電子照相感光構(gòu)件、處理盒、電子照相設(shè)備和酞菁晶體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、處理盒、電子照相設(shè)備和酞菁晶體。電子照相感光構(gòu)件的感光層包括酞菁晶體，在所述酞菁晶體中含有下式(1)表示的化合物。
【專利說明】電子照相感光構(gòu)件、處理盒、電子照相設(shè)備和酞菁晶體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、以及各自具有電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備，并且涉及酞菁晶體。
【背景技術(shù)】
[0002]由于通常用于電子照相感光構(gòu)件的圖像曝光裝置的半導(dǎo)體激光器具有650至820nm范圍的長(zhǎng)振蕩波長(zhǎng)，對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍的光具有高感光度的電子照相感光構(gòu)件目前處在開發(fā)階段。
[0003]酞菁顏料作為對(duì)這樣的長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍的光具有高感光度的電荷產(chǎn)生物質(zhì)是有效的。特別地，氧鈦酞菁和鎵酞菁具有優(yōu)良的感光性，且到目前為止已報(bào)道了各種晶形。
[0004]雖然使用酞菁顏料的電子照相感光構(gòu)件具有優(yōu)良的感光性，但是問題是產(chǎn)生的光載流子趨于殘留在感光層中充當(dāng)存儲(chǔ)器，容易導(dǎo)致電位變動(dòng)如重影。
[0005]日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_第2001-40237號(hào)公報(bào)中公布了在酸溶期間向酞菁顏料加入特定有機(jī)電子接受體具有增感效果。然而，該方法具有以下問題:添加劑(有機(jī)電子接受體)會(huì)導(dǎo)致化學(xué)變化和在某些情況下很難轉(zhuǎn)化成期望的晶形。
[0006]日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_第2006-72304號(hào)公報(bào)中公布了顏料和特定有機(jī)電子接受體的濕式粉碎處理使得同時(shí)晶體變換和晶體表面中有機(jī)電子接受體的引入，導(dǎo)致改善的電子照相性能。
[0007]日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_第H07-331107號(hào)公報(bào)中公布了包含極性有機(jī)溶劑的羥基鎵酞菁晶體。在使用變換溶劑如N，N- 二甲基甲酰胺的情況下，將極性有機(jī)溶劑引入至晶體，以便制造具有優(yōu)良感光性的晶體。
[0008]如上所述為改善電子照相感光構(gòu)件已進(jìn)行了各種嘗試。近年來，為進(jìn)一步改善高品質(zhì)圖像，期望防止各種環(huán)境中由于重影而導(dǎo)致的圖像劣化。根據(jù)日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_第2006-72304號(hào)公報(bào)的方法中，有機(jī)電子接受體以簡(jiǎn)單混合狀態(tài)或附著于表面而不充分包含于制得的酞菁晶體中。因此，有改善的必要。根據(jù)日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_H07-331107的方法中，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生的光載流子趨于殘留在感光層充當(dāng)存儲(chǔ)器，在某些情況下容易導(dǎo)致重影。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的是提供不僅在常溫常濕環(huán)境下而且甚至在低溫低濕環(huán)境尤其是嚴(yán)苛條件下可輸出具有減少的由于重影而導(dǎo)致的圖像缺陷的圖像的電子照相感光構(gòu)件。本發(fā)明的另外一個(gè)目的是提供各自具有所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0010]本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供包含特定的哌嗪化合物的酞菁晶體。
[0011]本發(fā)明提供電子照相感光構(gòu)件，其包含:支承體；和形成于支承體上的感光層；其中該感光層包括酞菁晶體，在所述酞菁晶體中含有下式(I)表示的化合物:
[0012]
【權(quán)利要求】
1.一種電子照相感光構(gòu)件，其包括:支承體；和形成于所述支承體上的感光層； 其中所述感光層包括酞菁晶體，在所述酞菁晶體中包含下式(I)表示的化合物:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中 式(I)中的R1至R4各自為氫原子(條件是R1和R2兩者不同時(shí)為氫原子)、甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基； 所述取代的烷基的取代基為烷氧基、嗎琳代烷氧基、~ 烷基氣基、烷氧基擬基、取代或未取代的芳基、芳氧基、雜環(huán)基、齒原子、氰1基或嗎琳代基； 所述取代的芳基的取代基為取代或未取代的烷基、烷氧基、~ 烷基氣基、烷氧基擬基、鹵原子、羥基、硝基、氰基、甲酰基或嗎啉代基；和 所述取代的雜環(huán)基的取代基為烷基、烷氧基、~ 烷基氣基、烷氧基擬基、齒原子、羥基、硝基、氰基、甲?；騿徇?。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中R3和R4各自為氫原子。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中R1至R4的至少之一為取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述取代或未取代的芳基為取代或未取代的苯基，且所述取代的苯基的取代基為取代或未取代的烷基、烷氧基、~ 烷基氣基、烷氧基羰基、鹵原子、羥基、硝基、氰基、甲?；騿徇?。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述取代或未取代的雜環(huán)基為取代或未取代的批卩定基，且所述取代的吡啶基的取代基為烷基、烷氧基、~ 烷基氣基、烷氧基擬基、鹵原子、羥基、硝基、氰基、甲酰基或嗎啉代基。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述取代的苯基的取代基和所述取代的批卩定基的取代基各自為齒原子、羥基、氛基、硝基、甲酸基、烷基或烷氧基。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中R1和R2的至少之一為取代或未取代的烷基。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述取代的烷基的取代基為鹵原子、二烷基氨基或苯基。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子照相感光構(gòu)件，其中R1和R2各自獨(dú)立地為甲基或乙基。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述酞菁晶體為鎵酞菁晶體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述鎵酞菁晶體為包含N，N-二甲基甲酰胺的鎵酞菁晶體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述鎵酞菁晶體為羥基鎵酞菁晶體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述羥基鎵酞菁晶體為在用CuKa放射線的X射線衍射中，在布拉格角2 Θ為7.4° ±0.3°和28.3° ±0.3°處具有峰的羥基鎵酞菁晶體。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中在所述酞菁晶體中所述式(I)表示的化合物的含量為0.1質(zhì)量％以上且3.0質(zhì)量％以下。
16.一種處理盒，其可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體，其中所述處理盒一體化地支承:根據(jù)權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件；和選自由充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置組成的組的至少一種裝置。
17.—種電子照相設(shè)備,其包含: 根據(jù)權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件；與 充電裝置、圖像曝光裝置、顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置。
18.一種酞菁晶體，在所述酞菁晶體中包含下式(I)表示的化合物:
【文檔編號(hào)】G03G5/06GK103869640SQ201310684345
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月14日
【發(fā)明者】田中正人 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社