顯示裝置用基板以及顯示裝置的制造方法
【專利說明】顯示裝置用基板以及顯示裝置的制造方法
[0001]本發(fā)明是基于2014年4月18日提出申請的日本專利申請?zhí)?014 — 086351提出的，并基于該日本專利申請主張優(yōu)先權，上述日本專利申請的全部內容都通過援引而被包含于本發(fā)明。
技術領域
[0002]本發(fā)明的實施方式涉及顯示裝置用基板以及顯示裝置的制造方法。
【背景技術】
[0003]液晶顯示裝置、有機電致發(fā)光(EL)顯示裝置等顯示裝置在絕緣基板上具備用于驅動像素的柵極布線、源極布線等各種布線、開關元件等。在顯示裝置的制造工序中，例如在絕緣基板與各種制造裝置或者輸送機構等接觸時、摩擦時、剝離時、或者實施等離子體CVD (化學氣相淀積)、等離子體蝕刻等等離子體工序時，容易在絕緣基板、浮動狀態(tài)的布線以及電極等蓄積靜電。因此，在制造工序中，存在因該靜電而導致開關元件等具有電容的要素因靜電放電(Electro Static Discharge:ESD)而被破壞的情況。以下，將這種現(xiàn)象稱為靜電破壞。
[0004]近年來，伴隨著顯示裝置的高精細化，開關元件的小型化、布線的微細化不斷發(fā)展。在小型化了的開關元件中，由于其電容小，因此容易產生靜電破壞。因此，謀求制造成品率的改進。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的一實施方式涉及一種顯示裝置用基板，其特征在于，具備:絕緣基板；以及導電性膜，形成于所述絕緣基板的至少一個主面，使用氟化氫的含有濃度為10%以上的氫氟酸水溶液進行的蝕刻中的所述導電性膜的第一蝕刻速率、與所述蝕刻中的所述絕緣基板的第二蝕刻速率實質上相同，或者所述第一蝕刻速率大于所述第二蝕刻速率。
[0006]本發(fā)明的另一實施方式涉及一種顯示裝置用基板，其特征在于，具備:陣列基板的絕緣基板；以及導電性膜，形成于所述絕緣基板的至少一個主面，由氮化物構成。
[0007]本發(fā)明的又一實施方式涉及一種顯示裝置的制造方法，其特征在于包括:在絕緣基板的第二主面的上方形成開關元件的工序，該絕緣基板在第一主面形成有導電性膜；以及對形成有所述開關元件的所述絕緣基板在所述第一主面形成的所述導電性膜進行浸蝕的工序。
[0008]本發(fā)明的又一實施方式涉及一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括在絕緣基板的第二主面的上方形成開關元件的工序，該絕緣基板在第一主面形成有由氮化物構成的導電性膜；所述形成開關元件的工序包括:在所述絕緣基板的所述第二主面的上方形成半導體層以及隔著絕緣膜與該半導體層對置的第一電極的工序；以及形成與所述半導體層中的第二區(qū)域及第三區(qū)域分別電連接的第二電極及第三電極的工序，在所述半導體層中，第二區(qū)域和第三區(qū)域隔著與所述第一電極對置的第一區(qū)域。
【附圖說明】
[0009]圖1是示出一個實施方式所涉及的液晶顯示裝置的結構的一部分的剖視圖。
[0010]圖2是圖1所示的像素的簡要俯視圖。
[0011]圖3是上述液晶顯示裝置的制造工序的簡要的流程圖。
[0012]圖4是用于對陣列基板的制造工序進行說明的剖視圖。
[0013]圖5是用于對陣列基板的制造工序進行說明的剖視圖。
[0014]圖6A是示出第一絕緣基板的端面的剖視圖。
[0015]圖6B是示出第一絕緣基板的端面的剖視圖。
[0016]圖7是用于對陣列基板的制造工序進行說明的剖視圖。
[0017]圖8是用于對陣列基板的制造工序進行說明的剖視圖。
[0018]圖9是用于對陣列基板的制造工序進行說明的剖視圖。
[0019]圖10是用于對研磨第一絕緣基板的工序進行說明的剖視圖。
[0020]圖11是用于對膜厚不均的產生原理進行說明的圖。
[0021]圖12是用于對在上述實施方式中抑制膜厚不均的原理進行說明的圖。
[0022]圖13是用于對使用雙柵型的開關元件的變形例進行說明的圖。
[0023]圖14是用于對在第一基板形成有多個導電性膜的變形例進行說明的圖。
【具體實施方式】
[0024]大體來說，根據一個實施方式，顯示裝置用基板具備絕緣基板和導電性膜。上述導電性膜形成于上述絕緣基板的至少一個主面。在該顯示裝置用基板中，在使用氟化氫的含有濃度為10%以上的氫氟酸水溶液進行的蝕刻中的上述導電性膜的第一蝕刻速率與上述蝕刻中的上述絕緣基板的第二蝕刻速率實質上相同、或者上述第一蝕刻速率大于上述第二蝕刻速率。
[0025]在其他的實施方式中，顯示裝置用基板具備陣列基板的絕緣基板和導電性膜。上述導電性膜由氮化物構成，且形成于上述絕緣基板的至少一個主面。
[0026]在一個實施方式中，顯示裝置的制造方法包括:在絕緣基板的第二主面的上方形成開關元件的工序，該絕緣基板在第一主面形成有導電性膜；以及對形成有上述開關元件的上述絕緣基板在上述第一主面形成的上述導電性膜進行浸蝕的工序。
[0027]在其他的實施方式中，顯示裝置的制造方法包括:在絕緣基板的第二主面的上方形成開關元件的工序，該絕緣基板在第一主面形成有由氮化物構成的導電性膜。在該制造方法中，形成上述開關元件的工序包括:在上述絕緣基板的上述第二主面的上方形成半導體層以及隔著絕緣膜與該半導體層對置的第一電極的工序；以及形成與上述半導體層中的第二區(qū)域及第三區(qū)域分別電連接的第二電極及第三電極的工序，在上述半導體層中，第二區(qū)域和第三區(qū)域隔著與上述第一電極對置的第一區(qū)域。
[0028]參照附圖對一個實施方式進行說明。
[0029]另外，此處的公開只不過是一個例子，本領域技術人員在不改變發(fā)明的主旨的情況下所能夠容易地想到的適當變更當然也包含于本發(fā)明的范圍。并且，在圖中，為了使說明更加明確，與實際情況相比，有時示意性地表示各部分的寬度、厚度、形狀等，這只不過是一個例子，并不是對本發(fā)明的解釋進行限定。并且，在本說明書和各圖中，有時對相同或者類似的構成要素標注相同的標號并省略詳細說明。
[0030]在本實施方式中，對顯示裝置為液晶顯示裝置的情況進行說明。然而，顯示裝置并不限于液晶顯示裝置，可以是有機電致發(fā)光顯示裝置等自發(fā)光型顯示裝置、或者是具有電涌元件等的電子紙型顯示裝置等所有的平面型的顯示裝置。并且，本實施方式所涉及的顯示裝置例如能夠在智能手機、平板終端、便攜式電話終端、筆記本式電腦、游戲機、車載設備等各種裝置中使用。
[0031]圖1是示出本實施方式所涉及的液晶顯示裝置I的結構的一部分的剖視圖。液晶顯示裝置I例如具備有源矩陣型的透射型的液晶顯示面板LPN和背光BL。液晶顯示面板LPN具有顯示圖像的有源區(qū)ACT。該有源區(qū)ACT包含呈矩陣狀地排列的多個像素PX。在圖1中僅示出與一個像素PX對應的結構。
[0032]液晶顯示面板LPN具備陣列基板AR、與陣列基板AR對置配置的對置基板CT、以及被保持在陣列基板AR與對置基板CT之間的液晶層LQ。陣列基板AR具備具有透光性的第一絕緣基板10。在本實施方式中，第一絕緣基板10是玻璃基板。但是，作為第一絕緣基板10，也可以使用樹脂基板等其他種類的絕緣基板。背光BL配置在陣列基板AR的背面?zhèn)?。作為背光BL，例如能夠使用利用發(fā)光二極管(LED)作為光源的類型等各種類型。
[0033]在本實施方式中，將與背光BL對置的第一絕緣基板10的表面(外表面)稱為第一主面10A，將與對置基板CT對置的第一絕緣基板10的表面(內表面)稱為第二主面10B。并且，以與上述第一主面1A以及第二主面1B平行的方式定義X方向以及與X方向正交的Y方向。
[0034]圖示的例子的液晶顯示面板LPN在陣列基板AR具備像素電極PE以及共用電極CE。在這種結構的液晶顯示面板LPN中，利用在像素電極PE以及共用電極CE之間形成的電場使液晶層LQ所包含的液晶分子開關。
[0035]陣列基板AR在第二主面1B側具備底涂層(under coat) 11、第一絕緣膜12、第二絕緣膜13、第三絕緣膜14、第四絕緣膜15、開關元件SW、像素電極PE、共用電極CE、第一取向膜ALl。
[0036]第一絕緣基板10的第二主面1B由底涂層11覆蓋。底涂層11由硅氧化物(S1)、硅氮氧化物(S1N)等形成。
[0037]開關元件SW的半導體層SC配置在底涂層11上。半導體層SC例如由多晶硅(p —Si)形成。但是，半導體層也可以由非晶硅(a — Si)、氧化物半導體等其他材料形成。另外，也可以省略底涂層11，半導體層SC設置在第一絕緣基板10上。
[0038]半導體層SC由第一絕緣膜12覆蓋。并且，第一絕緣膜12在底涂層11上也配置。開關元件S