一種液晶顯示面板及其陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶顯示面板及其陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]目前采用VA(Vertical Alignment，垂直配向)的液晶顯示器通常將像素分為主像素區(qū)域和子像素區(qū)域，并且子像素區(qū)域的像素電壓低于主像素單元的像素電壓，以使位于子像素區(qū)域的液晶的倒向與位于主像素區(qū)域的液晶的倒向不同，進(jìn)而改善大視角色偏。
[0003]為了使得子像素區(qū)域的像素電壓低于主像素單元的像素電壓，現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)每個(gè)像素均設(shè)置有一條共享掃描線(xiàn)，但是共享掃描線(xiàn)會(huì)占用像素的開(kāi)口率，進(jìn)而影響液晶顯示器的穿透率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板及其陣列基板，能夠減少共享掃描線(xiàn)占用的開(kāi)口率，提高像素的開(kāi)口率。
[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板，其包括基板、多條掃描線(xiàn)、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)以及多條共享掃描線(xiàn)，多條掃描線(xiàn)和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)相交設(shè)置在基板上，以形成多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括主像素單元和子像素單元，相鄰的兩個(gè)像素單元的子像素單元相鄰設(shè)置，相鄰的兩個(gè)子像素單元共用一條共享掃描線(xiàn)，共享掃描線(xiàn)用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)相鄰的兩個(gè)子像素單元。
[0006]其中，相鄰的兩個(gè)像素單元包括沿著數(shù)據(jù)線(xiàn)延伸方向相鄰設(shè)置的第N個(gè)像素單元和第N+1個(gè)像素單元，第N個(gè)像素單元包括第N個(gè)主像素單元、第N個(gè)子像素單元以及第N個(gè)分享電容，第N+1個(gè)像素單元包括第N+1個(gè)主像素單元、第N+1個(gè)子像素單元以及第N+1個(gè)分享電容。
[0007]其中，第N個(gè)像素單元位于第N條掃描線(xiàn)和第M條共享掃描線(xiàn)之間，第N+1個(gè)像素單元位于第M條共享掃描線(xiàn)和第N+1條掃描線(xiàn)之間。
[0008]其中，陣列基板還包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及第六薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的柵極與第N條掃描線(xiàn)連接，第一薄膜晶體管的源極與第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)連接，第一薄膜晶體管的漏極與第N個(gè)主像素單元連接；第二薄膜晶體管的柵極與第N條掃描線(xiàn)連接，第二薄膜晶體管的源極與第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)連接，第二薄膜晶體管的漏極與第N個(gè)子像素單元連接；第三薄膜晶體管的柵極與第M條共享掃描線(xiàn)連接，第三薄膜晶體管的源極與第N個(gè)子像素單元連接，第三薄膜晶體管的漏極與第N個(gè)分享電容連接；第四薄膜晶體管的柵極與第N+1條掃描線(xiàn)連接，第四薄膜晶體管的源極與第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)連接，第四薄膜晶體管的漏極與第N+1個(gè)主像素單元連接；第五薄膜晶體管的柵極與第N+1條掃描線(xiàn)連接，第五薄膜晶體管的源極與第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)連接，第五薄膜晶體管的漏極與第N+1子像素單元連接；第六薄膜晶體管的柵極與第M條共享掃描線(xiàn)連接，第六薄膜晶體管的源極與第N+1個(gè)子像素單元連接，第六薄膜晶體管的漏極與第N+1個(gè)分享電容連接。
[0009]其中，第N個(gè)像素單元和第N+1個(gè)像素單元之間的第M條共享掃描線(xiàn)與第N+n條的掃描線(xiàn)連接，其中η為大于或等于2的整數(shù)，Μ、N均為大于或等于I的整數(shù)，并且M =(Ν+1)/20
[0010]其中，第M條共享掃描線(xiàn)與第Ν+2條掃描線(xiàn)連接。
[0011]其中，當(dāng)?shù)贜條掃描線(xiàn)開(kāi)啟，第Ν+1條掃描線(xiàn)和第Ν+2條掃描線(xiàn)關(guān)閉時(shí)，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管導(dǎo)通，第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)為第N個(gè)主像素單元和第N個(gè)子像素單元充電；當(dāng)?shù)讦?1條掃描線(xiàn)開(kāi)啟，第N條掃描線(xiàn)和第Ν+2條掃描線(xiàn)關(guān)閉時(shí)，第四薄膜晶體管和第五薄膜晶體管導(dǎo)通，第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)為第Ν+1個(gè)主像素單元和第Ν+1個(gè)子像素單元充電。
[0012]其中，當(dāng)?shù)讦?2條掃描線(xiàn)開(kāi)啟，第Ν+1條掃描線(xiàn)和第N條掃描線(xiàn)關(guān)閉時(shí)，第三薄膜晶體管和第六薄膜晶體管導(dǎo)通，第N個(gè)子像素單元與第M個(gè)分享電容連接，第Ν+1個(gè)子像素單元與第M個(gè)分享電容連接，以降低第N個(gè)子像素單元和第Ν+1個(gè)子像素單元的電壓。
[0013]其中，每個(gè)像素單元的像素電極為ΙΤ0。
[0014]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，其包括上述陣列基板。
[0015]通過(guò)上述方案，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過(guò)設(shè)置基板、多條掃描線(xiàn)、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)以及多條共享掃描線(xiàn)，多條掃描線(xiàn)和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)相交設(shè)置在基板上，以形成多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括主像素單元和子像素單元，相鄰的兩個(gè)像素單元的子像素單元相鄰設(shè)置，相鄰的兩個(gè)子像素單元共用一條共享掃描線(xiàn)，共享掃描線(xiàn)用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)相鄰的兩個(gè)子像素單元，能夠減少共享掃描線(xiàn)的數(shù)量，進(jìn)而減少共享掃描線(xiàn)占用的開(kāi)口率，提高像素的開(kāi)口率。
【附圖說(shuō)明】
[0016]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中:
[0017]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是圖1中相鄰的兩個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0019]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性的勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0021]請(qǐng)參見(jiàn)圖1所示，圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例所揭示的陣列基板10包括基板11、多條掃描線(xiàn)12、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)13以及多條共享掃描線(xiàn)14。
[0022]多條掃描線(xiàn)12和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)13相交設(shè)置在基板11上，以形成多個(gè)像素單元15;每個(gè)像素單元15均包括主像素單元和子像素單元，其中相鄰的兩個(gè)像素單元15的子像素單元相鄰設(shè)置。相鄰的兩個(gè)子像素單元共用一條共享掃描線(xiàn)14，共享掃描線(xiàn)14用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)相鄰的兩個(gè)子像素單元。
[0023]優(yōu)選地，相鄰的兩個(gè)像素單元15包括沿著數(shù)據(jù)線(xiàn)13延伸方向相鄰設(shè)置的第N個(gè)像素單元151和第N+1個(gè)像素單元152，即第N個(gè)像素單元151和第N+1個(gè)像素單元152為相鄰兩行的像素單元。第N個(gè)像素單元151包括第N個(gè)主像素單元161、第N個(gè)子像素單元171以及第N個(gè)分享電容181，第N+1個(gè)像素單元152包括第N+1個(gè)主像素單元162、第N+1個(gè)子像素單元172以及第N+1個(gè)分享電容182 ;將現(xiàn)有的第N+1個(gè)像素單元152旋轉(zhuǎn)180°，以使的第N個(gè)子像素單元171與第N+1個(gè)子像素單元172相鄰設(shè)置。其中，N為大于或等于I的整數(shù)。
[0024]其中，第N個(gè)像素單元151位于第N條掃描線(xiàn)12和第M條共享掃描線(xiàn)14之間，第N+1個(gè)像素單元152位于第M條共享掃描線(xiàn)14和第N+1條掃描線(xiàn)12之間。陣列基板10還包括第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5以及第六薄膜晶體管T6。
[0025]第一薄膜晶體管Tl的柵極與第N條掃描線(xiàn)12連接，第一薄膜晶體管Tl的源極與第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)13連接，第一薄膜晶體管Tl的漏極與第N個(gè)主像素單元161連接；第二薄膜晶體管T2的柵極與第N條掃描線(xiàn)12連接，第二薄膜晶體管T2的源極與第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)13連接，第二薄膜晶體管T2的漏極與第N個(gè)子像素單元171連接；第三薄膜晶體管T3的柵極與第M條共享掃描線(xiàn)14連接，第三薄膜晶體管T3的源極與第N個(gè)子像素單元171連接，第三薄膜晶體管T3的漏極與第N個(gè)分享電容181連接；第四薄膜晶體管T4的柵極與第N+1條掃描線(xiàn)12連接，第四薄膜晶體管T4的源極與第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)13連接，第四薄膜晶體管T4的漏極與第N+1個(gè)主像素單元162連接；第五薄膜晶體管T5的柵極與第N+1條掃描線(xiàn)12連接，第五薄膜晶體管T5的源極與第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)13連接，第五薄膜晶體管T5的漏極與第N+1子像素單元172連接；第六薄膜晶體管T6的柵極與第M條共享掃描線(xiàn)14連接，第六薄膜晶體管T6的源極與第N+1個(gè)子像素單元172連接，第六薄膜晶體管T6的漏極與第N+1個(gè)分享電容182連接。
[0026]請(qǐng)一并參見(jiàn)圖2所示，本實(shí)施例所揭示的相鄰的兩個(gè)像素單元15結(jié)構(gòu)的等效電路圖。其中，第N個(gè)主像素單元161等效于液晶電容Clcl和存儲(chǔ)電容CstI，第N個(gè)子像素單元171等效于液晶電容Clc2和存儲(chǔ)電容Cst2，第N個(gè)分享電容181為電容Cdownl ;第N+1個(gè)主像素單元162等效于液晶電容Clc3和存儲(chǔ)電容Cst3，第N+1子像素單元172等效于液晶電容Clc4和存儲(chǔ)電容Cst4，第N+1個(gè)分享電容182為電容Cdown2。
[0027]當(dāng)?shù)贜條掃描線(xiàn)12打開(kāi)時(shí)，第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通，第N條數(shù)據(jù)線(xiàn)13為第N個(gè)主像