W的第一電極WG形成在第一絕緣膜12上，且位于半導(dǎo)體層SC的上方。另外，第一電極WG也被稱為柵電極。第一電極WG例如與柵極布線G —體地形成，且由第二絕緣膜13覆蓋。并且，該第二絕緣膜13在第一絕緣膜12上也配置。作為一例，第一電極WG(柵極布線G)由MoW形成。第一電極WG能夠由鉬、鎢、鋁、鈦、銅等金屬材料或者包含這些金屬材料的合金等形成。第一絕緣膜12以及第二絕緣膜13例如由硅氧化物(S1)、硅氮化物(SiNx)等形成。
[0039]開(kāi)關(guān)元件SW的第二電極WS以及第三電極WD形成在第二絕緣膜13上。第二電極WS也被稱為源電極。并且，第三電極WD也被稱為漏電極。第二電極WS例如與源極布線S一體地形成。第二電極WS (源極布線S)以及第三電極WD由與第一電極WG同樣的材料形成。上述第二電極WS以及第三電極WD分別穿過(guò)貫通第一絕緣膜12以及第二絕緣膜13的第一接觸孔CHl以及第二接觸孔CH2而與半導(dǎo)體層SC電連接。另外，在圖1中，作為開(kāi)關(guān)元件SW的一例，示出單柵型且為頂柵型的薄膜晶體管。頂柵型的薄膜晶體管與底柵型相比寄生電容降低，因此使優(yōu)選的。
[0040]開(kāi)關(guān)元件SW由第三絕緣膜14覆蓋。該第三絕緣膜14在第二絕緣膜13上也配置。第三絕緣膜14例如由透明的樹(shù)脂材料形成。
[0041]共用電極CE形成在第三絕緣膜14上。這種共用電極CE由透明的導(dǎo)電材料、例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等形成。第四絕緣膜15配置在該共用電極CE上。并且，該第四絕緣膜15在第三絕緣膜14上也配置。第四絕緣膜14例如由硅氮化物(SiNx)形成。
[0042]在第三絕緣膜14以及第四絕緣膜15形成有貫通至第三電極WD的第三接觸孔CH3。共用電極CE并不延伸至該第三接觸孔CH3。
[0043]像素電極PE形成在第四絕緣膜15上，且與共用電極CE對(duì)置。該像素電極PE經(jīng)由第三接觸孔CH3與開(kāi)關(guān)元件SW的第三電極WD電連接。并且，該像素電極PE由具有一個(gè)以上狹縫PSL的多條線狀電極形成，但也可以由不具有狹縫PSL的一條線狀電極形成。這種像素電極PE由透明的導(dǎo)電材料、例如ITO、IZO等形成。
[0044]像素電極PE由第一取向膜ALl覆蓋。并且，該第一取向膜ALl也覆蓋第四絕緣膜15。這種第一取向膜ALl由呈現(xiàn)水平取向性的材料形成，且配置于陣列基板AR的與液晶層LQ接觸的面。
[0045]另一方面，對(duì)置基板CT使用玻璃基板等具有透光性的第二絕緣基板20形成。在本實(shí)施方式中，將與陣列基板AR對(duì)置的第二絕緣基板20的表面(內(nèi)表面)稱為第一主面20A，將第二絕緣基板20的另一方的表面(外表面)稱為第二主面20B。對(duì)置基板CT在第二絕緣基板20的第一主面20A側(cè)具備劃分各像素PX的黑色矩陣21、濾色器22、頂涂層(overcoat) 23 等。
[0046]黑色矩陣21配置于第二絕緣基板20的第一主面20A。黑色矩陣21是在有源區(qū)域ACT中劃分各像素PX、形成開(kāi)口部AP的部分，與設(shè)置于陣列基板AR的柵極布線G、源極布線S、進(jìn)而開(kāi)關(guān)元件SW等布線部對(duì)置。
[0047]濾色器22形成于開(kāi)口部AP，在黑色矩陣21上也延伸。該濾色器22由被著色成相互不同的多個(gè)顏色的樹(shù)脂材料形成。例如，在利用紅色、綠色以及藍(lán)色的三種顏色的子像素構(gòu)成一個(gè)像素的情況下，濾色器22由分別著色成紅色、綠色以及藍(lán)色這三種顏色的樹(shù)脂材料形成。或者，為了提高透射率等，也可以利用例如紅色、綠色、藍(lán)色以及白色這四種顏色的子像素構(gòu)成一個(gè)像素。在該情況下，濾色器22除了由分別著色成紅色、綠色、藍(lán)色的樹(shù)脂材料形成之外，還由白色或者透明的樹(shù)脂材料形成。另外，在白色的子像素中，也可以除去作為濾色器發(fā)揮功能的樹(shù)脂材料。不同顏色的濾色器22之間的邊界位于黑色矩陣21上。
[0048]頂涂層23覆蓋濾色器22。該頂涂層23對(duì)黑色矩陣21、濾色器22的表面的凹凸進(jìn)行平坦化。這種頂涂層23由透明的樹(shù)脂材料形成。并且，頂涂層23由第二取向膜AL2覆蓋。該第二取向膜AL2由呈現(xiàn)水平取向性的材料形成，且配置于對(duì)置基板CT的與液晶層LQ接觸的面。
[0049]如上所述的陣列基板AR與對(duì)置基板CT以第一取向膜ALl以及第二取向膜AL2相面對(duì)的方式配置。此時(shí)，在陣列基板AR與對(duì)置基板CT之間，利用形成于一方的基板的柱狀隔離件形成有規(guī)定的元件間隙(cell gap) ο陣列基板AR與對(duì)置基板CT在形成有元件間隙的狀態(tài)下利用密封材料貼合。液晶層LQ由封入于上述陣列基板AR的第一取向膜ALl與對(duì)置基板CT的第二取向膜AL2之間的包含液晶分子的液晶組成物構(gòu)成。
[0050]在陣列基板AR的外表面、即第一絕緣基板10的第一主面10A，配置有包含第一偏光板PLl的第一光學(xué)元件ODl。并且，在對(duì)置基板CT的外表面、即第二絕緣基板20的第二主面20B，配置有包含第二偏光板PL2的第二光學(xué)元件0D2。第一偏光板PLl的第一偏光軸(或者第一吸收軸)與第二偏光板PL2的第二偏光軸(或者第二吸收軸)例如處于相互正交的正交尼克爾(Cross Nicol)的位置關(guān)系。
[0051]第一取向膜ALl以及第二取向膜AL2在與陣列基板AR以及對(duì)置基板CT的基板主面(X — Y平面)平行的面內(nèi)沿相互平行的方位進(jìn)行取向處理(例如拋光處理、光取向處理)。
[0052]另外，第一偏光板PLl的第一偏光軸例如設(shè)定為與第一取向膜ALl的取向處理方向平行的方位，第二偏光板PL2的第二偏光軸設(shè)定為與第一取向膜ALl的取向處理方向正交的方位。
[0053]圖2是圖1所示的像素PX的簡(jiǎn)要俯視圖。此處，僅示出構(gòu)成像素PX的要素中的、說(shuō)明所需要的一部分要素，省略共用電極CE的圖示。在圖示的例子中，各源極布線S—邊彎曲一邊沿著Y方向延伸，但各源極布線S也可以沿著Y方向呈直線狀地延伸。包含第一電極WG的柵極布線G沿著X方向呈直線狀地延伸。
[0054]半導(dǎo)體層SC在第一接觸孔CHl以及第二接觸孔CH2之間一邊彎曲一邊延伸而與柵極布線G交叉。在以下的說(shuō)明中，將半導(dǎo)體層SC中與柵極布線G(或者第一電極WG)對(duì)置的區(qū)域稱為第一區(qū)域R1，將夾著第一區(qū)域Rl的兩個(gè)區(qū)域分別稱為第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3。上述第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3相當(dāng)于含有雜質(zhì)的雜質(zhì)區(qū)域。第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3分別也被稱為溝道區(qū)域、源極區(qū)域以及漏極區(qū)域。
[0055]半導(dǎo)體層SC的第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3相比第一區(qū)域Rl被低電阻化。第二區(qū)域R2經(jīng)由第一接觸孔CHl與源極布線S (或者第二電極WS)接觸。并且，第三區(qū)域R3經(jīng)由第二接觸孔CH2與第三電極WD接觸。第三電極WD經(jīng)由第三接觸孔CH3與像素電極PE接觸。
[0056]如圖2的(a)所示，半導(dǎo)體層SC的第一區(qū)域Rl形成為沿著X方向的寬度為W、沿著Y方向的長(zhǎng)度為L(zhǎng)的矩形狀。寬度W以及長(zhǎng)度L例如以使得第一區(qū)域Rl的面積為20 μ m2以下的方式規(guī)定。作為一例，將寬度W規(guī)定為5μπι，將長(zhǎng)度L規(guī)定為3μπι。在該情況下，第一區(qū)域Rl的面積為15 μ m2。這樣，通過(guò)使用第一區(qū)域Rl的面積為20 μ m2以下的程度的小型的開(kāi)關(guān)兀件SW，能夠使液晶顯不裝置I尚精細(xì)化。
[0057]對(duì)如上結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置I的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
[0058]當(dāng)未被施加使得在像素電極PE與共用電極CE之間形成電位差這樣的電壓、即斷開(kāi)時(shí)，在像素電極PE與共用電極CE之間并未形成電場(chǎng)。因而，電場(chǎng)并不作用于液晶層LQ。因此，液晶層LQ所包含的液晶分子在X — Y平面內(nèi)初始取向?yàn)榈谝蝗∠蚰Ll以及第二取向膜AL2的取向處理方向。以下，將液晶分子初始取向的方向稱為初始取向方向。
[0059]在斷開(kāi)時(shí)，來(lái)自背光BL的背光光的一部分透射第一偏光板PL1，入射至液晶顯不面板LPN。入射至液晶顯示面板LPN的光是與第一偏光板PLl的第一偏光軸正交的直線偏光。這種直線偏光的偏光狀態(tài)在穿過(guò)斷開(kāi)時(shí)的液晶顯示面板LPN之際幾乎不變。因此，透射液晶顯示面板LPN后的直線偏光被相對(duì)于第一偏光板PLl處于正交尼克爾的位置關(guān)系的第二偏光板PL2吸收(黑顯示)。
[0060]另一方面，當(dāng)被施加有使得在像素電極PE與共用電極CE之間形成電位差這樣的電壓、即導(dǎo)通時(shí)，在像素電極PE與共用電極CE之間形成有邊緣電場(chǎng)。因而，在液晶層LQ作用有電場(chǎng)。因此，液晶分子在X — Y平面內(nèi)取向?yàn)榕c初始取向方向不同的方位。
[0061]在這種導(dǎo)通時(shí)，與第一偏光板PLl的第一偏光軸正交的直線偏光入射至液晶顯不面板LPN，其偏光狀態(tài)在穿過(guò)液晶層LQ之際根據(jù)液晶分子的取向狀態(tài)(或者液晶層的阻滯(retardat1n))而變化。因此，在導(dǎo)通時(shí)，穿過(guò)液晶層LQ后的至少一部分光透射第二偏