專利名稱：以本征半導(dǎo)體為電極的像素和采用其的電致發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示器的像素和像素中的電容元件。更具體而言，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，在形成像素和其電容 元件期間通過(guò)減少額外的摻雜工藝和/或掩模工藝能夠以降低的制造成本制 造這種顯示器。
背景技術(shù)：
開發(fā)具有大屏幕和/或消耗較小量的功率的大屏幕顯示器和/或平板顯示 器已經(jīng)取得了很大進(jìn)展。例如，已經(jīng)引入了液晶顯示器(LCD)、等離子體顯 示板(PDP)和OLED顯示器。與常規(guī)顯示器相比，可以將使用電致發(fā)光材料 例如有機(jī)電致發(fā)光材料的平板顯示裝置制造得更輕，體積更小，更薄和/或具 有改善的色彩復(fù)現(xiàn)能力。更具體而言，例如，有機(jī)電致發(fā)光顯示器可以提供 如下優(yōu)點(diǎn)諸如比LCD更快的響應(yīng)速度，由于是自發(fā)射型而具有優(yōu)異的亮 度，相對(duì)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，相對(duì)容易的制造工藝，相對(duì)薄的尺寸和/或相對(duì)低的重 量。因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器能夠用于多種領(lǐng)域中，例如背光裝置、便攜 式終端、GPS系統(tǒng)、膝上計(jì)算機(jī)和大屏幕電視機(jī)。由于正在取得對(duì)這種平板顯示器，尤其是例如電致發(fā)光顯示器的進(jìn)展，規(guī)像素采用了互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS )處理，于是采用了 P型和N 型兩種雜質(zhì)。因此，可能需要獨(dú)立的掩模形成N型和P型雜質(zhì)區(qū)，這樣可能 會(huì)使得掩模的數(shù)量增加，制造成本和/或處理時(shí)間增加。希望出現(xiàn)能夠例如以 降低的成本和/或使用筒化的制造工藝制造的像素和電容元件。在背景技術(shù)中披露的以上信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景技術(shù)的理解，因此可以包含不構(gòu)成在該國(guó)內(nèi)已為本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù) 的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明針對(duì)一種像素和采用該種像素的電致發(fā)光顯示器，其基本克 服了由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺陷帶來(lái)的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
因此本發(fā)明的實(shí)施例的特征在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其能 夠以減少數(shù)量的處理步驟和/或減少數(shù)量的掩模制造。
本發(fā)明的以上和其他特征和優(yōu)點(diǎn)的至少之一可以通過(guò)提供一種顯示裝 置的像素實(shí)現(xiàn)，所述像素連接到用于向所述像素供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線、用 于向所述像素供應(yīng)掃描電壓的掃描線、用于向所述像素供應(yīng)第一電源電壓的 第一電源、用于向所述像素供應(yīng)第二電源電壓的第二電源以及用于向所述像 素供應(yīng)初始電壓的初始電壓源，所述像素包括第一晶體管，用于向發(fā)光裝置供應(yīng)電流；第二晶體管，用于對(duì)所述第一晶體管進(jìn)行二極管連接；第三晶 體管，具有連接到所述數(shù)據(jù)線的第一電極和連4^到所述第一晶體管的第一電 極的第二電極；第一電容元件，電連接到所述第一電源和所述初始電壓源并包括為本征半導(dǎo)體的第一電極；第四晶體管，具有電連接到所述第一電容元 件的第一電極和電連接到所述初始電壓源的第二電極；第五晶體管，具有電 連接到所述第 一 電源的第 一電極和電連接到所述第二晶體管的第 一 電極的 第二電極；第六晶體管，具有電連接到所述第一晶體管的第一電極的第一電 極和電連接到所述發(fā)光裝置的第一電極的第二電極；以及第二電容元件，電 連接到所述第三晶體管的柵電極和所述第一晶體管的柵電極。
所述發(fā)光裝置可以為發(fā)光二極管。所述發(fā)光裝置可以為有機(jī)發(fā)光二極 管。所述本征半導(dǎo)體可以為本征多晶半導(dǎo)體。所述第一晶體管可以為驅(qū)動(dòng)晶 體管。所述第一晶體管可以為P溝道型晶體管，且可以包括P型半導(dǎo)體。P 型半導(dǎo)體的雜質(zhì)可以包括銻sb、磷P和砷As的至少一種。
所述第六晶體管的柵電極可以連接到所述顯示器的發(fā)射控制線。所述第 五晶體管的柵電極可以連接到所述發(fā)射控制線，并可以響應(yīng)于所述發(fā)射控制 線的信號(hào)將所述第一電源電壓施加到所述第一晶體管的第二電極。
所述第三晶體管可以為開關(guān)晶體管且可以響應(yīng)于所述掃描電壓將所述 數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)剿龅谝痪w管的所述第一電極。所述第二晶體管可以響應(yīng) 于所述掃描電壓被開啟，且在所述第二晶體管開啟時(shí)，所述第一晶體管可以 被二極管連接。
所述掃描電壓可以被施加到所述第四晶體管的柵電極，且所述第四晶體 管可以響應(yīng)于所述掃描電壓將所述初始電壓施加到所述第一電容元件。 所述第一電容元件的所述第一電極可以為通過(guò)準(zhǔn)分子激光退火(ELA)技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。所述第 一電容元件的所述第 一電極可以為通過(guò)固相結(jié)晶(SPC)技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。所述第一電容元件的所述第一電極可 以為通過(guò)金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。所述第一電容元件 的所述第一電極可以為通過(guò)金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)技術(shù)結(jié)晶的多晶半 導(dǎo)體。所述第一電容元件的所述第一電極可以為通過(guò)經(jīng)帽層的金屬誘導(dǎo)結(jié)晶 (MICC)技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。本發(fā)明的以上和其他特征和優(yōu)點(diǎn)的至少之一可以通過(guò)提供一種電致發(fā) 光顯示器實(shí)現(xiàn)，所述電致發(fā)光顯示器包括第 一基板以及與所述第 一基板間隔 開的第二基板，其中在所述第一基板和所述第二基板之間，所述電致發(fā)光顯 示器包括用于施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線；用于施加掃描電壓的掃描線；用于 供應(yīng)第一電壓的第一電源；用于供應(yīng)第二電壓的第二電源；用于供應(yīng)初始電 壓的初始電壓源；用于向電致發(fā)光裝置供應(yīng)電流的第一晶體管；第二晶體管， 用于對(duì)所述第一晶體管進(jìn)行二極管連接；第三晶體管，具有連接到所述數(shù)據(jù) 線的第一電極和連接到所述第一晶體管的第一電極的第二電極；第一電容元 件，電連接到所述第一電源和所述初始電壓源并包括為本征半導(dǎo)體的第一電 極；第四晶體管，具有電連接到所述第一電容元件的第一電極和電連接到所述初始電壓源的第二電極；第五晶體管，具有電連接到所述第一電源的第一 電極和電連接到所述第二晶體管的第一電極的第二電極；第六晶體管，具有 電連接到所述第 一 晶體管的第 一 電極的第 一 電極和電連接到所述電致發(fā)光 裝置的第一電極的第二電極；以及第二電容元件，電連接到所述第三晶體管 的柵電極和所述第一晶體管的柵電極，其中所述第一基板和所述第二基板之 間的空間被包括彈性材料的密封物和具有氧化硅(Si02)的玻璃料的至少一 種所密封。所述電致發(fā)光裝置可以為有機(jī)發(fā)光二極管。本發(fā)明的以上和其他特征和優(yōu)點(diǎn)的至少之一可以通過(guò)提供一種可以用 于顯示裝置的像素實(shí)現(xiàn)，所述像素包括多個(gè)晶體管，包括具有柵電極的第 一晶體管；以及電容器，包括連接到所述第一晶體管的柵電極的第一端子和 是本征半導(dǎo)體的第二端子。


通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例,本發(fā)明的以上和其他特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員將變得更加顯見,在附圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的用于OLED顯示器的像素的電 路圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面的像素的示范性第 一電容元件 的示意圖；圖3示出了施加到采用了本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面的示范性電容器的交流電壓頻率與存儲(chǔ)于電容器中的電壓量之間的關(guān)系的曲線圖；圖4示出了利用ELA技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層的方法的示意圖； 圖5示出了利用SPC技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層的方法的示意圖； 圖6示出了利用MIC技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層的方法的示意圖； 圖7示出了利用MILC技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層的方法的示意圖； 圖8示出了利用MICC技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層的方法的示意圖； 圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例包括采用了本征多晶半導(dǎo)體層的第一電容元件的示范性O(shè)LED顯示器的截面圖；以及圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例包括采用了本征多晶半導(dǎo)體層的第一電容元件的另一示范性O(shè)LED顯示器的截面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將在下文中參考附圖更為全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā) 明的示范性實(shí)施例。不過(guò)，本發(fā)明可以實(shí)施為不同的形式，不應(yīng)被解釋為局 限于這里所述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使本公開更加透徹和在附圖中，為了清楚地說(shuō)明，可能對(duì)層和區(qū)域的尺度進(jìn)行了放大。還要 理解的是，當(dāng)稱一層或元件位于另一層或襯底"上"時(shí)，其可以直接在另一層 或襯底上，或者還可以存在中間元件或?qū)?。此外，要理解的是，?dāng)稱一層位 于另一層"下"時(shí)，其可以直接位于下方，還可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。 此外，還要理解的是，當(dāng)稱一層位于兩層"之間"時(shí)，其可以是兩層之間的 唯一層，或者還可以有一個(gè)或多個(gè)中間層。當(dāng)稱一元件"連接到，，第二元件時(shí)，可以表示第一元件直接連接到第二 元件，或者也可以表示第一元件和第二元件是"電連接的"，它們之間有著
一個(gè)或多個(gè)元件。此外，當(dāng)稱一元件"包括" 一構(gòu)成元件時(shí)，除非另外指出， 并不意味著該元件排除了任何其他構(gòu)成元件，而是意味著該元件可以包括或 不包括其他構(gòu)成元件。通篇之中類似的附圖標(biāo)記表示類似的元件。本發(fā)明的目的在于提供一種像素電路和使用該像素電路的OLED顯示 器，通過(guò)提供具有顯示器例如OLED顯示器的像素的電容元件的結(jié)構(gòu)，其能 夠降低制造成本和時(shí)間，該電容元件在其一端采用了本征半導(dǎo)體以減少掩模 數(shù)量和/或簡(jiǎn)化制造工藝?，F(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的用于作為示范性電致發(fā)光顯示 器的OLED顯示器的像素的電路圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的用于OLED顯示器的示范性像 素可以連接到用于施加數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線DATA[m]、多條與數(shù)據(jù)線DATA[m] 交叉并用于施加掃描信號(hào)的掃描線SCAN[n-l]、 SCAN[n]以及發(fā)射控制線 EM[n]。更具體而言，例如，像素可以連接到對(duì)應(yīng)于該像素的相應(yīng)一條掃描 線SCAN[n]和與在當(dāng)前被驅(qū)動(dòng)的像素之前被驅(qū)動(dòng)的前一像素對(duì)應(yīng)的的前一 掃描線SCAN[n-l]。該像素可以包括第一晶體管Tl,第二晶體管T2,第 三晶體管T3，第四晶體管T4，第五晶體管T5，第六晶體管.T6，第一電容 元件Cst,第二電容元件C12。該像素可以包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。第一晶體管Tl的柵電極可以電連接到第一電容元件Cst的第一端子和 第二電容元件C12的第 一端子，第 一 晶體管Tl的源電極可以電連接到第二 晶體管T2的漏電極和第五晶體管T5的漏電極，第一晶體管Tl的漏電極可 以電連接到第六晶體管T6的源電極和第三晶體管T3的漏電極。第二晶體管 T2的柵電極可以電連接到掃描線SCAN[n]，且第二晶體管T2的源電極可以 電連接到第一晶體管Tl的柵電極。第三晶體管T3的柵電極可以連接到掃描線SCAN[n],第三晶體管T3 的源電極可以電連接到數(shù)據(jù)線DATA[m]。第四晶體管T4的源電極可以連接 到第一電容元件Cst的第一端子，第四晶體管T4的漏電極可以連接到初始 電壓Vinit線，第四晶體管T4的4冊(cè)電極可以連接到前一被驅(qū)動(dòng)的掃描線 SCAN[n-l]。第五晶體管T5的柵電極可以連接到發(fā)射控制線EM[n],第五晶體管T5 的源電極可以連接到第一電源ELVDD電壓。第六晶體管T6的柵電極可以
電連接到發(fā)射控制線EM[n],第六晶體管T6的漏電極可以電連接到OLED 的陽(yáng)極。OLED的陰極可以連接到第二電源ELVSS。第一電容元件Cst的第二端子可以連接到初始電壓Vinit線。第二電容 元件C12的第二端子可以連接到掃描線SCAN[n]、第二晶體管T2的柵電極 和第三晶體管T3的柵電極。第一晶體管T1可以是驅(qū)動(dòng)晶體管，用于將施加在其柵電極和源電極之 間的電壓轉(zhuǎn)換為電流。第二晶體管T2可以是二極管連接晶體管，用于對(duì)第 一晶體管Tl進(jìn)行二極管連接。第三晶體管T3可以是開關(guān)晶體管，用于響應(yīng) 于施加到掃描線SCAN[n]的掃描信號(hào)將施加到數(shù)據(jù)線DATA[m]的數(shù)據(jù)電壓 施加到第一晶體管T1。第四晶體管T4可以是開關(guān)晶體管，用于將施加到初始電壓Vinit線的初 始電壓施加到第一電容元件Cst。第五晶體管T5可以是開關(guān)晶體管，用于將 第一電源ELVDD電壓施加到第一晶體管TI的源電極。第六晶體管T6可以是開關(guān)晶體管，用于響應(yīng)于施加到發(fā)射控制線EM[n] 的發(fā)射控制信號(hào)選擇性地阻擋從第一晶體管Tl到OLED的電流。第一電容元件Cst可以在減輕/防止施加在第一晶體管Tl的柵電極和源 電極之間的數(shù)據(jù)電壓下降方面起到作用。第二電容元件C12可以是存儲(chǔ)第一 晶體管Tl的閾值電壓和/或根據(jù)第一晶體管Tl的閾值電壓補(bǔ)償漂移的電容 器。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面的像素的示范性第一電容元件 的示意圖。如圖2所示，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一電容元件Cst的第 一端子可以是本征多晶半導(dǎo)體且/或第一電容元件Cst的第二端子可以是柵 電極。在本發(fā)明的 一 些實(shí)施例中，本征多晶半導(dǎo)體層可以通過(guò)例如經(jīng)激光退 火、固相結(jié)晶或金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)將非晶半導(dǎo)體結(jié)晶為多晶硅層來(lái)制造。圖3示出了電容-電壓(C-V)曲線的圖，對(duì)應(yīng)于施加到具有作為其一個(gè) 電極的本征多晶半導(dǎo)體的電容器的交流電壓頻率與電容器端子間的電壓量 之間的關(guān)系?？梢愿鶕?jù)電容器的C-V曲線在一頻率范圍上基本穩(wěn)定的區(qū)域來(lái) 確定采用了根據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)或多個(gè)方面的電容器的像素的驅(qū)動(dòng)范圍。參考圖3,曲線U)對(duì)應(yīng)于施加到電容器的交流電壓頻率為100Hz的 情形，曲線(b)對(duì)應(yīng)于該頻率為100KHz的情形。如圖3所示，包括采用 本征多晶半導(dǎo)體層作為其一個(gè)端子的第一電容元件Cst的顯示器例如OLED 顯示器的像素的驅(qū)動(dòng)范圍可以是大約-3V到大約-6V,即，曲線(a)和(b) 的基本穩(wěn)定區(qū)域。在圖3所示的示范性實(shí)施例中，當(dāng)輸入到電容器中的交流 電壓的頻率是從大約100Hz到大約100KHz時(shí)，電容器兩端之間的電壓可以 在大約-3V到大約-6V的范圍內(nèi)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過(guò)將像素的驅(qū)動(dòng)范圍設(shè)置為預(yù)定范圍，以便對(duì) 應(yīng)于具有本征多晶半導(dǎo)體作為其一個(gè)電極的電容器的C-V曲線中的穩(wěn)定電容區(qū)域，可以將本征多晶半導(dǎo)體電容元件用于顯示器例如OLED顯示器的像素中。本發(fā)明的實(shí)施例可以提供包括具有本征多晶半導(dǎo)體作為其一個(gè)電極的 電容器的像素。通過(guò)包括具有本征多晶半導(dǎo)體作為其一個(gè)電極并因而與常規(guī)像素相比可使用更少數(shù)量的掩模和/或處理步驟的電容器，本發(fā)明的實(shí)施例可 以提供一種簡(jiǎn)化的和/或更低成本的工藝以用于制造像素。以下將描述形成本征多晶半導(dǎo)體層的示范性方法。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，本征多晶半導(dǎo)體層可以利用，例如準(zhǔn)分子激 光退火(ELA )、固相結(jié)晶、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC )、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC ) 和/或經(jīng)帽層的金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MICC)來(lái)形成。圖4示出了利用ELA技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層20的方法的示意圖。 如圖4所示，ELA技術(shù)可以通過(guò)向非晶硅IO上照射準(zhǔn)分子激光進(jìn)行結(jié)晶。 可以使用相對(duì)簡(jiǎn)單的工藝實(shí)施ELA技術(shù)，所得的本征多晶半導(dǎo)體層20可以 具有良好的電流遷移率。圖5示出了利用SPC技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層20的方法的示意圖。 如圖5所示，SPC技術(shù)通過(guò)在高溫下退火非晶硅IO可以形成本征多晶半導(dǎo) 體層20。與ELA技術(shù)相比，還可以使用相對(duì)簡(jiǎn)單的工藝實(shí)施SPC技術(shù)，利 用SPC技術(shù)制造所得的本征多晶半導(dǎo)體層20可以具有更高的電子遷移率。圖6示出了利用MIC技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層20的方法的示意圖。 如圖6所示，MIC技術(shù)通過(guò)濺射或旋涂將金屬催化劑30施加到非晶硅10上 并隨后在較低溫度下對(duì)非晶硅10退火，從而可以進(jìn)行結(jié)晶。在本發(fā)明的一 些實(shí)施例中，金屬催化劑30可以由例如Ni、 Pd和Co等制成。圖7示出了利用MILC技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層20的方法的示意圖。 如圖7所示，MILC技術(shù)通過(guò)在源極和漏極區(qū)上淀積金屬催化劑30并橫向地
將結(jié)晶后的晶種生長(zhǎng)到柵極底部上的激活區(qū)中，從而可以建立起金屬誘導(dǎo)結(jié) 曰曰曰。圖8示出了利用MICC技術(shù)形成本征多晶半導(dǎo)體層20的方法的示意圖。 如圖8所示，MICC技術(shù)通過(guò)在非晶硅IO和金屬催化劑30之間形成無(wú)機(jī)帽 層40可以限制滲透到半導(dǎo)體層中的金屬催化劑30的尺寸。MICC技術(shù)可以 減少金屬催化劑30造成的污染，所得的本征多晶半導(dǎo)體層20可以由具有基 本或完全均勻的尺寸的晶粒構(gòu)成。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，無(wú)機(jī)帽層40 可以由例如氮化硅(SiNx)或二氧化硅(Si02)制成。利用例如前述結(jié)晶技術(shù)的任一種形成的本征多晶半導(dǎo)體層20可以具有 比非晶硅更優(yōu)異的特性。例如，與非晶硅相比，本征多晶半導(dǎo)體層20可以 具有更好的電流遷移率和/或可靠性特征。圖9示出了示范性0LED顯示器IOO的截面圖，該示范性O(shè)LED顯示 器100包括采用根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的本征多晶半導(dǎo)體層的第一電容 元件?？梢栽谙禄?03和上基板105之間設(shè)置一個(gè)或多個(gè)采用本征半導(dǎo)體 作為其電容元件的電極的像素。如圖9所示，該OLED顯示器100可以包括形成于下基板103和上封裝 基板105之間的密封物101,以免由于例如水分和氧氣流入內(nèi)部而導(dǎo)致特性 劣化?？梢栽谙禄?03和上基板105之間設(shè)置一個(gè)或多個(gè)采用本征半導(dǎo)體 作為其電容元件的電極的像素。密封物101可以包括例如可以吸收流入內(nèi)部的水分和氧氣的吸濕劑材 料?？梢蕴钊朊芊馕?01以保持接口或裂紋上的防水性和防空氣性，且密封 物101可以由彈性材料制成。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，例如，密封物101可以包括單成分型材料， 例如硅基(水分固化型)或丙烯?；?acryl-based)(干固化型)材料。單成分 型材料可以采用固化劑和基體聚合物(basepolymer)的混合物，它們預(yù)先混合 在一起以形成單成分并裝入容器例如盒子內(nèi)以便現(xiàn)場(chǎng)立即使用。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，例如，密封物101可以包括多成分型材料， 包括例如改性的硅基、聚硫化物基和/或聚氨酯基材料(反應(yīng)固化型)。兩成 分型材料可以采用固化劑和基體聚合物，每種裝入單獨(dú)的容器例如盒子中， 然后在使用前混合到 一起。圖10示出了包括采用了本征多晶半導(dǎo)體層的第一電容元件的另一示范
性O(shè)LED顯示器200的截面圖。OLED顯示器200可以用玻璃料(frit) 201密封。在本發(fā)明的一些實(shí)施 例中，玻璃料201可以包括例如氧化硅(Si02)、過(guò)渡金屬和/或具有低轉(zhuǎn)變 溫度(CTE)的填料。在輻照玻璃料201材料時(shí)，玻璃料201可以軟化并可 以形成粘合劑(bond),由此形成密封，同時(shí)避免對(duì)OLED顯示器200造成熱 損傷。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以通過(guò)激光玻璃料密封法形成玻璃料201, 該方法在低溫下局部地輻照激光以密封OLED顯示器200的下基板203和上 基板205之間的空間。這種方法可以將OLED顯示器200中包括的有機(jī)發(fā)光 元件的熱損傷最小化，且可以防止雜質(zhì)通過(guò)所形成的密封流入OLED顯示器 200的內(nèi)部?？梢栽谙禄?03和上基板205之間設(shè)置一個(gè)或多個(gè)采用本征 半導(dǎo)體作為其電容元件的電極的像素。盡管已經(jīng)結(jié)合目前認(rèn)為是實(shí)用的示范性實(shí)施例描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)理解 的是，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是反之，意在覆蓋包括在所附權(quán)利 要求的精神和范圍之內(nèi)的各種修改和等效設(shè)置。如上所述，本發(fā)明的實(shí)施例可以提供一種像素和/或使用該種像素的 OLED顯示器，通過(guò)采用具有一種電容元件的像素，該電容元件采用了本征 半導(dǎo)體作為其一個(gè)電極，可以減少與制造可用于顯示器例如OLED顯示器的像素相關(guān)的成本和時(shí)間量。因此，可以減少制造像素所需的掩模和/或工藝數(shù)旦 里。這里巳經(jīng)公開了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，雖然使用了特定的術(shù)語(yǔ)，但僅 僅是以 一般的和描寫性的意義而非出于限制的目的而使用并解釋它們的。因 此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員要理解的是，在不背離如以下權(quán)利要求所限定的本發(fā) 明的精神和范圍的情況下，可以作出各種形式和細(xì)節(jié)上的變化。在此全文引入于2006年8月9日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的題為"Organic Light Emitting Diode Display，，的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2006-0075177的全文以 作參考。
權(quán)利要求
1. 一種顯示裝置的像素，所述像素連接到用于向所述像素供應(yīng)數(shù)據(jù)電 壓的數(shù)據(jù)線、用于向所述像素供應(yīng)掃描電壓的掃描線、用于向所述像素供應(yīng) 第一電源電壓的第一電源、用于向所述像素供應(yīng)第二電源電壓的第二電源以及用于向所述像素供應(yīng)初始電壓的初始電壓源，所述像素包括 第一晶體管，用于向發(fā)光裝置供應(yīng)電流； 第二晶體管，用于對(duì)所述第一晶體管進(jìn)行二極管連接； 第三晶體管，具有連接到所述數(shù)據(jù)線的第 一電極和連接到所述第 一晶體管的第一電極的第二電極；第 一電容元件，電連接到所述第 一電源和所述初始電壓源并包括為本征半導(dǎo)體的第一電極；第四晶體管，具有電連接到所述第 一 電容元件的第 一 電極和電連接到所述初始電壓源的第二電極；第五晶體管，具有連接到所述第 一電源的第 一電極和電連接到所述第二 晶體管的第一電極的第二電極；第六晶體管，具有電連接到所述第一晶體管的第一電極的第一電極和電 連接到所述發(fā)光裝置的第一電極的第二電極；以及第二電容元件，電連接到所述第三晶體管的柵電極和所述第一晶體管的 柵電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述發(fā)光裝置為發(fā)光二極管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述發(fā)光裝置為有機(jī)發(fā)光二極管。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述本征半導(dǎo)體為本征多晶半導(dǎo)體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第一晶體管為驅(qū)動(dòng)晶體管。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第一晶體管為P溝道型晶體 管，且包括P型半導(dǎo)體。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素，其中P型半導(dǎo)體的雜質(zhì)包括銻Sb、磷 P和砷As的至少一種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素，其中所述第六晶體管的柵電極連接到 所述顯示器的發(fā)射控制線。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素，其中所述第五晶體管的柵電極連接到 所述發(fā)射控制線，并響應(yīng)于所述發(fā)射控制線的信號(hào)將所述第一電源電壓施加 到所迷第一晶體管的第二電極。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第三晶體管為開關(guān)晶體管且響應(yīng)于所述掃描電壓將所述數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)剿龅谝痪w管的所述第一電極。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第二晶體管響應(yīng)于所述掃描 電壓被開啟，且在所述第二晶體管開啟時(shí)，所述第一晶體管被二極管連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述掃描電壓被施加到所述第四晶體管的柵電極，且所述第四晶體管響應(yīng)于所述掃描電壓將所述初始電壓施 加到所述第一電容元件。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第一電容元件的所述第一電 極為通過(guò)準(zhǔn)分子激光退火ELA技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第一電容元件的所述第一電 極為通過(guò)固相結(jié)晶SPC技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第一電容元件的所述第一電 極為通過(guò)金屬誘導(dǎo)結(jié)晶MIC技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第一電容元件的所述第一電 極為通過(guò)金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶MILC技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中所述第一電容元件的所述第一電 極為通過(guò)經(jīng)帽層的金屬誘導(dǎo)結(jié)晶MICC技術(shù)結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體。
18. —種電致發(fā)光顯示器，包括第一基板以及與所述第一基板間隔開的 第二基板，其中在所述第一基板和所述第二基板之間，所述電致發(fā)光顯示器 包括用于施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線；用于施加掃描電壓的掃描線；用于供應(yīng)第一電壓的第一電源；用于供應(yīng)第二電壓的第二電源；用于供應(yīng)初始電壓的初始電壓源；第一晶體管，用于向電致發(fā)光裝置供應(yīng)電流；第二晶體管，用于對(duì)所述第一晶體管進(jìn)行二極管連接； 第三晶體管，具有連接到所述數(shù)據(jù)線的第 一 電極和連接到所述第 一 晶體 管的第一電極的第二電極；第 一 電容元件，電連接到所述第 一 電源和所述初始電壓源并包括為本征半導(dǎo)體的第一電極；第四晶體管，具有電連接到所述第 一電容元件的第 一電極和電連接到所述初始電壓源的第二電才及；第五晶體管，具有連接到所述第一電源的第一電極和電連接到所述第二 晶體管的第一電極的第二電極；第六晶體管，具有電連接到所述第一晶體管的第一電極的第一電極和電 連接到所述電致發(fā)光裝置的第一電極的第二電極；以及第二電容元件，電連接到所述第三晶體管的柵電極和所述第一晶體管的 柵電極，其中所述第 一基板和所述第二基板之間的空間被包括彈性材料的密封 物和具有氧化硅Si02的玻璃料的至少一種所密封。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的電致發(fā)光顯示器，其中所述電致發(fā)光裝置 為有機(jī)發(fā)光二極管。
20. —種可以用于顯示裝置的像素，所述像素包括 多個(gè)晶體管，包括具有柵電極的第一晶體管；以及電容器，包括連接到所述第一晶體管的柵電極的第一端子和是本征半導(dǎo) 體的第二端子。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可用于顯示裝置的像素，包括多個(gè)晶體管，包括具有柵電極的第一晶體管；以及電容器，包括連接到所述第一晶體管的柵電極的第一端子和是本征半導(dǎo)體的第二端子。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101123266SQ20071010214
公開日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2007年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月9日
發(fā)明者千海珍, 辛惠真, 郭源奎 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社