0048]圖2為三原色的刺激值與波長的圖譜關(guān)系示意圖；
[0049]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的第一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的第二種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的第三種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0053]以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
[0054]實(shí)施例一:
[0055]如圖3所示，本實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括:
[0056]第一數(shù)據(jù)線301、第二數(shù)據(jù)線302，所述第一數(shù)據(jù)線301和所述第二數(shù)據(jù)線302用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；
[0057]第一掃描線303、第二掃描線304，第一掃描線302和第二掃描線304用于傳輸掃描信號(hào);
[0058]像素單元，由第一數(shù)據(jù)線301、第二數(shù)據(jù)線302、第一掃描線303以及第二掃描線304交錯(cuò)構(gòu)成；
[0059]所述像素單元包括:
[0060]薄膜晶體管305，所述薄膜晶體管305的柵極3051與所述第一掃描線303連接，所述薄膜晶體管3052的源極與所述第一數(shù)據(jù)信號(hào)301連接，用于接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)；所述薄膜晶管305，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)信號(hào)以及所述掃描信號(hào)控制所述像素單元進(jìn)行畫面顯示；
[0061]圖案化像素電極區(qū)域306，與所述薄膜晶體管305的漏極3053連接，包括:第一像素電極區(qū)域和第二像素電極區(qū)域；所述第一像素電極區(qū)域包括:向所述第一掃描線303延伸的第一條狀電極3061，向第一數(shù)據(jù)線301延伸的第二條狀電極3062，向第二數(shù)據(jù)延伸302的第三條狀電極3063以及向第二掃描線304延伸的第四條狀電極3064 ;
[0062]具體地，本實(shí)施例中圖案化像素電極區(qū)域306可以包括兩種像素電極區(qū)域；一種是第一像素電極區(qū)域，例如由分支像素電極構(gòu)成的分支像素電極區(qū)域，另一種是透光率小于第一像素電極區(qū)域的透光率的第二像素電極區(qū)域，例如由多條主干像素電極構(gòu)成的主干像素電極區(qū)域，在實(shí)際應(yīng)用中，一般主干像素電極區(qū)域的透光率是小于分支像素電極區(qū)域的。
[0063]如圖3所示，分支像素電極區(qū)域包括:第一條狀電極3061，第二條狀電極3062，第三條狀電極3063，第四條狀電極3064 ;主干像素電極區(qū)域包括:第一主干電極3065和第二主干電極3066 ;第一條狀電極3061，第二條狀電極3062，第三條狀電極3063，第四條狀電極3064分別與對(duì)應(yīng)的主干電極電性連接。
[0064]優(yōu)選地，本實(shí)施例中，第一主干電極3065與第二主干電極3066相交形成一個(gè)相交區(qū)域3067。
[0065]本實(shí)施例陣列基板還包括:存儲(chǔ)電容307，位于所述第二像素電極區(qū)域的下方，與所述第二像素電極區(qū)域重疊，用于維持所述像素單元的畫面顯示；具體地如圖3所示，本實(shí)施例中存儲(chǔ)電容307位于相交區(qū)域3067的正下方，且與相交區(qū)域3067重疊，由于該相交區(qū)域3067為圖案化像素電極區(qū)域306中透光率最低的像素區(qū)域，其可以最大限度地提高開口率。優(yōu)選地，存儲(chǔ)電容307可以位于圖案化像素電極區(qū)域中透光率最小的像素區(qū)域下方，并與該區(qū)域重疊。
[0066]本實(shí)施例中，第一條狀電極3061具有延伸起始端和延伸結(jié)束端，所述延伸結(jié)束端延伸至所述第一掃描線303上方，且與所述第一掃描線303重疊；具體地，如圖3所示，第一條狀電極3061向第一掃描線303延伸，并且末端搭在第一掃描線303上。
[0067]由上可知，本實(shí)施例的陣列基板通過改變像素單元中存儲(chǔ)電容307位置以及延長第一條狀電極3061，消除了現(xiàn)有第一掃描線303與存儲(chǔ)電容307之間的縫隙(即消除了圖1中的縫隙106)，從而省去了掃描線方向上的色阻重疊的區(qū)域，即凸起的圍墻結(jié)構(gòu)，進(jìn)而改善了液晶和PI的流動(dòng)，提高了顯示效果以及降低了成本。
[0068]另外，本實(shí)施例陣列基板中存儲(chǔ)電容位于透光率低的主干像素電極區(qū)域下方，具體地位于相交區(qū)域3067下方，可以避免存儲(chǔ)電容占用像素單元的透光面積，提高陣列基板的開口率。
[0069]考慮到陣列基板中用于圖案化像素電極區(qū)域306與漏極3053連接的不透光的過孔如果在透光率高的像素電極區(qū)域，會(huì)占一定的透光面積，降低開口率；本實(shí)施例中將該過孔的至少一部分設(shè)置在存儲(chǔ)電容307的上方，與存儲(chǔ)電容307重疊。
[0070]具體地，如圖4所示，本實(shí)施例中陣列基板中像素單元還包括:位于圖案化像素電極區(qū)域306與所述漏極3053之間的過孔308 ;圖案化像素電極區(qū)域306通過所述過孔308與所述薄膜晶體管305的漏極3053連接；其中過孔308位于存儲(chǔ)電容307的上方，與存儲(chǔ)電容308重疊，優(yōu)選地，位于相交區(qū)域3067與存儲(chǔ)電容307之間。
[0071]本實(shí)施例中由于存儲(chǔ)電容307不透光，其本來就占用一定的透光面積，將過孔308設(shè)置在存儲(chǔ)電容308的上方，與存儲(chǔ)電容308重疊，這樣過孔308就不會(huì)占用額外的透光面積，進(jìn)一步提升開口率。
[0072]考慮到現(xiàn)有數(shù)據(jù)線方向上數(shù)據(jù)線與圖案像素電極區(qū)域之間會(huì)存在縫隙，現(xiàn)有技術(shù)一般采用色組重疊的方式對(duì)該縫隙遮光，因此會(huì)在數(shù)據(jù)線方向上存在色組交疊區(qū)域，相對(duì)于像素中央的顯示區(qū)域會(huì)形成凸起的圍墻結(jié)構(gòu)，會(huì)使彩膜基板的表面不平整，不利于液晶和聚酰亞胺(PI)的流動(dòng)，從而影響光學(xué)性能，降低顯示效果。
[0073]為了進(jìn)一步消除第一數(shù)據(jù)線301方向上的圍墻結(jié)構(gòu)，如圖5所示，在本實(shí)施例陣列基板中，可以使第二條狀電極3062延伸至第一數(shù)據(jù)線301，并搭在第一數(shù)據(jù)線301上；具體地，第二條狀電極3062具有延伸起始端和延伸結(jié)束端，該延伸結(jié)束端延伸至所述第一數(shù)據(jù)線301上方，且與所述第一數(shù)據(jù)線301重疊。
[0074]參考圖5，同樣，進(jìn)一步消除第二數(shù)據(jù)線302方向上的圍墻結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中第三條狀電極3063延伸至第二數(shù)據(jù)線302上，且末端搭在第二數(shù)據(jù)線3062上；具體地，第三條狀電極3063具有延伸起始端和延伸結(jié)束端，該延伸結(jié)束端延伸至所述第二數(shù)據(jù)線上方，且與所述第二數(shù)據(jù)線重疊。
[0075]由于，本實(shí)施例陣列基板中第二條狀電極3062和第三條狀電極3063的末端均搭在數(shù)據(jù)線上，因此，消除了數(shù)據(jù)線與圖案像素電極區(qū)域之間的縫隙，避免了在數(shù)據(jù)線方向上采用色組重疊來遮光，從而消除了凸起的圍墻結(jié)構(gòu)，進(jìn)而改善了液晶和PI的流動(dòng)，提示了顯示效果。
[0076]在本實(shí)施例中存儲(chǔ)電容307具體地，薄膜晶體管305打開的期間，維持像素電壓信號(hào)，以維持像素單元的畫面顯示；本實(shí)施例中存儲(chǔ)電容307的形成有多種方式；優(yōu)選地，本實(shí)施例中存儲(chǔ)電容307由陣列基板中第一金屬層上的第一電容電極和第二金屬層上的第二電容電極構(gòu)成；具體地:
[0077]本實(shí)施例中陣列基板包括:
[0078]第一金屬層，其包括:所述第一掃描線303、所述第二掃描線304、所述薄膜晶體管305的柵極302、以及所述存儲(chǔ)電容307的第一電容電極；
[0079]第二金屬層，位于所述第一金屬層上方，其包括:所述第一數(shù)據(jù)線301、所述第二數(shù)據(jù)線302、所述薄膜晶體管305的源極3051和漏極3053、以及所述存儲(chǔ)電容307的第二電容電極。
[0080]實(shí)施例二:
[0081]參考圖6，本實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板，包括:
[0082]陣列基板61;
[0083]彩膜基板63 ；
[0084]位于所述陣列基板61和所述彩膜基板63之間的液晶層62 ;