電子照相感光構(gòu)件及其制造方法、處理盒和電子照相設(shè)備以及酞菁晶體及其生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件及其制造方法、各自包括該電子照相感光構(gòu)件的處 理盒和電子照相設(shè)備以及酞菁晶體及其生產(chǎn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 要求要用于電子照相設(shè)備如復(fù)印機(jī)或激光束打印機(jī)中的電子照相感光構(gòu)件對圖 像曝光光具有充分的感光度。已知各自用作電子照相感光構(gòu)件用電荷產(chǎn)生材料的偶氮顏料 和酞菁顏料對在寬范圍內(nèi)具有波長的光表現(xiàn)出高的感光度。
[0003] 此外，近年來，存在對增加以彩色化（colorization)為代表的圖像品質(zhì)的要求。 由于彩色化，照片中發(fā)現(xiàn)的半色調(diào)圖像和實心圖像的數(shù)目增加，并且其圖像品質(zhì)從未停止 改進(jìn)。在彩色打印機(jī)和彩色復(fù)印機(jī)的情況下，相對于所謂的正重影圖像等的可接受的范圍 與黑白打印機(jī)和黑白復(fù)印機(jī)的可接受的范圍相比變得相當(dāng)窄。正重影圖像指其中在下一旋 轉(zhuǎn)中在半色調(diào)圖像中僅用光照射的一個圖像的部分的濃度變高的現(xiàn)象。認(rèn)為重影圖像由如 下所引起。將作為從電子照相感光構(gòu)件中使用的電荷產(chǎn)生材料產(chǎn)生的一個載流子的空穴注 入電荷輸送層，并且之后電子易于殘留在電荷產(chǎn)生層中以用作存儲器。
[0004] 日本專利申請?zhí)亻_No. H07-331107公開具有含有選自具有酰胺基的化合物、具有 亞砜基的化合物和有機(jī)胺的至少一種極性有機(jī)溶劑的特征的羥基鎵酞菁晶體。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 作為由本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行的研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)日本專利申請?zhí)亻_ No. H07-331107中公開的羥基鎵酞菁晶體并未解決上述問題。
[0006] 本發(fā)明的目的在于提供能夠輸出抑制正重影圖像的圖像的電子照相感光構(gòu)件及 其制造方法。此外，本發(fā)明的另一目的在于提供包括所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電 子照相設(shè)備。
[0007] 此外，本發(fā)明的另一目的在于提供其中包含特定的酰胺化合物的酞菁晶體及其生 產(chǎn)方法。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供電子照相感光構(gòu)件，所述電子照相感光構(gòu)件包 括支承體和在支承體上形成的感光層。感光層包括在晶體內(nèi)含有由下式（1)表示的化合物 的酞菁晶體：
[0009]
[0010] 式（1)中，X表示乙烯基或丙基。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供處理盒，所述處理盒包括：上述電子照相感光構(gòu) 件；和選自由充電單元、顯影單元和清潔單元組成的組的至少一種單元。所述電子照相感光 構(gòu)件和至少一種單元被一體化地支承，并且所述處理盒可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主 體上。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供電子照相設(shè)備，所述電子照相設(shè)備包括：上述電 子照相感光構(gòu)件、充電單元、圖像曝光單元、顯影單元和轉(zhuǎn)印單元。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供在晶體內(nèi)含有由下式（1)表示的化合物的酞菁 晶體。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供生產(chǎn)其中包含特定的酰胺化合物的酞菁晶體的 方法。所述方法包括通過將由式（1)表示的化合物添加至酞菁中進(jìn)行研磨處理由此進(jìn)行酞 菁的晶體變換的步驟。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供制造電子照相感光構(gòu)件的方法，所述電子照相 感光構(gòu)件包括支承體和在支承體上形成的感光層。所述方法包括以下步驟：通過上述生產(chǎn) 酞菁晶體的方法生產(chǎn)酞菁晶體；以及形成包含酞菁晶體的感光層用涂布液的涂膜，隨后干 燥所述涂膜以形成感光層。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可以提供抑制正重影圖像的電子照相感光構(gòu)件及其制造 方法，以及包括該電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0017] 還可以提供其中包含特定的酰胺化合物的酞菁晶體及其生產(chǎn)方法。
[0018] 參考附圖，本發(fā)明的進(jìn)一步特征將從以下示例性實施方式的描述而變得明顯。
【附圖說明】
[0019] 圖1為示出包括含有本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的構(gòu) 造實例的不意圖。
[0020] 圖2為實施例1-1中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射光譜。
[0021] 圖3為實施例1-4中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射光譜。
[0022] 圖4示出用于重影圖像評價的重影評價用圖像。
[0023] 圖5為示出單點桂馬跳躍圖案的圖像的圖。
【具體實施方式】
[0024] 現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
[0025] 如上所述，本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件包括支承體和在支承體上形成的感光層。 此外，感光層包括在晶體內(nèi)中含有由下式（1)表示的化合物的酞菁晶體：
[0026]
[0027] 式（1)中，X表示乙烯基或丙基。
[0028] 作為形成其中含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶體的酞菁，例如，可以使用如 任何酞菁如無金屬酞菁或可以包含軸向配體的金屬酞菁，并且那些酞菁可以各自具有取 代基。其中，特別地，氧鈦酞菁和鎵酞菁具有優(yōu)異的感光度特性但是具有產(chǎn)生的光載流子 (photocarrier)易于殘留在感光層中導(dǎo)致正重影圖像等的問題。本發(fā)明有效地解決此問 題，因此那些酞菁是優(yōu)選的。
[0029] 鎵酞菁的例子為，在其分子中在鎵原子處具有作為軸向配體的鹵素原子、羥基或 烷氧基的鎵酞菁。在其酞菁環(huán)中具有取代基如鹵素原子的鎵酞菁也是允許的。
[0030] 此類鎵酞菁中，各自具有優(yōu)異的感光度的羥基鎵酞菁晶體、氯鎵酞菁晶體、溴鎵酞 菁晶體和碘鎵酞菁晶體是優(yōu)選的。其中，羥基鎵酞菁晶體是特別優(yōu)選的。羥基鎵酞菁晶體 中，鎵原子具有羥基作為軸向配體。氯鎵酞菁晶體中，鎵原子具有氯原子作為軸向配體。溴 鎵酞菁晶體中，鎵原子具有溴原子作為軸向配體。碘鎵酞菁晶體中，鎵原子具有碘原子作為 軸向配體。
[0031] 此外，從抑制由于重影現(xiàn)象所導(dǎo)致的圖像缺陷的角度，在CuKa X射線衍射中在布 拉格角2 Θ ±0.2°為7. 4°和28. 3°處具有峰的羥基鎵酞菁晶體是更優(yōu)選的。
[0032] 從抑制正重影的角度，酞菁晶體中含有的由式（1)表示的化合物的含量優(yōu)選為 0. 01質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為0. 1質(zhì)量％以上且1. 9質(zhì)量％以下。
[0033] 其中含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶體指在晶體中引入由式（1)表示的化合 物。
[0034] 當(dāng)在酞菁晶體引入由式（1)表示的化合物時，電荷俘獲點通過化合物的分子內(nèi)的 極性而抵消。由此，認(rèn)為本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中重影被抑制。
[0035] 描述生產(chǎn)其中含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶體的方法。
[0036] 其中含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶體為通過將所述由式（1)表示的化合物 添加至酞菁中進(jìn)行研磨處理而進(jìn)行酞菁晶體的晶體變換的晶體變換步驟而獲得。優(yōu)選研磨 處理中使用的酞菁為通過酸溶法獲得的酞菁。
[0037] 晶體變換步驟中進(jìn)行的研磨處理指通過使用研磨設(shè)備如砂磨機(jī)或球磨機(jī)與分散 劑如玻璃珠、鋼珠和氧化鋁球一起進(jìn)行的處理。研磨處理中要添加的由式（1)表示的化合 物的量基于質(zhì)量優(yōu)選為酞菁的量的5~30倍。
[0038] 本發(fā)明中，本發(fā)明的鎵酞菁晶體其中是否含有由式（1)表示的化合物通過對得到 的鎵酞菁晶體的 1H-NMR測量分析數(shù)據(jù)而確定。
[0039] 本發(fā)明中，酞菁晶體的X射線衍射和1H-NMR測量在以下條件下進(jìn)行。
[0040] [粉末X射線衍射測量]
[0041 ] 使用的測量設(shè)備：由Rigaku Corporation制造的X射線衍射儀（商品名： RINT-TTRII)
[0042] X射線管球：Cu
[0043] 管電壓：50KV
[0044] 管電流：300mA
[0045] 掃描方法：2Θ/Θ掃描
[0046] 掃描速度：4. 0° /分鐘
[0047] 取樣間隔：0.02°
[0048] 起始角度（2 Θ) :5. 0°
[0049] 終止角度（2 Θ) :40.0。
[0050] 附件：標(biāo)準(zhǔn)試樣支架
[0051] 濾光器：未使用
[0052] 入射單色（Incident monochrome):使用
[0053] 計數(shù)器單色器：未使用
[0054] 發(fā)散狹縫：打開
[0055] 發(fā)散縱向限制狹縫：10.0 Omm
[0056] 散射狹縫：打開
[0057] 光接收狹縫：打開
[0058] 平板單色器：使用
[0059] 計數(shù)器：閃爍計數(shù)器
[0060] [1H-NMR 測量]
[0061] 使用的測量設(shè)備：商品名：AVANCE III 500,由BRUKER制造
[0062]