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像素電極、顯示裝置及像素電極的制造方法_4

文檔序號:8498410閱讀:來源:國知局
層48。通過這種制造方法,由于能夠懸垂地形成Al層47,因此,能夠?qū)i層48露出的部分僅限定為端部。從而,能夠使Al層47的露出面積和Ti層48的露出面積之比較大。
[0099]并且,也可以在形成Al層47之后,將該Al層47作為掩模而選擇性地蝕刻Ti層前體48a。
[0100]下面,對于本發(fā)明的其他實施方式涉及的像素電極進行說明。圖8為示出本發(fā)明的第三?第五實施方式涉及的像素電極的圖。以下詳細地說明。此外,在圖8中,與像素電極44c?44e有關的要素以外,僅圖示了第二層間絕緣膜42,其他構(gòu)成成分省略圖示而簡略化。
[0101]圖8的(a)為示出本發(fā)明的第三實施方式涉及的像素電極44c的圖。本實施方式涉及的像素電極44c,貫通Al層47和Ti層48而形成達到第二層間絕緣膜42的孔49。通過孔49,在Al層47和Ti層48的雙方形成新的端部。也就是說,形成Z方向的新的露出部分。并且,通過該新的露出部分,能夠調(diào)整Al層47的露出部分和Ti層48的露出部分之比。
[0102]在此,上述新的露出部分的面積,與雙方的層的厚度成正比。另一方面,與不形成孔49的情況相比,Al層47的露出面積變大。因此,本實施方式中的像素電極44c,在希望使Ti層48的層厚變薄的同時減小Ti層48相對于Al層47的露出面積之比的情況下是有效的。
[0103]此外,本實施方式涉及的像素電極44c,在上述第二實施方式涉及的制造方法中,通過僅變更圖7的(c)所示的光刻膠層72的圖案而能夠制造。從而,不增加制造成本而能夠減小Ti層48的露出面積之比。
[0104]圖8的(b)為示出本發(fā)明的第四實施方式涉及的像素電極44d的圖。本實施方式涉及的像素電極44d,Ti層48的外周的端部被Al層47所覆蓋。并且,與上述像素電極44c同樣地,貫通Al層47和Ti層48而形成達到第二層間絕緣膜42的孔49。Ti層48,由于其外周端部被覆蓋,僅在孔49的端面露出。從而,與第一實施方式的像素電極44等相比,Ti層48的露出面積非常小。
[0105]在Ti層48的外周的端部露出的情況下,Ti層48的露出面積與層厚大致呈正比,本實施方式的像素電極44d,即使在Ti層48的層厚厚的情況下,也能夠減小露出面積。從而,在希望使Ti層48的層厚變厚并使Ti層48的露出面積縮小、減小Ti層48相對于Al層47的露出面積之比的情況下是有效的。
[0106]圖8的(C)為示出本發(fā)明的第五實施方式涉及的像素電極44e的圖。本實施方式涉及的像素電極44e與上述第四實施方式的像素電極44d同樣地,Ti層48的外周的端部被Al層47所覆蓋。并且,貫通Al層47而形成達到Ti層48的孔49。
[0107]Ti層48由于其外周的端部被覆蓋,僅孔49的底面露出。從而,與第一實施方式的像素電極44等相比,露出面積非常小。從而,與上述第四實施方式的像素電極44d同樣地,在希望使Ti層48的層厚變厚并使Ti層48的露出面積縮小、減小Ti層48相對于Al層47的露出面積之比的情況下是有效的。
[0108]并且,本實施方式的像素電極44e在Al層47的圖案化容易這點上與上述第四實施方式的像素電極44d不同。在孔49形成時,像素電極44d需要蝕刻Al層47和Ti層48雙方。另一方面,在孔49形成時,本實施方式的像素電極44e僅蝕刻(圖案化)Al層47即可。因此,能夠通過低成本的濕法蝕刻進行Al層47的蝕刻。并且,在通過干法蝕刻形成孔49的情況下,也能夠通過最適合Al層47的蝕刻的條件進行。從而,能夠以低成本實現(xiàn)增厚Ti層48的層厚的同時縮小Ti層48的露出面積的像素電極44e。
[0109](安裝端子)
[0110]下面,對于作為本發(fā)明的第六實施方式的安裝端子進行說明。圖9為將本發(fā)明第六實施方式涉及的安裝端子15與比較例一起示出的圖。詳細而言,圖9的(a)為示出層疊Al層47和Ti層48而形成的第六實施方式涉及的安裝端子15的圖,圖9的(b)為示出作為比較例的由Al層47的單層構(gòu)成的安裝端子15a的圖。此外,在圖9中,與上述各圖同樣地,與安裝端子15(15a)有關的要素以外,僅圖示了第二層間絕緣膜42,其他構(gòu)成成分省略圖示而簡略化。
[0111]如圖9的(a)、(b)所示,焊線13安裝于安裝端子15 (15a)。焊線13的安裝通過在焊線13的前端施加較強的壓力的同時而使其密接于安裝端子15 (15a),從而得到電氣以及機械的連接。因此,在焊接時(安裝時),安裝端子15 (15a)上施加有圖中箭頭所示方向的較強的壓力。為了焊接良好地進行,需要焊接時的壓力被分散。焊接時的壓力的分散,在硬度等不同的層彼此的層間(邊界面)存在的情況下,更為順利的進行。如圖9的(b)所示,在Al層47的單層構(gòu)成安裝端子15a的情況下,由于不存在層間,因此焊接時的壓力的分散性稍差。另一方面,本實施方式涉及的安裝端子15,如圖9的(a)所示,由于Al層47和Ti層48層疊而形成,因此,焊接時的壓力易于在層間傳遞而被分散。并且,安裝端子15能夠通過與上述各實施方式的像素電極44等相同的工序而形成。因此,如果為本實施方式的安裝端子15的話,能夠提高安裝的可靠性。如果為具備這種安裝端子15的顯示裝置的話,不增加制造成本而能夠?qū)崿F(xiàn)高可靠性。
[0112]本發(fā)明不限于上述實施方式,在不違反從權(quán)利要求及說明書全文讀取的發(fā)明的主旨或思想的范圍內(nèi),能夠進行適宜變更,伴隨這種變更的像素電極及具備該像素電極的電泳顯示裝置也包括于本發(fā)明的技術范圍內(nèi)。在上述實施方式以外也可以考慮各種變形例。以下,例舉變形例來說明。
[0113](變形例I)本實施方式的電泳顯示裝置100被構(gòu)成為使用如圖2所示的包括微膠囊24的電泳層20。但是,電泳層20不限于包括微膠囊24的情況。例如,也可以形成包圍各像素電極44的周圍的隔壁,通過在每個由該隔壁和像素電極44構(gòu)成的凹部內(nèi),填充包括黑色粒子21和白色粒子22的分散介質(zhì)23,構(gòu)成電泳層20。在這種情況下,由于像素電極44也與包括電解質(zhì)的分散介質(zhì)23接觸,因此,能夠發(fā)揮本發(fā)明的效果。
[0114](變形例2)上述實施方式的像素電極44,將其作為電泳顯示裝置所具備像素電極而進行了說明。但是,本實施方式的像素電極44也能夠適用于其他的顯示裝置,例如液晶顯示裝置。反射型的液晶顯示裝置的情況下,一方的電極不需要光透過性而需要光反射性。并且,液晶也包括電解質(zhì)。從而,通過使用本實施方式的像素電極44,能夠提高顯示性能和可靠性。
【主權(quán)項】
1.一種像素電極,其特征在于,所述像素電極為在具有顯示層的顯示裝置中使用的像素電極,其中,所述顯示層配置于一對基板間, 所述像素電極包括:第一面與所述顯示層接觸的第一層;以及與所述第一層的與所述第一面相對的第二面接觸的第二層, 所述第一層的電極電位比所述第二層的電極電位低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極,其特征在于,所述第二層的端部未被所述第一層覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素電極,其特征在于,形成有貫通所述第一層和所述第二層的孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素電極,其特征在于,所述第一層的厚度比所述第二層的厚度厚。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的像素電極,其特征在于,所述第一層由Al或者Al合金形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的像素電極,其特征在于,所述第二層由Ti或者Ti合金形成。
7.—種顯示裝置,其特征在于,具有權(quán)利要求1至6中任一項所述的像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,具有安裝端子,所述安裝端子由所述第一層和所述第二層組成。
9.一種像素電極的制造方法,其特征在于,包括: 在絕緣層上形成第二導電體層的工序; 在所述第二導電體層上形成第一導電體層的工序,其中,所述第一導電體層具有電極電位低于所述第二導電體層的形成材料的電極電位的材料;以及 將所述第一導電體層和所述第二導電體層一起圖案化而形成島狀的電極的工序。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種像素電極、顯示裝置及像素電極的制造方法。像素電極兼顧顯示性能和可靠性,顯示裝置具備該像素電極。一種在具有顯示層的顯示裝置中使用的像素電極(44),其中,所述顯示層配置于一對基板間,所述像素電極(44)的特征在于,包括:第一面與顯示層接觸的第一層(47);以及與所述第一層(47)的與所述第一面相對的第二面接觸的第二層(48),第一層(47)的電極電位,比第二層(48)的電極電位低。
【IPC分類】G02F1-1343
【公開號】CN104820318
【申請?zhí)枴緾N201510024835
【發(fā)明人】宮田崇
【申請人】精工愛普生株式會社
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年1月19日
【公告號】US20150221739
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