使用與所述各個(gè)批次對(duì)應(yīng)的孔徑掩模來分別處理所述多個(gè)批次的處理時(shí)間；根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序；和通過按照該處理順序、根據(jù)所述描繪數(shù)據(jù)使用對(duì)應(yīng)的所述孔徑掩模在所述多個(gè)批次的各個(gè)半導(dǎo)體晶片上按順序進(jìn)行描繪，對(duì)所述多個(gè)批次的每一批次，與所述各階段對(duì)應(yīng)地按順序在所述半導(dǎo)體晶片上對(duì)所述器件圖案的各層的圖案進(jìn)行處理。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施例的EB描繪裝置的框圖；圖2是本發(fā)明的實(shí)施例的處理順序決定模塊的框圖；圖3A-3C和圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施例的生產(chǎn)次序表的一例的圖；圖5是本發(fā)明的實(shí)施例的生產(chǎn)安排方法的一例的流程圖；圖6是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的EB描繪方法的流程圖；圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施例的事件驅(qū)動(dòng)型模擬中所使用的模型的一例的流程圖；圖8是本發(fā)明的實(shí)施例的批次的信息的一例的曲線圖；圖9是本發(fā)明的實(shí)施例的CP孔徑的信息的一例的曲線圖；圖10是本發(fā)明的實(shí)施例的事件(event)驅(qū)動(dòng)型模擬的一例的流程圖；圖11是本發(fā)明的實(shí)施例的批次到達(dá)率和生產(chǎn)量的關(guān)系的曲線圖；圖12是本發(fā)明的實(shí)施例的批次到達(dá)率和周期的關(guān)系的曲線圖；圖13是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；圖14是本發(fā)明的實(shí)施例的第1變形例的EB描繪裝置的框圖；圖15是本發(fā)明的實(shí)施例的第1變形例的處理順序決定模塊的框圖；圖16是本發(fā)明的實(shí)施例的第1變形例的參數(shù)指定用決定部的框圖；圖17-20是表示本發(fā)明的實(shí)施例的第1變形例的次序的一例的圖；圖21是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的第1變形例的EB描繪方法的流程圖；圖22是本發(fā)明的實(shí)施例的第2變形例的EB描繪裝置的框圖；圖23是本發(fā)明的實(shí)施例的第2變形例的處理順序決定模塊的框圖；圖24是本發(fā)明的實(shí)施例的第2變形例的遺傳處理決定部的框圖；圖25是本發(fā)明的實(shí)施例的第2變形例的遺傳處理部的框圖；圖26、27A、27B、28、29A和29B是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的第2變形例的遺傳處理的圖；圖30和31是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的第2變形例的EB描繪方法的流程圖；圖32是本發(fā)明的實(shí)施例的其它實(shí)施例的處理順序決定模塊的框圖；
圖33是示出本發(fā)明的其它實(shí)施例的EB描繪裝置的一例的框圖；圖34是示出本發(fā)明的其它實(shí)施例的EB描繪裝置的另一例的框圖；圖35-37是示出本發(fā)明的其它實(shí)施例的次序管理裝置、工廠主計(jì)算機(jī)以及EB描繪裝置的關(guān)系的框圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施例及其變形。在附圖中相同或相似的部件和要素標(biāo)以相同或相似的標(biāo)號(hào)，并省略或簡(jiǎn)化對(duì)該相同或相似的部件和要素的說明。
在下面的說明中，列出了大量的具體細(xì)節(jié)例如具體信號(hào)值等以幫助對(duì)本發(fā)明的完全理解。然而，對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域的人員而言顯然可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施本發(fā)明。另外，在框圖中示出了周知的電路以避免在不必要的細(xì)節(jié)上造成本發(fā)明難理解。
本發(fā)明的實(shí)施例的電子束(EB)描繪裝置，如圖1所示，具有設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置10、孔徑信息存儲(chǔ)裝置3、數(shù)據(jù)變換工具4、描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5、管理用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置6、次序管理裝置(CPU)2、輸入裝置7、輸出裝置8、主存儲(chǔ)裝置11、孔徑管理工具91以及描繪工具92。
孔徑信息存儲(chǔ)裝置3，存儲(chǔ)由孔徑管理工具91管理的、與用于安裝在描繪工具92上的CP有關(guān)孔徑的信息(以下稱作“孔徑信息”)。所謂“孔徑信息”，包括通過描繪工具92在半導(dǎo)體晶片上描繪被制作于CP孔徑上的特征圖案時(shí)的描繪時(shí)間以及CP孔徑的使用頻率等的信息?？讖叫畔⒃贑P孔徑的種類的每一種中通過單元(cell)名或固有ID來管理。
由孔徑管理工具91管理的多個(gè)CP孔徑，分別是在成為描繪對(duì)象的半導(dǎo)體晶片上形成有能夠描繪的多個(gè)特征圖案的掩模。在圖1所示出的EB描繪裝置中，在成為描繪對(duì)象的半導(dǎo)體晶片上，通過描繪工具92以直接描繪方式，一并地對(duì)CP孔徑的多個(gè)特征圖案進(jìn)行描繪。CP孔徑可以按照例如圖像處理用LSI、無線用LSI以及聲音處理用LSI等的每一應(yīng)用的每一產(chǎn)品組作準(zhǔn)備。此外，CP孔徑可以包括例如構(gòu)成對(duì)每一應(yīng)用必要的功能塊的固有特征圖案組以及構(gòu)成通用的基本邏輯元件以及存儲(chǔ)器或I/O的特征圖案組。此外，CP孔徑可以按照例如0.18μm規(guī)格、0.25μm規(guī)格、0.1μm規(guī)格等的器件規(guī)格的每一種準(zhǔn)備。此外，CP孔徑可以按照例如晶體管元件區(qū)域?qū)?、柵極層、接觸孔層、布線層等的器件的每一層準(zhǔn)備。此外，多個(gè)CP孔徑也可以按照例如最大束尺寸為5μm、2μm、1μm等的每一描繪條件準(zhǔn)備。
設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置10存儲(chǔ)在半導(dǎo)體晶片上形成的LSI圖案的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)變換工具4將設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置10存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)變換為描繪數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)變換工具4，還根據(jù)孔徑信息存儲(chǔ)裝置3中所存儲(chǔ)的孔徑信息中所包含的描繪時(shí)間以及CP孔徑的使用頻率等，分別提取出與最適于對(duì)描繪數(shù)據(jù)的圖案進(jìn)行描繪的多個(gè)CP孔徑有關(guān)的孔徑信息。描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5存儲(chǔ)由數(shù)據(jù)變換工具4生成的描繪數(shù)據(jù)以及與最適于對(duì)描繪數(shù)據(jù)的圖案進(jìn)行描繪的多個(gè)CP孔徑有關(guān)的孔徑信息。
管理用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置6具有請(qǐng)求存儲(chǔ)部61、處理步驟存儲(chǔ)部62、次序規(guī)則存儲(chǔ)部63、管理用參數(shù)存儲(chǔ)部65以及處理順序存儲(chǔ)部66。請(qǐng)求存儲(chǔ)部61存儲(chǔ)由CPU2的請(qǐng)求取得模塊21所取得的批次處理請(qǐng)求。所謂批次，是指在一定期間內(nèi)由描繪工具92所處理(描繪)的半導(dǎo)體晶片的集合。多個(gè)批次彼此之間的處理時(shí)間、最適于描繪的CP孔徑、優(yōu)先級(jí)(優(yōu)先級(jí)別)、處理步驟等都分別不同。此外，請(qǐng)求存儲(chǔ)部61，存儲(chǔ)包含以批次作為作業(yè)登記的排隊(duì)列表以及事件列表的作業(yè)安排(job shop)。
處理步驟存儲(chǔ)部62按每一批次存儲(chǔ)批次的處理步驟。處理步驟包括用于批次的處理中的CP孔徑的種類、批次的優(yōu)先級(jí)以及批次的描繪條件等。描繪條件包括描繪工具92中主偏轉(zhuǎn)區(qū)域大小、副偏轉(zhuǎn)區(qū)域大小、抗蝕劑的描繪量、多重描繪次數(shù)、所希望的描繪精度、束大小以及分級(jí)驅(qū)動(dòng)方法等的參數(shù)。而且，批次的優(yōu)先級(jí)也可以包含于由請(qǐng)求取得模塊21所取得并存儲(chǔ)在請(qǐng)求存儲(chǔ)部61中的批次處理請(qǐng)求中。
次序規(guī)則存儲(chǔ)部63，存儲(chǔ)用于決定請(qǐng)求處理的多個(gè)批次的處理順序的次序規(guī)則。次序規(guī)則可由使用者通過輸入裝置7任意地設(shè)定。在此，次序規(guī)則可以使用例如稱為分配規(guī)則的優(yōu)先規(guī)則。分配規(guī)則，根據(jù)其特征，可以分類為例如固定規(guī)則、動(dòng)態(tài)規(guī)則以及考慮準(zhǔn)備時(shí)間的規(guī)則(以下稱作“準(zhǔn)備規(guī)則”)等。固定規(guī)則是與批次的進(jìn)展?fàn)顩r及請(qǐng)求存儲(chǔ)部61內(nèi)的作業(yè)安排的狀況無關(guān)地決定批次間的優(yōu)先次序的規(guī)則。而且，固定規(guī)則包括生產(chǎn)指示先被下達(dá)的批次優(yōu)先的工作先到次序規(guī)則，交付期最早的批次優(yōu)先的最早交付期規(guī)則，最先到達(dá)進(jìn)行加工的EB描繪裝置的批次優(yōu)先的先到次序規(guī)則(FIFO規(guī)則)以及在進(jìn)行加工的EB描繪裝置中的作業(yè)時(shí)間最少的批次優(yōu)先的最少作業(yè)時(shí)間規(guī)則(SPT規(guī)則)。還包括在處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中預(yù)先包含的優(yōu)先級(jí)高的批次為優(yōu)先的優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則。
動(dòng)態(tài)規(guī)則是根據(jù)批次的進(jìn)展?fàn)顩r或者作業(yè)安排的狀況來決定批次間的優(yōu)先次序的規(guī)則。例如，由于在排隊(duì)長(zhǎng)的EB描繪裝置中進(jìn)行加工而進(jìn)展慢的批次希望被賦予比順次地進(jìn)展的批次高的優(yōu)先次序。而且，動(dòng)態(tài)規(guī)則包括到交付期的寬裕量(作業(yè)寬裕時(shí)間)最小的批次優(yōu)先的最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則、預(yù)定的作業(yè)中此后必須要進(jìn)行的作業(yè)的所需時(shí)間最大的批次優(yōu)先的最大剩余作業(yè)量規(guī)則(MWKR規(guī)則)以及此后必須要進(jìn)行的作業(yè)的所需時(shí)間最少的批次優(yōu)先的最小剩余作業(yè)量規(guī)則(LWKR規(guī)則)。此外，還包括預(yù)測(cè)經(jīng)由描繪工序再到達(dá)下一層的EB描繪處理的時(shí)間、提前更換為必要的孔徑的再投入批次預(yù)測(cè)規(guī)則。
準(zhǔn)備規(guī)則，被用于當(dāng)準(zhǔn)備時(shí)間比EB描繪裝置加工時(shí)間長(zhǎng)且批次大小可變的情況下以及準(zhǔn)備時(shí)間的長(zhǎng)短可以根據(jù)該EB描繪裝置處理的批次的順序變化的情況下。而且，準(zhǔn)備規(guī)則包括準(zhǔn)備時(shí)間和作業(yè)時(shí)間的和最小的批次優(yōu)先的修正最小作業(yè)時(shí)間規(guī)則以及制品庫(kù)存量達(dá)到基準(zhǔn)量的情況下可從當(dāng)前生產(chǎn)中的品種切換至在制品庫(kù)存最小的品種的最小制品在庫(kù)存量規(guī)則。修正最小作業(yè)時(shí)間規(guī)則，由于作業(yè)以同一準(zhǔn)備進(jìn)行的情況下將準(zhǔn)備時(shí)間作為0處理，所以需要同一準(zhǔn)備的批次的優(yōu)先可能性變高。修正最小作業(yè)時(shí)間規(guī)則，還包括以孔徑更換時(shí)間作為準(zhǔn)備時(shí)間，以孔徑的更換次數(shù)成為最小的方式使處理順序可一并替換的孔徑最小更換規(guī)則。而且，在準(zhǔn)備規(guī)則中，還包括將束調(diào)整時(shí)間等的預(yù)定時(shí)間作為準(zhǔn)備時(shí)間考慮，預(yù)先分配預(yù)定時(shí)間，以批次的處理與束調(diào)整時(shí)間不重復(fù)的方式使批次排列的時(shí)間指定規(guī)則。在此“預(yù)定時(shí)間”包括例如由使用者任意指定的時(shí)間或者對(duì)描繪工具92進(jìn)行的定期束調(diào)整的時(shí)間。
管理用參數(shù)存儲(chǔ)部65存儲(chǔ)從對(duì)描繪工具92進(jìn)行的前次束調(diào)整起的經(jīng)過時(shí)間、描繪工具92的束精度以及預(yù)定時(shí)間等的管理用參數(shù)。定期束調(diào)整根據(jù)從前次的束調(diào)整時(shí)間起的經(jīng)過時(shí)間來預(yù)定。
CPU2具有請(qǐng)求取得模塊21、處理時(shí)間計(jì)算模塊22、處理順序決定模塊23以及描繪控制模塊24。請(qǐng)求取得模塊21取得由使用者通過輸入裝置7所輸入的、分別使用對(duì)應(yīng)的CP孔徑的多個(gè)批次的處理請(qǐng)求。該多個(gè)批次的處理請(qǐng)求也可以從省略示出的主計(jì)算機(jī)輸入。
處理時(shí)間計(jì)算模塊22，讀入由請(qǐng)求取得模塊21所取得的批次的處理請(qǐng)求，根據(jù)存儲(chǔ)在處理步驟存儲(chǔ)部62中的處理步驟以及存儲(chǔ)在描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5中的描繪數(shù)據(jù)等，計(jì)算出分別使用與各自的批次對(duì)應(yīng)的CP孔徑來分別處理多個(gè)批次所必要的處理時(shí)間。在此，處理時(shí)間包括使用當(dāng)前安裝于描繪工具92上的CP孔徑處理批次所需的處理時(shí)間、CP孔徑的更換時(shí)間、束調(diào)整時(shí)間以及使用可更換的CP孔徑處理批次所需要的處理時(shí)間。
處理順序決定模塊23，根據(jù)存儲(chǔ)在次序規(guī)則存儲(chǔ)部63中的次序規(guī)則、存儲(chǔ)在請(qǐng)求存儲(chǔ)部61中的批次處理請(qǐng)求、存儲(chǔ)在處理步驟存儲(chǔ)部62中的處理步驟、由處理時(shí)間計(jì)算模塊22所計(jì)算出的處理時(shí)間以及存儲(chǔ)在描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5中的孔徑信息等，進(jìn)行模擬，對(duì)請(qǐng)求處理的多個(gè)批次，當(dāng)需要進(jìn)行CP孔徑更換和束調(diào)整時(shí)，編入CP孔徑更換時(shí)間和束調(diào)整時(shí)間來決定處理順序。
處理順序決定模塊23進(jìn)行的模擬，可以使用例如分配規(guī)則，從裝置、機(jī)械、作業(yè)者等生產(chǎn)要素之前所產(chǎn)生的加工對(duì)象的排隊(duì)中選出一個(gè)，反復(fù)進(jìn)行加工的操作步驟而進(jìn)行安排的方法。在模擬中，有進(jìn)行從當(dāng)前向未來的計(jì)算的正向模擬和進(jìn)行從未來逆向計(jì)算過去的反向模擬。在實(shí)施例中，使用了僅舉出引起狀態(tài)變化的現(xiàn)象所發(fā)生的時(shí)刻作業(yè)安排的變化所表示的事件驅(qū)動(dòng)型模擬。此外，也可使用混合模擬，即，使用反向模擬，求出構(gòu)成全部批次的各作業(yè)的理想的開始時(shí)刻，根據(jù)該開始時(shí)刻決定各作業(yè)的優(yōu)先次序的方法。
處理順序決定模塊23，例如圖2所示，具有初始狀態(tài)制作部230a、批次登記部230b、時(shí)鐘時(shí)間更新部230c、狀態(tài)變更部230d、規(guī)則判斷部231以及處理順序決定部230。初始狀態(tài)制作部230a，讀入由圖1所示的請(qǐng)求取得模塊21所取得的批次處理請(qǐng)求，將請(qǐng)求處理的批次作為作業(yè)，通過登記到請(qǐng)求存儲(chǔ)部61的作業(yè)安排，而制作作業(yè)安排的初始狀態(tài)。作業(yè)安排中的全部的批次是處在排隊(duì)中、正在加工中以及輸送中的任一狀態(tài)。排隊(duì)中的批次被登記到作業(yè)安排中的排隊(duì)列表。正在加工中的批次作為結(jié)束事件的批次被記錄到作業(yè)安排中的事件列表中。對(duì)輸送中的批次，計(jì)算出其預(yù)計(jì)到達(dá)時(shí)刻，仍然作為結(jié)束事件的批次記錄到事件列表中。
圖2所示的批次記錄部230b，將通過圖1所示的請(qǐng)求取得模塊21所取得的、預(yù)定從外部到達(dá)的批次記錄到作業(yè)安排中。預(yù)定從外部到達(dá)的批次，被計(jì)算出預(yù)定到達(dá)時(shí)刻，作為到達(dá)事件的批次記錄到事件列表中。預(yù)定從外部到達(dá)的批次，使用在模擬開始時(shí)決定所有的預(yù)定后一起記錄的方法、定期的記錄方法或者隨機(jī)選擇時(shí)刻而記錄的方法等。
圖2所示的時(shí)鐘時(shí)間更新部230c，使時(shí)鐘時(shí)間前進(jìn)直到事件列表的最早發(fā)生時(shí)刻，判斷時(shí)鐘時(shí)間是否超過模擬結(jié)束時(shí)刻。此外，雖然多個(gè)事件可以在同一時(shí)刻發(fā)生，但由于在該情況下不更新時(shí)鐘時(shí)間而反復(fù)進(jìn)行處理，所以即使進(jìn)行逐個(gè)事件的處理也不會(huì)發(fā)生障礙。
狀態(tài)變更部230d，將到達(dá)的批次的數(shù)據(jù)記錄到對(duì)應(yīng)的EB描繪裝置的排隊(duì)列表中。在EB描繪裝置處于空閑狀態(tài)的情況下，由于在排隊(duì)列表中僅記錄有該批次，所以該批次被分配到EB描繪裝置。而且，將該批次的作業(yè)時(shí)間加算到時(shí)鐘時(shí)間中，作為結(jié)束事件的發(fā)生時(shí)刻將批次再次記入事件列表中。另一方面，在EB描繪裝置不處于空閑狀態(tài)的情況下，排隊(duì)長(zhǎng)度由于該到達(dá)而增加1。
此外，狀態(tài)變更部230d，在結(jié)束的事件是該批次的最終作業(yè)時(shí)，計(jì)算生產(chǎn)提前時(shí)間(lead time)、交貨延期等的統(tǒng)計(jì)量。另一方面，在不是最終作業(yè)的情況下，將輸送時(shí)間加算到時(shí)鐘時(shí)間中，作為在進(jìn)行下一作業(yè)的EB描繪裝置處的到達(dá)事件的發(fā)生時(shí)刻，再次將數(shù)據(jù)記入事件列表中。而且，狀態(tài)變更部230d判斷作業(yè)結(jié)束的EB描繪裝置中有無排隊(duì)。
規(guī)則判斷部231，在EB描繪裝置中有排隊(duì)的情況下，讀入由次序規(guī)則存儲(chǔ)部63所存儲(chǔ)的分配規(guī)則等的次序規(guī)則，對(duì)請(qǐng)求處理的多個(gè)批次判斷次序規(guī)則。作為在此被判斷的次序規(guī)則，既可以是一種分配規(guī)則，也可以是多種分配規(guī)則線性組合(線性結(jié)合)而成的規(guī)則。
處理順序決定部230，根據(jù)由規(guī)則判斷部231所判斷的次序規(guī)則，對(duì)排隊(duì)中的多個(gè)批次決定批次的處理順序。處理順序決定部230，具有例如準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232、固定規(guī)則用決定部233以及動(dòng)態(tài)規(guī)則用決定部239。準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，在次序規(guī)則由規(guī)則判斷部231判斷為準(zhǔn)備規(guī)則時(shí)，考慮準(zhǔn)備時(shí)間來決定批次的處理順序。準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，在例如次序規(guī)則由規(guī)則判斷部231判斷為準(zhǔn)備規(guī)則中的時(shí)間指定規(guī)則時(shí)，對(duì)管理用參數(shù)存儲(chǔ)部65中所存儲(chǔ)的預(yù)定時(shí)間預(yù)先進(jìn)行分配，對(duì)請(qǐng)求處理的批次的處理進(jìn)行分配以使得和所分配的預(yù)定時(shí)間不重復(fù)。
準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，根據(jù)時(shí)間指定規(guī)則，例如基于管理用參數(shù)存儲(chǔ)部65中所存儲(chǔ)的從上次束調(diào)整起的經(jīng)過時(shí)間，如圖3A所示，計(jì)算出定期束調(diào)整的時(shí)刻T14-T16，分配步驟S106的定期束調(diào)整至所計(jì)算出的時(shí)刻T14-T16。準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，還對(duì)位于步驟S106的定期束調(diào)整的開始時(shí)刻T14之前的時(shí)刻T10-T11、T11-T12、T12-T13，分別分配步驟S101的批次A的處理、步驟S102的CP孔徑更換及束調(diào)整、步驟S103的批次B的處理。準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，當(dāng)在步驟S108的到定期束調(diào)整的開始時(shí)刻T14為止有處理未完成的步驟S104的CP孔徑更換及束調(diào)整時(shí)間、步驟S105的批次C的處理的情況下，使步驟S104的束調(diào)整與步驟S106的定期束調(diào)整合并，如圖3B所示，作為步驟S107的CP孔徑更換及定期束調(diào)整，編入時(shí)刻T13-T15，對(duì)時(shí)刻T14-T16分配批次C的處理。
此外，準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，在分配圖3A所示的步驟S106的定期束調(diào)整步驟之后，也可以使步驟S104的束調(diào)整與步驟S106的定期束調(diào)整合并在一起，如圖3C所示，作為步驟S107的CP孔徑更換及定期束調(diào)整，分配到時(shí)刻T14-T15。準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，還可以對(duì)時(shí)刻T13-T14分配可處理的批次D的處理。在該情況下，準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，將步驟S105的批次C的處理分配至?xí)r刻T15-T16。
此外，準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，也可以根據(jù)修正最小作業(yè)時(shí)間規(guī)則，使準(zhǔn)備時(shí)間和作業(yè)時(shí)間的和最小的批次優(yōu)先?；蛘邷?zhǔn)備規(guī)則用決定部232，也可以根據(jù)最小制品庫(kù)存量規(guī)則，當(dāng)制品庫(kù)存量達(dá)到基準(zhǔn)量時(shí)從當(dāng)前生產(chǎn)中的品種切換至制品庫(kù)存最小的品種。此外，準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，也可以根據(jù)修正最小作業(yè)時(shí)間規(guī)則中的孔徑最小更換規(guī)則，以孔徑更換時(shí)間作為準(zhǔn)備時(shí)間，以孔徑的更換次數(shù)成為最小的方式使處理順序一并替換。
圖2所示的固定規(guī)則用決定部233，在次序規(guī)則由規(guī)則判斷部231判斷為固定規(guī)則時(shí)，根據(jù)固定規(guī)則的種類決定處理順序。固定規(guī)則用決定部233，根據(jù)例如優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則，基于在圖1所示的處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的優(yōu)先級(jí)，提取出優(yōu)先級(jí)高的批次，按順序沿時(shí)間軸分配。固定規(guī)則用決定部233，例如按優(yōu)先級(jí)高的順序?yàn)閮?yōu)先級(jí)A、優(yōu)先級(jí)B、優(yōu)先級(jí)C、......時(shí)，如圖4所示，分別對(duì)時(shí)刻T20-T21分配步驟S121的優(yōu)先級(jí)A的批次B的處理，對(duì)時(shí)刻T21-T22分配步驟S122的CP孔徑更換及束調(diào)整，對(duì)時(shí)刻T22-T23分配步驟S123的優(yōu)先級(jí)B的批次A的處理，對(duì)時(shí)刻T23-T24分配步驟S124的CP孔徑更換及束調(diào)整，對(duì)時(shí)刻T24-T25分配步驟S125的優(yōu)先級(jí)C的批次C的處理。
此外，如圖2所示的固定規(guī)則用決定部233，也可以根據(jù)工作先到次序規(guī)則，以生產(chǎn)指示先下達(dá)的批次為優(yōu)先?；蛘?，固定規(guī)則用決定部233，也可以根據(jù)最早交付期規(guī)則，以交付期最早的批次為優(yōu)先。或者，固定規(guī)則用決定部233，也可以根據(jù)FIFO規(guī)則，以最早到達(dá)進(jìn)行加工的EB描繪裝置的批次為優(yōu)先?；蛘撸潭ㄒ?guī)則用決定部233，也可以根據(jù)SPT規(guī)則，以在進(jìn)行加工的EB描繪裝置中的作業(yè)時(shí)間最少的批次為優(yōu)先。
動(dòng)態(tài)規(guī)則用決定部239，例如根據(jù)最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則，以到交付期的寬裕量(作業(yè)寬裕時(shí)間)最小的批次為優(yōu)先?；蛘?，動(dòng)態(tài)規(guī)則用決定部239，也可以根據(jù)MWKR規(guī)則，以預(yù)定的作業(yè)中此后必須要進(jìn)行的作業(yè)的所需時(shí)間最大的批次為優(yōu)先?；蛘撸瑒?dòng)態(tài)規(guī)則用決定部239，也可以根據(jù)LWKR規(guī)則，以此后必須要進(jìn)行的作業(yè)的所需時(shí)間最少的批次為優(yōu)先?；蛘?，動(dòng)態(tài)規(guī)則用決定部239，也可以根據(jù)再投入批次預(yù)測(cè)規(guī)則，預(yù)測(cè)經(jīng)由描繪工序再到達(dá)下一層的EB描繪處理的時(shí)間，提前更換為必要的孔徑。
圖1所示的描繪控制模塊24，根據(jù)由處理順序決定模塊23決定的處理順序以及存儲(chǔ)在描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5中的描繪數(shù)據(jù)，向孔徑管理工具91以及描繪工具92輸出控制多個(gè)批次的處理的控制信號(hào)?？讖焦芾砉ぞ?1，管理可安裝在描繪工具92上的多個(gè)CP孔徑，根據(jù)從描繪控制模塊24輸出的控制信號(hào)來更換描繪工具92的CP孔徑。此外，描繪工具92，根據(jù)從描繪控制模塊24輸出的控制信號(hào)，通過以直接描繪方式一并在半導(dǎo)體晶片上描繪CP孔徑的多個(gè)特征圖案，而按順序處理多個(gè)批次。
從輸入裝置7輸入多個(gè)批次的處理請(qǐng)求、決定及變更的次序規(guī)則等。輸入裝置7可以使用例如鍵盤、鼠標(biāo)、OCR等的識(shí)別裝置、圖像掃描儀等的圖形輸入裝置以及聲音輸入裝置等的特殊輸入裝置。輸出裝置8可以將由CPU2決定的處理順序顯示在畫面(監(jiān)視器)上或者印刷。輸出裝置8可以使用液晶顯示器、CRT顯示器等的顯示裝置或者噴墨打印機(jī)、激光打印機(jī)等的印刷裝置等。
在主存儲(chǔ)裝置11中組裝有ROM以及RAM。ROM作為存儲(chǔ)有由CPU2執(zhí)行的程序的程序存儲(chǔ)裝置而發(fā)揮作用(關(guān)于程序的具體內(nèi)容將在后面說明)。RAM暫時(shí)存儲(chǔ)在CPU2中的程序執(zhí)行處理中所利用的數(shù)據(jù)等或者作為作業(yè)區(qū)域利用的暫時(shí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器等發(fā)揮作用。主存儲(chǔ)裝置11可使用例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤、光盤、光磁盤或者磁帶等。
而且，圖1所示的EB描繪裝置，具有將輸入裝置7、輸出裝置8等連接到CPU2的未示出的輸入輸出控制裝置(接口)。此外，CPU2具有未示出的存儲(chǔ)裝置管理模塊。在存儲(chǔ)裝置及與存儲(chǔ)裝置之間的輸入輸出為必要的情況下，通過該存儲(chǔ)裝置管理模塊尋找必要的文件存儲(chǔ)位置，進(jìn)行文件的讀取、寫入處理。
下面，參照

圖5所示的由處理順序決定模塊23進(jìn)行的事件驅(qū)動(dòng)型模擬的處理流程圖。
(a)在圖5所示的步驟S201，圖2所示的初始狀態(tài)制作部230a，根據(jù)由圖1所示的請(qǐng)求取得模塊21所取得的批次的數(shù)據(jù)，而制作預(yù)先存儲(chǔ)到請(qǐng)求存儲(chǔ)部61的作業(yè)安排的初始狀態(tài)。在步驟S202，圖2所示的批次登記部230b，登記通過圖1所示的請(qǐng)求取得模塊21所取得的預(yù)定從外部到達(dá)的批次。
(b)在步驟S203，圖2所示的時(shí)鐘時(shí)間更新部230c，使時(shí)鐘時(shí)間前進(jìn)直到事件列表的最早發(fā)生時(shí)刻，判斷時(shí)鐘時(shí)間是否在模擬結(jié)束時(shí)刻以內(nèi)。在時(shí)鐘時(shí)間超過模擬結(jié)束時(shí)刻的情況下，對(duì)按批次分別求出的統(tǒng)計(jì)量進(jìn)行總計(jì)，進(jìn)行制作順序等的處理而結(jié)束模擬。另一方面，在時(shí)鐘時(shí)間未超過模擬結(jié)束時(shí)刻的情況下，進(jìn)行到步驟S204。
(c)在步驟S204中，當(dāng)所關(guān)注的事件為到達(dá)事件時(shí)，在將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)裝置11中之后，從事件列表中刪除該數(shù)據(jù)，進(jìn)行到步驟S205。在步驟S205中，圖2所示的狀態(tài)變更部230d將到達(dá)的批次登記到與其對(duì)應(yīng)的EB描繪裝置的排隊(duì)列表中。在EB描繪裝置處于空閑狀態(tài)的情況下，由于在排隊(duì)列表中僅有該批次被登記，所以該批次被分配到EB描繪裝置上。而且，將作業(yè)時(shí)間加算到時(shí)鐘時(shí)間中，作為結(jié)束事件的發(fā)生時(shí)刻再次記入事件列表中。另一方面，在EB描繪裝置不處于空閑狀態(tài)的情況下，排隊(duì)長(zhǎng)度由于其到達(dá)而增加1。在上述任一情況下都返回至步驟S203。
(d)另一方面，在步驟S204中，當(dāng)判斷為不是到達(dá)事件而是結(jié)束事件時(shí)，在將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)裝置11中之后，從事件列表中刪除該數(shù)據(jù)，并向步驟S206進(jìn)行。在步驟S206中，判斷結(jié)束事件是否為該批次的最終作業(yè)。當(dāng)結(jié)束事件為該批次的最終作業(yè)時(shí)，在步驟S208中，計(jì)算生產(chǎn)提前時(shí)間、交貨延期等的統(tǒng)計(jì)量。當(dāng)在步驟S206中結(jié)束事件不是該批次的最終作業(yè)的情況下，在步驟S207中，將輸送時(shí)間加算到時(shí)鐘時(shí)間中，作為在進(jìn)行下一作業(yè)的EB描繪裝置中的到達(dá)事件的發(fā)生時(shí)刻，再次記入事件列表中。
(e)在步驟S209中，判斷作業(yè)結(jié)束的EB描繪裝置中有無排隊(duì)，在有排隊(duì)的情況下，由規(guī)則判斷部231判斷次序規(guī)則。進(jìn)而，由處理順序決定部230運(yùn)用分配規(guī)則而選出1個(gè)批次，并分配給EB描繪裝置。當(dāng)排隊(duì)中僅有1個(gè)批次時(shí)，自動(dòng)地分配該批次。在這些情況下，從排隊(duì)列表中刪除被分配的批次的數(shù)據(jù)。另一方面，當(dāng)排隊(duì)中為0的狀態(tài)時(shí)，作業(yè)結(jié)束的EB描繪裝置進(jìn)入空閑狀態(tài)。當(dāng)伴隨著結(jié)束事件的發(fā)生的處理結(jié)束時(shí)，返回至步驟S203，通過反復(fù)進(jìn)行排隊(duì)中的批次的抽取、分配，可以決定多個(gè)批次的處理順序。
下面參照?qǐng)D6的流程圖說明使用圖1所示的EB描繪裝置的EB描繪方法的一例。而且，圖1所示的CPU2中的處理結(jié)果分別逐次存儲(chǔ)到主存儲(chǔ)裝置11中。作為一例，設(shè)置成在次序規(guī)則存儲(chǔ)部63中，存儲(chǔ)有準(zhǔn)備規(guī)則中的時(shí)間指定規(guī)則，固定規(guī)則中的優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則以及動(dòng)態(tài)規(guī)則中的最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則。
(a)在圖6所示的步驟S1中，由圖1所示的數(shù)據(jù)變換工具4將設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置10中存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)變換成描繪數(shù)據(jù)。進(jìn)而，數(shù)據(jù)變換工具4，從孔徑信息存儲(chǔ)裝置3中存儲(chǔ)的孔徑信息中，對(duì)每一描繪數(shù)據(jù)提取出當(dāng)使用描繪數(shù)據(jù)進(jìn)行描繪時(shí)最適合的CP孔徑的有關(guān)孔徑信息。描繪數(shù)據(jù)包括所提取的孔徑信息，并被存儲(chǔ)于描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5。圖1所示的請(qǐng)求取得模塊21通過輸入裝置7取得多個(gè)批次的處理請(qǐng)求。批次是在一定期間內(nèi)由描繪工具92所處理的半導(dǎo)體晶片的集合。所取得的批次的處理請(qǐng)求被存儲(chǔ)于請(qǐng)求存儲(chǔ)部61。而且，僅考慮由請(qǐng)求取得模塊21在該時(shí)刻所取得的批次作為安排的對(duì)象，而沒有從外部到來的批次。
(b)在步驟S2中，處理時(shí)間計(jì)算模塊22，讀取分別被存儲(chǔ)于請(qǐng)求存儲(chǔ)部61的各個(gè)批次的處理請(qǐng)求，根據(jù)存儲(chǔ)在描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5中的描繪數(shù)據(jù)以及存儲(chǔ)在處理步驟存儲(chǔ)部62中的處理步驟等，計(jì)算出分別使用與各自的批次對(duì)應(yīng)的CP孔徑來處理各個(gè)批次所必要的處理時(shí)間。
(c)在步驟S31中，圖2所示的規(guī)則判斷部231等，讀入由圖1所示的次序規(guī)則存儲(chǔ)部63所存儲(chǔ)的次序規(guī)則，判斷是否為時(shí)間指定規(guī)則。在判斷為時(shí)間指定規(guī)則的情況下，進(jìn)行到步驟S401，在判斷為不是時(shí)間指定規(guī)則的情況下，進(jìn)行到步驟S32。在步驟S32中，圖2所示的規(guī)則判斷部231，判斷是否為優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則。在判斷為優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則的情況下，進(jìn)行到步驟S402，在判斷為不是優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則的情況下，而是最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則，則進(jìn)行到步驟S403。
(d)在步驟S401中，進(jìn)行圖5中示出步驟的事件驅(qū)動(dòng)型模擬，圖2所示的準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，根據(jù)圖1所示的管理用參數(shù)存儲(chǔ)部65中所存儲(chǔ)的預(yù)定時(shí)間，以預(yù)定時(shí)間與各個(gè)批次的處理不重復(fù)的方式，決定多個(gè)批次的處理順序。此外，在步驟S402中，進(jìn)行圖5中示出的事件驅(qū)動(dòng)型模擬，圖2所示的固定規(guī)則用決定部233，基于在圖1所示的處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的優(yōu)先級(jí)，按優(yōu)先級(jí)順序決定多個(gè)批次的處理順序。另一方面，在步驟S403中，進(jìn)行圖5中示出的事件驅(qū)動(dòng)型模擬，圖2所示的動(dòng)態(tài)規(guī)則用決定部239等，根據(jù)批次信息中所包含的交付期，以到交付期的寬裕量(作業(yè)寬裕時(shí)間)最小的批次為優(yōu)先，而決定處理順序。在步驟S401-S403中所決定的處理順序，既可以存儲(chǔ)于圖1所示的處理順序存儲(chǔ)部66中，也可以使用輸出裝置8顯示在畫面(顯示器)上或者印刷。
(e)在步驟S5，圖1所示的描繪控制模塊24，根據(jù)在步驟S401-S403中所決定的處理順序，向圖1所示的孔徑管理工具91以及描繪工具92輸出控制信號(hào)?？讖焦芾砉ぞ?1以及描繪工具92，根據(jù)從描繪控制模塊24輸出的控制信號(hào)，通過以直接描繪方式集中地在批次的半導(dǎo)體晶片上分別描繪CP孔徑的多個(gè)特征圖案，而按順序處理多個(gè)批次。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以考慮CP孔徑更換時(shí)間以及束調(diào)整時(shí)間對(duì)請(qǐng)求處理的多個(gè)批次自動(dòng)地管理處理順序。因此，可以有效地對(duì)請(qǐng)求處理的多個(gè)批次進(jìn)行處理。
此外，根據(jù)圖2所示的準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232，可以根據(jù)時(shí)間指定規(guī)則，在預(yù)定時(shí)間的開始時(shí)刻之前分配可處理的批次的處理，因此可以在預(yù)定時(shí)間前增加處理的批次數(shù)。而且，根據(jù)固定規(guī)則用決定部233，當(dāng)新的批次處理請(qǐng)求突然插進(jìn)來時(shí)，也可以根據(jù)處理優(yōu)先級(jí)規(guī)則，在賦予高的優(yōu)先級(jí)時(shí)先處理新的批次。
圖6所示的一連串步驟，即，(1)取得多個(gè)批次的處理請(qǐng)求的步驟；(2)計(jì)算出根據(jù)與存儲(chǔ)于處理步驟存儲(chǔ)部中的多個(gè)批次的各個(gè)相關(guān)的處理步驟，分別使用由孔徑管理工具所管理的CP孔徑來分別處理多個(gè)批次所必要的處理時(shí)間的步驟；(3)根據(jù)處理時(shí)間決定多個(gè)批次的處理順序的步驟；(4)根據(jù)處理順序，使用CP孔徑通過描繪工具按順序處理多個(gè)批次的步驟等，可以通過與圖6等效的算法的程序，控制圖1所示的CPU2來執(zhí)行。程序可以存儲(chǔ)在構(gòu)成本發(fā)明的EB描繪裝置的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主存儲(chǔ)裝置11等中。而且，程序保存在計(jì)算機(jī)可以讀取的記錄媒體中，通過使主存儲(chǔ)裝置11讀保存于記錄媒體的程序，就可以執(zhí)行本發(fā)明的一連串步驟。
在此，所謂“計(jì)算機(jī)可以讀取的記錄媒體”，是指例如計(jì)算機(jī)的外部存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤、光盤、光磁盤、磁帶等可記錄程序的媒體等。具體地，“計(jì)算機(jī)可以讀取的記錄媒體”中包括軟盤、CD-ROM、MO盤、盒帶、盤式磁帶等。例如，信息處理裝置的主體可以構(gòu)成為內(nèi)置或外部連接軟盤裝置(軟盤驅(qū)動(dòng)器)以及光盤裝置(光盤驅(qū)動(dòng)器)。通過從插入口將軟盤插入軟盤驅(qū)動(dòng)器或者將CD-ROM插入光盤驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)行指定的讀取操作，可以將存儲(chǔ)在這些記錄媒體中的程序安裝在構(gòu)成信息處理裝置的程序存儲(chǔ)裝置中。而且，通過連接指定的驅(qū)動(dòng)裝置，例如還可以使用作為利用在游戲包(game pack)等的存儲(chǔ)裝置的ROM或者作為磁帶裝置的盒帶。而且，通過互聯(lián)網(wǎng)等的信息處理網(wǎng)絡(luò)，可以將程序存儲(chǔ)在程序存儲(chǔ)裝置中。
下面，使用圖7所示的芯片制造工序的后端處理的具體模型，說明實(shí)施事件驅(qū)動(dòng)型模擬的一例。成為模型化的對(duì)象為新投入的批次、再到達(dá)的批次、EB描繪裝置、CP孔徑、特征圖案。作為外部處理的有開孔工序以及布線工序。在步驟S61中投入批次。在步驟S62中，使用圖1所示的EB裝置的描繪工具92對(duì)批次的晶片進(jìn)行EB描繪處理。在步驟S631中，判斷下一工序是布線工序A、開孔工序A、布線工序B以及開孔工序B中的哪一個(gè)。在步驟S632-S635的每一步中，對(duì)EB描繪處理結(jié)束的批次分別實(shí)施布線工序A、開孔工序A、布線工序B以及開孔工序B。在步驟S64中，再投入布線/開孔工序結(jié)束的批次，實(shí)施下一層的EB描繪處理。
通過實(shí)施例的次序方法安裝圖7所示的模型。作為批次，例如圖8所示，設(shè)置10種產(chǎn)品(產(chǎn)品名A-J)。其中包括批次的產(chǎn)品名A、B、C、......、J，與產(chǎn)品名A、B、C、......、J對(duì)應(yīng)的布線層數(shù)8、5、8、......、7、對(duì)應(yīng)的CP信息3、2、3、......、2，每1晶片的芯片個(gè)數(shù)200、300、400、......、300以及每天的處理所必要的批次數(shù)3、2、3、......、0.2等。層的明細(xì)欄的3列，從左邊示出局部布線、半全局布線以及全局布線。各產(chǎn)品通過后端處理具有4-8層的結(jié)構(gòu)。其中各產(chǎn)品使用所登記的任一CP孔徑，根據(jù)產(chǎn)品有時(shí)地使用同種CP孔徑。批次的交付期例如為7天。
作為產(chǎn)品名A-J的批次的各自的處理步驟，例如圖9所示，記載有加工層、最適宜的CP孔徑的種類、特征圖案的信息以及每一芯片的曝光次數(shù)。在加工層一欄中，M1-M8表示布線層、V1-V7表示通路孔(Via)。對(duì)于批次，在布線層(4-8層)之間，有用于通路的通路孔層。而且，在最適宜的孔的種類、特征圖案的信息欄中，A1-A4表示孔的種類、CP1-CP9表示特征圖案的種類。而且，在曝光次數(shù)的欄中，1次曝光表示例如500ns。
此外，作為孔徑信息，設(shè)定各CP孔徑的預(yù)備數(shù)、CP孔徑的更換處理時(shí)間(20分)、維護(hù)頻率(每處理5000片晶片而實(shí)施)、CP孔徑維護(hù)時(shí)間(1天)。對(duì)于特征圖案，設(shè)定在1個(gè)CP孔徑上安裝的特征圖案數(shù)以及特征圖案的種類、以及在描繪前所實(shí)施的束調(diào)整時(shí)間(特征圖案數(shù)×5分鐘)。對(duì)于EB描繪裝置，設(shè)定各EB描繪裝置的特性(描繪精度、描繪速度)、裝置維護(hù)頻率(每周4小時(shí))、晶片輸送時(shí)間(5分鐘)。
作為分配規(guī)則，例如選擇FIFO規(guī)則、孔徑最小更換規(guī)則、再投入批次預(yù)測(cè)規(guī)則以及工作先到達(dá)順序規(guī)則而進(jìn)行線性組合。在孔徑最小更換規(guī)則中，使用同種的孔徑的批次優(yōu)先，所以發(fā)生頻率小的批次靠后。在再投入批次預(yù)測(cè)規(guī)則中，不能預(yù)測(cè)2層、3層之后的再到達(dá)時(shí)刻。而在工作先到達(dá)順序規(guī)則中，當(dāng)某一批次從別的工序返回時(shí)，該批次比新的批次優(yōu)先。
作為事件列表，如圖10所示，設(shè)定批次到達(dá)、束調(diào)整、EB描繪處理、CP孔徑更換、CP孔徑的維護(hù)以及束調(diào)整等。
(a)在步驟S71中，新批次到達(dá)，圖1所示的請(qǐng)求取得模塊取得批次的數(shù)據(jù)。新批次中每一產(chǎn)品隨機(jī)地到達(dá)。處理時(shí)間計(jì)算模塊22計(jì)算出所取得批次的處理時(shí)間。在步驟S72中，處理順序決定模塊23，根據(jù)次序規(guī)則來決定處理順序。在步驟S73中，根據(jù)所決定的處理順序，將批次投入EB描繪裝置。在步驟S74中，在即將進(jìn)行EB描繪處理時(shí)，判斷所裝填的CP孔徑是否與下一應(yīng)描繪處理的批次一致。當(dāng)CP孔徑一致時(shí)，進(jìn)行到步驟S77。而當(dāng)CP孔徑不一致時(shí)，進(jìn)行到步驟S75更換CP孔徑，進(jìn)行到步驟S76在更換CP孔徑的同時(shí)進(jìn)行束調(diào)整，向步驟S77進(jìn)行。在步驟S77中，通過EB描繪處理，在批次的晶片上描繪CP孔徑的特征圖案。當(dāng)以每批次的晶片片數(shù)對(duì)某一層進(jìn)行的EB描繪處理結(jié)束后，進(jìn)行到步驟S78。
(b)在步驟S78中，判斷是否需要CP孔徑的維護(hù)。在不需要維護(hù)時(shí)，進(jìn)行到步驟S82。在需要維護(hù)時(shí)，進(jìn)行到步驟S79進(jìn)行維護(hù)，進(jìn)行到步驟S80進(jìn)行與應(yīng)該下一次處理的批次對(duì)應(yīng)的孔徑更換，在步驟S81中進(jìn)行束調(diào)整，進(jìn)行到步驟S82。在步驟S82中，進(jìn)行了EB描繪處理的批次進(jìn)行布線/開孔工序，實(shí)施布線工序以及開孔工序中的任一者。在步驟S83中，最終工序尚未結(jié)束的批次在經(jīng)過數(shù)小時(shí)后返回步驟S71，再到達(dá)EB描繪裝置。另一方面，在步驟S83中，當(dāng)最終工序結(jié)束時(shí)，后端工序結(jié)束。
根據(jù)圖1所示的EB描繪裝置，可以進(jìn)行上述事件驅(qū)動(dòng)型模擬組合安排，提高批次處理的生產(chǎn)量。線性組合次序表規(guī)則而進(jìn)行安排的結(jié)果，與僅根據(jù)FIFO規(guī)則決定處理順序相比，改善了平均交貨延期、平均交付期偏離、交貨延期發(fā)生率、有條件平均交貨延期、最大交貨延期、平均生產(chǎn)提前時(shí)間(平均工作時(shí)間)以及總處理時(shí)間等的評(píng)價(jià)指標(biāo)。而且，總處理時(shí)間是從至少1個(gè)批次的作業(yè)時(shí)間開始，到全部批次完成為止的時(shí)間，通常是靜態(tài)的安排問題的評(píng)價(jià)尺度。作為一例，圖11示出了批次到達(dá)率和生產(chǎn)量的關(guān)系、圖12示出了批次到達(dá)率和周期(TAT)的關(guān)系。由圖可知，與僅按照投入順序進(jìn)行處理的FIFO規(guī)則相比，生產(chǎn)量提高2倍或2倍以上，TAT縮短至1/2或1/2以下。
下面參照?qǐng)D13說明使用圖1所示的EB描繪裝置的直接描繪方式的半導(dǎo)體器件(LSI)的制造方法的一例。
實(shí)施例的直接描繪方式的半導(dǎo)體器件的制造方法，如圖13所示，包括步驟S100的在與制造工序的各階段對(duì)應(yīng)的每一層上生成多個(gè)批次的各個(gè)器件圖案的布局?jǐn)?shù)據(jù)的工序(設(shè)計(jì)工序)；步驟S101的由圖1所示的數(shù)據(jù)變換工具4將多個(gè)批次的各個(gè)布局?jǐn)?shù)據(jù)變換為描繪數(shù)據(jù)的工序；步驟S102的由請(qǐng)求取得模塊21取得多個(gè)批次的處理請(qǐng)求的工序；步驟S103的工序，即處理時(shí)間計(jì)算模塊22根據(jù)與多個(gè)批次分別有關(guān)的處理步驟，計(jì)算出分別使用與各個(gè)批次對(duì)應(yīng)的CP孔徑來處理多個(gè)批次所必要的處理時(shí)間的工序；步驟S104的處理順序決定模塊23根據(jù)處理時(shí)間決定多個(gè)批次的處理順序的工序；以及步驟S300的工序，即，按照處理順序，描繪工具92根據(jù)描繪數(shù)據(jù)使用對(duì)應(yīng)的CP孔徑將多個(gè)批次在各個(gè)半導(dǎo)體晶片上按順序進(jìn)行描繪，由此，對(duì)多個(gè)批次的每一批次，與各階段對(duì)應(yīng)地按順序應(yīng)半導(dǎo)體晶片上對(duì)器件圖案的各層的圖案進(jìn)行處理的工序(芯片制造工序)。下面詳細(xì)說明各工序。
(a)首先，在圖13的步驟S100中，實(shí)施加工、掩模模擬。根據(jù)加工、掩模模擬的結(jié)果和輸入各電極的電流或電壓值，進(jìn)行器件模擬。使用由該器件模擬得到的電特性來進(jìn)行LSI的電路模擬，在每層上生成多個(gè)批次中各個(gè)批次的與制造工序的各階段對(duì)應(yīng)的器件圖案的布局?jǐn)?shù)據(jù)(設(shè)計(jì)數(shù)據(jù))。
(b)其次，在步驟S101中，在圖1所示的EB描繪裝置中，由數(shù)據(jù)變換工具4分別對(duì)在步驟S100生成的多個(gè)批次中各個(gè)批次的與各層對(duì)應(yīng)的布局?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行變換而生成描繪數(shù)據(jù)。在步驟S102中，請(qǐng)求取得模塊21取得要描繪器件圖案的各層圖案的半導(dǎo)體晶片的多個(gè)批次的處理請(qǐng)求。在步驟S103，處理時(shí)間計(jì)算模塊22，根據(jù)存儲(chǔ)在處理步驟存儲(chǔ)部62中的與在步驟S102取得的請(qǐng)求處理的多個(gè)批次分別有關(guān)的處理步驟，計(jì)算出分別使用與各個(gè)批次對(duì)應(yīng)的CP孔徑來處理多個(gè)批次所必要的處理時(shí)間。在步驟S104，處理順序決定模塊23，根據(jù)在步驟S103算出的處理時(shí)間，根據(jù)需要編入CP孔徑更換以及束調(diào)整，決定多個(gè)批次的處理順序。
(c)其次，在步驟S302的前端工序(襯底工序)中，對(duì)多個(gè)批次中的每個(gè)批次，分別反復(fù)實(shí)施步驟S310的氧化工序、步驟S311的抗蝕劑涂敷工序、步驟S312的以直接描繪方式進(jìn)行的光刻工序、步驟S313的離子注入工序以及步驟S314的熱處理工序等。在步驟S313中，在半導(dǎo)體晶片上涂敷感光膜(光致抗蝕劑膜)。步驟S312中，根據(jù)在步驟S103計(jì)算的處理順序，圖1所示的描繪工具92根據(jù)在步驟S101生成的描繪數(shù)據(jù)，以直接描繪方式一并地將對(duì)應(yīng)的CP孔徑的多個(gè)特征圖案描繪在批次的半導(dǎo)體晶片上。進(jìn)而，描繪了特征圖案的光致抗蝕劑膜顯影而制成加工用掩模。在步驟S313中，使用所制成的加工用掩模來加工半導(dǎo)體晶片。......當(dāng)一連串的工序結(jié)束時(shí)，向步驟S303進(jìn)行。
(d)在步驟S303中，對(duì)多個(gè)批次中的每一批次，進(jìn)行對(duì)襯底表面實(shí)施布線處理的后端工序(表面布線工序)。在后端工序中，反復(fù)實(shí)施步驟S315的化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)(CVD)工序、步驟S316的抗蝕劑涂敷工序、步驟S317的以直接描繪方式進(jìn)行的光刻工序、步驟S318的蝕刻工序以及步驟S319的金屬淀積工序等。在步驟S317中，與步驟S312同樣地，根據(jù)在步驟S103計(jì)算的處理順序，圖1所示的描繪工具92根據(jù)在步驟S101生成的描繪數(shù)據(jù)，以直接描繪方式一并地將CP孔徑的多個(gè)特征圖案描繪在半導(dǎo)體晶片上的光致抗蝕劑膜上。進(jìn)而，使光致抗蝕劑膜顯影而形成由光致抗蝕劑膜構(gòu)成的蝕刻掩模。......當(dāng)一連串的工序結(jié)束時(shí)，向步驟S304進(jìn)行。
(e)當(dāng)多層布線結(jié)構(gòu)完成、前端工序完成時(shí)，在步驟S304中，通過金剛石刀片等的切片裝置，分割成預(yù)定的芯片尺寸。然后，安裝在金屬或陶瓷等的封裝材料上，將芯片上的電極焊盤和引線框架的引線以金屬絲連接后，進(jìn)行樹脂密封等所需要的封裝組裝工序。
(f)在步驟S400中，經(jīng)過半導(dǎo)體器件的性能、功能有關(guān)的特性檢查、引線形狀與尺寸狀態(tài)檢查、可靠性試驗(yàn)等預(yù)定的檢查后，完成半導(dǎo)體器件。在步驟S500中，完成了上述工序后的半導(dǎo)體器件進(jìn)行用于保護(hù)免受水分、靜電等影響的包裝并出廠。
根據(jù)實(shí)施例的直接描繪方式的半導(dǎo)體器件的制造方法，在步驟S312和步驟S317中，使用圖1所示的EB描繪裝置，考慮CP孔徑更換時(shí)間和束調(diào)整時(shí)間，管理多個(gè)批次的處理順序，以直接描繪方式描繪多個(gè)批次的半導(dǎo)體晶片，由此可以有效地處理多個(gè)批次。
(第一變形)在本發(fā)明的實(shí)施例1的第1變形例的EB描繪裝置中，如圖14所示，不同點(diǎn)在于將圖1所示的處理順序決定模塊23變更為處理順序決定模塊23x。次序規(guī)則存儲(chǔ)部63，作為次序規(guī)則，除了準(zhǔn)備規(guī)則、固定規(guī)則以及動(dòng)態(tài)規(guī)則以外，還存儲(chǔ)根據(jù)與批次有關(guān)的參數(shù)決定優(yōu)先次序的參數(shù)指定規(guī)則以及為了避免CP孔徑的更換而變更使用的描繪數(shù)據(jù)的描繪數(shù)據(jù)變更規(guī)則。參數(shù)指定規(guī)則包括描繪條件指定規(guī)則、描繪精度指定規(guī)則以及孔徑指定規(guī)則。
處理順序決定模塊23x，如圖15所示，在具備還具有參數(shù)指定用決定部234以及描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235的處理順序決定部230x這一點(diǎn)上，與圖2所示的具備處理順序決定部230的處理順序決定模塊23不同。參數(shù)指定用決定部234，在次序表規(guī)則由規(guī)則判斷部231判斷為參數(shù)指定規(guī)則時(shí)，則根據(jù)如圖14所示的處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的參數(shù)，決定處理順序。參數(shù)指定用決定部234，如圖16所示，具有描繪條件指定部236、描繪精度指定部237以及孔徑指定部238。
描繪條件指定部236，在次序規(guī)則由規(guī)則判斷部231判斷為描繪條件指定規(guī)則時(shí)，當(dāng)如圖14所示的處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的描繪條件彼此相同的批次存在時(shí)，則使描繪條件相同的批次連續(xù)地決定處理順序。描繪條件指定部236，如圖17所示，對(duì)時(shí)刻T30-T31分配步驟S131的描繪條件A的批次A的處理、對(duì)時(shí)刻T31-T32分配步驟S132的CP孔徑更換以及束調(diào)整、對(duì)時(shí)刻T32-T33分配步驟S133的同一描繪條件A的批次C的處理。描繪條件指定部236，還在沒有描繪條件A的批次時(shí)，對(duì)時(shí)刻T33-T34分配步驟S134的CP孔徑更換以及束調(diào)整、對(duì)時(shí)刻T34-T35分配步驟S135的不同于該描繪條件的描繪條件B的批次B的處理。
圖16所示的描繪精度指定部237，在次序規(guī)則由規(guī)則判斷部231判斷為描繪精度指定規(guī)則時(shí)，根據(jù)如圖14所示的管理用參數(shù)存儲(chǔ)部65中存儲(chǔ)的描繪工具92的描繪精度以及處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的對(duì)應(yīng)批次的必要描繪精度，在需要高描繪精度的批次的處理之后，分配描繪精度可以為較低的批次的處理。例如設(shè)描繪精度以從高到低的順序?yàn)槊枥L精度A，描繪精度B，描繪精度C，......，如圖18所示，描繪精度指定部237，對(duì)時(shí)刻T40-T41分配步驟S141的需要高描繪精度A的批次A的處理、對(duì)時(shí)刻T41-T42分配步驟S142的不需要束調(diào)整的批次C的處理。進(jìn)而，對(duì)時(shí)刻T42-T43分配步驟S143的CP孔徑更換以及束調(diào)整、對(duì)時(shí)刻T43-T44分配步驟S144的需要高描繪精度A的批次B的處理。
圖16所示的孔徑指定部238，在次序規(guī)則由規(guī)則判斷部231判斷為孔徑指定規(guī)則時(shí)，根據(jù)如圖1所示的處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的CP孔徑的種類，將使用互相相同的CP孔徑的批次連續(xù)地進(jìn)行分配?？讖街付ú?38，例如圖19所示，對(duì)時(shí)刻T50-T51分配步驟S151的使用CP孔徑A的批次A的處理、對(duì)時(shí)刻T51-T52分配步驟S152的使用同一CP孔徑A的批次C的處理。進(jìn)而，當(dāng)沒有使用CP孔徑A的其它的批次時(shí)，對(duì)時(shí)刻T52-T53、T53-T54、T54-T55分別分配步驟S153的CP孔徑更換以及束調(diào)整、步驟S154的不同于該CP孔徑A的CP孔徑B的批次B的處理以及步驟S155的使用CP孔徑D的批次D的處理。
圖15所示的描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235，在次序規(guī)則為描繪數(shù)據(jù)變更規(guī)則時(shí)，通過變更描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5中所存儲(chǔ)的描繪數(shù)據(jù)，在不進(jìn)行CP孔徑更換的狀態(tài)下決定處理順序。當(dāng)使用最適于批次的CP孔徑時(shí)，雖然可以以最短的描繪時(shí)間進(jìn)行處理，但是需要CP孔徑更換以及束調(diào)整。
例如，對(duì)于批次A、B、C，當(dāng)分別使用最佳的CP孔徑A、B、C時(shí)，處理時(shí)間分別為1小時(shí)、2小時(shí)、1小時(shí)，由于CP孔徑更換以及束調(diào)整分別需要1小時(shí)，所以總體處理時(shí)間為6小時(shí)。與此相對(duì)地，描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235，變更描繪數(shù)據(jù)，以使得在包含于描繪數(shù)據(jù)中的多個(gè)CP孔徑的候補(bǔ)中，包括前后批次，使用處理時(shí)間為最短的彼此相同的CP孔徑Z。描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235，還如圖20所示，對(duì)時(shí)刻T60-T61、T61-T62、T62-T63分別分配在批次A、B、C中使用CP孔徑Z的處理。在批次A、B、C處理時(shí)間分別為1.25小時(shí)、2.25小時(shí)、1.25小時(shí)的情況下，由于使用彼此相同的CP孔徑Z，而不需要進(jìn)行CP孔徑更換以及束調(diào)整，所以總體處理時(shí)間為4.75小時(shí)。
此外，圖16所示的參數(shù)指定用決定部234的描繪條件指定部236、描繪精度指定部237以及孔徑指定部238等，由于可將束調(diào)整時(shí)間及孔徑更換時(shí)間作為準(zhǔn)備時(shí)間處理，所以可以包含于圖15所示的準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232中。
下面用附圖21說明本發(fā)明的第1變形例的EB描繪方法。圖14所示的次序規(guī)則存儲(chǔ)部63設(shè)置成存儲(chǔ)有準(zhǔn)備規(guī)則的時(shí)間指定規(guī)則、固定規(guī)則的優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則、動(dòng)態(tài)規(guī)則的最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則以及參數(shù)指定規(guī)則的描繪條件指定規(guī)則、描繪精度指定規(guī)則以及孔徑指定規(guī)則。
(a)圖21的步驟S1、S2以及S31-S32的步驟，與圖6所示的步驟相同，所以省略重復(fù)說明。在步驟S33中，圖15所示的規(guī)則判斷部231判斷次序規(guī)則是否為最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則。當(dāng)判斷為最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則時(shí)，進(jìn)行至步驟S403，當(dāng)判斷為不是最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則時(shí)進(jìn)行至步驟S34。在步驟S33中，規(guī)則判斷部231判斷次序規(guī)則是否為描繪數(shù)據(jù)變更規(guī)則。當(dāng)判斷為描繪數(shù)據(jù)變更規(guī)則時(shí)，進(jìn)行至步驟S403，當(dāng)判斷為不是描繪數(shù)據(jù)變更規(guī)則時(shí)進(jìn)行至步驟S34。在步驟S34中，規(guī)則判斷部231判斷次序規(guī)則是否為描繪精度指定規(guī)則。當(dāng)判斷為描繪精度指定規(guī)則時(shí)，進(jìn)行至步驟S404，當(dāng)判斷為不是描繪精度指定規(guī)則時(shí)進(jìn)行至步驟S35。在步驟S35中，規(guī)則判斷部231判斷次序規(guī)則是否為描繪條件指定規(guī)則。當(dāng)判斷為描繪條件指定規(guī)則時(shí)，進(jìn)行至步驟S405，當(dāng)判斷為不是描繪條件指定規(guī)則時(shí)由于是孔徑指定規(guī)則，進(jìn)行至步驟S406。
(b)步驟S401-S403的步驟，與圖6所示的步驟相同，所以省略重復(fù)說明。在步驟S404中，圖15所示的描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235，通過變更圖14所示的描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5中所存儲(chǔ)的描繪數(shù)據(jù)，在不進(jìn)行CP孔徑更換的狀態(tài)下決定處理順序。在步驟S405中，圖16所示的描繪精度指定部237，根據(jù)如圖14所示的管理用參數(shù)存儲(chǔ)部65中存儲(chǔ)的描繪工具92的描繪精度以及處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的對(duì)應(yīng)批次的必要的描繪精度，在需要高描繪精度的批次處理之后，分配描繪精度可以為較低的批次的處理。在步驟S406中，當(dāng)如圖14所示的處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的描繪條件彼此相同的批次存在時(shí)，描繪條件指定部236則使描繪條件相同的批次連續(xù)地決定處理順序。在步驟S407中，圖16所示的孔徑指定部238，在次序規(guī)則由規(guī)則判斷部231判斷為孔徑指定規(guī)則時(shí)，根據(jù)如圖14所示的處理步驟存儲(chǔ)部62中存儲(chǔ)的處理步驟中所包含的CP孔徑的種類，以連續(xù)進(jìn)行使用互相相同的CP孔徑的批次的方式進(jìn)行分配。
(c)在步驟S5中，如圖14所示的描繪控制模塊24，根據(jù)在步驟S401-步驟S407的任一步驟中所決定的處理順序，向孔徑管理工具91以及描繪工具92輸出控制信號(hào)。孔徑管理工具91以及描繪工具92根據(jù)從描繪控制模塊24輸出的控制信號(hào)，使用CP孔徑來進(jìn)行批次(處理)。
如上所述，根據(jù)第1變形例，與實(shí)施例同樣地，可以自動(dòng)地管理處理請(qǐng)求的批次的處理順序，即使在多品種少量制造的情況下，也可以有效地運(yùn)用EB描繪裝置。此外，根據(jù)圖16所示的描繪條件指定部236，通過連續(xù)地使用對(duì)圖14所示的描繪工具92設(shè)置的描繪條件，可以減小由于描繪條件的變更導(dǎo)致的束調(diào)整時(shí)間，可縮短整體處理時(shí)間。而且，根據(jù)圖16所示的描繪精度指定部237，由于在處理請(qǐng)求高描繪精度的批次的處理之后的不要求高描繪精度的批次C的處理不需要束調(diào)整，所以可以縮短束調(diào)整時(shí)間。此外，根據(jù)孔徑指定部238，不需要在連續(xù)的批次間進(jìn)行CP孔徑更換，從而可以縮短整體處理時(shí)間。而且，根據(jù)圖15所示的描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235，不需要CP孔徑更換和束調(diào)整所需時(shí)間，從而可以縮短整體處理時(shí)間。
(第二變形例)本發(fā)明的實(shí)施例的第2變形例的EB描繪裝置，如圖22所示，不同點(diǎn)在于如圖1所示的管理用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置6以及處理順序決定模塊23分別變更為管理用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置6y以及處理順序決定模塊23y。管理用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置6y與圖1所示的管理用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置6的不同點(diǎn)在于還具有遺傳信息存儲(chǔ)部64。遺傳信息存儲(chǔ)部64用于存儲(chǔ)增殖率、突然變異率、交叉率以及代數(shù)等進(jìn)行遺傳算法處理所需要的遺傳信息(遺傳算法處理的詳細(xì)內(nèi)容在后面說明)。次序規(guī)則存儲(chǔ)部63，作為次序規(guī)則，除了準(zhǔn)備規(guī)則、固定規(guī)則以及動(dòng)態(tài)規(guī)則以外，還存儲(chǔ)遺傳處理指定規(guī)則。
處理順序決定模塊23y，如圖23所示，與圖2所示的處理順序決定模塊23的不同點(diǎn)在于具有處理順序決定部230y。處理順序決定部230y與圖2所示的處理順序決定部230的不同點(diǎn)在于還具有遺傳處理用決定部240。遺傳處理用決定部240，在由規(guī)則判斷部231判斷的次序表的次序規(guī)則為遺傳處理規(guī)則時(shí)，根據(jù)由處理時(shí)間計(jì)算模塊22所計(jì)算出的處理時(shí)間以及存儲(chǔ)在遺傳信息存儲(chǔ)部64中的遺傳信息，決定處理順序。遺傳處理用決定部240，如圖24所示，具有候補(bǔ)生成部241、候補(bǔ)評(píng)價(jià)部242、遺傳處理部243和候補(bǔ)抽取部244。
候補(bǔ)生成部241，讀入圖22所示的請(qǐng)求存儲(chǔ)部61中存儲(chǔ)的批次的處理請(qǐng)求，生成多個(gè)處理順序的候補(bǔ)。候補(bǔ)生成部241，在例如請(qǐng)求處理的批次有5個(gè)時(shí)，如圖26(a)所示，分別設(shè)置編號(hào)K1、K2、K3、K4、K5。候補(bǔ)生成部241可以將圖26(a)所示的處理順序的候補(bǔ)的編號(hào)使用隨機(jī)數(shù)而任意地一并替換成例如圖26(b)所示的K5、K2、K1、K4、K3。
圖24所示的候補(bǔ)評(píng)價(jià)部242，根據(jù)圖22所示的處理時(shí)間計(jì)算模塊22所預(yù)測(cè)的處理時(shí)間，對(duì)圖24所示的候補(bǔ)生成部241所生成的多個(gè)處理順序的候補(bǔ)，在CP孔徑更換時(shí)間和束調(diào)整時(shí)間必要的情況下，按照批次順序進(jìn)行分配，從而決定處理順序，分別算出整體的處理時(shí)間作為評(píng)價(jià)值。由于評(píng)價(jià)值越小的候補(bǔ)的處理時(shí)間越短，所以是評(píng)價(jià)高的候補(bǔ)。
遺傳處理部243，根據(jù)由候補(bǔ)生成部241所生成的處理順序的候補(bǔ)以及候補(bǔ)評(píng)價(jià)部242算出的評(píng)價(jià)值，進(jìn)行用于生成評(píng)價(jià)變高的候補(bǔ)的遺傳算法處理。遺傳處理部243，如圖25所示，具有評(píng)價(jià)順序排列部246、增殖處理部247、突然變異處理部248以及交叉處理部249。
評(píng)價(jià)順序排列部246，將由圖24所示的候補(bǔ)生成部241所生成的處理順序的候補(bǔ)，一并替換為通過候補(bǔ)評(píng)價(jià)部242算出的評(píng)價(jià)值從低到高的順序即朝評(píng)價(jià)值高的順序。評(píng)價(jià)順序排列部246，在例如具有50個(gè)處理順序的候補(bǔ)K1-K50時(shí)，如圖27A所示，一并替換成候補(bǔ)K1(評(píng)價(jià)值75)、K2(評(píng)價(jià)值77)、......K39(評(píng)價(jià)值128)、K40(評(píng)價(jià)值129)、K41(評(píng)價(jià)值129)、...K50(評(píng)價(jià)值270)。
圖25所示的增殖處理部247，根據(jù)圖22所示的遺傳信息存儲(chǔ)部64所存儲(chǔ)的增殖率，對(duì)由評(píng)價(jià)順序排列部246所一并替換的處理順序的候補(bǔ)中評(píng)價(jià)高的候補(bǔ)進(jìn)行復(fù)制，并以所復(fù)制的量進(jìn)行刪除評(píng)價(jià)低的候補(bǔ)的處理(增殖處理)。例如，增殖處理部247在增殖率為20％的情況下，分別復(fù)制圖27A所示的10個(gè)候補(bǔ)K1-K10。并且，增殖處理部247以所復(fù)制的量而刪除10個(gè)候補(bǔ)K41-K50。結(jié)果，如圖27B所示，評(píng)價(jià)高的候補(bǔ)K1-K10各生成2個(gè)。
圖25所示的突然變異處理部24g，根據(jù)圖22所示的遺傳信息存儲(chǔ)部64所存儲(chǔ)的突然變異率，進(jìn)行對(duì)由增殖處理部247進(jìn)行了增殖處理的候補(bǔ)的任意的單元(位)進(jìn)行變換的處理(突然變異處理)。突然變異處理部248，例如在突然變異率為1％的情況下，由于當(dāng)候補(bǔ)數(shù)為50而各自的候補(bǔ)的單元數(shù)為60時(shí)有3000個(gè)單元，所以對(duì)30個(gè)單元進(jìn)行突然變異處理。而且，進(jìn)行突然變異處理的單元通過使用隨機(jī)數(shù)而任意地決定。即，存在對(duì)30個(gè)個(gè)體的各個(gè)單元進(jìn)行突然變異處理的情況，也存在對(duì)1個(gè)個(gè)體的30個(gè)單元進(jìn)行突然變異處理的情況。
圖25所示的交叉處理部249，根據(jù)圖22所示的遺傳信息存儲(chǔ)部64所存儲(chǔ)的交叉率，對(duì)由突然變異處理部248進(jìn)行了突然變異處理的候補(bǔ)中2個(gè)候補(bǔ)的任意的單元進(jìn)行相互調(diào)換處理(交叉處理)。交叉處理部249，在例如交叉率為10％的情況下，當(dāng)候補(bǔ)數(shù)為50時(shí)就對(duì)5個(gè)候補(bǔ)的任意的單元進(jìn)行調(diào)換。交叉處理部249，例如對(duì)如圖28所示的候補(bǔ)K1的單元“11111”的后部的3單元“111”與候補(bǔ)K2的單元“12321”的后部的3單元“321”進(jìn)行調(diào)換。結(jié)果，如圖29A所示候補(bǔ)K1變?yōu)椤?1321”，而如圖29B所示候補(bǔ)K2變?yōu)椤?2111”。此外，進(jìn)行交叉處理的單元或調(diào)換順序由隨機(jī)數(shù)決定。在交叉處理中，對(duì)2個(gè)或2個(gè)以上的候補(bǔ)，由于對(duì)相同位置的單元進(jìn)行調(diào)換，所以即使是在包括階(order)順序決定部的單元的情況下，也可以不考慮如突然變異處理的制約。
圖24所示的候補(bǔ)抽取部244，從包括由突然變異處理部248進(jìn)行了突然變異處理的單元的候補(bǔ)中，抽取評(píng)價(jià)最高的候補(bǔ)，作為處理順序而決定。其它的構(gòu)成，由于和圖1所示的EB描繪裝置相同，所以省略重復(fù)說明。
下面參照?qǐng)D30以及圖31的流程圖說明本發(fā)明的第2變形例的EB描繪方法。圖22所示的次序規(guī)則存儲(chǔ)部63，設(shè)置成存儲(chǔ)有準(zhǔn)備規(guī)則的時(shí)間指定規(guī)則、固定規(guī)則的優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則、動(dòng)態(tài)規(guī)則的最小作業(yè)寬裕時(shí)間規(guī)則以及遺傳處理規(guī)則。
(a)由于圖30的步驟S1、步驟S2、步驟S31以及步驟S32的步驟相同，所以省略重復(fù)說明。在步驟S33中，在由圖23所示的規(guī)則判斷部231判斷為不是優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則時(shí)，為遺傳處理規(guī)則，所以進(jìn)行到圖31所示的步驟S411。
(b)在步驟S411中，圖24所示的候補(bǔ)生成部241，讀入圖22所示的請(qǐng)求存儲(chǔ)部61中存儲(chǔ)的批次的處理請(qǐng)求，生成多個(gè)處理順序的候補(bǔ)。在步驟S412中，圖24所示的候補(bǔ)評(píng)價(jià)部242，對(duì)步驟S411所生成的處理順序的候補(bǔ)，分別算出總描繪時(shí)間作為評(píng)價(jià)值。在步驟S413中，當(dāng)處理順序的候補(bǔ)不足預(yù)定數(shù)時(shí)，反復(fù)進(jìn)行步驟S411和步驟S412的步驟。另一方面，當(dāng)僅以預(yù)定數(shù)生成候補(bǔ)時(shí)，進(jìn)行至步驟S414的步驟。
(c)在步驟S414中，圖25所示的評(píng)價(jià)順序排列部246，根據(jù)在S414所算出的評(píng)價(jià)值，將候補(bǔ)按評(píng)價(jià)值高的順序一并替換。在步驟S415中，圖25所示的增殖處理部247，根據(jù)增殖率，對(duì)評(píng)價(jià)高的候補(bǔ)進(jìn)行復(fù)制，并以所復(fù)制的量刪除評(píng)價(jià)低的候補(bǔ)。在步驟S416中，圖25所示的突然變異處理部248，根據(jù)突然變異率，對(duì)候補(bǔ)的任意的單元(位)進(jìn)行變換。在步驟S417中，圖25所示的交叉處理部249，根據(jù)交叉率，對(duì)2個(gè)候補(bǔ)的任意的單元進(jìn)行相互調(diào)換。
(d)在步驟S418中，圖24所示的候補(bǔ)評(píng)價(jià)部242，對(duì)至步驟S417的步驟為止所處理的候補(bǔ)，與步驟S412的步驟同樣地計(jì)算出評(píng)價(jià)值。在步驟S419中，當(dāng)正好預(yù)定代的遺傳算法處理尚未結(jié)束時(shí)，反復(fù)進(jìn)行步驟S414-步驟S418的步驟。另一方面，當(dāng)以預(yù)定代的遺傳算法處理結(jié)束時(shí)，進(jìn)行至步驟S420。
(e)在步驟S420中，圖24所示的候補(bǔ)抽取部244，從步驟S418中算出評(píng)價(jià)值的候補(bǔ)中，采用評(píng)價(jià)最高的候補(bǔ)而決定處理順序。在步驟S5中，圖1所示的描繪控制模塊24，根據(jù)在步驟S420中決定的處理順序，向孔徑管理工具91以及描繪工具92輸出控制信號(hào)。孔徑管理工具91以及描繪工具92，根據(jù)從描繪控制模塊24輸出的控制信號(hào)，使用CP孔徑處理批次。
如上所述，根據(jù)第2變形例，與實(shí)施例同樣地，可以自動(dòng)管理將處理請(qǐng)求的批次實(shí)際投入裝置的處理順序以及投入裝置的定時(shí)的次序設(shè)定。從而可以有效地運(yùn)用與多品種少量制造相對(duì)應(yīng)的EB描繪裝置。
此外，通過圖24所示的遺傳處理部243進(jìn)行遺傳算法處理，只進(jìn)行預(yù)定的代量的計(jì)算，所以即使增加階數(shù)，也不會(huì)增加階乘運(yùn)算。因此可以以較短的時(shí)間決定接近最佳評(píng)價(jià)的候補(bǔ)。因此，對(duì)于候補(bǔ)的并列變換，不必要使用循環(huán)計(jì)算方法對(duì)全部的龐大數(shù)目的候補(bǔ)的組合求出評(píng)價(jià)來決定評(píng)價(jià)，所以可以以目前一般的計(jì)算機(jī)的運(yùn)算速度實(shí)現(xiàn)。
(其它實(shí)施例)以上通過實(shí)施例說明了本發(fā)明，但不應(yīng)理解為本發(fā)明局限于作為該公開的一部分的上述說明以及附圖。本技術(shù)領(lǐng)域的人員可以從該公開得出各種可代替的實(shí)施形態(tài)、實(shí)例以及應(yīng)用技術(shù)。例如，如圖32所示，可以代替具有圖1所示的處理順序決定部230的處理順序決定模塊23，具有具備圖32所示的處理順序決定部230z的處理順序決定模塊23z。處理順序決定部230z具有準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232、固定規(guī)則用決定部233、參數(shù)指定用決定部234、描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235以及遺傳處理用決定部240。準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232、固定規(guī)則用決定部233、參數(shù)指定用決定部234、描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235以及遺傳處理用決定部240，可以分別根據(jù)由規(guī)則判斷部231判斷的次序規(guī)則，決定處理順序。
此外，遺傳處理用決定部240，即使在規(guī)則判斷部231判斷為時(shí)間指定規(guī)則、優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則、參數(shù)指定規(guī)則以及描繪數(shù)據(jù)變更規(guī)則等時(shí)，也可以代替準(zhǔn)備規(guī)則用決定部232、固定規(guī)則用決定部233、參數(shù)指定用決定部234、描繪數(shù)據(jù)變更用決定部235以及遺傳處理用決定部240，來決定處理順序。例如，圖24所示的候補(bǔ)評(píng)價(jià)部，在時(shí)間指定規(guī)則的情況下，對(duì)由候補(bǔ)生成部241生成的候補(bǔ)，判斷預(yù)定時(shí)間和各自的批次的處理是否重復(fù)，將不重復(fù)的候補(bǔ)作為對(duì)象。此外，候補(bǔ)評(píng)價(jià)部242，即使是在規(guī)則判斷部231判斷為優(yōu)先級(jí)指定規(guī)則、參數(shù)指定規(guī)則以及描繪數(shù)據(jù)變更規(guī)則等的情況下，也對(duì)由候補(bǔ)生成部241生成的候補(bǔ)判斷是否滿足優(yōu)先級(jí)、參數(shù)等的條件，將滿足者作為對(duì)象。
此外，圖33所示的EB描繪裝置的處理時(shí)間計(jì)算模塊22x與圖1所示的EB描繪裝置不同。處理時(shí)間計(jì)算模塊22x不是讀入存儲(chǔ)在描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5中的描繪數(shù)據(jù)中所包括的孔徑信息，而是直接從孔徑信息存儲(chǔ)裝置3中讀取孔徑信息，使用與各批次對(duì)應(yīng)的CP孔徑計(jì)算出分別處理多個(gè)批次所需要的處理時(shí)間。
此外，圖34所示的EB描繪裝置具有多個(gè)孔徑管理工具91、91x、91y以及描繪工具92、92x、92y這一點(diǎn)與圖1所示的EB描繪裝置不同。在具備多個(gè)孔徑管理工具91、91x、91y以及描繪工具92、92x、92y的情況下，處理順序決定模塊23對(duì)分別投入描繪工具92、92x、92y的多個(gè)批次分別進(jìn)行判斷，從而對(duì)各描繪工具92、92x、92y的每一個(gè)分別決定多個(gè)批次的處理順序。
圖1所示的次序管理裝置2也可以如圖35所示組裝入工廠的主計(jì)算機(jī)1中。而且，圖1所示的孔徑信息存儲(chǔ)裝置3、數(shù)據(jù)變換工具4、描繪數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置5、管理用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置6、輸入裝置7、輸出裝置8、設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置10、主存儲(chǔ)裝置11等與次序管理裝置2連接(省略示出)。次序管理裝置2與多個(gè)EB描繪裝置90、90x連接。EB描繪裝置90、90x分別包括圖1所示的孔徑管理工具91以及描繪工具92。主計(jì)算機(jī)1管理工廠整體的EB描繪裝置90、90x的次序表。主計(jì)算機(jī)1將應(yīng)處理的批次信息傳送給次序管理裝置2。次序管理裝置2將來自主計(jì)算機(jī)1的請(qǐng)求的批次信息加入到自身所管理的排隊(duì)中，而開始次序。當(dāng)獲得最佳的次序表時(shí)，對(duì)EB描繪裝置90、90x單獨(dú)地發(fā)送應(yīng)處理的批次的信息，指示批次處理。EB描繪裝置90、90x，根據(jù)次序管理裝置2的指示，實(shí)施批次處理，并在結(jié)束后將該信息通知次序管理裝置2。根據(jù)圖27，由于工廠的主計(jì)算機(jī)1安裝有次序管理裝置2，所以可以容易地獲得次序管理裝置2的與再投入批次的到達(dá)時(shí)間有關(guān)的下一工序的結(jié)束時(shí)間。
此外，圖1所示的次序管理裝置2，如圖36所示，也可以連接在工廠的主計(jì)算機(jī)1和多個(gè)EB描繪裝置90、90x之間。次序管理裝置2管理多個(gè)EB描繪裝置90、90x。次序管理裝置2在只有各次序管理裝置2自身所管理的EB描繪裝置90、90x的信息這一點(diǎn)上，與圖27所示的次序管理裝置2不同。因此，從下一工序返回的時(shí)間需要從次序管理裝置2向工廠的主計(jì)算機(jī)提出請(qǐng)求而獲得。
此外，圖1所示的次序管理裝置2以及具有與次序管理裝置2同樣的構(gòu)成的次序管理裝置2x，如圖37所示，也可以連接在工廠的主計(jì)算機(jī)1和EB描繪裝置90、90x之間。多個(gè)次序管理裝置2、2x管理各個(gè)EB描繪裝置90、90x。多個(gè)次序管理裝置2、2x分別只管理主管的描繪裝置90、90x的次序這一點(diǎn)與圖35以及圖36所示的次序管理裝置2不同。
此外，在上述實(shí)施例中，說明了使用特征投影(CP)描繪方式的EB描繪裝置，但是也可以適用于其它的描繪方式。例如，在晶片緊上方設(shè)置等大的孔徑掩模、在該孔徑掩模上掃描低能量電子射束、從而在晶片上形成圖案的低能量電子射束投影方式的裝置，也可應(yīng)用本發(fā)明。此外，使用芯片大小4-5倍的孔徑掩模、使孔徑掩模和晶片同步驅(qū)動(dòng)、并在該孔徑掩模上掃描高能量電子射束，而在晶片上縮小復(fù)制圖案的高能量電子射束投影方式的裝置，也可應(yīng)用本發(fā)明。在該情況下，可以將多個(gè)功能塊安裝在孔徑掩模上。可以將每個(gè)產(chǎn)品所需要的孔徑掩模以及功能塊的信息轉(zhuǎn)換成上述實(shí)施例中所述的CP孔徑和特征圖案的信息。
如此，本發(fā)明顯然也包括在此未記載的各種實(shí)施例等，本發(fā)明的技術(shù)范圍僅由根據(jù)上述說明的適當(dāng)?shù)募夹g(shù)方案的范圍中的具體發(fā)明內(nèi)容所限定。
本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在獲知本公開后可以在不脫離其范圍的情況下進(jìn)行各種變形。
權(quán)利要求
1.一種電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，包括根據(jù)決定的處理順序使用多個(gè)孔徑掩模對(duì)多個(gè)批次按順序描繪的描繪工具；管理所述多個(gè)孔徑掩模的孔徑管理工具；取得所述多個(gè)批次的處理請(qǐng)求的請(qǐng)求取得模塊；存儲(chǔ)與所述多個(gè)批次分別有關(guān)的處理步驟的處理步驟存儲(chǔ)部；處理時(shí)間計(jì)算模塊，其根據(jù)所述處理步驟，分別計(jì)算使用分別與所述批次對(duì)應(yīng)的所述孔徑掩模來分別處理所述多個(gè)批次的處理時(shí)間；和根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序的處理順序決定模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊包括判斷所述處理順序的次序規(guī)則的規(guī)則判斷部；和與所述所判斷的次序規(guī)則對(duì)應(yīng)地，根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序的處理順序決定部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊按生產(chǎn)指示的順序分配所述批次。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊分配所述批次以使得不與所述描繪工具的束調(diào)整時(shí)間重復(fù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊分配所述批次以使得所述孔徑掩模的更換次數(shù)最少。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊以使相互使用相同的所述孔徑掩模的批次連續(xù)的方式進(jìn)行分配。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊以存儲(chǔ)在所述處理步驟存儲(chǔ)部中的優(yōu)先級(jí)高的所述批次優(yōu)先進(jìn)行分配。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊按到達(dá)所述描繪工具的順序來分配所述批次。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊以交付期最早的所述批次優(yōu)先進(jìn)行分配。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊以所述處理時(shí)間最短的所述批次優(yōu)先進(jìn)行分配。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊以所述處理時(shí)間最長(zhǎng)的所述批次優(yōu)先進(jìn)行分配。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊以至交付期的寬裕量最小的所述批次優(yōu)先進(jìn)行分配。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊根據(jù)所述批次的相關(guān)參數(shù)決定優(yōu)先次序。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊以使描繪條件相同的所述批次連續(xù)的方式進(jìn)行分配。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊將可以為低描繪精度的所述批次分配在要求高描繪精度的所述批次之后。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊變更描繪數(shù)據(jù)地分配所述批次。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪系統(tǒng)，其特征在于，所述處理順序決定模塊進(jìn)行生成所述多個(gè)處理順序的候補(bǔ)；計(jì)算出所述多個(gè)處理順序的各個(gè)評(píng)價(jià)值；和采用所述評(píng)價(jià)值最高的所述候補(bǔ)。
18.一種計(jì)算機(jī)執(zhí)行的電子束描繪方法，其特征在于，包括取得多個(gè)批次的處理請(qǐng)求；根據(jù)與所述多個(gè)批次分別相關(guān)的處理步驟，分別計(jì)算使用分別與所述批次對(duì)應(yīng)的孔徑掩模來分別處理所述多個(gè)批次的處理時(shí)間；根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序；和根據(jù)所述處理順序，使用所述孔徑掩模，按順序處理所述多個(gè)批次。
19.一種用于執(zhí)行電子束描繪系統(tǒng)的應(yīng)用的程序，其特征在于，包括用于取得多個(gè)批次的處理請(qǐng)求的指令；用于根據(jù)存儲(chǔ)在處理步驟存儲(chǔ)部中的與所述多個(gè)批次分別相關(guān)的處理步驟，分別計(jì)算使用分別與所述批次對(duì)應(yīng)的孔徑掩模來分別處理所述多個(gè)批次的處理時(shí)間的指令；用于根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序的指令；和用于根據(jù)所述處理順序，使用所述孔徑掩模，按順序使描繪工具對(duì)所述多個(gè)批次進(jìn)行處理的指令。
20.一種通過直接描繪制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括在與制造工序的各階段對(duì)應(yīng)的每一層上生成多個(gè)批次的各個(gè)的器件圖案的布局?jǐn)?shù)據(jù)；將所述多個(gè)批次的各個(gè)的所述布局?jǐn)?shù)據(jù)變換為描繪數(shù)據(jù)；取得所述多個(gè)批次的處理請(qǐng)求；根據(jù)分別與所述多個(gè)批次相關(guān)的處理步驟，分別計(jì)算使用分別與所述各個(gè)批次對(duì)應(yīng)的孔徑掩模來分別處理所述多個(gè)批次的處理時(shí)間；根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序；和通過按照該處理順序，根據(jù)所述描繪數(shù)據(jù)使用對(duì)應(yīng)的所述孔徑掩模在所述多個(gè)批次的各個(gè)的半導(dǎo)體晶片上按順序進(jìn)行描繪，對(duì)所述多個(gè)批次的每一批次，與所述各階段對(duì)應(yīng)地按順序在所述半導(dǎo)體晶片上處理所述器件圖案的各層的圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子束描繪系統(tǒng)，它具備根據(jù)決定的處理順序使用多個(gè)孔徑掩模對(duì)多個(gè)批次按順序描繪的描繪工具；管理所述多個(gè)孔徑掩模的孔徑管理工具；取得所述多個(gè)批次的處理請(qǐng)求的請(qǐng)求取得模塊；存儲(chǔ)分別與所述多個(gè)批次有關(guān)的處理步驟的處理步驟存儲(chǔ)部；處理時(shí)間計(jì)算模塊，其分別計(jì)算出根據(jù)所述處理步驟、使用分別與所述批次對(duì)應(yīng)的所述孔徑掩模來分別處理所述多個(gè)批次的處理時(shí)間；和根據(jù)所述處理時(shí)間決定所述多個(gè)批次的處理順序的處理順序決定模塊。
文檔編號(hào)H01J37/317GK1681085SQ200510063188
公開日2005年10月12日 申請(qǐng)日期2005年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月5日
發(fā)明者中杉哲郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝