一種陣列基板和液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板和液晶顯示面板?！尽颈尘凹夹g(shù)】】
[0002]在現(xiàn)有的液晶顯示面板中，相鄰像素之間存在非驅(qū)動區(qū)域，液晶排列不受控制，會出現(xiàn)漏光，所以與非驅(qū)動區(qū)域相應(yīng)位置設(shè)置有黑色矩陣對其進(jìn)行遮光。
[0003]如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的俯視圖；現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板10包括薄膜晶體管100、數(shù)據(jù)線101，掃描線102，以及由數(shù)據(jù)線101和掃描線102交錯構(gòu)成像素單元；其中像素單元103包括:多條向掃描線101延伸的像素電極區(qū)域103、以及存儲電容104 ;存儲電容104位于像素電極區(qū)域103與掃描線102之間，如圖1所示，存儲電容104與掃描線102之間會存在縫隙106 ;由于該縫隙106會漏光影響畫面顯示，因此需要采用BM(黑色矩陣)對該縫隙進(jìn)行遮光。
[0004]考慮到BM制作成本比較大，目前常用的遮光方式為:采用紅色色阻和藍(lán)色色阻進(jìn)行重疊來對存儲電容104與掃描線102之間的縫隙進(jìn)行遮光。具體地色阻重疊遮光的原理可以參考圖2，如圖2所示，給出R(紅)、G(綠)、B (藍(lán))三原色的刺激值與波長的圖譜關(guān)系示意圖，橫坐標(biāo)表示波長長度(單位為納米)，縱坐標(biāo)表示三原色的刺激值；201表示B的波長為435.8，202表示G的波長為546.1203表示R的波長為700 ；
[0005]由于人眼的可見光的波長范圍介于390-700納米范圍，利用色阻R與色阻B進(jìn)行重疊，可以達(dá)到遮光的效果，便省去黑色矩陣的制程成本。
[0006]然而采用色阻重疊遮光時，色阻交疊的區(qū)域為兩種色阻(R&B)的厚度，相對于像素中央的顯示區(qū)域會形成凸起的圍墻結(jié)構(gòu)，因此會使彩膜基板的表面不平整，不利于液晶和聚酰亞胺(PI)的流動，從而影響光學(xué)性能，降低顯示效果。
[0007]因此，有必要提供一種陣列基板和液晶顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題?！?br/>【發(fā)明內(nèi)容】
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[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板及裝置，以解決現(xiàn)顯示面板采用色阻重疊的遮光方式會導(dǎo)致彩膜基板表面不平整，影響顯示效果的技術(shù)問題。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明構(gòu)造了一種陣列基板，包括:
[0010]第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號;
[0011]第一掃描線、第二掃描線，所述第一掃描線和所述第二掃描線用于傳輸掃描信號;
[0012]像素單元，由所述第一數(shù)據(jù)線、所述第二數(shù)據(jù)線、所述第一掃描線以及所述第二掃描線交錯構(gòu)成；
[0013]所述像素單元包括:
[0014]薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述第一掃描線連接，所述薄膜晶體管的源極與所述第一數(shù)據(jù)信號連接，用于接收所述數(shù)據(jù)信號；所述薄膜晶管，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)信號以及所述掃描信號控制所述像素單元進(jìn)行畫面顯示；
[0015]圖案化像素電極區(qū)域，與所述薄膜晶體管的漏極連接，包括:第一像素電極區(qū)域和第二像素電極區(qū)域；所述第一像素電極區(qū)域的透光率大于所述第二像素電極區(qū)域的透光率；所述第一像素電極區(qū)域包括:向所述第一掃描線延伸的第一條狀電極；
[0016]存儲電容，位于所述第二像素電極區(qū)域的下方，與所述第二像素電極區(qū)域重疊，用于維持所述像素單元的畫面顯示；
[0017]其中，所述第一條狀電極具有延伸起始端和延伸結(jié)束端，所述延伸結(jié)束端延伸至所述第一掃描線上方，且與所述第一掃描線重疊。
[0018]在本發(fā)明的陣列基板中，所述第一像素電極區(qū)域為分支像素電極區(qū)域，所述第二像素電極區(qū)域為主干像素電極區(qū)域，所述主干像素電極區(qū)域包括:多條主干電極。
[0019]在本發(fā)明的陣列基板中，所述主干像素電極區(qū)域包括:第一主干電極和第二主干電極，所述第一主干電極和所述第二主干電極相交形成一個相交區(qū)域；
[0020]所述存儲電容位于所述相交區(qū)域的正下方，與所述相交區(qū)域重疊。
[0021]在本發(fā)明的陣列基板中，所述像素單元還包括:位于圖案化像素電極區(qū)域與所述漏極之間的過孔；
[0022]所述圖案化像素電極區(qū)域通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接；
[0023]其中，所述過孔位于所述存儲電容的上方，與所述存儲電容重疊。
[0024]在本發(fā)明的陣列基板中，所述第一像素電極區(qū)域還包括:向所述第一數(shù)據(jù)線延伸的第二條狀電極；所述第二條狀電極具有延伸起始端和延伸結(jié)束端，該延伸結(jié)束端延伸至所述第一數(shù)據(jù)線上方，且與所述第一數(shù)據(jù)線重疊。
[0025]在本發(fā)明的陣列基板中，所述第一像素電極區(qū)域還包括:向所述第二數(shù)據(jù)線延伸的第三條狀電極；所述第三條狀電極具有延伸起始端和延伸結(jié)束端，該延伸結(jié)束端延伸至所述第二數(shù)據(jù)線上方，且與所述第二數(shù)據(jù)線重疊。
[0026]在本發(fā)明的陣列基板中，包括:
[0027]第一金屬層，其包括:所述第一掃描線、所述第二掃描線、所述薄膜晶體管的柵極、以及所述存儲電容的第一電容電極；
[0028]第二金屬層，位于所述第一金屬層上方，其包括:所述第一數(shù)據(jù)線、所述第二數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極和漏極、以及所述存儲電容的第二電容電極。
[0029]同樣為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板，包括:
[0030]陣列基板；
[0031]彩膜基板；
[0032]位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層；
[0033]所述陣列基板，包括:
[0034]第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號;
[0035]第一掃描線、第二掃描線，所述第一掃描線和所述第二掃描線用于傳輸掃描信號;
[0036]像素單元，由所述第一數(shù)據(jù)線、所述第二數(shù)據(jù)線、所述第一掃描線以及所述第二掃描線交錯構(gòu)成；
[0037]所述像素單元包括:
[0038]薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述第一掃描線連接，所述薄膜晶體管的源極與所述第一數(shù)據(jù)信號連接，用于接收所述數(shù)據(jù)信號；所述薄膜晶管，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)信號以及所述掃描信號控制所述像素單元進(jìn)行畫面顯示；
[0039]圖案化像素電極區(qū)域，與所述薄膜晶體管的漏極連接，包括:第一像素電極區(qū)域和第二像素電極區(qū)域；所述第一像素電極區(qū)域的透光率大于所述第二像素電極區(qū)域的透光率；所述第一像素電極區(qū)域包括:向所述第一掃描線延伸的第一條狀電極；
[0040]存儲電容，位于所述第二像素電極區(qū)域的下方，與所述第二像素電極區(qū)域重疊，用于維持所述像素單元的畫面顯示；
[0041]其中，所述第一條狀電極具有延伸起始端和延伸結(jié)束端，所述延伸結(jié)束端延伸至所述第一掃描線上方，且與所述第一掃描線重疊。
[0042]在本發(fā)明的液晶顯示面板中，第一像素電極區(qū)域為分支像素電極區(qū)域，所述第二像素電極區(qū)域為主干像素電極區(qū)域，所述主干像素電極區(qū)域包括:多條主干電極。
[0043]在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述主干像素電極區(qū)域包括:第一主干電極和第二主干電極，所述第一主干電極和所述第二主干電極相交形成一個相交區(qū)域；
[0044]所述存儲電容位于所述相交區(qū)域的正下方，與所述相交區(qū)域重疊。
[0045]本發(fā)明的實施例提供了一種陣列基板和液晶顯示面板，通過改變像素單元中存儲電容位置以及延長像素電極，消除了掃描線與存儲電容之間的縫隙，從而省去了掃描線方向上的色阻重疊的區(qū)域，即凸起的圍墻結(jié)構(gòu)，進(jìn)而改善了液晶和PI的流動，提高了顯示效果以及降低了成本。
[0046]另外，本發(fā)明陣列基板中存儲電容位于透光率低的第二像素電極區(qū)域下方，可以避免存儲電容占用透光面積，提高液晶顯示面板的開口率。
【【附圖說明】】
[0047]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的俯視圖；
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