電子照相感光體、處理盒以及成像裝置的制造方法
【專利摘要】一種電子照相感光體，包括單層型感光層，其包含粘結(jié)劑樹脂；電荷產(chǎn)生材料；空穴傳輸材料；由下式(1)表示的第一電子傳輸材料以及由下式(2)表示的第二電子傳輸材料， 其中X1表示氧原子或＝C(CN)2；R11至R17各自獨立地表示氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；R18表示烷基、-L111-O-R112、芳基或芳烷基；條件是L111表示亞烷基，并且R112表示烷基， 其中X2表示氧原子或＝C(CN)2；R21至R27各自獨立地表示氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；并且R28表示具有4至20個碳原子的亞烷基等。本發(fā)明還提供了包括所述電子照相感光體的處理盒以及成像裝置。
【專利說明】
電子照相感光體、處理盒以及成像裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種電子照相感光體、處理盒以及成像裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 專利文獻1公開了一種電子照相感光體，包括位于導(dǎo)電性基體之上的感光層，所 述感光層包含由特定化學式表示的聯(lián)苯醌類化合物。
[0003] 專利文獻2公開了一種由特定化學式表示的萘二羧酸酰亞胺化合物，并且專利文 獻3公開了一種由特定化學式表示的萘四羧酸二酰亞胺化合物。
[0004] 專利文獻4公開了一種電子照相感光體，其是通過在導(dǎo)電性基體上提供至少一層 感光層而形成的，其中所述感光層包含由特定化學式表示的芴化合物。
[0005] 專利文獻5中公開了一種光導(dǎo)攝像部件，包括支承基體以及位于所述支承基體上 的一個單層，其中，所述單層含有光產(chǎn)生組分、電荷傳輸組分、電子傳輸組分以及粘結(jié)劑的 混合物，所述電子傳輸組分含有由特定式表示的（4-羰基-9-亞芴基）丙二腈的2-乙基己 醇衍生物。
[0006] 專利文獻6公開了一種電子照相感光體，包括單層型感光層，包含至少一種樹脂 粘結(jié)劑、電荷產(chǎn)生物質(zhì)、空穴迀移物質(zhì)和電子傳輸物質(zhì)，其直接位于導(dǎo)電性基體上或通過底 涂層位于導(dǎo)電性基體上，其中所述感光層含有聯(lián)苯衍生物。
[0007] 專利文獻7中公開了一種帶正電荷的單層型電子照相感光體，包括形成在導(dǎo)電性 基體上的感光層，其中所述感光層含有酞菁類化合物作為電荷產(chǎn)生劑、由特定化學式表示 的至少一種電子傳輸劑以及由特定化學式表示的三聯(lián)苯化合物。
[0008] 專利文獻8公開了一種電子照相感光體，其是通過在導(dǎo)電性基體上提供至少一層 感光層而形成的，其中所述感光層包含由特定化學式表示的芴化合物。
[0009] 專利文獻9公開了一種設(shè)置有位于導(dǎo)電性基體上的感光層的電子照相感光體，所 述感光層包含由特定化學式表示的萘醌衍生物。
[0010] [專利文獻 1] JP-A-〇4_28567〇
[0011] [專利文獻 2]JP-A-05-25136
[0012] [專利文獻 3]JP-A-05-25174
[0013] [專利文獻 4] JP-A-09-43876
[0014] [專利文獻 5] JP-A-2005-215677
[0015] [專利文獻 6] JP-A-2000-314969
[0016] [專利文獻 7] JP-A-2001-242656
[0017] [專利文獻 8]JP-A-09-265198
[0018] [專利文獻 9]JP-A-10_25l2〇6

【發(fā)明內(nèi)容】

[0019] 本發(fā)明的目的在于提供一種包括單層型感光層的電子照相感光體，其是帶正電荷 的有機感光體，其中，與在感光層僅包含由式（1)表示的電子傳輸材料作為電子傳輸材料 的情況相比，根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光體在感光層內(nèi)更難以發(fā)生形態(tài)變化。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種電子照相感光體，包括：
[0021] 導(dǎo)電性基體；以及
[0022] 設(shè)置在所述導(dǎo)電性基體上的單層型感光層，
[0023] 其中，所述感光層包括粘結(jié)劑樹脂；電荷產(chǎn)生材料；空穴傳輸材料；由下式（1)表 不的第一電子傳輸材料以及由下式（2)表不的第二電子傳輸材料，
[0024]
[0025] 其中X1表示氧原子或=C(CN) 2;Rn、R12、R13、R14、R 15、R16和R17各自獨立地表示氫 原子、鹵原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；R 18表示烷基、-Lm-0-R112、芳基或芳烷基；條件 是L 111表不亞烷基，并且R 112表不烷基，
[0027] 其中X2表示氧原子或=C(CN) 2;1?21、1?22、1?23、1? 24、1?25、1?26和1?27各自獨立地表示氫原 子、鹵原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；并且R 28表示具有4至20個碳原子的亞烷基或-(L221-0-L221)n-;條件是L 221各自獨立地表示具有1至4個碳原子的亞烷基，并且n表示1至 10的整數(shù)。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，式（1)中的R18是 被烷基或烷氧基取代的芳基。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，式（2)中的R28是 具有6至12個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，式（2)中的R28是 由-(L 221-0-L221)n-表示的基團，L221各自是具有1至4個碳原子的亞烷基，并且n是1至5 的整數(shù)。
[0031] 根據(jù)本發(fā)明的第五方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，式（1)中的X1、 R 11、R12、R13、R14、R15、儼和 R17分別與式（2)中的 X 2、R21、R22、R23、R24、R 25、R26和 R 27相同。
[0032] 根據(jù)本發(fā)明的第六方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，就所述感光層中 的固形物含量的比例而言，所述感光層中的由式（1)表示的第一電子傳輸材料的量在1重 量％至25重量％的范圍內(nèi)。
[0033] 根據(jù)本發(fā)明的第七方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，就所述感光層中 的固形物含量的比例而言，所述感光層中的由式（2)表示的第二電子傳輸材料的量在1重 量％至25重量％的范圍內(nèi)。
[0034] 根據(jù)本發(fā)明的第八方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，就所述感光層中 的固形物含量的比例而言，在整個所述感光層中的由式（1)表示的第一電子傳輸材料的量 在1重量％至25重量％的范圍內(nèi)，并且就所述感光層中的固形物含量的比例而言，在整個 所述感光層中的由式（2)表示的第二電子傳輸材料的量在1重量％至25重量％的范圍內(nèi)。
[0035] 根據(jù)本發(fā)明的第九方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，就所述感光層中 的固形物含量的比例而言，在所述感光層中全部電子傳輸材料的量在2重量％至30重量％ 的范圍內(nèi)。
[0036] 根據(jù)本發(fā)明的第十方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，在所述感光層中， 按重量比計算，所述第一電子傳輸材料與所述第二電子傳輸材料的含量比（所述第一電子 傳輸材料/所述第二電子傳輸材料）在1/10至10/1的范圍內(nèi)。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，在所述感光層 中，按重量比計算，所述第一電子傳輸材料與所述第二電子傳輸材料的含量比（所述第一 電子傳輸材料/所述第二電子傳輸材料）在1/4至5/1的范圍內(nèi)。
[0038] 根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，在所述感光層 中，按重量比計算，所述第一電子傳輸材料與所述第二電子傳輸材料的含量比（所述第一 電子傳輸材料/所述第二電子傳輸材料）在3/7至7/3的范圍內(nèi)。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明第十三方面，提供了一種處理盒，包括：
[0040] 根據(jù)第一至第十二方面中任一方面所述的電子照相感光體，
[0041] 其中，所述處理盒能夠從成像裝置上拆卸下來。
[0042] 根據(jù)本發(fā)明第十四方面，提供了一種成像裝置，包括
[0043] 根據(jù)第一至第十二方面中任一方面所述的電子照相感光體；
[0044] 充電單元，其對所述電子照相感光體的表面充電；
[0045] 靜電潛像形成單元，其在已充電的電子照相感光體的表面上形成靜電潛像；
[0046] 顯影單元，其利用包含調(diào)色劑的顯影劑將形成于所述電子照相感光體的表面上的 靜電潛像顯影，以形成調(diào)色劑圖像；以及
[0047] 轉(zhuǎn)印單元，其將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)的表面上。
[0048] 根據(jù)本發(fā)明第一至第十五方面中的任一方面，提供了一種包括單層型感光層的電 子照相感光體，其是帶正電荷的有機感光體，其中，與在感光層中僅包含由式（1)表示的電 子傳輸材料作為電子傳輸材料的情況相比，根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光體在感光層中更難 以發(fā)生形態(tài)變化。
[0049] 根據(jù)本發(fā)明第六至第九方面中的任一方面，提供了一種包括單層型感光層的電子 照相感光體，其是帶正電荷的有機感光體，其中，與在感光層中僅包含由式（1)表示的第一 電子傳輸材料作為電子傳輸材料或者僅包含由式（2)表不的第一電子傳輸材料作為電子 傳輸材料的情況相比，根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光體可以獲得更佳的電學特性，并能防止 在圖像上形成霧化或黑點。
[0050] 根據(jù)本發(fā)明第十至第十二方面中的任一方面，提供了一種電子照相感光體，其中， 與由式（1)表示的第一電子傳輸材料和由式（2)表示的第二電子傳輸材料的含量比（第一 電子傳輸材料/第二電子傳輸材料）超出10/1 (按重量計）相比，根據(jù)本發(fā)明的電子照相 感光體在感光層內(nèi)更難以發(fā)生形態(tài)變化。
[0051] 根據(jù)本發(fā)明第十三或第十四方面，提供了一種處理盒或成像裝置，包括電子照相 感光體，其是帶正電荷的有機感光體，包括單層型感光層，其中與在感光層僅包含由式（1) 表不的電子傳輸材料作為電子傳輸材料的情況相比，根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光體在感光 層內(nèi)更難以發(fā)生形態(tài)變化。
【附圖說明】
[0052] 將基于以下附圖對本發(fā)明的示例性實施方案進行詳細說明，其中：
[0053] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的電子照相感光體的示意性部分截面圖；
[0054] 圖2是示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的成像裝置的構(gòu)造圖；
[0055] 圖3是示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的成像裝置的另一構(gòu)造圖；
[0056] 圖4是示出在合成例1中獲得的示例性化合物（2-23)的紅外吸收光譜圖；
[0057] 圖5是示出在合成例2中獲得的示例性化合物（2-7)的紅外吸收光譜圖；
[0058] 圖6是示出在合成例3中獲得的示例性化合物（2-19)的紅外吸收光譜圖；以及
[0059] 圖7是示出表示實施例1中得到的感光體中的感光層：!：含松弛量變化的差示掃描量 熱法的曲線圖。
【具體實施方式】
[0060] 以下將對本發(fā)明的示例性實施方案進行詳細說明。
[0061][電子照相感光體]
[0062] 根據(jù)本示例性實施方案的電子照相感光體（下文中，在某些情況中稱為"感光 體"）是帶正電荷的有機感光體，包括導(dǎo)電性基體和位于所述導(dǎo)電性基體上的單層型感光層 (下文中，在某些情況中稱為"單層型感光體"）。
[0063] 此外，單層型感光層（下文中，在某些情況中簡稱為"感光層"）包含粘結(jié)劑樹脂、 電荷產(chǎn)生材料、空穴傳輸材料、由式（1)表示的第一電子傳輸材料（下文中，在某些情況中 簡稱為"第一電子傳輸材料"），以及由下（2)表不的第二電子傳輸材料（下文中，在某些情 況中簡稱為"第二電子傳輸材料"）。
[0064] 此外，單層型感光層是指具有空穴傳輸特性和電子傳輸特性連同電荷產(chǎn)生能力的 感光層。
[0065] 在本不例性實施方案中，單層型感光層包括第一電子傳輸材料和第二電子傳輸材 料。因此，可以獲得這樣的感光體，其中，與在感光層僅包含第一電子傳輸材料作為電子傳 輸材料的情況相比，它在感光層更難以中發(fā)生形態(tài)變化。其原因并不清楚，但是據(jù)推測如 下。
[0066] 通常，芴酮衍生物（具有芴酮骨架的化合物）是一種優(yōu)異的電子傳輸材料，因為芴 酮衍生物具有高的電子迀移率和容易接收來自電荷產(chǎn)生材料（如酞菁化合物）的電子的特 性。然而，當在感光層中僅包含芴酮衍生物作為電子傳輸材料時，感光層中易于發(fā)生形態(tài)變 化。具體地說，當重復(fù)形成圖像時，存在這樣的情況，其中感光層中發(fā)生熱擴散等現(xiàn)象并且 芴酮衍生物在感光層中移動。當芴酮衍生物在感光層中移動時，存在這樣的情況，其中在感 光層的表面上產(chǎn)生裂縫，或由于芴酮衍生物的擴散或凝集，在生產(chǎn)感光體之后難以立即保 持電特性。由熱擴散等引起的芴酮衍生物在感光層中的移動被認為是由于芴衍生物的分子 量小而發(fā)生的。
[0067] 另一方面，例如，如由式（2)表示的化合物，通過使作為單體的芴酮衍生物進行二 聚而獲得的（芴酮衍生物的二聚體（具有芴酮骨架的化合物））化合物具有高的分子量。因 此，當在感光層中單獨包含芴酮衍生物的二聚體單獨作為電子傳輸材料時，在感光層中難 以發(fā)生熱擴散。然而，由于大多數(shù)芴酮衍生物的二聚體在樹脂中具有低的溶解度，在單獨使 用芴酮衍生物的二聚體的情況下，存在難以形成的情況。此外，即使當膜形成可行時，存在 這樣的情況，其中芴酮衍生物二聚體的晶體隨著時間析出，并且在感光層中發(fā)生形態(tài)變化。 [0068] 相反，在本不例性實施方案中，將由式（1)表不的第一電子傳輸材料是荷酮衍生 物的單體和由式（2)表示的第二電子傳輸材料（其為芴酮衍生物的二聚體）聯(lián)合用作電子 傳輸材料，由此，可以抑制由熱擴散引起的芴酮衍生物單體的移動。據(jù)認為這種現(xiàn)象發(fā)生的 原因如下：芴酮衍生物單體和芴酮衍生物二聚體的聯(lián)合使用使得芴酮衍生物二聚體表現(xiàn)出 錨定效果，由此，抑制了芴酮衍生物單體的移動。此外，據(jù)認為，由于使用芴酮衍生物的二聚 體提高了感光層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，并且改善了感光層的熱穩(wěn)定性，因此防止了熱擴散的 發(fā)生。另外，由于聯(lián)合使用了第一電子傳輸材料和第二電子傳輸材料，電子傳輸材料在樹脂 中的溶解度可被保持，因此可以形成這樣的感光層，其中在長時間段內(nèi)抑制析出現(xiàn)象。
[0069] 根據(jù)上文描述，據(jù)推測，在本示例性實施方案的電子照相感光體中，由于使用第一 電子傳輸材料和第二電子傳輸材料的協(xié)同效果，即使當重復(fù)形成圖像時，也能抑制在感光 層中電子傳輸材料的凝集或擴散，并且在感光層內(nèi)難以發(fā)生形態(tài)變化。
[0070] 此外，在第一電子傳輸材料和第二電子傳輸材料聯(lián)合使用的本不例性實施方案的 電子照相感光體中，即使當重復(fù)地形成圖像時，帶電持久性也是良好的，并且可以抑制在圖 像質(zhì)量方面產(chǎn)生缺陷（例如黑斑）。
[0071] 在下文中，將參照附圖對根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的電子照相感光體進行詳細 說明。
[0072] 圖1示意性地示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施方案的電子照相感光體10的一 部分的截面圖。
[0073] 在圖1中示出的電子照相感光體10包括導(dǎo)電性基體3,并且具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中 底涂層1和單層型感光層2依次設(shè)置在導(dǎo)電性基體上。
[0074] 另外，底涂層1是根據(jù)需要而設(shè)置的層。也就是說，單層型感光層2可以直接設(shè)置 在導(dǎo)電性基體3上，或通過底涂層1設(shè)置在導(dǎo)電性基體3上。
[0075] 另外，可以根據(jù)需要設(shè)置其他的層。具體而言，例如，可以根據(jù)需要，在單層型感光 層2上設(shè)置保護層。
[0076] (導(dǎo)電性基體）
[0077] 導(dǎo)電性基體的例子包括含有金屬（例如鋁、銅、鋅、鉻、鎳、鉬、釩、銦、金和鉑）及其 合金（例如不銹鋼）的金屬板、金屬鼓和金屬帶。另外，導(dǎo)電性基體的其它例子包括其上涂 布、沉積或?qū)訅河袑?dǎo)電性化合物（如導(dǎo)電性聚合物和氧化銦）、金屬（如鋁、鈀和金）或其合 金的紙、樹脂膜和帶。術(shù)語"導(dǎo)電性"是指體積電阻率小于l〇 13Qcm。
[0078] 當電子照相感光體用于激光打印機時，優(yōu)選使導(dǎo)電性基體的表面粗糙，以具有 0.04以!11至0.5以 111的中心線平均粗糙度〇^)以防止激光照射到其上時形成干擾條紋。此 外，當使用非相干光作為光源時，不特別需要使表面變得粗糙以防止干擾條紋，但能防止出 現(xiàn)由于導(dǎo)電性基體表面上的不平整所導(dǎo)致的缺陷，因此其適于實現(xiàn)較長的使用壽命。
[0079] 使表面粗糙化的方法的例子包括：濕式珩磨，其中研磨劑懸浮在水中并被吹到導(dǎo) 電性基體上；無心磨削，其中通過將導(dǎo)電性基體壓在旋轉(zhuǎn)磨石上而連續(xù)地研磨導(dǎo)電性基體； 和陽極氧化處理等。
[0080] 表面粗糙化方法的其他例子包括這樣的方法：其中，將分散有導(dǎo)電性或半導(dǎo)電性 顆粒的樹脂層形成在導(dǎo)電性基體的表面上形成層，從而由層中所分散的樹脂實現(xiàn)表面粗糙 化，而不需要將導(dǎo)電性基體的表面粗糙化。
[0081] 在通過陽極氧化進行的表面粗糙化處理中，將金屬（例如鋁）導(dǎo)電性基體用作陽 極以在電解液中將其陽極氧化，從而在導(dǎo)電性基體表面上形成氧化膜。電解液的例子包括 硫酸溶液和草酸溶液。然而，利用陽極氧化而形成的多孔陽極氧化膜由于其具有化學反應(yīng) 性，容易受到污染并且其電阻隨環(huán)境變化大。因此，優(yōu)選進行密封處理，其中對于多孔陽極 氧化膜來說，通過基于在加壓水蒸汽或沸水（其中可以添加鎳鹽等金屬鹽）中的水合反應(yīng) 的體積膨脹來將氧化物變?yōu)楦€(wěn)定的水合氧化物，從而進行將陽極氧化膜的細孔密封。
[0082] 陽極氧化膜的膜厚度優(yōu)選為0. 3 ym至15 ym。當陽極氧化膜的厚度在上述范圍內(nèi) 時，趨向于展現(xiàn)出對注入的屏障特性，并且由于重復(fù)使用而導(dǎo)致的殘余電勢的增加趨向于 被抑制。
[0083] 可以用酸性處理溶液或勃姆石處理對導(dǎo)電性基體進行處理。
[0084] 利用酸性處理溶液進行的處理按照如下方式進行。首先，制備包含磷酸、鉻酸和 氫氟酸的酸性處理溶液。酸性處理溶液中磷酸、鉻酸和氫氟酸的混合比（例如）為這樣的 比例：磷酸占10重量％至11重量％、鉻酸占3重量％至5重量％、氫氟酸占0. 5重量％至 2重量％。總的酸組分的濃度優(yōu)選為在13. 5重量％至18重量％的范圍內(nèi)。處理溫度（例 如）優(yōu)選為42°C至48°C。所述膜的膜厚度優(yōu)選為0.3ixm至15ixm。
[0085] 通過將基體浸入90°C至100°C的純水中5分鐘至60分鐘、或者通過使導(dǎo)電性基 體與90°C至120°C的加熱水蒸汽接觸5分鐘至60分鐘來進行勃姆石處理。所述膜的膜厚 度優(yōu)選為〇. lym至5ym?？梢酝ㄟ^使用膜溶解性較低的電解液（例如己二酸、硼酸、硼酸 鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽和檸檬酸鹽溶液）對膜進一步進 行陽極氧化處理。
[0086] 底涂層
[0087] 底涂層例如為包含無機顆粒和粘結(jié)劑樹脂的層。
[0088] 無機顆粒的例子包括粉末電阻率（體積電阻率）為102 Q cm至1011 Q cm的無機顆 粒。
[0089] 其中，作為具有上述電阻率值的無機顆粒，優(yōu)選金屬氧化物顆粒，例如氧化錫顆 粒、氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒和氧化鋯顆粒，特別優(yōu)選的是氧化鋅顆粒。
[0090] 通過BET法測定的無機顆粒的比表面積例如優(yōu)選為10m2/g以上。
[0091] 無機顆粒的體積平均粒徑例如優(yōu)選為50nm至2000nm(優(yōu)選60nm至lOOOnm)。
[0092] 基于粘合劑樹脂，無機顆粒的含量（例如）優(yōu)選為10重量％至80重量％，并且更 優(yōu)選為40重量％至80重量％。
[0093] 無機顆粒可以為經(jīng)過表面處理的無機顆粒?？梢越M合使用兩種或多種經(jīng)過不同的 表面處理或者具有不同粒徑的無機顆粒。
[0094] 表面處理劑的例子包括硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁偶聯(lián)劑和表面活性劑。特別 地，優(yōu)選使用硅烷偶聯(lián)劑，更優(yōu)選使用具有氨基的硅烷偶聯(lián)劑。
[0095] 具有氨基的硅烷偶聯(lián)劑的例子包括但不限于3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2_(氨 基乙基）-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和 N，N-雙（2-羥乙基）-3-氨基丙基三乙氧基硅烷。
[0096] 這些硅烷偶聯(lián)劑可以以兩種或多種混合物的形式使用。例如，具有氨基的硅烷偶 聯(lián)劑和其它硅烷偶聯(lián)劑組合使用。其它硅烷偶聯(lián)劑的例子包括但不限于乙烯基三甲氧基硅 烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三（2-甲氧基乙氧基）硅烷、2_(3, 4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基三甲 氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲 氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨乙基）-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨 乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N，N-雙（2-羥乙基）-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和 3_氯丙基三甲氧基硅烷。
[0097] 使用表面處理劑的表面處理方法可以是任何一種已知的方法，并且可以是干法或 濕法中的任一種方法。
[0098] 基于無機顆粒，用于處理的表面處理劑的量優(yōu)選為（例如）0. 5重量％至10重 量％。
[0099] 此處，從電特性的長期穩(wěn)定性和載流子阻擋性（carrier blocking)的觀點出發(fā)， 底涂層中優(yōu)選地包含無機顆粒和受電子化合物（受體化合物）。
[0100] 受電子化合物的例子包括電子傳輸材料，例如醌類化合物，如四氯苯醌和四溴 苯醌；四氰基醌二甲烷化合物；芴酮類化合物，如2, 4, 7-三硝基芴酮和2, 4, 5, 7-四硝 基-9-芴酮；噁二唑類化合物，如2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基苯基）-1，3, 4-噁二唑、 2, 5-雙（4-萘基）_1，3, 4-噁二唑和2, 5-雙（4-二乙基氨基苯基）_1，3, 4-噁二唑；氧雜 蒽酮類化合物；噻吩類化合物；以及聯(lián)苯醌類化合物，如3, 3'，5, 5' -四叔丁基聯(lián)苯醌。
[0101] 特別地，作為受電子化合物，優(yōu)選具有蒽醌結(jié)構(gòu)的化合物。作為具有蒽醌結(jié)構(gòu)的受 電子化合物，優(yōu)選羥基蒽醌類化合物、氨基蒽醌類化合物、氨基羥基蒽醌類化合物等；具體 地，優(yōu)選蒽醌、茜素、醌茜、蒽絳酚和紅紫素等。
[0102] 受電子化合物可以與無機顆粒一起分散包含在底涂層中，或者可以以附著于無機 顆粒的表面的方式包含在底涂層中。
[0103] 在無機顆粒的表面上附著受電子化合物的方法的例子包括干法和濕法。
[0104] 所述干法為用于將受電子化合物附著在無機顆粒表面的方法，其中，在利用具有 較大剪切力的攪拌器等對無機顆粒進行攪拌的同時，將受電子化合物滴加至無機顆粒中， 或者將受電子化合物直接地或以其溶液形式與干燥空氣或氮氣一起噴至無機顆粒中，在所 述溶液中，受電子化合物溶解于有機溶劑。受電子化合物的添加或噴霧優(yōu)選在不高于所述 溶劑的沸點的溫度下進行。在受電子化合物的滴加或噴霧之后，可進一步地在100°c或更高 的溫度下對無機顆粒進行焙燒。焙燒可以在任何溫度和時間內(nèi)進行而沒有限制，由此可以 獲得所需要的電子照相特性。
[0105] 所述濕法為用于將受電子化合物附著在無機顆粒表面的方法，其中，通過攪拌、超 聲波、砂磨機、碾磨機、球磨機等方式將無機顆粒分散在溶劑中，然后加入受電子化合物，所 得混合物經(jīng)進一步攪拌或分散，然后除去溶劑。作為除去溶劑的方法，通過過濾或蒸餾除去 溶劑。在除去溶劑之后，將所述顆粒進一步在100°c或更高的溫度下進行焙燒。焙燒可以在 任何溫度和時間內(nèi)進行而沒有限制，由此可以獲得所需要的電子照相特性。在濕法中，可以 在加入表面處理劑之前除去無機顆粒中所含的水分，除去水分的方法的例子包括在溶劑中 攪拌和加熱無機顆粒以除去水分的方法，或者與溶劑共沸去除的方法。
[0106] 另外，可以在用表面處理劑進行無機顆粒的表面處理之前或者之后進行受電子化 合物的附著，也可以在用表面處理劑進行無機顆粒表面處理的同時進行受電子化合物的附 著。
[0107] 基于無機顆粒，受電子化合物的含量優(yōu)選為（例如）0. 01重量％至20重量％，更 優(yōu)選為0.01重量％至10重量％。
[0108] 用于底涂層的粘結(jié)劑樹脂的例子包括已知的材料，例如，公知的聚合化合物，例如 縮醛樹脂（如聚乙烯醇縮丁醛）、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、酪素樹脂、聚酰胺樹脂、 纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、 聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機硅樹脂、有機 硅-醇酸樹脂、脲醛樹脂、酚樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧 樹脂；鋯螯合物化合物；鈦螯合物化合物；鋁螯合物化合物；鈦醇鹽化合物；有機鈦化合物； 以及硅烷偶聯(lián)劑。
[0109] 用于底涂層的粘結(jié)劑樹脂的其它例子包括具有電荷傳輸基團的電荷傳輸樹脂和 導(dǎo)電性樹脂（如聚苯胺）。
[0110] 其中，對于用于底涂層中的粘合劑樹脂，不溶于上層的涂布溶劑的樹脂是適合的； 特別地，如下樹脂是適合的：熱固性樹脂，如脲樹脂、酚樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨 酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧樹脂；以及選自由聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹 月旨、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇樹脂以及聚乙烯醇縮醛樹脂所構(gòu)成的組中的至 少一者與固化劑反應(yīng)而得到的樹脂。
[0111] 當以兩種或多種組合的方式使用這些粘結(jié)劑樹脂的情況下，混合比例可適當?shù)卮_ 定。
[0112] 可以將不同的添加劑用于底涂層以改善電特性、環(huán)境穩(wěn)定性、或圖像品質(zhì)。
[0113] 添加劑的例子包括已知的材料，例如，多環(huán)縮合類和偶氮類電子傳輸顏料、鋯螯合 物化合物、鈦螯合物化合物、鋁螯合物化合物、鈦醇鹽化合物、有機鈦化合物和硅烷偶聯(lián)劑。 如上所述，硅烷偶聯(lián)劑用于無機顆粒的表面處理，其還可作為添加劑添加至底涂層中。
[0114] 作為添加劑的硅烷偶聯(lián)劑的例子包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙 基-三（2-甲氧基乙氧基）硅烷、2-(3, 4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧 基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三 乙氧基硅烷、N_2_(氛乙基）_3_氛基丙基二甲氧基硅烷、N_2_(氛乙基）_3_氛基丙基甲基 甲氧基硅烷、N，N-雙（2-羥乙基）-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。
[0115] 鋯螯合物化合物的例子包括丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁醇 鋯、乙酰乙酸乙酯丁醇鋯、醋酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、磷酸鋯、辛酸鋯、環(huán)烷酸鋯、十二酸鋯、硬 脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁醇鋯、硬脂酸丁醇鋯和異硬脂酸丁醇鋯。
[0116] 鈦螯合物化合物的例子包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、酞酸丁酯二聚體、四 (2-乙基己基）鈦酸酯、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、辛二醇酸鈦、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、乳酸 鈦乙基酯、三乙醇胺鈦和聚硬脂酸羥基鈦。
[0117] 鋁螯合物化合物的例子包括異丙醇鋁、二異丙醇單丁氧基鋁、丁酸鋁、二乙基乙酰 乙酸二異丙醇鋁和三（乙基乙酰乙酸）鋁。
[0118] 這些添加劑可以單獨使用，或作為多種化合物的混合物或縮聚物使用。
[0119] 底涂層的維氏硬度優(yōu)選為35以上。
[0120] 為了防止出現(xiàn)莫爾圖像（moire image)，將底涂層的表面粗糙度（十點不規(guī)則度） 調(diào)節(jié)為（lA4n)) A至（1/2) A的范圍內(nèi)，其中A表示用于曝光的激光波長，n表示上層的 折射率。
[0121] 為了調(diào)節(jié)表面粗糙度，可向底涂層中添加樹脂顆粒等。樹脂顆粒的例子包括有機 硅樹脂顆粒和交聯(lián)型聚甲基丙烯酸甲酯樹脂顆粒。此外，可對底涂層表面進行打磨以調(diào)節(jié) 表面粗糙度。打磨方法的例子包括擦光、噴砂處理、濕法珩磨和研磨處理。
[0122] 對底涂層的形成沒有特別的限制，可以使用已知的形成方法。但是，底涂層的形成 是通過（例如）將底涂層形成用涂布液形成涂膜、干燥所述涂膜以及根據(jù)需要進行加熱得 以實現(xiàn)，其中所述涂布液是通過將上述組分添加至溶劑而得到的。
[0123] 用于底涂層形成用涂布液的溶劑的例子包括已知的有機溶劑，例如醇溶劑、芳族 烴溶劑、鹵代烴溶劑、酮溶劑、酮醇溶劑、醚溶劑、和酯溶劑。
[0124] 這些溶劑的具體實例包括常規(guī)的有機溶劑，如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁 醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸正丁 酯、二氧六環(huán)、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。
[0125] 制備底涂層形成用涂布液時分散無機顆粒的方法包括已知的方法，例如輥磨機、 球磨機、振動式球磨機、碾磨機、砂磨機、膠體研磨機和涂料振動器等等。
[0126] 在導(dǎo)電性基體上涂布底涂層形成用涂布液的方法的例子包括常見方法，如刮涂 法、線棒涂布法、噴涂法、浸涂法、微珠涂布法、氣刀涂布法和簾涂法。
[0127] 優(yōu)選將底涂層的膜厚設(shè)定為（例如）15 ym以上的范圍內(nèi)，更優(yōu)選設(shè)定為20 ym至 50 u m〇
[0128] (中間層）
[0129] 盡管圖中未示出，然而還可在底涂層和感光層之間設(shè)置中間層。
[0130] 中間層為（例如）包含樹脂的層。用于中間層中的樹脂的例子包括聚合物，如縮 醛樹脂（例如，聚乙烯醇縮丁醛）、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪素樹脂、聚酰胺樹 月旨、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯 樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機硅樹脂、有機硅-醇酸 樹脂、苯酚-甲醛樹脂和三聚氰胺樹脂。
[0131] 中間層也可包含有機金屬化合物。用于中間層中的有機金屬化合物的例子包括含 有鋯、鈦、鋁、錳和硅等金屬原子的有機金屬化合物。
[0132] 用于中間層中的這些化合物可單獨使用，或者作為多種化合物的混合物或者縮聚 物使用。
[0133] 其中，中間層優(yōu)選包含含有鋯原子或硅原子的有機金屬化合物。
[0134] 對中間層的形成沒有特別的限制，可使用已知的形成方法。但是，中間層可通過如 下方式形成（例如）：由中間層形成用涂布液形成涂膜，將該涂膜干燥，隨后根據(jù)需要進行 加熱，其中該中間層形成用涂布液是通過將上述組分加入溶劑中而獲得的。
[0135] 對于形成中間層的涂布方法，可以使用常規(guī)方法，如浸涂法、擠出涂布法、線棒涂 布法、噴涂法、刮涂法、氣刀涂布法和簾涂法。
[0136] 優(yōu)選將中間層的膜厚設(shè)定為（例如）0. 1 ym至3 ym。此外，也可將中間層用作底 涂層。
[0137] _單層型感光層_
[0138] 本示例性實施方案的單層型感光層可包含粘合劑樹脂、電荷產(chǎn)生材料、空穴傳輸 材料、以及第一和第二電子傳輸材料，并且可以根據(jù)需要包含其它的添加劑。
[0139] _粘合劑樹脂_
[0140] 對粘合劑樹脂沒有特別地限定，其例子包括聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚芳酯樹 月旨、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醋酸 乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯_丙烯腈共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共 聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、有機硅樹脂、有機硅-醇酸樹脂、酚醛樹脂、 苯乙烯-醇酸樹脂、聚N-乙烯基咔唑和聚硅烷。這些粘合劑樹脂可以單獨使用、或者兩種 或更多種混合使用。
[0141] 這些粘合劑樹脂中，從防止電子傳輸材料分離的觀點考慮，特別優(yōu)選聚碳酸酯樹 脂和聚芳酯樹脂。
[0142] 另外，從感光層形成特性的觀點考慮，對于粘合劑樹脂，例如，優(yōu)選粘均分子量為 30, 000至80, 000的聚碳酸酯樹脂和粘均分子量為30, 000至80, 000的聚芳酯樹脂。
[0143] 另外，粘均分子量按照以下方法測量。具體地，將lg樹脂溶解于100cm3的二氯甲 烷中，采用烏氏粘度計在25°C的測量條件下測量比粘度nsp。另外，特性粘度（n) (cm3/g) 根據(jù)關(guān)系式n sp/c = ( n )+〇. 45( n )2C確定，其中C為濃度（g/cm3)。此外，粘均分子量Mv 按照H. Schnell給出的等式（n ) = 1. 23X 10 4Mvas3確定。同樣地，對于粘均分子量的測 定，例如，可采用單點測量法。
[0144] 基于感光層中總的固形物含量，粘合劑樹脂的含量為（例如）35重量％至60重 量％，優(yōu)選為40重量％至55重量％。
[0145] _電荷廣生材料_
[0146] 電荷產(chǎn)生材料的例子包括：偶氮顏料，如雙偶氮顏料和三偶氮顏料；稠合芳烴顏 料，如二溴蒽嵌蒽酮（dibromoanthanthrone)顏料；二萘嵌苯顏料；吡略并吡略顏料；酞菁 顏料；氧化鋅和三角硒。
[0147] 其中，為了對應(yīng)于近紅外區(qū)內(nèi)的激光曝光，優(yōu)選使用金屬酞菁顏料或不含金屬的 酞菁顏料作為電荷產(chǎn)生材料，并且特別地，更優(yōu)選的是羥鎵酞菁、氯鎵酞菁、二氯錫酞菁和 氧鈦酞菁。
[0148] 另一方面，為了對應(yīng)于近紫外線區(qū)域中的激光曝光，作為電荷產(chǎn)生材料，優(yōu)選稠合 環(huán)芳烴顏料，如二溴蒽締蒽酮；硫靛顏料；四氮雜卟啉化合物；氧化鋅；三角硒；雙偶氮顏 料;等等。
[0149] 即，作為電荷產(chǎn)生材料，對應(yīng)于使用具有380nm至500nm曝光波長的光源的情況， 優(yōu)選無機顏料；對應(yīng)于使用具有700nm至800nm曝光波長的光源的情況，優(yōu)選金屬酞菁顏料 或不含金屬的酞菁顏料。
[0150] 在本示例性實施方案中，作為電荷產(chǎn)生材料，優(yōu)選使用選自羥鎵酞菁顏料和氯鎵 酞菁顏料中的至少一種顏料。
[0151] 作為電荷產(chǎn)生材料，可以根據(jù)需要單獨或組合使用這些顏料。另外，作為電荷產(chǎn)生 材料，從感光體的高靈敏度和防止圖像產(chǎn)生點缺陷的觀點考慮，優(yōu)選羥鎵酞菁顏料。
[0152] 對羥鎵酞菁顏料沒有特別地限定，但是優(yōu)選V型羥鎵酞菁顏料。
[0153] 具體地，作為羥鎵酞菁顏料，例如，從賦予更優(yōu)良的分散性的觀點考慮，在600nm 至900nm波長區(qū)域的吸收光譜內(nèi)，最大峰波長在810nm至839nm范圍內(nèi)的輕鎵酞菁顏料是 優(yōu)選的。當使用羥鎵酞菁顏料作為用于電子照相感光體的材料時，易于獲得優(yōu)良的分散性、 足夠高的靈敏度、帶電性和暗衰減特性。
[0154] 此外，最大峰波長在810nm至839nm范圍內(nèi)的輕鎵酞菁顏料優(yōu)選地具有特定范圍 內(nèi)的平均粒徑和特定范圍內(nèi)的BET比表面積。具體來說，所述平均粒徑優(yōu)選為0. 20 y m以 下，并且更優(yōu)選為0.01 ym至0. 15 ym。另一方面，所述BET比表面積優(yōu)選為45m2/g以上， 更優(yōu)選為50m2/g以上，特別優(yōu)選為55m 2/g至120m2/g。平均粒徑為體積平均粒徑（平均粒 徑d50)，其值通過激光衍射散射粒度分布分析儀LA-700(Horiba公司制）測得。另外，采用 BET比表面積分析儀（FL0WS0RB 112300, Shimadzu公司制）按照氮氣置換法測得所述BET 比表面積的值。
[0155] 此處，在平均粒徑大于0. 20 y m或比表面積值小于45m2/g的情況下，在一些情況 下，顏料顆粒變粗大或形成顏料顆粒聚集體。另外，分散性、靈敏度、充電性和暗衰減特性等 性質(zhì)趨于劣化，在某些情況下導(dǎo)致圖像缺陷。
[0156] 羥鎵酞菁顏料的最大粒徑（一次粒徑的最大值）優(yōu)選為1.2iim以下，更優(yōu)選為 1. 0 ym以下，甚至更優(yōu)選為0? 3 ym以下。當最大粒徑超過上述范圍時，趨向于開多成黑點。
[0157] 從防止由于感光體曝光于熒光燈等所造成的密度不均勻的觀點考慮，優(yōu)選的是， 羥鎵酞菁顏料的平均粒徑為〇. 2 iim以下，最大粒徑為1. 2 iim以下，并且比表面積為45m2/ g以上。
[0158] 羥鎵酞菁顏料優(yōu)選為這樣的V型羥鎵酞菁顏料：在采用CuK a特征性X射線得到 的X射線衍射光譜中，所述顏料至少在布拉格角（2 0 ±0.2° )為7.3°、16.0°、24. 9°和 28.0°處具有衍射峰。
[0159] 另一方面，對氯鎵酞菁顏料沒有特別地限定，但是優(yōu)選地，在采用CuK a特征性X 射線得到的X射線衍射光譜中，所述顏料至少在布拉格角（2 0 ±0.2° )為7.4°、16. 6°、 25. 5°和28. 3°處具有衍射峰，由此使電子照相感光體材料獲得優(yōu)異的靈敏度。
[0160] 氯鎵酞菁顏料的合適光吸收光譜的最大峰波長、平均粒徑、最大粒徑和比表面積 的值與羥鎵酞菁顏料的相應(yīng)值相同。
[0161] 基于感光層中總的固形物含量，電荷產(chǎn)生材料的含量優(yōu)選為1重量％至5重量％， 更優(yōu)選為1. 2重量％至4. 5重量％。
[0162] _空穴傳輸材料_
[0163] 空穴傳輸材料的例子包括三芳基胺化合物、聯(lián)苯胺化合物、芳基烷烴化合物、芳基 取代乙烯化合物、芪化合物、蒽化合物以及腙化合物。這些電荷傳輸材料可以單獨使用或其 兩種或更多種組合使用，但并不限于此。
[0164] 從電荷迀移性的觀點考慮，空穴傳輸材料優(yōu)選為下式（B-1)所示的化合物、下式 (B-2)所示的化合物和下式（B-3)所示的化合物。
[0165]
[0166] 式（B-1)中，Ar_、Ar_和Ar _各自獨立地表示取代或未取代的芳 基、-C6H4-C(RB1° 4) = C(RB1°5) (RB1°6)或-C6H4-CH = CH-CH = C(RB1°7) (RB1°S)。RB1°4、RB1° 5、RB1°6、 Rb1°7和R B1°s各自獨立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、或取代或未取代的芳基。
[0167] 在各基團中的取代基的例子包括鹵原子、具有1-5個碳原子的烷基以及具有1-5 個碳原子的烷氧基。此外，各基團中取代基的例子還包括被具有1-3個碳原子的烷基取代 的取代氨基。
[0169] 式（B-2)中，RBS和RBS'可以相同或彼此不同，并且各自獨立地表示氫原子、鹵原子、 具有1至5個碳原子的烷基、或具有1至5個碳原子的烷氧基。儼、，'、儼°和1^1°'可以相 同或彼此不同，并且各自獨立地表示鹵原子、具有1至5個碳原子的烷基、具有1至5個碳原 子的烷氧基、被具有1或2個碳原子的烷基取代的取代氨基、取代或未取代的芳基、-C(R Bn) =C(Rb12) (Rb13)、或-CH = CH-CH = C(Rb14) (Rb15)，Rb11 至 Rb15各自獨立地表示氫原子、取代或 未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基。ml2、ml3、nl2和nl3各自獨立地表示0至2的 整數(shù)。
[0171] 式（B-3)中，RB16和RB16'可以相同或彼此不同，并且各自獨立地表示氫原子、鹵原 子、具有i至5個碳原子的烷基，或具有1至5個碳原子的烷氧基。R B1\ RB17'、RB1S和R 可以相同或彼此不同，并且各自獨立地表示鹵原子、具有1至5個碳原子的烷基、具有1至 5個碳原子的烷氧基、被具有1或2個碳原子的烷基取代的取代氨基、取代或未取代的芳 基、-C(R B19) = C(RB2°) (RB21)、或-CH = CH-CH = C(RB22) (RB23)，RB19至 RB23各自獨立地表示氫 原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基。ml4、ml5、nl4和nl5各自獨立地表 示0至2的整數(shù)。
[0172] 此處，在式（B-1)所示的化合物、式（B-2)所示的化合物和式（B-3)所示的化合物 中，特別優(yōu)選具有"_C 6H4CH = CH-CH = C(RB6) (RB7) "的式（B-1)表示的化合物和具有"-CH =CH-CH = C(RB14) (RB15) " 的式（B-2)表示的化合物。
[0173] 式（B-1)所示的化合物、式（B-2)所示的化合物和式（B-3)所示的化合物的具體 例子包括以下化合物。
[0174]
[0175] 基于感光層中總的固形物含量，空穴傳輸材料的含量優(yōu)選為10重量％至40重 量％，并且更優(yōu)選為20重量％至35重量％。此外，在使用多種類型的空穴傳輸材料的組合 的情況下，所述空穴傳輸材料的含量為全部空穴傳輸材料的含量。
[0176] _電子傳輸材料_
[0177] 在本示例性實施方案中的單層型感光層中，如上所述，由式（1)所示的第一電子 傳輸材料和由式（2)所示的第二電子傳輸材料二者可聯(lián)合用作電子傳輸材料。此外，只要 不影響功能，也可以根據(jù)需要聯(lián)合使用其他電子傳輸材料。
[0178]
[0179] 式⑴中，X1表示氧原子或=C(CN)2;R11、R 12、R13、R14、R15、R16和R 17各自獨立地表 示氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基。R18表示烷基、-L m-0-R112、芳基或芳烷基。 在該式中，L111表示亞烷基并且R 112表示烷基。
[0180] 由式（1)中R11、R12、R13、R 14、R15、R16或R 17表示的鹵原子的例子包括氟原子、氯原 子、溴原子、碘原子等等。其中優(yōu)選的是氟原子或氯原子，更優(yōu)選的是氯原子。
[0181] 由式（1)中1^、1?12、1?13、1?14、1? 15、1?16或1?17表示的烷基的例子包括具有1至20個碳 原子的直鏈或支鏈烷基。支鏈烷基的例子包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、 正庚基、正辛基、正壬基、正癸基，等等。
[0182] 支鏈烷基的例子包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異 己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔 壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基，等等。其中烷基的碳原子數(shù)更優(yōu)選在1至4的范圍內(nèi)，還更 優(yōu)選在1至3的范圍內(nèi)。
[0183] 由式⑴中R11、R12、R13、R 14、R15、R16或R 17表示的烷氧基的例子包括具有1至4個 碳原子的烷氧基（優(yōu)選1至3個碳原子）。其具體例子包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧 甘雄雄 ，寺寺〇
[0184] 由式⑴中的1^、1?12、1?13、1?14、1? 15、1?16或1?17表示的芳基可以具有或不具有取代基， 其例子包括取代或未取代的苯基。芳基中取代基的例子包括具有1至10個碳原子的芳基、 烷氧基、鹵原子，等等。芳基的具體例子包括苯基、甲基苯基（甲苯基）、二甲基苯基、乙基苯 甘雄雄 ，寺寺〇
[0185] 式⑴中R11、R12、R13、R 14、R15、R16或R17表示的芳烷基的例子包括由-R 113-Ar114表 示的基團。在這種情況中，R113表示亞烷基，Ar 114表示芳基。
[0186] R113表示的亞烷基的例子包括具有1至12個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，其具 體的例子包括亞甲基、亞乙基、正亞丙基、異亞丙基、正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基、叔亞丁 基、正亞戊基、異亞戊基、新異戊基、叔亞戊基，等等。從兼容性或溶解性的角度考慮，由R 113 表示的亞烷基中碳原子數(shù)優(yōu)選在1至10的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1至6的范圍內(nèi)。
[0187] 由Ar114表示的芳基的例子包括與式⑴中1^、1?12、1? 13、1?14、1?15、1?16或1?17所表示的 芳基相同的基團，芳基中的取代基也與1^、1? 12、1?13、1?14、1?15、1?16或1? 17所表示的芳基中的取代 基相同。
[0188] 由式（1)中的1^、1?12、1?13、1?14、1? 15、1?16或1?17表示的芳烷基的具體例子包括芐基、甲 基芐基N-甲基芐基N苯基乙基N甲基苯基乙基N苯基丙基N苯基丁基贅等等。
[0189] 由式（1)中R18表示的烷基的例子包括具有1至10個碳原子的直鏈烷基、具有3 至10個碳原子的支鏈烷基、具有3至8個碳原子的環(huán)烷基。
[0190] 直鏈烷基的例子包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛 基、正壬基、正癸基，等等。
[0191 ] 支鏈烷基的例子包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異 己基、仲己基、叔己基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔 癸基，等等。
[0192] 環(huán)烷基的例子包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基，等等。
[0193] 在由式⑴中R18表示的-Lm-0-R112所表示的基團中，-L 111表示亞烷基，并且R112 表不烷基。
[0194] 由L111表示的亞烷基的例子包括具有1至12個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，其例 子包括亞甲基、亞乙基、正亞丙基、異亞丙基、正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基、叔亞丁基、正 亞戊基、異亞戊基、新異戊基、叔亞戊基，等等。
[0195] 由R112表示的烷基的例子包括與由R n、R12、R13、R14、R15、R 16或R 17表示的烷基相同 的基團。
[0196] 由式（1)中的R18表示的芳基可以具有或不具有取代基，其例子包括取代或未取代 的苯基。芳基中取代基的例子包括具有1至10個碳原子的烷基、烷氧基、鹵原子，等等。
[0197] 此外，從溶解性的角度考慮，芳基優(yōu)選還被烷基或烷氧基取代。取代芳基的烷基或 烷氧基的例子包括與由R 11、R12、R13、R14、R15、R 16或R17表示的烷基或烷氧基相同的基團。被 烷基或烷氧基取代的芳基的例子包括甲基苯基（甲苯基）、二甲基苯基、乙基苯基、叔丁基 苯基（對叔丁基苯基等）、甲氧基苯基（對甲氧基苯基等）、乙氧基苯基，等等。
[0198] 由式（1)中R18表示的芳烷基的例子包括由-R 115-Ar116表示的基團。在這種情況 下，R115表示亞烷基，并且Ar 116表示芳基。
[0199] 由R115表示的亞烷基的例子包括具有1至12個碳原子的直鏈或支鏈的亞烷基，其 例子包括亞甲基、亞乙基、正亞丙基、異亞丙基、正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基、叔亞丁基、 正亞戊基、異亞戊基、新亞戊基、叔亞戊基，等等。
[0200] 由Ar116表不的芳基的例子包括苯基、甲基苯基、二甲基苯基、乙基苯基，等等。
[0201] 由式⑴中R18表示的芳烷基的具體例子包括芐基、甲基芐基、二甲基芐基、苯基乙 基、甲基苯基乙基、苯基丙基、苯基丁基，等等。
[0202] 以下將示出由式（1)表示的電子傳輸材料的示例性化合物，但并不限于此。此外， 以下示例性化合物的數(shù)字將例如以示例性化合物（1-數(shù)字）表示。具體而言，例如，示例性 化合物數(shù)字將表示如"示例性化合物（1-15) "。
[0203]


[0206] 示例性化合物中的縮寫如下所述。分別地，"Bu"表示丁基，"t-Bu"表示叔丁基， "Oct "表示辛基，"C1 "表示氯原子，"Me "表示甲基，"MeO"表示甲氧基，以及"Ph"表示苯基。
[0207]
[0208] 在式⑵中，X2表示氧原子或=C(CN) 2。1^2、1?23、1?24、1?25、1? 26和1?27各自獨立地 表不氣原子、齒原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基。R28表不具有4至20個碳原子的亞烷基 或-(L 221-0-L221)n-。在這種情況下，L221各自獨立地表示具有1至4個碳原子的亞烷基，n 表示1至10的整數(shù)。
[0209] 由式⑵中的儼、1?22、1?23、1?24、1? 25、1?26或1?27表示的鹵原子、烷基、烷氧基、芳基或芳 烷基與式⑴中1^、1? 12、1?13、1?14、1?15、1?16或1? 17的那些相同。
[0210] 由式⑵中的R28表示的具有4至20個碳原子的亞烷基的例子包括直鏈或支鏈 亞烷基。其例子包括正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基、叔亞丁基、正亞戊基、異亞戊基、新亞 戊基、叔亞戊基、正亞己基、正亞庚基、正亞辛基、正亞壬基、正亞癸基、正亞十一烷基、正亞 十二烷基，等等。此外，它們的例子包括亞十三烷基、亞十四烷基、亞十五烷基、亞十六烷基、 亞十八烷基、亞二十烷基，等等。其中，從樹脂中溶解性的角度考慮，優(yōu)選具有6至12個碳 原子的直鏈或支鏈亞烷基。
[0211] 在式⑵中R28所表示的_ (L221-0-L221)n-表示的基團中，L221各自獨立地表示具 有1至4個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，n表示1至10的整數(shù)。L 221的例子包括亞甲基、亞 乙基、正亞丙基、異亞丙基、正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基以及叔亞丁基。從樹脂中溶解性 的角度考慮，L 221優(yōu)選是亞甲基，n優(yōu)選是1至5的整數(shù)。
[0212] 以下將示出由式（1)表示的電子傳輸材料的示例性化合物，但并不限于此。此外， 以下示例性化合物的數(shù)字將例如以示例性化合物（2-數(shù)字）表示。具體而言，例如，示例性 化合物數(shù)字將表示如"示例性化合物（2-15) "。


[0216] 示例性化合物中的縮寫如下所述。分別地，"Bu"表示丁基，"t-Bu"表示叔丁基， "Oct "表示辛基，"C1 "表示氯原子，"Me "表示甲基，"MeO"表示甲氧基，以及"Ph"表示苯基。
[0217] 由式⑴表示的第一電子傳輸材料的X1、R11、R 12、R13、R14、R15、R16、和R 17以及由式 ⑵表示的第二電子傳輸材料中的X2、R21、R22、R 23、R24、R25、R26和R 27彼此相同或不同。
[0218] 在由式⑴表示的第一電子傳輸材料的X1、R11、R 12、R13、R14、R15、R1$PR 1g*S(2) 表示的第二電子傳輸材料中的X2、R21、R22、R 23、R24、R25、R26和R27彼此相同的情況中，第一電 子傳輸材料和第二電子傳輸材料的相容性提高，膜形成性質(zhì)改善，并且易于防止晶體析出。
[0219] 在該情況中，第一電子傳輸材料的X1優(yōu)選是=C(CN) 2，這是因為電子-傳輸特性 高，第二電子傳輸材料的X2優(yōu)選是氧原子，這是因為在樹脂中的溶解性是優(yōu)異的。從提高 電子傳輸能力和提高樹脂中的溶解性以及膜形成性質(zhì)的角度考慮，更優(yōu)選使用電子傳輸材 料的組合，其中第一電子傳輸材料的X 1是=C(CN) 2并且第二電子傳輸材料的X2是氧原子。 在該組合的情況中，易于防止感光層中發(fā)生形態(tài)變化。
[0220] 此外，取代第一電子傳輸材料的1^、1?12、1?13、1? 14、1?15、1?16和1?17以及第二電子傳輸材 料的R 21、R22、R23、R24、R25、R 26和R27的官能團可以在考慮樹脂中溶解性、晶體的析出、電子傳 輸能力等的情況下進行選擇。例如，當鹵原子（氯原子、氟原子等）被取代時，易于提高電 子傳輸材料的電子傳輸能力。此外，例如，當芳基被取代時，易于提高電子傳輸材料的電子 傳輸能力，而且，具有芳環(huán)（例如聚碳酸酯樹脂），易于提高電子傳輸材料在樹脂中的溶解 性。
[0221] 在整個感光層中，基于感光層中固形物含量的比例計算，由式（1)表示的第一電 子傳輸材料的量優(yōu)選在1重量％至25重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2重量％至10重量％的 范圍內(nèi)。此外，基于感光層中固形物含量的比例計算，由式（2)表示的第二電子傳輸材料的 量優(yōu)選在1重量％至25重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2重量％至10重量％的范圍內(nèi)。
[0222] 基于感光層的固形物含量的比例計算，總的電子傳輸材料在整個感光層中的量優(yōu) 選為在2重量％至30重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為在5重量％至20重量％的范圍內(nèi)。當電 子傳輸材料的含量在該范圍內(nèi)時，可以獲得良好的電特性，并且電子傳輸材料變得易于防 止在形成的圖像上形成霧化或黑點。
[0223] 此外，在使用下文描述的其他電子傳輸材料作為電子傳輸材料的情況中，相對于 全部電子傳輸材料，聯(lián)合使用的其他電子傳輸材料的量優(yōu)選為30重量％以下，更優(yōu)選為10 重量％以下。
[0224] 感光層中第一電子傳輸材料與第二電子傳輸材料的含量比（第一電子傳輸材料/ 第二電子傳輸材料）優(yōu)選在1/10至10/1范圍內(nèi)，按重量計。從進一步提高電特性或膜形 成性質(zhì)的角度考慮，所述含量比優(yōu)選在2/8至8/2的范圍內(nèi)，還更優(yōu)選在3/7至7/3的范圍 內(nèi)。特別是，在含量比在3/7至7/3范圍內(nèi)的情況中，發(fā)現(xiàn)電特性有進一步提高的趨勢。
[0225] 其它電子傳輸材料的例子包括電子傳輸化合物，例如除上述式（1)和式（2)所不 電子傳輸材料以外的芴酮衍生物；醌類化合物，如對苯醌、氯醌、溴醌和蒽醌；四氰基苯醌 二甲烷類化合物；芴酮類化合物，如2, 4, 7-三硝基芴酮；氧雜蒽酮類化合物；苯甲酮類的化 合物；氰基乙烯類化合物；和乙烯類化合物。這些其它電子傳輸材料可以單獨使用或其兩 種或更多種組合使用，但并不限于此。
[0226] 其他電子傳輸材料的具體實例包括以下化合物。
[0227]
[0228] 按重量比計，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的比值（空穴傳輸材料/電子傳輸材 料）優(yōu)選為在50/50至90/10的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為在60/40至80/20的范圍內(nèi)。
[0229] 此外，在組合使用其它電子傳輸材料的情況下，該比值中的"電子傳輸材料"是指 全部電子傳輸材料的總量。
[0230] _其它添加劑-
[0231] 單層型感光層可以包含其它已知的添加劑，如表面活性劑、抗氧化劑、光穩(wěn)定劑和 熱穩(wěn)定劑。此外，在單層型感光層相當于表面層的情況下，它可以含有含氟樹脂顆粒、硅油 等。
[0232] _單層型感光層的形成_
[0233] 單層型感光層是通過使用感光層形成用涂布液形成的，所述涂布液是通過在溶劑 中加入上述各組分形成的。
[0234] 所述溶劑的例子包括常規(guī)的有機溶劑，例如：芳族烴，如苯、甲苯、二甲苯和氯苯； 酮，如丙酮和2_ 丁酮；脂肪烴的鹵化物，如二氯甲烷、氯仿和二氯乙烷；以及環(huán)狀或直鏈醚， 如四氫呋喃和乙醚。這些溶劑可以單獨使用，或者兩種或多種組合使用。
[0235] 作為用于分散感光層形成用涂布液中的顆粒（例如，電荷產(chǎn)生材料）的方法，例 如，可以使用介質(zhì)分散機，如球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機和臥式砂磨機；或無介質(zhì) 分散機，如攪拌機、超聲波分散機、輥碎機和高壓均質(zhì)機。高壓均質(zhì)機的例子包括：碰撞系 統(tǒng)，其中通過使分散液在高壓下撞擊液體或機壁從而使得所述顆粒分散；和滲透系統(tǒng)，其中 通過使分散液在高壓下穿過微細流路從而使得所述顆粒分散。
[0236] 用于將感光層形成用涂布液涂布到底涂層上的方法的例子包括浸涂法、擠出涂布 法、線棒涂布法、噴涂法、刮涂法、氣刀涂布法和蒂簾涂布法。
[0237] 優(yōu)選地，將單層型感光層的膜厚設(shè)定為5ym至60 ym的范圍內(nèi)；更優(yōu)選地為5 y m 至50 y m，甚至更優(yōu)選地為10 y m至40 y m。
[0238] [成像裝置（和處理盒）]
[0239] 根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置設(shè)置有：電子照相感光體；充電單元，其為電 子照相感光體的表面充電；靜電潛像形成單元，其在充電后的電子照相感光體的表面上形 成靜電潛像；顯影單元，其通過含有調(diào)色劑的顯影劑使電子照相感光體表面上的靜電潛像 顯影，以形成調(diào)色劑圖像；以及轉(zhuǎn)印單元，其將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面上。此外， 將根據(jù)本示例性實施方案的電子照相感光體用作電子照相感光體。
[0240] 作為根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置，可以使用已知的成像裝置，所述已知成 像裝置包括：設(shè)置有包括定影單元的裝置的成像裝置，該定影單元將轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)的表 面上的調(diào)色劑圖像定影；設(shè)置有直接轉(zhuǎn)印式裝置的成像裝置，其中該直接轉(zhuǎn)印式裝置將形 成于電子照相感光體的表面上的調(diào)色劑圖像直接轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上；設(shè)置有中間轉(zhuǎn)印式裝 置的成像裝置，其中該中間轉(zhuǎn)印式裝置將形成于電子照相感光體的表面上的調(diào)色劑圖像一 次轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印部件的表面上，然后將已轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印部件的表面上的調(diào)色劑圖像二 次轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面上；設(shè)置有清潔單元的裝置的成像裝置，所述清潔單元用于在調(diào) 色劑圖像轉(zhuǎn)印之后、充電之前清潔電子照相感光體的表面；以及設(shè)置有除電單元的裝置的 成像裝置，所述除電單元用于在調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印之后、充電之前用除電光照射圖像保持部 件的表面以進行除電；以及設(shè)置有電子照相感光體加熱部件的裝置的成像裝置，該加熱部 件用于提高電子照相感光體的溫度，以降低相對溫度；等等。
[0241] 在中間轉(zhuǎn)印式裝置的情況下，應(yīng)用于轉(zhuǎn)印單元的構(gòu)造（例如）包括：中間轉(zhuǎn)印材 料，其表面上轉(zhuǎn)印有調(diào)色劑圖像；一次轉(zhuǎn)印單元，其用于將形成于圖像保持部件的表面上的 調(diào)色劑圖像一次轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印部件的表面上；以及二次轉(zhuǎn)印單元，其用于將轉(zhuǎn)印到中間 轉(zhuǎn)印部件的表面上的調(diào)色劑圖像二次轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面上。
[0242] 根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置為干式顯影型成像裝置和濕式顯影型成像裝 置（使用液體顯影劑的顯影類型）中的任意一種。
[0243] 而且，在根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置中，例如，設(shè)置有電子照相感光體的部 分是能夠從成像裝置上拆卸下來的盒結(jié)構(gòu)（處理盒）。作為處理盒，例如，優(yōu)選地使用包括 根據(jù)本示例性實施方案的電子照相感光體的處理盒。此外，除了電子照相感光體之外，處理 盒還可以包括（例如）選自由充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和轉(zhuǎn)印單元組成的組 中的至少一者。
[0244] 下文中示出了根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置的一個例子，但本發(fā)明并不限于 此。另外，對圖中所示的主要部分進行說明，省略了對其它部分的說明。
[0245] 圖2示出根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置的例子的示意性結(jié)構(gòu)圖。
[0246] 根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置100設(shè)有：圖2所示的設(shè)置有電子照相感光體 7的處理盒300、曝光裝置9 (靜電潛像形成單元的一個例子）、轉(zhuǎn)印裝置40 ( -次轉(zhuǎn)印裝 置）、以及中間轉(zhuǎn)印部件50。此外，成像裝置100中，曝光裝置9設(shè)置在可以通過處理盒300 中的開口而將光照射至電子照相感光體7的位置處，轉(zhuǎn)印裝置40設(shè)置在隔著中間轉(zhuǎn)印部 件50與電子照相感光體7相對的位置。中間轉(zhuǎn)印部件50設(shè)置為與電子照相感光體7部分 地接觸。此外，雖然圖中沒有顯示，但該裝置還包括將已轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印部件50上的調(diào)色 劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)（例如，紙）上的二次轉(zhuǎn)印裝置。另外，中間轉(zhuǎn)印部件50、轉(zhuǎn)印裝置 40 (-次轉(zhuǎn)印裝置）和二次轉(zhuǎn)印裝置（未示出）相當于轉(zhuǎn)印單元的例子。
[0247] 在外殼內(nèi)，圖2中的處理盒300 -體地支承著電子照相感光體7、充電裝置8 (充電 單元的一個例子）、顯影裝置11 (顯影單元的一個例子）和清潔裝置13 (清潔單元的一個例 子）。清潔裝置13具有清潔刮刀（清潔部件的一個例子）131，將該清潔刮刀131設(shè)置為與 電子照相感光體7的表面相接觸。此外，所述清潔部件不只體現(xiàn)為清潔刮刀131，也可以是 導(dǎo)電的或絕緣的纖維部件，該纖維部件可以單獨使用或與清潔刮刀131組合使用。
[0248] 此外，圖2示出作為具有纖維部件132 (輥狀）和纖維部件133 (平刷狀）的成像 裝置的例子，其中所述纖維部件132向用作成像裝置的電子照相感光體7的表面提供潤滑 劑14,纖維部件133輔助清潔；然而，這些部件可以根據(jù)需要設(shè)置。
[0249] 下文，對本示例性實施方案的成像裝置的各構(gòu)造進行說明。
[0250] -充電裝置-
[0251] 作為充電裝置8,例如，使用了利用導(dǎo)電性或半導(dǎo)電性充電輯、充電刷、充電膜、充 電橡膠刮片、充電管等的接觸型充電裝置。此外，還可以使用已知的充電裝置，如非接觸型 輥式充電裝置、以及分別利用電暈放電的柵格充電裝置和電暈器充電裝置等。
[0252] -曝光裝置-
[0253] 曝光裝置9可以是根據(jù)圖像數(shù)據(jù)使感光體7的表面曝光于射線的光學裝置，所述 射線為（例如）半導(dǎo)體激光射線、LED射線和液晶快門射線。光源的波長可以在電子照相感 光體的光譜敏感波長范圍內(nèi)。作為半導(dǎo)體激光的波長，主要是振蕩波長在780nm附近的近 紅外波長。然而，待使用的激光射線的波長不局限于這種波長，可以使用振蕩波長為600nm 的激光、或者作為藍色激光的具有400nm至450nm范圍內(nèi)的任意振蕩波長的激光。為了形 成彩色圖像，使用能夠獲得多波束輸出的平面發(fā)光型激光光源是有效的。
[0254] -顯影裝置-
[0255] 作為顯影裝置11，例如，可使用常用顯影裝置，其中顯影劑在顯影圖像時是接觸或 非接觸的。對這種顯影裝置11沒有特別限定，只要其具有上述功能即可，并且可根據(jù)預(yù)期 用途適當選擇。其例子包括已知的顯影裝置，其中利用刷或輥將單組份或雙組份顯影劑粘 附至電子照相感光體7上。其中，采用在其表面上保留顯影劑的顯影輥的顯影裝置是優(yōu)選 的。
[0256] 顯影裝置11中的顯影劑可以是僅由調(diào)色劑形成的單組份顯影劑或由調(diào)色劑和載 體形成的雙組份顯影劑。另外，所述顯影劑可以為磁性或非磁性的。作為顯影劑，可以使用 已知的顯影劑。
[0257] -清潔裝置-
[0258] 作為清潔裝置13,使用設(shè)有清潔刮刀131的清潔刮刀型裝置。
[0259] 此外，除了清潔刮刀型裝置，還可使用毛刷清潔型裝置、以及同時進行顯影和清潔 的裝置類型。
[0260] -轉(zhuǎn)印裝置-
[0261] 轉(zhuǎn)印裝置40的例子包括已知的轉(zhuǎn)印充電裝置，如使用帶、$昆、膜、橡膠刮片等的接 觸型轉(zhuǎn)印充電裝置、利用電暈放電的柵格轉(zhuǎn)印充電裝置和利用電暈放電的電暈管轉(zhuǎn)印充電 裝置。
[0262] _中間轉(zhuǎn)印部件_
[0263] 作為中間轉(zhuǎn)印部件50,使用由聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、多芳基化合物、 聚酯、橡膠等構(gòu)成的、并被賦予半導(dǎo)電性的帶式（中間轉(zhuǎn)印帶）。另外，除帶式以外，中間轉(zhuǎn) 印部件也可以呈鼓狀。
[0264] 圖3示出根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置的另一個例子的示意性結(jié)構(gòu)圖。
[0265] 圖3所示成像裝置120為配備有四個處理盒300的串聯(lián)式全色彩成像裝置。在成 像裝置120中，四個處理盒300互相平行地置于中間轉(zhuǎn)印部件50上，并且一個電子照相感 光體可以用于一種顏色。此外，除了為串聯(lián)式以外，成像裝置120具有與成像裝置100相同 的構(gòu)造。
[0266] 此外，根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置100并不僅限于這種構(gòu)造。例如，其可以 配置為在位于電子照相感光體7的外圍，在轉(zhuǎn)印裝置40的電子照相感光體7旋轉(zhuǎn)方向的下 游側(cè)、清潔裝置13的電子照相感光體旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)，可設(shè)置第一擦除裝置，其通過與 殘留調(diào)色劑的極性一致，從而借助于清潔刷更容易地進行清除；或者，在清潔裝置13的電 子照相感光體7旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)、充電裝置8的電子照相感光體7旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)，可 設(shè)置第二擦除裝置，其用于擦除電子照相感光體7的表面上的電荷。
[0267] 此外，根據(jù)本示例性實施方案的成像裝置100并不局限于上述構(gòu)造，可以使用具 有公知的構(gòu)造（例如直接轉(zhuǎn)印式）構(gòu)造的成像裝置，其中將形成于電子照相感光體7上的 調(diào)色劑圖像直接轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)上。
[0268] [實施例]
[0269] 下文，將利用實施例對本發(fā)明進行詳細地說明，但是本示例性實施方案并不表示 限于這些實施例。此外，在以下說明中，除非特別地另外指出，否則，"份"和" ％ "均是按重 量計。
[0270] [電子傳輸材料的合成]
[0271] 〈合成例1>
[0272] _合成具有芴酮骨架化合物的二聚體（示例性化合物（2-23)) _
[0273] 將15克9-芴酮-4-羧酸溶于50毫升N，N_二甲基乙酰胺，之后將9. 25克碳酸鉀 加至所得溶液中，將得到的混合物攪拌30分鐘。此后，加入9. 84克1，12-二溴十二烷，將 得到的混合物加熱，并在80°C下攪拌三小時。將反應(yīng)溶液傾入100ml的水中并將析出的晶 體過濾。
[0274] 將晶體溶于200毫升甲苯中，用水洗滌，然后，用硫酸鈉進行干燥，使之通過40g硅 膠，然后從甲苯中重結(jié)晶，由此得到17克目標化合物（2-23)。
[0275] 測量目標化合物（2-23)的熔點，結(jié)果是，熔點在100°C至101°C的范圍內(nèi)。紅外吸 收光譜示于圖4。
[0276]
[0277] 〈合成例2>
[0278] _合成具有芴酮骨架化合物的二聚體（示例性化合物（2-7))-
[0279] 10克在合成例1得到的二聚體溶解在100毫升乙酸乙酯/甲苯（1/1)的混合液 中，在室溫下加入4. 3克丙二腈和0. 3g哌啶，然后將所得到的混合物加熱并在50°C下攪拌 一小時。此外，加入100毫升甲苯，用水洗滌有機層，并使用硫酸鎂進行干燥。此后，通過使 混合物通過20克硅膠以進行處理，使晶體從甲苯/乙酸乙酯（3/1)的混合液中重結(jié)晶，由 此得到9. 9克目標化合物（2-7)。
[0280] 測量目標化合物（2-7)的熔點，結(jié)果是，熔點在148°C至152°C的范圍內(nèi)。紅外吸 收光譜示于圖5。
[0281]
[0282] 〈合成例3>
[0283] _合成具有芴酮骨架化合物的二聚體（示例性化合物（2-19)) _
[0284] 將2克1，8-辛二醇和3. 06克三甲胺溶解在20毫升二氯甲烷中進行15分鐘以得 到溶液，然后將50ml的7. 3克9-芴酮-4-羧酸氯化物的二氯甲烷溶液滴加到上述得到的 溶液中。將混合物攪拌一夜，將析出的晶體過濾，將依次用水和丙酮洗滌晶體，然后將晶體 從四氫呋喃中重結(jié)晶，由此得到3. 2克目標化合物（2-19)。
[0285] 測量目標化合物（2-19)的恪點，結(jié)果是，恪點在152°C至154°C的范圍內(nèi)。紅外吸 收光譜示于圖6。
[0286]
[0287] 〈實施例1>
[0288] 通過浸涂法，將用以下描述的步驟中制備的感光層形成用涂布液涂布到直徑為30 毫米、長度為340毫米且厚度為1毫米的鋁基體上，從而形成感光層，并將所述感光層在 135°C下干燥1小時，由此形成膜厚為24 ym的感光體1。
[0289] 〈實施例2至13以及比較例1和2>
[0290] 按照與實施例1相同的方式制備感光體2至13以及感光體C1和C2,不同之處在 于：在存在或不存在底涂層的情況下，用于感光層形成用涂布液的空穴傳輸材料的類型以 及第一電子傳輸材料和第二電子傳輸材料的類型和含量根據(jù)表1改變。
[0291] 此外，底涂層按以下所述的步驟形成于鋁基體上。
[0292] (感光層形成用涂布液的制備）
[0293] 將1.5重量份的羥鎵酞菁（在利用CuKa特征X射線的X射線衍射譜中，該羥鎵 酞菁至少在布拉格角（2 0 ±0. 2° )為7. 3°、16. 0°、24. 9°和28. 0°處具有衍射峰）和 1.5重量份的氯鎵酞菁（在利用CuKa特征X射線的X射線衍射譜中，該氯鎵酞菁至少在布 拉格角（2 0 ±0. 2° )為7. 4°、16. 6°、25. 5°和28. 3°處具有衍射峰）的混合物用作電 荷產(chǎn)生材料，將49重量份的聚碳酸酯Z樹脂作為粘合劑樹脂，并且利用直徑1mm巾的玻璃 珠將300重量份四氫呋喃在砂磨機中分散8個小時。
[0294] 32重量份具有以下結(jié)構(gòu)的空穴傳輸材料（HT-4)、作為第一電子傳輸材料的5重量 份的示例性化合物（1-4)，作為第二電子傳輸材料的5重量份的示例性化合物的（2-23)，以 及0.001重量份硅油KP340(由Shin-Etsu化學有限公司制造）加入到所得的分散液中，將 混合物攪拌一夜，由此得到感光層形成用涂布液。
[0295] (底涂層的形成）
[0296] 100份重量的氧化鋅（平均粒徑：70納米，由TAYCA制造，比表面積：15m2/g)與 500重量份四氫呋喃一同攪拌混合，并向其中加入1. 2重量份的硅烷偶聯(lián)劑（KBE502 :由 Shin-Etsu化學有限公司制造），接著攪拌2小時。隨后，在減壓下通過蒸餾將四氫呋喃蒸 餾除去，將所得各組分在120°C下焙燒3小時，由此得到經(jīng)硅烷偶合劑表面處理的氧化鋅。
[0297] 110重量份所得到的經(jīng)硅烷偶聯(lián)劑表面處理的氧化鋅與500重量份四氫呋喃一同 攪拌混合，并向其中加入通過使〇. 7重量份茜素溶于50重量份四氫呋喃而得到的溶液，接 著在50°C下攪拌4小時。隨后，通過減壓過濾分離附著有茜素的氧化鋅，并在減壓下65°C 下干燥，從而獲得附著有茜素的氧化鋅。
[0298] 將60重量份附著有茜素的氧化鋅、13. 5重量份固化劑（封閉型異氰酸酯 SUMIDUR3175,由Sumitomo Bayer Urethane株式會社制造）以及15重量份丁醛樹脂（S-LEC BM-1，由Sekisui Chemical制造）溶于85重量份甲乙酮中從而制備溶液，將38重量份該 溶液與50重量份甲乙酮一起混合，利用直徑為1mm巾玻璃珠在砂磨機中將混合物分散2小 時30分鐘，由此獲得分散液。
[0299] 向所述分散液中加入作為催化劑的0. 005重量份二月桂酸二辛基錫和40重量份 有機娃樹脂顆粒（T0SPEARL145,由Momentive Performance Materials制造），由此得到底 涂層形成用涂布液。
[0300] 通過浸涂法，將所得涂布液涂布到直徑為30毫米、長度為340毫米且厚度為1毫 米的鋁基體上，在170°C下進行干燥并固化40分鐘，從而獲得厚度為4 ym的底涂層。
[0301]
[0302] 此外，表1中的縮寫詳情如下所述。
[0303] _空穴傳輸材料_
[0304] ? HT-1 :由式（B-2)表示的化合物的示例性化合物（HT-1)
[0305] ? HT-2 :由式（B-1)表示的化合物的示例性化合物（HT-2)
[0306] ? HT-4 :由式（B-1)表示的化合物的示例性化合物（HT-4)
[0307] ? HT-12 :由式（B-1)表示的化合物的示例性化合物（HT-12)
[0308] _電子傳輸材料_
[0309] ?第一 ETM :由式⑴表不的第一電子傳輸材料
[0310] ?第二ETM :由式⑵表不的第二電子傳輸材料
[0311] ? 2-7 :在合成例2獲得的示例性化合物（2-7)
[0312] ? 2-19 :在合成例3獲得的示例性化合物（2-19)
[0313] ? 2-23 :在合成例1獲得的示例性化合物（2-23)
[0314] ? 2-13 :由式（2)表不的電子傳輸材料的不例性化合物（2-13)
[0315] ?第一 /第二：第一電子傳輸材料與第二電子傳輸材料的含量比（重量比）
[0316] (第一電子傳輸材料/第二電子傳輸材料）
[0317] 〈評價〉
[0318] 對所得的電子照相感光體進行以下評價，結(jié)果示于表2中。
[0319] _成膜特性評價_
[0320] 在氣溫為28 °C且濕度為85 %的環(huán)境中，將在各實施例中獲得的感光體儲存48小 時：目視觀察表面狀態(tài)。結(jié)果示于表2。
[0321] A :外觀整體良好，沒有任何問題。
[0322] B :觀察到由結(jié)晶作用或較差的相容性導(dǎo)致的不平坦（可接受的圖像品質(zhì)）
[0323] C :觀察到由晶體析出導(dǎo)致的明顯缺陷（不可接受的圖像品質(zhì)水平）
[0324] -帶電維持性評價-
[0325] 對成像裝置（由Brother Industries株式會社制造，HL-5440D)進行改裝使得將 外部電源連接至其上。在28°C室溫和85%濕度的環(huán)境下對該成像裝置充電至初始電荷電 位為700V，在10, 000次全黑色實心圖像打印后，對電荷電位的下降進行評價。結(jié)果示于表 2〇
[0326] A :電位下降40V以下，沒有問題。
[0327] B :電位下降范圍為高于40V至低于80V，這是可調(diào)節(jié)的范圍，沒有問題。
[0328] C :電位下降80V以上，這是不可調(diào)節(jié)的水平。
[0329] -黑點評價-
[0330] 將所獲得的電子照相感光體安裝在成像裝置（由Brother Industries株式會社 制造，HL-2240D)上，在28°C的室溫和85%室溫下打印10, 000次50%半色調(diào)圖像，利用以 下標準評價第10, 〇〇〇次圖像中直徑為〇. 3 ym以上的黑點。結(jié)果示于表2。
[0331] A :沒有形成黑點。
[0332] B :觀察到黑點，但圖像品質(zhì)沒有問題（5個黑點以下）。
[0333] C:形成了大量黑點，存在實用性問題（6個黑點以上）。
[0334] 表 2
[0335]
[0336] 根據(jù)以上結(jié)果，可以發(fā)現(xiàn)，與比較例相比，在本發(fā)明的實施例中，成膜特性和帶電 持久性是優(yōu)良的。此外，還發(fā)現(xiàn)，在本發(fā)明的實施例中，對于黑點的評價是良好的。
[0337] -焓松弛量-
[0338] 對實施例1所得的感光體1以及比較例1的感光體C1中感光層的焓松弛量的變 化進行評價。
[0339] 從按照與實施例1的感光體1完全相同的方式制備的感光體的感光層中切割出約 3毫克并用作樣品1。在黑點評價后，將實施例1的感光體1中的感光層切割出約3毫克并 用作樣品2。
[0340] 接著，使用差示掃描量熱儀DSC_6200(Seiko instruments制造）測量所謂的焓松 弛，其中溫度從室溫開始每分鐘升高10°c，玻璃化轉(zhuǎn)變信號變?yōu)槲鼰岱?。焓松弛峰是指在?圖（圖7)中由實線和虛線周圍部分的面積。獲得這兩個樣品的焓松弛之差。
[0341] 圖7示出了實施例1的感光體1在評價前后的焓松弛量變化的DSC曲線圖，利用 以下等式獲得焓松弛量的變化量。
[0342] 焓松弛量的變化量=(樣品2的焓松弛）_(樣品1的焓松弛）= 0. 533446-0. 314624 ^ 0. 22[mJ/mg],
[0343] 實施例5的感光體5以及比較例2的感光體C2的評價結(jié)果以相同的方式示于表 3〇
[0344] 表 3
[0345]
[0346] 根據(jù)上述結(jié)果，可以認為，與比較例1和2相比，在實施例1至5中，焓松弛量的變 化量較小，膜中殘留的應(yīng)變變化較小。因此，據(jù)發(fā)現(xiàn)，與比較例相比，本發(fā)明實施例中的感光 層內(nèi)不易發(fā)生形態(tài)變化，并且作為膜時感光體更穩(wěn)定。
[0347] 提供對本發(fā)明的示例性實施方案的上述描述是為了舉例和說明。并非旨在窮舉， 或?qū)⒈景l(fā)明限于所公開的具體形式。顯然對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，各種變型和修改將是顯而 易見的。選擇并描述這些實施方案為的是更好地說明本發(fā)明的原理和其實際應(yīng)用，從而使 得本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明的多種實施方案，并且其多種變型適用于所預(yù)期的特定用 途。本發(fā)明的范圍旨在通過所附權(quán)利要求及其等同形式限定。
【主權(quán)項】
1. 一種電子照相感光體，包括： 導(dǎo)電性基體；以及 設(shè)置在所述導(dǎo)電性基體上的單層型感光層， 其中，所述感光層包含粘結(jié)劑樹脂；電荷產(chǎn)生材料；空穴傳輸材料；由下式（1)表示的 第一電子傳輸材料以及由下式（2)表不的第二電子傳輸材料，其中乂1表示氧原子或=(：_)2;1?11、1?12、1? 13、1?14、1?15、1?16和1?17各自獨立地表示氫原子、 鹵原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；Ris表示烷基、-L m-0-R112、芳基或芳烷基；條件是Lm 表不亞烷基，并且R112表不烷基，其中乂2表示氧原子或=(：妳）2;1?21、1?22、1? 23、1?24、1?25、1?26和1?27各自獨立地表示氫原子、 鹵原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；并且R28表示具有4至20個碳原子的亞烷基或-(L221-O-L 221)n-;條件是L221各自獨立地表示具有1至4個碳原子的亞烷基，并且η表示1至 10的整數(shù)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，在式（1)中，Ris是被烷基或烷氧基取代的芳基。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，在式（2)中，R28是具有6至12個碳原子的直鏈或支鏈的亞烷基。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，在式（2)中，R28是由-(L221-O-L221)n-表示的基團，L 221各自獨立地是具有1至4 個碳原子的亞烷基，并且η是1至5的整數(shù)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，在式（1)中的乂1、1?11、1?12、1?13、1? 14、1?15、1?16和1?17分別與式（2)中的父 2、1?21、1?22、1?23、 R24、R25、R26和 R 27相同。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，就所述感光層中的固形物含量的比例而言，所述感光層中的由式（1)表示的所 述第一電子傳輸材料的量在1重量％至25重量％的范圍內(nèi)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，就所述感光層中的固形物含量的比例而言，所述感光層中的由式（2)表示的所 述第二電子傳輸材料的量在1重量％至25重量％的范圍內(nèi)。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，就所述感光層中的固形物含量的比例而言，在整個所述感光層中的由式（1)表 示的所述第一電子傳輸材料的量在1重量％至25重量％的范圍內(nèi)，并且就所述感光層中的 固形物含量的比例而言，在所述感光層中的由式（2)表示的所述第二電子傳輸材料的量在 1重量％至25重量％的范圍內(nèi)。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，就所述感光層中的固形物含量的比例而言，在所述感光層中的全部電子傳輸材 料的量在2重量％至30重量％的范圍內(nèi)。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，在所述感光層中，按重量比計算，所述第一電子傳輸材料與所述第二電子傳輸材 料的含量比（所述第一電子傳輸材料/所述第二電子傳輸材料）在1/10至10/1的范圍內(nèi)。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，在所述感光層中，按重量比計算，所述第一電子傳輸材料與所述第二電子傳輸材 料的含量比（所述第一電子傳輸材料/所述第二電子傳輸材料）在1/4至5/1的范圍內(nèi)。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光體， 其中，在所述感光層中，按重量比計算，所述第一電子傳輸材料與所述第二電子傳輸材 料的含量比（所述第一電子傳輸材料/所述第二電子傳輸材料）在3/7至7/3的范圍內(nèi)。13. -種處理盒，包括： 根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的電子照相感光體， 其中所述處理盒能夠從成像裝置上拆卸下來。14. 一種成像裝置，包括： 根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的電子照相感光體， 充電單元，其對所述電子照相感光體的表面充電； 靜電潛像形成單元，其在已充電的電子照相感光體的表面上形成靜電潛像； 顯影單元，其利用包含調(diào)色劑的顯影劑將形成于所述電子照相感光體的表面上的靜電 潛像顯影，以形成調(diào)色劑圖像；以及 轉(zhuǎn)印單元，其將所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)的表面上。
【文檔編號】G03G15/00GK105892244SQ201510570813
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年9月9日
【發(fā)明人】巖崎真宏
【申請人】富士施樂株式會社